樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
【課題】 ダイパッドが封止樹脂の上面から露出した樹脂封止型半導体装置の特性を改善する。
【解決手段】 信号接続用リード１２の外方部分が封止樹脂１７から露出して外部電極１８として機能し、ダイパッド１３の上面が封止樹脂の上面側で露出している。ダイパッド１３の下面に、主面を下方に向けた半導体チップ１５が接合されており、半導体チップ１５の電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されている。ダイパッド１３の上面側にハーフエッチ等が施され、全体的に薄く形成されている。封止樹脂１７がダイパッド１３の上方に薄く存在するので、ダイパッド１３に対する封止樹脂の保持力が大きい。半導体チップ１５の厚みを薄くしなくても、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化が可能である。
【解決手段】 信号接続用リード１２の外方部分が封止樹脂１７から露出して外部電極１８として機能し、ダイパッド１３の上面が封止樹脂の上面側で露出している。ダイパッド１３の下面に、主面を下方に向けた半導体チップ１５が接合されており、半導体チップ１５の電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されている。ダイパッド１３の上面側にハーフエッチ等が施され、全体的に薄く形成されている。封止樹脂１７がダイパッド１３の上方に薄く存在するので、ダイパッド１３に対する封止樹脂の保持力が大きい。半導体チップ１５の厚みを薄くしなくても、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化が可能である。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹脂により封止しダイパッドを封止樹脂内に埋設した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に係り、特に薄型化したものの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。
【０００４】図２１は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。図２１に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置である。
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナーリード１０１と、インナーリード１０１に対してアップセットされたダイパッド１０２と、そのダイパッド１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリードフレームとを備えている。そして、ダイパッド１０２上に半導体チップ１０４が接着剤により接合されており、半導体チップ１０４の電極パッド（図示せず）とインナーリード１０１とは、金属細線１０５により電気的に接続されている。そして、ダイパッド１０２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１の一部，吊りリード及び金属細線１０５は封止樹脂１０６により封止されている。この構造では、インナーリード１０１の裏面側には封止樹脂１０６は存在せず、インナーリード１０１の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナーリード１０１の下部が外部電極１０７となっている。なお、封止樹脂１０６との密着性を確保するために、インナーリード１０１の内方側の側面を表裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大するようにテーパ状にしている。
【０００６】また、吊りリードをディプレスすることにより、ダイパッド１０２がインナーリード１０１に対してアップセットされている。そのため、封止樹脂１０６がダイパッドの裏面側にも薄く形成されている。
【０００７】図２１に示す構造を有する樹脂封止型半導体装置の製造工程においては、まず、インナーリード１０１や、アップセットされたダイパッド１０２を有するリードフレームを用意し、機械的又は化学的加工を行なって、インナーリードの側面をテーパ状にする。次に、用意したリードフレームのダイパッド１０２の上に半導体チップ１０４を接着剤により接合した後、半導体チップ１０４とインナーリード１０１とを金属細線１０５により電気的に接続する。金属細線１０５には、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。次に、ダイパッド１０２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１，吊りリード及び金属細線１０５を封止樹脂１０６により封止する。この場合、半導体チップ１０４が接合されたリードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファーモールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂１０６から外方に突出しているアウターリードを切断して、樹脂封止型半導体装置が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来の樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの下方に封止樹脂が存在しているために、半導体装置全体の薄型化を実現するためには、半導体チップ１０４の厚みを薄くしたり、半導体チップ１０４上の電極とインナーリード１０１とを接続する金属細線１０５の高さを低くしたり、あるいは金属細線１０５の形状を特殊なものとするなどの必要があった。その結果、樹脂封止型半導体装置の生産性が悪化し、これが薄型化を阻害する要因となっていた。
【０００９】また、外部電極の下面には、実装基板への実装性を悪化させる樹脂バリが形成されるので、これを除去するべくウォータージェット等の工程を導入する必要があり、樹脂封止型半導体装置の生産性をますます悪化させていた。
【００１０】本発明は、上記諸点に鑑みなされたものであって、その目的は、外部電極を封止樹脂の裏面に設けるとともに、半導体チップを封止樹脂内に埋設させた構造を有しながら、薄型化に適した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明では、第１〜第７の樹脂封止型半導体装置に関する手段と、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する手段とを講じている。
【００１２】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置は、請求項１に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記各吊りリードは、上記ダイパッドと信号接続用リードとの間に介設されている。
【００１３】これにより、各吊りリードがダイパッドのコーナー部と外枠との間に設けられている構造に比べて各吊りリードの長さを大幅に短縮できるので、吊りリードの強度を大きく確保することができる。したがって、大面積のダイパッドが必要とされるときにも、封止樹脂の流れ等によるダイパッドの変形を抑制することができる。特に薄型化された樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの変形によりダイパッドが封止樹脂から露出するおそれが増大するが、本請求項により、このような不具合を防止することができる。
【００１４】請求項２に記載されているように、上記第１の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードには、一部に曲げ部が設けられていることが好ましい。
【００１５】これにより、樹脂封止工程後のいずれかの時点で吊りリードの一部を削除するなどの処理が可能となる。
【００１６】請求項３に記載されているように、上記第１の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、上記一部において切断されていることが好ましい。
【００１７】これにより、ダイパッドと吊りリードとの間の電気的な導通を回避することが可能となり、バイポーラトランジスタを搭載した半導体チップにも適用できる構造となる。
【００１８】請求項４に記載されているように、上記第１の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードの切断されている部分の近傍が薄くなっていることが好ましい。
【００１９】これにより、レーザーカットなどによる吊りリードの一部の切断が容易な構造となる。
【００２０】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置は、請求項５に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記各吊りリードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出していて、この露出している一部が補強用外部端子として機能している。
【００２１】これにより、この樹脂封止型半導体装置を実装基板上に実装する際の接続強度が向上する。例えば、はんだにより実装基板上の電極と樹脂封止型半導体装置の外部電極との間を接続する種類のものでは、樹脂封止型半導体装置の補強用外部端子と実装基板上のダミー端子などとの間にもはんだを介在させることで、両者の接続強度が向上する。
【００２２】請求項６に記載されているように、上記第２の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード中の上記補強用外部端子の下面と、上記信号接続用リード中の外部端子の下面とは、高さ位置が互いに異なっていることが好ましい。
【００２３】これにより、例えば溶融したはんだを介して樹脂封止型半導体装置を実装基板に搭載する場合におけるセルフアライメント性が向上するので、実装時間の短縮と実装位置精度の向上とが実現する。
【００２４】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置は、請求項７に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、上面および下面のうち少なくとも一方の側から薄くなるように加工されている。
【００２５】これにより、半導体チップを封止樹脂内に埋設して半導体チップに対する封止樹脂の保持力を強固なものとしながら、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる。特に、従来の構造に比べ半導体チップを薄くしなくても薄型化を図ることができるので、半導体チップ内に収納可能なトランジスタ等の性能上有利であり、応用分野も拡大する。
【００２６】請求項８に記載されているように、上記第３の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、上記ダイパッドと同じ厚みでダイパッドにつながるように加工されていることが好ましい。
【００２７】これにより、ダイパッドとともに吊りリードを薄くすることで、薄型化にさらに有利な構造となる。
【００２８】請求項９に記載されているように、上記第３の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有していることが好ましい。
【００２９】これにより、ダイパッドの開口部かつ半導体チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるので、薄型化されても半導体チップおよびダイパッドに対する封止樹脂の保持力が高くなる。したがって、高い信頼性を発揮することが可能となる。
【００３０】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置は、請求項１０に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、上記半導体チップよりも小さい面積を有している。
【００３１】これにより、ダイパッドの側方かつ半導体チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるので、薄型化されても半導体チップおよびダイパッドに対する封止樹脂の保持力が高くなる。したがって、高い信頼性を発揮することが可能となる。
【００３２】請求項１１に記載されているように、上記第４の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、下面側から薄くなるように加工されていることが好ましい。
【００３３】これにより、ダイパッドよりも大面積の半導体チップを搭載しても、半導体チップと吊りリードとの干渉を容易に回避できる構造となる。
【００３４】請求項１２に記載されているように、上記第４の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有していることが好ましい。
【００３５】これにより、ダイパッドの開口部かつ半導体チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるので、薄型化されても半導体チップに対する封止樹脂の保持力が高くなる。したがって、高い信頼性を発揮することが可能となる。
【００３６】本発明の第５の樹脂封止型半導体装置は、請求項１３に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は下面側から部分的に除去されて他の部分よりも薄くなっており、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されている。
【００３７】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面からはみ出ないようにするためのスペースを確保することができるとともに、樹脂封止型半導体装置の厚みを最小に抑制することが可能になる。
【００３８】請求項１４に記載されているように、上記第５の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分が上方に位置するようにアップセットされていてもよい。
【００３９】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面からはみ出ないようにするためのスペースの確保がより容易となる。
【００４０】請求項１５に記載されているように、上記第５の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで延びていてもよい。
【００４１】これにより、金属細線等の接続部材の長さをできるだけ短くすることができるので、接続部材による接続部の信頼性を高く維持することができる。
【００４２】本発明の第６の樹脂封止型半導体装置は、請求項１６に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は上方に位置するようにアップセットされていて、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されている。
【００４３】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面からはみ出ないようにするためのスペースを確保することができる。
【００４４】請求項１７に記載されているように、上記第６の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで延びていてもよい。
【００４５】本発明の第７の樹脂封止型半導体装置は、請求項１８に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面の辺部を除く領域上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で主面の辺部において上記ダイパッドにより支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は上記半導体チップの下方まで延びており、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されている。
【００４６】これにより、ダイパッドは半導体チップの辺部に部分的に存在しているだけなので、半導体チップの中央部には接続部材の形成などのために使用できるスペースが確保される。そして、半導体チップの上方にはダイパッドが存在しない分だけ樹脂封止型半導体装置全体の薄型化が可能である。すなわち、半導体チップと信号接続用リードの間の領域を効率よく活用できる結果、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることが可能となる。
【００４７】請求項１９に記載されているように、上記第７の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上方に位置するようにアップセットされていることが好ましい。
【００４８】これにより、アップセットされた信号接続用リードの内方部分とダイパッドとの干渉を回避しながら、接続部材の長さをできるだけ短くできるので、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図りつつ、信頼性の向上を図ることができる。
【００４９】請求項２０に記載されているように、上記第７の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、下面側から部分的に除去されて他の部分よりも薄くなっていることが好ましい。
【００５０】これにより、接続部材が封止樹脂からはみ出ないようにするためのスペースをより広く確保することができる。
【００５１】請求項２１に記載されているように、上記第１〜第７の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの少なくとも一部には、溝部が形成されていることが好ましい。
【００５２】これにより、信号接続用リードに対する封止樹脂の保持力を高めることができ、樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。
