画像形成装置
【課題】像保持体の表面層に含まれる硬化触媒由来の生成物の光吸収波長を含む光が、除電光として像保持体に照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラの抑制された画像形成装置を提供する。
【解決手段】画像形成装置１０では、像保持体７の感光層（すなわち電荷発生層）に含まれる電荷発生材料の光吸収波長と、像保持体７の表面層の光吸収波長とが異なり、且つ、除電装置２０から照射される除電光の波長が、表面層の光吸収波長以外の波長とされている。
【解決手段】画像形成装置１０では、像保持体７の感光層（すなわち電荷発生層）に含まれる電荷発生材料の光吸収波長と、像保持体７の表面層の光吸収波長とが異なり、且つ、除電装置２０から照射される除電光の波長が、表面層の光吸収波長以外の波長とされている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
引用文献１では、除電ランプの発光面を像保持体面に向かい合う支持部材側に向けて発光し、支持部材の反射光によって像保持体面を除電する除電装置を設けた画像形成装置が提案されている。
【０００３】
引用文献２では、複数の点状光源を一列に配列して構成し、その配列間隔を、一列に配置された光源から被照射体までの距離より小さくし、長手方向最端部に配置されている光源と該光源に隣接して配置されている光源との間隔を平均の配置間隔より小さくした除電ランプが提案されている。
【０００４】
引用文献３では、像保持体に除電ユニットから除電光を照射するにあたり、光路確保部材を用いて除電光を導光させて、光路確保部材の端縁部と像保持体との間隔について、像保持体の軸方向中央部においては第１の距離ｄ１とし、軸方向両端部においては第１の距離ｄ１より長い第２の距離ｄ２として、除電光の照射幅を軸方向両端部において広くし除電光量を多くすることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１３７４４９号公報
【特許文献２】特開２００１−０３４１２９号公報
【特許文献３】特開２００６−２３４８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、像保持体の表面層に含まれる硬化触媒由来の生成物の光吸収波長を含む光が、除電光として像保持体に照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラの抑制された画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、基体上に、電荷発生材料を含む感光層、及び硬化性樹脂と硬化触媒とを含む表面層が順に設けられ、前記電荷発生材料の光吸収波長と前記表面層の光吸収波長とが異なる像保持体と、前記像保持体を帯電させる帯電装置と、前記像保持体に静電潜像を形成する潜像形成装置と、前記像保持体に形成された静電潜像をトナーによってトナー像に現像する現像装置と、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、前記像保持体に、前記表面層の光吸収波長以外の波長の除電光を照射する除電装置と、を備えた画像形成装置である。
【０００８】
請求項２に係る発明は、前記除電装置が、前記像保持体の軸方向に延在され、光を導光する導光部材と、該導光部材の長尺方向の少なくとも一端側に設けられた光源と、から構成された請求項１に記載の画像形成装置である。
【０００９】
請求項３に係る発明は、前記像保持体を加熱する加熱装置を備えた請求項１または請求項２に記載の画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１に係る発明によれば、像保持体の表面層に含まれる硬化触媒の光吸収波長を含む光が除電光として像保持体に照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラが抑制される、という効果を奏する。
【００１１】
請求項２に係る発明によれば、除電装置を導光部材を含まない構成とした場合に比べて、像保持体の幅方向における除電光の強度のムラが抑制される、という効果を奏する。
【００１２】
請求項３に係る発明によれば、加熱装置を備えない場合に比べて、除電光に起因する画像のムラが更に抑制される、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る像保持体の概略部分を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る像保持体の概略部分を示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る像保持体の概略部分を示す断面図である。
【図５】実施形態に係る除電装置の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本実施の形態の画像形成装置の一の形態を詳細に説明する。
図１に示すように、本実施の形態に係る画像形成装置１０には、像保持体７を備えたプロセスカートリッジ３０が設けられている。像保持体７は、円柱状とされ、図示を省略するモータにより、回転駆動（図１中の矢印Ａ方向）される。
【００１５】
プロセスカートリッジ３０内の、像保持体７の周辺には、帯電装置８、潜像形成装置９、現像装置１２、転写装置４０、清掃装置１３、除電装置２０、及び加熱装置２２が、像保持体７の回転方向に沿って順に配設されている。また、画像形成装置１０には、中間転写体５０が設けられている。
【００１６】
帯電装置８は、像保持体７表面を帯電する。帯電装置８は、像保持体７表面に接触または非接触で設けられ、像保持体７の表面を帯電する。帯電装置８としては、像保持体７に接触して配置される接触型帯電器や、像保持体７に非接触で配置される非接触型帯電器が挙げられる。非接触型帯電器としては、コロトロン帯電器やスコロトロン帯電器が挙げられる。
【００１７】
潜像形成装置９は、プロセスカートリッジ３０の図示を省略する開口部を介して像保持体７へ、形成対象の画像情報に応じて変調された露光光を照射することで、像保持体７上に画像情報の画像に応じた静電潜像を形成する。この潜像形成装置９としては、半導体レーザ光、ＬＥＤ（発光ダイオード）光、液晶シャッタ光等の露光光を露光する光学系機器等が挙げられる。
【００１８】
現像装置１２には、現像剤が貯留されている。この現像剤としては、公知の一成分系現像剤や、公知の二成分系現像剤等が挙げられる。現像装置１２は、現像剤を像保持体７へ供給することによって、該像保持体７上の静電潜像をトナーによって現像してトナー像とする。この現像装置１２としては、公知の現像装置を用いればよい。
【００１９】
像保持体７周辺の、現像装置１２の配設位置より像保持体７の回転方向下流側には、転写装置４０が設けられている。転写装置４０は、像保持体７との間で中間転写体５０を挟んで搬送し、この中間転写体５０上に像保持体７上のトナー像を転写する。中間転写体５０上に転写されたトナー像は、図示を省略する支持部材によって搬送された記録媒体（図示省略）に転写された後に、図示を省略する定着装置によって記録媒体に定着される。トナー像の定着によって画像の形成された記録媒体は、図示を省略する支持部材によって画像形成装置１０の外部へと搬送される。
【００２０】
像保持体７の回転方向（図１中矢印Ａ方向）の、転写装置４０の設けられた位置より像保持体７の回転方向下流側で、露光装置８の設けられた位置より像保持体７の回転方向上流側には、清掃装置１３、除電装置２０、及び加熱装置２２が配設されている。
【００２１】
清掃装置１３は、像保持体７上の残留トナーや紙粉等の付着物を除去する。清掃装置１３としては、例えば、像保持体７に対して線圧１０ｇ／ｃｍ以上１５０ｇ／ｃｍ以下で接触する部材を有する構成が挙げられる。
【００２２】
除電装置２０は、除電光を像保持体７へ照射することによって像保持体７を除電する。この除電装置２０は、光を照射する光源２０Ａを含んで構成されている。除電装置２０の詳細は、後述する。
【００２３】
加熱装置２２は、像保持体７を加熱するための装置である。この加熱装置２２は、像保持体７の少なくとも表面層（詳細後述）に熱を加えられる構成であればよく、公知の装置が用いられる。この加熱装置２２の配置される位置は、像保持体７の少なくとも表面層（詳細後述）に熱を加えられる位置であればよく、図１に示すように、像保持体７の外周面側から像保持体７に熱を加える位置に配置された構成に限られず、像保持体７の内周側から該表面層（詳細後述）に熱を加える位置（像保持体７の内部）に配置されていてもよい。図１では、加熱装置２２は、除電装置２０より像保持体７の回転方向下流側で且つ帯電装置８より像保持体７の回転方向上流側に設けられた構成である場合を説明するが、像保持体７の少なくとも表面層（詳細後述）に熱を加える位置に配置されていればよく、この位置に限られない。
【００２４】
なお、本発明の画像形成装置が、本実施の形態の画像形成装置１０に相当し、本発明の画像形成装置における像保持体が、本実施の形態の像保持体７に相当する。また、本発明の画像形成装置における帯電装置が、本実施の形態の帯電装置８に相当し、潜像形成装置が、本実施の形態の潜像形成装置９に相当し、現像装置が、本実施の形態の現像装置１２に相当し、転写装置が、本実施の形態の転写装置４０に相当する。
また、本発明の画像形成装置の除電装置が、本実施の形態の除電装置２０に相当し、本発明の画像形成装置の加熱装置が、本実施の形態の加熱装置２２に相当する。
【００２５】
次に本実施の形態の像保持体７の構成について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
【００２６】
図２は、像保持体７の一の実施形態を模式的に示した断面図である。図３及び図４は、本実施の形態の像保持体７の、図２とは異なる態様を模式的に示した断面図である。
【００２７】
図２に示す像保持体７は、基体４上に、電荷発生材料を含む感光層１１、及び硬化性樹脂と硬化触媒を含む表面層５が順に設けられた構成とされている。感光層１１は、下引層１上に、電荷発生層２、及び電荷輸送層３が順に形成された構成とされている。
【００２８】
なお、像保持体７は、基体４上に、電荷発生材料を含む感光層１１、及び硬化性樹脂と硬化触媒を含む表面層５が順に設けられた構成とされていればよく、図２に示す構成に限られない。
【００２９】
例えば、図３に示すように、感光層１１が、下引層１上に、電荷輸送層３、及び電荷発生層２が順に設けられた構成とされた構成の像保持体７とされていてもよく、図４に示すように、感光層１１が、下引層１上に、電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む単層型の層６の設けられた構成とされた像保持体７であってもよい。また、像保持体７は、下引層１の設けられていない構成であってもよい。
【００３０】
なお、本発明の画像形成装置の像保持体における基体が、本実施の形態の像保持体７の基体４に相当し、本発明の画像形成装置の像保持体における感光層が、本実施の形態の感光層１１に相当する。また、本発明の画像形成装置の像保持体における表面層が、本実施の形態の像保持体７の表面層５に相当する。
【００３１】
＜基体＞
基体４としては、例えば、アルミニウム、銅、亜鉛、ステンレス、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等の金属又は合金を用いて構成される金属板、金属ドラム、及び金属ベルト、又は、導電性ポリマー、酸化インジウム等の導電性化合物やアルミニウム、パラジウム、金等の金属又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、プラスチックフィルム、ベルト等が挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３２】
＜下引層＞
下引層１は、例えば、結着樹脂に無機粒子を含有して構成される。無機粒子としては、下引層１のリーク耐性、キャリアブロック性獲得の観点から、粉体抵抗（体積抵抗率）１０2Ω・ｃｍ以上１０11Ω・ｃｍ以下のものが挙げられる。
下引層１に含有される結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の公知の高分子樹脂化合物、また電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂等が挙げられる。
【００３３】
この下引層１中には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加物を用いてもよい。添加物としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤としてさらに下引層形成用塗布液に添加してもよい。
【００３４】
＜電荷発生層＞
電荷発生層２は電荷発生材料及び結着樹脂を含有する層である。この電荷発生層２に含まれる電荷発生材料が、本発明の画像形成装置の像保持体における、感光層に含まれる電荷発生材料に相当する。
【００３５】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、ピロロピロール顔料、フタロシアニン顔料、酸化亜鉛、三方晶系セレン等が挙げられる。これらの中でも、潜像形成装置９から潜像形成のために照射される露光光が近赤外域の光である場合には、電荷発生材料としては、金属及又は無金属フタロシアニン顔料が挙げられ、具体的には、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン、特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン、特開平４−１８９８７３号公報、特開平５−４３８２３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンが挙げられる。また、潜像形成装置９から潜像形成のために照射される露光光が近紫外域の光である場合には、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料、チオインジゴ系顔料、ポルフィラジン化合物、酸化亜鉛、三方晶系セレン等が挙げられる。
【００３６】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、分散性の観点からは、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が挙げられる。また、この８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を用いる場合には、分散性、感度、帯電性、及び暗減衰特性等の特性低下の抑制の観点から、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが良い。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下や、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下が挙げられ、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上や、５０ｍ２／ｇ以上や、５５ｍ２／ｇ以上１２０ｍ２／ｇ以下が挙げられる。この平均粒径は、体積平均粒径（ｄ５０平均粒径）でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００、堀場製作所社製）にて測定した値である。また、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
【００３７】
また、上記のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°に回折ピークを有するものであることが良い。
【００３８】
また、このヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、２５℃から４００℃まで昇温したときの熱重量減少率としては、２．０％以上４．０％以下、または２．５％以上３．８％以下が良い。なお、熱重量減少率は熱天秤等により測定される。上記熱重量減少率が上記範囲内であると、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に含有される不純物の影響による感度特性、繰り返し使用時における電位の安定性、感度の低下、及び画像品質の低下が抑制されると考えられる。
【００３９】
電荷発生層２に使用される結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。結着樹脂としては、具体的には、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。電荷発生材料と結着樹脂の配合比としては、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
【００４０】
この電荷発生層２は、電荷発生材料及び結着樹脂を溶剤中に分散した塗布液を用いて、公知の塗布方法を用いて塗布することで形成すればよい。
【００４１】
分散に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等が挙げられ、これらは１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【００４２】
また、電荷発生材料及び結着樹脂を溶剤中に分散させる方法としては、分散による電荷発生材料の結晶型の変化の抑制の観点から、ボールミル分散法、アトライター分散法、サンドミル分散法等の通常の方法が挙げられる。この分散の際には、電荷発生材料の平均粒径を、０．５μｍ以下、０．３μｍ以下、または０．１５μｍ以下にするとよい。
【００４３】
電荷発生層２の膜厚としては、０．１μｍ以上５．０μｍ以下や、０．２μｍ以上２．０μｍ以下が挙げられる。
【００４４】
＜電荷輸送層＞
電荷輸送層３は、電荷輸送材料と結着樹脂を含有して形成される。
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの正孔輸送性化合物があげられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられるが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
電荷輸送層３に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。また、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等の高分子電荷輸送材を用いてもよい。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は質量比で１０：１から１：５までが挙げられる。
【００４６】
また、電荷輸送材料として高分子電荷輸送材を用いてもよい。高分子電荷輸送材としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシランなどの電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材は、他種に比べ高い電荷輸送性を有しており、特に良い。
【００４７】
電荷輸送層３は、上記構成材料を含有する電荷輸送層の形成用の塗布液を用いて形成される。電荷輸送層の形成用の塗布液に用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を単独又は２種以上混合して用いられる。また、上記各構成材料の分散方法としては、公知の方法が使用される。
【００４８】
電荷輸送層の形成用の塗布液を電荷発生層２の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、マイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００４９】
電荷輸送層３の膜厚としては、５μｍ以上５０μｍ以下や、１０μｍ以上３０μｍ以下が挙げられる。
【００５０】
