有機電界発光素子
【課題】発光効率が高く、かつ駆動耐久性が良好な有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】有機化合物層に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物及びその鏡像異性体とを含み、含有モル量をＡ（Ｉ）、Ａ（ＩＩ）とするときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。式中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1とを有する二座配位子を表す。Ｍは三価の金属イオンを表し、Ｌ1とＭとは６員のキレート環を形成する。
【解決手段】有機化合物層に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物及びその鏡像異性体とを含み、含有モル量をＡ（Ｉ）、Ａ（ＩＩ）とするときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。式中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1とを有する二座配位子を表す。Ｍは三価の金属イオンを表し、Ｌ1とＭとは６員のキレート環を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（以下、適宜「有機ＥＬ素子」又は「発光素子」と称する。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
有機ＥＬ素子の重要な特性としては、発光効率と耐久性がある。高効率発光する有機ＥＬ素子としては、トリスフェニルピリジンイリジウム錯体（例えば、特許文献１参照。）や、ヘテロ原子がトランス型になった燐光発光性八面体型錯体を含有する有機発光装置が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらの燐光発光材料を含有する素子は、駆動耐久性の点で満足のいくものではなく、発光効率と駆動耐久性を共に満足する発光素子の開発が望まれていた。
【特許文献１】国際公開第００／０７０６５５号パンフレット
【特許文献２】特表２００３−５１５８９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、発光効率が高く、かつ駆動耐久性が良好な有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
【０００５】
〔１〕一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層の少なくとも一層に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有し、かつ、前記一般式（Ｉ）と共に下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有する場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量をＡ（Ｉ）とし、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量をＡ（ＩＩ）とするときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
【０００６】
【化１】
【０００７】
【化２】
【０００８】
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1とを有する二座配位子を表す。Ｘ1は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表す。Ｙ1は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表す。Ｍは三価の金属イオンを表し、Ｌ1とＭとは６員のキレート環を形成する。
【０００９】
〔２〕 前記有機化合物層中に含まれる、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量Ａ（Ｉ）と、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量Ａ（ＩＩ）とが、［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．９の関係を満たすことを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００１０】
〔３〕 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、アルミニウム錯体又はガリウム錯体であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【００１１】
〔４〕 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、前記発光層に含有されることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【００１２】
〔５〕 前記発光層からの発光が燐光であることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、発光効率が高く、かつ駆動耐久性が良好な有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明について詳細に説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層の少なくとも一層に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有し、かつ、前記一般式（Ｉ）と共に下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有する場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量をＡ（Ｉ）とし、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量をＡ（ＩＩ）とするときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことを特徴とする。
【００１５】
【化３】
【００１６】
【化４】
【００１７】
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1とを有する二座配位子を表す。Ｘ1は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表す。Ｙ1は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表す。Ｍは三価の金属イオンを表し、Ｌ1とＭとは６員のキレート環を形成する。
【００１８】
まず、本発明における一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物とは、それぞれその化合物及びその鏡像異性体を含むものとして定義する。
【００１９】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、特定の六配位八面体型の錯体化合物であって、同一のアニオン性配位原子３個と同一の中性配位原子３個がそれぞれ面に位置しており、フェイシャル型（ｆａｃ型）の幾何異性体である。一方、一般式（ＩＩ）で表される化合物は、同一のアニオン性配位原子３個と同一の中性配位原子３個がそれぞれ直線上に位置しており、メリジオナル型（ｍｅｒ型）の幾何異性体である。通常、錯体化合物を合成する際には、これらの幾何異性体は混合物として生成することが多いが、本発明者らは鋭意検討の結果、有機ＥＬ素子において、これら錯体化合物の中でもフェイシャル型錯体化合物の有機化合物層中の存在率を高くすることにより、発光効率及び耐久性を共に向上できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２０】
なお、以下においては、一般式（Ｉ）で表される化合物について説明を行うが、一般式（ＩＩ）で表される化合物は、一般式（Ｉ）で表される化合物の幾何異性体であり、その配位子の立体配置が異なる以外は、一般式（Ｉ）についての配位子等に関する説明が、一般式（ＩＩ）についても同様に適用される。
【００２１】
一般式（Ｉ）中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1を有する二座配位子を表し、三価の金属イオンＭと共に６員のキレート環を形成する。
【００２２】
Ｘ1は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ1が窒素原子を表す場合には置換基を有していてもよい。Ｙ1は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表し、可能な場合には置換基を有していてもよい。Ｘ1として好ましくは酸素原子であり、Ｙ1として好ましくは窒素原子である。
【００２３】
Ｍは三価の金属イオンを表し、好ましくは、三価のアルミニウムイオン、三価のガリウムイオン、三価のインジウムイオン、三価のロジウムイオン、及び三価のイリジウムイオンであり、より好ましくは三価のアルミニウムイオン、及び三価のガリウムイオンであり、特に好ましくは三価のアルミニウムイオンである。
【００２４】
Ｘ1、Ｙ1が置換基を有する場合、該置換基の例としては、下記置換基群Ａが挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有していてもよい。
〔置換基群Ａ〕：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば、プロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、アセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メシル、トシル等が挙げられる。）、ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、トリアゾリル基等が挙げられる。）。
【００２５】
Ｌ1として、好ましくは下記一般式（III）で表される配位子である。
【００２６】
【化５】
【００２７】
