有機ＥＬ表示装置およびその製造方法
【課題】内在するガス等の排出が簡単かつ高精度に実現でき、信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】基板１上に層間絶縁膜２２や複数の第１電極２３、有機ＥＬ層２４、エッジカバー２５が形成され、これらを覆うように第２電極２６が形成されている。エッジカバー２５は、少なくとも有機ＥＬ層２４よりも上側に突出する複数の凸部８２を有している。凸部８２の先端を覆っている第２電極２６の部分の少なくとも一部に貫通孔３１が形成されている。
【解決手段】基板１上に層間絶縁膜２２や複数の第１電極２３、有機ＥＬ層２４、エッジカバー２５が形成され、これらを覆うように第２電極２６が形成されている。エッジカバー２５は、少なくとも有機ＥＬ層２４よりも上側に突出する複数の凸部８２を有している。凸部８２の先端を覆っている第２電極２６の部分の少なくとも一部に貫通孔３１が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関し、その中でも特に表面側に位置する電極の細部構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（ディスプレイ）は、電圧の印加により自発光する有機ＥＬ素子を利用した表示装置である。バックライトを必要としないことから、消費電力の低下や軽量化、薄型化に有利なため、近年、携帯端末や薄型ＴＶなどの分野での開発が期待されている。
【０００３】
特に、一つ一つの画素に駆動素子を設けて画素ごとに発光を制御するアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置は、単純マトリクス方式のものと比べて高輝度、低電力が実現できることから、注目されつつある。
【０００４】
しかしながら、アクティブマトリクス方式の場合、内部で発生するガスや水分の影響で輝度が低下し、長期信頼性の確保が難しいという問題がある。
【０００５】
例えば、図１に、この種の有機ＥＬ表示装置の要部を示す。図中、１０１はガラス基板であり、１０２はＴＦＴ（thin film transistor）、１０３は層間膜、１０４は陽電極、１０５は有機発光材料を含む有機ＥＬ層、１０６は画素間に設けられるエッジカバー、１０７は陰電極である。層間膜１０３およびエッジカバー１０６はアクリル樹脂等で形成されている。
【０００６】
アクリル樹脂等には水やガスの発生成分が含まれているため、層間膜１０３やエッジカバー１０６の成形後に乾燥が不十分な状態で陰電極１０７を積層してしまうと、その後に層間膜１０３等から発生するガスや水分は、陰電極１０７によって遮断され、透過できずに陰電極１０７とガラス基板１０１との間に滞る。滞ったガス等は、矢印線で示すように有機ＥＬ層１０５に作用して、有機発光材料の劣化を促進し、その結果、輝度が低下して有機ＥＬ表示装置の長期信頼性が確保できなくなる。
【０００７】
そこで、層間膜等から発生するガス等を除去するために、様々な提案が行われている（特許文献１〜３）。
【０００８】
例えば、特許文献１や特許文献２では、陰電極で被覆する前に個々の画素や全画素の周りに樹脂製の平坦膜を露出させ、その状態で脱水処理を行うことが提案されている。
【０００９】
また、特許文献３では、陰電極の一部に平坦化膜に到達する開口部を形成し、そこから内部の水分が放出できるようにしている。その開口部を形成する方法として、陰電極の形成時にエッチング等により除去して形成する方法や、陰電極の形成後に針を用いて形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２５０２４４号公報
【特許文献２】特開２００７−２９４４１３号公報
【特許文献３】特開２００５−１４１９６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１や特許文献２の場合、製造時に平坦膜の脱水を促進させることはできるが、いったん陰電極で被覆してしまうとその後に発生するガス等は除去できない。従って、脱水処理で確実にガス等を除去することが要求され、脱水処理が難しくなるし信頼性に欠けるきらいがある。
【００１２】
その点、特許文献３の場合、陰電極を形成した後にも内部で発生するガス等を除去できるので、脱水処理で確実にガス等を除去する必要がなくなり、作業負担が軽減されるし信頼性も向上する。
【００１３】
しかし、エッチング等によって陰電極の所定位置に逆テーパーを利用した開口部を形成するのは高い精度が要求され、作業工数の増加や余計な不良品の発生を招くおそれがある。
【００１４】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、内在するガス等の排出が簡単かつ高精度に実現でき、信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明では、表面を覆う電極の所定部位を突出させ、そこに貫通孔を形成した。
【００１６】
具体的には、本発明は、基板と、前記基板の上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜の上に互いに隙間を隔てて格子状に区画形成される複数の第１電極と、少なくとも前記第１電極の上に形成される有機ＥＬ層と、前記隙間を覆うように設けられる絶縁部と、前記有機ＥＬ層及び前記絶縁部を覆うように形成される第２電極と、を備え、前記絶縁部が、前記第１電極の上に形成される前記有機ＥＬ層よりも上側に突出する複数の凸部を有し、前記凸部の先端を覆っている前記第２電極の部分の少なくとも一部に貫通孔が形成されている有機ＥＬ表示装置である。
【００１７】
係る構成の有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ層の上側に形成される膜は剥離され易くなるが、絶縁部の凸部が、第１電極の上に形成される、主たる有機ＥＬ層よりも上側に突出しているため、その有機ＥＬ層に影響を与えずに、凸部の先端を覆っている第２電極の部分に対して容易に外力を加えることができる。しかも、凸部の先端であれば、外力が小さくても容易に第２電極を変形させることができる。
【００１８】
また、一般には、凸部を含めた絶縁部の上にも有機ＥＬ層の一部あるいは全部が形成されるため、その場合には、更に容易に第２電極を変形させることができる。本構成であれば、凸部は順テーパー構造でもよいため、絶縁部の材料に一般に利用されている材料が流用でき、特別な材料を用いて逆テーパー構造を形成する必要もない。
【００１９】
従って、第２電極の所定部位に、簡単かつ高精度に複数の貫通孔を形成することができる。
【００２０】
そのようにして、絶縁部を露出させる複数の貫通孔が第２電極に形成されていれば、第２電極の形成後に絶縁膜や絶縁部にガス等の発生成分が残存していても、貫通孔を通じてガス等を外部に排出することができ、内在するガス等の影響による有機発光材料の劣化を軽減できる。従って、輝度の低下が抑制されるため、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を向上させることができる。
【００２１】
前記複数の凸部のそれぞれの先端部分に、先端に向かって次第に細くなる先窄まり部が設けられているのが好ましい。
【００２２】
そうすれば、凸部の先端を覆う第２電極の部分によりいっそう貫通孔が形成し易くなる。
【００２３】
前記複数の凸部のそれぞれは、前記隙間に沿って延びる線状に形成することができる。
【００２４】