なお、上記では、図２に示される像保持体７が有する機能分離型の感光層１１の例を説明したが、図３に示される像保持体７が有する単層型の感光層１１（電荷発生／電荷輸送層）中の電荷発生材料の含有量は、１０質量％以上８５質量％以下や、２０質量％以上５０質量％以下が挙げられる。また、電荷輸送材料の含有量としては、５質量％以上５０質量％以下が挙げられる。単層型の感光層１１（電荷発生／電荷輸送層）の形成方法は、電荷発生層２や電荷輸送層３の形成方法と同様である。単層型の感光層（電荷発生／電荷輸送層）１１の膜厚としては、５μｍ以上５０μｍ以下や、１０μｍ以上４０μｍ以下が挙げられる。
【００５１】
＜表面層＞
表面層５について説明する。
表面層５は、像保持体７において、最も表面側（すなわち、最も外面側）に設けられた層であり、感光層１１を保護するために別途設けられた層である。表面層５を有することで、像保持体の最表面に、磨耗、傷などに対する耐性を持たせ、且つトナーの転写効率が向上される。
【００５２】
本実施の形態において、表面層５は、少なくとも硬化性樹脂と、硬化触媒と、電荷輸送材を含んで構成されている。表面層５は、上記硬化性樹脂に硬化性触媒を添加して架橋させた架橋膜とされることで、機械強度が向上される。
なお、本実施の形態では、表面層５は、電荷発生層２及び電荷輸送層３を含む感光層１１の表面に設けられた層であるものとして説明するが、電荷発生材料を含む電荷発生層２とは別の層として設けられ、且つ像保持体７において最も外側に設けられた層であればよい。このため、電荷発生層２より表面側に電荷輸送層３が設けられている場合には、この電荷輸送層３を表面層５として機能させてもよい。この場合には、上記電荷輸送層３の構成材料に、下記に説明する表面層５の構成材料を加えたものを表面層５として用い、感光層１１を、電荷発生層２または電荷発生層２と下引層１を含んだ構成とすればよい。
【００５３】
まず、硬化性樹脂について説明する。硬化性樹脂は、架橋性の材料であり、フェノール樹脂、硬化性アクリル樹脂、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の熱架橋性の材料が挙げられる。これらの中でも、表面層５の機械強度、電気特性、及び付着物除去性の点で、フェノール樹脂、硬化性アクリル樹脂、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂などの熱架橋性の材料が挙げられる。これらの中でも、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械強度、電気特性及び付着物除去性の点でフェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、硬化性アクリル樹脂が良く、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂がより良い。これらの材料は、特に、硬化性樹脂のうちでも、極性の高い硬化性樹脂であり、塗膜欠陥が生じやすい材料であるが、塗膜欠陥が抑制されると共に、表面層５の機械的強度も向上されると考えられる。
【００５４】
この表面層５は、電気特性の改良の観点から、電荷輸送性材料を含むことが良い。
【００５５】
中でも、表面層５の機械的強度及び電気的安定性の観点からは、表面層５は、硬化性樹脂である、グアナミン樹脂（グアナミン構造を有する化合物、以下、適宜「グアナミン化合物」と称する場合がある）及びメラミン樹脂（メラミン構造を有する化合物、以下、適宜「メラミン化合物」と称する）から選択される少なくとも１種の化合物と、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、及び−ＣＯＯＨから選ばれる置換基の少なくとも１つを有する電荷輸送性材料（以下、適宜「特定の電荷輸送性材料」と称する）の少なくとも１種と、を含む組成物の架橋物からなる層であることが良い。
硬化性樹脂としてのグアナミン化合物及びメラミン化合物から選択される少なくとも１種と、上記の特定の置換基を有する上記特定の電荷輸送性材料と、により架橋部位（架橋サイト）が多官能化されて高度に架橋され、機械強度が向上され環境による電気特性の変動の抑制された表面層５が形成されると考えられる。
また、グアナミン化合物及びメラミン化合物から選択される少なくとも１種の化合物は、該化合物及び特定の電荷輸送性材料を含む組成物における固形分濃度が０．１質量％以上５質量％であることが良い。
【００５６】
まず、グアナミン化合物について説明する。
グアナミン化合物は、グアナミン骨格（構造）を有する化合物であり、例えば、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、ホルモグアナミン、ステログアナミン、スピログアナミン、シクロヘキシルグアナミンなどが挙げられる。
【００５７】
グアナミン化合物としては、特に下記一般式（Ａ）で示される化合物及びその多量体の少なくとも１種であることが良い。ここで、多量体は、一般式（Ａ）で示される化合物を構造単位として重合されたオリゴマーであり、その重合度は例えば２以上２００以下（望ましくは２以上１００以下）である。なお、一般式（Ａ）で示される化合物は、一種単独で用いもよりが、２種以上を併用してもよい。特に、一般式（Ａ）で示される化合物は、２種以上混合して用いたり、それを構造単位とする多量体（オリゴマー）として用いたりすると、溶剤に対する溶解性が向上されると考えられる。
【００５８】
【化１】
【００５９】
一般式（Ａ）中、Ｒ１は、炭素数１以上１０以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキル基、炭素数６以上１０以下の置換若しくは未置換のフェニル基、又は炭素数４以上１０以下の置換若しくは未置換の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ２乃至Ｒ５は、それぞれ独立に水素、−ＣＨ２−ＯＨ、又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ６を示す。Ｒ６は、炭素数１以上１０以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキル基を示す。
【００６０】
一般式（Ａ）において、Ｒ１を示すアルキル基は、炭素数が１以上１０以下であるが、望ましくは炭素数が１以下８以上であり、より望ましくは炭素数が１以上５以下である。また、当該アルキル基は、直鎖状であってもよし、分鎖状であってもよい。
【００６１】
一般式（Ａ）中、Ｒ１を示すフェニル基は、炭素数６以上１０以下であるが、より望ましくは６以上８以下である。当該フェニル基に置換される置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
【００６２】
一般式（Ａ）中、Ｒ１を示す脂環式炭化水素基は、炭素数４以上１０以下であるが、より望ましくは５以上８以下である。当該脂環式炭化水素基に置換される置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
【００６３】
一般式（Ａ）中、Ｒ２乃至Ｒ５を示す「−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ６」において、Ｒ６を示すアルキル基は、炭素数が１以上１０以下であるが、望ましくは炭素数が１以下８以上であり、より望ましくは炭素数が１以上６以下である。また、当該アルキル基は、直鎖状であってもよし、分鎖状であってもよい。望ましくは、メチル基、エチル基、ブチル基などが挙げられる。
【００６４】
一般式（Ａ）で示される化合物としては、Ｒ１が炭素数６以上１０以下の置換若しくは未置換のフェニル基を示し、Ｒ２乃至Ｒ５がそれぞれ独立に−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ６を示される化合物が良い。また、Ｒ６は、メチル基又はｎ-ブチル基から選ばれることが良い。
【００６５】
一般式（Ａ）で示される化合物は、例えば、グアナミンとホルムアルデヒドとを用いて公知の方法（例えば、実験化学講座第４版、２８巻、４３０ページ）で合成される。
【００６６】
次に、メラミン化合物について説明する。
メラミン化合物としては、メラミン骨格（構造）であり、下記一般式（Ｂ）で示される化合物及びその多量体の少なくとも１種が挙げられる。ここで、多量体は、一般式（Ａ）と同様に、一般式（Ｂ）で示される化合物を構造単位として重合されたオリゴマーであり、その重合度は例えば２以上２００以下（望ましくは２以上１００以下）である。なお、一般式（Ｂ）で示される化合物又はその多量体は、一種単独で用いもよりが、２種以上を併用してもよい。また、前記一般式（Ａ）で示される化合物又はその多量体と併用してもよい。特に、一般式（Ｂ）で示される化合物は、２種以上混合して用いたり、それを構造単位とする多量体（オリゴマー）として用いたりすると、溶剤に対する溶解性が向上される。
【００６７】
【化２】
【００６８】
一般式（Ｂ）中、Ｒ６乃至Ｒ１１はそれぞれ独立に、水素原子、−ＣＨ２−ＯＨ、−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ１２を示し、Ｒ１２は炭素数１以上５以下の分岐してもよいアルキル基を示す。当該アルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基などが挙げられる。
【００６９】
一般式（Ｂ）で示される化合物は、例えば、メラミンとホルムアルデヒドとを用いて公知の方法（例えば、実験化学講座第４版、２８巻、４３０ページのメラミン樹脂と同様に合成される）で合成される。
【００７０】
これらのグアナミン化合物及びメラミン化合物から選択される少なくとも１種の、表面層用の塗布液における固形分濃度は、表面層５の機械的強度の維持及び電気特性や耐ゴースト性の観点から、０．１質量％以上５質量％以下、１質量％以上３質量％以下、が挙げられる。
【００７１】
次に、上記の特定の電荷輸送性材料について説明する。特定の電荷輸送性材料は、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、及び−ＣＯＯＨから選択される置換基の少なくとも１つを持つものである。特に、特定の電荷輸送性材料としては、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、及び−ＣＯＯＨから選択される置換基を少なくとも２つ（さらには３つ）持つものが好適に挙げられる。この如く、特定の電荷輸送性材料に反応性官能基（当該置換基）が増えることで、架橋密度が上がり、より強度の高い架橋膜が得られ、特にブレードクリーナーを用いた際の像保持体の回転トルクが低減され、ブレードへのダメージの抑制や、像保持体の磨耗が抑制されると考えられる。この詳細は不明であるが、反応性官能基の数が増すことで、架橋密度の高い硬化膜が得られることから、像保持体の極表面の分子運動が抑制されてブレード部材表面分子との相互作用が弱まるためと推測される。
【００７２】
特定の電荷輸送性材料としては、下記一般式（Ｉ）で示される化合物が挙げられる。
Ｆ−((−Ｒ１−Ｘ)ｎ１（Ｒ２）ｎ２−Ｙ)ｎ３ (Ｉ)
【００７３】
一般式（Ｉ）中、Ｆは正孔輸送能を有する化合物から誘導される有機基、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に炭素数１以上５以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキレン基を示し、ｎ１は０又は１を示し、ｎ２は０又は１を示し、ｎ３は１以上４以下の整数を示す。Ｘは酸素、ＮＨ、又は硫黄原子を示し、Ｙは−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、又は−ＣＯＯＨを示す。
【００７４】
一般式（Ｉ）中、Ｆを示す正孔輸送能を有する化合物から誘導される有機基における正孔輸送能を有する化合物としては、アリールアミン誘導体が好適に挙げられる。アリールアミン誘導体としては、トリフェニルアミン誘導体、テトラフェニルベンジジン誘導体が挙げられる。
【００７５】
そして、一般式（Ｉ）で示される化合物は、下記一般式（ＩＩ）で示される化合物であることが望ましい。一般式（ＩＩ）で示される化合物は、特に、電荷移動度、酸化などに対する安定性等に優れると考えられる。
【００７６】
【化３】
【００７７】
一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１乃至Ａｒ４は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示し、Ａｒ５は置換若しくは未置換のアリール基又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、Ｄは−（−Ｒ１−Ｘ）ｎ１（Ｒ２）ｎ２−Ｙを示し、ｃはそれぞれ独立に０又は１を示し、ｋは０又は１を示し、Ｄの総数は１以上４以下である。また、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に炭素数１以上５以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキレン基を示し、ｎ１は０又は１を示し、ｎ２は０又は１を示し、Ｘは酸素、ＮＨ、又は硫黄原子を示し、Ｙは−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、又は−ＣＯＯＨを示す。
【００７８】
一般式（ＩＩ）中、Ｄを示す「−(−Ｒ１−Ｘ)ｎ１（Ｒ２）ｎ２−Ｙ」は、一般式（Ｉ）と同様であり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に炭素数１以上５以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキレン基である。また、ｎ１として望ましくは、１である。また、ｎ２として望ましくは、１である。また、Ｘとしては、酸素が挙げられる。また、Ｙとしては水酸基が挙げられる。
なお、一般式（ＩＩ）におけるＤの総数としては、一般式（Ｉ）におけるｎ３に相当し、例えば、２以上４以下や、３以上４以下が挙げられる。つまり、一般式（Ｉ）や一般式（ＩＩ）において、Ｄの総数を、一分子中に２以上４以下、または３以上４以下とすると、架橋密度が上がり、より強度の高い架橋膜が得られ、像保持体７の回転トルクが低減され、ブレードへのダメージの抑制や、像保持体７の磨耗が抑制されると考えられる。
【００７９】
一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１乃至Ａｒ４としては、下記式（１）乃至（７）のうちのいずれかであることが良い。なお、下記式（１）乃至（７）は、Ａｒ１乃至Ａｒ４の各々に連結され得る「−（Ｄ）Ｃ」と共に示す。
【００８０】
【化４】
【００８１】
式（１）乃至（７）中、Ｒ９は水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルキル基もしくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基からなる群より選ばれる１種を表し、Ｒ１０乃至Ｒ１２はそれぞれ水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、ハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、Ａｒは置換又は未置換のアリーレン基を表し、Ｄ及びｃは一般式（ＩＩ）における「Ｄ」、「ｃ」と同様であり、ｓはそれぞれ０又は１を表し、ｔは１以上３以下の整数を表す。
【００８２】
ここで、式（７）中のＡｒとしては、下記式（８）又は（９）で表されるものが望ましい。
【００８３】
【化５】
【００８４】
式（８）、（９）中、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、ハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、ｔは１以上３以下の整数を表す。
【００８５】
また、式（７）中のＺ’としては、下記式（１０）乃至（１７）のうちのいずれかで表されるものが望ましい。
【００８６】
【化６】
【００８７】
式（１０）乃至（１７）中、Ｒ１５及びＲ１６はそれぞれ水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基もしくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、ハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、Ｗは２価の基を表し、ｑ及びｒはそれぞれ１以上１０以下の整数を表し、ｔはそれぞれ１以上３以下の整数を表す。
【００８８】
上記式（１６）乃至（１７）中のＷとしては、下記（１８）乃至（２６）で表される２価の基のうちのいずれかであることが望ましい。但し、式（２５）中、ｕは０以上３以下の整数を表す。
【００８９】
【化７】
【００９０】
また、一般式（ＩＩ）中、Ａｒ５は、ｋが０のときはＡｒ１乃至Ａｒ４の説明で例示された上記（１）乃至（７）のアリール基であり、ｋが１のときはかかる上記（１）乃至（７）のアリール基から所定の水素原子を除いたアリーレン基である。
【００９１】
上記特定の電荷輸送性材料の少なくとも１種の、表面層用の塗布液における固形分濃度としては、電気的特性の低下抑制の観点から、９０質量％以上や、９４質量％以上が挙げられる。
【００９２】
更に、表面層５には、残留電位を下げる目的、又は強度を向上させる目的で、各種粒子を添加してもよい。粒子の一例として、ケイ素含有粒子が挙げられる。ケイ素含有粒子とは、構成元素にケイ素を含む粒子であり、具体的には、コロイダルシリカ及びシリコーン粒子等が挙げられる。ケイ素含有粒子として用いられるコロイダルシリカは、平均粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下のシリカを、酸性もしくはアルカリ性の水分散液、アルコール、ケトン、又はエステル等の有機溶媒中に分散させたものから選ばれ、一般に市販されているものを使用してもよい。表面層５中のコロイダルシリカの固形分含有量は、特に限定されるものではないが、製膜性、電気特性、強度の面から、表面層５の全固形分全量を基準として、０．１質量％以上５０質量％以下、望ましくは０．１質量％以上３０質量％以下の範囲で用いられる。
【００９３】
ケイ素含有粒子として用いられるシリコーン粒子は、シリコーン樹脂粒子、シリコーンゴム粒子、シリコーン表面処理シリカ粒子から選ばれ、一般に市販されているものが使用される。これらのシリコーン粒子は球状で、その平均粒径は望ましくは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より望ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。シリコーン粒子は、化学的に不活性で、樹脂への分散性に優れる小径粒子であり、さらに十分な特性を得るために必要とされる含有量が低いため、架橋反応を阻害することなく、像保持体の表面性状が改善される。すなわち、強固な架橋構造中にバラツキが生じることなく取り込まれた状態で、像保持体表面の潤滑性、撥水性を向上させ、長期にわたって良好な耐磨耗性、耐汚染物付着性が維持されると考えられる。表面層５中のシリコーン粒子の含有量としては、表面層５の全固形分全量を基準として、０．１質量％以上３０質量％以下、０．５質量％以上１０質量％以下が挙げられる。
【００９４】
