発光素子
【課題】 発光特性および駆動耐久性が良好な発光素子の提供にある。
【解決手段】 一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする発光素子。
【化１】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に水素、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｘ1とＸ2はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【解決手段】 一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする発光素子。
【化１】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に水素、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｘ1とＸ2はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子（発光素子、またはＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
しかしながら、この有機電界発光素子は無機ＬＥＤ素子や、蛍光管に比べ非常に発光効率が低く大きな問題となっている。現在提案されている有機電界発光素子のほとんどは、有機化合物発光材の一重項励起子から得られる蛍光発光を利用したものである。単純な量子化学のメカニズムにおいては励起子状態において、蛍光発光が得られる一重項励起子と燐光発光が得られる三重項励起子の比は１対３であり、蛍光発光を利用している限りは励起子の２５％しか有効活用できず発光効率の低いものとなる。それに対して三重項励起子から得られる燐光を利用できるようになれば、発光効率を向上できることになる。発光効率（外部量子効率）は、「外部量子効率φ＝素子から放出されたフォトン数／素子に注入された電子数」で算出され、この値が大きいほど消費電力の点で有利な素子と言える。有機電界発光素子の外部量子効率は「外部量子効率φ＝内部量子効率×光取り出し効率」で決まる。
上記の考えのもとで近年イリジウムのフェニルピリジン錯体を用いた燐光発光素子が報告されている（非特許文献１）。これらの報告では従来の蛍光利用有機発光素子に対して、２〜３倍の発光効率を報告している。しかしながら、省エネルギ−や耐久性向上の点でこれでもまだまだ低く、さらに一層の発光効率向上および輝度向上が強く求められている。
また、有機電界発光素子に用いる発光材以外の有機化合物、例えば、電子輸送材、正孔輸送材等も、輝度向上や駆動耐久性向上等のため、検討が行われている。シラシクロペンタジエン化合物は、発光材、電子輸送材、正孔阻止材等に用いることが開示されており（例えば、特許文献１〜３、非特許文献１〜４等参照）、特に電子輸送能が高いことが知られており、発光効率の面で期待されているが、反面、駆動耐久性の面ではまだ不十分であり、向上が望まれている。
【特許文献１】特許第２９１８１５０号公報
【特許文献２】特開２０００−１８６０９４号公報
【特許文献３】特開２００１−１７２２８４号公報
【非特許文献１】「アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．）」、１９９９、第７５巻、ｐ．４
【非特許文献２】「ケミカル フィジックス レターズ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔ．）」、２００１、第３３９号、ｐ．１６１−１６６
【非特許文献３】「ケミカル マテリアルズ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」、２００１、第１３巻、ｐ．２６８０−２６８３
【非特許文献４】「アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．）」、２００２、第８０巻、ｐ．８９−１９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、発光特性および駆動耐久性が良好な発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この課題は下記手段によって達成された。すなわち、
＜１＞ 一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする発光素子。
【０００５】
【化１】
【０００６】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【０００７】
＜２＞ 前記一般式（Ｉ）の化合物が下記一般式（ＩＩ）であることを特徴とする上記＜１＞に記載の発光素子。
【０００８】
【化２】
【０００９】
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【００１０】
＜３＞ 前記正孔阻止層中に、８−キノリノール誘導体の金属錯塩、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）から選ばれる化合物のうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞に記載の発光素子。
【００１１】
【化３】
【００１２】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ11はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【００１３】
【化４】
【００１４】
（一般式（ＩＶ）中、Ａｒ21はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ22はアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。Ａｒ22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ21、Ｒ22、又はＲ23は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、ｍは１もしくは２を表す。）
【００１５】
【化５】
【００１６】
（一般式（Ｖ）中、Ａｒ32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ａｒ32は、前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ31、Ｒ32、又はＲ33は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【００１７】
【化６】
【００１８】
（一般式（ＶＩ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16は水素原子もしくは置換基を表す。）
【００１９】
【化７】
【００２０】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｌは単結合、あるいは２価以上の連結基を表し、Ｔは一般式（１）で表される構造のＲ1〜Ｒ16のいずれかから水素原子などの原子を脱離して得られる基、又はＲ1〜Ｒ16のいずれか１つを除いて得られる基を表す。ｎは２以上の整数を表し、複数のＴは互いに独立である。）
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、外部量子効率及び最高輝度が高く、発光特性が優れ、また、駆動耐久性も優れる発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の発光素子は、一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする。
発光素子が、一対の電極間に発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層のうち少なくとも一層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することにより、発光特性（外部量子効率及び最高輝度）に優れ、低駆動電圧が低く、更に駆動耐久性に優れた性能とすることができる。
【００２３】
（一般式（Ｉ）で表される化合物）
一般式（Ｉ）で表される化合物について詳細に説明する。
【００２４】
【化８】
【００２５】
一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｒ1〜Ｒ4に、置換基が導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｘ1及びＸ2に、置換基を導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
【００２６】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ1〜Ｒ4で表されるアルキル基として好ましくは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基が挙げられる。
【００２７】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるアリール基としては、単環又は２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ1〜Ｒ4で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ、これらのうち好ましくはフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。
【００２８】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるヘテロアリール基は、単環又は２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基である。Ｒ1〜Ｒ4で表されるヘテロアリール基の具体例としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられ、好ましくはピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、より好ましくはピリジル基、トリアジニル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましくはピリジル基である。
【００２９】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては以下の置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【００３０】
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、
【００３１】
アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【００３２】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には、例えば、イミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）。
【００３３】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基が有してもよい置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０）、アリール基、又はヘテロアリール基が好ましく、アリール基、又はヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、又はピリジル基がさらに好ましく、ピリジル基が最も好ましい。
【００３４】
前記Ｘ1及びＸ2で表されるアルキル基としては、炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
前記Ｘ1及びＸ2で表されるアリール基は、単環又は２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０のアリール基である。Ｘ1及びＸ2で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ
前記Ｘ1及びＸ2で表されるヘテロアリール基は、単環又は２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、炭素数１〜２０のヘテロアリール基であることが好ましい。Ｘ1及びＸ2で表されるヘテロアリール基の具体例としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
【００３５】
前記Ｘ1及びＸ2で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、更に置換基を有していてもよく、置換基としては上述した置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【００３６】
（一般式（ＩＩ）で表される化合物）
本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。
【００３７】
【化９】
【００３８】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｒ1〜Ｒ8に置換基を導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
【００３９】
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるハロゲン原子としては、前記一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ4で表されるハロゲン原子と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるアルキル基としては、前記一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ4で表されるアルキル基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるアリール基としては、前記一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ4で表されるアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるヘテロアリール基としては、前記一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ4で表されるヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００４０】
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては上述した置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【００４１】
一般式（Ｉ）又は一般式（ＩＩ）で表される化合物は、Ｒ1又はＲ2を介してビス型構造を有していてもよい。
【００４２】
＜一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物の合成方法＞
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物は、例えば、特許２９１８１５０号公報に記載の方法（以下に記載の方法）に準じて合成することができる。
即ち、先ず、一般式（Ａ）で表されるアセチレン誘導体にアルカリ金属錯体を反応させる。
【００４３】
【化１０】
【００４４】
一般式（Ａ）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、炭素数１〜６までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を示すか、或いはＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成しており、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、又はシアノ基を示すか、置換若しくは無置換の環が縮合してもよい。
続いて、下記一般式（Ｂ）で表されるシラン誘導体を反応させる。
【００４５】
【化１１】
【００４６】
一般式（Ｂ）中、Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立に、ターシャリ−ブチル基若しくはアリール基を示す。
【００４７】
さらに続いて、塩化亜鉛又は塩化亜鉛錯体を反応させることによって、下記一般式（Ｃ）で表される反応性シラシクロペンタジエン誘導体が得られる。
【００４８】
【化１２】
【００４９】
一般式（Ｃ）中、Ａは、ハロゲン化亜鉛又はハロゲン化亜鉛錯体を示し、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を示すか、ＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成しており、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキジカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、又はシアノ基を示すか、置換若しくは無置換の環が縮合してもよい。
【００５０】
