含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法
【課題】含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを、工業的に有利な方法で、簡便に高い選択率で収率良く製造できる方法を提供する。
【解決手段】
一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)a(CF2)bSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを原料として用い、脱ハロゲン化水素反応を行うことを特徴とする、一般式（２）：
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （２）
(式中、ａ及びbは上記に同じ)で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【解決手段】
一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)a(CF2)bSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを原料として用い、脱ハロゲン化水素反応を行うことを特徴とする、一般式（２）：
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （２）
(式中、ａ及びbは上記に同じ)で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学式：CF２=CFO(CF2CF(CF3)O)nCF2CF2SO2F（式中、ｎは０又は１である）で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルは、イオン交換膜材料などの工業原料として有用な化合物である。
【０００３】
該含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテル等のスルホニルビニルエーテルの製造方法としては、例えば、ヘキサフルオロプロピレンオキシドをFCOCF2SO2Fに付加させた後、得られた酸フロリド誘導体を熱分解する方法が知られている（下記特許文献１参照）。しかしながら、この方法では、ヘキサフルオロプロピレンオキシドを２分子以上付加したものからは、CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)nCF2CF2SO2Fで表されるスルホビニルエーテルを得ることは可能であるが、ヘキサフルオロプロピレンオキシドを１分子付加したものからは、下記式
【０００４】
【化１】
【０００５】
で表される環化体が主生成物として生じ、化学式CF2=CFOCF2CF2SO2Fで表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルをほとんど得ることができない。
【０００６】
また、FCOCF(CF3)OCF2CF2SO2Fを原料として用い、その環化体
【０００７】
【化２】
【０００８】
を形成した後、ＣＨ３ＯＮａを用いて開環させてCF2=CFOCF2CF2SO3Naとし、その後、末端のＳＯ３Ｎａ基を塩素化してCF2=CFOCF2CF2SO2Clとし、更に、フッ素化してSO2F基に変換する方法も知られている（下記特許文献２参照）。ここに記載されているフッ素化工程は、溶媒としてスルホランを用い、フッ素化剤としてNaFを用いる方法であるが、溶媒として高融点、高沸点を有するスルホランを用いるため、反応中に分解して生じたCF2=CFOCF2CF2SO3Naなどの有効成分や、未反応原料のＮａＦ、副生成物であるNaClとの分離が困難であり、スルホランと固体の有効成分を回収する工程が非常に複雑となる。このため、この方法は、工業的実施は困難であり、産業廃棄物が多量に生じるという問題もある。以上の理由により高い選択率で収率良く目的とする含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造可能な方法が望まれる。
【特許文献１】英国特許１，０３４，１９７号
【特許文献２】米国特許第３，５６０，５６８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記した従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを、工業的に有利な方法で、簡便に高い選択率で収率良く製造できる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記した問題点に鑑みて鋭意研究を重ねてきた。その結果、特定の構造を有する含フッ素フルオロロスルホニルエーテルに対して、脱ハロゲン化水素反応を行うことによって、高収率で高純度の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルが得られることを見出し、ここに本発明を完成するに至った。
【００１１】
即ち、本発明は、下記の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法を提供するものである。
１． 一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)a(CF2)bSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを原料として用い、脱ハロゲン化水素反応を行うことを特徴とする、一般式（２）：
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （２）
(式中、ａ及びbは上記に同じ)で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
２． 一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを水酸基を含まない強塩基性化合物と反応させる方法、又は一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを脱ハロゲン化水素反応用触媒と接触させる方法によって脱ハロゲン化水素反応を行う上記項１に記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
３． 一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが、一般式（３）：
ICF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （３）
(式中、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)
で表されるヨウ化物の還元反応によって得られるものである、上記項１又は２に記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
４． 一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが、化学式：HCF2CF2OCF2CF2SO2Fで表される化合物である上記項１〜３のいずれかに記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【００１２】
本発明の製造方法では、原料としては、下記一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを用いる。該化合物において、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、ヨウ素、臭素などを例示できる。
【００１３】