また、その他の粒子としては、四フッ化エチレン、三フッ化エチレン、六フッ化プロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等のフッ素系粒子や“第８回ポリマー材料フォーラム講演予稿集 ｐ８９”に示される如く、フッ素樹脂と水酸基を有するモノマーを共重合させた樹脂からなる粒子、ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3、ＳｎＯ2−Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2、ＺｎＯ2−ＴｉＯ2、ＺｎＯ−ＴｉＯ2、ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3、ＦｅＯ−ＴｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＭｇＯ等の半導電性金属酸化物が挙げられる。また、同様な目的でシリコーンオイル等のオイルを添加してもよい。シリコーンオイルとしては、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、フェニルメチルシロキサン等のシリコーンオイル；アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル；ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の環状ジメチルシクロシロキサン類；１，３，５−トリメチル−１．３．５−トリフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン等の環状メチルフェニルシクロシロキサン類；ヘキサフェニルシクロトリシロキサン等の環状フェニルシクロシロキサン類；（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルシクロトリシロキサン等のフッ素含有シクロシロキサン類；メチルヒドロシロキサン混合物、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、フェニルヒドロシクロシロキサン等のヒドロシリル基含有シクロシロキサン類；ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン等のビニル基含有シクロシロキサン類等が挙げられる。
【００９５】
また、表面層５には、金属、金属酸化物及びカーボンブラック等を添加してもよい。金属としては、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、ニッケル、銀及びステンレス等、又はこれらの金属をプラスチックの粒子の表面に蒸着したもの等が挙げられる。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンやタンタルをドープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジルコニウム等が挙げられる。これらは単独で用いることも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上を組み合わせて用いる場合は、単に混合しても、固溶体や融着の形にしてもよい。これらの導電性の粒子の平均粒径は表面層の透明性の点で０．３μｍ以下、特に０．１μｍ以下が望ましい。
【００９６】
上記構成の表面層５には、硬化触媒が含有されている。
この硬化触媒は、表面層５に含まれる上記硬化性樹脂の架橋硬化や、上記特定の電荷輸送材料が含まれる場合には該硬化性樹脂と該電荷輸送材料等の架橋硬化を促進するために用いられる。
この硬化触媒としては、表面層５に含まれる上記硬化性樹脂や、該架橋硬化を促進する触媒であればよいが、例えば、酸系の触媒が挙げられる。
【００９７】
酸系の触媒としては、酢酸、クロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、マレイン酸、マロン酸、乳酸などの脂肪族カルボン酸、安息香酸、フタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸などの芳香族カルボン酸、メタンスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、などの脂肪族、及び芳香族スルホン酸類などが用いられる。
【００９８】
これらの硬化触媒の中でも、含硫黄系材料は、上記硬化性樹脂としてのグアナミン化合物（一般式（Ａ）で示される化合物）及びメラミン化合物（一般式（Ｂ）で示される化合物）や、上記の特定の電荷輸送材料の硬化触媒として優れた機能を発揮し、硬化反応を促進して得られる表面層５の機械的強度が向上されると考えられる。更に、電荷輸送性材料として上記一般式（Ｉ）（一般式（ＩＩ）含む）で表される化合物を用いる場合、含硫黄系材料は、これら電荷輸送性材料に対するドーパントとしても優れた機能を発揮し、得られる機能層の電気特性がより向上されると考えられる。その結果、像保持体７を形成した場合に、機械強度、成膜性及び電気特性が向上されると考えられる。
【００９９】
硬化触媒としての含硫黄系材料は、常温（例えば２５℃）、又は、加熱後に酸性を示すものが良く、接着性、ゴースト、電気特性の観点で有機スルホン酸及びその誘導体の少なくとも１種が良い。表面層５中にこれら触媒の存在は、ＸＰＳ等により容易に確認される。
【０１００】
有機スルホン酸及び／又はその誘導体としては、例えば、パラトルエンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸（ＤＮＮＳＡ）、ジノニルナフタレンジスルホン酸（ＤＮＮＤＳＡ）、ドデシルベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸等が挙げられる。これらの中でも、触媒能、成膜性の観点から、パラトルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸が用いられる。また、硬化性樹脂組成物中で、ある程度解離されれば、有機スルホン酸塩を用いてもよい。
【０１０１】
また、一定以上の温度をかけたときに触媒能力が高くなる、所謂、熱潜在性触媒を用いてもよい。熱潜在性触媒を用いることで、液保管温度では触媒能が低く、硬化時に触媒能が高くなるため、硬化温度の低下と、保存安定性が両立されると考えられる。
【０１０２】
熱潜在性触媒として、たとえば有機スルホン化合物等をポリマーで粒子状に包んだマイクロカプセル、ゼオライトの如く空孔化合物に酸等を吸着させたもの、プロトン酸及び／又はプロトン酸誘導体を塩基でブロックした熱潜在性プロトン酸触媒や、プロトン酸及び／又はプロトン酸誘導体を一級もしくは二級のアルコールでエステル化したもの、プロトン酸及び／又はプロトン酸誘導体をビニルエーテル類及び／又はビニルチオエーテル類でブロックしたもの、三フッ化ホウ素のモノエチルアミン錯体、三フッ化ホウ素のピリジン錯体などがあげられる。中でも、触媒能、保管安定性、入手、コストの面でプロトン酸及び／又はプロトン酸誘導体を塩基でブロックしたものが良い。
【０１０３】
熱潜在性プロトン酸触媒のプロトン酸として、硫酸、塩酸、酢酸、ギ酸、硝酸、リン酸、スルホン酸、モノカルボン酸、ポリカルボン酸類、プロピオン酸、シュウ酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フタル酸、マレイン酸、ベンゼンスルホン酸、ｏ、ｍ、ｐ−トルエンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ウンデシルベンゼンスルホン酸、トリデシルベンゼンスルホン酸、テトラデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。また、プロトン酸誘導体として、スルホン酸、リン酸等のプロトン酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属円などの中和物、プロトン酸骨格が高分子鎖中に導入された高分子化合物（ポリビニルスルホン酸等）等が挙げられる。プロトン酸をブロックする塩基として、アミン類が挙げられる。
【０１０４】
アミン類として、１級、２級又は３級アミンに分類される。特に制限はなく、いずれも使用してもよい。
【０１０５】
１級アミンとして、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、セカンダリーブチルアミン、アリルアミン、メチルヘキシルアミン等が挙げられる。
【０１０６】
２級アミンとして、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジｔ−ブチルアミン、ジヘキシルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、Ｎ−イソプロピルＮ−イソブチルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジセカンダリーブチルアミン、ジアリルアミン、Ｎ−メチルヘキシルアミン、３−ピペコリン、４−ピペコリン、２，４−ルペチジン、２，６−ルペチジン、３，５−ルペチジン、モルホリン、Ｎ−メチルベンジルアミン等が挙げられる。
【０１０７】
３級アミンとして、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリｔ−ブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリ（２−エチルヘキシル）アミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアリルアミン、Ｎ−メチルジアリルアミン、トリアリルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアリルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ーテトラメチルー１，２ージアミノエタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ーテトラメチルー１，３ージアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ーテトラアリルー１，４ージアミノブタン、Ｎーメチルピペリジン、ピリジン、４ーエチルピリジン、Ｎープロピルジアリルアミン、３−ジメチルアミノプロパノ−ル、２−エチルピラジン、２，３−ジメチルピラジン、２，５−ジメチルピラジン、２，４−ルチジン、２，５−ルチジン、３，４−ルチジン、３，５−ルチジン、２，４，６−コリジン、２−メチル−４−エチルピリジン、２−メチル−５−エチルピリジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ −テトラメチルヘキサメチレンジアミン、Ｎ−エチル−３−ヒドロキシピペリジン、３−メチル−４−エチルピリジン、３−エチル−４−メチルピリジン、４−（５−ノニル）ピリジン、イミダゾ−ル、Ｎ−メチルピペラジン等が挙げられる。
【０１０８】
市販品としては、キングインダストリーズ社製の「ＮＡＣＵＲＥ２５０１」（トルエンスルホン酸解離、メタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．０以上ｐＨ７．２以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２１０７」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、イソプロパノール溶媒、ｐＨ８．０以上ｐＨ９．０以下、解離温度９０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２５００」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．０以上ｐＨ７．０以下、解離温度６５℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２５３０」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、メタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ５．７以上ｐＨ６．５以下、解離温度６５℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２５４７」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、水溶液、ｐＨ８．０以上ｐＨ９．０以下、解離温度１０７℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２５５８」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、エチレングリコール溶媒、ｐＨ３．５以上ｐＨ４．５以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＰ−３５７」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、メタノール溶媒、ｐＨ２．０以上ｐＨ４．０以下、解離温度６５℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＰ−３８６」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、水溶液、ｐＨ６．１以上ｐＨ６．４以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＣ―２２１１」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、ｐＨ７．２以上ｐＨ８．５以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ５２２５」（ドデシルベンゼンスルホン酸解離、イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．０以上ｐＨ７．０以下、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ５４１４」（ドデシルベンゼンスルホン酸解離、キシレン溶媒、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ５５２８」（ドデシルベンゼンスルホン酸解離、イソプロパノール溶媒、ｐＨ７．０以上ｐＨ８．０以下、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ５９２５」（ドデシルベンゼンスルホン酸解離、ｐＨ７．０以上ｐＨ７．５以下、解離温度１３０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ１３２３」（ジノニルナフタレンスルホン酸解離、キシレン溶媒、ｐＨ６．８以上ｐＨ７．５以下、解離温度１５０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ１４１９」（ジノニルナフタレンスルホン酸解離、キシレン／メチルイソブチルケトン溶媒、解離温度１５０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ１５５７」（ジノニルナフタレンスルホン酸解離、ブタノール／２−ブトキシエタノール溶媒、ｐＨ６．５以上ｐＨ７．５以下、解離温度１５０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸ４９−１１０」（ジノニルナフタレンジスルホン酸解離、イソブタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．５以上ｐＨ７．５以下、解離温度９０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ３５２５」（ジノニルナフタレンジスルホン酸解離、イソブタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ７．０以上ｐＨ８．５以下、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＰ−３８３」（ジノニルナフタレンジスルホン酸解離、キシレン溶媒、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ３３２７」（ジノニルナフタレンジスルホン酸解離、イソブタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．５以上ｐＨ７．５以下、解離温度１５０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ４１６７」（リン酸解離、イソプロパノール／イソブタノール溶媒、ｐＨ６．８以上ｐＨ７．３以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＰ−２９７」（リン酸解離、水／イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．５以上ｐＨ７．５以下、解離温度９０℃、「ＮＡＣＵＲＥ４５７５」（リン酸解離、ｐＨ７．０以上ｐＨ８．０以下、解離温度１１０℃）等が挙げられる。
【０１０９】
これらの熱潜在性触媒は単独又は二種類以上組み合わせても使用される。
【０１１０】
ここで、触媒の配合量は、上記硬化性樹脂として用いられる上記グアナミン化合物（一般式（Ａ）で示される化合物）及びメラミン化合物（一般式（Ｂ）で示される化合物）から選択される少なくとも１種の量（塗布液における固形分濃度）に対し、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲や、１０質量％以上３０質量％以下の範囲が挙げられる。この配合量が上記範囲であると、触媒活性と耐光性が得られると考えられる。なお、耐光性とは、像保持体７が室内光などの外界からの光にさらされたときに、照射された部分に相当する画像が濃度低下を起こす現象のことを言う。
【０１１１】
以上の構成の表面層５は、上記硬化性樹脂と、硬化性触媒と、その他の材料と、を含む表面層用の塗布液を用いて形成される。
【０１１２】
表面層５の調製は、無溶媒で行うか、必要に応じてメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル類等の溶剤を用いて行ってもよい。かかる溶剤は１種を単独で又は２種以上を混合して使用されるが、望ましくは沸点が１００℃以下のものである。溶剤としては、特に、少なくとも１種以上の水酸基を持つ溶剤（例えば、アルコール類等）を用いることがよい。
【０１１３】
上記表面層用の塗布液を感光層１１の上に、ブレード塗布法、マイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法により塗布し、必要に応じて例えば温度１００℃以上１７０以下で加熱して硬化させることで、表面層５が得られる。
表面層５の膜厚は、望ましくは１μｍ以上１５μｍ以下、より望ましくは３μｍ以上１０μｍ以下である。
【０１１４】
ここで、上述のように、像保持体７の表面層５には、表面層５の構成材料に含まれる硬化性樹脂の架橋硬化を促進させるために硬化触媒が用いられている。詳細には、表面層５は、上記硬化性樹脂や、必要に応じて添加された上記特定の電荷輸送性材料等に、硬化性触媒を添加して架橋させた架橋膜とされることで機械強度が向上される。
この硬化触媒は、表面層５の固形分中に含まれる含有量が多いほど、膜強度が向上すると考えられる。しかしながら、形成された表面層５に、硬化触媒と電荷輸送材が存在する場合、光照射により表面層５でラジカルが発生する場合がある。このため、画像形成装置１０において、像保持体７は、除電装置２０から除電光を照射されることで除電されるはずであるが、従来では、この除電光の照射によって発生した電荷に、該除電光の照射によって硬化触媒と電荷輸送材により発生したラジカルが付加されて、除電光による電位のムラが像保持体７表面に発生する場合があった。除電光によって生じた像保持体７表面の電位のムラは、結果的に、画像形成装置１０において形成される画像のムラや画質欠陥につながる場合があった。
【０１１５】
本発明者らは、鋭意検討した結果、上記の表面層５にてラジカルが発生するのは、除電光の波長の光を、硬化触媒由来の生成物、すなわち硬化触媒と電荷輸送材と熱硬化性樹脂との反応による生成物が吸収するためと考えた。そこで、本実施の形態の画像形成装置１０では、像保持体７の感光層１１（すなわち電荷発生層２）に含まれる電荷発生材料の光吸収波長と、像保持体７の表面層５に含まれる上記生成物の光吸収波長と、が異なるように、感光層１１に含まれる電荷発生材料と、表面層５に含まれる硬化触媒と、を選択し、除電装置２０から照射される除電光の波長を、表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長以外の波長としている。
【０１１６】
このため、画像形成装置１０において、除電装置２０から像保持体７へ除電光が照射されても、該除電光の照射による硬化触媒における電荷の保持（トラップ）が抑制されると考えられる。従って、像保持体の表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長を含む光が除電光として照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラの抑制された画像形成装置１０が提供されると考えられる。