一般式（III）中、Ｘ1は、アニオン性の、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表す。Ｙ1は、中性の、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表す。Ｚ1、Ｚ2及びＺ3は、各々、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ1及びＱ2は、各々、五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。
【００２８】
Ｘ1は、アニオン性の、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ1が窒素原子を表す場合には置換基を有していてもよい。導入可能な置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｘ1として好ましくは酸素原子である。
Ｙ1は、中性の、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表し、可能な場合には置換基を有していてもよい。導入可能な置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｙ1として好ましくは窒素原子である。
Ｚ1、Ｚ2、及びＺ3は、各々、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ1、Ｚ2、及びＺ3として好ましくは炭素原子である。
【００２９】
Ｑ1は、Ｚ1及びＺ2と結合して、五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ1で形成される環として好ましくは、芳香族五員環、芳香族六員環である。
Ｑ1で形成される環の具体例としては、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、フラン環、チオフェン環、ピラジン環、ピリミジン環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イソキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、イソキノリン環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、チオフェン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1で形成される環は、さらに他の環と縮合して縮合環を形成していてもよく、また置換基を有していてもよい。置換基としては、下記置換基群Ｂとして記載したものが挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有していてもよい。
〔置換基群Ｂ〕：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、プロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
【００３０】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、
【００３１】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、
【００３２】
リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）。
【００３３】
Ｑ2は、Ｙ1及びＺ3と結合して、五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ2で形成される環として好ましくは、芳香族五員環、芳香族六員環であり、さらに好ましくは含窒素芳香族へテロ五員環、含窒素芳香族へテロ六員環であり、さらに好ましくは含窒素芳香族へテロ六員環である。
【００３４】
Ｑ2で形成される環の具体例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環や上記の芳香環類が全部または部分的に還元された環等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、オキサゾール環、イミダゾール環であり、より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、オキサゾール環、イミダゾール環であり、さらに好ましくはイミダゾール環である。Ｑ2で形成される環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
【００３５】
一般式（III）で表される配位子は、より好ましくは、下記一般式（IV）で表される配位子である。
【００３６】
【化６】
【００３７】
一般式（IV）中、Ｚ2は炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ1およびＱ2は五員環または六員環を形成するのに必要な原子群を表す。
【００３８】
一般式（IV）中、Ｚ2、Ｑ1、及びＱ2は、一般式（III）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００３９】
一般式（IV）で表される配位子は、より好ましくは、下記一般式（Ｖ）で表される配位子である。
【００４０】
【化７】
【００４１】
一般式（Ｖ）中、Ｑ1は五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ1及びＲ2は、各々、水素原子又は置換基を表す。Ｚ5は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ51）Ｒ52−、又は−ＮＲ53−を表す。Ｒ51及びＲ52は、各々、水素原子又は置換基を表す。Ｒ53は、水素原子又は置換基を表す。
【００４２】
一般式（Ｖ）中、Ｑ1は、一般式（III）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００４３】
Ｒ1及びＲ2は、各々、水素原子又は置換基を表し、置換基としては例えば、前記置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
【００４４】
Ｒ1及びＲ2は結合して環を形成していてもよい。Ｒ1及びＲ2が結合して形成される環としては、シクロアルケン環、ベンゼン環、ヘテロ環（例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる）等が挙げられ、これらの環はさらに他の環と縮合していてもよく、またさらに置換基を有していてもよい。
【００４５】
Ｒ1及びＲ2としては、水素原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、又は互いに結合して芳香環を形成する基であることが好ましく、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、互いに結合して芳香族ヘテロ環基を形成する基であることが好ましく、さらに好ましくは水素原子、アリール基、互いに結合して芳香族ヘテロ環を形成する基である。
【００４６】
Ｚ5は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ51）ＲH52−、又は−ＮＲ53−を表す。
Ｒ51及びＲ52は、各々、水素原子又は置換基を表し、該置換基としては、置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
【００４７】
Ｒ51としては、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基が好ましく、アリール基、芳香族ヘテロ環基がより好ましい。
Ｒ52としては、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基が好ましく、アリール基、芳香族ヘテロ環基がより好ましい。
【００４８】
Ｒ53は水素原子又は置換基を表し、該置換基としては例えば、置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００４９】
Ｒ53としては、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基が好ましく、さらに好ましくはアルキル基、アリール基である。
【００５０】
一般式（Ｖ）で表される配位子は、さらに好ましくは、下記一般式（VI）で表される配位子である。
【００５１】
【化８】
【００５２】
一般式（VI）中、Ｑ1は五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ6はヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｚ5は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ51）Ｒ52−、または−ＮＲ53−を表す。Ｒ51及びＲ52は、各々、水素原子又は置換基を表す。Ｒ53は、水素原子又は置換基を表す。
【００５３】
一般式（ＶＩ）中、Ｑ1、Ｚ5、Ｒ51、Ｒ52、及びＲ53は、一般式（Ｖ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００５４】
Ｑ6は、ヘテロ環（脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環を含む。ヘテロ原子として好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子であり、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０であり、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。）を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ6で形成されるヘテロ環は置換基を有していてもよく、置換基としては置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
【００５５】
一般式（Ｉ）〜一般式（VI）において、各原子間の結合は一本の実線で記載されているが、これは該結合が単結合を意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００５６】
以下に、Ｌ1で表される二座配位子の具体例〔Ｌ（１）〜Ｌ（５４）〕を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【００５７】
【化９】
【００５８】
【化１０】
【００５９】
【化１１】
【００６０】
【化１２】
【００６１】
【化１３】
【００６２】
