熱処理装置および熱処理方法
【課題】基板を水平に搬送しながら行う熱処理において、基板面内での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板Ｇを基板搬送路２に沿って水平に搬送する基板搬送手段２０と、基板搬送路２に沿って配置され、基板Ｇを加熱するための第１の加熱手段４と、搬送路に沿って、かつ、第１の加熱手段の後段に配置され、基板Ｇを加熱するための第２の加熱手段５と、第１の加熱手段４で加熱された基板Ｇの温度を検出するための基板温度検出手段４６と、基板温度検出手段４６の検出結果に基づいて、第２の加熱手段５に対応した基板搬送手段２ｃにおける基板搬送速度を制御する制御部４０とを有する。
【解決手段】基板Ｇを基板搬送路２に沿って水平に搬送する基板搬送手段２０と、基板搬送路２に沿って配置され、基板Ｇを加熱するための第１の加熱手段４と、搬送路に沿って、かつ、第１の加熱手段の後段に配置され、基板Ｇを加熱するための第２の加熱手段５と、第１の加熱手段４で加熱された基板Ｇの温度を検出するための基板温度検出手段４６と、基板温度検出手段４６の検出結果に基づいて、第２の加熱手段５に対応した基板搬送手段２ｃにおける基板搬送速度を制御する制御部４０とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理装置および熱処理方法に関し、特に基板を水平姿勢の状態で、水平方向に搬送しながら前記基板に熱処理を施す熱処理装置及び熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
具体的には、ガラス基板等の基板に所定の膜を成膜する。その後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成する。そして、回路パターンに対応してレジスト膜を露光する。その後、これを現像処理するものである。
【０００３】
ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループット向上の目的により、基板を略水平姿勢の状態で水平方向に搬送（以下、平流し搬送と呼ぶ）しながら、その被処理面に対してレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施す構成が多く採用されている。
例えば、基板を加熱し、レジスト膜の乾燥や現像処理後の乾燥を行う熱処理装置は、特許文献１に開示されるように、基板を平流し搬送しながら、搬送路に沿って配置されたヒータによって加熱処理する構成を備えている。
このような平流し搬送構造を有する熱処理装置では、複数の基板を搬送路上に連続的に流しながら熱処理を行うことができるため、スループットの向上が期待できる。
【０００４】
前記した平流し搬送構造を有する熱処理装置について、具体的に図５（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）に示すように、熱処理装置６０は、複数の搬送コロ６１が回転可能に敷設されてなる平流しの基板搬送路６２を備えている。また、この基板搬送路６２に沿って熱処理空間を形成するチャンバ６５が設けられている。チャンバ６５には、スリット状の基板搬入口６５ａと基板搬出口６５ｂとが設けられている。
基板搬送路６２を搬送される基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・）は、基板搬入口６５ａから連続的にチャンバ６５内に搬入されて所定の熱処理が行われる。その後、前記基板Ｇは基板搬出口６５ｂから搬出される。
【０００５】
前記チャンバ６５内には、基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・）に対し予備加熱を行い、基板Ｇを所定温度まで昇温するプレヒータ部６３を有する。また、基板温度を維持するための主加熱を行うメインヒータ部６４を有する。そして、プレヒータ部６３と、メインヒータ部６４とが連続して設けられている。
前記プレヒータ部６３は、各搬送コロ６１の間に設けられた下部ヒータ６６と、天井部に設けられた上部ヒータ６７とを備えている。メインヒータ部６４は、各搬送コロ６１の間に設けられた下部ヒータ６９と、天井部に設けられた上部ヒータ７０とを備えている。
【０００６】
このように構成された熱処理装置６０で、プレヒータ部６３は、基板Ｇを所定温度（例えば１００℃）まで加熱するために、下部ヒータ６６及び上部ヒータ６７が所定の設定温度（例えば１６０℃）になされる。
一方、メインヒータ部６４は、プレヒータ部６３で加熱された基板Ｇの温度を維持し、熱処理を効率的に行うために、下部ヒータ６９及び上部ヒータ７０が所定の熱処理温度（例えば１００℃）になされる。
【０００７】
そして、図５（ａ）に示すように、１枚目の基板Ｇ１が搬入口６５ａからプレヒータ部６３に搬入され、そこで各基板Ｇは所定温度（例えば１００℃）まで加熱される。
更に図５（ｂ）に示すように、プレヒータ部６３において昇温された基板Ｇ１は、続けてメインヒータ部６４に搬送される。メインヒータ部６４で基板温度が維持されて所定の熱処理（例えば、レジスト中の溶剤を蒸発させる処理）が行われ、搬出口６５ｂから搬出される。
そして、基板Ｇ１に続き、次の基板Ｇ２が熱処理装置６０に搬送され、熱処理が行われる。３枚目以降の基板Ｇ（Ｇ３、Ｇ４・・・）も同様に、熱処理が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１５８０８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図５（ａ）、（ｂ）に示す平流し搬送構造の熱処理装置で熱処理を行った場合、プレヒータ部６３による予備加熱後の基板温度において基板Ｇの前部領域及び後部領域と、中央部領域とで異なる傾向があった。
この領域によって基板温度が異なることを具体的に図６に基づいて説明する。まず、図６（ａ）に示すように、基板Ｇの前部領域ＧＦは、前方に続く基板面（熱を吸収する面）が無いため、比較的、熱が籠もった状態のチャンバ内に搬入される。そのため、前部領域ＧＦは、必要以上の熱量を受け、基板Ｇの前部領域ＧＦは、所望温度より高い温度になる傾向があった。
【００１０】
そして、チャンバ内の熱量は、前部領域ＧＦの温度上昇に使われるので、基板Ｇの中央部領域がチャンバ内を通過するときには、チャンバ内の熱量は所望の量となっている。そのため、基板Ｇの中央部領域は所望の温度に昇温される。このように、基板Ｇの前部領域ＧＦは、基板Ｇの中央部領域より高い温度になる傾向があった。
【００１１】
一方、図６（ｂ）に示すように、基板Ｇの後部領域ＧＲにあっては、後方に続く基板面（熱を吸収する面）が無いため、基板Ｇの中央部領域に比べて後部領域ＧＲは必要以上に熱を吸収することになる。そのため、基板Ｇの後部領域ＧＲは、基板Ｇの中央部領域よりも高温になる傾向があった。
このため、プレヒータ部６３で昇温された基板Ｇに対し、メインヒータ部６４において所定の加熱処理を施す際に、基板面内の温度ばらついており、その後の配線パターン形成において、配線パターンの線幅が不均一になる虞があった。