ここで用いられるアセチレン誘導体に付く置換基としては、アルカリ金属錯体とアセチレンとの反応を阻害しにくいものがよく、特に好ましくはアルカリ金属錯体に対して不活性なものが好ましい。用いられるアルカリ金属錯体としては、例えば、リチウムナフタレニド、ナトリウムナフタレニド、カリウムナフタレニド、リチウム４，４'−ジターシャリ−ブチル−２，２'−ビフェニリドあるいはリチウム（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）ナフタレニドなどがあげられる。用いられる溶媒としては、アルカリ金属あるいはアルカリ金属錯体に不活性なものなら特に制限はなく、通常、エーテルあるいはテトラヒドロフランのようなエーテル系の溶媒が用いられる。続いて使用されるシラン誘導体の置換基としては、嵩高いものが好ましく、具体的にはターシャリ−ブチルジフェニルクロロシランあるいはジターシャリ−ブチルフェニルクロロシランなどが挙げられる。さらに続いて用いられる塩化亜鉛又は塩化亜鉛の錯体としては、塩化亜鉛の固体を直接用いるか、塩化亜鉛のエーテル溶液を使用するか、あるいは塩化亜鉛のテトラメチルエチレンジアミン錯体などが挙げられる。これらの塩化亜鉛類は、充分に乾燥していることが好ましく、水分が多いと目的物が得られ難くなる。この一連の反応は、不活性気流中で行うことが好ましく、アルゴンガスが使われる。このようにして得られた反応性シラシクロペンタジエン誘導体に触媒の存在下、一般式（Ｄ）で表されるハロゲン化物を反応させることによって、シラシクロペンタジエン誘導体を得ることができる。
【００５１】
【化１３】
【００５２】
一般式（Ｄ）中、Ｘは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子表し、Ｒは、ハロゲン、置換若しくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、パーフルオロアルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、又はアルキニル基を示す。
【００５３】
ここで用いられる触媒としては、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウムあるいはジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムなどのパラジウム触媒が挙げられる。一速の反応の各段階において、反応温度に特に制限はないが、アルカリ金属錯体、シラン誘導体及び塩化亜鉛等を加え攪拌する際には、室温以下が好ましく、通常０℃以下で行われる。ハロゲン化物を加えた後の反応温度は、室温以上が好ましく、通常、溶媒にテトラヒドロフランを用いた場合には還流下で行われる。反応時間においても特に制限はなく、アルカリ金属錯体、シラン誘導体及び塩化亜鉛等を加え攪拌する際には、数分から数時間の間が望ましい。ハロゲン化物を加えた後の反応は、ＮＭＲあるいはクロマトグラフィー等の一般的な分析手段により反応を追跡し、反応の終点を決定すればよい。
【００５４】
以下に、本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物、及び一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例〔例示化合物（Ｓ−１）〜（Ｓ−１２〕を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
【化１４】
【００５６】
【化１５】
【００５７】
本発明において、一般式（Ｉ）で表される化合物（又は一般式（ＩＩ）で表される化合物）の含有量としては、有機化合物層１層当たり、５〜９５質量％であることが好ましく、１０〜９０質量％であることがより好ましく、２０〜８０質量％であることがさらに好ましい。
また、一般式（Ｉ）で表される化合物（又は一般式（ＩＩ）で表される化合物）は、一種単独で用いてもよいし、２以上を併用してもよい。
【００５８】
（８−キノリノール誘導体の金属錯塩）
下記一般式（１）の８−キノリノール誘導体の金属錯塩について、詳細に説明する。
【００５９】
【化１６】
【００６０】
一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、Ｌは−ＯＲ7（Ｒ7はアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子を含んでもよい芳香族環基、金属原子や酸素原子からなる連結基を有する芳香族環基、又は前記連結基を有するオキシノイド化合物の配位子を示す。）、Ｍは金属原子を表し、ｎは１又は２の整数である。
【００６１】
また、一般式（１）で示される化合物は、一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ6がアルキル基またはアルコキシ基である場合、その好ましい炭素数は１〜６であり、特に１〜４が好ましい。また、Ｒ7がアルキル基である場合、その好ましい炭素数は１〜６であり、特に１〜４が好ましい。
【００６２】
一般式（１）で示される化合物の例としては、例えば特開平５−２１４３３２号公報、特開平５−２５８８６０号公報、特開平５−２５８８６２号公報、特開平５−１９８３７８号公報、特開平５−３３１４６０号公報、特開平９−９５６２０号公報、特開平９−１３０２６号公報、特開平９−３１４５５号公報、欧州特許７６５１０６号公報、欧州特許７７９７６５号公報等に開示されているオキシノイド配位子などを含んだ有機金属錯体等が挙げられる。
【００６３】
一般式（１）の８−キノリノール誘導体の金属錯塩の合成方法については、例えば上記に示した特許文献に記載の合成方法を用いることができるが、それらに限定されるものではない。
【００６４】
一般式（１）の具体的な化合物の例を表１〜表２３に示すが、これらに限定されるものではない。
【００６５】
【表１】
【００６６】
【表２】
【００６７】
【表３】
【００６８】
【表４】
【００６９】
【表５】
【００７０】
【表６】
【００７１】
【表７】
【００７２】
【表８】
【００７３】
【表９】
【００７４】
【表１０】
【００７５】
【表１１】
【００７６】
【表１２】
【００７７】
【表１３】
【００７８】
【表１４】
【００７９】
【表１５】
【００８０】
【表１６】
【００８１】
【表１７】
【００８２】
【表１８】
【００８３】
【表１９】
【００８４】
【表２０】
【００８５】
【表２１】
【００８６】
【表２２】
【００８７】
【表２３】
【００８８】
（一般式（ＩＩＩ）で表される化合物）
下記一般式（ＩＩＩ）について詳細に説明する。
【００８９】
【化１７】
【００９０】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【００９１】
Ａｒ11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。
【００９２】
Ａｒ11で表されるアリール基は単環または２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基である。Ａｒ11で表されるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられ、これらのうち好ましくはフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。
【００９３】
Ａｒ11で表されるヘテロアリール基は単環または２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基である。Ａｒ11で表されるヘテロアリール基の具体例としては例えばピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられ、好ましくはピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、より好ましくはピリジル基、トリアジニル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましくはピリジル基である。
【００９４】
Ａｒ11で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は置換基を有していても良く、置換基としては一般式（Ｉ）の項で述べた置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【００９５】
Ａｒ11で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０）、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【００９６】
Ａｒ12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。
【００９７】
Ａｒ12で表される２環以上６環以下の環が縮環した縮合環のアリーレン基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリーレン基であり、例えばナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。
【００９８】
Ａｒ12で表されるヘテロアリーレン基としては単環または２環以上６環以下の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基であり、例えばピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、アクリジニレン基、フェナントリジニレン基、ピラジニレン基、キノキサリニレン基、ピリミジニレン基、トリアジレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、フリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基等が挙げられる。
【００９９】
Ａｒ12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。
【０１００】
Ａｒ12として好ましくはオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはメタフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基、オキサジアゾリレン基であり、最も好ましくはメタフェニレン基、ビフェニレン基である。
【０１０１】
Ａｒ12で表されるアリーレン基あるいはヘテロアリーレン基は置換基を有していても良く、置換基としてはアルキル基を含め前記置換基群Ａから選ぶことが可能である。Ａｒ12で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０）、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【０１０２】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【０１０３】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13として好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
【０１０４】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるアリール基としては前記Ａｒ11で挙げた例が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【０１０５】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるヘテロアリール基としては前記Ａｒ11で挙げた例が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【０１０６】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13として最も好ましくはフェニル基である。
【０１０７】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、置換基を有しても良く、置換基としては上記置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【０１０８】
（一般式（ＩＶ）で表される化合物
次に、下記一般式（ＩＶ）ついて詳細に説明する。
【０１０９】
【化１８】
【０１１０】
一般式（ＩＶ）においてＡｒ21は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。
【０１１１】
Ａｒ21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は前記Ａｒ11で説明したアリール基、ヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１２】
Ａｒ21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は置換基を有していても良く、例えば前記置換基群Ａから選ぶことが可能である。Ａｒ21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【０１１３】
Ａｒ22は互いに同じでも異なっていても良いアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。
【０１１４】
Ａｒ22で表されるアリーレン基としては単環または２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリーレン基である。Ａｒ22で表されるアリーレン基の具体例としては例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。
【０１１５】
Ａｒ22で表されるヘテロアリーレン基は単環または２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリーレン基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリーレン基である。Ａｒ22で表されるヘテロアリーレン基の具体例としては例えば前記Ａｒ12で挙げたヘテロアリーレン基の例として挙げたものが挙げられる。
【０１１６】
Ａｒ22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。
【０１１７】
Ａｒ22として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基であり、最も好ましくはパラフェニレン基である。
【０１１８】
Ａｒ22で表されるアリーレン基あるいはへテロアリーレン基は置換基を有していても良く、Ａｒ22が有しても良い置換基の具体例及び好ましい例は前記Ａｒ12が有しても良い置換基と同じである。
【０１１９】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【０１２０】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は具体例、好ましい範囲ともに前記Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基と同じである。
【０１２１】
ｍは１もしくは２を表し、２がより好ましい。
【０１２２】
（一般式（Ｖ）で表される化合物）
次に、下記一般式（Ｖ）について詳細に説明する。
【０１２３】
【化１９】
【０１２４】
一般式（３）中、Ａｒ32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【０１２５】
Ａｒ32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。
【０１２６】
Ａｒ32で表されるアリーレン基は前記Ａｒ22で表されるアリーレン基と同義であり、具体例も同じである。
【０１２７】
Ａｒ32で表されるアゾール構造を含む基は例えばオキサゾリレン基、チアゾリレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、チアジアゾリレン基、トリアゾリレン基、ピロリレン基、インドリレン基、イミダゾピリジレン基、カルバゾリレン基が挙げられる。
【０１２８】
Ａｒ32で表されるヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基は例えばピラジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基が挙げられる。
【０１２９】
Ａｒ32で表されるフラン構造を含む基は例えばベンゾフラン構造を含む基、ジベンゾフラン構造を含む基などが挙げられる。
【０１３０】
Ａｒ32で表されるチオフェン構造を含む基は例えばベンゾチオフェン構造を含む基、ジベンゾチオフェン構造を含む基、ビチオフェン構造を含む基などが挙げられる。
【０１３１】
Ａｒ32は前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、又は及びチオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。
【０１３２】
Ａｒ32として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基であり、最も好ましくはパラフェニレン基である。
【０１３３】
Ａｒ32で表される基は置換基を有しても良く、Ａｒ32が有しても良い置換基の具体例及び好ましい例は前記Ａｒ12が有しても良い置換基と同じである。
【０１３４】
Ｒ31、Ｒ32、及びＲ33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。
【０１３５】
Ｒ31、Ｒ32、及びＲ33で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、その具体例、及び好ましい範囲ともに前記Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基と同じである。
【０１３６】
一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）で表される化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【０１３７】
以下に、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）の化合物例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１３８】
【化２０】
【０１３９】