そうすれば、貫通孔を線状に開口させることができるため、開口率が大きくなって、ガス等の排出を促進することができ、更に有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を向上させることができる。
【００２５】
前記貫通孔は前記第２電極を破断することによって形成し、前記第２電極の前記貫通孔の周辺部分に破断形状部が形成されているようにすればよい。つまり、第２電極の形成後に、凸部を覆っている第２電極の部分に外力を加えて破壊するのである。そうすれば、凸部をうまく利用して一度に複数の貫通孔を精度高く形成することができる。
【００２６】
このような形態の有機ＥＬ表示装置は、例えば、平らな接触面を有する電極破断具を用い、前記第２電極の形成後に前記接触面を前記第２電極に接触させることにより、前記凸部の先端を覆っている第２電極の部分を破断させる工程を含む製造方法によって容易に実現することができる。
【００２７】
すなわち、電極破壊具の平らな接触面を第２電極に接触させることで、凸部の先端を覆っている第２電極の部分に満遍なく均等な外力を加えて破断させることができる。従って、一度に複数の貫通孔を精度高く形成することができる。
【００２８】
特に、前記接触面には粘着性を有する層を形成するのが好ましい。
【００２９】
そうすれば、凸部の先端を覆っている第２電極の部分を電極破断具で引き剥がすことができるため、より安定して複数の貫通孔を精度高く形成することができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上説明したように、本発明によれば、表面を覆う電極の所定部位に、容易に精度高く複数の貫通孔が形成できるようになるため、内在するガス等の排出が促進でき、信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来の有機ＥＬ表示装置の要部を示す概略断面図である。
【図２】本実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略斜視図である。
【図３】図２における矢印Ｘ方向から見た概略断面図である。
【図４】有機ＥＬ層及び第２電極の形成前の、図２における矢印Ｙ方向から見た概略平面図である。
【図５】有機ＥＬ層の概略断面図である。
【図６】破断工程の説明図である。（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ異なる段階を示している。
【図７】変形例の有機ＥＬ表示装置の図３相当図である。
【図８】変形例の破断工程の説明図である。（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ異なる段階を示している。
【図９】変形例の凸部を示す図４相当図である。
【図１０】変形例の凸部を示す図４相当図である。
【図１１】変形例の凸部を示す図４相当図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。ただし、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物あるいはその用途を制限するものではない。
【００３３】
（有機ＥＬ表示装置の構造）
図２に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の要部を示す。この有機ＥＬ表示装置は、基板側から発光を取り出すボトムエミッション構造となっており、基板１と、基板１の一方（便宜上、この方向を「上」とする）の面に積層された複数の薄膜からなる薄膜層２とを備えている。薄膜層２には、電圧を印加すると自発光する有機ＥＬ素子や駆動回路などが設けられている。基板１の上面には、画素を構成する有機ＥＬ素子が格子状に配列されていて、駆動回路で各有機ＥＬ素子を電気的に制御することにより、有機ＥＬ表示装置は画像表示が可能となっている。なお、薄膜層２の上側には、通常、樹脂膜やガラス板等の封止部材が配設されるが、ここでは便宜上省略している。
【００３４】
図３は、有機ＥＬ表示装置の要部の断面構造を示しており、薄膜層２には、ＴＦＴ２１や層間絶縁膜２２、第１電極２３、有機ＥＬ層２４、エッジカバー２５（絶縁部）、第２電極２６などが設けられている。
【００３５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置はボトムエミッション構造であるため、基板１には透光性を有するガラス基板が用いられている。ただし、ガラス基板に限らず、ＰＥＴ等のプラスチック基板であってもよい。また、発光を基板の上面側から取り出すトップエミッション型の場合、基板１に透光性は必要とされないため、シリコンウェハー等の半導体基板や絶縁処理した金属基板を用いることもできる。
【００３６】
基板１の上には、複数のＴＦＴ（thin film transistor）２１，２１，…が形成されている。本実施形態のＴＦＴ２１は、公知の材料、形成方法により形成されている。
【００３７】
層間絶縁膜２２は、ＴＦＴ２１を被覆するように形成されている。本実施形態の層間絶縁膜２２は、上面の凹凸を軽減させる平坦化膜としての機能も兼ねており、窒化シリコン膜とアクリル樹脂からなる樹脂膜とを積層することによって構成されている。層間絶縁膜２２には、ＴＦＴ２１のソース領域やドレイン領域に通ずるコンタクトホール２８が形成されている。なお、樹脂膜には、アクリル樹脂に限らず、ポリイミド系、ノボラック系の樹脂を用いてもよい。
【００３８】
第１電極２３は、透光性を有するＩＴＯ等の公知の電極材料を用いて層間絶縁膜２２の上にパターン化されている。具体的には、図４に示すように、基板１を上面側から見たとき、矩形に形成された複数の第１電極２３，２３，…が互いに隙間を隔てて格子状に区画形成されている。本実施形態の第１電極２３は、陽極とされ、層間絶縁膜２２に設けられたコンタクトホール２８を介してＴＦＴ２１のドレイン電極等と接続されている。
【００３９】
エッジカバー２５は、リークを防止するために、互いに隣接する第１電極２３と第１電極２３との隙間を覆うように設けられている。エッジカバー２５は、図３に示すように、第１電極２３の上面よりも上側に隆起し、隙間に沿って延びる畝形状に形成されている。第２電極２６の断線を防止するため、エッジカバー２５の側面２５ａは、基板１に対する傾斜角が９０°を超えないように形成されている（順テーパー形状）。本実施形態のエッジカバー２５は、樹脂層と同じアクリル樹脂で形成されているが、ポリイミド系、ノボラック系の樹脂で形成してあってもよい。
【００４０】
エッジカバー２５には、第１電極２３の上に形成された有機ＥＬ層２４よりも上側に先端部分が突出する複数の凸部３０，３０，…が形成されている。本実施形態の各凸部３０は、点状に形成されていて、図４に示すように、互いに隣接する一方の第１電極２３の辺と他方の第１電極２３の辺との間に形成されている。各凸部３０の先端部分には、先端に向かって次第に細くなる先窄まり部３０ａが設けられている。
【００４１】
有機ＥＬ層２４は、積層された複数の薄膜層２からなり、各第１電極２３の上に積層形成されている。有機ＥＬ層２４の構成は特に限定しないが、本実施形態の有機ＥＬ層２４は、図５に示すように、下側から順に正孔輸送層４１、有機発光層４２、バッファ層４３、電子輸送層４４、電子注入層４５で構成されている。有機発光層４２には、電圧の印加によって自発光する有機発光材料が含まれている。
【００４２】
なお、有機ＥＬ層２４は、一般に、エッジカバー２５の上にもその一部、あるいは全部が蒸着して形成される場合が多いが、本実施形態では、主体となる、第１電極２３の上に形成される有機ＥＬ層２４のみを表してある。