【００１２】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、基板を平流し搬送しながら熱処理を施す熱処理装置であって、基板面内における熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅をより均一化することのできる熱処理装置及び熱処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記した課題を解決するためになされた本発明に係る熱処理装置は、基板を水平に搬送しつつ基板に加熱処理を行う熱処理装置であって、基板搬送路を有し、基板を前記基板搬送路に沿って水平に搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路に沿って配置され、基板を加熱するための第１の加熱手段と、前記搬送路に沿って、かつ、前記第１の加熱手段の後段に配置され、基板を加熱するための第２の加熱手段と、前記第１の加熱手段で加熱された基板の温度を検出するための基板温度検出手段と、この基板温度検出手段の検出結果に基づいて、前記第２の加熱手段に対応する前記基板搬送路における前記基板搬送手段の基板搬送速度を制御する制御部とを有することを特徴とする。
【００１４】
このように本発明の熱処理装置によれば、第１の加熱手段で基板を加熱した際に、基板の面内で温度がばらついても、第２の加熱手段で加熱処理を行う際に、基板温度検出手段の検出結果に基づいて基板搬送速度を制御することができ、基板の面内の温度の均一化を図ることができる。
【００１５】
また、前記した課題を解決するためになされた本発明に係る熱処理方法は、基板を水平に搬送しつつ基板を加熱する熱処理方法であって、基板を水平に所定の速度で搬送しつつ、第１の温度で基板を加熱する第１の加熱工程と、前記第１の加熱工程後、加熱された基板の温度を検出する温度検出工程と、前記温度検出工程後、基板の温度の検出結果に基づいて、基板の搬送速度を変更することによって、加熱領域を通過する加熱処理時間を変更して加熱する第２の加熱工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の熱処理方法によれば、第１の加熱工程で基板の面内で温度がばらついても、その後、基板の温度の検出結果に基づいて、基板の搬送速度を変更することによって、加熱領域を通過する加熱処理時間を変更して加熱する第２の加熱工程を備えているため、基板面内の温度の均一化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板を平流し搬送しながら熱処理を行い、しかも基板面内における熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅を均一化することのできる熱処理装置及び熱処理方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の熱処理装置の動作の流れを示すフロー図である。
【図４】図４は、本発明における基板の領域の分割の説明図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、従来の熱処理装置の課題を説明するための断面図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、従来の熱処理装置の課題を説明するための断面図の一部である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の熱処理装置にかかる実施形態を、図１〜図４に基づいて説明する。尚、図１は、加熱処理ユニット１の全体の概略構成を示す断面図、図２は、加熱処理ユニット１の（平面方向の断面を示す）平面図である。また、この実施形態にあっては、熱処理装置を、ＦＰＤの製造に用いられる矩形状の基板であるガラス基板（以下、基板Ｇと呼ぶ）に対し加熱処理する加熱処理ユニットに適用した場合を例にとって説明する。
【００２０】
この加熱処理ユニット１は、図１、図２に示すように、回転可能に敷設された複数のコロ２０によって基板ＧをＸ方向に向かって搬送する基板搬送路２を具備する。この基板搬送路２に沿って、上流側から順に（Ｘ方向に向かって）、基板搬入部３と、予備加熱を行うプレヒータ部４と、主加熱を行うメインヒータ部５と、基板搬出部６とが配置されている。
【００２１】
基板搬送路２は、図２に示すようにＹ方向に延びる円柱状のコロ２０（基板搬送手段）を複数有し、それら複数のコロ２０は、Ｘ方向に所定の間隔をあけて、それぞれ回転可能に配置されている。また、複数のコロ２０によって基板搬入部３から基板搬出部６にかけて形成された基板搬送路２は、基板搬送方向に沿って複数のエリアに区切られている。
【００２２】
具体的には、図１、図２に示すように、基板搬入部３に設けられた複数のコロ２０により第１の搬送部２ａが形成される。
また、プレヒータ部４からメインヒータ部５内の中央領域にかけて設けられたコロ２０により第２の搬送部２ｂが形成される。
また、メインヒータ部５内の中央領域から基板搬出部６にかけて設けられたコロ２０により第３の搬送部２ｃが形成されている。
【００２３】
前記第１の搬送部２ａ〜第３の搬送部２ｃは、それぞれ駆動系が独立して設けられている。
即ち、図２に示すように、第１の搬送部２ａにおける複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ａによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ａに接続されている。
【００２４】
また、第２の搬送部２ｂにおける複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ｂによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ｂに接続されている。
【００２５】
また、第３の搬送部２ｃにおける複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ｃによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ｃに接続されている。
【００２６】
尚、各コロ２０は、その周面が基板Ｇの全幅にわたって接するように設けられ、加熱された基板Ｇの熱が伝達しにくいように、外周面部が樹脂等の熱伝導率の低い材料、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）で形成されている。また、コロ２０の回転軸２１は、アルミニウム、ステンレス、セラミック等の高強度かつ低熱伝導率の材料で形成されている。
【００２７】