【００５３】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項２２に記載されているように、半導体チップを搭載する領域を囲む外枠と、上記半導体チップを支持するためのダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接続するための複数の吊りリードと、上記外枠に接続される信号接続用リードとを有し、かつ上記ダイパッドが上記外枠よりも上方に位置しているリードフレームを用意する第１の工程と、上記ダイパッドと、主面上に電極パッドを有する半導体チップとを固着させる第２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを金属細線を介して電気的に接続する第３の工程と、上記リードフレームの上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部に封止テープを密着させながら、封止テープを封止金型に装着する第４の工程と、上記ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程と、上記封止テープを除去する第６の工程とを備え、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部が上記封止樹脂の裏面から露出しているとともに、上記ダイパッドが上記封止樹脂内に埋設されている樹脂封止体を得る方法である。
【００５４】この方法により、第５の工程において、リードフレームの外枠に加えられる型締め力により信号接続用リードの下面を封止テープに食い込ませることが可能になる。すなわち、ダイパッドの上面露出タイプの樹脂封止型半導体装置において、信号接続用リードの下部を封止樹脂から突出させた構造が容易に得られるとともに、信号接続用リードの下面における樹脂バリの発生量を最小化することが可能になる。
【００５５】請求項２３に記載されているように、上記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第５の工程と上記第６の工程との間に、上記各吊りリードの一部を切断する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００５６】これにより、封止テープを密着させた状態で各吊りリードの一部を切断することで、溶融した吊りリードを構成する金属が周囲に付着するのを防止でき、品質，品位の優れた樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００５７】請求項２４に記載されているように、上記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第１の工程では、表面に金属メッキ層が形成されたリードフレームを用意することが好ましい。
【００５８】この方法により、樹脂封止後に封止樹脂から露出している部分のみにメッキを施す方法に比べて、メッキ処理の作業が簡単になるとともに、封止樹脂内のリードフレームにもメッキが施されていることでドライプロセスが可能になり樹脂封止型半導体装置の信頼性も向上する。
【００５９】請求項２５に記載されているように、上記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第４の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部の上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望の値になるように、所定厚みの封止テープを用いることが好ましい。
【００６０】この方法により、別途信号接続用リードの突出量を調整するための工程や設備を設けることなく、突出量を調整できるので、量産工程における工程管理の容易化を図ることができる。
【００６１】請求項２６に記載されているように、上記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記封止金型のうち上記信号接続用リードの突出させる部分に対向する部分に逃げ溝を形成しておき、上記第５の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部を上記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行なうことにより、上記封止樹脂の裏面からの突出量を調整することができる。
【００６２】これにより、信号接続用リードの下面の封止樹脂からの突出量をより適正に調節することが可能になる。
【００６３】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドを封止樹脂内に埋設させた共通の構成を有しており、以下、その中の各種の実施形態について説明する。
【００６４】（第１の実施形態）図１は、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。ただし、図１においては封止樹脂１７を透明体として扱い、各吊りリードの図示は省略している。
【００６５】図１に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッド１３を支持するための吊りリードとからなるリードフレームを備えている。そして、ダイパッド１３の下面には、主面上に電極パッド（図示せず）を配列させた半導体チップ１５が主面を下方に向けて接着剤により接合されており、半導体チップ１５の電極パッドと信号接続用リード１２の下面とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されている。そして、信号接続用リード１２，ダイパッド１３，吊りリード，半導体チップ１５及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されている。
【００６６】ここで、本実施形態の第１の特徴は、ダイパッド１３の厚みがハーフエッチ等により薄くなっていて、ダイパッド１３がアップセットされているとともに、ダイパッド１３が封止樹脂１７内に埋設されている点である。そのため、封止樹脂１７により封止された状態では、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方に薄く存在している。
【００６７】また、本実施形態の第２の特徴は、信号接続用リード１２の半導体チップ１５に近接した内方部分は、下面側がハーフエッチされて薄くなっており、この内方部分の下面の高さ位置は外方部分の下面の高さ位置よりも上方にあって、上記金属細線１６は、信号接続用リード１２の内方部分の下面と半導体チップの電極パッドとの間を接続するように構成されている点である。
【００６８】さらに、本実施形態の第３の特徴は、信号接続用リード１２の外方部分の下面が封止樹脂１７の裏面側で露出しており、この信号接続用リード１２の外方部分の下面が実装基板との接続面となっている点、すなわち、信号接続用リード１２の外方部分の下部が外部電極１８となっている点である。そして、封止樹脂から露出している外部電極１８には本来的に樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつ外部電極１８は封止樹脂１７の裏面よりも下方に少し突出している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に突出した外部電極１８の構造は、後述する製造方法によって容易に実現できる。
【００６９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３が封止樹脂１７内に埋設されているので、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方にも薄く存在している。したがって、ダイパッドの上面や下面を封止樹脂から露出させたものに比べて、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、樹脂封止型半導体装置としての信頼性が向上する。
【００７０】しかも、ハーフエッチ等によりダイパッド１３の厚みが薄くなっているので、半導体チップ１５の厚みを薄くしなくても、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる利点がある。すなわち、半導体チップを薄くすることで、半導体チップ１５内に設けられているトランジスタ等の半導体素子の種類や数に対する制限を緩和でき、高い性能を維持できるとともに、応用分野も拡大する。
【００７１】さらに、信号接続用リード１２の内方部分が下面側からハーフエッチされて内方部分の下面と半導体チップ１３の下方を向いている主面上の電極パッドとが金属細線１６によって接続される構造となっているので、狭いスペースを効率よく活用して金属細線１６を封止樹脂からはみ出させないように形成できる構造となる。
【００７２】なお、本実施形態では、封止樹脂１７の側方には外部電極端子となるアウターリードが存在せず、インナーリードに相当する信号接続用リード１２の下部が外部電極１８となっているので、半導体装置の小型化を図ることができる。しかも、外部電極１８の下面には樹脂バリが存在していないので、実装基板の電極との接合の信頼性が向上する。また、外部電極１８が封止樹脂１７の面より突出して形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極と実装基板の電極との接合において、外部電極１８のスタンドオフ高さが予め確保されていることになる。したがって、外部電極１８をそのまま外部端子として用いることができ、実装基板への実装のために外部電極１８にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利となる。
【００７３】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２R>２〜図６は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００７４】まず、図２に示す工程で、信号接続用リード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３とが設けられているリードフレーム２０を用意する。図中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持されているが、吊りリードはこの断面には現れないために図示されていない。そして、吊りリードが上方に曲げられることで、ダイパッド１３は外枠よりも上方に位置するようにアップセットされている。また、信号接続用リード１２の外方はリードフレーム２０の外枠に接続されているが、外枠は信号接続用リードと連続しているために、この段面では境界が現れていない。ここで、ダイパッド１３は、ハーフエッチにより全体が薄くなっている。さらに、用意するリードフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレームである。
【００７５】また、本実施形態におけるリードフレーム２０は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッキとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされた３層の金属メッキ済みのリードフレームである。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていてもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくてもよい。
【００７６】次に、図３に示す工程で、用意したリードフレームのダイパッド１３の下面に半導体チップ１５を載置して、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを支持する部材としてはリードフレームに限定されるものではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えばＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。
【００７７】そして、図４に示す工程で、ダイパッド１３の下面に接合した半導体チップ１５の下方を向いている主面上の電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面とを金属細線１６により電気的に接合する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線としては、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適宜選択して用いることができる。
【００７８】次に、図５に示す工程で、リードフレームのダイパッド１３に半導体チップ１５が接合された状態で、信号接続用リード１２の外部電極１８の下面に封止テープ２１を貼り付ける。
【００７９】この封止テープ２１は、特に信号接続用リード１２の外部電極１８の下面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであり、この封止テープ２１の存在によって、外部電極１８の下面に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。この封止テープ２１は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよい。本実施形態では、ポリエチレンテレフタレートを主成分としたテープを用い、厚みは５０［μｍ］とした。
【００８０】次に、図６に示す工程で、半導体チップ１５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリードフレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を流し込んで樹脂封止を行う。あるいは、金型内に封止テープ２１を貼り付けることも可能である。この際、外部電極１８の下面側に封止樹脂１７が回り込まないように、金型でリードフレームの信号接続用リード１２の外方側（外枠）を下方に押圧して、樹脂封止する。また、ダイパッド１３の上面と金型面との間には、空隙があり、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方にも十分行き渡るように樹脂封止工程を行なう。
【００８１】最後に、外部電極１８の下面に貼付した封止テープ２１をピールオフにより除去する。これにより、ダイパッド１３の上方には封止樹脂１７が存在した構造が得られる。また、封止樹脂１７の裏面側には封止樹脂１７の下面から下方に突出した外部電極１８が形成される。そして、信号接続用リード１２の先端側を、信号接続用リード１２の先端面と封止樹脂１７の側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、図１に示すような樹脂封止型半導体装置が完成される。
【００８２】本実施形態の製造方法によると、ダイパッド１３の全体が薄く形成され、かつ、ダイパッド１３の上方に封止樹脂１７が存在している樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができる。
【００８３】しかも、本実施形態の製造方法によると、樹脂封止工程の前に予め信号接続用リード１２の外部電極１８の下面に封止テープ２１を貼付しているので、封止樹脂１７が回り込むことがなく、外部電極１８の下面には樹脂バリの発生はない。したがって、信号接続用リードの下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、外部電極１８上に形成された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれのあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキが可能となる。
【００８４】なお、ウォータージェットによる樹脂バリ除去工程を削除できるかわりに、封止テープを貼付する工程が新たに必要となるが、封止テープ２１を貼付する工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウォータージェット工程では、リードフレームの金属メッキが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブルが発生するが、本実施形態の方法では、封止テープの貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッキ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点となる。また、封止テープの貼付状態などによって樹脂バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バリであるので、低い水圧でウォータージェット処理して樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることから金属層のプリメッキ工程は可能である。
【００８５】なお、樹脂封止工程の終了後に、封止テープ２１をつけたままで封止テープ２１の上からレーザーを照射して信号接続用リード１２の封止樹脂１７の側方にから突出している部分を切断してもよい。このように、リードフレームの切断部分の周囲が封止テープによって覆われているので、レーザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封止テープを剥がすことによって飛散物を樹脂封止型半導体装置から容易に除去できるという利点がある。
【００８６】なお、図６に示すように、樹脂封止工程においては、封止金型の熱によって封止テープ２１が軟化するとともに熱収縮するので、外部電極１８が封止テープ２１に大きく食い込み、外部電極１８の下面と封止樹脂１７の裏面との間には段差が形成される。したがって、外部電極１８は封止樹脂１７の裏面から突出した構造となり、外部電極１８の突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施形態では、封止テープ２１の厚みを５０μｍとしているので、スタンドオフ高さを例えば２０μｍ程度にできる。このように、封止テープ２１の厚みの調整によって外部電極１８のスタンドオフ高さを適正量に維持できる。このことは、外部電極１８のスタンドオフ高さを封止テープ２１の厚みの設定のみでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコントロールのための手段または工程を設けなくてもよいこと意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極めて有利な点である。この封止テープ２１の厚みは、１０〜１５０μｍ程度であることが好ましい。