【化２１】
【０１４０】
【化２２】
【０１４１】
【化２３】
【０１４２】
（一般式（ＶＩ）で表される化合物）
以下に、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物について詳細に説明する。
【０１４３】
【化２４】
【０１４４】
一般式（VI）に含まれるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16は水素原子もしくは置換基を表す。置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、
【０１４５】
アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、
【０１４６】
アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【０１４７】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。
【０１４８】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16に含まれる置換基の例として好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基である。
【０１４９】
一般式（VI）で表される化合物は、その骨格上のＲ1〜Ｒ16を介して、又はＲ1〜Ｒ16のいずれかの水素原子などの原子が離脱して、２個以上が結合することにより形成した２量体以上の多量体を形成していてもよい。このように一般式（１）で表される化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）が好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、トリフェニレン構造がポリマー主鎖を構成するように含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【０１５０】
（一般式（ＶＩＩ）で表される化合物）
次に一般式（２）で表される化合物について説明する。
【０１５１】
【化２５】
【０１５２】
Ｌは、単結合あるいは２価以上の連結基を表す。Ｌは好ましくは単結合、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｇｅなどで形成される連結基であり、さらに好ましくは単結合、２価以上の芳香環、２価以上の芳香族複素環、炭素原子、窒素原子、又はケイ素原子で形成される連結基である。最も好ましくは単結合、２価以上のベンゼン、２価以上のナフタレン、２価以上のビフェニル、２価以上のテルフェニル、２価以上のトリフェニレン、２価以上のフェナンスレン、２価以上のトリアゾール、２価以上のピリジン、２価以上のピリミジン、炭素原子、窒素原子、又はケイ素原子で形成される連結基ある。一般式（VII）で表される化合物は、前記の一般式（VI）で表される化合物のＲ1〜Ｒ16のいずれかから水素原子などの原子を離脱して得られる基で結合した、又はＲ1〜Ｒ16のいずれか１つを除いて結合した２量体以上の多量体を形成したものに相当する。
【０１５３】
Ｌで表される連結基は、置換基を有しても良く、置換基はＲ1〜Ｒ16について述べた前記置換基と同義である。置換基として好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基である。
【０１５４】
Ｌで表される連結基の具体例としては単結合の他、例えば以下のものが挙げられるが、本発明のＬはこれらに限定されない。下記の連結基中、フリーの結合手の全てに前記の一般式（VI）から誘導されるテトラフェニレン基が結合していてもよいが、これに限定されるわけではなく、少なくとも２本の結合手に結合していればよい。この場合テトラフェニレン基の結合しない結合手には、水素原子や通常の置換基が結合していてもよい。
【０１５５】
【化２６】
【０１５６】
【化２７】
【０１５７】
【化２８】
【０１５８】
前記Ｔは一般式（VＩ）で表される構造のＲ1〜Ｒ16のいずれかから原子を脱離して得られる基、又はＲ1〜Ｒ16のいずれか１つを除いて得られる基を表す。ｎは２以上の整数を表し、複数のＴは互いに独立であり、互いに同じでも異なっていてもよい。
【０１５９】
一般式（ＶＩＩ）においてｎは２以上の整数を表すが、好ましくは２から８の整数であり、さらに好ましくは２から４の整数である。
一般式（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表される化合物と三重項発光材料の比は、前者の構造、後者のＴ1レベルなどによって異なるが、質量比で好ましくは５０：５０〜９９．９：０．１、より好ましくは８０：２０〜９９：１である。
【０１６０】
次に、本発明の一般式（VI）及び一般式（VII）の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【０１６１】
【化２９】
【０１６２】
【化３０】
【０１６３】
本発明の化合物は、例えば、非特許文献 Ｊｕｓｔｕｓ Ｌｉｅｂｉｇｓ Ａｎｎａｌｅｎ ｄｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ，７０４， ９１ （１９６７）．Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ３９， ５３９３ （１９９８），Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ： Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ １， １５９ （２００１）、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ， Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｉｎ Ｅｎｇｌｉｓｈ， ３６， １６０７ （１９９７）等に記載の方法によって合成することが出来る。
【０１６４】
＜発光素子＞
次に、本発明の発光素子について説明する。
本発明の発光素子は、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうちすくなくとも一層が前記一般式（Ｉ）の化合物を含有し、該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有する素子であれば、システム、駆動方法、及び利用形態など特に問わない。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【０１６５】
本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、中でも消費電量が下げられる点、駆動耐久性を挙げられる点で、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動した時の１００〜３００ｃｄ／ｍ 2 付近での外部量子効率の値を用いることができる。
素子の外部量子効率は、発光輝度、発光スペクトル、電流密度を測定し、その結果と比視感度曲線から算出することができる。すなわち、電流密度値を用い、入力した電子数を算出することができる。そして、発光スペクトルと比視感度曲線（スペクトル）を用いた積分計算により、発光輝度を発光したフォトン数に換算することができる。これらから外部量子効率（％）は、「（発光したフォトン数／素子に入力した電子数）×１００」で計算することができる。
本発明においては、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定し、１００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率が算出でき、本発明においてはこの数値を用いる。
【０１６６】
本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に、少なくとも発光層、前記一般式（Ｉ）含有層、及び正孔阻止層を設置した素子であり、さらに、発光層、前記正孔阻止層を含む複数の有機化合物膜を形成して他の層を有する素子でもよい。
前記発光層、前記一般式（Ｉ）含有層、及び正孔阻止層のほかの層としては、正孔輸送層を有することが好ましく、更に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよい。またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよく、同層が積層されいてもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
前記一般式（Ｉ）含有層が、好適には電子輸送層であることが好ましい。
【０１６７】
（陽極）
前記陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。
具体例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。
陽極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１６８】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。透明樹脂基板としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子材料が挙げられる。
基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には、材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は、洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【０１６９】
（陰極）
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。
陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。
陰極は、上記化合物及びそれらの混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及びそれらの混合物を含む積層構造を採ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。
陰極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は、低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０１７０】
（発光層）
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成できる材料であれば、特に限定されず、公知の発光材料を用いることができる。中でも、該公知の発光材料と共にホスト材料を用いることが好ましい。公知の発光材料は、単一物質でも複数の物質の組み合わせでもよい。電荷輸送機能と発光機能を分離してより優れた性能を得るため、あるいは高濃度の発光材料中で凝集が起こり励起状態が無輻射失活する現象（濃度消光）を防ぐために、発光材料をドーパントとして電荷輸送材料（ホスト材料）中にドープすることが好ましく行われる。
【０１７１】
−発光材料−
本発明の発光層は、前記発光材料とホスト材料とを共に含有することが好ましいが、発光層中に該発光材料としては０．１質量％以上２０質量％以下含有するのが好ましく、１質量％以上１５質量％以下含有するのがより好ましく、２質量％以上８質量％以下含有するのがさらに好ましい。
上記範囲よりも低濃度で該発光材料を使用すると、十分な発光輝度が得られない上にホスト材料が望まない波長で発光しやすくなる。また上記範囲よりも高濃度で該発光材料をを使用すると、濃度消光により発光効率が低下しやすくなるとともに、電荷が該発光材料を流れて分解が起こりやすくなるため発光素子の駆動耐久性が悪化する傾向となる。
また、本発明の発光素子における発光は、紫外発光、可視光発光、赤外発光であってもよく、また蛍光発光であっても燐光発光であってもよい。
本発明における好ましい発光材料としては、一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、又は、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであってもよい。
本発明に使用できる発光材料の例としては、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体及び白金ポルフィリン錯体等の遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１７２】
−ホスト材料−
本発明における前記発光材料のほか、発光層にはホスト材料をすることが好ましいが、例えば、カルバゾール誘導体（例えば「アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）」、１９９９、第７４巻、第３号、ｐ．４４２に記載のもの）、トリベンゾアゼピン誘導体（特開平１０−５９９４３号、同１０−２１９２４１号、同１０−３１６８７５号、同１０−３２４６８０号、同１０−３３０３６５号、特開２００１−９７９５３号）、トリアゾール誘導体（米国特許第３１１２１９７号）、オキサゾール誘導体（米国特許第３２５７２０３号）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３６１５４０２号、同３８２０９８９号、同３５４２５４４号、特公昭４５−５５５号、同５１−１０９８３号、特開昭５１−９３２２４号、同５５−１７１０５号、同５６−４１４８号、同５５−１０８６６７号、同５５−１５６９５３号、同５６−３６６５６号）、ポリアリールベンゼノイド誘導体（特開平１０−２５５９８５号、特開２００２−２６０８６１号）、アリールアミン誘導体（米国特許第３５６７４５０号、同３１８０７０３号、同３２４０５９７号、同３６５８５２０号、同４２３２１０３号、同４１７５９６１号、同４０１２３７６号、特公昭４９−３５７０２号、同３９−２７５７７号、特開昭５５−１４４２５０号、同５６−１１９１３２号、同５６−２２４３７号、西独特許第１１１０５１８号）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号、同６１−２２８４５１号、同６１−１４６４２号、同６１−７２２５５号、同６２−４７６４６号、同６２−３６６７４号、同６２−１０６５２号、同６２−３０２５５号、同６０−９３４４５号、同６０−９４４６２号、同６０−１７４７４９号、同６０−１７５０５２号）、芳香族第三アミン化合物及びスチリルアミン化合物（特開昭６３−２９５６９５号、同５３−２７０３３号、同５４−５８４４５号、同５４−１４９６３４号、同５４−６４２９９号、同５５−７９４５０号、同５５−１４４２５０号、同５６−１１９１３２号、同６１−２９５５５８号、同６１−９８３５３号、特開平８−２３９６５５号、米国特許第４１２７４１２号）、芳香族ジメチリデン系化合物（特開平６−３３００３４号）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３１８０７２９号、同４２７８７４６号、特開昭５５−８８０６４号、同５５−８８０６５号、同４９−１０５５３７号、同５５−５１０８６号、同５６−８００５１号、同５６−８８１４１号、同５７−４５５４５号、同５４−１１２６３７号、同５５−７４５４６号）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３６１５４０４号、特公昭５１−１０１０５号、同４６−３７１２号、同４７−２５３３６号、特開昭５４−５３４３５号、同５４−１１０５３６号、同５４−１１９９２５号）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３５２６５０１号）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３７１７４６２号、特開昭５４−５９１４３号、同５５−５２０６３号、同５５−５２０６４号、同５５−４６７６０号、同５５−８５４９５号、同５７−１１３５０号、同５７−１４８７４９号）、シラザン誘導体（米国特許第４９５０９５０号）、ポルフィリン系化合物（特開昭６３−２９５６９５号）、アントラキノジメタン誘導体及びアントロン誘導体（特開昭５７−１４９２５９号、同５８−５５４５０号、同６３−１０４０６１号、特開昭６１−２２５１５１号、同６１−２３３７５０号）、ジフェノキノン誘導体やチオピランジオキシド誘導体及びカルボジイミド誘導体（「ポリマー プレプリンツ、ジャパン（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ）」、１９８８、第３７巻、第３号、ｐ．６８１）、フルオレニリデンメタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号、同６１−１４３７６４号、同６１−１４８１５９号））、ジスチリルピラジン誘導体（「ケミストリー レターズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）」、１９９０、ｐ．１８９、特開平２−２５２７９３号、特開平５−１７８８４２号）、複素環テトラカルボン酸無水物誘導体（「ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）」、１９８８、２７巻、Ｌ２６９）、ポルフィリンやフタロシアニン誘導体（特開昭６３−２９５６９６５号）、８−キノリノール誘導体の金属錯体（「電子情報通信学会論文誌」、１９９０、Ｃ−２、ｐ．６６１）、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、及びベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体の群から選ばれるホスト材料を少なくとも１種含有することが正孔や電子の輸送性の点で好ましく、中でも、カルバゾール誘導体であることがより好ましい。
【０１７３】