【０１１７】
なお、この「電荷発生材料の光吸収波長」とは、電荷発生材料の分光吸収スペクトルにおけるピークの波長を示している。また、この「表面層の光吸収波長」とは、硬化触媒と電荷輸送材と熱硬化性樹脂との反応による生成物の分光吸収スペクトルにおけるピークの波長を示している。なお、この生成物の分光吸収スペクトルにおいて光吸収を示す波長領域は、表面層５に含まれる硬化触媒が、電荷を保持する光の波長領域を示す。
また、除電光の波長とは、除電装置２０から照射される光の波長領域を示している。
【０１１８】
このため、本実施の形態の画像形成装置１０では、上記関係を満たすように、像保持体７の感光層１１に含まれる電荷発生材料と、表面層５に含まれる硬化触媒と、が選択され、また、除電装置２０から照射される光の波長領域が調整される。
【０１１９】
なお、感光層１１に含まれる電荷発生材料は、静電潜像形成にも寄与することから、潜像形成装置９から照射される露光光を吸収する材料であることも必須である。また、除電装置２０から照射される除電光は、像保持体７を除電するための光であるため、感光層１１に含まれる電荷発生材料が吸収する波長の光であることも必須である。
【０１２０】
このため、感光層１１に含まれる電荷発生材料としては、潜像形成装置９から照射される露光光を吸収し、且つ除電装置２０から照射される除電光を吸収する材料であって、且つ表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長とは異なる波長の光を吸収する材料を選択すればよい。
【０１２１】
また、表面層５に含まれる硬化触媒は、感光層１１に含まれる電荷発生材料の光吸収波長とは異なる波長の光を吸収し、除電装置２０から照射される除電光の波長の光を吸収しない材料を選択すればよい。
【０１２２】
また、除電装置２０としては、感光層１１に含まれる電荷発生材料が吸収する波長の光であって、且つ表面層５に含まれる硬化触媒が吸収する波長以外の波長の光を照射する構成とすればよい。
除電装置２０としては、例えば、該条件を満たす波長の光を照射する光源２０Ａを、表面層５に含まれる硬化触媒の種類、及び感光層１１に含まれる電荷発生材料の種類に応じて適宜選択して用いればよい。また、除電装置２０としては、該条件を満たす波長の光を含む波長の光を照射する光源２０Ａと、上記条件を満たす波長の光のみを透過し該条件以外の波長の光を遮蔽するフィルタと、を設けた構成とし、該光源２０Ａから照射され、該フィルタを透過した光を除電光として用いても良い。
【０１２３】
上記条件を満たす、感光層１１に含まれる電荷発生材料、表面層５に含まれる硬化触媒、及び除電装置２０から像保持体７へ照射される除電光の波長の組合せとしては、例えば、下記組合せが挙げられるが、上記条件を満たせば良いことから、これらに限られない。
【０１２４】
具体的には、感光層１１に含まれる電荷発生材料として、光吸収波長（光吸収波長領域におけるピークの波長）が４２５〜５５０ｎｍであるジブロモアントアントロンを用いた場合には、表面層５に含まれる硬化触媒としては、該波長とは異なる光吸収波長（光吸収波長領域におけるピークの波長）である６６０ｎｍ以上７６０ｎｍ以下、の波長領域に光吸収波長を有する硬化触媒であるドデシルベンゼンスルホン酸を用いればよい。
この場合には、除電装置２０の光源２０Ａとしては、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下や、の波長領域の波長を照射する光源または光源の構成（光源にフィルタを設けた構成）とすればよい。
【０１２５】
その他の組合せとしては、下記が挙げられる。
具体的には、感光層１１に含まれる電荷発生材料として、光吸収波長（光吸収波長領域におけるピークの波長）が８１０〜８３９ｎｍであるヒドロキシガリウムフタロシアニンを用いた場合には、表面層５に含まれる硬化触媒としては、該波長とは異なる光吸収波長（光吸収波長領域におけるピークの波長）である６００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、または硬化触媒であるＰ−トルエンスルホン酸を用いればよい。
この場合には、除電装置２０の光源２０Ａとしては、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域の波長を照射する光源または光源の構成（光源にフィルタを設けた構成）とすればよい。
【０１２６】
上述のように、本実施の形態の画像形成装置１０では、像保持体７の感光層１１に含まれる電荷発生材料の光吸収波長と、像保持体７の表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長と、が異なるように、感光層１１に含まれる電荷発生材料と、表面層５に含まれる硬化触媒と、を選択し、除電装置２０から照射される除電光の波長を、表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長以外の波長としている。このため、像保持体の表面層に含まれる硬化触媒の光吸収波長を含む光が除電光として照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラの抑制された画像形成装置１０が提供されると考えられる。
【０１２７】
なお、更なる画像のムラの抑制の観点から、除電装置２０の構成を、下記構成とすることが更に良い。
【０１２８】
具体的には、除電装置２０は、図５に示すように、像保持体７の軸方向に延在された長尺状の導光部材２０Ｂと、光源２０Ａと、これらを覆う筐体２０Ｃと、を備えた構成とすることが良い。なお、像保持体７の軸方向とは、像保持体７の回転軸方向を示している。
光源２０Ａは、導光部材２０Ｂの長尺方向の両端部に設けられており、各々、導光部材２０Ｂの他端側に向かって光を照射する。なお、図５では、光源２０Ａは、導光部材２０Ｂの両端部に設けられた形態を説明するが、一端部のみに設けられた構成であってもよい。
【０１２９】
導光部材２０Ｂは、光源２０Ａから照射された光を導光する部材である。この導光部材２０Ｂとしては、ガラスやアクリル樹脂などで構成された光を透過（８０％以上透過）する部材が挙げられる。導光部材２０Ｂは、例えば、この光を透過する長尺状の部材の表面にＶ字状の複数の溝やダイヤカットの加工を施すことで、長尺方向に光を導光する。
【０１３０】
筐体２０Ｃの、像保持体７に向かい合う側の面は、開口されている。なお、なお、この開口部には、光源２０Ａから照射される光の波長に応じて、除電装置２０から像保持体７へ照射される除電光の波長が上記条件を満たすように、透過波長を調整するためのフィルタ２０Ｄを設けた構成とすればよい。
【０１３１】
このような構成の除電装置２０を用いることで、ＬＥＤ等の光源２０Ａを像保持体７の長尺方向に複数配列した構成の除電装置を用いた場合に比べて、像保持体７の幅方向における除電光の強度のムラが抑制されると考えられる。このため、更に画像のムラが抑制されると考えられる。
【０１３２】
なお、この像保持体７の幅方向における、除電装置２０から照射される除電光の強度は、像保持体７の幅方向における除電光の強度のムラの抑制の観点から、具体的には、下記式（１）の関係を満たすことが良い。
【０１３３】
（最大光強度−最小光強度）／（最大光強度＋最小光強度）≦０．６ 式（１）
【０１３４】
式（１）中、最大光強度とは、除電装置２０から照射される除電光の強度を、像保持体７の幅方向の一端から他端に渡って測定したときの最大光強度を示している。また、式（１）中、最小光強度とは、除電装置２０から照射される除電光の強度を、像保持体７の幅方向の一端から他端に渡って測定したときの最小光強度を示している。
【０１３５】
この除電光の強度の測定は、例えば、暗室内にて除電装置２０から除電光を照射させた状態で、除電装置２０の照射面（図５に示す除電装置２０であれば、フィルタ２０Ｄの設けられた位置）から１０ｍｍの位置に、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製のＯＰＴＩＣＡＬ ＰＯＷＥＲ ＭＡＵＬＴＩＭＥＲ ＴＱ６２１５をセットし、除電装置２０の導光部材２０Ｂの長尺方向の一端から他端に向かって、１０ｍｍ／ｓｅｃのスピードで測定を行い、測定結果から、最大光強度と、最小光強度と、を読取ることで行う。
【０１３６】
また、本実施の形態の画像形成装置１０では、加熱装置２２によって像保持体７の表面層５が加熱される構成であることが良い。硬化触媒は、熱を加えられることによって、保持した電荷を放出すると考えられる。このため、この加熱装置２２による加熱を組み合わせることで、除電光による画像のムラが更に抑制されると考えられる。
【０１３７】
なお、この加熱装置２２による像保持体７の加熱は、画像形成装置１０の図示を省略する電源が操作されて画像形成装置１０の装置各部に電力が供給されてから、該電力の供給が遮断されるまでの間継続して行われても良く、像保持体７が回転されるときにのみ行われても良く、予め定めた時間毎に行うようにしてもよい。
【０１３８】
なお、本実施の形態では、画像形成装置１０では、１つの像保持体７を備えた構成である場合を説明したが、複数の像保持体７が中間転写体５０の搬送方向に配列された、所謂、タンデム型の画像形成装置にも適用される。
【実施例】
【０１３９】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１４０】
［像保持体の作製］
−像保持体１の作製−
先ず、ホーニング処理を施した６０ｍｍΦの円筒状アルミニウム基材を準備した。次に、ジルコニウム化合物（商品名：オルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）を２０質量部、シラン化合物（商品名：Ａ１１００、日本ユニカー社製）を２．５質量部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックスＢＭ−Ｓ、積水化学社製）を３質量部、及びブタノールを４５質量部混合し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液をアルミニウム基材上に浸漬塗布し、１４５℃で１０分間加熱乾燥し、１．５μｍの下引層を形成した。
【０１４１】
次に、電荷発生材料として、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角（２θ±０．２°）が、７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピークを持つクロロガリウムフタロシアニン（光吸収波長（ピークの波長）８１０ｎｍ）を１質量部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）を１質量部、及び酢酸ｎ−ブチルを１００質量部混合し、さらにガラスビーズとともにペイントシェーカーで１時間処理して分散し、電荷発生層の形成用の塗布液を得た。この塗布液を下引層上に浸漬塗布し１００℃で１０分間加熱乾燥し、膜厚約０．１０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１４２】
次に、下記式（ＣＴ−１）で示される電荷輸送材料を２．５質量部、下記式（Ｂ−１）で示される構造単位を有する高分子化合物（粘度平均分子量：６００００）を２．５質量部、及びクロロベンゼンを２０質量部混合し、電荷輸送層の形成用の塗布液を得た。
【０１４３】
【化８】
【０１４４】
【化９】
【０１４５】
この電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗布し、１３５℃で４０分の加熱を行ない、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。このように、アルミニウム基材上に、電荷発生層及び電荷輸送層を形成した。
【０１４６】
次に、硬化性樹脂としてグアナミン樹脂（ニカラックＢＬ−６０（日本カーバイト社製））６質量部、電荷輸送材料として下記（Ｉ−１１）で示される化合物９４質量部、及び硬化触媒としてのｐ−トルエンスルホン酸触媒０．１９質量部をシクロペンタノールに溶解させ、表面層の形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布法により塗布し、室温で３０分風乾した。その後、１６０℃で１時間加熱処理して硬化し、膜厚約５．５μｍの表面層を形成した。この像保持体を像保持体１とした。この表面層の光吸収波長は、６８０ｎｍである。
【０１４７】
【化１０】
（Ｉ−１１）
【０１４８】
−像保持体２〜６の作製−
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が５００ｎｍのジブロモアントアントロンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、ドデシルベンゼンスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体２を作製した。この表面層の光吸収波長は、７１０ｎｍである。
【０１４９】
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が５５０ｎｍの三方晶セレンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、Ｐ-トルエンスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体３を作製した。この表面層の光吸収波長は、６８０ｎｍである。
【０１５０】
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が８１０ｎｍのヒドロキシガリウムフタロシアニンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、ドデシルベンゼンスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体４を作製した。この表面層の光吸収波長は、７１０ｎｍである。
【０１５１】
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が８１０ｎｍのヒドロキシガリウムフタロシアニンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、ドデシルベンゼンスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体５を作製した。この表面層の光吸収波長は、７００ｎｍである。
【０１５２】
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が６７０ｎｍの無金属フタロシアニンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、ジノニルナフタレンジスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体６を作製した。この表面層の光吸収波長は、８００ｎｍである。
【０１５３】
[除電装置の調整]
―除電装置１―
図５に示す構成の除電装置を用いた。詳細には、導光部材として、除電装置を搭載対象の画像形成装置の像保持体の幅方向より長い、円柱状のアクリル樹脂を用意し、この円柱状のアクリル樹脂の外周面の内の、画像形成装置に設置されたときに像保持体に向かい合う領域以外の領域について、光が乱反射するようにダイヤカット処理を行ったものを用意した。この導光部材の両端部に、光源として、砲弾型赤色ＬＥＤ（ピーク波長６６０ｎｍ）を設置し、この光源から光を導光部材内に照射する構成とした。なお、この光源は、ＤＣ１２Ｖ電源で駆動させた。また、除電装置の筐体の、像保持体に向かう側の面には、フィルタを設けて、６６０ｎｍの波長の光のみを透過させて除電光の波長を６６０ｎｍとした。これを、除電装置１とした。
【０１５４】
―除電装置２〜除電装置６―
上記除電装置１において用いた光源に代えて、ピーク波長６８０ｎｍの光を照射する砲弾型ＬＥＤ光源を用い、除電装置の筐体の像保持体に向かう側の面に設けられたフィルタを代えて、６８０ｎｍの波長のみを透過させるフィルタを設けた。これによって、除電光として、６８０ｎｍの波長の光を照射する除電装置２とした。
【０１５５】
上記除電装置１において用いた光源に代えて、ピーク波長６００ｎｍの光を照射する砲弾型ＬＥＤ光源を用い、除電装置の筐体の像保持体に向かう側の面に設けられたフィルタを代えて、６００ｎｍの波長のみを透過させるフィルタを設けた。これによって、除電光として、６００ｎｍの波長の光を照射する除電装置３とした。
【０１５６】
上記除電装置１において用いた光源に代えて、３波長形の光を照射する砲弾型ＬＥＤ光源を用い、除電装置の筐体の像保持体に向かう側の面に設けられたフィルタを代えて、５００ｎｍの波長のみを透過させるフィルタを設けた。これによって、除電光として、５００ｎｍの波長の光を照射する除電装置４とした。
【０１５７】
上記除電装置１において、導光部材を外し、かわりに、該除電装置１で用いた光源を、像保持体の幅方向に沿って1ｃｍ間隔で３６個配列させた。なお、フィルタは除電装置１と同じものを用いた。これによって、除電光として、６６０ｎｍの波長の光を照射する除電装置５とした。
【０１５８】
上記除電装置１において用いた光源に代えて、ピーク波長７００ｎｍの光を照射する砲弾型ＬＥＤ光源を用い、除電装置の筐体の像保持体に向かう側の面に設けられたフィルタを代えて、７００ｎｍの波長のみを透過させるフィルタを設けた。これによって、除電光として、７００ｎｍの波長の光を照射する除電装置６とした。
【０１５９】
[加熱装置の調整]
像保持体を加熱装置としては、ベルト状ヒータを用意し像保持体の内部に装着出来るように改造を行った。これを、下記画像形成装置に搭載し、像保持体の表面が３０℃以上４０℃以下となるように加熱した。
【０１６０】
［実施例１〜実施例６，比較例１〜比較例２］
上記に調整した像保持体１〜６と、除電装置１〜６と、加熱装置と、を、下記表１のように組み合わせて、フルカラーレーザプリンタ（富士ゼロックス社製、「Ｄｏｃｕ Ｃｅｎｔｒｅ Ｃｏｌｏｒ ７５５０」、中間転写体あり）に装着した。次いで、一般環境（２２℃、５０％ＲＨ）の環境下、Ａ４用紙でエリアカバレッジ５％のドキュメントを５千枚に連続プリントする走行試験を行った。上記走行後、Ａ３用紙で３０％濃度の全面ハーフトーン出力試験を行い、除電装置による、画像のムラの評価を実施した。
【０１６１】
［評価基準］
−画像のムラ
Ｇ１：画像に濃度ムラは確認されない
Ｇ２：部分的（画像の形成された領域の３０％以下）に濃度むらが確認される。
Ｇ３：画像の形成された領域の６０％を超える領域に濃度むらが確認される。
【０１６２】
【表１】
【０１６３】
表１に示すように、感光層に含まれる電荷発生材料の光吸収波長と、表面層に含まれる硬化触媒の光吸収波長と、が異なり、除電装置による除電光の波長が硬化触媒の光吸収波長以外の波長である実施例１〜実施例６では、これらの条件の何れかを満たさない比較例１〜比較例２に比べて、画像のムラの評価において良好な結果が得られた。
【０１６４】
また、実施例１〜実施例６の中でも、除電装置の構成を、導光部材を用いた構成とした実施例１では、除電装置の構成を、導光部材を用いず光源を複数配列させた構成とした以外は同じ条件の実施例５に比べて、画像のムラがより改善されていた。
【０１６５】
また、実施例１〜実施例６の中でも、加熱装置による加熱を行った実施例６では、該加熱装置による加熱を行わなかった以外は同じ構成の実施例１に比べて、更なる画像のムラの改善がみられた。
【符号の説明】
【０１６６】
７ 像保持体，８ 露光装置，９ 潜像形成装置，１２ 現像装置，２０ 除電装置，２０Ａ 光源，２０Ｂ 導光部材，２２ 加熱装置，４０ 転写装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
引用文献１では、除電ランプの発光面を像保持体面に向かい合う支持部材側に向けて発光し、支持部材の反射光によって像保持体面を除電する除電装置を設けた画像形成装置が提案されている。
【０００３】
引用文献２では、複数の点状光源を一列に配列して構成し、その配列間隔を、一列に配置された光源から被照射体までの距離より小さくし、長手方向最端部に配置されている光源と該光源に隣接して配置されている光源との間隔を平均の配置間隔より小さくした除電ランプが提案されている。