上記に例示した配位子は、さらに置換基を有した態様であってもよく、該置換基としては例えば、置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
また、Ｌ1同士は互いに連結してもよい。
【００６３】
下記表１及び表２に、一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例を、式中の「Ｍ」及び「Ｌ1」の組み合わせを示すことにより例示するが、本発明はこれらに限定されない。
なお、表１及び表２中、「Ｌ1」の例示は、前述した「Ｌ1」の具体例〔Ｌ（１）〜Ｌ（５４）〕に対応する。
【００６４】
【表１】
【００６５】
【表２】
【００６６】
本発明における錯体化合物は、特開２００４−２１４１７９号公報に記載の方法等に準じて合成することができる。
【００６７】
本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物は、その幾何異性体として、前記一般式（II）で表される化合物が存在する。
本発明の有機ＥＬ素子においては、既述のごとく、発光効率、駆動耐久性の点から、有機化合物層中に含まれる、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量をＡ（Ｉ）とし、当該化合物の幾何異性体である、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量をＡ（ＩＩ）としたときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことが必要であるが、好ましくは［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．５であり、より好ましくは［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．９であり、特に好ましくは［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．９９である。
【００６８】
幾何異性体の分離は、通常の錯体の単離法が適用でき、例えば、カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、昇華法、帯域溶融法、及びこれらを組み合せた方法などを用いることができる。
【００６９】
なお、有機化合物層中における一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有率は、例えば、作製した素子における有機化合物層を溶剤抽出した後、高速液体クロマトグラフィー等によって測定することができる。例えば、上野景平 編集「キレート化学（５） 錯体化学 実験法 Ｉ」、南江堂、第３章 ｐ４６９−ｐ５０７に記載の方法などが適用できる。
【００７０】
有機化合物層中において、一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、一般式（ＩＩ）で表される化合物を所望の含率にするためには、単離した純粋な幾何異性体を素子作製時に混合する方法（共蒸着法など）や、予め使用する化合物を所望の含率比となるように混合したものを用いる方法などが適用できる。
【００７１】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、有機ＥＬ素子に含まれる有機化合物層のいずれの層に含有されていてもよいが、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び／又は、正孔ブロック層に含有されることが好ましく、ホスト材料として発光層に含有されるか、電子輸送層に含有されることがさらに好ましい。
【００７２】
一般式（Ｉ）で表される化合物の有機化合物層中における含有量は、有機化合物層の種類によって適宜設定されるが、通常、４０〜９９．９質量％含有することが好ましい。いずれの層に含有される場合であっても、前記Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすように含有される。
本発明の好適な態様である、一般式（Ｉ）で表される化合物を、ホスト材料として発光層に含有する場合であれば、５０〜９９．９質量％含有することが好ましく、６０〜９９．９質量％含有することがより好ましい。また、電子輸送層に含有される場合であれば、８０〜１００質量％含有されることが好ましく、９０〜１００質量％含有されることがより好ましい。
一般式（Ｉ）で表される化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７３】
また、一般式（Ｉ）で表される化合物が、発光層中にホスト材料として使用される場合には、当該発光層に燐光発光材料含有することにより、燐光を利用することができる。
【００７４】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の構成要素について、更に詳細に説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、基板上の一対の電極（陽極及び陰極）間に、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【００７５】
本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
次に、本発明の発光材料を構成する要素について、詳細に説明する。
【００７６】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【００７７】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【００７８】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【００７９】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【００８０】
＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常、透明陽極として設けられる。
【００８１】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００８２】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【００８３】
本発明の有機ＥＬ素子における陽極の形成位置としては、特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００８４】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００８５】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００８６】
陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【００８７】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【００８８】
＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【００８９】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００９０】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００９１】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００９２】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００９３】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００９４】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【００９５】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００９６】
＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。本発明においては、有機化合物層の少なくとも一層に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する。
【００９７】
−有機化合物層の形成−
本発明の有機ＥＬ素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【００９８】
−発光層−
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【００９９】
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でもよい。発光材料は、蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、ドーパントは１種であっても２種以上であってもよい。
発光層がホスト材料を含む場合には、該ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
発光層がホスト材料を含む場合には、該ホスト材料として、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することが好ましい。
発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【０１００】
本発明の有機ＥＬ素子においては、蛍光発光材料や燐光発光材料を発光材料として使用できる。
蛍光発光材料としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１０１】
燐光発光材料としては、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【０１０２】
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【０１０３】
燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【０１０４】
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、前記一般式（Ｉ）で表される化合物のほか、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