【００８７】なお、用いる封止テープ２１については、所望するスタンドオフ高さに応じて、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化特性を有する材質を選択することができる。
【００８８】ただし、上記第１の実施形態において、封止テープ２１に加える圧力の調整によって、外部電極１８のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、スタンドオフ高さをほぼ「０」にすることも可能である。
【００８９】（第２の実施形態）次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導体装置は、各実施形態におけるいずれの構造を有していてもよいが、ダイパッドの形状やダイパッドと吊りリードとの接続部の形状のみが異なる。そこで、本実施形態においては、ダイパッドやそれにつながる吊りリードを除く他の部分についての説明は省略する。
【００９０】−第１の具体例−図７（ａ）は本実施形態の第１の具体例に係るダイパッド１３の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すVIIb−VIIb線における断面図である。図７（ａ），（ｂ）に示すように、本具体例に係るダイパッド１３は、ハーフエッチにより厚みが薄く形成されているとともに（本実施形態では、下面側からハーフエッチされている）、半導体チップ１５よりも面積が小さい。また、ダイパッド１３を支持する吊りリード１４の厚みもダイパッド１３につながる部分では、ダイパッド１３と同じ厚みに形成されている。ただし、ダイパッド１３から離れた部位から外方においては、ハーフエッチされていない。
【００９１】本実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３よりも半導体チップ１５の方が大面積となっているので、ダイパッド１３の側方かつ半導体チップ１５の上の領域に封止樹脂が存在することにより、半導体チップ１５に対する封止樹脂１７の保持力が大幅に向上する。その結果、半導体チップ１５と接着されているダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力も向上するので、樹脂封止型半導体装置の薄型化を図りつつ、信頼性の向上を図ることができる。
【００９２】また、吊りリード１４の厚みもダイパッド１３厚みと同じ厚みになっていることにより、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化をより確実に実現することができる。その場合、吊りリード１４は下面側からハーフエッチされている方が、ダイパッド１３よりも面積の大きい半導体チップ１５を搭載しても吊りリード１４と半導体チップ１５との干渉を容易に回避できる利点がある。
【００９３】また、図８は、本具体例の変形例に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッドおよび吊りリードのみを示す平面図である。本具体例に係るダイパッド１３の平面形状は、図７（ａ）に示すような矩形である必要はなく、図８に示すような形状でもよい。すなわち、中央部に設けられた単一の円板や、中央部の円板にさらに各コーナー部に設けた４つの円板（破線参照）を加えたものからなるダイパッド１３であってもよい。
【００９４】−第２の具体例−図９（ａ）は本実施形態の第２の具体例に係るダイパッド１３の平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）に示すIXb-IXb 線における断面図である。図９（ａ），（ｂ）に示すように、本具体例に係るダイパッド１３には、中央部に矩形状の開口３０ａが形成されている。この開口３０ａは、半導体チップ１５の搭載領域の内方に形成されている。また、ダイパッド１３はハーフエッチ等により全体が薄く形成されている。
【００９５】本実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３に開口３０ａが形成されているので、開口３０ａの内方かつ半導体チップ１５の上方となる領域に封止樹脂１７が存在することになり、半導体チップ１５およびダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力が大幅に向上する。
【００９６】なお、図１０（ａ）の変形例に示すように、コーナー部で円状の領域を有するフレームによって囲まれる開口３０ｂや、コーナー部で矩形状の領域を有するフレームによって囲まれる開口３０ｃを有するダイパッド１３であってもよい。
【００９７】（第３の実施形態）次に、信号接続用リードの構造に関する第３の実施形態の各具体例について説明する。
【００９８】−第１の具体例−図１１は、第３の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、信号接続用リード１２の内方部分は、下面側からハーフエッチされて外方部分よりも薄くなっており、この内方部分の下面と半導体チップ１５との間に金属細線１６が設けられている。そして、信号接続用リード１２の外方部分の上面、つまり外部電極１８の上方には、２つの溝部３１が設けられている。さらに、図示しないが、信号接続用リード１２の外方部分のうちこの溝部が形成されている部分は下方よりも幅が広くなっている。
【００９９】本具体例のように、信号接続用リード１２の内方部分を下面側からハーフエッチすることにより、内方部分の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ位置よりも上方になるので、全体の厚みを厚くしなくても、封止樹脂１７の裏面との間にある程度の空間を確保することができる。したがって、金属細線１６の一端を信号接続用リード１２の内方部分の下面に接続しても、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設することができる。
【０１００】つまり、樹脂封止型半導体装置の薄型を図りつつ、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを防止することができる。
【０１０１】しかも、信号接続用リード１２の内方部分の下側に封止樹脂１７が回り込むことで、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力も増大する。
【０１０２】また、信号接続用リード１２の外方部分の上面に溝部３１を設けることにより、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、かつ、信号接続用リード１２の外方部分の上部の幅を下部よりも広くすることにより、封止樹脂１７の保持力がさらに増大することになる。
【０１０３】−第２の具体例−図１２は、第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２の内方部分に下面側からハーフエッチが施されているとともに、この内方部分がアップセットされ、アップセットされた部分の下面に金属細線１６の一端が接続されている。
【０１０４】この具体例では、第１の具体例に比べて信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６の信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのをより確実に防止することができる。
【０１０５】−第３の具体例−図１３は、第３の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２にはハーフエッチが施されていないが、信号接続用リード１２の内方部分がその外方部分よりもアップセットされている。
【０１０６】本具体例によっても、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６のワイヤボンディングの信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを確実に防止することができる。
【０１０７】−第４の具体例−図１４は、第４の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２に下面側からハーフエッチが施され、かつ、信号接続用リード１２の内方部分は半導体チップ１５の下方領域まで延びている。また、半導体チップ１５の主面上の電極パッド（図示せず）は、半導体チップの外周付近ではなく、中央部に近い領域に配列されている。そして、半導体チップの電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面との間に金属細線１６が設けられている。
【０１０８】本具体例では、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５の電極パッドが配列された位置に近づけることができるので、金属細線１６の長さを短くすることができる。したがって、樹脂封止型半導体装置の薄型化を図りつつ、金属細線１６のワイヤボンディングの信頼性および特性の向上を図ることができる。
【０１０９】なお、この第４の具体例において信号接続用リード１２の内方部分をアップセットするようにしてもよいことはいうまでもない。
【０１１０】（第４の実施形態）次に、第４の実施形態について説明する。本実施形態では、さらに薄型化を図るためのダイパッド１３の構造に関する具体例について説明する。
【０１１１】−第１の具体例−図１５は、第４の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、ダイパッド１３は半導体チップ１５の辺部のみに設けられ、しかも半導体チップ１５の主面側つまり下面側から半導体チップ１５を支持している。そして、信号接続用リード１２の内方部分は、下面側からハーフエッチされて外方部分よりも薄くなっており、半導体チップ１５の下方領域まで延びている。また、半導体チップ１５の主面において中央部に電極パッドが配列されており、この電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面との間に金属細線１６が設けられている。
【０１１２】図１７（ａ），（ｂ）は、ダイパッド１３の平面形状の例を示す平面図である。図１７（ａ）に示すようにダイパッドの辺部のうちコーナー付近だけに各々孤立した４つの矩形状部分からなるダイパッドを設けてもよいし、図１７（ｂ）に示すように２つの辺部に沿って延びる２つの帯状部分からなるダイパッド１３であってもよい。また、図１０（ａ），（ｂ）に示すような平面形状を有するダイパッド１３により半導体チップ１５の主面側を支持してもよい。
【０１１３】本具体例のように、ダイパッド１３により半導体チップ１５をその主面の辺部において支持するとともに、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５の下方領域まで延ばして、金蔵細線１６をこの内方部分の下面に接続させる構成とすることで、半導体チップと信号接続用リード１２との間のスペースを非常に有効に利用することができる。その結果、樹脂封止型半導体装置全体の厚みをより薄くかつ小型にすることができる。
【０１１４】その場合、信号接続用リード１２の内方部分を下面側からハーフエッチすることにより、内方部分の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ位置よりも上方になるので、全体の厚みを厚くしなくても、封止樹脂１７の裏面との間にある程度の空間を確保することができる。したがって、金属細線１６の一端を信号接続用リード１２の内方部分の下面に接続しても、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設することができる。
【０１１５】つまり、樹脂封止型半導体装置の薄型を図りつつ、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを防止することができる。
【０１１６】しかも、信号接続用リード１２の内方部分の下側に封止樹脂１７が回り込むことで、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力も増大する。
【０１１７】また、信号接続用リード１２の外方部分の上面に溝部３１を設けることにより、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、かつ、信号接続用リード１２の外方部分の上部の幅を下部よりも広くすることにより、封止樹脂１７の保持力がさらに増大することになる。
【０１１８】−第２の具体例−図１６は、第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例においても、ダイパッド１３は半導体チップ１５の辺部のみに設けられ、しかも半導体チップ１５の主面側つまり下面側から半導体チップ１５を支持している。そして、本具体例では、上記第１の具体例とは異なり、信号接続用リード１２の内方部分に下面側からハーフエッチが施されているとともに、この内方部分がアップセットされ、アップセットされた部分の下面に金属細線１６の一端が接続されている。
【０１１９】この具体例では、第１の具体例に比べて信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６の信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１２が封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのをより確実に防止することができる。
【０１２０】なお、本具体例においても、バイパッド１３の平面形状は、図１７（ａ）に示すようにダイパッドの辺部のうちコーナー付近だけに各々孤立した４つの矩形状部分からなるものであってもよいし、図１７（ｂ）に示すように２つの辺部に沿って延びる２つの帯状部分からなるダイパッド１３であってもよい。また、図１０（ａ），（ｂ）に示すような平面形状を有するダイパッド１３により半導体チップ１５の主面側を支持してもよい。
【０１２１】（第５の実施形態）次に、吊りリード１４の構造に関する第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導体装置は、各実施形態におけるいずれの構造を有していてもよいが、吊りリードの形状のみが異なる。そこで、本実施形態においては、吊りリードおよびそれにつながるダイパッドを除く他の部分についての説明は省略する。
【０１２２】図１８（ａ）は、本実施形態に係るリードフレームの平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）に示すXVIIIb-XVIIIb 線に示す断面におけるリードフレームの断面図である。図１８（ａ），（ｂ）に示すように、外枠４６につながる信号接続用リード１２とダイパッド１３との間に吊りリード１４が介設されている。すなわち、吊りリード１４及び信号接続用リード１２を介して、外枠４６によりダイパッド１３を支持するように構成されている。この吊りリード１４には吊りリード１４の一部を封止樹脂から露出させるためのコ字状の曲げ部４５が設けられている。また、外枠４６よりもダイパッド１３の方が高くなるようにダイパッド１３がアップセットされている。本実施形態では、このアップセット量は４０〜８０μｍ程度である。
【０１２３】また、本実施形態では、信号接続用リード１２の内方側部分は裏面側からハーフエッチが施されており、吊りリード１４およびダイパッド１３は全体的にハーフエッチされて薄くなっている。また、信号接続用リード１２の表側には信号接続用リード１２が延びる方向に直交する２つの溝が形成されている。
【０１２４】このように、信号接続用リード１２とダイパッド１３の辺部との間に吊りリード１４を介設することにより、吊りリード１４をコーナー部に設けるよりも短くでき、吊りリード１４の強度を向上させることができる。また、曲げ部によりダイパッド位置を支えることにより、さらに安定させることができる。したがって、樹脂封止工程において封止樹脂１７の流れによるダイパッドの変形を抑制する機能をより高めることができ、大面積のダイパッドが必要とされるときにも、封止樹脂の流れ等によるダイパッドの変形を抑制することができる。特に、薄型化された樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの変形によりダイパッドが封止樹脂からはみ出るおそれが増大するが、本具体例により、このような不具合を効果的に防止することができる。
【０１２５】また、吊りリード１４の一部にこのような曲げ部４５を設けることで、樹脂封止工程の後に、レーザーなどによって露出している吊りリード１４の一部を切断することができるので、ダイパッド１３と吊りリード１４の外方側に接続される信号接続用リード１２とを電気的に分離できるなどの利点がある。すなわち、吊りリード１４の一部を樹脂封止工程の後に切断することにより、例えば信号接続用リード１２とダイパッド１３との電気的な接続を断つことができ、バイポーラトランジスタを搭載した半導体チップについても、このような構造を適用できるという利点がある。
【０１２６】また、樹脂封止工程の前に曲げ部４５の露出させようとする面に封止テープを密着させておき、樹脂封止工程の終了後に、封止テープをつけたままで封止テープ２１の上から吊りリード１４の曲げ部４５の一部を切断してもよい。このように、吊りリード１４の一部を切断しておくことで、形成される樹脂封止型半導体装置においては上述の効果が得られる。しかも、曲げ部４５の周囲が封止テープによって覆われているので、レーザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封止テープを剥がすことによって飛散物を樹脂封止型半導体装置から容易に除去できるという利点がある。
【０１２７】（第６の実施形態）次に、第６の実施形態について説明する。本実施形態では、吊りリードを補強用外部端子として用いるための構造について説明する。
