【課題】利得領域の活性層の温度変化を抑えることができる半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子１Ａは、所定の光導波方向に並ぶ第１及び第２の領域１０ｃ、１０ｄを含む主面１０ａを有する半絶縁性基板１０と、第１の領域１０ｃ上に設けられ、ｎ型クラッド層２１、活性層２２、及びｐ型クラッド層２３を有する利得領域２０と、第２の領域１０ｄ上に設けられ、下部クラッド層４１、光導波層４２、上部クラッド層４３、及び抵抗体５０（加熱部材）を有する波長制御領域４０とを備える。半絶縁性基板１０は、裏面１０ｂから厚さ方向に延びて主面１０ａの第１の領域１０ｃに至る貫通孔１１を有しており、該貫通孔１１の内部には、半絶縁性基板１０の裏面１０ｂからｎ型クラッド層２１に達する金属部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】樹脂上の絶縁膜におけるクラックの発生を抑制することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】メサ構造１４が主面２ａ上に形成された半導体基板２の主面２ａ上に樹脂を塗布し、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９に対してエッチングを行い、誘電体樹脂層９に開口９ａを形成することによりコンタクト層１３を露出させる。コンタクト層１３及び誘電体樹脂層９を覆う絶縁膜１６を形成する。メサ構造１４上の絶縁膜１６に対してエッチングを行い、絶縁膜１６に開口１６ａを形成することによりコンタクト層１３を再び露出させる。このとき、開口１６ａの一端部１６ｃは、主部１６ｂと比べて幅広の部分を有する。その後、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を構成する第１及び第２の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク３０を用いて第１の半導体積層部２０にエッチングを施す工程と、Ａｌを含む光吸収層４２、及び光吸収層４２上に設けられるＩｎＰクラッド層４４を有する第２の半導体積層部４０を、エッチングマスク３０を用いて選択的に成長させる第１の再成長工程と、エッチングマスク３０を除去するマスク除去工程と、第１及び第２の半導体積層部２０，４０上に第３の半導体積層部を成長させる第２の再成長工程とを行う。第１の再成長工程において、ＩｎＰに対してエッチング選択性を有するＩｎＰ系化合物半導体を含むキャップ層４６を第２の半導体積層部４０上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク３０上に生じたＩｎＰ系堆積物Ｄｅを除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。その第１の領域１６０と第２の領域１６２との間の第３の領域１６５に遮光部材が配されている。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】表面レリーフ構造を備え、メサ構造の面発光レーザの製造方法であって、
半導体層上の第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを同一工程により形成する工程と、
これらのパターンが形成された第一の誘電体膜を含む半導体層の上に、第二の誘電体膜を形成する工程と、
第２のパターンが形成された半導体層の上の第二の誘電体膜を残して、第二の誘電体膜を除去した際の第１のパターンを用いてメサ構造を形成し、その後に電流狭窄構造を形成する工程と、
第二の誘電体膜が除去された第一の誘電体膜の第２のパターンを用いて、表面レリーフ構造を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】下部ＤＢＲ反射鏡等を構成するＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等の層の側面からの酸化を防ぐ構造を有する面発光型レーザ技術の提供。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と活性層と電流狭窄層と上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程（ステップＳ１０１）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることによりメサ構造を形成するメサ構造形成工程（ステップＳ１０２）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜を半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程（ステップＳ１０３）と、素子分離溝の壁面、メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程（ステップＳ１０４）と、再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程（ステップＳ１０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のパワーを高出力化してもＦＦＰ（遠視野像）特性が安定して広角化が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】ｎ型基板１の上に形成されたｎ型クラッド層２と、ｎ型クラッド層の上に形成された活性層４と、活性層の上に形成され、光の出射方向に延びる断面凸状のリッジ部６ａと該リッジ部の両側方に位置する平坦部６ｂとを有するｐ型クラッド層６と、両平坦部の上に形成され、ｐ型クラッド層よりも大きい光吸収係数を有する光吸収層９と、光吸収層を含むｐ型クラッド層の上面及びリッジ部の側面に形成された絶縁膜８とを有している。光吸収層は、出射端面側に設けられ、リッジ部中心から光吸収層のリッジ部側の端面までの距離がＤｉ１である第１領域と、出射端面と反対側に設けられ、リッジ部中心から光吸収層のリッジ部側の端面までの距離がＤｉ２である第２領域とを有し、Ｄｉ１とＤｉ２との関係は、Ｄｉ１＜Ｄｉ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】半極性面を有するＧａＮウエハを用いて、良質な劈開面を有する窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ１に形成されており、エッジ部ＥＤＧＥ１では、上面と側面が鋭角を成す。また、けがき線５１ａはｍ軸に直交する方向に延びる基準線ＬＩＮＥに沿って延びている。けがき線５１ａは、基準線ＬＩＮＥに沿って延びる溝を含む。けがき線５１ａはエッジ部ＥＤＧＥ２には形成されていない。エッジ部ＥＤＧＥ２では、上面と側面が鈍角を成す。けがき線５１ａの形成はレーザけがき装置を用いて行われることができる。