【００４３】
第２電極２６は、各有機ＥＬ層２４やエッジカバー２５を覆うように形成されている。本実施形態の第２電極２６は、第１電極２３と対になるように陰極とされ、ボトムエミッション構造であることから比較的厚みの大きいアルミニウム（Ａｌ）膜で形成されている。
【００４４】
第２電極２６のうち、各凸部３０の先端を覆っている部分（突出被覆部２６ａともいう）の少なくとも一部には、第２電極２６の内外面を貫通する貫通孔３１が形成されている。詳細は後述するが、貫通孔３１は突出被覆部２６ａを破断することによって形成されており、貫通孔３１の周辺には破断痕を有する破断形状部３１ａが形成されている。
【００４５】
このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置には、第２電極２６にエッジカバー２５を露出させる多数の貫通孔３１，３１，…が形成されているため、第２電極２６の形成後に層間絶縁膜２２やエッジカバー２５にガス等の発生成分が残存していても、貫通孔３１を通じてガス等を薄膜層２の外部に排出することができる。従って、薄膜層２に内在するガス等の影響で有機発光材料が劣化するのを軽減できるため、輝度の低下が抑制され、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を向上させることができる。
【００４６】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、例えば、次に示すようにガラス基板１の上に順次各薄膜を積層等することにより製造することができる。
【００４７】
具体的には、ガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法によりシリコン半導体膜を形成し、結晶化処理を施して多結晶シリコン半導体膜を形成する。続いて、多結晶シリコン半導体膜をエッチング処理し、複数の島状パターンを形成する。これら島状パターンの多結晶シリコン半導体膜の上にゲート絶縁膜及びゲート電極層を順次形成し、エッチング処理によってパターニングを行う。続いて、ドーピングにより、多結晶シリコン半導体膜の各島状パターンにソース領域及びドレイン領域を形成し、複数のＴＦＴ２１，２１，…を形成する（ＴＦＴ形成工程）。
【００４８】
続いて、プラズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜を形成し、スピンコーターで樹脂層を形成する（層間絶縁膜形成工程）。具体的には、まず、窒化シリコンの薄膜からなる窒化シリコン膜を形成した後、エッチングによってゲート絶縁膜と窒化シリコン膜とに、ソース領域やドレイン領域に通ずるコンタクトホール２８を形成する。そして、ソース配線を形成し、その後、平坦化膜としての機能を付与するために、アクリル樹脂からなる樹脂膜を形成する。樹脂膜の形成後、ゲート絶縁膜等に穿孔したコンタクトホール２８と通ずるように樹脂膜にもコンタクトホール２８を形成する。
【００４９】
次に、所定の厚さでＩＴＯを成膜し、パターニングして第１電極２３を形成する（第１電極形成工程）。
【００５０】
第１電極２３の形成後、エッジカバー２５と凸部３０とを形成する（エッジカバー形成工程）。具体的には、まず、第１電極２３等が形成されたガラス基板１の上面に、コーターにて感光剤を含むアクリル樹脂を塗布して樹脂層を形成する。その後、フォトリソグラフィにてパターン化を行うが、その際、凸部３０を形成する部分とその他の部分とで露光量に差をつけて露光を行う。詳しくは、凸部３０を形成する部分の露光量が小さくなるようにする。その後、現像を行って樹脂層の所定部分を除去すれば、一度にエッジカバー２５と凸部３０とを形成することができる。なお、露光量に差をつけて露光する方法としては、例えば、異なるマスクを用いて露光を複数回に分けて行う方法や、所定部位の開口度合を異ならせたマスクを用いて露光を一回で行う方法などがある。
【００５１】
その後、エッジカバー２５等が形成された基板１の洗浄を行い、ＵＶオゾン処理によって表面に付着した塵埃を取り除いた後、真空ベーク（２００℃、１．０×１０−４Ｐａ、３ｈ）、窒素雰囲気下ベーク（２００℃、２ｈ）を順次行う（ベーク工程）。
【００５２】
放冷後、有機ＥＬ層２４を形成する（有機ＥＬ層形成工程）。具体的には、まず、α-ＮＰＤを真空蒸着法により蒸着して正孔輸送層４１を１００ｎｍの膜厚で形成する（蒸着速度設定：１Å/ｓｅｃ）。そして、ホストとしてのＣＢＰと、ドーパントとしてのＩｒ（ｐｐｙ）３とを、３０ｎｍの膜厚となるように真空下で共蒸着することにより有機発光層４２を形成する（蒸着速度設定は、ＣＢＰ：１Å／ｓｅｃ、Ｉｒ（ｐｐｙ）３：０.１Å／ｓｅｃ）。次に、ＢＣＰを蒸着してバッファ層４３を１０ｎｍの膜厚で形成し（蒸着速度設定：１Å／ｓｅｃ）、Ａｌｑ３を蒸着して電子輸送層４４を３０ｎｍの膜厚で形成し（蒸着速度設定：１Å／ｓｅｃ）、ＬｉＦを真空蒸着法により蒸着して電子注入層４５を０．５ｎｍの膜厚で形成する（蒸着速度設定：１Å／ｓｅｃ）。
【００５３】
有機ＥＬ層２４の形成後、第２電極２６としてＡｌ膜を１００ｎｍの膜厚で形成する（第２電極形成工程）。
【００５４】
従来の製造方法であれば、その後、薄膜層２が形成された基板１の上面を封止膜などで被覆等すれば有機ＥＬ表示装置の完成となるが、本実施形態では、その前に、第２電極２６の所定部位を破断してエッジカバー２５の一部を露出させる工程が設けられている（破断工程）。
【００５５】
具体的には、図６に示すように、金属板に粘着性を有するシートを被せることによって表面に粘着層５２が形成された冶具５１（電極破断具）を用意する。粘着層５２が形成された冶具５１の表面（接触面５１ａ）は、高い平面度を有するように形成されていて、少なくとも凸部３０の突出量に比べて十分に表面の凹凸が無視できる程度の平面となっている。なお、粘着層５２の厚みは凸部３０の突出量よりも小さく設定しておくのが好ましい。より精度高く破断処理が行えるからである。
【００５６】
窒素雰囲気下で、図６の（ａ）に示すように、冶具５１の表面を基板１に対して平行に支持し、その状態を保持しながら、冶具５１の表面が第２電極２６の各突出被覆部２６ａにのみ接触するように冶具５１を基板１の上面側に軽く接触させる。そうすると、同図の（ｂ）に示すように、粘着層５２は各突出被覆部２６ａに粘着する。その後、同図の（ｃ）に示すように、冶具５１を引き上げれば、各突出被覆部２６ａの一部が粘着層５２に付着して破断するため、第２電極２６に多数の貫通孔３１，３１，…を一度に簡単に形成することができる。
【００５７】
その後は、例えば、乾燥材を貼り付けた封止部材（キャップ材）等で薄膜層２を封止すればよい（封止工程）。
【００５８】
（性能評価）
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の性能を評価するために、破断処理が行なわれて貫通孔３１が形成されたもの（実施例）と、破断処理が行われずに貫通孔３１が形成されていないもの（比較例）とについて、同じ条件下で連続点灯させる比較試験を行った。
【００５９】
その結果、比較例品では、試験開始後１週間で画素周辺部に暗い（シュリンク）部分が確認されたが、実施例品では確認されなかった。
【００６０】
−有機ＥＬ表示装置の変形例−
上述した実施形態では、ボトムエミッション構造の場合を示したが、トップエミッション構造であってもかまわない。
【００６１】
例えば、図７に示すように、上記実施形態の第２電極２６に代えて、膜厚の薄いＡｌ膜６１ａと透光性を有するＳｉＮ等の無機膜６１ｂとで第２電極２６Ａを形成すればよい。