【０１２８】図１９は、第６の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の裏面の構造を示す平面図である。
【０１２９】同図に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、裏面に信号接続用リードにつながる外部電極１８を露出させているとともに、４カ所のコーナー部においてダイパッド１３を支持するための吊りリード１４の外方側端部を露出させており、この部分が補強用外部端子４９として機能する。すなわち、樹脂封止型半導体装置を実装基板上に搭載する場合に、はんだ等で実装基板側の電極と樹脂封止型半導体装置の外部電極１８とが接続される。その際、補強用外部端子４９と実装基板側のダミー端子などとの間にもはんだ等を介在させることにより、実装強度を極めて高めることができる。また、補強用外部端子４９が存在することで、はんだの張力によるセルフアライメント作用が顕著となり、実装に要する時間の短縮や実装される位置精度の向上をも図ることができる。
【０１３０】本実施形態における外部端子として機能する吊りリード１４に対しても、上記第５の実施形態における各具体例および変形例の構造が適用できることはいうまでもない。
【０１３１】なお、補強用外部端子４９と外部電極１８との高さ位置を変えておくことで、アライメント性をさらに向上させることができ、実装に要する時間の短縮や実装される位置精度の向上効果を顕著に発揮することができる。その場合、上記補強用外部端子４９の露出している部分の下面と、上記外部電極１８の露出している部分の下面との高さの差は、１０〜１５０μｍであることが好ましい。
【０１３２】なお、本発明における外部電極１８は必ずしも樹脂封止型半導体装置の裏面の４つの辺部に設けられている必要はなく、いずれか２つの平行な辺部に沿ってのみ設けられていてもよい。
【０１３３】（第７の実施形態）本実施形態では、外部電極の封止樹脂からの突出量を調整するための樹脂封止方法について説明する。
【０１３４】図２０は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。同図に示すように、上金型５０ａと下金型５０ｂとからなる封止金型を用い、ダイパッド１３上に半導体チップ１５を搭載し、半導体チップの電極パッドと信号接続用リード１２とを金属細線１６で接続したものを封止金型の下金型５０ｂに装着し、リードフレームの下面に封止テープ２１を密着させた状態で樹脂封止を行なう。
【０１３５】ここで、本実施形態の製造方法の特徴は、下金型５０ｂにおいて、リードフレームの信号接続用リード１２の外方部分である外部電極１８（及び外枠４６）に対向する領域には凹状の逃げ部５２が設けられている点である。
【０１３６】このように封止金型に逃げ部５２を設けておくことにより、封止テープ２１を逃げ部５２の方に逃すことで、信号接続用リード１２の封止テープ２１への食い込み量が小さくなる。その結果、封止金型の型締め力だけでなく逃げ部５２の深さによって、突出させようとする部分の突出量を所望の値に調整することでき、樹脂バリの発生量も最小化することができる。
【０１３７】同様に、上記各実施形態において露出させる部分（例えば曲げ部）に対向する金型面に逃げ部を設けることにより、当該露出部分の封止樹脂からの突出量の調節や、樹脂バリの発生量の最小化を図ることができる。
【０１３８】ただし、封止金型の上金型と下金型との間の型締め力の調整や、上金型−下金型間の寸法よりもリードフレームの寸法を大きめにする場合の寸法の設定量によって、上記各実施形態において露出させる部分の突出量を調節してもよい。
【０１３９】（その他の実施形態）なお、金型に真空引き用の穴を設け、封止テープ２１を真空引きしながら樹脂封止を行なうことにより、封止テープのシワの発生を抑制し、封止樹脂の裏面の平坦化を図ることもできる。
【０１４０】
【発明の効果】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、吊りリードをダイパッドと信号接続用リードとの間に介設する構造としたので、大面積のダイパッドが必要とされるときにも、ダイパッドの変形による封止樹脂からの露出を防止する機能の高い薄型化された樹脂封止型半導体装置の提供を図ることができる。
【０１４１】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、吊りリードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させ、この露出している部分を補強用外部端子として機能させるようにしたので、樹脂封止型半導体装置を実装基板上に実装する際の接続強度の向上を図ることができる。
【０１４２】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、ダイパッドをその上面および下面のうち少なくとも一方の側から薄くなるように加工しているので、半導体チップの厚みを低減することなく、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる。
【０１４３】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、ダイパッドの面積を半導体チップよりも小さくしたので、ダイパッドの側方かつ半導体チップの上の領域に封止樹脂が存在することにより、封止樹脂の保持力を高く維持しながら樹脂封止型半導体装置の薄型化を図ることができる。
【０１４４】本発明の第５または第６の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、信号接続用リードの内方部分を他の部分よりも薄くしまたは内方部分をアップセットして、接続部材を信号接続用リードの内方部分の下面に接続するようにしたので、接続部材が封止樹脂からはみ出ないようにしながら樹脂封止型半導体装置の厚みを最小に抑制することができる。
【０１４５】本発明の第７の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、ダイパッドにより半導体チップをその主面の辺部で支持する構造とし、信号接続用リードの内方部分を半導体チップの下方領域まで延ばして接続部材をこの内方部分の下面に接続する構造としたので、半導体チップと信号接続用リードの間の領域を効率よく活用できることにより、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる。
【０１４６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設させた構造を有する樹脂封止型半導体装置を製造する際に、信号接続用リードの下面に封止テープを密着させて樹脂封止を行なうようにしたので、外部電極が封止樹脂の下面に突出した樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
【図２】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるダイパッドに半導体チップを接合する工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における封止テープをリードフレームの下に敷く工程を示す断面図である。
【図６】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の第１の具体例に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の第１の具体例の変形例に係るリードフレームの平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の第２の具体例に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の第２の具体例の変形例に係るリードフレームの平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態の第３の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態の第４の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態の第１および第２のの具体例に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッドの平面形状を示す平面図である。
【図１８】本発明の第５の実施形態に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図１９】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の裏面の構造を示す平面図である。
【図２０】本発明の第７の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図２１】従来の裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１２ 信号接続用リード
１３ ダイパッド
１４ 吊りリード
１５ 半導体チップ
１６ 金属細線
１７ 封止樹脂
１８ 外部電極
２１ 封止テープ
３０ 開口
３１ 溝部
４５ 曲げ部
４６ 外枠
４９ 補強用外部端子
５０ａ 上金型
５０ｂ 下金型
５２ 逃げ部
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹脂により封止しダイパッドを封止樹脂内に埋設した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に係り、特に薄型化したものの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。
【０００４】図２１は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。図２１に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置である。
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナーリード１０１と、インナーリード１０１に対してアップセットされたダイパッド１０２と、そのダイパッド１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリードフレームとを備えている。そして、ダイパッド１０２上に半導体チップ１０４が接着剤により接合されており、半導体チップ１０４の電極パッド（図示せず）とインナーリード１０１とは、金属細線１０５により電気的に接続されている。そして、ダイパッド１０２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１の一部，吊りリード及び金属細線１０５は封止樹脂１０６により封止されている。この構造では、インナーリード１０１の裏面側には封止樹脂１０６は存在せず、インナーリード１０１の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナーリード１０１の下部が外部電極１０７となっている。なお、封止樹脂１０６との密着性を確保するために、インナーリード１０１の内方側の側面を表裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大するようにテーパ状にしている。
【０００６】また、吊りリードをディプレスすることにより、ダイパッド１０２がインナーリード１０１に対してアップセットされている。そのため、封止樹脂１０６がダイパッドの裏面側にも薄く形成されている。
【０００７】図２１に示す構造を有する樹脂封止型半導体装置の製造工程においては、まず、インナーリード１０１や、アップセットされたダイパッド１０２を有するリードフレームを用意し、機械的又は化学的加工を行なって、インナーリードの側面をテーパ状にする。次に、用意したリードフレームのダイパッド１０２の上に半導体チップ１０４を接着剤により接合した後、半導体チップ１０４とインナーリード１０１とを金属細線１０５により電気的に接続する。金属細線１０５には、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。次に、ダイパッド１０２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１，吊りリード及び金属細線１０５を封止樹脂１０６により封止する。この場合、半導体チップ１０４が接合されたリードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファーモールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂１０６から外方に突出しているアウターリードを切断して、樹脂封止型半導体装置が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来の樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの下方に封止樹脂が存在しているために、半導体装置全体の薄型化を実現するためには、半導体チップ１０４の厚みを薄くしたり、半導体チップ１０４上の電極とインナーリード１０１とを接続する金属細線１０５の高さを低くしたり、あるいは金属細線１０５の形状を特殊なものとするなどの必要があった。その結果、樹脂封止型半導体装置の生産性が悪化し、これが薄型化を阻害する要因となっていた。
【０００９】また、外部電極の下面には、実装基板への実装性を悪化させる樹脂バリが形成されるので、これを除去するべくウォータージェット等の工程を導入する必要があり、樹脂封止型半導体装置の生産性をますます悪化させていた。
【００１０】本発明は、上記諸点に鑑みなされたものであって、その目的は、外部電極を封止樹脂の裏面に設けるとともに、半導体チップを封止樹脂内に埋設させた構造を有しながら、薄型化に適した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明では、第１〜第７の樹脂封止型半導体装置に関する手段と、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する手段とを講じている。
【００１２】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置は、請求項１に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記各吊りリードは、上記ダイパッドと信号接続用リードとの間に介設されている。
【００１３】これにより、各吊りリードがダイパッドのコーナー部と外枠との間に設けられている構造に比べて各吊りリードの長さを大幅に短縮できるので、吊りリードの強度を大きく確保することができる。したがって、大面積のダイパッドが必要とされるときにも、封止樹脂の流れ等によるダイパッドの変形を抑制することができる。特に薄型化された樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの変形によりダイパッドが封止樹脂から露出するおそれが増大するが、本請求項により、このような不具合を防止することができる。
【００１４】請求項２に記載されているように、上記第１の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードには、一部に曲げ部が設けられていることが好ましい。
【００１５】これにより、樹脂封止工程後のいずれかの時点で吊りリードの一部を削除するなどの処理が可能となる。
【００１６】請求項３に記載されているように、上記第１の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、上記一部において切断されていることが好ましい。
【００１７】これにより、ダイパッドと吊りリードとの間の電気的な導通を回避することが可能となり、バイポーラトランジスタを搭載した半導体チップにも適用できる構造となる。
【００１８】請求項４に記載されているように、上記第１の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードの切断されている部分の近傍が薄くなっていることが好ましい。
【００１９】これにより、レーザーカットなどによる吊りリードの一部の切断が容易な構造となる。
【００２０】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置は、請求項５に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記各吊りリードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出していて、この露出している一部が補強用外部端子として機能している。
【００２１】これにより、この樹脂封止型半導体装置を実装基板上に実装する際の接続強度が向上する。例えば、はんだにより実装基板上の電極と樹脂封止型半導体装置の外部電極との間を接続する種類のものでは、樹脂封止型半導体装置の補強用外部端子と実装基板上のダミー端子などとの間にもはんだを介在させることで、両者の接続強度が向上する。
【００２２】請求項６に記載されているように、上記第２の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード中の上記補強用外部端子の下面と、上記信号接続用リード中の外部端子の下面とは、高さ位置が互いに異なっていることが好ましい。
【００２３】これにより、例えば溶融したはんだを介して樹脂封止型半導体装置を実装基板に搭載する場合におけるセルフアライメント性が向上するので、実装時間の短縮と実装位置精度の向上とが実現する。
【００２４】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置は、請求項７に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、上面および下面のうち少なくとも一方の側から薄くなるように加工されている。
【００２５】これにより、半導体チップを封止樹脂内に埋設して半導体チップに対する封止樹脂の保持力を強固なものとしながら、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる。特に、従来の構造に比べ半導体チップを薄くしなくても薄型化を図ることができるので、半導体チップ内に収納可能なトランジスタ等の性能上有利であり、応用分野も拡大する。