また、加熱処理ユニット１は所定の熱処理空間を形成するためのチャンバ８を備える。チャンバ８は、基板搬送路２の周りを覆う薄型の箱状に形成され、このチャンバ８内において、コロ搬送される基板Ｇに対しプレヒータ部４による予備加熱とメインヒータ部５による主加熱とが連続して行われる。
尚、本実施形態においては、チャンバ８は、プレヒータ部４の熱処理空間を形成する第１のチャンバ８Ａと、この第１のチャンバ８Ａの後端から連続形成され、メインヒータ部５の熱処理空間を形成する第２のチャンバ８Ｂとからなるものとする。
【００２８】
図１に示すようにチャンバ８の前部側壁には、Ｙ方向に延びるスリット状の搬入口５１が設けられている。この搬入口５１を基板搬送路２上の基板Ｇが通過し、チャンバ８内に搬入されるように構成されている。
また、チャンバ８の後部側壁には、基板搬送路２上の基板Ｇが通過可能なＹ方向に延びるスリット状の搬出口５２が設けられている。即ち、この搬出口５２を基板搬送路２上の基板Ｇが通過し、チャンバ８から搬出されるように構成されている。
【００２９】
また、図１に示すように、チャンバ８の上下左右の壁部は、空間をあけて設けられた内壁１２と外壁１３を備えた二重構造を有し、内壁１２と外壁１３との間の空間１４が、チャンバ８内外を断熱する空気断熱層として機能する。なお、外壁１３の内側面には、断熱材１５が設けられている。また、図２に示すように、チャンバ８において、Ｙ方向に対向する側壁には、軸受け２２が設けられ、その軸受け２２によって、基板搬送路２のコロ２０がそれぞれに回転可能に支持されている。
【００３０】
また、図１に示すようにチャンバ８において、搬入口５１付近の上壁部には排気口２５が設けられ、下壁部には排気口２６が設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３１，３２に接続されている。
さらに、チャンバ８の搬出口５２付近の上壁部には排気口２７が設けられ、下壁部には排気口２８が設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３３、３４に接続されている。
即ち、前記排気装置３１〜３４が稼働することにより排気口２５〜２８を介してチャンバ８内の排気が行われ、チャンバ内温度をより安定化させる構成となされている。
【００３１】
また、図１に示すようにプレヒータ部４は、第１の加熱手段として、基板搬送路２に沿ってチャンバ８内に配列された、複数の下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８を備える。これら下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８は、それぞれに駆動電流が供給されることにより発熱する構成となされている。
下部面状ヒータ１７は、それぞれ短冊状のプレートからなり、各プレートは下方から基板Ｇを加熱するよう隣り合うコロ部材２０の間に敷設されている。
また、上部面状ヒータ１８は、それぞれ短冊状のプレートからなり、図１に示すように上方から基板Ｇを加熱するようチャンバ８の天井部に敷設されている。
また、下部面状ヒータ１７と上部面状ヒータ１８には、ヒータ電源３６により駆動電流が供給され、ヒータ電源３６は、コンピュータからなる制御部４０（制御手段）によって制御される。
【００３２】
一方、メインヒータ部５は、第２の加熱手段として、基板搬送路２に沿ってチャンバ８内に設けられた短冊状のプレートからなる下部面状ヒータ２３と上部面状ヒータ２４とを備える。このうち、下部面状ヒータ２３は、基板Ｇの下方から加熱するよう隣り合うコロ部材２０の間に敷設され、上部面状ヒータ２４は、基板Ｇの上方から加熱するようチャンバ８の天井部に敷設されている。前記下部面状ヒータ２３と上部面状ヒータ２４には、ヒータ電源３９により駆動電流が供給され、ヒータ電源３９は制御部４０によって制御されるよう構成されている。
【００３３】
また、この加熱処理ユニット１にあっては、メインヒータ部５の所定位置に、基板搬送路２を搬送される基板Ｇを検出するための基板検出センサ４５（基板検出手段）が設けられ、その検出信号を制御部４０に出力するようになされている。この基板検出センサ４５は、例えばメインヒータ部５の中央領域に設けられている。
【００３４】
また、チャンバ８内においてプレヒータ部４の後端領域には、このプレヒータ部４で加熱処理される基板Ｇに対し、例えば赤外線照射により非接触に基板温度の検出を行う基板温度検出センサ４６（基板温度検出手段）が設けられ、その検出信号を制御部４０に出力するようになされている。即ち、制御部４０は、基板温度検出センサ４６の出力に基づき、プレヒータ部４によって加熱された基板Ｇの温度を取得することができる。また、制御部４０には、制御に必要なデータを記憶させておく記憶部８０が接続されている。
【００３５】
続いて、このように構成された加熱処理ユニット１による一連の熱処理工程について、更に図３を用いて説明する。尚、図３は、加熱処理ユニット１における基板搬送制御の流れを示すフロー図である。
【００３６】
まずは、以下に述べる準備工程を行う（図３のＳ１）。ヒータ電源３６からの駆動電流の供給により、プレヒータ部４の下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８の温度が予備加熱温度（例えば１６０℃）に設定される。また、ヒータ電源３９からの駆動電流の供給により、メインヒータ部５の下部面状ヒータ２３及び上部面状ヒータ２４の温度が、プレヒータ部４において加熱された基板Ｇの温度を維持するための熱処理温度（例えば１００℃）に設定される。なお、熱処理温度（１００℃）とは、基板Ｇがこの温度に到達し、基板Ｇに熱処理を行うための温度である。ここで、下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８の温度を予備加熱温度（１６０℃）に設定するのは、なるべく短い予備加熱時間で基板Ｇの温度を熱処理温度（１００℃）に近づけるためである。
【００３７】
このヒータ温度の設定により、チャンバ８内の雰囲気はプレヒータ部４がメインヒータ部５よりも所定温度高い状態となされる。即ち、基板Ｇは、高温（１６０℃）の雰囲気となされたプレヒータ部４を通過することにより、その基板温度が所定の熱処理温度（例えば１００℃）まで昇温され、メインヒータ部５を通過する間、基板温度が維持される構成となされている。
また、基板温度検出センサ４６で検出された温度に対応する基板搬送速度のデータを、記憶部８０に予め記憶させておく。なお、基板の温度に対応する基板搬送速度のデータは、実験などで予め求めておく。
【００３８】
前記のように基板搬入前においてチャンバ８内の雰囲気温度が調整された後、第１の搬送部２ａ〜第３の搬送部２ｃは通常の基板搬送速度（例えば５０ｍｍ／ｓｅｃ）に設定される。
【００３９】
上記の準備工程が終了したら、基板Ｇは、プレヒータ部４に搬入され、予備加熱処理が行われる。なお、プレヒータ部４内においては、基板Ｇは、等速度で搬送される（図３のＳ２）。そして、基板Ｇが基板温度検出センサ４６上を通過する際に、基板Ｇの温度を連続的に、または断続的に検出し、検出結果を制御部４０に伝える（図３のＳ３）。