またホスト材料の三重項励起状態から発光材料へのエネルギー授受が効率的に行われるためには、ホスト材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル（Ｔ1レベル）は発光材料のＴ1レベルよりも高いことが好ましい。発光材料のＴ1レベルはその発光波長が短いほど高くなるので、短波な発光素子用の発光層では高Ｔ1のホスト材料が必要であるが、一方でＴ1はホスト材料の最高占有軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）に関連し、これらは電荷の注入や輸送の能力に関わる（一般にＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差が大きいほど電荷が注入されにくく、電気的に絶縁性が高くなる）ため、最適なＴ1レベルのホスト材料を選択することが重要である。
特に、発光極大波長が５００ｎｍ以下の青色発光素子用の発光層ホスト材料のＴ1レベルは６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３４ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましい。
【０１７４】
上記物性値を満たす本発明の発光素子におけるホスト材料としては、特開２００２−１００４７６、特開２００２−３３８５７９号に記載のホスト材料が好ましく、特開２００２−１００４７６に記載のホスト材料がより好ましい。特開２００２−１００４７６に記載のホスト材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
【０１７５】
本発明における発光層は、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられるが、中でも、真空蒸着法が均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上の観点から好ましい。
蒸着法とは通常高真空下（１０-2Ｐａ以下）において物質を加熱蒸発させ、気体状となった物質をターゲット上に付着成膜する真空蒸着法のことであり、蒸発源から物質を蒸発させる加熱方法には抵抗加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法、レーザー加熱法などがあるが、抵抗加熱法が最も一般的である。 また加熱以外の方法で材料を蒸発させる方法としてスパッタリング法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシ法などがあり、目的により使い分けることができる。さらに広い意味での蒸着法としてターゲット表面上での化学反応により膜を形成するＣＶＤ法もあり、本発明でいう蒸着法はこれらの蒸着技術すべてを含むものとする。蒸着法の詳細についてはオーム社刊、「新判・真空ハンドブック」（株式会社アルバック編）の第８章に記載されている。
２種以上の物質の混合物で膜形成する場合には、１つの蒸発源に複数の物質の混合物を入れて蒸発させてもよいが、この方法では蒸発気体中の物質組成を一定に保つのが難しく、別々の蒸発源から同時に分子を飛ばす方法が一般的である。また加熱した基盤上に複数の物質を順次積層成膜し、熱による拡散を利用して均一な膜とする方法（特許第３３６２５０４号）も知られている。
【０１７６】
蒸着法で作成した発光層は、スピンコート法やインクジェット法に代表される湿式成膜法で作成した場合に比べて、溶媒やバインダ等に由来する不純物や酸素、水分を含まないため発光輝度や駆動耐久性の点で優れ、また既設の下層を溶媒により溶解する心配もなく、所望の膜厚の均一な発光層薄膜を容易に得ることができる。
さらに蒸着時にマスキングを施すことにより、画素ごとに異なる発光材料、ホスト材料を用いて異なる発光特性を持たせることができ、精細高画質のフルカラーディスプレイを作成するのに適している。
【０１７７】
本発明の発光層を蒸着法により形成する場合には、発光層の材料としてポリマーやオリゴマーといった高分子材料は、揮発性が低く蒸着が難しい上に、材料自体が分子量分布を有しており、再現性の良い発光が得にくいため好ましくない。
また蒸着の容易性から発光層の材料はイオン性化合物ではなく、中性分子化合物であることが好ましい。
蒸着により形成された発光層薄膜は、薄利やピンホール等の欠陥が無い均一な非結晶性薄膜（アモルファス膜）であることが好ましく、経時や熱による再結晶化が起こると発光素子の性能変化や劣化に繋がるため、融点ならびにガラス転位温度（Ｔｇ）は高いことが好ましい。発光層の材料の融点は好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上、さらに好ましくは２５０℃以上、Ｔｇは好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上である。
上記のような要求性能を満たすホスト材料としては、Ｔ1レベルが高く、結晶化が起こりにくく、励起状態の寿命が長く発光効率の高さが期待できるカルバゾール誘導体が最も好ましい。
【０１７８】
以下に、本発明における前記ホスト材料の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１７９】
【化３１】
【０１８０】
前記以外に発光層には、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド（特開平２−３０５８８６号）、クマリン、ペリレン（特開平２−１８９８９０号）、ペリノン、オキサジアゾール（特開平２−２１６７９１号、または第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体）、アルダジン（誘導体特開平２−２２０３９３号）、ピラジリン（特開平２−２２０３９４号公報）、シクロペンタジエンの金属錯体（特開平２−２８９６７５号）や希土類錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体及び白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及びそれらの誘導体等を添加することができる。
【０１８１】
発光層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層は一つであっても複数であってもよく、それぞれの発光層が異なる発光色で発光して、全体として例えば白色を発光してもよいし、単一の発光層から白色を発光してもよい。発光層が複数の場合、それぞれの発光層は単一材料で形成されていてもよいし、複数の化合物で形成されていてもよい。
【０１８２】
（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
前記正孔注入層、正孔輸送層の材料は、トリベンゾアゼピン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリアリールベンゼン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、スチルベン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体及びポルフィリン系化合物の群から選択される１種以上であることが好ましい。これらの化合物の好ましい例は前記ホスト材料の項で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
さらに正孔輸送層が前記発光層に隣接する層である場合には、発光層で生じた三重項励起子が正孔輸送層へ移動しないように正孔輸送材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル（Ｔ1レベル）は発光材料や発光層ホスト材料のＴ1レベルよりも高いことが好ましい。特に発光極大波長が５００ｎｍ以下の青色発光素子用の正孔輸送材料のＴ1レベルは６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３４ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましい。
上記物性値を満たす正孔輸送材料としては、特開２００２−１００４７６号に記載の正孔輸送材料が好ましく、特開２００２−１００４７６号に記載の正孔輸送材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
前記の化合物群のうちトリベンゾアゼピン誘導体は高Ｔ1で高い発光効率が期待でき、アリールアミン誘導体は高い安定性により耐久性向上が期待できるため、この両者から正孔輸送材料を選択することがより好ましい。
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、およびそれらの誘導体等を添加することができる。
【０１８３】
正孔注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常０．２ｎｍ〜１μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜０．２μｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍである。
正孔輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１８４】
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０１８５】
前記の層形成方法の中でも、正孔輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また正孔輸送層を蒸着法で設置する場合、正孔輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量３０００以下の低分子有機化合物及び／または分子量３０００以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
【０１８６】
（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
本発明の発光素子は、一対の電極間の有機化合物層のうちの少なくとも一層が、前記一般式（Ｉ）を含有する層であるが、中でも、一般式（Ｉ）が高い電子輸送能を有するとの観点から、好ましく該一般式（Ｉ）含有層が発光層と陰極との間に位置する層であることが好ましく、さらに電子注入層又は電子輸送層であることが好ましく、特に電子輸送層であること特に好ましい。
本発明の発光素子は、陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送材料を用いるのがより好ましい。
【０１８７】
本発明の電子注入層、電子輸送層の材料として、前記一般式（Ｉ）以外の具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及び、それらの誘導体等が挙げられる。
これらの化合物の好ましい例は前記ホスト材料の項で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
該正孔阻止層は、前記目的から発光層に隣接して設けられることが特に好ましい。
上記以外の電子輸送材料としては、特開２００２−１００４７６号に記載の電子輸送材料が好ましく、特開２００２−１００４７６号に記載の電子輸送材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、およびそれらの誘導体等を添加することができる。
電子注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常０．２ｎｍ〜１μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜０．２μｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍである。
電子輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
前記の層形成方法の中でも、電子輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また電子輸送層を蒸着法で設置する場合、電子輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量３０００以下の低分子有機化合物及び／または分子量３０００以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
【０１８８】
（正孔阻止層）
本発明の発光素子は、前記一般式（Ｉ）含有層と発光層との間に正孔阻止層を有する。 該一般式（Ｉ）含有層と発光層との間に正孔阻止層を設けることにより、発光効率低下や耐久性悪化を防止することができる。
該正孔阻止層は、正孔が発光層を貫通して電子輸送層等の層に流れ込むのを防ぐ目的を達成するものであれば、いずれの化合物も用いることができるが、中でも、前記８−キノリノール誘導体の金属錯塩、前記一般式（ＩＩＩ）、前記一般式（ＩＶ）、前記一般式（Ｖ）、前記一般式（ＶＩ）、及び前記一般式（ＶＩＩ）から選ばれる化合物のうち、いずれか１つを含有することが好ましい。該各化合物の好ましい範囲及び具体例は前記の通りである。
これらの化合物は、単独で用いても複数種を併用しても良い。
本発明において、前記８−キノリノール誘導体の金属錯塩、前記一般式（ＩＩＩ）、前記一般式（ＩＶ）、前記一般式（Ｖ）、前記一般式（ＶＩ）、及び前記一般式（ＶＩＩ）から選択される化合物のうち、少なくともいずれか１つの化合物は、単独で層を構成しても良く、バインダー中に分散されて層を形成しても良い。
正孔阻止層を形成する方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられるが、中でも、真空蒸着法が均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上の観点から好ましい。
正孔阻止層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常５ｎｍ〜５０μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜３０μｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２０μｍである。
正孔阻止層は、上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１８９】
（保護層）
本発明の発光素子は、水分や酸素の進入を防止するために保護層を有してもよい。
保護層の材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１９０】
＜有機電界発光素子の製造方法＞
以下に、本発明の有機電界発光素子の製造方法について以下に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
透明電極としてＩＴＯ薄膜を有するガラス基板を溶媒洗浄した後、ＵＶ−オゾン処理を行なう。さらに、この透明電極上に正孔注入層、正孔輸送層をこの順に蒸着法にて形成する。この上に、発光材料およびホスト材料を真空において共蒸着することにより発光層を形成する。該発光材料及びホスト材料は前記のものと同義であり、好ましい範囲も同様である。発光層に用いられる該ホスト材料及び該発光材料は分子量３０００以下であることが好ましく、発光層を構成する材料が分子量３０００以下であることが好ましい。該分子量範囲を前記範囲とすることにより蒸着し易くなる。
該蒸着としては、公知の蒸着法を用いることができる。さらにその上に、８−キノリノール誘導体の金属錯塩等の材料を用いて正孔阻止層を形成する。続いて、前記一般式（Ｉ）の化合物を含有する電子輸送層、電子注入層をこの順に設け、この上に、パタ−ニングしたマスクを設置し、背面電極（陰極）を蒸着して形成する。前記陽極と陰極のそれぞれにリ−ド線を結線し、発光積層体を形成する。ここで得られた発光積層体を封止して発光素子を作成する。
【０１９１】
前記発光素子は、直流電圧を印加し発光させて、初期輝度で駆動耐久性試験を実施し、輝度が半分になった時間を半減時間として、耐久性試験を実施評価することができる。
【０１９２】
本発明の発光素子の用途は特に限定されないが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。
【実施例】
【０１９３】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【０１９４】
［比較例１］
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍ堆積したもの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２×１０-6Ｔｏｒｒ（約２．７×１０-4Ｐａ）以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。
【０１９５】
次いで、上記装置内に配置されたモリブデンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン（結晶形はβ型）を加熱して、真空度１．４×１０-6Ｔｏｒｒ（約１．９×１０-4Ｐａ）、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着を行ない、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（陽極バッファ層）を形成した。
【０１９６】
次に、上記装置内に配置されたセラミックルツボに入れた、α−ＮＰＤ（（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）をルツボの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度９．０×１０-7Ｔｏｒｒ（約１．２×１０-4Ｐａ）、蒸着速度は０．２ｎｍ／秒で膜厚６０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１９７】