【００２６】請求項８に記載されているように、上記第３の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、上記ダイパッドと同じ厚みでダイパッドにつながるように加工されていることが好ましい。
【００２７】これにより、ダイパッドとともに吊りリードを薄くすることで、薄型化にさらに有利な構造となる。
【００２８】請求項９に記載されているように、上記第３の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有していることが好ましい。
【００２９】これにより、ダイパッドの開口部かつ半導体チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるので、薄型化されても半導体チップおよびダイパッドに対する封止樹脂の保持力が高くなる。したがって、高い信頼性を発揮することが可能となる。
【００３０】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置は、請求項１０に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、上記半導体チップよりも小さい面積を有している。
【００３１】これにより、ダイパッドの側方かつ半導体チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるので、薄型化されても半導体チップおよびダイパッドに対する封止樹脂の保持力が高くなる。したがって、高い信頼性を発揮することが可能となる。
【００３２】請求項１１に記載されているように、上記第４の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、下面側から薄くなるように加工されていることが好ましい。
【００３３】これにより、ダイパッドよりも大面積の半導体チップを搭載しても、半導体チップと吊りリードとの干渉を容易に回避できる構造となる。
【００３４】請求項１２に記載されているように、上記第４の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有していることが好ましい。
【００３５】これにより、ダイパッドの開口部かつ半導体チップの上の領域に封止樹脂が存在する構造となるので、薄型化されても半導体チップに対する封止樹脂の保持力が高くなる。したがって、高い信頼性を発揮することが可能となる。
【００３６】本発明の第５の樹脂封止型半導体装置は、請求項１３に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は下面側から部分的に除去されて他の部分よりも薄くなっており、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されている。
【００３７】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面からはみ出ないようにするためのスペースを確保することができるとともに、樹脂封止型半導体装置の厚みを最小に抑制することが可能になる。
【００３８】請求項１４に記載されているように、上記第５の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分が上方に位置するようにアップセットされていてもよい。
【００３９】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面からはみ出ないようにするためのスペースの確保がより容易となる。
【００４０】請求項１５に記載されているように、上記第５の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで延びていてもよい。
【００４１】これにより、金属細線等の接続部材の長さをできるだけ短くすることができるので、接続部材による接続部の信頼性を高く維持することができる。
【００４２】本発明の第６の樹脂封止型半導体装置は、請求項１６に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は上方に位置するようにアップセットされていて、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されている。
【００４３】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面からはみ出ないようにするためのスペースを確保することができる。
【００４４】請求項１７に記載されているように、上記第６の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで延びていてもよい。
【００４５】本発明の第７の樹脂封止型半導体装置は、請求項１８に記載されているように、ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面の辺部を除く領域上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で主面の辺部において上記ダイパッドにより支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は上記半導体チップの下方まで延びており、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されている。
【００４６】これにより、ダイパッドは半導体チップの辺部に部分的に存在しているだけなので、半導体チップの中央部には接続部材の形成などのために使用できるスペースが確保される。そして、半導体チップの上方にはダイパッドが存在しない分だけ樹脂封止型半導体装置全体の薄型化が可能である。すなわち、半導体チップと信号接続用リードの間の領域を効率よく活用できる結果、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることが可能となる。
【００４７】請求項１９に記載されているように、上記第７の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上方に位置するようにアップセットされていることが好ましい。
【００４８】これにより、アップセットされた信号接続用リードの内方部分とダイパッドとの干渉を回避しながら、接続部材の長さをできるだけ短くできるので、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図りつつ、信頼性の向上を図ることができる。
【００４９】請求項２０に記載されているように、上記第７の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、下面側から部分的に除去されて他の部分よりも薄くなっていることが好ましい。
【００５０】これにより、接続部材が封止樹脂からはみ出ないようにするためのスペースをより広く確保することができる。
【００５１】請求項２１に記載されているように、上記第１〜第７の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの少なくとも一部には、溝部が形成されていることが好ましい。
【００５２】これにより、信号接続用リードに対する封止樹脂の保持力を高めることができ、樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。
【００５３】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項２２に記載されているように、半導体チップを搭載する領域を囲む外枠と、上記半導体チップを支持するためのダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接続するための複数の吊りリードと、上記外枠に接続される信号接続用リードとを有し、かつ上記ダイパッドが上記外枠よりも上方に位置しているリードフレームを用意する第１の工程と、上記ダイパッドと、主面上に電極パッドを有する半導体チップとを固着させる第２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを金属細線を介して電気的に接続する第３の工程と、上記リードフレームの上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部に封止テープを密着させながら、封止テープを封止金型に装着する第４の工程と、上記ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程と、上記封止テープを除去する第６の工程とを備え、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部が上記封止樹脂の裏面から露出しているとともに、上記ダイパッドが上記封止樹脂内に埋設されている樹脂封止体を得る方法である。
【００５４】この方法により、第５の工程において、リードフレームの外枠に加えられる型締め力により信号接続用リードの下面を封止テープに食い込ませることが可能になる。すなわち、ダイパッドの上面露出タイプの樹脂封止型半導体装置において、信号接続用リードの下部を封止樹脂から突出させた構造が容易に得られるとともに、信号接続用リードの下面における樹脂バリの発生量を最小化することが可能になる。
【００５５】請求項２３に記載されているように、上記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第５の工程と上記第６の工程との間に、上記各吊りリードの一部を切断する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００５６】これにより、封止テープを密着させた状態で各吊りリードの一部を切断することで、溶融した吊りリードを構成する金属が周囲に付着するのを防止でき、品質，品位の優れた樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００５７】請求項２４に記載されているように、上記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第１の工程では、表面に金属メッキ層が形成されたリードフレームを用意することが好ましい。
【００５８】この方法により、樹脂封止後に封止樹脂から露出している部分のみにメッキを施す方法に比べて、メッキ処理の作業が簡単になるとともに、封止樹脂内のリードフレームにもメッキが施されていることでドライプロセスが可能になり樹脂封止型半導体装置の信頼性も向上する。
【００５９】請求項２５に記載されているように、上記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第４の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部の上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望の値になるように、所定厚みの封止テープを用いることが好ましい。
【００６０】この方法により、別途信号接続用リードの突出量を調整するための工程や設備を設けることなく、突出量を調整できるので、量産工程における工程管理の容易化を図ることができる。
【００６１】請求項２６に記載されているように、上記樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記封止金型のうち上記信号接続用リードの突出させる部分に対向する部分に逃げ溝を形成しておき、上記第５の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部を上記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行なうことにより、上記封止樹脂の裏面からの突出量を調整することができる。
【００６２】これにより、信号接続用リードの下面の封止樹脂からの突出量をより適正に調節することが可能になる。
【００６３】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドを封止樹脂内に埋設させた共通の構成を有しており、以下、その中の各種の実施形態について説明する。
【００６４】（第１の実施形態）図１は、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。ただし、図１においては封止樹脂１７を透明体として扱い、各吊りリードの図示は省略している。
【００６５】図１に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッド１３を支持するための吊りリードとからなるリードフレームを備えている。そして、ダイパッド１３の下面には、主面上に電極パッド（図示せず）を配列させた半導体チップ１５が主面を下方に向けて接着剤により接合されており、半導体チップ１５の電極パッドと信号接続用リード１２の下面とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されている。そして、信号接続用リード１２，ダイパッド１３，吊りリード，半導体チップ１５及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されている。
【００６６】ここで、本実施形態の第１の特徴は、ダイパッド１３の厚みがハーフエッチ等により薄くなっていて、ダイパッド１３がアップセットされているとともに、ダイパッド１３が封止樹脂１７内に埋設されている点である。そのため、封止樹脂１７により封止された状態では、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方に薄く存在している。
【００６７】また、本実施形態の第２の特徴は、信号接続用リード１２の半導体チップ１５に近接した内方部分は、下面側がハーフエッチされて薄くなっており、この内方部分の下面の高さ位置は外方部分の下面の高さ位置よりも上方にあって、上記金属細線１６は、信号接続用リード１２の内方部分の下面と半導体チップの電極パッドとの間を接続するように構成されている点である。
【００６８】さらに、本実施形態の第３の特徴は、信号接続用リード１２の外方部分の下面が封止樹脂１７の裏面側で露出しており、この信号接続用リード１２の外方部分の下面が実装基板との接続面となっている点、すなわち、信号接続用リード１２の外方部分の下部が外部電極１８となっている点である。そして、封止樹脂から露出している外部電極１８には本来的に樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつ外部電極１８は封止樹脂１７の裏面よりも下方に少し突出している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に突出した外部電極１８の構造は、後述する製造方法によって容易に実現できる。
【００６９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３が封止樹脂１７内に埋設されているので、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方にも薄く存在している。したがって、ダイパッドの上面や下面を封止樹脂から露出させたものに比べて、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、樹脂封止型半導体装置としての信頼性が向上する。
【００７０】しかも、ハーフエッチ等によりダイパッド１３の厚みが薄くなっているので、半導体チップ１５の厚みを薄くしなくても、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる利点がある。すなわち、半導体チップを薄くすることで、半導体チップ１５内に設けられているトランジスタ等の半導体素子の種類や数に対する制限を緩和でき、高い性能を維持できるとともに、応用分野も拡大する。
【００７１】さらに、信号接続用リード１２の内方部分が下面側からハーフエッチされて内方部分の下面と半導体チップ１３の下方を向いている主面上の電極パッドとが金属細線１６によって接続される構造となっているので、狭いスペースを効率よく活用して金属細線１６を封止樹脂からはみ出させないように形成できる構造となる。
【００７２】なお、本実施形態では、封止樹脂１７の側方には外部電極端子となるアウターリードが存在せず、インナーリードに相当する信号接続用リード１２の下部が外部電極１８となっているので、半導体装置の小型化を図ることができる。しかも、外部電極１８の下面には樹脂バリが存在していないので、実装基板の電極との接合の信頼性が向上する。また、外部電極１８が封止樹脂１７の面より突出して形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極と実装基板の電極との接合において、外部電極１８のスタンドオフ高さが予め確保されていることになる。したがって、外部電極１８をそのまま外部端子として用いることができ、実装基板への実装のために外部電極１８にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利となる。
【００７３】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２R>２〜図６は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００７４】まず、図２に示す工程で、信号接続用リード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３とが設けられているリードフレーム２０を用意する。図中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持されているが、吊りリードはこの断面には現れないために図示されていない。そして、吊りリードが上方に曲げられることで、ダイパッド１３は外枠よりも上方に位置するようにアップセットされている。また、信号接続用リード１２の外方はリードフレーム２０の外枠に接続されているが、外枠は信号接続用リードと連続しているために、この段面では境界が現れていない。ここで、ダイパッド１３は、ハーフエッチにより全体が薄くなっている。さらに、用意するリードフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレームである。