ホスト材料として、一般式（Ｉ）で表される化合物が用いられる場合、一般式（Ｉ）で表される化合物のみを用いてもよいし、更に前記一般式（Ｉ）で表される化合物とともに一般式（ＩＩ）で表される化合物を用いてもよいし、更に他の材料とを併用してもよい。
【０１０５】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１０６】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１０７】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
電子注入層、電子輸送層は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、その幾何異性体である一般式（ＩＩ）で表される化合物のほか、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０１０８】
電子注入層又は電子輸送層に、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する場合には、一般式（Ｉ）で表される化合物のみを用いても、更に前記一般式（Ｉ）で表される化合物とともに一般式（ＩＩ）で表される化合物を用いてもよいし、更に他の材料とを併用してもよい。
【０１０９】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５０ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１１０】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
【０１１１】
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、前記一般式（Ｉ）で表される化合物のほか、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
【０１１２】
正孔ブロック層に、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する場合には、一般式（Ｉ）で表される化合物のみを用いても、更に前記一般式（Ｉ）で表される化合物とともに一般式（ＩＩ）で表される化合物を用いてもよいし、更に他の材料とを併用してもよい。
【０１１３】
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１１４】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０１１５】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１１６】
＜封止＞
さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と有機ＥＬ素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０１１７】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【実施例】
【０１１８】
以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
【０１１９】
［比較例１］
基材として、厚みが０．７ｍｍガラス板を２．５ｃｍ角に切断し、真空チャンバ−内に導入し、ＳｎＯ2含有率が１０質量％であるＩＴＯタ−ゲットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１００℃、酸素圧１×１０-3Ｐａ）により、透明電極としてのＩＴＯ薄膜（厚み０．２μｍ）を形成した。ＩＴＯ薄膜の表面抵抗は１０Ω／□であった。
【０１２０】
次に、前記透明電極を形成した基板を洗浄容器に入れ、ＩＰＡ洗浄した後、これにＵＶ−オゾン処理を３０分行った。そして、この透明陽極上に、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）を真空蒸着法にて、０．５ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍの正孔注入層を設けた。
その上に、α−ＮＰＤ（（Ｎ，Ｎ'−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル）−ベンジジン）を真空蒸着法にて０．５ｎｍ／秒の速度で蒸着し、３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
この上に発光層中のホスト材料として、例示化合物１（前記例示化合物中においてＮｏ．１で示す化合物、ｆａｃ型）とそのｍｅｒ型異性体とのモル混合比３０／７０の混合物、発光層中の燐光発光材料としてＦｉｒｐｉｃを真空蒸着法にて１００／５の割合で共蒸着して、３０ｎｍの発光層を得た。
【０１２１】
発光層の上に、隣接層としてＢａｌｑを真空蒸着法にて０．２ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍ蒸着し、その上に、電子輸送材料としてＡｌｑ3を真空蒸着法にて０．２ｎｍ／秒の速度で蒸着して４０ｎｍの電子注入層を設けた。
さらにこの層上にパタ−ニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、フッ化リチウムを真空蒸着法にて１ｎｍ蒸着した。更に、この上にアルミニウムを真空蒸着法にて蒸着し０．１μｍの陰極を設けた。
【０１２２】
得られた発光積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、乾燥剤を設けたステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止し、比較例１の発光素子を作製した。
銅フタロシアニンの蒸着から封止までの作業は、真空または窒素雰囲気下で行い、大気に暴露することなく素子作製を行った。
【０１２３】
以下に、ＣｕＰＣ、α−ＮＰＤ、Ｆｉｒｐｉｃ、Ｂａｌｑ、Ａｌｑ3の構造を示す。
【０１２４】
【化１４】
【０１２５】
［実施例１］
比較例１において、発光層中の例示化合物１とそのｍｅｒ異性体のモル混合比を５５／４５にした以外は、比較例１と同様にして実施例１の発光素子を作製した。
［実施例２］
比較例１において、発光層中の例示化合物１とそのｍｅｒ異性体のモル混合比を９０／１０にした以外は、比較例１と同様にして実施例２の発光素子を作製した。
【０１２６】
［実施例３］
比較例１において、発光層中の例示化合物１とそのｍｅｒ異性体のモル混合比を９９／１にした以外は、比較例１と同様にして実施例３の発光素子を作製した。
【０１２７】
上記で得られた各発光素子を用いて、発光効率及び駆動耐久性について、以下の方法で評価した。
東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。
各発光素子の発光色、１０００ｃｄ／ｍ2時の外部量子効率（η1000）を表１６に示す。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ2となるまでの時間（輝度半減時間τ1/2）も合わせて表１６に示す。
東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製の輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。
各発光素子の発光効率は、１０００ｃｄ／ｍ2時の外部量子効率（η1000）として評価した。また、駆動耐久性は、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ2となるまでの時間（輝度半減時間τ1/2）として評価した。結果を表３に示す。さらに、各発光素子の発光色についても表３に併記する。
【０１２８】
【表３】
【０１２９】
表３に示される結果より、有機化合物層（発光層）に一般式（Ｉ）で表される化合物（ｆａｃ型幾何異性体）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物（ｍｅｒ型幾何異性体）で表される化合物を含有する実施例の発光素子は、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有率が一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有率より高い程、発光効率及び駆動耐久性の双方に優れていることが判る。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（以下、適宜「有機ＥＬ素子」又は「発光素子」と称する。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
有機ＥＬ素子の重要な特性としては、発光効率と耐久性がある。高効率発光する有機ＥＬ素子としては、トリスフェニルピリジンイリジウム錯体（例えば、特許文献１参照。）や、ヘテロ原子がトランス型になった燐光発光性八面体型錯体を含有する有機発光装置が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらの燐光発光材料を含有する素子は、駆動耐久性の点で満足のいくものではなく、発光効率と駆動耐久性を共に満足する発光素子の開発が望まれていた。
【特許文献１】国際公開第００／０７０６５５号パンフレット
【特許文献２】特表２００３−５１５８９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、発光効率が高く、かつ駆動耐久性が良好な有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
【０００５】
〔１〕一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層の少なくとも一層に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有し、かつ、前記一般式（Ｉ）と共に下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有する場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量をＡ（Ｉ）とし、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量をＡ（ＩＩ）とするときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
【０００６】
【化１】
【０００７】
【化２】
【０００８】