【０００４】
引用文献３では、像保持体に除電ユニットから除電光を照射するにあたり、光路確保部材を用いて除電光を導光させて、光路確保部材の端縁部と像保持体との間隔について、像保持体の軸方向中央部においては第１の距離ｄ１とし、軸方向両端部においては第１の距離ｄ１より長い第２の距離ｄ２として、除電光の照射幅を軸方向両端部において広くし除電光量を多くすることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１３７４４９号公報
【特許文献２】特開２００１−０３４１２９号公報
【特許文献３】特開２００６−２３４８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、像保持体の表面層に含まれる硬化触媒由来の生成物の光吸収波長を含む光が、除電光として像保持体に照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラの抑制された画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、基体上に、電荷発生材料を含む感光層、及び硬化性樹脂と硬化触媒とを含む表面層が順に設けられ、前記電荷発生材料の光吸収波長と前記表面層の光吸収波長とが異なる像保持体と、前記像保持体を帯電させる帯電装置と、前記像保持体に静電潜像を形成する潜像形成装置と、前記像保持体に形成された静電潜像をトナーによってトナー像に現像する現像装置と、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、前記像保持体に、前記表面層の光吸収波長以外の波長の除電光を照射する除電装置と、を備えた画像形成装置である。
【０００８】
請求項２に係る発明は、前記除電装置が、前記像保持体の軸方向に延在され、光を導光する導光部材と、該導光部材の長尺方向の少なくとも一端側に設けられた光源と、から構成された請求項１に記載の画像形成装置である。
【０００９】
請求項３に係る発明は、前記像保持体を加熱する加熱装置を備えた請求項１または請求項２に記載の画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１に係る発明によれば、像保持体の表面層に含まれる硬化触媒の光吸収波長を含む光が除電光として像保持体に照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラが抑制される、という効果を奏する。
【００１１】
請求項２に係る発明によれば、除電装置を導光部材を含まない構成とした場合に比べて、像保持体の幅方向における除電光の強度のムラが抑制される、という効果を奏する。
【００１２】
請求項３に係る発明によれば、加熱装置を備えない場合に比べて、除電光に起因する画像のムラが更に抑制される、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る像保持体の概略部分を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る像保持体の概略部分を示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る像保持体の概略部分を示す断面図である。
【図５】実施形態に係る除電装置の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本実施の形態の画像形成装置の一の形態を詳細に説明する。
図１に示すように、本実施の形態に係る画像形成装置１０には、像保持体７を備えたプロセスカートリッジ３０が設けられている。像保持体７は、円柱状とされ、図示を省略するモータにより、回転駆動（図１中の矢印Ａ方向）される。
【００１５】
プロセスカートリッジ３０内の、像保持体７の周辺には、帯電装置８、潜像形成装置９、現像装置１２、転写装置４０、清掃装置１３、除電装置２０、及び加熱装置２２が、像保持体７の回転方向に沿って順に配設されている。また、画像形成装置１０には、中間転写体５０が設けられている。
【００１６】
帯電装置８は、像保持体７表面を帯電する。帯電装置８は、像保持体７表面に接触または非接触で設けられ、像保持体７の表面を帯電する。帯電装置８としては、像保持体７に接触して配置される接触型帯電器や、像保持体７に非接触で配置される非接触型帯電器が挙げられる。非接触型帯電器としては、コロトロン帯電器やスコロトロン帯電器が挙げられる。
【００１７】
潜像形成装置９は、プロセスカートリッジ３０の図示を省略する開口部を介して像保持体７へ、形成対象の画像情報に応じて変調された露光光を照射することで、像保持体７上に画像情報の画像に応じた静電潜像を形成する。この潜像形成装置９としては、半導体レーザ光、ＬＥＤ（発光ダイオード）光、液晶シャッタ光等の露光光を露光する光学系機器等が挙げられる。
【００１８】
現像装置１２には、現像剤が貯留されている。この現像剤としては、公知の一成分系現像剤や、公知の二成分系現像剤等が挙げられる。現像装置１２は、現像剤を像保持体７へ供給することによって、該像保持体７上の静電潜像をトナーによって現像してトナー像とする。この現像装置１２としては、公知の現像装置を用いればよい。
【００１９】
像保持体７周辺の、現像装置１２の配設位置より像保持体７の回転方向下流側には、転写装置４０が設けられている。転写装置４０は、像保持体７との間で中間転写体５０を挟んで搬送し、この中間転写体５０上に像保持体７上のトナー像を転写する。中間転写体５０上に転写されたトナー像は、図示を省略する支持部材によって搬送された記録媒体（図示省略）に転写された後に、図示を省略する定着装置によって記録媒体に定着される。トナー像の定着によって画像の形成された記録媒体は、図示を省略する支持部材によって画像形成装置１０の外部へと搬送される。
【００２０】
像保持体７の回転方向（図１中矢印Ａ方向）の、転写装置４０の設けられた位置より像保持体７の回転方向下流側で、露光装置８の設けられた位置より像保持体７の回転方向上流側には、清掃装置１３、除電装置２０、及び加熱装置２２が配設されている。
【００２１】
清掃装置１３は、像保持体７上の残留トナーや紙粉等の付着物を除去する。清掃装置１３としては、例えば、像保持体７に対して線圧１０ｇ／ｃｍ以上１５０ｇ／ｃｍ以下で接触する部材を有する構成が挙げられる。
【００２２】
除電装置２０は、除電光を像保持体７へ照射することによって像保持体７を除電する。この除電装置２０は、光を照射する光源２０Ａを含んで構成されている。除電装置２０の詳細は、後述する。
【００２３】
加熱装置２２は、像保持体７を加熱するための装置である。この加熱装置２２は、像保持体７の少なくとも表面層（詳細後述）に熱を加えられる構成であればよく、公知の装置が用いられる。この加熱装置２２の配置される位置は、像保持体７の少なくとも表面層（詳細後述）に熱を加えられる位置であればよく、図１に示すように、像保持体７の外周面側から像保持体７に熱を加える位置に配置された構成に限られず、像保持体７の内周側から該表面層（詳細後述）に熱を加える位置（像保持体７の内部）に配置されていてもよい。図１では、加熱装置２２は、除電装置２０より像保持体７の回転方向下流側で且つ帯電装置８より像保持体７の回転方向上流側に設けられた構成である場合を説明するが、像保持体７の少なくとも表面層（詳細後述）に熱を加える位置に配置されていればよく、この位置に限られない。
【００２４】
なお、本発明の画像形成装置が、本実施の形態の画像形成装置１０に相当し、本発明の画像形成装置における像保持体が、本実施の形態の像保持体７に相当する。また、本発明の画像形成装置における帯電装置が、本実施の形態の帯電装置８に相当し、潜像形成装置が、本実施の形態の潜像形成装置９に相当し、現像装置が、本実施の形態の現像装置１２に相当し、転写装置が、本実施の形態の転写装置４０に相当する。
また、本発明の画像形成装置の除電装置が、本実施の形態の除電装置２０に相当し、本発明の画像形成装置の加熱装置が、本実施の形態の加熱装置２２に相当する。
【００２５】
次に本実施の形態の像保持体７の構成について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
【００２６】
図２は、像保持体７の一の実施形態を模式的に示した断面図である。図３及び図４は、本実施の形態の像保持体７の、図２とは異なる態様を模式的に示した断面図である。
【００２７】
図２に示す像保持体７は、基体４上に、電荷発生材料を含む感光層１１、及び硬化性樹脂と硬化触媒を含む表面層５が順に設けられた構成とされている。感光層１１は、下引層１上に、電荷発生層２、及び電荷輸送層３が順に形成された構成とされている。
【００２８】
なお、像保持体７は、基体４上に、電荷発生材料を含む感光層１１、及び硬化性樹脂と硬化触媒を含む表面層５が順に設けられた構成とされていればよく、図２に示す構成に限られない。
【００２９】
例えば、図３に示すように、感光層１１が、下引層１上に、電荷輸送層３、及び電荷発生層２が順に設けられた構成とされた構成の像保持体７とされていてもよく、図４に示すように、感光層１１が、下引層１上に、電荷発生材料と電荷輸送材料とを含む単層型の層６の設けられた構成とされた像保持体７であってもよい。また、像保持体７は、下引層１の設けられていない構成であってもよい。
【００３０】
なお、本発明の画像形成装置の像保持体における基体が、本実施の形態の像保持体７の基体４に相当し、本発明の画像形成装置の像保持体における感光層が、本実施の形態の感光層１１に相当する。また、本発明の画像形成装置の像保持体における表面層が、本実施の形態の像保持体７の表面層５に相当する。
【００３１】
＜基体＞
基体４としては、例えば、アルミニウム、銅、亜鉛、ステンレス、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等の金属又は合金を用いて構成される金属板、金属ドラム、及び金属ベルト、又は、導電性ポリマー、酸化インジウム等の導電性化合物やアルミニウム、パラジウム、金等の金属又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、プラスチックフィルム、ベルト等が挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３２】
＜下引層＞
下引層１は、例えば、結着樹脂に無機粒子を含有して構成される。無機粒子としては、下引層１のリーク耐性、キャリアブロック性獲得の観点から、粉体抵抗（体積抵抗率）１０2Ω・ｃｍ以上１０11Ω・ｃｍ以下のものが挙げられる。
下引層１に含有される結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の公知の高分子樹脂化合物、また電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂等が挙げられる。
【００３３】
この下引層１中には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加物を用いてもよい。添加物としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤としてさらに下引層形成用塗布液に添加してもよい。
【００３４】
＜電荷発生層＞
電荷発生層２は電荷発生材料及び結着樹脂を含有する層である。この電荷発生層２に含まれる電荷発生材料が、本発明の画像形成装置の像保持体における、感光層に含まれる電荷発生材料に相当する。
【００３５】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、ピロロピロール顔料、フタロシアニン顔料、酸化亜鉛、三方晶系セレン等が挙げられる。これらの中でも、潜像形成装置９から潜像形成のために照射される露光光が近赤外域の光である場合には、電荷発生材料としては、金属及又は無金属フタロシアニン顔料が挙げられ、具体的には、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン、特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン、特開平４−１８９８７３号公報、特開平５−４３８２３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンが挙げられる。また、潜像形成装置９から潜像形成のために照射される露光光が近紫外域の光である場合には、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料、チオインジゴ系顔料、ポルフィラジン化合物、酸化亜鉛、三方晶系セレン等が挙げられる。
【００３６】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、分散性の観点からは、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が挙げられる。また、この８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を用いる場合には、分散性、感度、帯電性、及び暗減衰特性等の特性低下の抑制の観点から、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが良い。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下や、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下が挙げられ、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上や、５０ｍ２／ｇ以上や、５５ｍ２／ｇ以上１２０ｍ２／ｇ以下が挙げられる。この平均粒径は、体積平均粒径（ｄ５０平均粒径）でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００、堀場製作所社製）にて測定した値である。また、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
【００３７】
また、上記のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°に回折ピークを有するものであることが良い。
【００３８】
また、このヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、２５℃から４００℃まで昇温したときの熱重量減少率としては、２．０％以上４．０％以下、または２．５％以上３．８％以下が良い。なお、熱重量減少率は熱天秤等により測定される。上記熱重量減少率が上記範囲内であると、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に含有される不純物の影響による感度特性、繰り返し使用時における電位の安定性、感度の低下、及び画像品質の低下が抑制されると考えられる。
【００３９】
電荷発生層２に使用される結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。結着樹脂としては、具体的には、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。電荷発生材料と結着樹脂の配合比としては、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
【００４０】
この電荷発生層２は、電荷発生材料及び結着樹脂を溶剤中に分散した塗布液を用いて、公知の塗布方法を用いて塗布することで形成すればよい。
【００４１】
分散に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等が挙げられ、これらは１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【００４２】
また、電荷発生材料及び結着樹脂を溶剤中に分散させる方法としては、分散による電荷発生材料の結晶型の変化の抑制の観点から、ボールミル分散法、アトライター分散法、サンドミル分散法等の通常の方法が挙げられる。この分散の際には、電荷発生材料の平均粒径を、０．５μｍ以下、０．３μｍ以下、または０．１５μｍ以下にするとよい。
【００４３】
電荷発生層２の膜厚としては、０．１μｍ以上５．０μｍ以下や、０．２μｍ以上２．０μｍ以下が挙げられる。
【００４４】
＜電荷輸送層＞
電荷輸送層３は、電荷輸送材料と結着樹脂を含有して形成される。
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの正孔輸送性化合物があげられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられるが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
電荷輸送層３に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。また、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等の高分子電荷輸送材を用いてもよい。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は質量比で１０：１から１：５までが挙げられる。
【００４６】
また、電荷輸送材料として高分子電荷輸送材を用いてもよい。高分子電荷輸送材としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシランなどの電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材は、他種に比べ高い電荷輸送性を有しており、特に良い。
【００４７】
電荷輸送層３は、上記構成材料を含有する電荷輸送層の形成用の塗布液を用いて形成される。電荷輸送層の形成用の塗布液に用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を単独又は２種以上混合して用いられる。また、上記各構成材料の分散方法としては、公知の方法が使用される。
【００４８】
電荷輸送層の形成用の塗布液を電荷発生層２の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、マイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００４９】
電荷輸送層３の膜厚としては、５μｍ以上５０μｍ以下や、１０μｍ以上３０μｍ以下が挙げられる。
【００５０】
なお、上記では、図２に示される像保持体７が有する機能分離型の感光層１１の例を説明したが、図３に示される像保持体７が有する単層型の感光層１１（電荷発生／電荷輸送層）中の電荷発生材料の含有量は、１０質量％以上８５質量％以下や、２０質量％以上５０質量％以下が挙げられる。また、電荷輸送材料の含有量としては、５質量％以上５０質量％以下が挙げられる。単層型の感光層１１（電荷発生／電荷輸送層）の形成方法は、電荷発生層２や電荷輸送層３の形成方法と同様である。単層型の感光層（電荷発生／電荷輸送層）１１の膜厚としては、５μｍ以上５０μｍ以下や、１０μｍ以上４０μｍ以下が挙げられる。
【００５１】
＜表面層＞
表面層５について説明する。
表面層５は、像保持体７において、最も表面側（すなわち、最も外面側）に設けられた層であり、感光層１１を保護するために別途設けられた層である。表面層５を有することで、像保持体の最表面に、磨耗、傷などに対する耐性を持たせ、且つトナーの転写効率が向上される。
【００５２】
本実施の形態において、表面層５は、少なくとも硬化性樹脂と、硬化触媒と、電荷輸送材を含んで構成されている。表面層５は、上記硬化性樹脂に硬化性触媒を添加して架橋させた架橋膜とされることで、機械強度が向上される。
なお、本実施の形態では、表面層５は、電荷発生層２及び電荷輸送層３を含む感光層１１の表面に設けられた層であるものとして説明するが、電荷発生材料を含む電荷発生層２とは別の層として設けられ、且つ像保持体７において最も外側に設けられた層であればよい。このため、電荷発生層２より表面側に電荷輸送層３が設けられている場合には、この電荷輸送層３を表面層５として機能させてもよい。この場合には、上記電荷輸送層３の構成材料に、下記に説明する表面層５の構成材料を加えたものを表面層５として用い、感光層１１を、電荷発生層２または電荷発生層２と下引層１を含んだ構成とすればよい。