【００７５】また、本実施形態におけるリードフレーム２０は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッキとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされた３層の金属メッキ済みのリードフレームである。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていてもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくてもよい。
【００７６】次に、図３に示す工程で、用意したリードフレームのダイパッド１３の下面に半導体チップ１５を載置して、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを支持する部材としてはリードフレームに限定されるものではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えばＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。
【００７７】そして、図４に示す工程で、ダイパッド１３の下面に接合した半導体チップ１５の下方を向いている主面上の電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面とを金属細線１６により電気的に接合する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線としては、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適宜選択して用いることができる。
【００７８】次に、図５に示す工程で、リードフレームのダイパッド１３に半導体チップ１５が接合された状態で、信号接続用リード１２の外部電極１８の下面に封止テープ２１を貼り付ける。
【００７９】この封止テープ２１は、特に信号接続用リード１２の外部電極１８の下面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであり、この封止テープ２１の存在によって、外部電極１８の下面に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。この封止テープ２１は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよい。本実施形態では、ポリエチレンテレフタレートを主成分としたテープを用い、厚みは５０［μｍ］とした。
【００８０】次に、図６に示す工程で、半導体チップ１５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリードフレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を流し込んで樹脂封止を行う。あるいは、金型内に封止テープ２１を貼り付けることも可能である。この際、外部電極１８の下面側に封止樹脂１７が回り込まないように、金型でリードフレームの信号接続用リード１２の外方側（外枠）を下方に押圧して、樹脂封止する。また、ダイパッド１３の上面と金型面との間には、空隙があり、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方にも十分行き渡るように樹脂封止工程を行なう。
【００８１】最後に、外部電極１８の下面に貼付した封止テープ２１をピールオフにより除去する。これにより、ダイパッド１３の上方には封止樹脂１７が存在した構造が得られる。また、封止樹脂１７の裏面側には封止樹脂１７の下面から下方に突出した外部電極１８が形成される。そして、信号接続用リード１２の先端側を、信号接続用リード１２の先端面と封止樹脂１７の側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、図１に示すような樹脂封止型半導体装置が完成される。
【００８２】本実施形態の製造方法によると、ダイパッド１３の全体が薄く形成され、かつ、ダイパッド１３の上方に封止樹脂１７が存在している樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができる。
【００８３】しかも、本実施形態の製造方法によると、樹脂封止工程の前に予め信号接続用リード１２の外部電極１８の下面に封止テープ２１を貼付しているので、封止樹脂１７が回り込むことがなく、外部電極１８の下面には樹脂バリの発生はない。したがって、信号接続用リードの下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、外部電極１８上に形成された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれのあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキが可能となる。
【００８４】なお、ウォータージェットによる樹脂バリ除去工程を削除できるかわりに、封止テープを貼付する工程が新たに必要となるが、封止テープ２１を貼付する工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウォータージェット工程では、リードフレームの金属メッキが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブルが発生するが、本実施形態の方法では、封止テープの貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッキ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点となる。また、封止テープの貼付状態などによって樹脂バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バリであるので、低い水圧でウォータージェット処理して樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることから金属層のプリメッキ工程は可能である。
【００８５】なお、樹脂封止工程の終了後に、封止テープ２１をつけたままで封止テープ２１の上からレーザーを照射して信号接続用リード１２の封止樹脂１７の側方にから突出している部分を切断してもよい。このように、リードフレームの切断部分の周囲が封止テープによって覆われているので、レーザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封止テープを剥がすことによって飛散物を樹脂封止型半導体装置から容易に除去できるという利点がある。
【００８６】なお、図６に示すように、樹脂封止工程においては、封止金型の熱によって封止テープ２１が軟化するとともに熱収縮するので、外部電極１８が封止テープ２１に大きく食い込み、外部電極１８の下面と封止樹脂１７の裏面との間には段差が形成される。したがって、外部電極１８は封止樹脂１７の裏面から突出した構造となり、外部電極１８の突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施形態では、封止テープ２１の厚みを５０μｍとしているので、スタンドオフ高さを例えば２０μｍ程度にできる。このように、封止テープ２１の厚みの調整によって外部電極１８のスタンドオフ高さを適正量に維持できる。このことは、外部電極１８のスタンドオフ高さを封止テープ２１の厚みの設定のみでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコントロールのための手段または工程を設けなくてもよいこと意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極めて有利な点である。この封止テープ２１の厚みは、１０〜１５０μｍ程度であることが好ましい。
【００８７】なお、用いる封止テープ２１については、所望するスタンドオフ高さに応じて、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化特性を有する材質を選択することができる。
【００８８】ただし、上記第１の実施形態において、封止テープ２１に加える圧力の調整によって、外部電極１８のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、スタンドオフ高さをほぼ「０」にすることも可能である。
【００８９】（第２の実施形態）次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導体装置は、各実施形態におけるいずれの構造を有していてもよいが、ダイパッドの形状やダイパッドと吊りリードとの接続部の形状のみが異なる。そこで、本実施形態においては、ダイパッドやそれにつながる吊りリードを除く他の部分についての説明は省略する。
【００９０】−第１の具体例−図７（ａ）は本実施形態の第１の具体例に係るダイパッド１３の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すVIIb−VIIb線における断面図である。図７（ａ），（ｂ）に示すように、本具体例に係るダイパッド１３は、ハーフエッチにより厚みが薄く形成されているとともに（本実施形態では、下面側からハーフエッチされている）、半導体チップ１５よりも面積が小さい。また、ダイパッド１３を支持する吊りリード１４の厚みもダイパッド１３につながる部分では、ダイパッド１３と同じ厚みに形成されている。ただし、ダイパッド１３から離れた部位から外方においては、ハーフエッチされていない。
【００９１】本実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３よりも半導体チップ１５の方が大面積となっているので、ダイパッド１３の側方かつ半導体チップ１５の上の領域に封止樹脂が存在することにより、半導体チップ１５に対する封止樹脂１７の保持力が大幅に向上する。その結果、半導体チップ１５と接着されているダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力も向上するので、樹脂封止型半導体装置の薄型化を図りつつ、信頼性の向上を図ることができる。
【００９２】また、吊りリード１４の厚みもダイパッド１３厚みと同じ厚みになっていることにより、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化をより確実に実現することができる。その場合、吊りリード１４は下面側からハーフエッチされている方が、ダイパッド１３よりも面積の大きい半導体チップ１５を搭載しても吊りリード１４と半導体チップ１５との干渉を容易に回避できる利点がある。
【００９３】また、図８は、本具体例の変形例に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッドおよび吊りリードのみを示す平面図である。本具体例に係るダイパッド１３の平面形状は、図７（ａ）に示すような矩形である必要はなく、図８に示すような形状でもよい。すなわち、中央部に設けられた単一の円板や、中央部の円板にさらに各コーナー部に設けた４つの円板（破線参照）を加えたものからなるダイパッド１３であってもよい。
【００９４】−第２の具体例−図９（ａ）は本実施形態の第２の具体例に係るダイパッド１３の平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）に示すIXb-IXb 線における断面図である。図９（ａ），（ｂ）に示すように、本具体例に係るダイパッド１３には、中央部に矩形状の開口３０ａが形成されている。この開口３０ａは、半導体チップ１５の搭載領域の内方に形成されている。また、ダイパッド１３はハーフエッチ等により全体が薄く形成されている。
【００９５】本実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３に開口３０ａが形成されているので、開口３０ａの内方かつ半導体チップ１５の上方となる領域に封止樹脂１７が存在することになり、半導体チップ１５およびダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力が大幅に向上する。
【００９６】なお、図１０（ａ）の変形例に示すように、コーナー部で円状の領域を有するフレームによって囲まれる開口３０ｂや、コーナー部で矩形状の領域を有するフレームによって囲まれる開口３０ｃを有するダイパッド１３であってもよい。
【００９７】（第３の実施形態）次に、信号接続用リードの構造に関する第３の実施形態の各具体例について説明する。
【００９８】−第１の具体例−図１１は、第３の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、信号接続用リード１２の内方部分は、下面側からハーフエッチされて外方部分よりも薄くなっており、この内方部分の下面と半導体チップ１５との間に金属細線１６が設けられている。そして、信号接続用リード１２の外方部分の上面、つまり外部電極１８の上方には、２つの溝部３１が設けられている。さらに、図示しないが、信号接続用リード１２の外方部分のうちこの溝部が形成されている部分は下方よりも幅が広くなっている。
【００９９】本具体例のように、信号接続用リード１２の内方部分を下面側からハーフエッチすることにより、内方部分の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ位置よりも上方になるので、全体の厚みを厚くしなくても、封止樹脂１７の裏面との間にある程度の空間を確保することができる。したがって、金属細線１６の一端を信号接続用リード１２の内方部分の下面に接続しても、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設することができる。
【０１００】つまり、樹脂封止型半導体装置の薄型を図りつつ、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを防止することができる。
【０１０１】しかも、信号接続用リード１２の内方部分の下側に封止樹脂１７が回り込むことで、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力も増大する。
【０１０２】また、信号接続用リード１２の外方部分の上面に溝部３１を設けることにより、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、かつ、信号接続用リード１２の外方部分の上部の幅を下部よりも広くすることにより、封止樹脂１７の保持力がさらに増大することになる。
【０１０３】−第２の具体例−図１２は、第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２の内方部分に下面側からハーフエッチが施されているとともに、この内方部分がアップセットされ、アップセットされた部分の下面に金属細線１６の一端が接続されている。
【０１０４】この具体例では、第１の具体例に比べて信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６の信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのをより確実に防止することができる。
【０１０５】−第３の具体例−図１３は、第３の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２にはハーフエッチが施されていないが、信号接続用リード１２の内方部分がその外方部分よりもアップセットされている。
【０１０６】本具体例によっても、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６のワイヤボンディングの信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを確実に防止することができる。
【０１０７】−第４の具体例−図１４は、第４の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２に下面側からハーフエッチが施され、かつ、信号接続用リード１２の内方部分は半導体チップ１５の下方領域まで延びている。また、半導体チップ１５の主面上の電極パッド（図示せず）は、半導体チップの外周付近ではなく、中央部に近い領域に配列されている。そして、半導体チップの電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面との間に金属細線１６が設けられている。
【０１０８】本具体例では、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５の電極パッドが配列された位置に近づけることができるので、金属細線１６の長さを短くすることができる。したがって、樹脂封止型半導体装置の薄型化を図りつつ、金属細線１６のワイヤボンディングの信頼性および特性の向上を図ることができる。
【０１０９】なお、この第４の具体例において信号接続用リード１２の内方部分をアップセットするようにしてもよいことはいうまでもない。
【０１１０】（第４の実施形態）次に、第４の実施形態について説明する。本実施形態では、さらに薄型化を図るためのダイパッド１３の構造に関する具体例について説明する。
【０１１１】−第１の具体例−図１５は、第４の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、ダイパッド１３は半導体チップ１５の辺部のみに設けられ、しかも半導体チップ１５の主面側つまり下面側から半導体チップ１５を支持している。そして、信号接続用リード１２の内方部分は、下面側からハーフエッチされて外方部分よりも薄くなっており、半導体チップ１５の下方領域まで延びている。また、半導体チップ１５の主面において中央部に電極パッドが配列されており、この電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面との間に金属細線１６が設けられている。
【０１１２】図１７（ａ），（ｂ）は、ダイパッド１３の平面形状の例を示す平面図である。図１７（ａ）に示すようにダイパッドの辺部のうちコーナー付近だけに各々孤立した４つの矩形状部分からなるダイパッドを設けてもよいし、図１７（ｂ）に示すように２つの辺部に沿って延びる２つの帯状部分からなるダイパッド１３であってもよい。また、図１０（ａ），（ｂ）に示すような平面形状を有するダイパッド１３により半導体チップ１５の主面側を支持してもよい。