【００６２】
具体的には、上記実施形態と同様の一連の工程により薄膜層２を形成し、第２電極形成工程において、Ａｌ膜６１ａを２０ｎｍの膜厚で形成し、続いてＳｉＮの無機膜６１ｂを１００ｎｍの膜厚で形成する。その後、上記実施形態と同様に破断工程を行って、第２電極２６Ａの突出被覆部２６ａの部分を引き剥がし、貫通孔３１を形成させる。
【００６３】
次に、封止部材として、いずれも熱硬化性の樹脂からなる、乾燥機能を有する乾燥材添加樹脂と、封止樹脂とを用意する。そして、基板１の上面の周辺を囲むように封止樹脂を塗布し、その中に、乾燥材添加樹脂を流し入れて薄膜層２を被覆した後、加熱して熱硬化させる（封止工程）。
【００６４】
この場合でも、性能評価を行ったところ、実施例品（貫通孔３１が形成されている）は、比較例品（貫通孔３１が形成されていない）と比べて画素劣化（輝度劣化）が起こり難く、優位性を確認することができた。
【００６５】
−破断工程の変形例−
破断工程は、突出被覆部２６ａを剥離して破断させるのではなく、物理的な衝撃によって破断させることもできる。
【００６６】
すなわち、図８に示すように、平面度の高い大型の硬質な平板７１を用意し、水平に設置する。そして、第２電極形成工程の後、薄膜層２が形成された基板１の薄膜層２側を下に向けた状態で、基板１を平板７１の上面に対して平行に支持し、その状態を保持しながら、同図の（ａ）に示すように基板１の自重を利用して下降させ、同図の（ｂ）に示すように平板７１に基板１の全面を衝突させる。
【００６７】
そうすると、第２電極２６の各突出被覆部２６ａが平板７１と衝突し、その衝撃により各突出被覆部２６ａが破断される。各突出被覆部２６ａと凸部３０とでは硬度に差があり、比較的容易に破断させることができる。特に、凸部３０に有機ＥＬ層２４が蒸着していると、より容易に破断させることができる。その後、同図の（ｃ）に示すように、平行状態を保持しながら基板１を上昇させれば、第２電極２６に多数の貫通孔３１，３１，…を一度に簡単に形成することができる。
【００６８】
（性能評価）
本変形例の有機ＥＬ表示装置の性能を評価するために、衝撃による破断処理が行なわれて貫通孔３１が形成されたもの（実施例）と、破断処理が行われずに貫通孔３１が形成されていないもの（比較例）とについて、同じ条件下で連続点灯させる比較試験を行った。
【００６９】
実施例品では、全ての突出被覆部２６ａに貫通孔３１を形成することができず、部分的に貫通孔３１の無い突出被覆部２６ａが残存していたが、それでも、比較例品と比べて実施例品の画素劣化の優位性を確認することができた。
【００７０】
−凸部の変形例−
凸部の形態は必要に応じて適宜変更できる。
【００７１】
例えば、図９にその1つを示す。この変形例では、上記実施形態と同様の形態の凸部３０が、４つの第１電極２３，…，２３の互いに隣接する隅部の間の部分に形成されている。この場合、凸部３０を各第１電極２３から離れて形成することができるので、凸部３０や貫通孔３１の形成によって有機ＥＬ素子本来の機能が損なわれるのを信頼性をもって阻止できる。また、凸部３０を相対的に大きく形成することができる点でも有利である。このように、第１電極２３の近傍であれば凸部３０の配置や大きさは任意に設定できる。
【００７２】
また、凸部の形状は点状に限らず、隙間に沿って延びる線状に形成することができる。例えば、図１０に示すように、互いに隣接する一方の第１電極２３の長辺と他方の第１電極２３の長辺との間に、略平行に並ぶ一群の凸部３０Ａ，３０Ａ，…を形成することができる。各凸部３０Ａの先端部分には、先端に向かって次第に幅が狭くなる先窄まり部３０ａが設けられている。
【００７３】
この場合、破断工程で第２電極２６を破断させると、突出被覆部２６ａに沿って線状に破断されるため、隙間に沿って延びる細長い貫通孔３１が形成される。
【００７４】
線状の貫通孔３１であれば、点状の貫通孔３１に比べて開口率が大きくなるため、それだけガス等の排出効果が期待できる。また、個々の凸部３０Ａを略平行に形成した場合、破断工程において、冶具５１の粘着層５２を突出被覆部２６ａに接触させた後、凸部３０Ａの一方の端部側から捲るようにして冶具５１を取り外すことで、突出被覆部２６ａを効率よく引き剥がすことができ、精度高く貫通孔３１を形成することができる利点がある。
【００７５】
なお、凸部３０Ａは第１電極２３の短辺側に形成することや、短辺と長辺の両側に形成することもできる。
【００７６】
更に、必ずしも１画素単位で凸部を形成する必要はなく、数画素単位で凸部を形成してあってもよい。
【００７７】
例えば、図１１に示すように、複数の第１電極２３，２３，…にわたる隙間の部分に沿って線状に延びるように複数の凸部３０Ｂ，３０Ｂ，…を形成することができる。そうすれば、開口率を変えずに凸部３０Ｂの個数を減らすことができる。この場合でも、個々の凸部３０Ｂが略平行に並ぶように形成すれば、より精度高く貫通孔３１を形成することができる。また、各凸部３０Ｂを互い違いに配置しておけば、凸部３０Ｂの個数が減少してもバランスよくガス等を排出させることができ、輝度劣化が部分的に生じるのを効果的に抑制することができるので、より信頼性を向上させることができる。
【００７８】
なお、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、前記の実施の形態に限定されず、それ以外の種々の構成をも包含する。
【００７９】
例えば、破断工程では、突出被覆部２６ａを削ることによって破断してもよい。具体的には、表面に研磨可能な研磨層が形成された平板を用意し、平板と平行に基板１を支持して研磨層に第２電極２６の突出被覆部２６ａを接触させる。そして、基板１と平板とを擦り合わせて突出被覆部２６ａを削り取ればよい。
【符号の説明】
【００８０】
１ 基板
２ 薄膜層
２１ ＴＦＴ
２２ 層間絶縁膜
２３ 第１電極
２４ 有機ＥＬ層
２５ エッジカバー（絶縁部）
２６ 第２電極
３０ 凸部
３０ａ 先窄まり部
３１ 貫通孔
３１ａ 破断形状部
５１ 冶具（電極破断具）
５１ａ 接触面
５２ 粘着層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関し、その中でも特に表面側に位置する電極の細部構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（ディスプレイ）は、電圧の印加により自発光する有機ＥＬ素子を利用した表示装置である。バックライトを必要としないことから、消費電力の低下や軽量化、薄型化に有利なため、近年、携帯端末や薄型ＴＶなどの分野での開発が期待されている。
【０００３】
特に、一つ一つの画素に駆動素子を設けて画素ごとに発光を制御するアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置は、単純マトリクス方式のものと比べて高輝度、低電力が実現できることから、注目されつつある。
【０００４】
しかしながら、アクティブマトリクス方式の場合、内部で発生するガスや水分の影響で輝度が低下し、長期信頼性の確保が難しいという問題がある。
【０００５】
例えば、図１に、この種の有機ＥＬ表示装置の要部を示す。図中、１０１はガラス基板であり、１０２はＴＦＴ（thin film transistor）、１０３は層間膜、１０４は陽電極、１０５は有機発光材料を含む有機ＥＬ層、１０６は画素間に設けられるエッジカバー、１０７は陰電極である。層間膜１０３およびエッジカバー１０６はアクリル樹脂等で形成されている。
【０００６】