【００５３】
まず、硬化性樹脂について説明する。硬化性樹脂は、架橋性の材料であり、フェノール樹脂、硬化性アクリル樹脂、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の熱架橋性の材料が挙げられる。これらの中でも、表面層５の機械強度、電気特性、及び付着物除去性の点で、フェノール樹脂、硬化性アクリル樹脂、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂などの熱架橋性の材料が挙げられる。これらの中でも、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械強度、電気特性及び付着物除去性の点でフェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、硬化性アクリル樹脂が良く、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂がより良い。これらの材料は、特に、硬化性樹脂のうちでも、極性の高い硬化性樹脂であり、塗膜欠陥が生じやすい材料であるが、塗膜欠陥が抑制されると共に、表面層５の機械的強度も向上されると考えられる。
【００５４】
この表面層５は、電気特性の改良の観点から、電荷輸送性材料を含むことが良い。
【００５５】
中でも、表面層５の機械的強度及び電気的安定性の観点からは、表面層５は、硬化性樹脂である、グアナミン樹脂（グアナミン構造を有する化合物、以下、適宜「グアナミン化合物」と称する場合がある）及びメラミン樹脂（メラミン構造を有する化合物、以下、適宜「メラミン化合物」と称する）から選択される少なくとも１種の化合物と、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、及び−ＣＯＯＨから選ばれる置換基の少なくとも１つを有する電荷輸送性材料（以下、適宜「特定の電荷輸送性材料」と称する）の少なくとも１種と、を含む組成物の架橋物からなる層であることが良い。
硬化性樹脂としてのグアナミン化合物及びメラミン化合物から選択される少なくとも１種と、上記の特定の置換基を有する上記特定の電荷輸送性材料と、により架橋部位（架橋サイト）が多官能化されて高度に架橋され、機械強度が向上され環境による電気特性の変動の抑制された表面層５が形成されると考えられる。
また、グアナミン化合物及びメラミン化合物から選択される少なくとも１種の化合物は、該化合物及び特定の電荷輸送性材料を含む組成物における固形分濃度が０．１質量％以上５質量％であることが良い。
【００５６】
まず、グアナミン化合物について説明する。
グアナミン化合物は、グアナミン骨格（構造）を有する化合物であり、例えば、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、ホルモグアナミン、ステログアナミン、スピログアナミン、シクロヘキシルグアナミンなどが挙げられる。
【００５７】
グアナミン化合物としては、特に下記一般式（Ａ）で示される化合物及びその多量体の少なくとも１種であることが良い。ここで、多量体は、一般式（Ａ）で示される化合物を構造単位として重合されたオリゴマーであり、その重合度は例えば２以上２００以下（望ましくは２以上１００以下）である。なお、一般式（Ａ）で示される化合物は、一種単独で用いもよりが、２種以上を併用してもよい。特に、一般式（Ａ）で示される化合物は、２種以上混合して用いたり、それを構造単位とする多量体（オリゴマー）として用いたりすると、溶剤に対する溶解性が向上されると考えられる。
【００５８】
【化１】
【００５９】
一般式（Ａ）中、Ｒ１は、炭素数１以上１０以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキル基、炭素数６以上１０以下の置換若しくは未置換のフェニル基、又は炭素数４以上１０以下の置換若しくは未置換の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ２乃至Ｒ５は、それぞれ独立に水素、−ＣＨ２−ＯＨ、又は−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ６を示す。Ｒ６は、炭素数１以上１０以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキル基を示す。
【００６０】
一般式（Ａ）において、Ｒ１を示すアルキル基は、炭素数が１以上１０以下であるが、望ましくは炭素数が１以下８以上であり、より望ましくは炭素数が１以上５以下である。また、当該アルキル基は、直鎖状であってもよし、分鎖状であってもよい。
【００６１】
一般式（Ａ）中、Ｒ１を示すフェニル基は、炭素数６以上１０以下であるが、より望ましくは６以上８以下である。当該フェニル基に置換される置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
【００６２】
一般式（Ａ）中、Ｒ１を示す脂環式炭化水素基は、炭素数４以上１０以下であるが、より望ましくは５以上８以下である。当該脂環式炭化水素基に置換される置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
【００６３】
一般式（Ａ）中、Ｒ２乃至Ｒ５を示す「−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ６」において、Ｒ６を示すアルキル基は、炭素数が１以上１０以下であるが、望ましくは炭素数が１以下８以上であり、より望ましくは炭素数が１以上６以下である。また、当該アルキル基は、直鎖状であってもよし、分鎖状であってもよい。望ましくは、メチル基、エチル基、ブチル基などが挙げられる。
【００６４】
一般式（Ａ）で示される化合物としては、Ｒ１が炭素数６以上１０以下の置換若しくは未置換のフェニル基を示し、Ｒ２乃至Ｒ５がそれぞれ独立に−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ６を示される化合物が良い。また、Ｒ６は、メチル基又はｎ-ブチル基から選ばれることが良い。
【００６５】
一般式（Ａ）で示される化合物は、例えば、グアナミンとホルムアルデヒドとを用いて公知の方法（例えば、実験化学講座第４版、２８巻、４３０ページ）で合成される。
【００６６】
次に、メラミン化合物について説明する。
メラミン化合物としては、メラミン骨格（構造）であり、下記一般式（Ｂ）で示される化合物及びその多量体の少なくとも１種が挙げられる。ここで、多量体は、一般式（Ａ）と同様に、一般式（Ｂ）で示される化合物を構造単位として重合されたオリゴマーであり、その重合度は例えば２以上２００以下（望ましくは２以上１００以下）である。なお、一般式（Ｂ）で示される化合物又はその多量体は、一種単独で用いもよりが、２種以上を併用してもよい。また、前記一般式（Ａ）で示される化合物又はその多量体と併用してもよい。特に、一般式（Ｂ）で示される化合物は、２種以上混合して用いたり、それを構造単位とする多量体（オリゴマー）として用いたりすると、溶剤に対する溶解性が向上される。
【００６７】
【化２】
【００６８】
一般式（Ｂ）中、Ｒ６乃至Ｒ１１はそれぞれ独立に、水素原子、−ＣＨ２−ＯＨ、−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ１２を示し、Ｒ１２は炭素数１以上５以下の分岐してもよいアルキル基を示す。当該アルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基などが挙げられる。
【００６９】
一般式（Ｂ）で示される化合物は、例えば、メラミンとホルムアルデヒドとを用いて公知の方法（例えば、実験化学講座第４版、２８巻、４３０ページのメラミン樹脂と同様に合成される）で合成される。
【００７０】
これらのグアナミン化合物及びメラミン化合物から選択される少なくとも１種の、表面層用の塗布液における固形分濃度は、表面層５の機械的強度の維持及び電気特性や耐ゴースト性の観点から、０．１質量％以上５質量％以下、１質量％以上３質量％以下、が挙げられる。
【００７１】
次に、上記の特定の電荷輸送性材料について説明する。特定の電荷輸送性材料は、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、及び−ＣＯＯＨから選択される置換基の少なくとも１つを持つものである。特に、特定の電荷輸送性材料としては、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、及び−ＣＯＯＨから選択される置換基を少なくとも２つ（さらには３つ）持つものが好適に挙げられる。この如く、特定の電荷輸送性材料に反応性官能基（当該置換基）が増えることで、架橋密度が上がり、より強度の高い架橋膜が得られ、特にブレードクリーナーを用いた際の像保持体の回転トルクが低減され、ブレードへのダメージの抑制や、像保持体の磨耗が抑制されると考えられる。この詳細は不明であるが、反応性官能基の数が増すことで、架橋密度の高い硬化膜が得られることから、像保持体の極表面の分子運動が抑制されてブレード部材表面分子との相互作用が弱まるためと推測される。
【００７２】
特定の電荷輸送性材料としては、下記一般式（Ｉ）で示される化合物が挙げられる。
Ｆ−((−Ｒ１−Ｘ)ｎ１（Ｒ２）ｎ２−Ｙ)ｎ３ (Ｉ)
【００７３】
一般式（Ｉ）中、Ｆは正孔輸送能を有する化合物から誘導される有機基、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に炭素数１以上５以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキレン基を示し、ｎ１は０又は１を示し、ｎ２は０又は１を示し、ｎ３は１以上４以下の整数を示す。Ｘは酸素、ＮＨ、又は硫黄原子を示し、Ｙは−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、又は−ＣＯＯＨを示す。
【００７４】
一般式（Ｉ）中、Ｆを示す正孔輸送能を有する化合物から誘導される有機基における正孔輸送能を有する化合物としては、アリールアミン誘導体が好適に挙げられる。アリールアミン誘導体としては、トリフェニルアミン誘導体、テトラフェニルベンジジン誘導体が挙げられる。
【００７５】
そして、一般式（Ｉ）で示される化合物は、下記一般式（ＩＩ）で示される化合物であることが望ましい。一般式（ＩＩ）で示される化合物は、特に、電荷移動度、酸化などに対する安定性等に優れると考えられる。
【００７６】
【化３】
【００７７】
一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１乃至Ａｒ４は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示し、Ａｒ５は置換若しくは未置換のアリール基又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、Ｄは−（−Ｒ１−Ｘ）ｎ１（Ｒ２）ｎ２−Ｙを示し、ｃはそれぞれ独立に０又は１を示し、ｋは０又は１を示し、Ｄの総数は１以上４以下である。また、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に炭素数１以上５以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキレン基を示し、ｎ１は０又は１を示し、ｎ２は０又は１を示し、Ｘは酸素、ＮＨ、又は硫黄原子を示し、Ｙは−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＮＨ２、−ＳＨ、又は−ＣＯＯＨを示す。
【００７８】
一般式（ＩＩ）中、Ｄを示す「−(−Ｒ１−Ｘ)ｎ１（Ｒ２）ｎ２−Ｙ」は、一般式（Ｉ）と同様であり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に炭素数１以上５以下の直鎖状若しくは分鎖状のアルキレン基である。また、ｎ１として望ましくは、１である。また、ｎ２として望ましくは、１である。また、Ｘとしては、酸素が挙げられる。また、Ｙとしては水酸基が挙げられる。
なお、一般式（ＩＩ）におけるＤの総数としては、一般式（Ｉ）におけるｎ３に相当し、例えば、２以上４以下や、３以上４以下が挙げられる。つまり、一般式（Ｉ）や一般式（ＩＩ）において、Ｄの総数を、一分子中に２以上４以下、または３以上４以下とすると、架橋密度が上がり、より強度の高い架橋膜が得られ、像保持体７の回転トルクが低減され、ブレードへのダメージの抑制や、像保持体７の磨耗が抑制されると考えられる。
【００７９】
一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１乃至Ａｒ４としては、下記式（１）乃至（７）のうちのいずれかであることが良い。なお、下記式（１）乃至（７）は、Ａｒ１乃至Ａｒ４の各々に連結され得る「−（Ｄ）Ｃ」と共に示す。
【００８０】
【化４】
【００８１】
式（１）乃至（７）中、Ｒ９は水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルキル基もしくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基からなる群より選ばれる１種を表し、Ｒ１０乃至Ｒ１２はそれぞれ水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、ハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、Ａｒは置換又は未置換のアリーレン基を表し、Ｄ及びｃは一般式（ＩＩ）における「Ｄ」、「ｃ」と同様であり、ｓはそれぞれ０又は１を表し、ｔは１以上３以下の整数を表す。
【００８２】
ここで、式（７）中のＡｒとしては、下記式（８）又は（９）で表されるものが望ましい。
【００８３】
【化５】
【００８４】
式（８）、（９）中、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、ハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、ｔは１以上３以下の整数を表す。
【００８５】
また、式（７）中のＺ’としては、下記式（１０）乃至（１７）のうちのいずれかで表されるものが望ましい。
【００８６】
【化６】
【００８７】
式（１０）乃至（１７）中、Ｒ１５及びＲ１６はそれぞれ水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基もしくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、ハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、Ｗは２価の基を表し、ｑ及びｒはそれぞれ１以上１０以下の整数を表し、ｔはそれぞれ１以上３以下の整数を表す。
【００８８】
上記式（１６）乃至（１７）中のＷとしては、下記（１８）乃至（２６）で表される２価の基のうちのいずれかであることが望ましい。但し、式（２５）中、ｕは０以上３以下の整数を表す。
【００８９】
【化７】
【００９０】
また、一般式（ＩＩ）中、Ａｒ５は、ｋが０のときはＡｒ１乃至Ａｒ４の説明で例示された上記（１）乃至（７）のアリール基であり、ｋが１のときはかかる上記（１）乃至（７）のアリール基から所定の水素原子を除いたアリーレン基である。
【００９１】
上記特定の電荷輸送性材料の少なくとも１種の、表面層用の塗布液における固形分濃度としては、電気的特性の低下抑制の観点から、９０質量％以上や、９４質量％以上が挙げられる。
【００９２】
更に、表面層５には、残留電位を下げる目的、又は強度を向上させる目的で、各種粒子を添加してもよい。粒子の一例として、ケイ素含有粒子が挙げられる。ケイ素含有粒子とは、構成元素にケイ素を含む粒子であり、具体的には、コロイダルシリカ及びシリコーン粒子等が挙げられる。ケイ素含有粒子として用いられるコロイダルシリカは、平均粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下のシリカを、酸性もしくはアルカリ性の水分散液、アルコール、ケトン、又はエステル等の有機溶媒中に分散させたものから選ばれ、一般に市販されているものを使用してもよい。表面層５中のコロイダルシリカの固形分含有量は、特に限定されるものではないが、製膜性、電気特性、強度の面から、表面層５の全固形分全量を基準として、０．１質量％以上５０質量％以下、望ましくは０．１質量％以上３０質量％以下の範囲で用いられる。
【００９３】
ケイ素含有粒子として用いられるシリコーン粒子は、シリコーン樹脂粒子、シリコーンゴム粒子、シリコーン表面処理シリカ粒子から選ばれ、一般に市販されているものが使用される。これらのシリコーン粒子は球状で、その平均粒径は望ましくは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より望ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。シリコーン粒子は、化学的に不活性で、樹脂への分散性に優れる小径粒子であり、さらに十分な特性を得るために必要とされる含有量が低いため、架橋反応を阻害することなく、像保持体の表面性状が改善される。すなわち、強固な架橋構造中にバラツキが生じることなく取り込まれた状態で、像保持体表面の潤滑性、撥水性を向上させ、長期にわたって良好な耐磨耗性、耐汚染物付着性が維持されると考えられる。表面層５中のシリコーン粒子の含有量としては、表面層５の全固形分全量を基準として、０．１質量％以上３０質量％以下、０．５質量％以上１０質量％以下が挙げられる。
【００９４】
また、その他の粒子としては、四フッ化エチレン、三フッ化エチレン、六フッ化プロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等のフッ素系粒子や“第８回ポリマー材料フォーラム講演予稿集 ｐ８９”に示される如く、フッ素樹脂と水酸基を有するモノマーを共重合させた樹脂からなる粒子、ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3、ＳｎＯ2−Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2、ＺｎＯ2−ＴｉＯ2、ＺｎＯ−ＴｉＯ2、ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3、ＦｅＯ−ＴｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＭｇＯ等の半導電性金属酸化物が挙げられる。また、同様な目的でシリコーンオイル等のオイルを添加してもよい。シリコーンオイルとしては、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、フェニルメチルシロキサン等のシリコーンオイル；アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル；ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の環状ジメチルシクロシロキサン類；１，３，５−トリメチル−１．３．５−トリフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン等の環状メチルフェニルシクロシロキサン類；ヘキサフェニルシクロトリシロキサン等の環状フェニルシクロシロキサン類；（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルシクロトリシロキサン等のフッ素含有シクロシロキサン類；メチルヒドロシロキサン混合物、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、フェニルヒドロシクロシロキサン等のヒドロシリル基含有シクロシロキサン類；ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン等のビニル基含有シクロシロキサン類等が挙げられる。
【００９５】