本発明の製造方法において、原料として用いる一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルは、例えば、下記一般式（３）
ICF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （３）
(式中、ａ及びｂは上記に同じ)
で表されるヨウ化物の還元反応によって得ることができる。この還元反応は、例えば、還元剤として、Zn、Mg、グリニャール試薬、例えばEtMgBr、PhMgBr等を用いて行うことができる。還元剤の使用量は、例えば、一般式（３）のヨウ化物に対して等モル〜２倍モル程度とすることができる。
【００１４】
具体的な方法としては、例えば、還元剤としてZn、Mg等を用いる場合には、反応溶媒としてジグライム、アルコールなどのプロトン性溶媒を用い、還元剤を分散した溶媒中に一般式（３）のヨウ化物を添加して反応させればよい。
【００１５】
また、還元剤としてグリニャール試薬を用いる場合には、テトラヒドロフラン（THF）、CH3CN、ジグライム、ジメチルホルムアミド（DMF）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（NMP）等の非プロトン性溶媒に還元剤を分散させ、これに一般式（３）のヨウ化物を添加して反応させればよい。
【００１６】
還元反応の反応温度については、特に限定的ではないが、例えば、−２０〜１５０℃程度の範囲とすることができる。
【００１７】
以上の方法によって、原料として用いる一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを得ることができる。
【００１８】
本発明の製造方法では、一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルに対して脱ハロゲン化水素反応を行うことによって、一般式（２）：
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （２）
(式中、ａ及びbは上記に同じ)で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造することができる。
【００１９】
脱ハロゲン化水素反応は、例えば、一般式（１）の化合物をEt3N、ピリジン等の３級アミン、ブチルリチウムなどの水酸基を含まない強塩基性化合物と反応させることによって行うことができる。この反応は、溶媒中又は無溶媒で行うことができる。 溶媒としては、例えば、THF、ジグライム、CH3CN、ジエチルエーテル等を用いることができる。
【００２０】
強塩基性化合物の使用量は、一般式（１）の含フッ素フルオロスルホニルエーテル１モルに対して１〜３モル程度とすることができる。反応温度は、通常、−１０〜１００℃程度とすればよい。
【００２１】
また、脱ハロゲン化水素反応は、一般式（１）の含フッ素フルオロスルホニルエーテルをゼオライト、アルミナ、酸化クロム等の脱ハロゲン化水素用の触媒に接触させることによっても行うことができる。例えば、触媒を充填した反応容器に、一般式（１）の含フッ素フルオロスルホニルエーテルを添加する方法によって反応を進行させることができる。
【００２２】
この場合の触媒の使用量は、例えば、一般式（１）の含フッ素フルオロスルホニルエーテル１００重量部に対して１〜１００重量部程度とすればよい。反応温度は、例えば、１００〜４００℃程度とすることができる。
【００２３】
以上の方法によって、上記一般式（２）で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを得ることができる。
【００２４】
得られた粗化合物は、蒸留、カラムクロマトグラフィーなどの公知の方法で精製できる。例えば、水を加えて撹拌することによって二層に分液し、下層は、上記化学式で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルとなり、上記の方法で精製することができる。
【００２５】
この様にして得られる含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルは、例えば、燃料電池電解質ポリマー用のモノマー成分等として有用な物質である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の製造方法によれば、比較的簡単な製造方法によって、非常に高い選択率で収率良く含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造することができる。
【００２７】
従って、本発明の製造方法によれば、収率向上に伴うコストダウンが可能であり、更に、産業廃棄物の低減、製造装置の腐食の抑制、製造工程の簡略化などの優れた効果が発揮される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の方法は、例えば、化学式：CF2=CFOCF2CF2SO2Fで表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法として有効に利用できる。
【００２９】
この化合物の製造工程の一例を挙げると、まず、CF2=CF2を出発原料として、下記の反応によって、化学式：ICF2CF2OCF2CF2SO2Fで表されるヨウ化物とする。
【００３０】
CF2=CF2 ＋ サルトン ＋ I2 → ICF2CF2OCF2CF2SO2F
次いで、前述した条件で還元反応を行うことによって、下記の反応式に従って、化学式：HCF2CF2OCF2CF2SO2Fで表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルとする。
【００３１】
ICF2CF2OCF2CF2SO2F → HCF2CF2OCF2CF2SO2F
次いで、該含フッ素フルオロスフホニルエーテルの脱フッ化水素反応によって、下記反応式に従って、フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを得ることができる。
【００３２】
HCF2CF2OCF2CF2SO2F → CF2=CFOCF2CF2SO2F
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学式：CF２=CFO(CF2CF(CF3)O)nCF2CF2SO2F（式中、ｎは０又は１である）で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルは、イオン交換膜材料などの工業原料として有用な化合物である。
【０００３】
該含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテル等のスルホニルビニルエーテルの製造方法としては、例えば、ヘキサフルオロプロピレンオキシドをFCOCF2SO2Fに付加させた後、得られた酸フロリド誘導体を熱分解する方法が知られている（下記特許文献１参照）。しかしながら、この方法では、ヘキサフルオロプロピレンオキシドを２分子以上付加したものからは、CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)nCF2CF2SO2Fで表されるスルホビニルエーテルを得ることは可能であるが、ヘキサフルオロプロピレンオキシドを１分子付加したものからは、下記式
【０００４】
【化１】
【０００５】
で表される環化体が主生成物として生じ、化学式CF2=CFOCF2CF2SO2Fで表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルをほとんど得ることができない。
【０００６】
また、FCOCF(CF3)OCF2CF2SO2Fを原料として用い、その環化体
【０００７】
【化２】
【０００８】
