有機半導体材料、及びこれを用いた発光素子、発光装置、照明装置、及び電子機器
【課題】バイポーラ性を有する新規な材料を提供することを目的とする。また、発光素子、発光装置、電子機器の消費電力を低減することを目的とする。
【解決手段】電子輸送性を有する骨格とホール輸送性を有する骨格とを、共役が広がりにくいねじれたクアテルフェニレン骨格(好ましくは、[1,1’:2’,1’’:2’’,1’’’]クアテルフェニル−4−4’’’−ジイル)]基)を介して結合した材料を用いることで発光素子、発光装置、電子機器の消費電力を低減することができる。
【解決手段】電子輸送性を有する骨格とホール輸送性を有する骨格とを、共役が広がりにくいねじれたクアテルフェニレン骨格(好ましくは、[1,1’:2’,1’’:2’’,1’’’]クアテルフェニル−4−4’’’−ジイル)]基)を介して結合した材料を用いることで発光素子、発光装置、電子機器の消費電力を低減することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
一般式(G1)で表される有機半導体材料。
【化1】
(式中、EAは電子受容ユニット、HAはホール受容ユニットであり、α1の炭素とEAは結合して環を形成していてもよく、α2の炭素とHAは結合して環を形成していてもよい。)
【請求項2】
一般式(G1)で表される有機半導体材料。
【化2】
(式中、EAおよびHAは、それぞれ置換基であり、α1の炭素とEAは結合して環を形成していてもよく、α2の炭素とHAは結合して環を形成していてもよい。また、aで表される骨格を水素で置換した一般式(G2A)で表される化合物は、bで表される骨格を水素で置換した一般式(G2B)で表される化合物よりも、電子親和力が大きく、かつ、イオン化ポテンシャルが大きい。)
【請求項3】
請求項2において、
一般式(G2A)で表される化合物の電子親和力は2.0eV以上4.0eV以下であり、一般式(G2B)で表される化合物のイオン化ポテンシャルは4.5eV以上6.5eV以下であることを特徴とする有機半導体材料。
【請求項4】
請求項2において、
一般式(G2A)で表される化合物の電子親和力は2.0eV以上3.0eV以下であり、一般式(G2B)で表される化合物のイオン化ポテンシャルは5.0eV以上6.0eV以下であることを特徴とする有機半導体材料。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記EAは、含窒素6員芳香環基、1,2−アゾール基、1,3−アゾール基、ポリアゾール基のいずれか一である有機半導体材料。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記HAはπ過剰系ヘテロ芳香族置換基、またはジアリールアミノ基である有機半導体材料。
【請求項7】
一対の電極間に、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の有機半導体材料を含む発光素子。
【請求項8】
一般式(BOX1)で表されるベンゾオキサゾール誘導体。
【化3】
(式中、Ar1、Ar2は、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、無置換の炭素数6〜10のアリール基、ハロゲンのいずれかを表す。Ar1とαの炭素、又はAr1とAr2とは、直接、又は硫黄、酸素、もしくは窒素を介して結合していてもよい。)
【請求項9】
一般式(BOX2)で表されるベンゾオキサゾール誘導体。
【化4】
(式中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、無置換の炭素数6〜10のアリール基、ハロゲンのいずれかを表し、R11〜R20は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6〜13のアリール基のいずれかを表す。R11とαの炭素、又はR15とR20とは、直接結合していてもよい。)
【請求項10】
一般式(BOX2)で表されるベンゾオキサゾール誘導体。
【化5】
(式中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、無置換の炭素数6〜10のアリール基、ハロゲンのいずれかを表し、R11〜R20は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6〜13のアリール基のいずれかを表す。R11とαの炭素、又はR15とR20とは、直接結合してカルバゾール骨格を形成してもよい。)
【請求項11】
一般式(BOX3)で表されるベンゾオキサゾール誘導体。
【化6】
(式中、R11〜R20は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6〜13のアリール基のいずれかを表す。R11とαの炭素、又はR15とR20とは、直接結合してカルバゾール骨格を形成してもよい。)
【請求項12】
請求項8乃至11のいずれか一項に記載のベンゾオキサゾール誘導体を用いた発光素子。
【請求項13】
一般式(OXD1)で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化7】
(式中、Ar11、Ar12及びAr13は、炭素数6〜13の置換または無置換のアリール基を表す。また、Ar11とαの炭素、又は、Ar11とAr12は、それぞれ互いに直接結合していてもよく、あるいは、酸素、硫黄、又は窒素のいずれかを介して結合していてもよい。)
【請求項14】
一般式(OXD2)で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化8】
(式中、R31〜R40は、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数6〜13の無置換のアリール基のいずれかを表し、Ar13は、炭素数6〜13の置換又は無置換のアリール基を表す。また、R31とαの炭素、又は、R35とR40は、それぞれ互いに結合してカルバゾール骨格を形成していてもよい。)
【請求項15】
一般式(OXD2)で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化9】
(式中、R31〜R40は、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数6〜13の無置換のアリール基のいずれかを表し、Ar13は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基のいずれかを表す。)
【請求項16】
一般式(OXD2)で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化10】
(式中、R31〜R40は、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数6〜13の無置換のアリール基のいずれかを表し、Ar13は、無置換のフェニル基、または、無置換の1−ナフチル基、または無置換の2−ナフチル基のいずれかを表す。)
【請求項17】
請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載のオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子。
【請求項18】
請求項7、請求項12または請求項17のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項19】
請求項18に記載の発光装置を用いた照明装置。
【請求項20】
表示部を有し、