また、表面層５には、金属、金属酸化物及びカーボンブラック等を添加してもよい。金属としては、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、ニッケル、銀及びステンレス等、又はこれらの金属をプラスチックの粒子の表面に蒸着したもの等が挙げられる。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンやタンタルをドープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジルコニウム等が挙げられる。これらは単独で用いることも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上を組み合わせて用いる場合は、単に混合しても、固溶体や融着の形にしてもよい。これらの導電性の粒子の平均粒径は表面層の透明性の点で０．３μｍ以下、特に０．１μｍ以下が望ましい。
【００９６】
上記構成の表面層５には、硬化触媒が含有されている。
この硬化触媒は、表面層５に含まれる上記硬化性樹脂の架橋硬化や、上記特定の電荷輸送材料が含まれる場合には該硬化性樹脂と該電荷輸送材料等の架橋硬化を促進するために用いられる。
この硬化触媒としては、表面層５に含まれる上記硬化性樹脂や、該架橋硬化を促進する触媒であればよいが、例えば、酸系の触媒が挙げられる。
【００９７】
酸系の触媒としては、酢酸、クロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、マレイン酸、マロン酸、乳酸などの脂肪族カルボン酸、安息香酸、フタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸などの芳香族カルボン酸、メタンスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、などの脂肪族、及び芳香族スルホン酸類などが用いられる。
【００９８】
これらの硬化触媒の中でも、含硫黄系材料は、上記硬化性樹脂としてのグアナミン化合物（一般式（Ａ）で示される化合物）及びメラミン化合物（一般式（Ｂ）で示される化合物）や、上記の特定の電荷輸送材料の硬化触媒として優れた機能を発揮し、硬化反応を促進して得られる表面層５の機械的強度が向上されると考えられる。更に、電荷輸送性材料として上記一般式（Ｉ）（一般式（ＩＩ）含む）で表される化合物を用いる場合、含硫黄系材料は、これら電荷輸送性材料に対するドーパントとしても優れた機能を発揮し、得られる機能層の電気特性がより向上されると考えられる。その結果、像保持体７を形成した場合に、機械強度、成膜性及び電気特性が向上されると考えられる。
【００９９】
硬化触媒としての含硫黄系材料は、常温（例えば２５℃）、又は、加熱後に酸性を示すものが良く、接着性、ゴースト、電気特性の観点で有機スルホン酸及びその誘導体の少なくとも１種が良い。表面層５中にこれら触媒の存在は、ＸＰＳ等により容易に確認される。
【０１００】
有機スルホン酸及び／又はその誘導体としては、例えば、パラトルエンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸（ＤＮＮＳＡ）、ジノニルナフタレンジスルホン酸（ＤＮＮＤＳＡ）、ドデシルベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸等が挙げられる。これらの中でも、触媒能、成膜性の観点から、パラトルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸が用いられる。また、硬化性樹脂組成物中で、ある程度解離されれば、有機スルホン酸塩を用いてもよい。
【０１０１】
また、一定以上の温度をかけたときに触媒能力が高くなる、所謂、熱潜在性触媒を用いてもよい。熱潜在性触媒を用いることで、液保管温度では触媒能が低く、硬化時に触媒能が高くなるため、硬化温度の低下と、保存安定性が両立されると考えられる。
【０１０２】
熱潜在性触媒として、たとえば有機スルホン化合物等をポリマーで粒子状に包んだマイクロカプセル、ゼオライトの如く空孔化合物に酸等を吸着させたもの、プロトン酸及び／又はプロトン酸誘導体を塩基でブロックした熱潜在性プロトン酸触媒や、プロトン酸及び／又はプロトン酸誘導体を一級もしくは二級のアルコールでエステル化したもの、プロトン酸及び／又はプロトン酸誘導体をビニルエーテル類及び／又はビニルチオエーテル類でブロックしたもの、三フッ化ホウ素のモノエチルアミン錯体、三フッ化ホウ素のピリジン錯体などがあげられる。中でも、触媒能、保管安定性、入手、コストの面でプロトン酸及び／又はプロトン酸誘導体を塩基でブロックしたものが良い。
【０１０３】
熱潜在性プロトン酸触媒のプロトン酸として、硫酸、塩酸、酢酸、ギ酸、硝酸、リン酸、スルホン酸、モノカルボン酸、ポリカルボン酸類、プロピオン酸、シュウ酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フタル酸、マレイン酸、ベンゼンスルホン酸、ｏ、ｍ、ｐ−トルエンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ウンデシルベンゼンスルホン酸、トリデシルベンゼンスルホン酸、テトラデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。また、プロトン酸誘導体として、スルホン酸、リン酸等のプロトン酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属円などの中和物、プロトン酸骨格が高分子鎖中に導入された高分子化合物（ポリビニルスルホン酸等）等が挙げられる。プロトン酸をブロックする塩基として、アミン類が挙げられる。
【０１０４】
アミン類として、１級、２級又は３級アミンに分類される。特に制限はなく、いずれも使用してもよい。
【０１０５】
１級アミンとして、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、セカンダリーブチルアミン、アリルアミン、メチルヘキシルアミン等が挙げられる。
【０１０６】
２級アミンとして、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジｔ−ブチルアミン、ジヘキシルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、Ｎ−イソプロピルＮ−イソブチルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジセカンダリーブチルアミン、ジアリルアミン、Ｎ−メチルヘキシルアミン、３−ピペコリン、４−ピペコリン、２，４−ルペチジン、２，６−ルペチジン、３，５−ルペチジン、モルホリン、Ｎ−メチルベンジルアミン等が挙げられる。
【０１０７】
３級アミンとして、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリｔ−ブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリ（２−エチルヘキシル）アミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアリルアミン、Ｎ−メチルジアリルアミン、トリアリルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアリルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ーテトラメチルー１，２ージアミノエタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ーテトラメチルー１，３ージアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ーテトラアリルー１，４ージアミノブタン、Ｎーメチルピペリジン、ピリジン、４ーエチルピリジン、Ｎープロピルジアリルアミン、３−ジメチルアミノプロパノ−ル、２−エチルピラジン、２，３−ジメチルピラジン、２，５−ジメチルピラジン、２，４−ルチジン、２，５−ルチジン、３，４−ルチジン、３，５−ルチジン、２，４，６−コリジン、２−メチル−４−エチルピリジン、２−メチル−５−エチルピリジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ −テトラメチルヘキサメチレンジアミン、Ｎ−エチル−３−ヒドロキシピペリジン、３−メチル−４−エチルピリジン、３−エチル−４−メチルピリジン、４−（５−ノニル）ピリジン、イミダゾ−ル、Ｎ−メチルピペラジン等が挙げられる。
【０１０８】
市販品としては、キングインダストリーズ社製の「ＮＡＣＵＲＥ２５０１」（トルエンスルホン酸解離、メタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．０以上ｐＨ７．２以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２１０７」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、イソプロパノール溶媒、ｐＨ８．０以上ｐＨ９．０以下、解離温度９０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２５００」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．０以上ｐＨ７．０以下、解離温度６５℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２５３０」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、メタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ５．７以上ｐＨ６．５以下、解離温度６５℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２５４７」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、水溶液、ｐＨ８．０以上ｐＨ９．０以下、解離温度１０７℃）、「ＮＡＣＵＲＥ２５５８」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、エチレングリコール溶媒、ｐＨ３．５以上ｐＨ４．５以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＰ−３５７」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、メタノール溶媒、ｐＨ２．０以上ｐＨ４．０以下、解離温度６５℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＰ−３８６」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、水溶液、ｐＨ６．１以上ｐＨ６．４以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＣ―２２１１」（ｐ−トルエンスルホン酸解離、ｐＨ７．２以上ｐＨ８．５以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ５２２５」（ドデシルベンゼンスルホン酸解離、イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．０以上ｐＨ７．０以下、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ５４１４」（ドデシルベンゼンスルホン酸解離、キシレン溶媒、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ５５２８」（ドデシルベンゼンスルホン酸解離、イソプロパノール溶媒、ｐＨ７．０以上ｐＨ８．０以下、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ５９２５」（ドデシルベンゼンスルホン酸解離、ｐＨ７．０以上ｐＨ７．５以下、解離温度１３０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ１３２３」（ジノニルナフタレンスルホン酸解離、キシレン溶媒、ｐＨ６．８以上ｐＨ７．５以下、解離温度１５０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ１４１９」（ジノニルナフタレンスルホン酸解離、キシレン／メチルイソブチルケトン溶媒、解離温度１５０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ１５５７」（ジノニルナフタレンスルホン酸解離、ブタノール／２−ブトキシエタノール溶媒、ｐＨ６．５以上ｐＨ７．５以下、解離温度１５０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸ４９−１１０」（ジノニルナフタレンジスルホン酸解離、イソブタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．５以上ｐＨ７．５以下、解離温度９０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ３５２５」（ジノニルナフタレンジスルホン酸解離、イソブタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ７．０以上ｐＨ８．５以下、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＰ−３８３」（ジノニルナフタレンジスルホン酸解離、キシレン溶媒、解離温度１２０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ３３２７」（ジノニルナフタレンジスルホン酸解離、イソブタノール／イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．５以上ｐＨ７．５以下、解離温度１５０℃）、「ＮＡＣＵＲＥ４１６７」（リン酸解離、イソプロパノール／イソブタノール溶媒、ｐＨ６．８以上ｐＨ７．３以下、解離温度８０℃）、「ＮＡＣＵＲＥＸＰ−２９７」（リン酸解離、水／イソプロパノール溶媒、ｐＨ６．５以上ｐＨ７．５以下、解離温度９０℃、「ＮＡＣＵＲＥ４５７５」（リン酸解離、ｐＨ７．０以上ｐＨ８．０以下、解離温度１１０℃）等が挙げられる。
【０１０９】
これらの熱潜在性触媒は単独又は二種類以上組み合わせても使用される。
【０１１０】
ここで、触媒の配合量は、上記硬化性樹脂として用いられる上記グアナミン化合物（一般式（Ａ）で示される化合物）及びメラミン化合物（一般式（Ｂ）で示される化合物）から選択される少なくとも１種の量（塗布液における固形分濃度）に対し、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲や、１０質量％以上３０質量％以下の範囲が挙げられる。この配合量が上記範囲であると、触媒活性と耐光性が得られると考えられる。なお、耐光性とは、像保持体７が室内光などの外界からの光にさらされたときに、照射された部分に相当する画像が濃度低下を起こす現象のことを言う。
【０１１１】
以上の構成の表面層５は、上記硬化性樹脂と、硬化性触媒と、その他の材料と、を含む表面層用の塗布液を用いて形成される。
【０１１２】
表面層５の調製は、無溶媒で行うか、必要に応じてメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル類等の溶剤を用いて行ってもよい。かかる溶剤は１種を単独で又は２種以上を混合して使用されるが、望ましくは沸点が１００℃以下のものである。溶剤としては、特に、少なくとも１種以上の水酸基を持つ溶剤（例えば、アルコール類等）を用いることがよい。
【０１１３】
上記表面層用の塗布液を感光層１１の上に、ブレード塗布法、マイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法により塗布し、必要に応じて例えば温度１００℃以上１７０以下で加熱して硬化させることで、表面層５が得られる。
表面層５の膜厚は、望ましくは１μｍ以上１５μｍ以下、より望ましくは３μｍ以上１０μｍ以下である。
【０１１４】
ここで、上述のように、像保持体７の表面層５には、表面層５の構成材料に含まれる硬化性樹脂の架橋硬化を促進させるために硬化触媒が用いられている。詳細には、表面層５は、上記硬化性樹脂や、必要に応じて添加された上記特定の電荷輸送性材料等に、硬化性触媒を添加して架橋させた架橋膜とされることで機械強度が向上される。
この硬化触媒は、表面層５の固形分中に含まれる含有量が多いほど、膜強度が向上すると考えられる。しかしながら、形成された表面層５に、硬化触媒と電荷輸送材が存在する場合、光照射により表面層５でラジカルが発生する場合がある。このため、画像形成装置１０において、像保持体７は、除電装置２０から除電光を照射されることで除電されるはずであるが、従来では、この除電光の照射によって発生した電荷に、該除電光の照射によって硬化触媒と電荷輸送材により発生したラジカルが付加されて、除電光による電位のムラが像保持体７表面に発生する場合があった。除電光によって生じた像保持体７表面の電位のムラは、結果的に、画像形成装置１０において形成される画像のムラや画質欠陥につながる場合があった。
【０１１５】
本発明者らは、鋭意検討した結果、上記の表面層５にてラジカルが発生するのは、除電光の波長の光を、硬化触媒由来の生成物、すなわち硬化触媒と電荷輸送材と熱硬化性樹脂との反応による生成物が吸収するためと考えた。そこで、本実施の形態の画像形成装置１０では、像保持体７の感光層１１（すなわち電荷発生層２）に含まれる電荷発生材料の光吸収波長と、像保持体７の表面層５に含まれる上記生成物の光吸収波長と、が異なるように、感光層１１に含まれる電荷発生材料と、表面層５に含まれる硬化触媒と、を選択し、除電装置２０から照射される除電光の波長を、表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長以外の波長としている。
【０１１６】
このため、画像形成装置１０において、除電装置２０から像保持体７へ除電光が照射されても、該除電光の照射による硬化触媒における電荷の保持（トラップ）が抑制されると考えられる。従って、像保持体の表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長を含む光が除電光として照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラの抑制された画像形成装置１０が提供されると考えられる。
【０１１７】
なお、この「電荷発生材料の光吸収波長」とは、電荷発生材料の分光吸収スペクトルにおけるピークの波長を示している。また、この「表面層の光吸収波長」とは、硬化触媒と電荷輸送材と熱硬化性樹脂との反応による生成物の分光吸収スペクトルにおけるピークの波長を示している。なお、この生成物の分光吸収スペクトルにおいて光吸収を示す波長領域は、表面層５に含まれる硬化触媒が、電荷を保持する光の波長領域を示す。
また、除電光の波長とは、除電装置２０から照射される光の波長領域を示している。
【０１１８】
このため、本実施の形態の画像形成装置１０では、上記関係を満たすように、像保持体７の感光層１１に含まれる電荷発生材料と、表面層５に含まれる硬化触媒と、が選択され、また、除電装置２０から照射される光の波長領域が調整される。
【０１１９】
なお、感光層１１に含まれる電荷発生材料は、静電潜像形成にも寄与することから、潜像形成装置９から照射される露光光を吸収する材料であることも必須である。また、除電装置２０から照射される除電光は、像保持体７を除電するための光であるため、感光層１１に含まれる電荷発生材料が吸収する波長の光であることも必須である。
【０１２０】
このため、感光層１１に含まれる電荷発生材料としては、潜像形成装置９から照射される露光光を吸収し、且つ除電装置２０から照射される除電光を吸収する材料であって、且つ表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長とは異なる波長の光を吸収する材料を選択すればよい。
【０１２１】
また、表面層５に含まれる硬化触媒は、感光層１１に含まれる電荷発生材料の光吸収波長とは異なる波長の光を吸収し、除電装置２０から照射される除電光の波長の光を吸収しない材料を選択すればよい。