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1とを有する二座配位子を表す。Ｘ1は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表す。Ｙ1は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表す。Ｍは三価の金属イオンを表し、Ｌ1とＭとは６員のキレート環を形成する。
【０００９】
〔２〕 前記有機化合物層中に含まれる、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量Ａ（Ｉ）と、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量Ａ（ＩＩ）とが、［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．９の関係を満たすことを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
【００１０】
〔３〕 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、アルミニウム錯体又はガリウム錯体であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【００１１】
〔４〕 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、前記発光層に含有されることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【００１２】
〔５〕 前記発光層からの発光が燐光であることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、発光効率が高く、かつ駆動耐久性が良好な有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明について詳細に説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層の少なくとも一層に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有し、かつ、前記一般式（Ｉ）と共に下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有する場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量をＡ（Ｉ）とし、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量をＡ（ＩＩ）とするときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことを特徴とする。
【００１５】
【化３】
【００１６】
【化４】
【００１７】
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1とを有する二座配位子を表す。Ｘ1は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表す。Ｙ1は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表す。Ｍは三価の金属イオンを表し、Ｌ1とＭとは６員のキレート環を形成する。
【００１８】
まず、本発明における一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物とは、それぞれその化合物及びその鏡像異性体を含むものとして定義する。
【００１９】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、特定の六配位八面体型の錯体化合物であって、同一のアニオン性配位原子３個と同一の中性配位原子３個がそれぞれ面に位置しており、フェイシャル型（ｆａｃ型）の幾何異性体である。一方、一般式（ＩＩ）で表される化合物は、同一のアニオン性配位原子３個と同一の中性配位原子３個がそれぞれ直線上に位置しており、メリジオナル型（ｍｅｒ型）の幾何異性体である。通常、錯体化合物を合成する際には、これらの幾何異性体は混合物として生成することが多いが、本発明者らは鋭意検討の結果、有機ＥＬ素子において、これら錯体化合物の中でもフェイシャル型錯体化合物の有機化合物層中の存在率を高くすることにより、発光効率及び耐久性を共に向上できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２０】
なお、以下においては、一般式（Ｉ）で表される化合物について説明を行うが、一般式（ＩＩ）で表される化合物は、一般式（Ｉ）で表される化合物の幾何異性体であり、その配位子の立体配置が異なる以外は、一般式（Ｉ）についての配位子等に関する説明が、一般式（ＩＩ）についても同様に適用される。
【００２１】
一般式（Ｉ）中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1を有する二座配位子を表し、三価の金属イオンＭと共に６員のキレート環を形成する。
【００２２】
Ｘ1は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ1が窒素原子を表す場合には置換基を有していてもよい。Ｙ1は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表し、可能な場合には置換基を有していてもよい。Ｘ1として好ましくは酸素原子であり、Ｙ1として好ましくは窒素原子である。
【００２３】
Ｍは三価の金属イオンを表し、好ましくは、三価のアルミニウムイオン、三価のガリウムイオン、三価のインジウムイオン、三価のロジウムイオン、及び三価のイリジウムイオンであり、より好ましくは三価のアルミニウムイオン、及び三価のガリウムイオンであり、特に好ましくは三価のアルミニウムイオンである。
【００２４】
Ｘ1、Ｙ1が置換基を有する場合、該置換基の例としては、下記置換基群Ａが挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有していてもよい。
〔置換基群Ａ〕：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば、プロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、アセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メシル、トシル等が挙げられる。）、ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、トリアゾリル基等が挙げられる。）。
【００２５】
Ｌ1として、好ましくは下記一般式（III）で表される配位子である。
【００２６】
【化５】
【００２７】
一般式（III）中、Ｘ1は、アニオン性の、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表す。Ｙ1は、中性の、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表す。Ｚ1、Ｚ2及びＺ3は、各々、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ1及びＱ2は、各々、五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。
【００２８】
Ｘ1は、アニオン性の、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表し、Ｘ1が窒素原子を表す場合には置換基を有していてもよい。導入可能な置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｘ1として好ましくは酸素原子である。
Ｙ1は、中性の、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表し、可能な場合には置換基を有していてもよい。導入可能な置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｙ1として好ましくは窒素原子である。
Ｚ1、Ｚ2、及びＺ3は、各々、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ1、Ｚ2、及びＺ3として好ましくは炭素原子である。
【００２９】
Ｑ1は、Ｚ1及びＺ2と結合して、五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ1で形成される環として好ましくは、芳香族五員環、芳香族六員環である。
Ｑ1で形成される環の具体例としては、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、フラン環、チオフェン環、ピラジン環、ピリミジン環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イソキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、イソキノリン環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、チオフェン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1で形成される環は、さらに他の環と縮合して縮合環を形成していてもよく、また置換基を有していてもよい。置換基としては、下記置換基群Ｂとして記載したものが挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有していてもよい。
〔置換基群Ｂ〕：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、プロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
【００３０】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、
【００３１】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、
【００３２】
リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）。
【００３３】
Ｑ2は、Ｙ1及びＺ3と結合して、五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ2で形成される環として好ましくは、芳香族五員環、芳香族六員環であり、さらに好ましくは含窒素芳香族へテロ五員環、含窒素芳香族へテロ六員環であり、さらに好ましくは含窒素芳香族へテロ六員環である。
