【課題】
半導体素子と基板がはんだで接合され、樹脂でモールドされる半導体装置の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】
はんだ材１０６に易揮発金属（Zn、Mg、Sb）を含むはんだを用い、半導体素子１０４とリードフレーム１０２を接合し、ワイヤボンディングを実施した後、真空加熱処理を加え、はんだ中の易揮発金属を揮発させ、基板表面に付着してリードフレームとの合金１０３を形成させることで、基板表面を粗化し、封止樹脂１０１と基板の密着力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】封止材により封止された半導体装置において、リードに電気的に接続されて固着された電子デバイスと、該電子デバイスに電気的に接続される必要のないリードとのショートの回避を図る。
【解決手段】アイランド１１に導電性ペースト１５を介して半導体チップ２０が固着されている。このアイランド１１に向かって複数のリード１２，１２Ａ，１２Ｂが延びている。電子デバイス３０は、該電子デバイス３０に電気的に接続される必要の無いリード１２Ａの両側に並列するリード１２の各表面上で、該表面上に形成された複数の導電突起体１４によって支持され、導電性ペースト１５を介して固着されている。これにより、電子デバイス３０と、電子デバイス３０に接続される必要の無いリード１２Ａの表面との間には、それらのショートを回避するのに十分な離間距離Ｄ１が確保される。 （もっと読む）

【課題】ボンディング面と接続部材との密着性を高くするとともにボンディング面と樹脂封止のための樹脂との密着性を高くし、従来の半導体装置よりも高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１０と、半導体チップ１１０を搭載するための第１リードフレーム１２０と、ボンディング面１３２を有する第２リードフレーム１３０，１４０とを備え、第２リードフレーム１３０，１４０におけるボンディング面１３２，１４２は、接続部材１５０を介して半導体チップ１１０と電気的に接続され、半導体チップ１１０、第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０，１４０が樹脂封止により一体化された半導体装置であって、ボンディング面１３２，１４２は、第１の粗化処理が施された第１の粗化面であり、めっきを介することなく接続部材１５０と接続されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、リードフレーム固定材で固定したリードフレームを使用した半導体装置において、リードフレーム固定材に無機フィラーを高充填率で充填しなくても、半田リフロー過程で内部剥離を生じることなく、かつ固定材として高接着性を有するリードフレーム固定材等を提供することである。
【解決手段】本発明のリードフレーム固定材は、１分子中に３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）とナフタレン型エポキシ樹脂（Ｂ）とを含有し、硬化物とした際のガラス転移温度が１７８℃以上である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、溝構造に連結され、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えた。 （もっと読む）