を形成した後、ＣＨ３ＯＮａを用いて開環させてCF2=CFOCF2CF2SO3Naとし、その後、末端のＳＯ３Ｎａ基を塩素化してCF2=CFOCF2CF2SO2Clとし、更に、フッ素化してSO2F基に変換する方法も知られている（下記特許文献２参照）。ここに記載されているフッ素化工程は、溶媒としてスルホランを用い、フッ素化剤としてNaFを用いる方法であるが、溶媒として高融点、高沸点を有するスルホランを用いるため、反応中に分解して生じたCF2=CFOCF2CF2SO3Naなどの有効成分や、未反応原料のＮａＦ、副生成物であるNaClとの分離が困難であり、スルホランと固体の有効成分を回収する工程が非常に複雑となる。このため、この方法は、工業的実施は困難であり、産業廃棄物が多量に生じるという問題もある。以上の理由により高い選択率で収率良く目的とする含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造可能な方法が望まれる。
【特許文献１】英国特許１，０３４，１９７号
【特許文献２】米国特許第３，５６０，５６８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記した従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを、工業的に有利な方法で、簡便に高い選択率で収率良く製造できる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記した問題点に鑑みて鋭意研究を重ねてきた。その結果、特定の構造を有する含フッ素フルオロロスルホニルエーテルに対して、脱ハロゲン化水素反応を行うことによって、高収率で高純度の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルが得られることを見出し、ここに本発明を完成するに至った。
【００１１】
即ち、本発明は、下記の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法を提供するものである。
１． 一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)a(CF2)bSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを原料として用い、脱ハロゲン化水素反応を行うことを特徴とする、一般式（２）：
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （２）
(式中、ａ及びbは上記に同じ)で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
２． 一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを水酸基を含まない強塩基性化合物と反応させる方法、又は一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを脱ハロゲン化水素反応用触媒と接触させる方法によって脱ハロゲン化水素反応を行う上記項１に記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
３． 一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが、一般式（３）：
ICF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （３）
(式中、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)
で表されるヨウ化物の還元反応によって得られるものである、上記項１又は２に記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
４． 一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが、化学式：HCF2CF2OCF2CF2SO2Fで表される化合物である上記項１〜３のいずれかに記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【００１２】
本発明の製造方法では、原料としては、下記一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを用いる。該化合物において、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、ヨウ素、臭素などを例示できる。
【００１３】
本発明の製造方法において、原料として用いる一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルは、例えば、下記一般式（３）
ICF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （３）
(式中、ａ及びｂは上記に同じ)
で表されるヨウ化物の還元反応によって得ることができる。この還元反応は、例えば、還元剤として、Zn、Mg、グリニャール試薬、例えばEtMgBr、PhMgBr等を用いて行うことができる。還元剤の使用量は、例えば、一般式（３）のヨウ化物に対して等モル〜２倍モル程度とすることができる。
【００１４】
具体的な方法としては、例えば、還元剤としてZn、Mg等を用いる場合には、反応溶媒としてジグライム、アルコールなどのプロトン性溶媒を用い、還元剤を分散した溶媒中に一般式（３）のヨウ化物を添加して反応させればよい。
【００１５】
また、還元剤としてグリニャール試薬を用いる場合には、テトラヒドロフラン（THF）、CH3CN、ジグライム、ジメチルホルムアミド（DMF）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（NMP）等の非プロトン性溶媒に還元剤を分散させ、これに一般式（３）のヨウ化物を添加して反応させればよい。
【００１６】
還元反応の反応温度については、特に限定的ではないが、例えば、−２０〜１５０℃程度の範囲とすることができる。
【００１７】
以上の方法によって、原料として用いる一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを得ることができる。
【００１８】
本発明の製造方法では、一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルに対して脱ハロゲン化水素反応を行うことによって、一般式（２）：
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （２）
(式中、ａ及びbは上記に同じ)で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造することができる。
【００１９】
脱ハロゲン化水素反応は、例えば、一般式（１）の化合物をEt3N、ピリジン等の３級アミン、ブチルリチウムなどの水酸基を含まない強塩基性化合物と反応させることによって行うことができる。この反応は、溶媒中又は無溶媒で行うことができる。 溶媒としては、例えば、THF、ジグライム、CH3CN、ジエチルエーテル等を用いることができる。
【００２０】
強塩基性化合物の使用量は、一般式（１）の含フッ素フルオロスルホニルエーテル１モルに対して１〜３モル程度とすることができる。反応温度は、通常、−１０〜１００℃程度とすればよい。
【００２１】
また、脱ハロゲン化水素反応は、一般式（１）の含フッ素フルオロスルホニルエーテルをゼオライト、アルミナ、酸化クロム等の脱ハロゲン化水素用の触媒に接触させることによっても行うことができる。例えば、触媒を充填した反応容器に、一般式（１）の含フッ素フルオロスルホニルエーテルを添加する方法によって反応を進行させることができる。
【００２２】
この場合の触媒の使用量は、例えば、一般式（１）の含フッ素フルオロスルホニルエーテル１００重量部に対して１〜１００重量部程度とすればよい。反応温度は、例えば、１００〜４００℃程度とすることができる。