アクリル樹脂等には水やガスの発生成分が含まれているため、層間膜１０３やエッジカバー１０６の成形後に乾燥が不十分な状態で陰電極１０７を積層してしまうと、その後に層間膜１０３等から発生するガスや水分は、陰電極１０７によって遮断され、透過できずに陰電極１０７とガラス基板１０１との間に滞る。滞ったガス等は、矢印線で示すように有機ＥＬ層１０５に作用して、有機発光材料の劣化を促進し、その結果、輝度が低下して有機ＥＬ表示装置の長期信頼性が確保できなくなる。
【０００７】
そこで、層間膜等から発生するガス等を除去するために、様々な提案が行われている（特許文献１〜３）。
【０００８】
例えば、特許文献１や特許文献２では、陰電極で被覆する前に個々の画素や全画素の周りに樹脂製の平坦膜を露出させ、その状態で脱水処理を行うことが提案されている。
【０００９】
また、特許文献３では、陰電極の一部に平坦化膜に到達する開口部を形成し、そこから内部の水分が放出できるようにしている。その開口部を形成する方法として、陰電極の形成時にエッチング等により除去して形成する方法や、陰電極の形成後に針を用いて形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２５０２４４号公報
【特許文献２】特開２００７−２９４４１３号公報
【特許文献３】特開２００５−１４１９６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１や特許文献２の場合、製造時に平坦膜の脱水を促進させることはできるが、いったん陰電極で被覆してしまうとその後に発生するガス等は除去できない。従って、脱水処理で確実にガス等を除去することが要求され、脱水処理が難しくなるし信頼性に欠けるきらいがある。
【００１２】
その点、特許文献３の場合、陰電極を形成した後にも内部で発生するガス等を除去できるので、脱水処理で確実にガス等を除去する必要がなくなり、作業負担が軽減されるし信頼性も向上する。
【００１３】
しかし、エッチング等によって陰電極の所定位置に逆テーパーを利用した開口部を形成するのは高い精度が要求され、作業工数の増加や余計な不良品の発生を招くおそれがある。
【００１４】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、内在するガス等の排出が簡単かつ高精度に実現でき、信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明では、表面を覆う電極の所定部位を突出させ、そこに貫通孔を形成した。
【００１６】
具体的には、本発明は、基板と、前記基板の上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜の上に互いに隙間を隔てて格子状に区画形成される複数の第１電極と、少なくとも前記第１電極の上に形成される有機ＥＬ層と、前記隙間を覆うように設けられる絶縁部と、前記有機ＥＬ層及び前記絶縁部を覆うように形成される第２電極と、を備え、前記絶縁部が、前記第１電極の上に形成される前記有機ＥＬ層よりも上側に突出する複数の凸部を有し、前記凸部の先端を覆っている前記第２電極の部分の少なくとも一部に貫通孔が形成されている有機ＥＬ表示装置である。
【００１７】
係る構成の有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ層の上側に形成される膜は剥離され易くなるが、絶縁部の凸部が、第１電極の上に形成される、主たる有機ＥＬ層よりも上側に突出しているため、その有機ＥＬ層に影響を与えずに、凸部の先端を覆っている第２電極の部分に対して容易に外力を加えることができる。しかも、凸部の先端であれば、外力が小さくても容易に第２電極を変形させることができる。
【００１８】
また、一般には、凸部を含めた絶縁部の上にも有機ＥＬ層の一部あるいは全部が形成されるため、その場合には、更に容易に第２電極を変形させることができる。本構成であれば、凸部は順テーパー構造でもよいため、絶縁部の材料に一般に利用されている材料が流用でき、特別な材料を用いて逆テーパー構造を形成する必要もない。
【００１９】
従って、第２電極の所定部位に、簡単かつ高精度に複数の貫通孔を形成することができる。
【００２０】
そのようにして、絶縁部を露出させる複数の貫通孔が第２電極に形成されていれば、第２電極の形成後に絶縁膜や絶縁部にガス等の発生成分が残存していても、貫通孔を通じてガス等を外部に排出することができ、内在するガス等の影響による有機発光材料の劣化を軽減できる。従って、輝度の低下が抑制されるため、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を向上させることができる。
【００２１】
前記複数の凸部のそれぞれの先端部分に、先端に向かって次第に細くなる先窄まり部が設けられているのが好ましい。
【００２２】
そうすれば、凸部の先端を覆う第２電極の部分によりいっそう貫通孔が形成し易くなる。
【００２３】
前記複数の凸部のそれぞれは、前記隙間に沿って延びる線状に形成することができる。
【００２４】
そうすれば、貫通孔を線状に開口させることができるため、開口率が大きくなって、ガス等の排出を促進することができ、更に有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を向上させることができる。
【００２５】
前記貫通孔は前記第２電極を破断することによって形成し、前記第２電極の前記貫通孔の周辺部分に破断形状部が形成されているようにすればよい。つまり、第２電極の形成後に、凸部を覆っている第２電極の部分に外力を加えて破壊するのである。そうすれば、凸部をうまく利用して一度に複数の貫通孔を精度高く形成することができる。
【００２６】
このような形態の有機ＥＬ表示装置は、例えば、平らな接触面を有する電極破断具を用い、前記第２電極の形成後に前記接触面を前記第２電極に接触させることにより、前記凸部の先端を覆っている第２電極の部分を破断させる工程を含む製造方法によって容易に実現することができる。
【００２７】
すなわち、電極破壊具の平らな接触面を第２電極に接触させることで、凸部の先端を覆っている第２電極の部分に満遍なく均等な外力を加えて破断させることができる。従って、一度に複数の貫通孔を精度高く形成することができる。
【００２８】
特に、前記接触面には粘着性を有する層を形成するのが好ましい。
【００２９】
そうすれば、凸部の先端を覆っている第２電極の部分を電極破断具で引き剥がすことができるため、より安定して複数の貫通孔を精度高く形成することができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上説明したように、本発明によれば、表面を覆う電極の所定部位に、容易に精度高く複数の貫通孔が形成できるようになるため、内在するガス等の排出が促進でき、信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来の有機ＥＬ表示装置の要部を示す概略断面図である。
【図２】本実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略斜視図である。
【図３】図２における矢印Ｘ方向から見た概略断面図である。
【図４】有機ＥＬ層及び第２電極の形成前の、図２における矢印Ｙ方向から見た概略平面図である。
【図５】有機ＥＬ層の概略断面図である。
【図６】破断工程の説明図である。（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ異なる段階を示している。
【図７】変形例の有機ＥＬ表示装置の図３相当図である。