前記表示部は、請求項18に記載の発光装置を備えた電子機器。
【請求項1】
一般式(G1)で表される有機半導体材料。
【化1】
(式中、EAは電子受容ユニット、HAはホール受容ユニットであり、α1の炭素とEAは結合して環を形成していてもよく、α2の炭素とHAは結合して環を形成していてもよい。)
【請求項2】
一般式(G1)で表される有機半導体材料。
【化2】
(式中、EAおよびHAは、それぞれ置換基であり、α1の炭素とEAは結合して環を形成していてもよく、α2の炭素とHAは結合して環を形成していてもよい。また、aで表される骨格を水素で置換した一般式(G2A)で表される化合物は、bで表される骨格を水素で置換した一般式(G2B)で表される化合物よりも、電子親和力が大きく、かつ、イオン化ポテンシャルが大きい。)
【請求項3】
請求項2において、
一般式(G2A)で表される化合物の電子親和力は2.0eV以上4.0eV以下であり、一般式(G2B)で表される化合物のイオン化ポテンシャルは4.5eV以上6.5eV以下であることを特徴とする有機半導体材料。
【請求項4】
請求項2において、
一般式(G2A)で表される化合物の電子親和力は2.0eV以上3.0eV以下であり、一般式(G2B)で表される化合物のイオン化ポテンシャルは5.0eV以上6.0eV以下であることを特徴とする有機半導体材料。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記EAは、含窒素6員芳香環基、1,2−アゾール基、1,3−アゾール基、ポリアゾール基のいずれか一である有機半導体材料。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記HAはπ過剰系ヘテロ芳香族置換基、またはジアリールアミノ基である有機半導体材料。
【請求項7】
一対の電極間に、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の有機半導体材料を含む発光素子。
【請求項8】
一般式(BOX1)で表されるベンゾオキサゾール誘導体。
【化3】
(式中、Ar1、Ar2は、それぞれ独立に、置換又は無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、無置換の炭素数6〜10のアリール基、ハロゲンのいずれかを表す。Ar1とαの炭素、又はAr1とAr2とは、直接、又は硫黄、酸素、もしくは窒素を介して結合していてもよい。)
【請求項9】
一般式(BOX2)で表されるベンゾオキサゾール誘導体。
【化4】
(式中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、無置換の炭素数6〜10のアリール基、ハロゲンのいずれかを表し、R11〜R20は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6〜13のアリール基のいずれかを表す。R11とαの炭素、又はR15とR20とは、直接結合していてもよい。)
【請求項10】
一般式(BOX2)で表されるベンゾオキサゾール誘導体。
【化5】
(式中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、無置換の炭素数6〜10のアリール基、ハロゲンのいずれかを表し、R11〜R20は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6〜13のアリール基のいずれかを表す。R11とαの炭素、又はR15とR20とは、直接結合してカルバゾール骨格を形成してもよい。)
【請求項11】
一般式(BOX3)で表されるベンゾオキサゾール誘導体。
【化6】
(式中、R11〜R20は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜4のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6〜13のアリール基のいずれかを表す。R11とαの炭素、又はR15とR20とは、直接結合してカルバゾール骨格を形成してもよい。)
【請求項12】
請求項8乃至11のいずれか一項に記載のベンゾオキサゾール誘導体を用いた発光素子。
【請求項13】
一般式(OXD1)で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化7】
(式中、Ar11、Ar12及びAr13は、炭素数6〜13の置換または無置換のアリール基を表す。また、Ar11とαの炭素、又は、Ar11とAr12は、それぞれ互いに直接結合していてもよく、あるいは、酸素、硫黄、又は窒素のいずれかを介して結合していてもよい。)
【請求項14】
一般式(OXD2)で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化8】
(式中、R31〜R40は、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数6〜13の無置換のアリール基のいずれかを表し、Ar13は、炭素数6〜13の置換又は無置換のアリール基を表す。また、R31とαの炭素、又は、R35とR40は、それぞれ互いに結合してカルバゾール骨格を形成していてもよい。)
【請求項15】
一般式(OXD2)で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化9】
(式中、R31〜R40は、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数6〜13の無置換のアリール基のいずれかを表し、Ar13は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基のいずれかを表す。)
【請求項16】
一般式(OXD2)で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化10】
(式中、R31〜R40は、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数6〜13の無置換のアリール基のいずれかを表し、Ar13は、無置換のフェニル基、または、無置換の1−ナフチル基、または無置換の2−ナフチル基のいずれかを表す。)
【請求項17】
請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載のオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子。
【請求項18】
請求項7、請求項12または請求項17のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項19】
請求項18に記載の発光装置を用いた照明装置。
【請求項20】
表示部を有し、
前記表示部は、請求項18に記載の発光装置を備えた電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【公開番号】特開2010−83876(P2010−83876A)
【公開日】平成22年4月15日(2010.4.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−203827(P2009−203827)
【出願日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年4月15日(2010.4.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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