引続き、発光層の主成分（ホスト材料）としてＣＢＰを、副成分（ドーパント）の燐光性有機金属錯体として、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）をセラミックルツボに設置し、２元同時蒸着法により成膜を行った。ＣＢＰの蒸着速度は、０．１ｎｍ／秒に制御し、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）はホストに対して５重量％含有されるように蒸着速度を制御し、膜厚３０ｎｍの発光層を正孔輸送層の上に積層した。蒸着時の真空度は１．３×１０-6Ｔｏｒｒ（約１．７×１０-4Ｐａ）であった。
【０１９８】
さらに、正孔阻止層としてＢＡｌｑ2を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で１０ｎｍの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は７．０×１０-7Ｔｏｒｒ（約０．９×１０-4Ｐａ）であった。
【０１９９】
【化３２】
【０２００】
次いで、正孔阻止層の上に、電子輸送層として下記比較化合物を同様にして蒸着した。蒸着時の真空度は６．０×１０-7Ｔｏｒｒ（約０．８×１０-4Ｐａ）、蒸着速度は０．２ｎｍ／秒で膜厚は３５ｎｍとした。
【０２０１】
【化３３】
【０２０２】
上記の正孔輸送層、発光層、正孔阻止層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【０２０３】
ここで、電子輸送層までの蒸着を行った素子を一旦前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層の形成時と同様にして装置内の真空度が２×１０-6Ｔｏｒｒ（約２．７×１０-4Ｐａ）以下になるまで排気した。
【０２０４】
その後、陰極として、先ず、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度０．１ｎｍ／秒、真空度７．０×１０-6Ｔｏｒｒ（約９．３×１０-4Ｐａ）で、１．５ｎｍの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．５ｎｍ／秒、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ（約１．３×１０-3Ｐａ）で膜厚４０ｎｍのアルミニウム層を形成した。さらに、その上に、陰極の導電性を高めるために銀を、同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．３ｎｍ／秒、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ（約１．３×１０-3Ｐａ）で膜厚４０ｎｍの銀層を形成して陰極８を完成させた。以上の３層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
上記で得られた発光素子を用いて、以下の方法で評価した。
【０２０５】
東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させて、初期の発光性能を測定した。
発光効率（％）は、１００Ｃｄ／ｍ2時の発光効率を外部量子効率（η100）（％）として、また、輝度／電流（Ｃｄ／Ａ）は輝度−電流密度特性の傾きを、駆動電圧は１００ｃｄ／ｍ2での値を各々表２４に示す。
また、初期輝度１０００Ｃｄ／ｍ2で駆動耐久性試験を実施し、輝度が半分になった時間を半減時間（Ｔ1/2）（Ｈｒ）として、試験結果を表２４に示した。
この素子の発光スペクトルの極大波長は５１５ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）からのものと同定された。
【０２０６】
［比較例２〜３、実施例１〜１２］
上記比較例１において、電子輸送層の化合物と正孔阻止層の化合物を下表のように変更した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。その評価については、サンプル１と同様に行ない、その結果を表２４に示す。
これらの素子の発光スペクトルの極大波長は５１５ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）からのものと同定された。
【０２０７】
【表２４】
【０２０８】
表２４から明らかな通り、電子輸送層に本発明の化合物を使用し、正孔阻止層を有する実施例は、比較例と比べて、外部量子効率、輝度／電流，駆動電圧に優れることが理解できる。さらに駆動耐久性も良好であることが理解できる。
【産業上の利用可能性】
【０２０９】
本発明の発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。また、本発明の化合物は、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、記録メディア用材料、インクジェット用顔料、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子（発光素子、またはＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
しかしながら、この有機電界発光素子は無機ＬＥＤ素子や、蛍光管に比べ非常に発光効率が低く大きな問題となっている。現在提案されている有機電界発光素子のほとんどは、有機化合物発光材の一重項励起子から得られる蛍光発光を利用したものである。単純な量子化学のメカニズムにおいては励起子状態において、蛍光発光が得られる一重項励起子と燐光発光が得られる三重項励起子の比は１対３であり、蛍光発光を利用している限りは励起子の２５％しか有効活用できず発光効率の低いものとなる。それに対して三重項励起子から得られる燐光を利用できるようになれば、発光効率を向上できることになる。発光効率（外部量子効率）は、「外部量子効率φ＝素子から放出されたフォトン数／素子に注入された電子数」で算出され、この値が大きいほど消費電力の点で有利な素子と言える。有機電界発光素子の外部量子効率は「外部量子効率φ＝内部量子効率×光取り出し効率」で決まる。
上記の考えのもとで近年イリジウムのフェニルピリジン錯体を用いた燐光発光素子が報告されている（非特許文献１）。これらの報告では従来の蛍光利用有機発光素子に対して、２〜３倍の発光効率を報告している。しかしながら、省エネルギ−や耐久性向上の点でこれでもまだまだ低く、さらに一層の発光効率向上および輝度向上が強く求められている。
また、有機電界発光素子に用いる発光材以外の有機化合物、例えば、電子輸送材、正孔輸送材等も、輝度向上や駆動耐久性向上等のため、検討が行われている。シラシクロペンタジエン化合物は、発光材、電子輸送材、正孔阻止材等に用いることが開示されており（例えば、特許文献１〜３、非特許文献１〜４等参照）、特に電子輸送能が高いことが知られており、発光効率の面で期待されているが、反面、駆動耐久性の面ではまだ不十分であり、向上が望まれている。
【特許文献１】特許第２９１８１５０号公報
【特許文献２】特開２０００−１８６０９４号公報
【特許文献３】特開２００１−１７２２８４号公報
【非特許文献１】「アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．）」、１９９９、第７５巻、ｐ．４
【非特許文献２】「ケミカル フィジックス レターズ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔ．）」、２００１、第３３９号、ｐ．１６１−１６６
【非特許文献３】「ケミカル マテリアルズ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」、２００１、第１３巻、ｐ．２６８０−２６８３
【非特許文献４】「アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．）」、２００２、第８０巻、ｐ．８９−１９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、発光特性および駆動耐久性が良好な発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この課題は下記手段によって達成された。すなわち、
＜１＞ 一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする発光素子。
【０００５】
【化１】
【０００６】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【０００７】
＜２＞ 前記一般式（Ｉ）の化合物が下記一般式（ＩＩ）であることを特徴とする上記＜１＞に記載の発光素子。
【０００８】
【化２】
【０００９】
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【００１０】
＜３＞ 前記正孔阻止層中に、８−キノリノール誘導体の金属錯塩、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）から選ばれる化合物のうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞に記載の発光素子。
【００１１】
【化３】
【００１２】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ11はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【００１３】
【化４】
【００１４】
（一般式（ＩＶ）中、Ａｒ21はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ22はアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。Ａｒ22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ21、Ｒ22、又はＲ23は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、ｍは１もしくは２を表す。）
【００１５】
【化５】
【００１６】
（一般式（Ｖ）中、Ａｒ32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ａｒ32は、前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ31、Ｒ32、又はＲ33は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【００１７】
【化６】
【００１８】
（一般式（ＶＩ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16は水素原子もしくは置換基を表す。）
【００１９】
【化７】
【００２０】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｌは単結合、あるいは２価以上の連結基を表し、Ｔは一般式（１）で表される構造のＲ1〜Ｒ16のいずれかから水素原子などの原子を脱離して得られる基、又はＲ1〜Ｒ16のいずれか１つを除いて得られる基を表す。ｎは２以上の整数を表し、複数のＴは互いに独立である。）
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、外部量子効率及び最高輝度が高く、発光特性が優れ、また、駆動耐久性も優れる発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の発光素子は、一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする。
発光素子が、一対の電極間に発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層のうち少なくとも一層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することにより、発光特性（外部量子効率及び最高輝度）に優れ、低駆動電圧が低く、更に駆動耐久性に優れた性能とすることができる。
【００２３】
（一般式（Ｉ）で表される化合物）
一般式（Ｉ）で表される化合物について詳細に説明する。
【００２４】
【化８】
【００２５】
一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｒ1〜Ｒ4に、置換基が導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｘ1及びＸ2に、置換基を導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
【００２６】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ1〜Ｒ4で表されるアルキル基として好ましくは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基が挙げられる。
【００２７】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるアリール基としては、単環又は２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ1〜Ｒ4で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ、これらのうち好ましくはフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。
【００２８】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるヘテロアリール基は、単環又は２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基である。Ｒ1〜Ｒ4で表されるヘテロアリール基の具体例としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられ、好ましくはピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、より好ましくはピリジル基、トリアジニル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましくはピリジル基である。
【００２９】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては以下の置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【００３０】
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、
【００３１】
アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【００３２】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には、例えば、イミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）。
【００３３】
前記Ｒ1〜Ｒ4で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基が有してもよい置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０）、アリール基、又はヘテロアリール基が好ましく、アリール基、又はヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、又はピリジル基がさらに好ましく、ピリジル基が最も好ましい。
【００３４】
前記Ｘ1及びＸ2で表されるアルキル基としては、炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
前記Ｘ1及びＸ2で表されるアリール基は、単環又は２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０のアリール基である。Ｘ1及びＸ2で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられ
前記Ｘ1及びＸ2で表されるヘテロアリール基は、単環又は２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、炭素数１〜２０のヘテロアリール基であることが好ましい。Ｘ1及びＸ2で表されるヘテロアリール基の具体例としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
【００３５】
前記Ｘ1及びＸ2で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、更に置換基を有していてもよく、置換基としては上述した置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【００３６】
（一般式（ＩＩ）で表される化合物）
本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。
【００３７】
【化９】
【００３８】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｒ1〜Ｒ8に置換基を導入可能な場合には、さらに置換基を有していてもよい。
【００３９】
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるハロゲン原子としては、前記一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ4で表されるハロゲン原子と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるアルキル基としては、前記一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ4で表されるアルキル基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるアリール基としては、前記一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ4で表されるアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるヘテロアリール基としては、前記一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ4で表されるヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００４０】