【００３４】
Ｑ2で形成される環の具体例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環や上記の芳香環類が全部または部分的に還元された環等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、オキサゾール環、イミダゾール環であり、より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、オキサゾール環、イミダゾール環であり、さらに好ましくはイミダゾール環である。Ｑ2で形成される環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、前記置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
【００３５】
一般式（III）で表される配位子は、より好ましくは、下記一般式（IV）で表される配位子である。
【００３６】
【化６】
【００３７】
一般式（IV）中、Ｚ2は炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ1およびＱ2は五員環または六員環を形成するのに必要な原子群を表す。
【００３８】
一般式（IV）中、Ｚ2、Ｑ1、及びＱ2は、一般式（III）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００３９】
一般式（IV）で表される配位子は、より好ましくは、下記一般式（Ｖ）で表される配位子である。
【００４０】
【化７】
【００４１】
一般式（Ｖ）中、Ｑ1は五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ1及びＲ2は、各々、水素原子又は置換基を表す。Ｚ5は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ51）Ｒ52−、又は−ＮＲ53−を表す。Ｒ51及びＲ52は、各々、水素原子又は置換基を表す。Ｒ53は、水素原子又は置換基を表す。
【００４２】
一般式（Ｖ）中、Ｑ1は、一般式（III）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００４３】
Ｒ1及びＲ2は、各々、水素原子又は置換基を表し、置換基としては例えば、前記置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
【００４４】
Ｒ1及びＲ2は結合して環を形成していてもよい。Ｒ1及びＲ2が結合して形成される環としては、シクロアルケン環、ベンゼン環、ヘテロ環（例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる）等が挙げられ、これらの環はさらに他の環と縮合していてもよく、またさらに置換基を有していてもよい。
【００４５】
Ｒ1及びＲ2としては、水素原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、又は互いに結合して芳香環を形成する基であることが好ましく、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、互いに結合して芳香族ヘテロ環基を形成する基であることが好ましく、さらに好ましくは水素原子、アリール基、互いに結合して芳香族ヘテロ環を形成する基である。
【００４６】
Ｚ5は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ51）ＲH52−、又は−ＮＲ53−を表す。
Ｒ51及びＲ52は、各々、水素原子又は置換基を表し、該置換基としては、置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
【００４７】
Ｒ51としては、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基が好ましく、アリール基、芳香族ヘテロ環基がより好ましい。
Ｒ52としては、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基が好ましく、アリール基、芳香族ヘテロ環基がより好ましい。
【００４８】
Ｒ53は水素原子又は置換基を表し、該置換基としては例えば、置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００４９】
Ｒ53としては、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基が好ましく、さらに好ましくはアルキル基、アリール基である。
【００５０】
一般式（Ｖ）で表される配位子は、さらに好ましくは、下記一般式（VI）で表される配位子である。
【００５１】
【化８】
【００５２】
一般式（VI）中、Ｑ1は五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ6はヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｚ5は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ51）Ｒ52−、または−ＮＲ53−を表す。Ｒ51及びＲ52は、各々、水素原子又は置換基を表す。Ｒ53は、水素原子又は置換基を表す。
【００５３】
一般式（ＶＩ）中、Ｑ1、Ｚ5、Ｒ51、Ｒ52、及びＲ53は、一般式（Ｖ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００５４】
Ｑ6は、ヘテロ環（脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環を含む。ヘテロ原子として好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子であり、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０であり、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。）を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ6で形成されるヘテロ環は置換基を有していてもよく、置換基としては置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
【００５５】
一般式（Ｉ）〜一般式（VI）において、各原子間の結合は一本の実線で記載されているが、これは該結合が単結合を意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００５６】
以下に、Ｌ1で表される二座配位子の具体例〔Ｌ（１）〜Ｌ（５４）〕を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【００５７】
【化９】
【００５８】
【化１０】
【００５９】
【化１１】
【００６０】
【化１２】
【００６１】
【化１３】
【００６２】
上記に例示した配位子は、さらに置換基を有した態様であってもよく、該置換基としては例えば、置換基群Ｂとして挙げたものが適用できる。
また、Ｌ1同士は互いに連結してもよい。
【００６３】
下記表１及び表２に、一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例を、式中の「Ｍ」及び「Ｌ1」の組み合わせを示すことにより例示するが、本発明はこれらに限定されない。
なお、表１及び表２中、「Ｌ1」の例示は、前述した「Ｌ1」の具体例〔Ｌ（１）〜Ｌ（５４）〕に対応する。
【００６４】
【表１】
【００６５】
【表２】
【００６６】
本発明における錯体化合物は、特開２００４−２１４１７９号公報に記載の方法等に準じて合成することができる。
【００６７】
本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物は、その幾何異性体として、前記一般式（II）で表される化合物が存在する。
本発明の有機ＥＬ素子においては、既述のごとく、発光効率、駆動耐久性の点から、有機化合物層中に含まれる、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量をＡ（Ｉ）とし、当該化合物の幾何異性体である、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量をＡ（ＩＩ）としたときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことが必要であるが、好ましくは［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．５であり、より好ましくは［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．９であり、特に好ましくは［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．９９である。
【００６８】
幾何異性体の分離は、通常の錯体の単離法が適用でき、例えば、カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、昇華法、帯域溶融法、及びこれらを組み合せた方法などを用いることができる。
【００６９】
なお、有機化合物層中における一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有率は、例えば、作製した素子における有機化合物層を溶剤抽出した後、高速液体クロマトグラフィー等によって測定することができる。例えば、上野景平 編集「キレート化学（５） 錯体化学 実験法 Ｉ」、南江堂、第３章 ｐ４６９−ｐ５０７に記載の方法などが適用できる。
【００７０】
有機化合物層中において、一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、一般式（ＩＩ）で表される化合物を所望の含率にするためには、単離した純粋な幾何異性体を素子作製時に混合する方法（共蒸着法など）や、予め使用する化合物を所望の含率比となるように混合したものを用いる方法などが適用できる。
【００７１】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、有機ＥＬ素子に含まれる有機化合物層のいずれの層に含有されていてもよいが、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び／又は、正孔ブロック層に含有されることが好ましく、ホスト材料として発光層に含有されるか、電子輸送層に含有されることがさらに好ましい。