【０１１３】本具体例のように、ダイパッド１３により半導体チップ１５をその主面の辺部において支持するとともに、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５の下方領域まで延ばして、金蔵細線１６をこの内方部分の下面に接続させる構成とすることで、半導体チップと信号接続用リード１２との間のスペースを非常に有効に利用することができる。その結果、樹脂封止型半導体装置全体の厚みをより薄くかつ小型にすることができる。
【０１１４】その場合、信号接続用リード１２の内方部分を下面側からハーフエッチすることにより、内方部分の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ位置よりも上方になるので、全体の厚みを厚くしなくても、封止樹脂１７の裏面との間にある程度の空間を確保することができる。したがって、金属細線１６の一端を信号接続用リード１２の内方部分の下面に接続しても、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設することができる。
【０１１５】つまり、樹脂封止型半導体装置の薄型を図りつつ、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを防止することができる。
【０１１６】しかも、信号接続用リード１２の内方部分の下側に封止樹脂１７が回り込むことで、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力も増大する。
【０１１７】また、信号接続用リード１２の外方部分の上面に溝部３１を設けることにより、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、かつ、信号接続用リード１２の外方部分の上部の幅を下部よりも広くすることにより、封止樹脂１７の保持力がさらに増大することになる。
【０１１８】−第２の具体例−図１６は、第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例においても、ダイパッド１３は半導体チップ１５の辺部のみに設けられ、しかも半導体チップ１５の主面側つまり下面側から半導体チップ１５を支持している。そして、本具体例では、上記第１の具体例とは異なり、信号接続用リード１２の内方部分に下面側からハーフエッチが施されているとともに、この内方部分がアップセットされ、アップセットされた部分の下面に金属細線１６の一端が接続されている。
【０１１９】この具体例では、第１の具体例に比べて信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６の信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１２が封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのをより確実に防止することができる。
【０１２０】なお、本具体例においても、バイパッド１３の平面形状は、図１７（ａ）に示すようにダイパッドの辺部のうちコーナー付近だけに各々孤立した４つの矩形状部分からなるものであってもよいし、図１７（ｂ）に示すように２つの辺部に沿って延びる２つの帯状部分からなるダイパッド１３であってもよい。また、図１０（ａ），（ｂ）に示すような平面形状を有するダイパッド１３により半導体チップ１５の主面側を支持してもよい。
【０１２１】（第５の実施形態）次に、吊りリード１４の構造に関する第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導体装置は、各実施形態におけるいずれの構造を有していてもよいが、吊りリードの形状のみが異なる。そこで、本実施形態においては、吊りリードおよびそれにつながるダイパッドを除く他の部分についての説明は省略する。
【０１２２】図１８（ａ）は、本実施形態に係るリードフレームの平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）に示すXVIIIb-XVIIIb 線に示す断面におけるリードフレームの断面図である。図１８（ａ），（ｂ）に示すように、外枠４６につながる信号接続用リード１２とダイパッド１３との間に吊りリード１４が介設されている。すなわち、吊りリード１４及び信号接続用リード１２を介して、外枠４６によりダイパッド１３を支持するように構成されている。この吊りリード１４には吊りリード１４の一部を封止樹脂から露出させるためのコ字状の曲げ部４５が設けられている。また、外枠４６よりもダイパッド１３の方が高くなるようにダイパッド１３がアップセットされている。本実施形態では、このアップセット量は４０〜８０μｍ程度である。
【０１２３】また、本実施形態では、信号接続用リード１２の内方側部分は裏面側からハーフエッチが施されており、吊りリード１４およびダイパッド１３は全体的にハーフエッチされて薄くなっている。また、信号接続用リード１２の表側には信号接続用リード１２が延びる方向に直交する２つの溝が形成されている。
【０１２４】このように、信号接続用リード１２とダイパッド１３の辺部との間に吊りリード１４を介設することにより、吊りリード１４をコーナー部に設けるよりも短くでき、吊りリード１４の強度を向上させることができる。また、曲げ部によりダイパッド位置を支えることにより、さらに安定させることができる。したがって、樹脂封止工程において封止樹脂１７の流れによるダイパッドの変形を抑制する機能をより高めることができ、大面積のダイパッドが必要とされるときにも、封止樹脂の流れ等によるダイパッドの変形を抑制することができる。特に、薄型化された樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの変形によりダイパッドが封止樹脂からはみ出るおそれが増大するが、本具体例により、このような不具合を効果的に防止することができる。
【０１２５】また、吊りリード１４の一部にこのような曲げ部４５を設けることで、樹脂封止工程の後に、レーザーなどによって露出している吊りリード１４の一部を切断することができるので、ダイパッド１３と吊りリード１４の外方側に接続される信号接続用リード１２とを電気的に分離できるなどの利点がある。すなわち、吊りリード１４の一部を樹脂封止工程の後に切断することにより、例えば信号接続用リード１２とダイパッド１３との電気的な接続を断つことができ、バイポーラトランジスタを搭載した半導体チップについても、このような構造を適用できるという利点がある。
【０１２６】また、樹脂封止工程の前に曲げ部４５の露出させようとする面に封止テープを密着させておき、樹脂封止工程の終了後に、封止テープをつけたままで封止テープ２１の上から吊りリード１４の曲げ部４５の一部を切断してもよい。このように、吊りリード１４の一部を切断しておくことで、形成される樹脂封止型半導体装置においては上述の効果が得られる。しかも、曲げ部４５の周囲が封止テープによって覆われているので、レーザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封止テープを剥がすことによって飛散物を樹脂封止型半導体装置から容易に除去できるという利点がある。
【０１２７】（第６の実施形態）次に、第６の実施形態について説明する。本実施形態では、吊りリードを補強用外部端子として用いるための構造について説明する。
【０１２８】図１９は、第６の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の裏面の構造を示す平面図である。
【０１２９】同図に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、裏面に信号接続用リードにつながる外部電極１８を露出させているとともに、４カ所のコーナー部においてダイパッド１３を支持するための吊りリード１４の外方側端部を露出させており、この部分が補強用外部端子４９として機能する。すなわち、樹脂封止型半導体装置を実装基板上に搭載する場合に、はんだ等で実装基板側の電極と樹脂封止型半導体装置の外部電極１８とが接続される。その際、補強用外部端子４９と実装基板側のダミー端子などとの間にもはんだ等を介在させることにより、実装強度を極めて高めることができる。また、補強用外部端子４９が存在することで、はんだの張力によるセルフアライメント作用が顕著となり、実装に要する時間の短縮や実装される位置精度の向上をも図ることができる。
【０１３０】本実施形態における外部端子として機能する吊りリード１４に対しても、上記第５の実施形態における各具体例および変形例の構造が適用できることはいうまでもない。
【０１３１】なお、補強用外部端子４９と外部電極１８との高さ位置を変えておくことで、アライメント性をさらに向上させることができ、実装に要する時間の短縮や実装される位置精度の向上効果を顕著に発揮することができる。その場合、上記補強用外部端子４９の露出している部分の下面と、上記外部電極１８の露出している部分の下面との高さの差は、１０〜１５０μｍであることが好ましい。
【０１３２】なお、本発明における外部電極１８は必ずしも樹脂封止型半導体装置の裏面の４つの辺部に設けられている必要はなく、いずれか２つの平行な辺部に沿ってのみ設けられていてもよい。
【０１３３】（第７の実施形態）本実施形態では、外部電極の封止樹脂からの突出量を調整するための樹脂封止方法について説明する。
【０１３４】図２０は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。同図に示すように、上金型５０ａと下金型５０ｂとからなる封止金型を用い、ダイパッド１３上に半導体チップ１５を搭載し、半導体チップの電極パッドと信号接続用リード１２とを金属細線１６で接続したものを封止金型の下金型５０ｂに装着し、リードフレームの下面に封止テープ２１を密着させた状態で樹脂封止を行なう。
【０１３５】ここで、本実施形態の製造方法の特徴は、下金型５０ｂにおいて、リードフレームの信号接続用リード１２の外方部分である外部電極１８（及び外枠４６）に対向する領域には凹状の逃げ部５２が設けられている点である。
【０１３６】このように封止金型に逃げ部５２を設けておくことにより、封止テープ２１を逃げ部５２の方に逃すことで、信号接続用リード１２の封止テープ２１への食い込み量が小さくなる。その結果、封止金型の型締め力だけでなく逃げ部５２の深さによって、突出させようとする部分の突出量を所望の値に調整することでき、樹脂バリの発生量も最小化することができる。
【０１３７】同様に、上記各実施形態において露出させる部分（例えば曲げ部）に対向する金型面に逃げ部を設けることにより、当該露出部分の封止樹脂からの突出量の調節や、樹脂バリの発生量の最小化を図ることができる。
【０１３８】ただし、封止金型の上金型と下金型との間の型締め力の調整や、上金型−下金型間の寸法よりもリードフレームの寸法を大きめにする場合の寸法の設定量によって、上記各実施形態において露出させる部分の突出量を調節してもよい。
【０１３９】（その他の実施形態）なお、金型に真空引き用の穴を設け、封止テープ２１を真空引きしながら樹脂封止を行なうことにより、封止テープのシワの発生を抑制し、封止樹脂の裏面の平坦化を図ることもできる。
【０１４０】
【発明の効果】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、吊りリードをダイパッドと信号接続用リードとの間に介設する構造としたので、大面積のダイパッドが必要とされるときにも、ダイパッドの変形による封止樹脂からの露出を防止する機能の高い薄型化された樹脂封止型半導体装置の提供を図ることができる。
【０１４１】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、吊りリードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させ、この露出している部分を補強用外部端子として機能させるようにしたので、樹脂封止型半導体装置を実装基板上に実装する際の接続強度の向上を図ることができる。
【０１４２】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、ダイパッドをその上面および下面のうち少なくとも一方の側から薄くなるように加工しているので、半導体チップの厚みを低減することなく、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる。
【０１４３】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、ダイパッドの面積を半導体チップよりも小さくしたので、ダイパッドの側方かつ半導体チップの上の領域に封止樹脂が存在することにより、封止樹脂の保持力を高く維持しながら樹脂封止型半導体装置の薄型化を図ることができる。
【０１４４】本発明の第５または第６の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、信号接続用リードの内方部分を他の部分よりも薄くしまたは内方部分をアップセットして、接続部材を信号接続用リードの内方部分の下面に接続するようにしたので、接続部材が封止樹脂からはみ出ないようにしながら樹脂封止型半導体装置の厚みを最小に抑制することができる。
【０１４５】本発明の第７の樹脂封止型半導体装置によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設しながら、ダイパッドにより半導体チップをその主面の辺部で支持する構造とし、信号接続用リードの内方部分を半導体チップの下方領域まで延ばして接続部材をこの内方部分の下面に接続する構造としたので、半導体チップと信号接続用リードの間の領域を効率よく活用できることにより、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる。
【０１４６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、信号接続用リードの一部を封止樹脂の裏面側で露出させるとともにダイパッドを封止樹脂内に埋設させた構造を有する樹脂封止型半導体装置を製造する際に、信号接続用リードの下面に封止テープを密着させて樹脂封止を行なうようにしたので、外部電極が封止樹脂の下面に突出した樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
【図２】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるダイパッドに半導体チップを接合する工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における封止テープをリードフレームの下に敷く工程を示す断面図である。
【図６】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の第１の具体例に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の第１の具体例の変形例に係るリードフレームの平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の第２の具体例に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の第２の具体例の変形例に係るリードフレームの平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態の第３の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態の第４の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態の第１および第２のの具体例に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッドの平面形状を示す平面図である。
【図１８】本発明の第５の実施形態に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図１９】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の裏面の構造を示す平面図である。
【図２０】本発明の第７の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図２１】従来の裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１２ 信号接続用リード
１３ ダイパッド
１４ 吊りリード
１５ 半導体チップ
１６ 金属細線
１７ 封止樹脂
１８ 外部電極
２１ 封止テープ
３０ 開口
３１ 溝部
４５ 曲げ部
４６ 外枠
４９ 補強用外部端子
５０ａ 上金型
５０ｂ 下金型
５２ 逃げ部
