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国際特許分類[C07C303/22]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 非環式化合物または炭素環式化合物 (64,036) | 硫酸エステルまたはアミドの製造;スルホン酸またはそのエステル,ハライド,無水物またはアミドの製造 (751) | スルホン酸またはそのハロゲン化物の製造 (221) | スルホ基またはハロスルホニル基の形成が関与しない反応によるスルホン酸からのもの (110)

国際特許分類[C07C303/22]に分類される特許

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【課題】優れたレジストパターンのCD均一性(CDU)を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


[式(I)中、QI1及びQI2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。Xは、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、nが0のとき、Xは単結合ではない。Wは、特定式(Ia1−1)又は特定式(Ia1−2)で表される構造を表す。Rは、水素原子又はメチル基を表す。Z1+は、有機対イオンを表す。] (もっと読む)


【課題】優れたCD均一性で、レジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)、式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたCD均一性でレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥発生数が少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)、式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】フルオロアルカンスルホン酸塩から誘導されるフルオロアルカンスルホン酸の製造において、硫黄成分を効率的に低減し、工業的に有利に高純度なフルオロアルカンスルホン酸を提供する。
【解決手段】一般式[1]で表されるフルオロアルカンスルホン酸


(式中、Rは炭素数1〜4の直鎖もしくは炭素数3〜4の分岐鎖のフルオロアルキル基を示す。)の製造方法において、以下の工程を含むことを特徴とする、フルオロアルカンスルホン酸の製造方法。(1)フルオロアルカンスルホン酸塩に、濃硫酸及び/又は発煙硫酸を反応させて酸分解し、フルオロアルカンスルホン酸と硫黄成分とを含む反応混合物を得る工程。(2)前記工程で得られた反応混合物に、酸化剤を添加し、続けて蒸留することにより該反応混合物からフルオロアルカンスルホン酸を得る工程。 (もっと読む)


【課題】高い収率で高純度のアルカンジスルホン酸バリウムの製造方法の提供。
【解決手段】ジハロアルカン化合物と亜硫酸ナトリウムおよび/または亜硫酸カリウムとを反応溶媒中で反応させ、式2で表されるアルカンジスルホン酸塩を含有する反応液を得る工程1と、該反応液に酸を加えた後、バリウム塩を加えて反応させる工程2とを有する式3で表されるアルカンジスルホン酸バリウムの製造方法。


式2中、RおよびRは、H、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数1〜5のフルオロアルキル基、または、炭素数1〜5のポリフルオロアルキル基を示す。nは1〜6の整数を示し、nが2〜6である場合、n個のRおよびn個のRは、それぞれ互いに同一でもよく異なっていてもよい。MはNaまたはKを示す。


式3中、RおよびR、nは、式2と同じ基、同じ値を示す。 (もっと読む)


【課題】抗ヒスタミン活性及び抗アレルギー活性が優れている(S)−4−〔4−〔(4−クロロフェニル)(2−ピリジル)メトキシ〕ピペリジノ〕ブタン酸のベンゼンスルホン酸塩の提供。
【解決手段】(±)−4−〔(4−クロロフェニル)(2−ピリジル)メトキシ〕ピペリジンをジアステレオマー塩に誘導し、これを分別結晶の方法で、光学分割して光学活性な(S)−4−〔(4−クロロフェニル)(2−ピリジル)メトキシ〕ピペリジンを得た後、ピペリジンのN−アルキル化反応およびエステルの加水分解反応さらにベンゼンスルホン酸の中和処理により合成した(S)−4−〔4−〔(4−クロロフェニル)(2−ピリジル)メトキシ〕ピペリジノ〕ブタン酸のベンゼンスルホン酸塩。 (もっと読む)


【課題】レジスト組成物用の酸発生剤等として用いられる塩の製造方法の提供。
【解決手段】有機塩基の存在下、式(II)


[式中、Q及びQは、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を表す。]で表される化合物と式(III)


[式中、Zは有機カチオンを表し、Xはアニオンを表す。]で表される塩と水とを反応させる式(I)


で表される塩の製造方法。 (もっと読む)


【課題】純度が高く、有毒副産物の可能性が低く、例えばアミロイドーシス治療のために薬学的に有用である、スルホン酸誘導体化合物、例えば3-アミノ-1-プロパンスルホン酸および1,3-プロパンジスルホン酸2ナトリウム塩の新規な調製法を提供する。
【解決手段】下記の式によって表される、スルトン環を求核剤で開環する段階を含むスルホン酸誘導体化合物の調製法。


(式中、n=1または2であり;Nuは求核剤であり;Mは水素または塩形成基であり;R1、R2、R3、R4、R5、およびR6は独立に水素、または置換もしくは無置換アルキル基である。) (もっと読む)


【課題】スルホン酸ホスホニウム帯電防止剤の一段と効率的な製造方法(特に一段階法)、並びにこれらの帯電防止剤を配合した熱可塑性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】以下の一般式(1)のスルホン酸ホスホニウム塩の製造方法であって、水性媒質中で高ハロゲン化スルホン酸のリチウム、あるいはナトリウム塩を化学量論的過剰量の四置換アルキルホスホニウム陽イオン化合物と混合する段階、及び媒質から式(1)の生成物を分離する段階を含んでなる方法。(式中、各Xは、ハロゲン/水素のモル比が約0.90超であることを条件として、独立にハロゲン又は水素であり、q+rが8未満であること及びpが0でないときはrが0を超えることを条件として、pは0又は1であり、q及びrは0〜約7の整数であり、各Rは炭素原子数1〜約18の同一又は異なる炭化水素基である。)
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【課題】分子内にスルホ基を有するジハロビフェニル化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】式(1)


で表されるジアゾ化合物を銅及び/又は銅化合物に接触させて、式(2)


で表されるジハロビフェニル化合物を得る。 (もっと読む)


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