【００４０】
続いて、基板Ｇは、メインヒータ部５に搬入され、加熱処理が行われる。そして、基板Ｇの先端を基板検出センサ４５が検出したら（図３のＳ４）、制御部４０からの指令により第３の搬送部２ｃにおける基板搬送速度を制御する（図３のＳ５）。
この際に、基板温度検出センサ４６による温度検出結果に基づいて、第３の搬送部２ｃにおける基板搬送速度を変更する。
【００４１】
具体的には、基板Ｇにおいて、温度検出結果が所定の温度（例えば１００℃）より高い領域は、メインヒータ部５から早く搬出されるように制御し、所定の温度より低い領域は、メインヒータ部５に留まる時間が長くなるように制御される。
【００４２】
そして、温度検出結果に対応する基板搬送速度を記憶部８０から読み出し、第３の搬送部２ｃにおける基板搬送速度を制御する。このように、第３の搬送部２ｃにおける基板搬送速度を制御することにより、メインヒータ部５から搬出される基板Ｇの温度を基板Ｇの面内で均一にすることができる。
【００４３】
例えば、図４に示すように、基板Ｇの進行方向と直交する方向に基板上の領域を複数に分割し、この分割したそれぞれの領域（Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・Ｅｎ）がメインヒータ部５内に留まる時間を、それぞれの領域（Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・Ｅｎ）毎に制御するのである。なお、メインヒータ部５内に留まる時間を制御するには、メインヒータ部５内での基板の搬送速度を制御すればよい。上述したような制御を行うことにより、基板Ｇの面内での温度分布を均一化することができる。このようにして、１枚目の基板Ｇの熱処理が終了する（図３のＳ６）
【００４４】
なお、上述の実施形態では、１枚目の基板Ｇが搬送されながら、熱処理を行う例を示した。通常は、１枚目の基板Ｇに続いて、２枚目以降の基板Ｇが処理される。所定の枚数の基板Ｇの熱処理が終了するまで（図３のＳ７）、１枚目の基板Ｇに続いて、所定の間隔で２枚目以降の基板Ｇが基板搬入部３の基板搬送路２を搬送される（図３のＳ２）。このようにして、所定の枚数（例えば１５枚）の基板Ｇが、基板搬入部３の基板搬送路２を所定の間隔で搬送され、加熱処理される。
【００４５】
なお、上記の実施の形態では、プレヒータ部４の後端に基板温度検出センサ４６を配置した。これは、この位置が基板Ｇにおける面内での温度のばらつきが一番大きくなると予測されるからである。しかし、基板温度検出センサ４６の位置は、この位置に限られず、プレヒータ部４から、メインヒータ部５の中央付近までのどこか他の位置に配置してもよい。
【００４６】
また、基板温度検出センサ４６の形状を、基板Ｇの搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に長い形状としてもよい。このようにすれば、基板ＧのＹ方向の短冊状の領域の温度をさらに精度良く検出することができる。
【００４７】
また、上述の実施の形態では、プレヒータ部４からメインヒータ部５内の中央領域にかけて設けられたコロ２０により第２の搬送部２ｂが形成され、メインヒータ部５内の中央領域から基板搬出部６にかけて設けられたコロ２０により第３の搬送部２ｃが形成されていた。そこで、他の実施形態として、プレヒータ部４だけに設けられたコロ２０で形成される領域を第２の搬送部２ｂとし、メインヒータ部５と基板搬出部６とに設けられたコロ２０で形成される領域を第３の搬送部２ｃとしてもよい。
【００４８】
また、他の実施形態として、第３の搬送部２ｃをメインヒータ部５と基板搬出部６とに分割してもよい。その場合、メインヒータ部５に対応する搬送部と、基板搬出部６に対応する搬送部とを、各々個別に基板搬送速度を制御できる構成としてもよい。
【００４９】
また、他の実施形態として、プレヒータ部４だけに設けられたコロ２０で形成される領域を第２の搬送部２ｂとし、メインヒータ部５に対応する基板搬送部を第３の搬送部２ｃとし、更に第３の搬送部２ｃを複数の領域に分割し、その分割された領域毎に基板搬送速度を制御できる構成としてもよい。
【００５０】
また、上記した実施の形態を部分的に組み合わせて実施してもよく、そうすることにより、さらに基板Ｇの加熱処理終了時における基板面内温度分布が向上する可能性がある。
【００５１】
以上の実施を行うことにより、プレヒータ部４で生じた基板Ｇの面内での温度のばらつきを、その後段に位置するメインヒータ部５に基板Ｇが留まる時間を制御（基板の搬送速度を制御）して、基板面内での温度のばらつきを低減することができる。
【００５２】
また、当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、上述の実施の形態は、ＦＰＤの基板を加熱処理する例であったが、本発明は、基板がＦＰＤの基板以外の半導体ウェハ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１ 加熱処理ユニット（熱処理装置）
２ 基板搬送路
２ｂ 第２の搬送部
２ｃ 第３の搬送部
４ プレヒータ部
５ メインヒータ部
８ チャンバ
８Ａ 第１のチャンバ
８Ｂ 第２のチャンバ
１７ 下部面状ヒータ
１８ 上部面状ヒータ
２０ コロ（基板搬送手段）
２３ 下部面状ヒータ
２４ 上部面状ヒータ
４０ 制御部（制御手段）
４５ 基板検出センサ（基板検出手段）
４６ 基板温度検出センサ（基板温度検出手段）
Ｇ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理装置および熱処理方法に関し、特に基板を水平姿勢の状態で、水平方向に搬送しながら前記基板に熱処理を施す熱処理装置及び熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
具体的には、ガラス基板等の基板に所定の膜を成膜する。その後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成する。そして、回路パターンに対応してレジスト膜を露光する。その後、これを現像処理するものである。
【０００３】
ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループット向上の目的により、基板を略水平姿勢の状態で水平方向に搬送（以下、平流し搬送と呼ぶ）しながら、その被処理面に対してレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施す構成が多く採用されている。
例えば、基板を加熱し、レジスト膜の乾燥や現像処理後の乾燥を行う熱処理装置は、特許文献１に開示されるように、基板を平流し搬送しながら、搬送路に沿って配置されたヒータによって加熱処理する構成を備えている。
このような平流し搬送構造を有する熱処理装置では、複数の基板を搬送路上に連続的に流しながら熱処理を行うことができるため、スループットの向上が期待できる。
【０００４】