【図８】変形例の破断工程の説明図である。（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ異なる段階を示している。
【図９】変形例の凸部を示す図４相当図である。
【図１０】変形例の凸部を示す図４相当図である。
【図１１】変形例の凸部を示す図４相当図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。ただし、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物あるいはその用途を制限するものではない。
【００３３】
（有機ＥＬ表示装置の構造）
図２に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の要部を示す。この有機ＥＬ表示装置は、基板側から発光を取り出すボトムエミッション構造となっており、基板１と、基板１の一方（便宜上、この方向を「上」とする）の面に積層された複数の薄膜からなる薄膜層２とを備えている。薄膜層２には、電圧を印加すると自発光する有機ＥＬ素子や駆動回路などが設けられている。基板１の上面には、画素を構成する有機ＥＬ素子が格子状に配列されていて、駆動回路で各有機ＥＬ素子を電気的に制御することにより、有機ＥＬ表示装置は画像表示が可能となっている。なお、薄膜層２の上側には、通常、樹脂膜やガラス板等の封止部材が配設されるが、ここでは便宜上省略している。
【００３４】
図３は、有機ＥＬ表示装置の要部の断面構造を示しており、薄膜層２には、ＴＦＴ２１や層間絶縁膜２２、第１電極２３、有機ＥＬ層２４、エッジカバー２５（絶縁部）、第２電極２６などが設けられている。
【００３５】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置はボトムエミッション構造であるため、基板１には透光性を有するガラス基板が用いられている。ただし、ガラス基板に限らず、ＰＥＴ等のプラスチック基板であってもよい。また、発光を基板の上面側から取り出すトップエミッション型の場合、基板１に透光性は必要とされないため、シリコンウェハー等の半導体基板や絶縁処理した金属基板を用いることもできる。
【００３６】
基板１の上には、複数のＴＦＴ（thin film transistor）２１，２１，…が形成されている。本実施形態のＴＦＴ２１は、公知の材料、形成方法により形成されている。
【００３７】
層間絶縁膜２２は、ＴＦＴ２１を被覆するように形成されている。本実施形態の層間絶縁膜２２は、上面の凹凸を軽減させる平坦化膜としての機能も兼ねており、窒化シリコン膜とアクリル樹脂からなる樹脂膜とを積層することによって構成されている。層間絶縁膜２２には、ＴＦＴ２１のソース領域やドレイン領域に通ずるコンタクトホール２８が形成されている。なお、樹脂膜には、アクリル樹脂に限らず、ポリイミド系、ノボラック系の樹脂を用いてもよい。
【００３８】
第１電極２３は、透光性を有するＩＴＯ等の公知の電極材料を用いて層間絶縁膜２２の上にパターン化されている。具体的には、図４に示すように、基板１を上面側から見たとき、矩形に形成された複数の第１電極２３，２３，…が互いに隙間を隔てて格子状に区画形成されている。本実施形態の第１電極２３は、陽極とされ、層間絶縁膜２２に設けられたコンタクトホール２８を介してＴＦＴ２１のドレイン電極等と接続されている。
【００３９】
エッジカバー２５は、リークを防止するために、互いに隣接する第１電極２３と第１電極２３との隙間を覆うように設けられている。エッジカバー２５は、図３に示すように、第１電極２３の上面よりも上側に隆起し、隙間に沿って延びる畝形状に形成されている。第２電極２６の断線を防止するため、エッジカバー２５の側面２５ａは、基板１に対する傾斜角が９０°を超えないように形成されている（順テーパー形状）。本実施形態のエッジカバー２５は、樹脂層と同じアクリル樹脂で形成されているが、ポリイミド系、ノボラック系の樹脂で形成してあってもよい。
【００４０】
エッジカバー２５には、第１電極２３の上に形成された有機ＥＬ層２４よりも上側に先端部分が突出する複数の凸部３０，３０，…が形成されている。本実施形態の各凸部３０は、点状に形成されていて、図４に示すように、互いに隣接する一方の第１電極２３の辺と他方の第１電極２３の辺との間に形成されている。各凸部３０の先端部分には、先端に向かって次第に細くなる先窄まり部３０ａが設けられている。
【００４１】
有機ＥＬ層２４は、積層された複数の薄膜層２からなり、各第１電極２３の上に積層形成されている。有機ＥＬ層２４の構成は特に限定しないが、本実施形態の有機ＥＬ層２４は、図５に示すように、下側から順に正孔輸送層４１、有機発光層４２、バッファ層４３、電子輸送層４４、電子注入層４５で構成されている。有機発光層４２には、電圧の印加によって自発光する有機発光材料が含まれている。
【００４２】
なお、有機ＥＬ層２４は、一般に、エッジカバー２５の上にもその一部、あるいは全部が蒸着して形成される場合が多いが、本実施形態では、主体となる、第１電極２３の上に形成される有機ＥＬ層２４のみを表してある。
【００４３】
第２電極２６は、各有機ＥＬ層２４やエッジカバー２５を覆うように形成されている。本実施形態の第２電極２６は、第１電極２３と対になるように陰極とされ、ボトムエミッション構造であることから比較的厚みの大きいアルミニウム（Ａｌ）膜で形成されている。
【００４４】
第２電極２６のうち、各凸部３０の先端を覆っている部分（突出被覆部２６ａともいう）の少なくとも一部には、第２電極２６の内外面を貫通する貫通孔３１が形成されている。詳細は後述するが、貫通孔３１は突出被覆部２６ａを破断することによって形成されており、貫通孔３１の周辺には破断痕を有する破断形状部３１ａが形成されている。
【００４５】
このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置には、第２電極２６にエッジカバー２５を露出させる多数の貫通孔３１，３１，…が形成されているため、第２電極２６の形成後に層間絶縁膜２２やエッジカバー２５にガス等の発生成分が残存していても、貫通孔３１を通じてガス等を薄膜層２の外部に排出することができる。従って、薄膜層２に内在するガス等の影響で有機発光材料が劣化するのを軽減できるため、輝度の低下が抑制され、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を向上させることができる。
【００４６】
（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、例えば、次に示すようにガラス基板１の上に順次各薄膜を積層等することにより製造することができる。
【００４７】
具体的には、ガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法によりシリコン半導体膜を形成し、結晶化処理を施して多結晶シリコン半導体膜を形成する。続いて、多結晶シリコン半導体膜をエッチング処理し、複数の島状パターンを形成する。これら島状パターンの多結晶シリコン半導体膜の上にゲート絶縁膜及びゲート電極層を順次形成し、エッチング処理によってパターニングを行う。続いて、ドーピングにより、多結晶シリコン半導体膜の各島状パターンにソース領域及びドレイン領域を形成し、複数のＴＦＴ２１，２１，…を形成する（ＴＦＴ形成工程）。
【００４８】