或いは、けがき線５１ａは、けがき針及びダイヤモンド針等を用いるけがき装置によって形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】単一横モードで、偏光方向が安定している、高出力面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１１１上に下部ＤＢＲ層１１２と活性層１１４と上部ＤＢＲ層１１５を形成し、前記活性層及び前記上部ＤＢＲ層に形成したメサ１３０と、中央部分に開口部を有する上部電極１１８と、前記基板の裏面に形成された下部電極１１９とを有する面発光レーザにおいて、前記開口部内における光強度プロファイルのうち、基本横モード光のプロファイルの高い強度を示す領域である光出力中心部を含む第１の領域１５１と、前記開口部内における前記第１の領域以外の領域となる第２の領域１５２と、を有し、前記第１の領域は、前記光出力中心部と、前記光出力中心部から外側に突出する３つ以上の凸部１５１ｂを有し、前記第１の領域の反射率よりも前記第２の領域の反射率が高くなるように、前記第１の領域または前記第２の領域の少なくともいずれか一方に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし、バリアメタル層上のＡｕ層のＡｕが上記段切れ部分からリッジ内部へ拡散するのを防止する。
【解決手段】ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。コンタクト層の上面から第２の第２クラッド層の底まで分離溝が２本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。リッジは第２の第２クラッド層で形成される下部と、コンタクト層で形成されるリッジ部コンタクト層とからなっている。リッジ部コンタクト層の分離溝に臨む両側の上面は斜面となり、この上にバリアメタル層が形成されている。リッジの下部の側面から分離溝を越える部分は絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 射出領域内に、屈折率１．４５のＳｉＯ_２からなる誘電体層の上に、屈折率１．８７のＳｉＮからなる誘電体層がそれぞれλ／４の光学的厚さで積層され、反射率を高くする高反射率領域１１６を有し、該高反射率領域１１６は、射出領域の中心部を含んで設けられ、射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有している。また、射出領域内には、ＳｉＮからなる誘電体層がλ／４の光学的厚さで、高反射率領域１１６を取り囲むように形成され、反射率を低くする低反射率領域１１５を有している。 （もっと読む）

【課題】酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザにおいて、酸化絶縁物による電流狭窄構造部分からクラック等が発生するのを防止または抑制する。
【解決手段】基板１０と、基板内の活性層１４と、基板に設けられた第１および第２の溝４２、４４と、溝４２と４４の間に形成されＡｌ含有化合物半導体を含む層を有するリッジ４６とを備え、Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、第１の溝の全周囲にわたって設けられた酸化絶縁物２０と、第２の溝の全周囲にわたって設けられた酸化絶縁物２０と、リッジ内の両側の酸化絶縁物２０に挟まれたＡｌ含有化合物半導体と、を有し、リッジ内において、両側の酸化絶縁物２０により電流狭窄構造を形成し、基板の端面には酸化絶縁物２０は露出しない。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザーの端部における放熱性を向上することが可能なリッジ型半導体レーザー及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】リッジ型半導体レーザー１は、所定の軸Ａｘ方向に順に配列された一端部３１、中間部３２、及び他端部３３を含む半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢの主面ａ１上に設けられたクラッド層Ｃ１と、クラッド層Ｃ１上に設けられたコア領域１０と、コア領域１０上に設けられ、所定の軸Ａｘ方向に延在するリッジ部Ｃ２と、リッジ部Ｃ２上に設けられた絶縁層１９と、リッジ部Ｃ２及び絶縁層１９上に設けられ、リッジ部Ｃ２に接続された電極Ｅ１と、中間部３２上において、絶縁層１９上に設けられリッジ部Ｃ２を埋め込む樹脂層６とを備え、中間部３２上の樹脂層６は、絶縁層１９の側面に接し、一端部３１及び他端部３３上の電極Ｅ１は、リッジ部Ｃ２の側面５上の絶縁層１９上に延在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、長期信頼性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、及びコンタクト層１０９などが積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内には、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、射出方向からみたときに、ｐ側電極１１３の一部がモードフィルタ１１５の一部を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制するとともに、光量変動の少ない光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ１００は、面発光レーザアレイであり、各発光部は、基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光の射出領域内に、該射出領域の中心部を挟むように設けられ、反射率を中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜（１１５Ａ、１１５Ｂ）を有し、Ｚ軸方向からみたときに、誘電体膜によって挟まれる領域の内側に、電流通過領域１０８ｂが位置するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】良好なレーザ特性と変調器特性とを有する半導体光集積素子を容易に得られる構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板のレーザ領域から光変調器領域にわたって形成されたｎ型の下部クラッド層と、を備え、レーザ領域には、下部クラッド層上に形成されたメサ状の活性層と、活性層上に形成されたｐ型上部クラッド層と、活性層のメサ側壁に形成された半絶縁型電流狭窄層と、半絶縁型電流狭窄層に積層されたｎ型電流狭窄層とを有するレーザが形成されており、光変調器領域には、下部クラッド層上に形成され、活性層と接合しているメサ状の光導波路層と、光導波路層を埋没する半絶縁型埋込層と、半絶縁型埋込層上に積層されたｎ型上部クラッド層と、を有する光変調器が形成されており、半絶縁型電流狭窄層と半絶縁型埋込層とが同一組成からなり、ｎ型電流狭窄層とｎ型上部クラッド層とが同一組成からなる。 （もっと読む）