前記した平流し搬送構造を有する熱処理装置について、具体的に図５（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）に示すように、熱処理装置６０は、複数の搬送コロ６１が回転可能に敷設されてなる平流しの基板搬送路６２を備えている。また、この基板搬送路６２に沿って熱処理空間を形成するチャンバ６５が設けられている。チャンバ６５には、スリット状の基板搬入口６５ａと基板搬出口６５ｂとが設けられている。
基板搬送路６２を搬送される基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・）は、基板搬入口６５ａから連続的にチャンバ６５内に搬入されて所定の熱処理が行われる。その後、前記基板Ｇは基板搬出口６５ｂから搬出される。
【０００５】
前記チャンバ６５内には、基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・）に対し予備加熱を行い、基板Ｇを所定温度まで昇温するプレヒータ部６３を有する。また、基板温度を維持するための主加熱を行うメインヒータ部６４を有する。そして、プレヒータ部６３と、メインヒータ部６４とが連続して設けられている。
前記プレヒータ部６３は、各搬送コロ６１の間に設けられた下部ヒータ６６と、天井部に設けられた上部ヒータ６７とを備えている。メインヒータ部６４は、各搬送コロ６１の間に設けられた下部ヒータ６９と、天井部に設けられた上部ヒータ７０とを備えている。
【０００６】
このように構成された熱処理装置６０で、プレヒータ部６３は、基板Ｇを所定温度（例えば１００℃）まで加熱するために、下部ヒータ６６及び上部ヒータ６７が所定の設定温度（例えば１６０℃）になされる。
一方、メインヒータ部６４は、プレヒータ部６３で加熱された基板Ｇの温度を維持し、熱処理を効率的に行うために、下部ヒータ６９及び上部ヒータ７０が所定の熱処理温度（例えば１００℃）になされる。
【０００７】
そして、図５（ａ）に示すように、１枚目の基板Ｇ１が搬入口６５ａからプレヒータ部６３に搬入され、そこで各基板Ｇは所定温度（例えば１００℃）まで加熱される。
更に図５（ｂ）に示すように、プレヒータ部６３において昇温された基板Ｇ１は、続けてメインヒータ部６４に搬送される。メインヒータ部６４で基板温度が維持されて所定の熱処理（例えば、レジスト中の溶剤を蒸発させる処理）が行われ、搬出口６５ｂから搬出される。
そして、基板Ｇ１に続き、次の基板Ｇ２が熱処理装置６０に搬送され、熱処理が行われる。３枚目以降の基板Ｇ（Ｇ３、Ｇ４・・・）も同様に、熱処理が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１５８０８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図５（ａ）、（ｂ）に示す平流し搬送構造の熱処理装置で熱処理を行った場合、プレヒータ部６３による予備加熱後の基板温度において基板Ｇの前部領域及び後部領域と、中央部領域とで異なる傾向があった。
この領域によって基板温度が異なることを具体的に図６に基づいて説明する。まず、図６（ａ）に示すように、基板Ｇの前部領域ＧＦは、前方に続く基板面（熱を吸収する面）が無いため、比較的、熱が籠もった状態のチャンバ内に搬入される。そのため、前部領域ＧＦは、必要以上の熱量を受け、基板Ｇの前部領域ＧＦは、所望温度より高い温度になる傾向があった。
【００１０】
そして、チャンバ内の熱量は、前部領域ＧＦの温度上昇に使われるので、基板Ｇの中央部領域がチャンバ内を通過するときには、チャンバ内の熱量は所望の量となっている。そのため、基板Ｇの中央部領域は所望の温度に昇温される。このように、基板Ｇの前部領域ＧＦは、基板Ｇの中央部領域より高い温度になる傾向があった。
【００１１】
一方、図６（ｂ）に示すように、基板Ｇの後部領域ＧＲにあっては、後方に続く基板面（熱を吸収する面）が無いため、基板Ｇの中央部領域に比べて後部領域ＧＲは必要以上に熱を吸収することになる。そのため、基板Ｇの後部領域ＧＲは、基板Ｇの中央部領域よりも高温になる傾向があった。
このため、プレヒータ部６３で昇温された基板Ｇに対し、メインヒータ部６４において所定の加熱処理を施す際に、基板面内の温度ばらついており、その後の配線パターン形成において、配線パターンの線幅が不均一になる虞があった。
【００１２】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、基板を平流し搬送しながら熱処理を施す熱処理装置であって、基板面内における熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅をより均一化することのできる熱処理装置及び熱処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記した課題を解決するためになされた本発明に係る熱処理装置は、基板を水平に搬送しつつ基板に加熱処理を行う熱処理装置であって、基板搬送路を有し、基板を前記基板搬送路に沿って水平に搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送路に沿って配置され、基板を加熱するための第１の加熱手段と、前記搬送路に沿って、かつ、前記第１の加熱手段の後段に配置され、基板を加熱するための第２の加熱手段と、前記第１の加熱手段で加熱された基板の温度を検出するための基板温度検出手段と、この基板温度検出手段の検出結果に基づいて、前記第２の加熱手段に対応する前記基板搬送路における前記基板搬送手段の基板搬送速度を制御する制御部とを有することを特徴とする。
【００１４】
このように本発明の熱処理装置によれば、第１の加熱手段で基板を加熱した際に、基板の面内で温度がばらついても、第２の加熱手段で加熱処理を行う際に、基板温度検出手段の検出結果に基づいて基板搬送速度を制御することができ、基板の面内の温度の均一化を図ることができる。
【００１５】
また、前記した課題を解決するためになされた本発明に係る熱処理方法は、基板を水平に搬送しつつ基板を加熱する熱処理方法であって、基板を水平に所定の速度で搬送しつつ、第１の温度で基板を加熱する第１の加熱工程と、前記第１の加熱工程後、加熱された基板の温度を検出する温度検出工程と、前記温度検出工程後、基板の温度の検出結果に基づいて、基板の搬送速度を変更することによって、加熱領域を通過する加熱処理時間を変更して加熱する第２の加熱工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の熱処理方法によれば、第１の加熱工程で基板の面内で温度がばらついても、その後、基板の温度の検出結果に基づいて、基板の搬送速度を変更することによって、加熱領域を通過する加熱処理時間を変更して加熱する第２の加熱工程を備えているため、基板面内の温度の均一化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板を平流し搬送しながら熱処理を行い、しかも基板面内における熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅を均一化することのできる熱処理装置及び熱処理方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明にかかる一実施形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の熱処理装置の動作の流れを示すフロー図である。