続いて、プラズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜を形成し、スピンコーターで樹脂層を形成する（層間絶縁膜形成工程）。具体的には、まず、窒化シリコンの薄膜からなる窒化シリコン膜を形成した後、エッチングによってゲート絶縁膜と窒化シリコン膜とに、ソース領域やドレイン領域に通ずるコンタクトホール２８を形成する。そして、ソース配線を形成し、その後、平坦化膜としての機能を付与するために、アクリル樹脂からなる樹脂膜を形成する。樹脂膜の形成後、ゲート絶縁膜等に穿孔したコンタクトホール２８と通ずるように樹脂膜にもコンタクトホール２８を形成する。
【００４９】
次に、所定の厚さでＩＴＯを成膜し、パターニングして第１電極２３を形成する（第１電極形成工程）。
【００５０】
第１電極２３の形成後、エッジカバー２５と凸部３０とを形成する（エッジカバー形成工程）。具体的には、まず、第１電極２３等が形成されたガラス基板１の上面に、コーターにて感光剤を含むアクリル樹脂を塗布して樹脂層を形成する。その後、フォトリソグラフィにてパターン化を行うが、その際、凸部３０を形成する部分とその他の部分とで露光量に差をつけて露光を行う。詳しくは、凸部３０を形成する部分の露光量が小さくなるようにする。その後、現像を行って樹脂層の所定部分を除去すれば、一度にエッジカバー２５と凸部３０とを形成することができる。なお、露光量に差をつけて露光する方法としては、例えば、異なるマスクを用いて露光を複数回に分けて行う方法や、所定部位の開口度合を異ならせたマスクを用いて露光を一回で行う方法などがある。
【００５１】
その後、エッジカバー２５等が形成された基板１の洗浄を行い、ＵＶオゾン処理によって表面に付着した塵埃を取り除いた後、真空ベーク（２００℃、１．０×１０−４Ｐａ、３ｈ）、窒素雰囲気下ベーク（２００℃、２ｈ）を順次行う（ベーク工程）。
【００５２】
放冷後、有機ＥＬ層２４を形成する（有機ＥＬ層形成工程）。具体的には、まず、α-ＮＰＤを真空蒸着法により蒸着して正孔輸送層４１を１００ｎｍの膜厚で形成する（蒸着速度設定：１Å/ｓｅｃ）。そして、ホストとしてのＣＢＰと、ドーパントとしてのＩｒ（ｐｐｙ）３とを、３０ｎｍの膜厚となるように真空下で共蒸着することにより有機発光層４２を形成する（蒸着速度設定は、ＣＢＰ：１Å／ｓｅｃ、Ｉｒ（ｐｐｙ）３：０.１Å／ｓｅｃ）。次に、ＢＣＰを蒸着してバッファ層４３を１０ｎｍの膜厚で形成し（蒸着速度設定：１Å／ｓｅｃ）、Ａｌｑ３を蒸着して電子輸送層４４を３０ｎｍの膜厚で形成し（蒸着速度設定：１Å／ｓｅｃ）、ＬｉＦを真空蒸着法により蒸着して電子注入層４５を０．５ｎｍの膜厚で形成する（蒸着速度設定：１Å／ｓｅｃ）。
【００５３】
有機ＥＬ層２４の形成後、第２電極２６としてＡｌ膜を１００ｎｍの膜厚で形成する（第２電極形成工程）。
【００５４】
従来の製造方法であれば、その後、薄膜層２が形成された基板１の上面を封止膜などで被覆等すれば有機ＥＬ表示装置の完成となるが、本実施形態では、その前に、第２電極２６の所定部位を破断してエッジカバー２５の一部を露出させる工程が設けられている（破断工程）。
【００５５】
具体的には、図６に示すように、金属板に粘着性を有するシートを被せることによって表面に粘着層５２が形成された冶具５１（電極破断具）を用意する。粘着層５２が形成された冶具５１の表面（接触面５１ａ）は、高い平面度を有するように形成されていて、少なくとも凸部３０の突出量に比べて十分に表面の凹凸が無視できる程度の平面となっている。なお、粘着層５２の厚みは凸部３０の突出量よりも小さく設定しておくのが好ましい。より精度高く破断処理が行えるからである。
【００５６】
窒素雰囲気下で、図６の（ａ）に示すように、冶具５１の表面を基板１に対して平行に支持し、その状態を保持しながら、冶具５１の表面が第２電極２６の各突出被覆部２６ａにのみ接触するように冶具５１を基板１の上面側に軽く接触させる。そうすると、同図の（ｂ）に示すように、粘着層５２は各突出被覆部２６ａに粘着する。その後、同図の（ｃ）に示すように、冶具５１を引き上げれば、各突出被覆部２６ａの一部が粘着層５２に付着して破断するため、第２電極２６に多数の貫通孔３１，３１，…を一度に簡単に形成することができる。
【００５７】
その後は、例えば、乾燥材を貼り付けた封止部材（キャップ材）等で薄膜層２を封止すればよい（封止工程）。
【００５８】
（性能評価）
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の性能を評価するために、破断処理が行なわれて貫通孔３１が形成されたもの（実施例）と、破断処理が行われずに貫通孔３１が形成されていないもの（比較例）とについて、同じ条件下で連続点灯させる比較試験を行った。
【００５９】
その結果、比較例品では、試験開始後１週間で画素周辺部に暗い（シュリンク）部分が確認されたが、実施例品では確認されなかった。
【００６０】
−有機ＥＬ表示装置の変形例−
上述した実施形態では、ボトムエミッション構造の場合を示したが、トップエミッション構造であってもかまわない。
【００６１】
例えば、図７に示すように、上記実施形態の第２電極２６に代えて、膜厚の薄いＡｌ膜６１ａと透光性を有するＳｉＮ等の無機膜６１ｂとで第２電極２６Ａを形成すればよい。
【００６２】
具体的には、上記実施形態と同様の一連の工程により薄膜層２を形成し、第２電極形成工程において、Ａｌ膜６１ａを２０ｎｍの膜厚で形成し、続いてＳｉＮの無機膜６１ｂを１００ｎｍの膜厚で形成する。その後、上記実施形態と同様に破断工程を行って、第２電極２６Ａの突出被覆部２６ａの部分を引き剥がし、貫通孔３１を形成させる。
【００６３】
次に、封止部材として、いずれも熱硬化性の樹脂からなる、乾燥機能を有する乾燥材添加樹脂と、封止樹脂とを用意する。そして、基板１の上面の周辺を囲むように封止樹脂を塗布し、その中に、乾燥材添加樹脂を流し入れて薄膜層２を被覆した後、加熱して熱硬化させる（封止工程）。
【００６４】
この場合でも、性能評価を行ったところ、実施例品（貫通孔３１が形成されている）は、比較例品（貫通孔３１が形成されていない）と比べて画素劣化（輝度劣化）が起こり難く、優位性を確認することができた。
【００６５】
−破断工程の変形例−
破断工程は、突出被覆部２６ａを剥離して破断させるのではなく、物理的な衝撃によって破断させることもできる。
【００６６】
すなわち、図８に示すように、平面度の高い大型の硬質な平板７１を用意し、水平に設置する。そして、第２電極形成工程の後、薄膜層２が形成された基板１の薄膜層２側を下に向けた状態で、基板１を平板７１の上面に対して平行に支持し、その状態を保持しながら、同図の（ａ）に示すように基板１の自重を利用して下降させ、同図の（ｂ）に示すように平板７１に基板１の全面を衝突させる。
【００６７】
そうすると、第２電極２６の各突出被覆部２６ａが平板７１と衝突し、その衝撃により各突出被覆部２６ａが破断される。各突出被覆部２６ａと凸部３０とでは硬度に差があり、比較的容易に破断させることができる。特に、凸部３０に有機ＥＬ層２４が蒸着していると、より容易に破断させることができる。その後、同図の（ｃ）に示すように、平行状態を保持しながら基板１を上昇させれば、第２電極２６に多数の貫通孔３１，３１，…を一度に簡単に形成することができる。
【００６８】
（性能評価）
本変形例の有機ＥＬ表示装置の性能を評価するために、衝撃による破断処理が行なわれて貫通孔３１が形成されたもの（実施例）と、破断処理が行われずに貫通孔３１が形成されていないもの（比較例）とについて、同じ条件下で連続点灯させる比較試験を行った。
【００６９】
実施例品では、全ての突出被覆部２６ａに貫通孔３１を形成することができず、部分的に貫通孔３１の無い突出被覆部２６ａが残存していたが、それでも、比較例品と比べて実施例品の画素劣化の優位性を確認することができた。