【００２３】
以上の方法によって、上記一般式（２）で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを得ることができる。
【００２４】
得られた粗化合物は、蒸留、カラムクロマトグラフィーなどの公知の方法で精製できる。例えば、水を加えて撹拌することによって二層に分液し、下層は、上記化学式で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルとなり、上記の方法で精製することができる。
【００２５】
この様にして得られる含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルは、例えば、燃料電池電解質ポリマー用のモノマー成分等として有用な物質である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の製造方法によれば、比較的簡単な製造方法によって、非常に高い選択率で収率良く含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造することができる。
【００２７】
従って、本発明の製造方法によれば、収率向上に伴うコストダウンが可能であり、更に、産業廃棄物の低減、製造装置の腐食の抑制、製造工程の簡略化などの優れた効果が発揮される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の方法は、例えば、化学式：CF2=CFOCF2CF2SO2Fで表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法として有効に利用できる。
【００２９】
この化合物の製造工程の一例を挙げると、まず、CF2=CF2を出発原料として、下記の反応によって、化学式：ICF2CF2OCF2CF2SO2Fで表されるヨウ化物とする。
【００３０】
CF2=CF2 ＋ サルトン ＋ I2 → ICF2CF2OCF2CF2SO2F
次いで、前述した条件で還元反応を行うことによって、下記の反応式に従って、化学式：HCF2CF2OCF2CF2SO2Fで表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルとする。
【００３１】
ICF2CF2OCF2CF2SO2F → HCF2CF2OCF2CF2SO2F
次いで、該含フッ素フルオロスフホニルエーテルの脱フッ化水素反応によって、下記反応式に従って、フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを得ることができる。
【００３２】
HCF2CF2OCF2CF2SO2F → CF2=CFOCF2CF2SO2F
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)a(CF2)bSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを原料として用い、脱ハロゲン化水素反応を行うことを特徴とする、一般式（２）：
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （２）
(式中、ａ及びbは上記に同じ)で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【請求項２】
一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを水酸基を含まない強塩基性化合物と反応させる方法、又は一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを脱ハロゲン化水素反応用触媒と接触させる方法によって脱ハロゲン化水素反応を行う請求項１に記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【請求項３】
一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが、一般式（３）：
ICF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （３）
(式中、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)
で表されるヨウ化物の還元反応によって得られるものである、請求項１又は２に記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【請求項４】
一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが、化学式：HCF2CF2OCF2CF2SO2Fで表される化合物である請求項１〜３のいずれかに記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【請求項１】
一般式（１）：
CHF2CXFO(CF2CF(CF3)O)a(CF2)bSO2F （１）
(式中、Xはハロゲン原子であり、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを原料として用い、脱ハロゲン化水素反応を行うことを特徴とする、一般式（２）：
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （２）
(式中、ａ及びbは上記に同じ)で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【請求項２】
一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを水酸基を含まない強塩基性化合物と反応させる方法、又は一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを脱ハロゲン化水素反応用触媒と接触させる方法によって脱ハロゲン化水素反応を行う請求項１に記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【請求項３】
一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが、一般式（３）：
ICF2CXFO(CF2CF(CF3)O)ａ(CF2)ｂSO2F （３）
(式中、aは０〜５の整数、bは１〜１０の整数である)
で表されるヨウ化物の還元反応によって得られるものである、請求項１又は２に記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【請求項４】
一般式（１）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが、化学式：HCF2CF2OCF2CF2SO2Fで表される化合物である請求項１〜３のいずれかに記載の含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルの製造方法。
【公開番号】特開２００８−１２７３１８（Ｐ２００８−１２７３１８Ａ）
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３１２９４３（Ｐ２００６−３１２９４３）
【出願日】平成１８年１１月２０日（２００６．１１．２０）
【出願人】（０００００２８５３）ダイキン工業株式会社 (7,604)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月２０日（２００６．１１．２０）
【出願人】（０００００２８５３）ダイキン工業株式会社 (7,604)
【Ｆターム（参考）】
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