【図４】図４は、本発明における基板の領域の分割の説明図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、従来の熱処理装置の課題を説明するための断面図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、従来の熱処理装置の課題を説明するための断面図の一部である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の熱処理装置にかかる実施形態を、図１〜図４に基づいて説明する。尚、図１は、加熱処理ユニット１の全体の概略構成を示す断面図、図２は、加熱処理ユニット１の（平面方向の断面を示す）平面図である。また、この実施形態にあっては、熱処理装置を、ＦＰＤの製造に用いられる矩形状の基板であるガラス基板（以下、基板Ｇと呼ぶ）に対し加熱処理する加熱処理ユニットに適用した場合を例にとって説明する。
【００２０】
この加熱処理ユニット１は、図１、図２に示すように、回転可能に敷設された複数のコロ２０によって基板ＧをＸ方向に向かって搬送する基板搬送路２を具備する。この基板搬送路２に沿って、上流側から順に（Ｘ方向に向かって）、基板搬入部３と、予備加熱を行うプレヒータ部４と、主加熱を行うメインヒータ部５と、基板搬出部６とが配置されている。
【００２１】
基板搬送路２は、図２に示すようにＹ方向に延びる円柱状のコロ２０（基板搬送手段）を複数有し、それら複数のコロ２０は、Ｘ方向に所定の間隔をあけて、それぞれ回転可能に配置されている。また、複数のコロ２０によって基板搬入部３から基板搬出部６にかけて形成された基板搬送路２は、基板搬送方向に沿って複数のエリアに区切られている。
【００２２】
具体的には、図１、図２に示すように、基板搬入部３に設けられた複数のコロ２０により第１の搬送部２ａが形成される。
また、プレヒータ部４からメインヒータ部５内の中央領域にかけて設けられたコロ２０により第２の搬送部２ｂが形成される。
また、メインヒータ部５内の中央領域から基板搬出部６にかけて設けられたコロ２０により第３の搬送部２ｃが形成されている。
【００２３】
前記第１の搬送部２ａ〜第３の搬送部２ｃは、それぞれ駆動系が独立して設けられている。
即ち、図２に示すように、第１の搬送部２ａにおける複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ａによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ａに接続されている。
【００２４】
また、第２の搬送部２ｂにおける複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ｂによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ｂに接続されている。
【００２５】
また、第３の搬送部２ｃにおける複数のコロ２０は、その回転軸２１の回転がベルト２２ｃによって連動可能に設けられ、１つの回転軸２１がモータ等のコロ駆動装置１０ｃに接続されている。
【００２６】
尚、各コロ２０は、その周面が基板Ｇの全幅にわたって接するように設けられ、加熱された基板Ｇの熱が伝達しにくいように、外周面部が樹脂等の熱伝導率の低い材料、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）で形成されている。また、コロ２０の回転軸２１は、アルミニウム、ステンレス、セラミック等の高強度かつ低熱伝導率の材料で形成されている。
【００２７】
また、加熱処理ユニット１は所定の熱処理空間を形成するためのチャンバ８を備える。チャンバ８は、基板搬送路２の周りを覆う薄型の箱状に形成され、このチャンバ８内において、コロ搬送される基板Ｇに対しプレヒータ部４による予備加熱とメインヒータ部５による主加熱とが連続して行われる。
尚、本実施形態においては、チャンバ８は、プレヒータ部４の熱処理空間を形成する第１のチャンバ８Ａと、この第１のチャンバ８Ａの後端から連続形成され、メインヒータ部５の熱処理空間を形成する第２のチャンバ８Ｂとからなるものとする。
【００２８】
図１に示すようにチャンバ８の前部側壁には、Ｙ方向に延びるスリット状の搬入口５１が設けられている。この搬入口５１を基板搬送路２上の基板Ｇが通過し、チャンバ８内に搬入されるように構成されている。
また、チャンバ８の後部側壁には、基板搬送路２上の基板Ｇが通過可能なＹ方向に延びるスリット状の搬出口５２が設けられている。即ち、この搬出口５２を基板搬送路２上の基板Ｇが通過し、チャンバ８から搬出されるように構成されている。
【００２９】
また、図１に示すように、チャンバ８の上下左右の壁部は、空間をあけて設けられた内壁１２と外壁１３を備えた二重構造を有し、内壁１２と外壁１３との間の空間１４が、チャンバ８内外を断熱する空気断熱層として機能する。なお、外壁１３の内側面には、断熱材１５が設けられている。また、図２に示すように、チャンバ８において、Ｙ方向に対向する側壁には、軸受け２２が設けられ、その軸受け２２によって、基板搬送路２のコロ２０がそれぞれに回転可能に支持されている。
【００３０】
また、図１に示すようにチャンバ８において、搬入口５１付近の上壁部には排気口２５が設けられ、下壁部には排気口２６が設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３１，３２に接続されている。
さらに、チャンバ８の搬出口５２付近の上壁部には排気口２７が設けられ、下壁部には排気口２８が設けられ、それぞれ排気量可変な排気装置３３、３４に接続されている。
即ち、前記排気装置３１〜３４が稼働することにより排気口２５〜２８を介してチャンバ８内の排気が行われ、チャンバ内温度をより安定化させる構成となされている。
【００３１】
また、図１に示すようにプレヒータ部４は、第１の加熱手段として、基板搬送路２に沿ってチャンバ８内に配列された、複数の下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８を備える。これら下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８は、それぞれに駆動電流が供給されることにより発熱する構成となされている。
下部面状ヒータ１７は、それぞれ短冊状のプレートからなり、各プレートは下方から基板Ｇを加熱するよう隣り合うコロ部材２０の間に敷設されている。