【００７０】
−凸部の変形例−
凸部の形態は必要に応じて適宜変更できる。
【００７１】
例えば、図９にその1つを示す。この変形例では、上記実施形態と同様の形態の凸部３０が、４つの第１電極２３，…，２３の互いに隣接する隅部の間の部分に形成されている。この場合、凸部３０を各第１電極２３から離れて形成することができるので、凸部３０や貫通孔３１の形成によって有機ＥＬ素子本来の機能が損なわれるのを信頼性をもって阻止できる。また、凸部３０を相対的に大きく形成することができる点でも有利である。このように、第１電極２３の近傍であれば凸部３０の配置や大きさは任意に設定できる。
【００７２】
また、凸部の形状は点状に限らず、隙間に沿って延びる線状に形成することができる。例えば、図１０に示すように、互いに隣接する一方の第１電極２３の長辺と他方の第１電極２３の長辺との間に、略平行に並ぶ一群の凸部３０Ａ，３０Ａ，…を形成することができる。各凸部３０Ａの先端部分には、先端に向かって次第に幅が狭くなる先窄まり部３０ａが設けられている。
【００７３】
この場合、破断工程で第２電極２６を破断させると、突出被覆部２６ａに沿って線状に破断されるため、隙間に沿って延びる細長い貫通孔３１が形成される。
【００７４】
線状の貫通孔３１であれば、点状の貫通孔３１に比べて開口率が大きくなるため、それだけガス等の排出効果が期待できる。また、個々の凸部３０Ａを略平行に形成した場合、破断工程において、冶具５１の粘着層５２を突出被覆部２６ａに接触させた後、凸部３０Ａの一方の端部側から捲るようにして冶具５１を取り外すことで、突出被覆部２６ａを効率よく引き剥がすことができ、精度高く貫通孔３１を形成することができる利点がある。
【００７５】
なお、凸部３０Ａは第１電極２３の短辺側に形成することや、短辺と長辺の両側に形成することもできる。
【００７６】
更に、必ずしも１画素単位で凸部を形成する必要はなく、数画素単位で凸部を形成してあってもよい。
【００７７】
例えば、図１１に示すように、複数の第１電極２３，２３，…にわたる隙間の部分に沿って線状に延びるように複数の凸部３０Ｂ，３０Ｂ，…を形成することができる。そうすれば、開口率を変えずに凸部３０Ｂの個数を減らすことができる。この場合でも、個々の凸部３０Ｂが略平行に並ぶように形成すれば、より精度高く貫通孔３１を形成することができる。また、各凸部３０Ｂを互い違いに配置しておけば、凸部３０Ｂの個数が減少してもバランスよくガス等を排出させることができ、輝度劣化が部分的に生じるのを効果的に抑制することができるので、より信頼性を向上させることができる。
【００７８】
なお、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、前記の実施の形態に限定されず、それ以外の種々の構成をも包含する。
【００７９】
例えば、破断工程では、突出被覆部２６ａを削ることによって破断してもよい。具体的には、表面に研磨可能な研磨層が形成された平板を用意し、平板と平行に基板１を支持して研磨層に第２電極２６の突出被覆部２６ａを接触させる。そして、基板１と平板とを擦り合わせて突出被覆部２６ａを削り取ればよい。
【符号の説明】
【００８０】
１ 基板
２ 薄膜層
２１ ＴＦＴ
２２ 層間絶縁膜
２３ 第１電極
２４ 有機ＥＬ層
２５ エッジカバー（絶縁部）
２６ 第２電極
３０ 凸部
３０ａ 先窄まり部
３１ 貫通孔
３１ａ 破断形状部
５１ 冶具（電極破断具）
５１ａ 接触面
５２ 粘着層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に互いに隙間を隔てて格子状に区画形成される複数の第１電極と、
少なくとも前記第１電極の上に形成される有機ＥＬ層と、
前記隙間を覆うように設けられる絶縁部と、
前記有機ＥＬ層及び前記絶縁部を覆うように形成される第２電極と、
を備え、
前記絶縁部が、前記第１電極の上に形成される前記有機ＥＬ層よりも上側に突出する複数の凸部を有し、
前記凸部の先端を覆っている前記第２電極の部分の少なくとも一部に貫通孔が形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の凸部のそれぞれの先端部分に、先端に向かって次第に細くなる先窄まり部が設けられている有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の凸部のそれぞれが、前記隙間に沿って延びる線状に形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記第２電極の前記貫通孔の周辺部分に破断形状部が形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
平らな接触面を有する電極破断具を用い、前記第２電極の形成後に前記接触面を前記第２電極に接触させることにより、前記凸部の先端を覆っている第２電極の部分を破断させる工程を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記接触面に粘着性を有する層が形成されている有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に互いに隙間を隔てて格子状に区画形成される複数の第１電極と、
少なくとも前記第１電極の上に形成される有機ＥＬ層と、
前記隙間を覆うように設けられる絶縁部と、
前記有機ＥＬ層及び前記絶縁部を覆うように形成される第２電極と、
を備え、
前記絶縁部が、前記第１電極の上に形成される前記有機ＥＬ層よりも上側に突出する複数の凸部を有し、
前記凸部の先端を覆っている前記第２電極の部分の少なくとも一部に貫通孔が形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の凸部のそれぞれの先端部分に、先端に向かって次第に細くなる先窄まり部が設けられている有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の凸部のそれぞれが、前記隙間に沿って延びる線状に形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記第２電極の前記貫通孔の周辺部分に破断形状部が形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
平らな接触面を有する電極破断具を用い、前記第２電極の形成後に前記接触面を前記第２電極に接触させることにより、前記凸部の先端を覆っている第２電極の部分を破断させる工程を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記接触面に粘着性を有する層が形成されている有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−１４５０４（Ｐ２０１１−１４５０４Ａ）
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５９９４６（Ｐ２００９−１５９９４６）
【出願日】平成２１年７月６日（２００９．７．６）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月６日（２００９．７．６）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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