前記Ｒ1〜Ｒ8で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては上述した置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【００４１】
一般式（Ｉ）又は一般式（ＩＩ）で表される化合物は、Ｒ1又はＲ2を介してビス型構造を有していてもよい。
【００４２】
＜一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物の合成方法＞
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物は、例えば、特許２９１８１５０号公報に記載の方法（以下に記載の方法）に準じて合成することができる。
即ち、先ず、一般式（Ａ）で表されるアセチレン誘導体にアルカリ金属錯体を反応させる。
【００４３】
【化１０】
【００４４】
一般式（Ａ）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、炭素数１〜６までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を示すか、或いはＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成しており、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、又はシアノ基を示すか、置換若しくは無置換の環が縮合してもよい。
続いて、下記一般式（Ｂ）で表されるシラン誘導体を反応させる。
【００４５】
【化１１】
【００４６】
一般式（Ｂ）中、Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立に、ターシャリ−ブチル基若しくはアリール基を示す。
【００４７】
さらに続いて、塩化亜鉛又は塩化亜鉛錯体を反応させることによって、下記一般式（Ｃ）で表される反応性シラシクロペンタジエン誘導体が得られる。
【００４８】
【化１２】
【００４９】
一般式（Ｃ）中、Ａは、ハロゲン化亜鉛又はハロゲン化亜鉛錯体を示し、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を示すか、ＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成しており、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキジカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、又はシアノ基を示すか、置換若しくは無置換の環が縮合してもよい。
【００５０】
ここで用いられるアセチレン誘導体に付く置換基としては、アルカリ金属錯体とアセチレンとの反応を阻害しにくいものがよく、特に好ましくはアルカリ金属錯体に対して不活性なものが好ましい。用いられるアルカリ金属錯体としては、例えば、リチウムナフタレニド、ナトリウムナフタレニド、カリウムナフタレニド、リチウム４，４'−ジターシャリ−ブチル−２，２'−ビフェニリドあるいはリチウム（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）ナフタレニドなどがあげられる。用いられる溶媒としては、アルカリ金属あるいはアルカリ金属錯体に不活性なものなら特に制限はなく、通常、エーテルあるいはテトラヒドロフランのようなエーテル系の溶媒が用いられる。続いて使用されるシラン誘導体の置換基としては、嵩高いものが好ましく、具体的にはターシャリ−ブチルジフェニルクロロシランあるいはジターシャリ−ブチルフェニルクロロシランなどが挙げられる。さらに続いて用いられる塩化亜鉛又は塩化亜鉛の錯体としては、塩化亜鉛の固体を直接用いるか、塩化亜鉛のエーテル溶液を使用するか、あるいは塩化亜鉛のテトラメチルエチレンジアミン錯体などが挙げられる。これらの塩化亜鉛類は、充分に乾燥していることが好ましく、水分が多いと目的物が得られ難くなる。この一連の反応は、不活性気流中で行うことが好ましく、アルゴンガスが使われる。このようにして得られた反応性シラシクロペンタジエン誘導体に触媒の存在下、一般式（Ｄ）で表されるハロゲン化物を反応させることによって、シラシクロペンタジエン誘導体を得ることができる。
【００５１】
【化１３】
【００５２】
一般式（Ｄ）中、Ｘは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子表し、Ｒは、ハロゲン、置換若しくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、パーフルオロアルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、又はアルキニル基を示す。
【００５３】
ここで用いられる触媒としては、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウムあるいはジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムなどのパラジウム触媒が挙げられる。一速の反応の各段階において、反応温度に特に制限はないが、アルカリ金属錯体、シラン誘導体及び塩化亜鉛等を加え攪拌する際には、室温以下が好ましく、通常０℃以下で行われる。ハロゲン化物を加えた後の反応温度は、室温以上が好ましく、通常、溶媒にテトラヒドロフランを用いた場合には還流下で行われる。反応時間においても特に制限はなく、アルカリ金属錯体、シラン誘導体及び塩化亜鉛等を加え攪拌する際には、数分から数時間の間が望ましい。ハロゲン化物を加えた後の反応は、ＮＭＲあるいはクロマトグラフィー等の一般的な分析手段により反応を追跡し、反応の終点を決定すればよい。
【００５４】
以下に、本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物、及び一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例〔例示化合物（Ｓ−１）〜（Ｓ−１２〕を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
【化１４】
【００５６】
【化１５】
【００５７】
本発明において、一般式（Ｉ）で表される化合物（又は一般式（ＩＩ）で表される化合物）の含有量としては、有機化合物層１層当たり、５〜９５質量％であることが好ましく、１０〜９０質量％であることがより好ましく、２０〜８０質量％であることがさらに好ましい。
また、一般式（Ｉ）で表される化合物（又は一般式（ＩＩ）で表される化合物）は、一種単独で用いてもよいし、２以上を併用してもよい。
【００５８】
（８−キノリノール誘導体の金属錯塩）
下記一般式（１）の８−キノリノール誘導体の金属錯塩について、詳細に説明する。
【００５９】
【化１６】
【００６０】
一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、Ｌは−ＯＲ7（Ｒ7はアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子を含んでもよい芳香族環基、金属原子や酸素原子からなる連結基を有する芳香族環基、又は前記連結基を有するオキシノイド化合物の配位子を示す。）、Ｍは金属原子を表し、ｎは１又は２の整数である。
【００６１】
また、一般式（１）で示される化合物は、一般式（Ｉ）においてＲ1〜Ｒ6がアルキル基またはアルコキシ基である場合、その好ましい炭素数は１〜６であり、特に１〜４が好ましい。また、Ｒ7がアルキル基である場合、その好ましい炭素数は１〜６であり、特に１〜４が好ましい。
【００６２】
一般式（１）で示される化合物の例としては、例えば特開平５−２１４３３２号公報、特開平５−２５８８６０号公報、特開平５−２５８８６２号公報、特開平５−１９８３７８号公報、特開平５−３３１４６０号公報、特開平９−９５６２０号公報、特開平９−１３０２６号公報、特開平９−３１４５５号公報、欧州特許７６５１０６号公報、欧州特許７７９７６５号公報等に開示されているオキシノイド配位子などを含んだ有機金属錯体等が挙げられる。
【００６３】
一般式（１）の８−キノリノール誘導体の金属錯塩の合成方法については、例えば上記に示した特許文献に記載の合成方法を用いることができるが、それらに限定されるものではない。
【００６４】
一般式（１）の具体的な化合物の例を表１〜表２３に示すが、これらに限定されるものではない。
【００６５】
【表１】
【００６６】
【表２】
【００６７】
【表３】
【００６８】
【表４】
【００６９】
【表５】
【００７０】
【表６】
【００７１】
【表７】
【００７２】
【表８】
【００７３】
【表９】
【００７４】
【表１０】
【００７５】
【表１１】
【００７６】
【表１２】
【００７７】
【表１３】
【００７８】
【表１４】
【００７９】
【表１５】
【００８０】
【表１６】
【００８１】
【表１７】
【００８２】
【表１８】
【００８３】
【表１９】
【００８４】
【表２０】
【００８５】
【表２１】
【００８６】
【表２２】
【００８７】
【表２３】
【００８８】
（一般式（ＩＩＩ）で表される化合物）
下記一般式（ＩＩＩ）について詳細に説明する。
【００８９】
【化１７】
【００９０】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【００９１】
Ａｒ11は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。
【００９２】
Ａｒ11で表されるアリール基は単環または２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基である。Ａｒ11で表されるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられ、これらのうち好ましくはフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基であり、さらに好ましくはフェニル基である。
【００９３】
Ａｒ11で表されるヘテロアリール基は単環または２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基である。Ａｒ11で表されるヘテロアリール基の具体例としては例えばピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基等が挙げられ、好ましくはピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、より好ましくはピリジル基、トリアジニル基、イミダゾピリジニル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましくはピリジル基である。
【００９４】
Ａｒ11で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は置換基を有していても良く、置換基としては一般式（Ｉ）の項で述べた置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【００９５】
Ａｒ11で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０）、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【００９６】
Ａｒ12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。
【００９７】
Ａｒ12で表される２環以上６環以下の環が縮環した縮合環のアリーレン基としては、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリーレン基であり、例えばナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。
【００９８】
Ａｒ12で表されるヘテロアリーレン基としては単環または２環以上６環以下の環が縮合した縮合環のヘテロアリール基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリール基であり、例えばピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、アクリジニレン基、フェナントリジニレン基、ピラジニレン基、キノキサリニレン基、ピリミジニレン基、トリアジレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、フリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基等が挙げられる。
【００９９】
Ａｒ12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。
【０１００】
Ａｒ12として好ましくはオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはオルトフェニレン基、メタフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはメタフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基、オキサジアゾリレン基であり、最も好ましくはメタフェニレン基、ビフェニレン基である。
【０１０１】
Ａｒ12で表されるアリーレン基あるいはヘテロアリーレン基は置換基を有していても良く、置換基としてはアルキル基を含め前記置換基群Ａから選ぶことが可能である。Ａｒ12で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０）、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【０１０２】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【０１０３】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13として好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
【０１０４】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるアリール基としては前記Ａｒ11で挙げた例が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【０１０５】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるヘテロアリール基としては前記Ａｒ11で挙げた例が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【０１０６】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13として最も好ましくはフェニル基である。
【０１０７】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、置換基を有しても良く、置換基としては上記置換基群Ａから選ぶことが可能である。
【０１０８】
（一般式（ＩＶ）で表される化合物
次に、下記一般式（ＩＶ）ついて詳細に説明する。
【０１０９】
【化１８】
【０１１０】
一般式（ＩＶ）においてＡｒ21は互いに同じでも異なっていても良いアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。
【０１１１】
Ａｒ21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は前記Ａｒ11で説明したアリール基、ヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１２】
Ａｒ21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基は置換基を有していても良く、例えば前記置換基群Ａから選ぶことが可能である。Ａｒ21で表されるアリール基あるいはヘテロアリール基が有しても良い置換基としてはアルキル基、アリール基、あるいはヘテロアリール基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピリジル基がさらに好ましく、フェニル基、ピリジル基が最も好ましい。
【０１１３】
Ａｒ22は互いに同じでも異なっていても良いアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。
【０１１４】
Ａｒ22で表されるアリーレン基としては単環または２環以上の環が縮環した縮合環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリーレン基である。Ａｒ22で表されるアリーレン基の具体例としては例えばフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基などが挙げられる。
【０１１５】
Ａｒ22で表されるヘテロアリーレン基は単環または２環以上の環が縮合した縮合環のヘテロアリーレン基であり、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１２さらに好ましくは２〜１０のヘテロアリーレン基である。Ａｒ22で表されるヘテロアリーレン基の具体例としては例えば前記Ａｒ12で挙げたヘテロアリーレン基の例として挙げたものが挙げられる。
【０１１６】
Ａｒ22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。
【０１１７】