【０１２２】
また、除電装置２０としては、感光層１１に含まれる電荷発生材料が吸収する波長の光であって、且つ表面層５に含まれる硬化触媒が吸収する波長以外の波長の光を照射する構成とすればよい。
除電装置２０としては、例えば、該条件を満たす波長の光を照射する光源２０Ａを、表面層５に含まれる硬化触媒の種類、及び感光層１１に含まれる電荷発生材料の種類に応じて適宜選択して用いればよい。また、除電装置２０としては、該条件を満たす波長の光を含む波長の光を照射する光源２０Ａと、上記条件を満たす波長の光のみを透過し該条件以外の波長の光を遮蔽するフィルタと、を設けた構成とし、該光源２０Ａから照射され、該フィルタを透過した光を除電光として用いても良い。
【０１２３】
上記条件を満たす、感光層１１に含まれる電荷発生材料、表面層５に含まれる硬化触媒、及び除電装置２０から像保持体７へ照射される除電光の波長の組合せとしては、例えば、下記組合せが挙げられるが、上記条件を満たせば良いことから、これらに限られない。
【０１２４】
具体的には、感光層１１に含まれる電荷発生材料として、光吸収波長（光吸収波長領域におけるピークの波長）が４２５〜５５０ｎｍであるジブロモアントアントロンを用いた場合には、表面層５に含まれる硬化触媒としては、該波長とは異なる光吸収波長（光吸収波長領域におけるピークの波長）である６６０ｎｍ以上７６０ｎｍ以下、の波長領域に光吸収波長を有する硬化触媒であるドデシルベンゼンスルホン酸を用いればよい。
この場合には、除電装置２０の光源２０Ａとしては、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下や、の波長領域の波長を照射する光源または光源の構成（光源にフィルタを設けた構成）とすればよい。
【０１２５】
その他の組合せとしては、下記が挙げられる。
具体的には、感光層１１に含まれる電荷発生材料として、光吸収波長（光吸収波長領域におけるピークの波長）が８１０〜８３９ｎｍであるヒドロキシガリウムフタロシアニンを用いた場合には、表面層５に含まれる硬化触媒としては、該波長とは異なる光吸収波長（光吸収波長領域におけるピークの波長）である６００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、または硬化触媒であるＰ−トルエンスルホン酸を用いればよい。
この場合には、除電装置２０の光源２０Ａとしては、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域の波長を照射する光源または光源の構成（光源にフィルタを設けた構成）とすればよい。
【０１２６】
上述のように、本実施の形態の画像形成装置１０では、像保持体７の感光層１１に含まれる電荷発生材料の光吸収波長と、像保持体７の表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長と、が異なるように、感光層１１に含まれる電荷発生材料と、表面層５に含まれる硬化触媒と、を選択し、除電装置２０から照射される除電光の波長を、表面層５に含まれる硬化触媒の光吸収波長以外の波長としている。このため、像保持体の表面層に含まれる硬化触媒の光吸収波長を含む光が除電光として照射される場合に比べて、除電光に起因する画像のムラの抑制された画像形成装置１０が提供されると考えられる。
【０１２７】
なお、更なる画像のムラの抑制の観点から、除電装置２０の構成を、下記構成とすることが更に良い。
【０１２８】
具体的には、除電装置２０は、図５に示すように、像保持体７の軸方向に延在された長尺状の導光部材２０Ｂと、光源２０Ａと、これらを覆う筐体２０Ｃと、を備えた構成とすることが良い。なお、像保持体７の軸方向とは、像保持体７の回転軸方向を示している。
光源２０Ａは、導光部材２０Ｂの長尺方向の両端部に設けられており、各々、導光部材２０Ｂの他端側に向かって光を照射する。なお、図５では、光源２０Ａは、導光部材２０Ｂの両端部に設けられた形態を説明するが、一端部のみに設けられた構成であってもよい。
【０１２９】
導光部材２０Ｂは、光源２０Ａから照射された光を導光する部材である。この導光部材２０Ｂとしては、ガラスやアクリル樹脂などで構成された光を透過（８０％以上透過）する部材が挙げられる。導光部材２０Ｂは、例えば、この光を透過する長尺状の部材の表面にＶ字状の複数の溝やダイヤカットの加工を施すことで、長尺方向に光を導光する。
【０１３０】
筐体２０Ｃの、像保持体７に向かい合う側の面は、開口されている。なお、なお、この開口部には、光源２０Ａから照射される光の波長に応じて、除電装置２０から像保持体７へ照射される除電光の波長が上記条件を満たすように、透過波長を調整するためのフィルタ２０Ｄを設けた構成とすればよい。
【０１３１】
このような構成の除電装置２０を用いることで、ＬＥＤ等の光源２０Ａを像保持体７の長尺方向に複数配列した構成の除電装置を用いた場合に比べて、像保持体７の幅方向における除電光の強度のムラが抑制されると考えられる。このため、更に画像のムラが抑制されると考えられる。
【０１３２】
なお、この像保持体７の幅方向における、除電装置２０から照射される除電光の強度は、像保持体７の幅方向における除電光の強度のムラの抑制の観点から、具体的には、下記式（１）の関係を満たすことが良い。
【０１３３】
（最大光強度−最小光強度）／（最大光強度＋最小光強度）≦０．６ 式（１）
【０１３４】
式（１）中、最大光強度とは、除電装置２０から照射される除電光の強度を、像保持体７の幅方向の一端から他端に渡って測定したときの最大光強度を示している。また、式（１）中、最小光強度とは、除電装置２０から照射される除電光の強度を、像保持体７の幅方向の一端から他端に渡って測定したときの最小光強度を示している。
【０１３５】
この除電光の強度の測定は、例えば、暗室内にて除電装置２０から除電光を照射させた状態で、除電装置２０の照射面（図５に示す除電装置２０であれば、フィルタ２０Ｄの設けられた位置）から１０ｍｍの位置に、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製のＯＰＴＩＣＡＬ ＰＯＷＥＲ ＭＡＵＬＴＩＭＥＲ ＴＱ６２１５をセットし、除電装置２０の導光部材２０Ｂの長尺方向の一端から他端に向かって、１０ｍｍ／ｓｅｃのスピードで測定を行い、測定結果から、最大光強度と、最小光強度と、を読取ることで行う。
【０１３６】
また、本実施の形態の画像形成装置１０では、加熱装置２２によって像保持体７の表面層５が加熱される構成であることが良い。硬化触媒は、熱を加えられることによって、保持した電荷を放出すると考えられる。このため、この加熱装置２２による加熱を組み合わせることで、除電光による画像のムラが更に抑制されると考えられる。
【０１３７】
なお、この加熱装置２２による像保持体７の加熱は、画像形成装置１０の図示を省略する電源が操作されて画像形成装置１０の装置各部に電力が供給されてから、該電力の供給が遮断されるまでの間継続して行われても良く、像保持体７が回転されるときにのみ行われても良く、予め定めた時間毎に行うようにしてもよい。
【０１３８】
なお、本実施の形態では、画像形成装置１０では、１つの像保持体７を備えた構成である場合を説明したが、複数の像保持体７が中間転写体５０の搬送方向に配列された、所謂、タンデム型の画像形成装置にも適用される。
【実施例】
【０１３９】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１４０】
［像保持体の作製］
−像保持体１の作製−
先ず、ホーニング処理を施した６０ｍｍΦの円筒状アルミニウム基材を準備した。次に、ジルコニウム化合物（商品名：オルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）を２０質量部、シラン化合物（商品名：Ａ１１００、日本ユニカー社製）を２．５質量部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックスＢＭ−Ｓ、積水化学社製）を３質量部、及びブタノールを４５質量部混合し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液をアルミニウム基材上に浸漬塗布し、１４５℃で１０分間加熱乾燥し、１．５μｍの下引層を形成した。
【０１４１】
次に、電荷発生材料として、Ｘ線回折スペクトルにおけるブラッグ角（２θ±０．２°）が、７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピークを持つクロロガリウムフタロシアニン（光吸収波長（ピークの波長）８１０ｎｍ）を１質量部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）を１質量部、及び酢酸ｎ−ブチルを１００質量部混合し、さらにガラスビーズとともにペイントシェーカーで１時間処理して分散し、電荷発生層の形成用の塗布液を得た。この塗布液を下引層上に浸漬塗布し１００℃で１０分間加熱乾燥し、膜厚約０．１０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１４２】
次に、下記式（ＣＴ−１）で示される電荷輸送材料を２．５質量部、下記式（Ｂ−１）で示される構造単位を有する高分子化合物（粘度平均分子量：６００００）を２．５質量部、及びクロロベンゼンを２０質量部混合し、電荷輸送層の形成用の塗布液を得た。
【０１４３】
【化８】
【０１４４】
【化９】
【０１４５】
この電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗布し、１３５℃で４０分の加熱を行ない、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。このように、アルミニウム基材上に、電荷発生層及び電荷輸送層を形成した。
【０１４６】
次に、硬化性樹脂としてグアナミン樹脂（ニカラックＢＬ−６０（日本カーバイト社製））６質量部、電荷輸送材料として下記（Ｉ−１１）で示される化合物９４質量部、及び硬化触媒としてのｐ−トルエンスルホン酸触媒０．１９質量部をシクロペンタノールに溶解させ、表面層の形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布法により塗布し、室温で３０分風乾した。その後、１６０℃で１時間加熱処理して硬化し、膜厚約５．５μｍの表面層を形成した。この像保持体を像保持体１とした。この表面層の光吸収波長は、６８０ｎｍである。
【０１４７】
【化１０】
（Ｉ−１１）
【０１４８】
−像保持体２〜６の作製−
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が５００ｎｍのジブロモアントアントロンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、ドデシルベンゼンスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体２を作製した。この表面層の光吸収波長は、７１０ｎｍである。
【０１４９】
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が５５０ｎｍの三方晶セレンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、Ｐ-トルエンスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体３を作製した。この表面層の光吸収波長は、６８０ｎｍである。
【０１５０】
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が８１０ｎｍのヒドロキシガリウムフタロシアニンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、ドデシルベンゼンスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体４を作製した。この表面層の光吸収波長は、７１０ｎｍである。
【０１５１】
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が８１０ｎｍのヒドロキシガリウムフタロシアニンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、ドデシルベンゼンスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体５を作製した。この表面層の光吸収波長は、７００ｎｍである。
【０１５２】
像保持体１において、電荷発生層に用いた電荷発生材料に代えて、光吸収波長（ピーク波長）が６７０ｎｍの無金属フタロシアニンを電荷発生材料として用い、表面層に用いた硬化触媒に代えて、ジノニルナフタレンジスルホン酸を硬化触媒として用いた以外は、像保持体１と同じ材料及び同じ条件で、像保持体６を作製した。この表面層の光吸収波長は、８００ｎｍである。
【０１５３】
[除電装置の調整]
―除電装置１―
図５に示す構成の除電装置を用いた。詳細には、導光部材として、除電装置を搭載対象の画像形成装置の像保持体の幅方向より長い、円柱状のアクリル樹脂を用意し、この円柱状のアクリル樹脂の外周面の内の、画像形成装置に設置されたときに像保持体に向かい合う領域以外の領域について、光が乱反射するようにダイヤカット処理を行ったものを用意した。この導光部材の両端部に、光源として、砲弾型赤色ＬＥＤ（ピーク波長６６０ｎｍ）を設置し、この光源から光を導光部材内に照射する構成とした。なお、この光源は、ＤＣ１２Ｖ電源で駆動させた。また、除電装置の筐体の、像保持体に向かう側の面には、フィルタを設けて、６６０ｎｍの波長の光のみを透過させて除電光の波長を６６０ｎｍとした。これを、除電装置１とした。
【０１５４】
―除電装置２〜除電装置６―
上記除電装置１において用いた光源に代えて、ピーク波長６８０ｎｍの光を照射する砲弾型ＬＥＤ光源を用い、除電装置の筐体の像保持体に向かう側の面に設けられたフィルタを代えて、６８０ｎｍの波長のみを透過させるフィルタを設けた。これによって、除電光として、６８０ｎｍの波長の光を照射する除電装置２とした。
【０１５５】
上記除電装置１において用いた光源に代えて、ピーク波長６００ｎｍの光を照射する砲弾型ＬＥＤ光源を用い、除電装置の筐体の像保持体に向かう側の面に設けられたフィルタを代えて、６００ｎｍの波長のみを透過させるフィルタを設けた。これによって、除電光として、６００ｎｍの波長の光を照射する除電装置３とした。
【０１５６】
上記除電装置１において用いた光源に代えて、３波長形の光を照射する砲弾型ＬＥＤ光源を用い、除電装置の筐体の像保持体に向かう側の面に設けられたフィルタを代えて、５００ｎｍの波長のみを透過させるフィルタを設けた。これによって、除電光として、５００ｎｍの波長の光を照射する除電装置４とした。
【０１５７】
上記除電装置１において、導光部材を外し、かわりに、該除電装置１で用いた光源を、像保持体の幅方向に沿って1ｃｍ間隔で３６個配列させた。なお、フィルタは除電装置１と同じものを用いた。これによって、除電光として、６６０ｎｍの波長の光を照射する除電装置５とした。
【０１５８】
上記除電装置１において用いた光源に代えて、ピーク波長７００ｎｍの光を照射する砲弾型ＬＥＤ光源を用い、除電装置の筐体の像保持体に向かう側の面に設けられたフィルタを代えて、７００ｎｍの波長のみを透過させるフィルタを設けた。これによって、除電光として、７００ｎｍの波長の光を照射する除電装置６とした。
【０１５９】
[加熱装置の調整]
像保持体を加熱装置としては、ベルト状ヒータを用意し像保持体の内部に装着出来るように改造を行った。これを、下記画像形成装置に搭載し、像保持体の表面が３０℃以上４０℃以下となるように加熱した。
【０１６０】
［実施例１〜実施例６，比較例１〜比較例２］
上記に調整した像保持体１〜６と、除電装置１〜６と、加熱装置と、を、下記表１のように組み合わせて、フルカラーレーザプリンタ（富士ゼロックス社製、「Ｄｏｃｕ Ｃｅｎｔｒｅ Ｃｏｌｏｒ ７５５０」、中間転写体あり）に装着した。次いで、一般環境（２２℃、５０％ＲＨ）の環境下、Ａ４用紙でエリアカバレッジ５％のドキュメントを５千枚に連続プリントする走行試験を行った。上記走行後、Ａ３用紙で３０％濃度の全面ハーフトーン出力試験を行い、除電装置による、画像のムラの評価を実施した。
【０１６１】
［評価基準］
−画像のムラ
Ｇ１：画像に濃度ムラは確認されない
Ｇ２：部分的（画像の形成された領域の３０％以下）に濃度むらが確認される。
Ｇ３：画像の形成された領域の６０％を超える領域に濃度むらが確認される。
【０１６２】
【表１】
【０１６３】
表１に示すように、感光層に含まれる電荷発生材料の光吸収波長と、表面層に含まれる硬化触媒の光吸収波長と、が異なり、除電装置による除電光の波長が硬化触媒の光吸収波長以外の波長である実施例１〜実施例６では、これらの条件の何れかを満たさない比較例１〜比較例２に比べて、画像のムラの評価において良好な結果が得られた。
【０１６４】
また、実施例１〜実施例６の中でも、除電装置の構成を、導光部材を用いた構成とした実施例１では、除電装置の構成を、導光部材を用いず光源を複数配列させた構成とした以外は同じ条件の実施例５に比べて、画像のムラがより改善されていた。
【０１６５】
また、実施例１〜実施例６の中でも、加熱装置による加熱を行った実施例６では、該加熱装置による加熱を行わなかった以外は同じ構成の実施例１に比べて、更なる画像のムラの改善がみられた。
【符号の説明】
【０１６６】
７ 像保持体，８ 露光装置，９ 潜像形成装置，１２ 現像装置，２０ 除電装置，２０Ａ 光源，２０Ｂ 導光部材，２２ 加熱装置，４０ 転写装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、電荷発生材料を含む感光層、及び硬化性樹脂と硬化触媒とを含む表面層が順に設けられ、前記電荷発生材料の光吸収波長と前記表面層の光吸収波長とが異なる像保持体と、
前記像保持体を帯電させる帯電装置と、
前記像保持体に静電潜像を形成する潜像形成装置と、
前記像保持体に形成された静電潜像をトナーによってトナー像に現像する現像装置と、
前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、
前記像保持体に、前記表面層の光吸収波長以外の波長の除電光を照射する除電装置と、
を備えた画像形成装置。
【請求項２】
前記除電装置が、前記像保持体の軸方向に延在され、光を導光する導光部材と、該導光部材の長尺方向の少なくとも一端側に設けられた光源と、から構成された請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記像保持体を加熱する加熱装置を備えた請求項１または請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項１】
基体上に、電荷発生材料を含む感光層、及び硬化性樹脂と硬化触媒とを含む表面層が順に設けられ、前記電荷発生材料の光吸収波長と前記表面層の光吸収波長とが異なる像保持体と、
前記像保持体を帯電させる帯電装置と、
前記像保持体に静電潜像を形成する潜像形成装置と、
前記像保持体に形成された静電潜像をトナーによってトナー像に現像する現像装置と、
前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、
前記像保持体に、前記表面層の光吸収波長以外の波長の除電光を照射する除電装置と、
を備えた画像形成装置。
【請求項２】
前記除電装置が、前記像保持体の軸方向に延在され、光を導光する導光部材と、該導光部材の長尺方向の少なくとも一端側に設けられた光源と、から構成された請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記像保持体を加熱する加熱装置を備えた請求項１または請求項２に記載の画像形成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−６９９０４（Ｐ２０１１−６９９０４Ａ）
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２１９４４３（Ｐ２００９−２１９４４３）
【出願日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
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