また、上部面状ヒータ１８は、それぞれ短冊状のプレートからなり、図１に示すように上方から基板Ｇを加熱するようチャンバ８の天井部に敷設されている。
また、下部面状ヒータ１７と上部面状ヒータ１８には、ヒータ電源３６により駆動電流が供給され、ヒータ電源３６は、コンピュータからなる制御部４０（制御手段）によって制御される。
【００３２】
一方、メインヒータ部５は、第２の加熱手段として、基板搬送路２に沿ってチャンバ８内に設けられた短冊状のプレートからなる下部面状ヒータ２３と上部面状ヒータ２４とを備える。このうち、下部面状ヒータ２３は、基板Ｇの下方から加熱するよう隣り合うコロ部材２０の間に敷設され、上部面状ヒータ２４は、基板Ｇの上方から加熱するようチャンバ８の天井部に敷設されている。前記下部面状ヒータ２３と上部面状ヒータ２４には、ヒータ電源３９により駆動電流が供給され、ヒータ電源３９は制御部４０によって制御されるよう構成されている。
【００３３】
また、この加熱処理ユニット１にあっては、メインヒータ部５の所定位置に、基板搬送路２を搬送される基板Ｇを検出するための基板検出センサ４５（基板検出手段）が設けられ、その検出信号を制御部４０に出力するようになされている。この基板検出センサ４５は、例えばメインヒータ部５の中央領域に設けられている。
【００３４】
また、チャンバ８内においてプレヒータ部４の後端領域には、このプレヒータ部４で加熱処理される基板Ｇに対し、例えば赤外線照射により非接触に基板温度の検出を行う基板温度検出センサ４６（基板温度検出手段）が設けられ、その検出信号を制御部４０に出力するようになされている。即ち、制御部４０は、基板温度検出センサ４６の出力に基づき、プレヒータ部４によって加熱された基板Ｇの温度を取得することができる。また、制御部４０には、制御に必要なデータを記憶させておく記憶部８０が接続されている。
【００３５】
続いて、このように構成された加熱処理ユニット１による一連の熱処理工程について、更に図３を用いて説明する。尚、図３は、加熱処理ユニット１における基板搬送制御の流れを示すフロー図である。
【００３６】
まずは、以下に述べる準備工程を行う（図３のＳ１）。ヒータ電源３６からの駆動電流の供給により、プレヒータ部４の下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８の温度が予備加熱温度（例えば１６０℃）に設定される。また、ヒータ電源３９からの駆動電流の供給により、メインヒータ部５の下部面状ヒータ２３及び上部面状ヒータ２４の温度が、プレヒータ部４において加熱された基板Ｇの温度を維持するための熱処理温度（例えば１００℃）に設定される。なお、熱処理温度（１００℃）とは、基板Ｇがこの温度に到達し、基板Ｇに熱処理を行うための温度である。ここで、下部面状ヒータ１７及び上部面状ヒータ１８の温度を予備加熱温度（１６０℃）に設定するのは、なるべく短い予備加熱時間で基板Ｇの温度を熱処理温度（１００℃）に近づけるためである。
【００３７】
このヒータ温度の設定により、チャンバ８内の雰囲気はプレヒータ部４がメインヒータ部５よりも所定温度高い状態となされる。即ち、基板Ｇは、高温（１６０℃）の雰囲気となされたプレヒータ部４を通過することにより、その基板温度が所定の熱処理温度（例えば１００℃）まで昇温され、メインヒータ部５を通過する間、基板温度が維持される構成となされている。
また、基板温度検出センサ４６で検出された温度に対応する基板搬送速度のデータを、記憶部８０に予め記憶させておく。なお、基板の温度に対応する基板搬送速度のデータは、実験などで予め求めておく。
【００３８】
前記のように基板搬入前においてチャンバ８内の雰囲気温度が調整された後、第１の搬送部２ａ〜第３の搬送部２ｃは通常の基板搬送速度（例えば５０ｍｍ／ｓｅｃ）に設定される。
【００３９】
上記の準備工程が終了したら、基板Ｇは、プレヒータ部４に搬入され、予備加熱処理が行われる。なお、プレヒータ部４内においては、基板Ｇは、等速度で搬送される（図３のＳ２）。そして、基板Ｇが基板温度検出センサ４６上を通過する際に、基板Ｇの温度を連続的に、または断続的に検出し、検出結果を制御部４０に伝える（図３のＳ３）。
【００４０】
続いて、基板Ｇは、メインヒータ部５に搬入され、加熱処理が行われる。そして、基板Ｇの先端を基板検出センサ４５が検出したら（図３のＳ４）、制御部４０からの指令により第３の搬送部２ｃにおける基板搬送速度を制御する（図３のＳ５）。
この際に、基板温度検出センサ４６による温度検出結果に基づいて、第３の搬送部２ｃにおける基板搬送速度を変更する。
【００４１】
具体的には、基板Ｇにおいて、温度検出結果が所定の温度（例えば１００℃）より高い領域は、メインヒータ部５から早く搬出されるように制御し、所定の温度より低い領域は、メインヒータ部５に留まる時間が長くなるように制御される。
【００４２】
そして、温度検出結果に対応する基板搬送速度を記憶部８０から読み出し、第３の搬送部２ｃにおける基板搬送速度を制御する。このように、第３の搬送部２ｃにおける基板搬送速度を制御することにより、メインヒータ部５から搬出される基板Ｇの温度を基板Ｇの面内で均一にすることができる。
【００４３】
例えば、図４に示すように、基板Ｇの進行方向と直交する方向に基板上の領域を複数に分割し、この分割したそれぞれの領域（Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・Ｅｎ）がメインヒータ部５内に留まる時間を、それぞれの領域（Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・Ｅｎ）毎に制御するのである。なお、メインヒータ部５内に留まる時間を制御するには、メインヒータ部５内での基板の搬送速度を制御すればよい。上述したような制御を行うことにより、基板Ｇの面内での温度分布を均一化することができる。このようにして、１枚目の基板Ｇの熱処理が終了する（図３のＳ６）
【００４４】
なお、上述の実施形態では、１枚目の基板Ｇが搬送されながら、熱処理を行う例を示した。通常は、１枚目の基板Ｇに続いて、２枚目以降の基板Ｇが処理される。所定の枚数の基板Ｇの熱処理が終了するまで（図３のＳ７）、１枚目の基板Ｇに続いて、所定の間隔で２枚目以降の基板Ｇが基板搬入部３の基板搬送路２を搬送される（図３のＳ２）。このようにして、所定の枚数（例えば１５枚）の基板Ｇが、基板搬入部３の基板搬送路２を所定の間隔で搬送され、加熱処理される。
【００４５】
なお、上記の実施の形態では、プレヒータ部４の後端に基板温度検出センサ４６を配置した。これは、この位置が基板Ｇにおける面内での温度のばらつきが一番大きくなると予測されるからである。しかし、基板温度検出センサ４６の位置は、この位置に限られず、プレヒータ部４から、メインヒータ部５の中央付近までのどこか他の位置に配置してもよい。
【００４６】
また、基板温度検出センサ４６の形状を、基板Ｇの搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に長い形状としてもよい。このようにすれば、基板ＧのＹ方向の短冊状の領域の温度をさらに精度良く検出することができる。