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記各吊りリードは、上記ダイパッドと信号接続用リードとの間に介設されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードには、一部に曲げ部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】 請求項２記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、上記一部において切断されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】 請求項３記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードの切断されている部分の近傍が薄くなっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記各吊りリードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出していて、この露出している一部が補強用外部端子として機能することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】 請求項５記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード中の上記補強用外部端子の下面と、上記信号接続用リード中の外部端子の下面とは、高さ位置が互いに異なっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、上面および下面のうち少なくとも一方の側から薄くなるように加工されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】 請求項７記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、上記ダイパッドと同じ厚みでダイパッドにつながるように加工されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】 請求項７または８記載の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、上記半導体チップよりも小さい面積を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】 請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、下面側から薄くなるように加工されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１２】 請求項１０または１１記載の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１３】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は下面側から部分的に除去されて他の部分よりも薄くなっており、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１４】 請求項１３記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分が上方に位置するようにアップセットされていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１５】 請求項１３または１４記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで延びていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１６】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は上方に位置するようにアップセットされていて、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１７】 請求項１６記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで延びていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１８】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面の辺部を除く領域上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で主面の辺部において上記ダイパッドにより支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は上記半導体チップの下方まで延びており、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１９】 請求項１８記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上方に位置するようにアップセットされていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２０】 請求項１８または１９記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、下面側から部分的に除去されて他の部分よりも薄くなっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２１】 請求項１〜２０のうちいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの少なくとも一部には、溝部が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２２】 半導体チップを搭載する領域を囲む外枠と、上記半導体チップを支持するためのダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接続するための複数の吊りリードと、上記外枠に接続される信号接続用リードとを有し、かつ上記ダイパッドが上記外枠よりも上方に位置しているリードフレームを用意する第１の工程と、上記ダイパッドと、主面上に電極パッドを有する半導体チップとを固着させる第２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを金属細線を介して電気的に接続する第３の工程と、上記リードフレームの上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部に封止テープを密着させながら、封止テープを封止金型に装着する第４の工程と、上記ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程と、上記封止テープを除去する第６の工程とを備え、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部が上記封止樹脂の裏面から露出しているとともに、上記ダイパッドが上記封止樹脂内に埋設されている樹脂封止体を得ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２３】 請求項２２記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第５の工程と上記第６の工程との間に、上記各吊りリードの一部を切断する工程をさらに備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２４】 請求項２２又は２３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第１の工程では、表面に金属メッキ層が形成されたリードフレームを用意することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２５】 請求項２２又は２３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第４の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部の上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望の値になるように、所定厚みの封止テープを用いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２６】 請求項２２又は２３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記封止金型のうち上記信号接続用リードの突出させる部分に対向する部分に逃げ溝を形成しておき、上記第５の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部を上記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行なうことにより、上記封止樹脂の裏面からの突出量を調整することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記各吊りリードは、上記ダイパッドと信号接続用リードとの間に介設されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードには、一部に曲げ部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】 請求項２記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、上記一部において切断されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】 請求項３記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードの切断されている部分の近傍が薄くなっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記各吊りリードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出していて、この露出している一部が補強用外部端子として機能することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】 請求項５記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリード中の上記補強用外部端子の下面と、上記信号接続用リード中の外部端子の下面とは、高さ位置が互いに異なっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、上面および下面のうち少なくとも一方の側から薄くなるように加工されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】 請求項７記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、上記ダイパッドと同じ厚みでダイパッドにつながるように加工されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】 請求項７または８記載の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは、上記封止樹脂内に埋設され、かつ、上記半導体チップよりも小さい面積を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】 請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置において、上記各吊りリードは、下面側から薄くなるように加工されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１２】 請求項１０または１１記載の樹脂封止型半導体装置において、上記ダイパッドは、開口部を有していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１３】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は下面側から部分的に除去されて他の部分よりも薄くなっており、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１４】 請求項１３記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分が上方に位置するようにアップセットされていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１５】 請求項１３または１４記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで延びていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１６】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で上記ダイパッドの下面で支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は上方に位置するようにアップセットされていて、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１７】 請求項１６記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チップの下方まで延びていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１８】 ダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、信号接続用リードと、主面の辺部を除く領域上に電極パッドを有し、主面を下方に向けた状態で主面の辺部において上記ダイパッドにより支持される半導体チップと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダイパッドは上記封止樹脂内に埋設されており、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接する内方部分は上記半導体チップの下方まで延びており、上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１９】 請求項１８記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、上方に位置するようにアップセットされていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２０】 請求項１８または１９記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの上記内方部分は、下面側から部分的に除去されて他の部分よりも薄くなっていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２１】 請求項１〜２０のうちいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置において、上記信号接続用リードの少なくとも一部には、溝部が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２２】 半導体チップを搭載する領域を囲む外枠と、上記半導体チップを支持するためのダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接続するための複数の吊りリードと、上記外枠に接続される信号接続用リードとを有し、かつ上記ダイパッドが上記外枠よりも上方に位置しているリードフレームを用意する第１の工程と、上記ダイパッドと、主面上に電極パッドを有する半導体チップとを固着させる第２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを金属細線を介して電気的に接続する第３の工程と、上記リードフレームの上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部に封止テープを密着させながら、封止テープを封止金型に装着する第４の工程と、上記ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程と、上記封止テープを除去する第６の工程とを備え、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部が上記封止樹脂の裏面から露出しているとともに、上記ダイパッドが上記封止樹脂内に埋設されている樹脂封止体を得ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２３】 請求項２２記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第５の工程と上記第６の工程との間に、上記各吊りリードの一部を切断する工程をさらに備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２４】 請求項２２又は２３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第１の工程では、表面に金属メッキ層が形成されたリードフレームを用意することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２５】 請求項２２又は２３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第４の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部の上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望の値になるように、所定厚みの封止テープを用いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２６】 請求項２２又は２３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記封止金型のうち上記信号接続用リードの突出させる部分に対向する部分に逃げ溝を形成しておき、上記第５の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部を上記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行なうことにより、上記封止樹脂の裏面からの突出量を調整することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２１】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２１】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開平１１−２６０９８９
【公開日】平成１１年（１９９９）９月２４日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平１０−６０８１２
【出願日】平成１０年（１９９８）３月１２日
【出願人】（０００００５８４３）松下電子工業株式会社 (43)
【公開日】平成１１年（１９９９）９月２４日
【国際特許分類】
【出願日】平成１０年（１９９８）３月１２日
【出願人】（０００００５８４３）松下電子工業株式会社 (43)
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