Ａｒ22として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、チエニレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、ピリジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、チエニレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ピリジレン基であり、最も好ましくはパラフェニレン基である。
【０１１８】
Ａｒ22で表されるアリーレン基あるいはへテロアリーレン基は置換基を有していても良く、Ａｒ22が有しても良い置換基の具体例及び好ましい例は前記Ａｒ12が有しても良い置換基と同じである。
【０１１９】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【０１２０】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は具体例、好ましい範囲ともに前記Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基と同じである。
【０１２１】
ｍは１もしくは２を表し、２がより好ましい。
【０１２２】
（一般式（Ｖ）で表される化合物）
次に、下記一般式（Ｖ）について詳細に説明する。
【０１２３】
【化１９】
【０１２４】
一般式（３）中、Ａｒ32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。
【０１２５】
Ａｒ32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。
【０１２６】
Ａｒ32で表されるアリーレン基は前記Ａｒ22で表されるアリーレン基と同義であり、具体例も同じである。
【０１２７】
Ａｒ32で表されるアゾール構造を含む基は例えばオキサゾリレン基、チアゾリレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、オキサジアゾリレン基、チアジアゾリレン基、トリアゾリレン基、ピロリレン基、インドリレン基、イミダゾピリジレン基、カルバゾリレン基が挙げられる。
【０１２８】
Ａｒ32で表されるヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基は例えばピラジレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基が挙げられる。
【０１２９】
Ａｒ32で表されるフラン構造を含む基は例えばベンゾフラン構造を含む基、ジベンゾフラン構造を含む基などが挙げられる。
【０１３０】
Ａｒ32で表されるチオフェン構造を含む基は例えばベンゾチオフェン構造を含む基、ジベンゾチオフェン構造を含む基、ビチオフェン構造を含む基などが挙げられる。
【０１３１】
Ａｒ32は前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、又は及びチオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。
【０１３２】
Ａｒ32として好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ピリミジレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾリレン基、ピロリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基であり、より好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、トリアジレン基、オキサジアゾリレン基、カルバゾリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基であり、最も好ましくはパラフェニレン基である。
【０１３３】
Ａｒ32で表される基は置換基を有しても良く、Ａｒ32が有しても良い置換基の具体例及び好ましい例は前記Ａｒ12が有しても良い置換基と同じである。
【０１３４】
Ｒ31、Ｒ32、及びＲ33は互いに同じでも異なっていても良いアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。
【０１３５】
Ｒ31、Ｒ32、及びＲ33で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基は、その具体例、及び好ましい範囲ともに前記Ｒ11、Ｒ12、及びＲ13で表されるアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基と同じである。
【０１３６】
一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）で表される化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【０１３７】
以下に、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）の化合物例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１３８】
【化２０】
【０１３９】
【化２１】
【０１４０】
【化２２】
【０１４１】
【化２３】
【０１４２】
（一般式（ＶＩ）で表される化合物）
以下に、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物について詳細に説明する。
【０１４３】
【化２４】
【０１４４】
一般式（VI）に含まれるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16は水素原子もしくは置換基を表す。置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、
【０１４５】
アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、
【０１４６】
アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【０１４７】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。
【０１４８】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16に含まれる置換基の例として好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基である。
【０１４９】
一般式（VI）で表される化合物は、その骨格上のＲ1〜Ｒ16を介して、又はＲ1〜Ｒ16のいずれかの水素原子などの原子が離脱して、２個以上が結合することにより形成した２量体以上の多量体を形成していてもよい。このように一般式（１）で表される化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）が好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、トリフェニレン構造がポリマー主鎖を構成するように含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【０１５０】
（一般式（ＶＩＩ）で表される化合物）
次に一般式（２）で表される化合物について説明する。
【０１５１】
【化２５】
【０１５２】
Ｌは、単結合あるいは２価以上の連結基を表す。Ｌは好ましくは単結合、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｇｅなどで形成される連結基であり、さらに好ましくは単結合、２価以上の芳香環、２価以上の芳香族複素環、炭素原子、窒素原子、又はケイ素原子で形成される連結基である。最も好ましくは単結合、２価以上のベンゼン、２価以上のナフタレン、２価以上のビフェニル、２価以上のテルフェニル、２価以上のトリフェニレン、２価以上のフェナンスレン、２価以上のトリアゾール、２価以上のピリジン、２価以上のピリミジン、炭素原子、窒素原子、又はケイ素原子で形成される連結基ある。一般式（VII）で表される化合物は、前記の一般式（VI）で表される化合物のＲ1〜Ｒ16のいずれかから水素原子などの原子を離脱して得られる基で結合した、又はＲ1〜Ｒ16のいずれか１つを除いて結合した２量体以上の多量体を形成したものに相当する。
【０１５３】
Ｌで表される連結基は、置換基を有しても良く、置換基はＲ1〜Ｒ16について述べた前記置換基と同義である。置換基として好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基である。
【０１５４】
Ｌで表される連結基の具体例としては単結合の他、例えば以下のものが挙げられるが、本発明のＬはこれらに限定されない。下記の連結基中、フリーの結合手の全てに前記の一般式（VI）から誘導されるテトラフェニレン基が結合していてもよいが、これに限定されるわけではなく、少なくとも２本の結合手に結合していればよい。この場合テトラフェニレン基の結合しない結合手には、水素原子や通常の置換基が結合していてもよい。
【０１５５】
【化２６】
【０１５６】
【化２７】
【０１５７】
【化２８】
【０１５８】
前記Ｔは一般式（VＩ）で表される構造のＲ1〜Ｒ16のいずれかから原子を脱離して得られる基、又はＲ1〜Ｒ16のいずれか１つを除いて得られる基を表す。ｎは２以上の整数を表し、複数のＴは互いに独立であり、互いに同じでも異なっていてもよい。
【０１５９】
一般式（ＶＩＩ）においてｎは２以上の整数を表すが、好ましくは２から８の整数であり、さらに好ましくは２から４の整数である。
一般式（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表される化合物と三重項発光材料の比は、前者の構造、後者のＴ1レベルなどによって異なるが、質量比で好ましくは５０：５０〜９９．９：０．１、より好ましくは８０：２０〜９９：１である。
【０１６０】
次に、本発明の一般式（VI）及び一般式（VII）の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【０１６１】
【化２９】
【０１６２】
【化３０】
【０１６３】
本発明の化合物は、例えば、非特許文献 Ｊｕｓｔｕｓ Ｌｉｅｂｉｇｓ Ａｎｎａｌｅｎ ｄｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ，７０４， ９１ （１９６７）．Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ３９， ５３９３ （１９９８），Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ： Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ １， １５９ （２００１）、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ， Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｉｎ Ｅｎｇｌｉｓｈ， ３６， １６０７ （１９９７）等に記載の方法によって合成することが出来る。
【０１６４】
＜発光素子＞
次に、本発明の発光素子について説明する。
本発明の発光素子は、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうちすくなくとも一層が前記一般式（Ｉ）の化合物を含有し、該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有する素子であれば、システム、駆動方法、及び利用形態など特に問わない。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【０１６５】
本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、中でも消費電量が下げられる点、駆動耐久性を挙げられる点で、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動した時の１００〜３００ｃｄ／ｍ 2 付近での外部量子効率の値を用いることができる。
素子の外部量子効率は、発光輝度、発光スペクトル、電流密度を測定し、その結果と比視感度曲線から算出することができる。すなわち、電流密度値を用い、入力した電子数を算出することができる。そして、発光スペクトルと比視感度曲線（スペクトル）を用いた積分計算により、発光輝度を発光したフォトン数に換算することができる。これらから外部量子効率（％）は、「（発光したフォトン数／素子に入力した電子数）×１００」で計算することができる。
本発明においては、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定し、１００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率が算出でき、本発明においてはこの数値を用いる。
【０１６６】
本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に、少なくとも発光層、前記一般式（Ｉ）含有層、及び正孔阻止層を設置した素子であり、さらに、発光層、前記正孔阻止層を含む複数の有機化合物膜を形成して他の層を有する素子でもよい。
前記発光層、前記一般式（Ｉ）含有層、及び正孔阻止層のほかの層としては、正孔輸送層を有することが好ましく、更に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよい。またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよく、同層が積層されいてもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
前記一般式（Ｉ）含有層が、好適には電子輸送層であることが好ましい。
【０１６７】
（陽極）
前記陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。
具体例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。
陽極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１６８】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。透明樹脂基板としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子材料が挙げられる。
基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には、材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は、洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【０１６９】
（陰極）
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。
陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。
陰極は、上記化合物及びそれらの混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及びそれらの混合物を含む積層構造を採ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。
陰極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は、低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０１７０】
（発光層）
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成できる材料であれば、特に限定されず、公知の発光材料を用いることができる。中でも、該公知の発光材料と共にホスト材料を用いることが好ましい。公知の発光材料は、単一物質でも複数の物質の組み合わせでもよい。電荷輸送機能と発光機能を分離してより優れた性能を得るため、あるいは高濃度の発光材料中で凝集が起こり励起状態が無輻射失活する現象（濃度消光）を防ぐために、発光材料をドーパントとして電荷輸送材料（ホスト材料）中にドープすることが好ましく行われる。
【０１７１】
−発光材料−
本発明の発光層は、前記発光材料とホスト材料とを共に含有することが好ましいが、発光層中に該発光材料としては０．１質量％以上２０質量％以下含有するのが好ましく、１質量％以上１５質量％以下含有するのがより好ましく、２質量％以上８質量％以下含有するのがさらに好ましい。
上記範囲よりも低濃度で該発光材料を使用すると、十分な発光輝度が得られない上にホスト材料が望まない波長で発光しやすくなる。また上記範囲よりも高濃度で該発光材料をを使用すると、濃度消光により発光効率が低下しやすくなるとともに、電荷が該発光材料を流れて分解が起こりやすくなるため発光素子の駆動耐久性が悪化する傾向となる。
また、本発明の発光素子における発光は、紫外発光、可視光発光、赤外発光であってもよく、また蛍光発光であっても燐光発光であってもよい。
本発明における好ましい発光材料としては、一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、又は、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであってもよい。
本発明に使用できる発光材料の例としては、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体及び白金ポルフィリン錯体等の遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１７２】
−ホスト材料−