【００７２】
一般式（Ｉ）で表される化合物の有機化合物層中における含有量は、有機化合物層の種類によって適宜設定されるが、通常、４０〜９９．９質量％含有することが好ましい。いずれの層に含有される場合であっても、前記Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすように含有される。
本発明の好適な態様である、一般式（Ｉ）で表される化合物を、ホスト材料として発光層に含有する場合であれば、５０〜９９．９質量％含有することが好ましく、６０〜９９．９質量％含有することがより好ましい。また、電子輸送層に含有される場合であれば、８０〜１００質量％含有されることが好ましく、９０〜１００質量％含有されることがより好ましい。
一般式（Ｉ）で表される化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７３】
また、一般式（Ｉ）で表される化合物が、発光層中にホスト材料として使用される場合には、当該発光層に燐光発光材料含有することにより、燐光を利用することができる。
【００７４】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の構成要素について、更に詳細に説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、基板上の一対の電極（陽極及び陰極）間に、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【００７５】
本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
次に、本発明の発光材料を構成する要素について、詳細に説明する。
【００７６】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【００７７】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【００７８】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【００７９】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【００８０】
＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常、透明陽極として設けられる。
【００８１】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００８２】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【００８３】
本発明の有機ＥＬ素子における陽極の形成位置としては、特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００８４】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００８５】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００８６】
陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【００８７】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【００８８】
＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【００８９】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００９０】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００９１】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００９２】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００９３】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００９４】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【００９５】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００９６】
＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。本発明においては、有機化合物層の少なくとも一層に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する。
【００９７】
−有機化合物層の形成−
本発明の有機ＥＬ素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【００９８】
−発光層−
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
【００９９】
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でもよい。発光材料は、蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、ドーパントは１種であっても２種以上であってもよい。
発光層がホスト材料を含む場合には、該ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
発光層がホスト材料を含む場合には、該ホスト材料として、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することが好ましい。
発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【０１００】
本発明の有機ＥＬ素子においては、蛍光発光材料や燐光発光材料を発光材料として使用できる。
蛍光発光材料としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１０１】
燐光発光材料としては、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【０１０２】
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【０１０３】
燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【０１０４】
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、前記一般式（Ｉ）で表される化合物のほか、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
ホスト材料として、一般式（Ｉ）で表される化合物が用いられる場合、一般式（Ｉ）で表される化合物のみを用いてもよいし、更に前記一般式（Ｉ）で表される化合物とともに一般式（ＩＩ）で表される化合物を用いてもよいし、更に他の材料とを併用してもよい。
【０１０５】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１０６】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１０７】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
電子注入層、電子輸送層は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、その幾何異性体である一般式（ＩＩ）で表される化合物のほか、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０１０８】
電子注入層又は電子輸送層に、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する場合には、一般式（Ｉ）で表される化合物のみを用いても、更に前記一般式（Ｉ）で表される化合物とともに一般式（ＩＩ）で表される化合物を用いてもよいし、更に他の材料とを併用してもよい。
【０１０９】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５０ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１１０】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
【０１１１】
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、前記一般式（Ｉ）で表される化合物のほか、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
【０１１２】
正孔ブロック層に、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する場合には、一般式（Ｉ）で表される化合物のみを用いても、更に前記一般式（Ｉ）で表される化合物とともに一般式（ＩＩ）で表される化合物を用いてもよいし、更に他の材料とを併用してもよい。
【０１１３】
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１１４】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０１１５】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１１６】
＜封止＞
さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と有機ＥＬ素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０１１７】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【実施例】
【０１１８】
以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
【０１１９】
［比較例１］