【００４７】
また、上述の実施の形態では、プレヒータ部４からメインヒータ部５内の中央領域にかけて設けられたコロ２０により第２の搬送部２ｂが形成され、メインヒータ部５内の中央領域から基板搬出部６にかけて設けられたコロ２０により第３の搬送部２ｃが形成されていた。そこで、他の実施形態として、プレヒータ部４だけに設けられたコロ２０で形成される領域を第２の搬送部２ｂとし、メインヒータ部５と基板搬出部６とに設けられたコロ２０で形成される領域を第３の搬送部２ｃとしてもよい。
【００４８】
また、他の実施形態として、第３の搬送部２ｃをメインヒータ部５と基板搬出部６とに分割してもよい。その場合、メインヒータ部５に対応する搬送部と、基板搬出部６に対応する搬送部とを、各々個別に基板搬送速度を制御できる構成としてもよい。
【００４９】
また、他の実施形態として、プレヒータ部４だけに設けられたコロ２０で形成される領域を第２の搬送部２ｂとし、メインヒータ部５に対応する基板搬送部を第３の搬送部２ｃとし、更に第３の搬送部２ｃを複数の領域に分割し、その分割された領域毎に基板搬送速度を制御できる構成としてもよい。
【００５０】
また、上記した実施の形態を部分的に組み合わせて実施してもよく、そうすることにより、さらに基板Ｇの加熱処理終了時における基板面内温度分布が向上する可能性がある。
【００５１】
以上の実施を行うことにより、プレヒータ部４で生じた基板Ｇの面内での温度のばらつきを、その後段に位置するメインヒータ部５に基板Ｇが留まる時間を制御（基板の搬送速度を制御）して、基板面内での温度のばらつきを低減することができる。
【００５２】
また、当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、上述の実施の形態は、ＦＰＤの基板を加熱処理する例であったが、本発明は、基板がＦＰＤの基板以外の半導体ウェハ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１ 加熱処理ユニット（熱処理装置）
２ 基板搬送路
２ｂ 第２の搬送部
２ｃ 第３の搬送部
４ プレヒータ部
５ メインヒータ部
８ チャンバ
８Ａ 第１のチャンバ
８Ｂ 第２のチャンバ
１７ 下部面状ヒータ
１８ 上部面状ヒータ
２０ コロ（基板搬送手段）
２３ 下部面状ヒータ
２４ 上部面状ヒータ
４０ 制御部（制御手段）
４５ 基板検出センサ（基板検出手段）
４６ 基板温度検出センサ（基板温度検出手段）
Ｇ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に搬送しつつ基板に加熱処理を行う熱処理装置であって、
基板搬送路を有し、基板を前記基板搬送路に沿って水平に搬送する基板搬送手段と、
前記基板搬送路に沿って配置され、基板を加熱するための第１の加熱手段と、
前記搬送路に沿って、かつ、前記第１の加熱手段の後段に配置され、基板を加熱するための第２の加熱手段と、
前記第１の加熱手段で加熱された基板の温度を検出するための基板温度検出手段と、
この基板温度検出手段の検出結果に基づいて、前記第２の加熱手段に対応する前記基板搬送路における前記基板搬送手段の基板搬送速度を制御する制御部と、
を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記第１の加熱手段の設定温度が、前記第２の加熱手段の設定温度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記基板温度検出手段で温度を検出した基板が、前記基板搬送路の所定の位置に達したことを検出する基板検出手段を有し、
前記基板検出手段は、前記第２の加熱手段に対応する前記基板搬送路の所定の位置より前段に配置され、
前記基板検出手段が基板を検出した際に、前記制御部に基板の検出が伝えられ、前記制御部が前記第２の加熱手段に対応する前記基板搬送手段の基板搬送速度を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
基板を水平に搬送しつつ基板を加熱する熱処理方法であって、
基板を水平に所定の速度で搬送しつつ、第１の温度で基板を加熱する第１の加熱工程と、
前記第１の加熱工程後、加熱された基板の温度を検出する温度検出工程と、
前記温度検出工程後、基板の温度の検出結果に基づいて、基板の搬送速度を変更することによって、加熱領域を通過する加熱処理時間を変更して加熱する第２の加熱工程と、
を有することを特徴とする熱処理方法。
【請求項１】
基板を水平に搬送しつつ基板に加熱処理を行う熱処理装置であって、
基板搬送路を有し、基板を前記基板搬送路に沿って水平に搬送する基板搬送手段と、
前記基板搬送路に沿って配置され、基板を加熱するための第１の加熱手段と、
前記搬送路に沿って、かつ、前記第１の加熱手段の後段に配置され、基板を加熱するための第２の加熱手段と、
前記第１の加熱手段で加熱された基板の温度を検出するための基板温度検出手段と、
この基板温度検出手段の検出結果に基づいて、前記第２の加熱手段に対応する前記基板搬送路における前記基板搬送手段の基板搬送速度を制御する制御部と、
を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記第１の加熱手段の設定温度が、前記第２の加熱手段の設定温度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記基板温度検出手段で温度を検出した基板が、前記基板搬送路の所定の位置に達したことを検出する基板検出手段を有し、
前記基板検出手段は、前記第２の加熱手段に対応する前記基板搬送路の所定の位置より前段に配置され、
前記基板検出手段が基板を検出した際に、前記制御部に基板の検出が伝えられ、前記制御部が前記第２の加熱手段に対応する前記基板搬送手段の基板搬送速度を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
基板を水平に搬送しつつ基板を加熱する熱処理方法であって、
基板を水平に所定の速度で搬送しつつ、第１の温度で基板を加熱する第１の加熱工程と、
前記第１の加熱工程後、加熱された基板の温度を検出する温度検出工程と、
前記温度検出工程後、基板の温度の検出結果に基づいて、基板の搬送速度を変更することによって、加熱領域を通過する加熱処理時間を変更して加熱する第２の加熱工程と、
を有することを特徴とする熱処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−９８３００（Ｐ２０１３−９８３００Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３８７９７（Ｐ２０１１−２３８７９７）
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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