基材として、厚みが０．７ｍｍガラス板を２．５ｃｍ角に切断し、真空チャンバ−内に導入し、ＳｎＯ2含有率が１０質量％であるＩＴＯタ−ゲットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１００℃、酸素圧１×１０-3Ｐａ）により、透明電極としてのＩＴＯ薄膜（厚み０．２μｍ）を形成した。ＩＴＯ薄膜の表面抵抗は１０Ω／□であった。
【０１２０】
次に、前記透明電極を形成した基板を洗浄容器に入れ、ＩＰＡ洗浄した後、これにＵＶ−オゾン処理を３０分行った。そして、この透明陽極上に、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）を真空蒸着法にて、０．５ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍの正孔注入層を設けた。
その上に、α−ＮＰＤ（（Ｎ，Ｎ'−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル）−ベンジジン）を真空蒸着法にて０．５ｎｍ／秒の速度で蒸着し、３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
この上に発光層中のホスト材料として、例示化合物１（前記例示化合物中においてＮｏ．１で示す化合物、ｆａｃ型）とそのｍｅｒ型異性体とのモル混合比３０／７０の混合物、発光層中の燐光発光材料としてＦｉｒｐｉｃを真空蒸着法にて１００／５の割合で共蒸着して、３０ｎｍの発光層を得た。
【０１２１】
発光層の上に、隣接層としてＢａｌｑを真空蒸着法にて０．２ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍ蒸着し、その上に、電子輸送材料としてＡｌｑ3を真空蒸着法にて０．２ｎｍ／秒の速度で蒸着して４０ｎｍの電子注入層を設けた。
さらにこの層上にパタ−ニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、フッ化リチウムを真空蒸着法にて１ｎｍ蒸着した。更に、この上にアルミニウムを真空蒸着法にて蒸着し０．１μｍの陰極を設けた。
【０１２２】
得られた発光積層体を、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、乾燥剤を設けたステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止し、比較例１の発光素子を作製した。
銅フタロシアニンの蒸着から封止までの作業は、真空または窒素雰囲気下で行い、大気に暴露することなく素子作製を行った。
【０１２３】
以下に、ＣｕＰＣ、α−ＮＰＤ、Ｆｉｒｐｉｃ、Ｂａｌｑ、Ａｌｑ3の構造を示す。
【０１２４】
【化１４】
【０１２５】
［実施例１］
比較例１において、発光層中の例示化合物１とそのｍｅｒ異性体のモル混合比を５５／４５にした以外は、比較例１と同様にして実施例１の発光素子を作製した。
［実施例２］
比較例１において、発光層中の例示化合物１とそのｍｅｒ異性体のモル混合比を９０／１０にした以外は、比較例１と同様にして実施例２の発光素子を作製した。
【０１２６】
［実施例３］
比較例１において、発光層中の例示化合物１とそのｍｅｒ異性体のモル混合比を９９／１にした以外は、比較例１と同様にして実施例３の発光素子を作製した。
【０１２７】
上記で得られた各発光素子を用いて、発光効率及び駆動耐久性について、以下の方法で評価した。
東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。
各発光素子の発光色、１０００ｃｄ／ｍ2時の外部量子効率（η1000）を表１６に示す。また初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ2となるまでの時間（輝度半減時間τ1/2）も合わせて表１６に示す。
東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製の輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。
各発光素子の発光効率は、１０００ｃｄ／ｍ2時の外部量子効率（η1000）として評価した。また、駆動耐久性は、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2で連続発光させ、輝度が５００ｃｄ／ｍ2となるまでの時間（輝度半減時間τ1/2）として評価した。結果を表３に示す。さらに、各発光素子の発光色についても表３に併記する。
【０１２８】
【表３】
【０１２９】
表３に示される結果より、有機化合物層（発光層）に一般式（Ｉ）で表される化合物（ｆａｃ型幾何異性体）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物（ｍｅｒ型幾何異性体）で表される化合物を含有する実施例の発光素子は、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有率が一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有率より高い程、発光効率及び駆動耐久性の双方に優れていることが判る。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層の少なくとも一層に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有し、かつ、前記一般式（Ｉ）と共に一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有する場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量をＡ（Ｉ）とし、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量をＡ（ＩＩ）とするときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
【化２】
（一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1とを有する二座配位子を表す。Ｘ1は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表す。Ｙ1は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表す。Ｍは三価の金属イオンを表し、Ｌ1とＭとは６員のキレート環を形成する。）
【請求項２】
前記有機化合物層中に含まれる、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量Ａ（Ｉ）と、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量Ａ（ＩＩ）とが、［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．９の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、アルミニウム錯体又はガリウム錯体であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、前記発光層に含有されることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記発光層からの発光が燐光であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項１】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層の少なくとも一層に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有し、かつ、前記一般式（Ｉ）と共に一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有する場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量をＡ（Ｉ）とし、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量をＡ（ＩＩ）とするときに、Ａ（Ｉ）＞Ａ（ＩＩ）の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
【化２】
（一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｌ1は、アニオン性配位原子Ｘ1と中性配位原子Ｙ1とを有する二座配位子を表す。Ｘ1は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を表す。Ｙ1は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、又はリン原子を表す。Ｍは三価の金属イオンを表し、Ｌ1とＭとは６員のキレート環を形成する。）
【請求項２】
前記有機化合物層中に含まれる、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有モル量Ａ（Ｉ）と、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の含有モル量Ａ（ＩＩ）とが、［Ａ（Ｉ）／｛Ａ（Ｉ）＋Ａ（ＩＩ）｝］＞０．９の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、アルミニウム錯体又はガリウム錯体であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、前記発光層に含有されることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記発光層からの発光が燐光であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【公開番号】特開２００６−３３２１１６（Ｐ２００６−３３２１１６Ａ）
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１４９６６６（Ｐ２００５−１４９６６６）
【出願日】平成１７年５月２３日（２００５．５．２３）
【出願人】（０００００５２０１）富士フイルムホールディングス株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月２３日（２００５．５．２３）
【出願人】（０００００５２０１）富士フイルムホールディングス株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
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