本発明における前記発光材料のほか、発光層にはホスト材料をすることが好ましいが、例えば、カルバゾール誘導体（例えば「アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）」、１９９９、第７４巻、第３号、ｐ．４４２に記載のもの）、トリベンゾアゼピン誘導体（特開平１０−５９９４３号、同１０−２１９２４１号、同１０−３１６８７５号、同１０−３２４６８０号、同１０−３３０３６５号、特開２００１−９７９５３号）、トリアゾール誘導体（米国特許第３１１２１９７号）、オキサゾール誘導体（米国特許第３２５７２０３号）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３６１５４０２号、同３８２０９８９号、同３５４２５４４号、特公昭４５−５５５号、同５１−１０９８３号、特開昭５１−９３２２４号、同５５−１７１０５号、同５６−４１４８号、同５５−１０８６６７号、同５５−１５６９５３号、同５６−３６６５６号）、ポリアリールベンゼノイド誘導体（特開平１０−２５５９８５号、特開２００２−２６０８６１号）、アリールアミン誘導体（米国特許第３５６７４５０号、同３１８０７０３号、同３２４０５９７号、同３６５８５２０号、同４２３２１０３号、同４１７５９６１号、同４０１２３７６号、特公昭４９−３５７０２号、同３９−２７５７７号、特開昭５５−１４４２５０号、同５６−１１９１３２号、同５６−２２４３７号、西独特許第１１１０５１８号）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号、同６１−２２８４５１号、同６１−１４６４２号、同６１−７２２５５号、同６２−４７６４６号、同６２−３６６７４号、同６２−１０６５２号、同６２−３０２５５号、同６０−９３４４５号、同６０−９４４６２号、同６０−１７４７４９号、同６０−１７５０５２号）、芳香族第三アミン化合物及びスチリルアミン化合物（特開昭６３−２９５６９５号、同５３−２７０３３号、同５４−５８４４５号、同５４−１４９６３４号、同５４−６４２９９号、同５５−７９４５０号、同５５−１４４２５０号、同５６−１１９１３２号、同６１−２９５５５８号、同６１−９８３５３号、特開平８−２３９６５５号、米国特許第４１２７４１２号）、芳香族ジメチリデン系化合物（特開平６−３３００３４号）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３１８０７２９号、同４２７８７４６号、特開昭５５−８８０６４号、同５５−８８０６５号、同４９−１０５５３７号、同５５−５１０８６号、同５６−８００５１号、同５６−８８１４１号、同５７−４５５４５号、同５４−１１２６３７号、同５５−７４５４６号）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３６１５４０４号、特公昭５１−１０１０５号、同４６−３７１２号、同４７−２５３３６号、特開昭５４−５３４３５号、同５４−１１０５３６号、同５４−１１９９２５号）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３５２６５０１号）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３７１７４６２号、特開昭５４−５９１４３号、同５５−５２０６３号、同５５−５２０６４号、同５５−４６７６０号、同５５−８５４９５号、同５７−１１３５０号、同５７−１４８７４９号）、シラザン誘導体（米国特許第４９５０９５０号）、ポルフィリン系化合物（特開昭６３−２９５６９５号）、アントラキノジメタン誘導体及びアントロン誘導体（特開昭５７−１４９２５９号、同５８−５５４５０号、同６３−１０４０６１号、特開昭６１−２２５１５１号、同６１−２３３７５０号）、ジフェノキノン誘導体やチオピランジオキシド誘導体及びカルボジイミド誘導体（「ポリマー プレプリンツ、ジャパン（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ）」、１９８８、第３７巻、第３号、ｐ．６８１）、フルオレニリデンメタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号、同６１−１４３７６４号、同６１−１４８１５９号））、ジスチリルピラジン誘導体（「ケミストリー レターズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）」、１９９０、ｐ．１８９、特開平２−２５２７９３号、特開平５−１７８８４２号）、複素環テトラカルボン酸無水物誘導体（「ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）」、１９８８、２７巻、Ｌ２６９）、ポルフィリンやフタロシアニン誘導体（特開昭６３−２９５６９６５号）、８−キノリノール誘導体の金属錯体（「電子情報通信学会論文誌」、１９９０、Ｃ−２、ｐ．６６１）、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、及びベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体の群から選ばれるホスト材料を少なくとも１種含有することが正孔や電子の輸送性の点で好ましく、中でも、カルバゾール誘導体であることがより好ましい。
【０１７３】
またホスト材料の三重項励起状態から発光材料へのエネルギー授受が効率的に行われるためには、ホスト材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル（Ｔ1レベル）は発光材料のＴ1レベルよりも高いことが好ましい。発光材料のＴ1レベルはその発光波長が短いほど高くなるので、短波な発光素子用の発光層では高Ｔ1のホスト材料が必要であるが、一方でＴ1はホスト材料の最高占有軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）に関連し、これらは電荷の注入や輸送の能力に関わる（一般にＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差が大きいほど電荷が注入されにくく、電気的に絶縁性が高くなる）ため、最適なＴ1レベルのホスト材料を選択することが重要である。
特に、発光極大波長が５００ｎｍ以下の青色発光素子用の発光層ホスト材料のＴ1レベルは６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３４ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましい。
【０１７４】
上記物性値を満たす本発明の発光素子におけるホスト材料としては、特開２００２−１００４７６、特開２００２−３３８５７９号に記載のホスト材料が好ましく、特開２００２−１００４７６に記載のホスト材料がより好ましい。特開２００２−１００４７６に記載のホスト材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
【０１７５】
本発明における発光層は、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられるが、中でも、真空蒸着法が均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上の観点から好ましい。
蒸着法とは通常高真空下（１０-2Ｐａ以下）において物質を加熱蒸発させ、気体状となった物質をターゲット上に付着成膜する真空蒸着法のことであり、蒸発源から物質を蒸発させる加熱方法には抵抗加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法、レーザー加熱法などがあるが、抵抗加熱法が最も一般的である。 また加熱以外の方法で材料を蒸発させる方法としてスパッタリング法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシ法などがあり、目的により使い分けることができる。さらに広い意味での蒸着法としてターゲット表面上での化学反応により膜を形成するＣＶＤ法もあり、本発明でいう蒸着法はこれらの蒸着技術すべてを含むものとする。蒸着法の詳細についてはオーム社刊、「新判・真空ハンドブック」（株式会社アルバック編）の第８章に記載されている。
２種以上の物質の混合物で膜形成する場合には、１つの蒸発源に複数の物質の混合物を入れて蒸発させてもよいが、この方法では蒸発気体中の物質組成を一定に保つのが難しく、別々の蒸発源から同時に分子を飛ばす方法が一般的である。また加熱した基盤上に複数の物質を順次積層成膜し、熱による拡散を利用して均一な膜とする方法（特許第３３６２５０４号）も知られている。
【０１７６】
蒸着法で作成した発光層は、スピンコート法やインクジェット法に代表される湿式成膜法で作成した場合に比べて、溶媒やバインダ等に由来する不純物や酸素、水分を含まないため発光輝度や駆動耐久性の点で優れ、また既設の下層を溶媒により溶解する心配もなく、所望の膜厚の均一な発光層薄膜を容易に得ることができる。
さらに蒸着時にマスキングを施すことにより、画素ごとに異なる発光材料、ホスト材料を用いて異なる発光特性を持たせることができ、精細高画質のフルカラーディスプレイを作成するのに適している。
【０１７７】
本発明の発光層を蒸着法により形成する場合には、発光層の材料としてポリマーやオリゴマーといった高分子材料は、揮発性が低く蒸着が難しい上に、材料自体が分子量分布を有しており、再現性の良い発光が得にくいため好ましくない。
また蒸着の容易性から発光層の材料はイオン性化合物ではなく、中性分子化合物であることが好ましい。
蒸着により形成された発光層薄膜は、薄利やピンホール等の欠陥が無い均一な非結晶性薄膜（アモルファス膜）であることが好ましく、経時や熱による再結晶化が起こると発光素子の性能変化や劣化に繋がるため、融点ならびにガラス転位温度（Ｔｇ）は高いことが好ましい。発光層の材料の融点は好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上、さらに好ましくは２５０℃以上、Ｔｇは好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上である。
上記のような要求性能を満たすホスト材料としては、Ｔ1レベルが高く、結晶化が起こりにくく、励起状態の寿命が長く発光効率の高さが期待できるカルバゾール誘導体が最も好ましい。
【０１７８】
以下に、本発明における前記ホスト材料の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１７９】
【化３１】
【０１８０】
前記以外に発光層には、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド（特開平２−３０５８８６号）、クマリン、ペリレン（特開平２−１８９８９０号）、ペリノン、オキサジアゾール（特開平２−２１６７９１号、または第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体）、アルダジン（誘導体特開平２−２２０３９３号）、ピラジリン（特開平２−２２０３９４号公報）、シクロペンタジエンの金属錯体（特開平２−２８９６７５号）や希土類錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体及び白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及びそれらの誘導体等を添加することができる。
【０１８１】
発光層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層は一つであっても複数であってもよく、それぞれの発光層が異なる発光色で発光して、全体として例えば白色を発光してもよいし、単一の発光層から白色を発光してもよい。発光層が複数の場合、それぞれの発光層は単一材料で形成されていてもよいし、複数の化合物で形成されていてもよい。
【０１８２】
（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
前記正孔注入層、正孔輸送層の材料は、トリベンゾアゼピン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリアリールベンゼン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、スチルベン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体及びポルフィリン系化合物の群から選択される１種以上であることが好ましい。これらの化合物の好ましい例は前記ホスト材料の項で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
さらに正孔輸送層が前記発光層に隣接する層である場合には、発光層で生じた三重項励起子が正孔輸送層へ移動しないように正孔輸送材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル（Ｔ1レベル）は発光材料や発光層ホスト材料のＴ1レベルよりも高いことが好ましい。特に発光極大波長が５００ｎｍ以下の青色発光素子用の正孔輸送材料のＴ1レベルは６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３４ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましい。
上記物性値を満たす正孔輸送材料としては、特開２００２−１００４７６号に記載の正孔輸送材料が好ましく、特開２００２−１００４７６号に記載の正孔輸送材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
前記の化合物群のうちトリベンゾアゼピン誘導体は高Ｔ1で高い発光効率が期待でき、アリールアミン誘導体は高い安定性により耐久性向上が期待できるため、この両者から正孔輸送材料を選択することがより好ましい。
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、およびそれらの誘導体等を添加することができる。
【０１８３】
正孔注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常０．２ｎｍ〜１μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜０．２μｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍである。
正孔輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１８４】
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０１８５】
前記の層形成方法の中でも、正孔輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また正孔輸送層を蒸着法で設置する場合、正孔輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量３０００以下の低分子有機化合物及び／または分子量３０００以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
【０１８６】
（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
本発明の発光素子は、一対の電極間の有機化合物層のうちの少なくとも一層が、前記一般式（Ｉ）を含有する層であるが、中でも、一般式（Ｉ）が高い電子輸送能を有するとの観点から、好ましく該一般式（Ｉ）含有層が発光層と陰極との間に位置する層であることが好ましく、さらに電子注入層又は電子輸送層であることが好ましく、特に電子輸送層であること特に好ましい。
本発明の発光素子は、陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送材料を用いるのがより好ましい。
【０１８７】
本発明の電子注入層、電子輸送層の材料として、前記一般式（Ｉ）以外の具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及び、それらの誘導体等が挙げられる。
これらの化合物の好ましい例は前記ホスト材料の項で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
該正孔阻止層は、前記目的から発光層に隣接して設けられることが特に好ましい。
上記以外の電子輸送材料としては、特開２００２−１００４７６号に記載の電子輸送材料が好ましく、特開２００２−１００４７６号に記載の電子輸送材料の好ましい範囲は、同明細書に記載のとおりである。
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、およびそれらの誘導体等を添加することができる。
電子注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常０．２ｎｍ〜１μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜０．２μｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍである。
電子輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
前記の層形成方法の中でも、電子輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また電子輸送層を蒸着法で設置する場合、電子輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量３０００以下の低分子有機化合物及び／または分子量３０００以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
【０１８８】
（正孔阻止層）
本発明の発光素子は、前記一般式（Ｉ）含有層と発光層との間に正孔阻止層を有する。 該一般式（Ｉ）含有層と発光層との間に正孔阻止層を設けることにより、発光効率低下や耐久性悪化を防止することができる。
該正孔阻止層は、正孔が発光層を貫通して電子輸送層等の層に流れ込むのを防ぐ目的を達成するものであれば、いずれの化合物も用いることができるが、中でも、前記８−キノリノール誘導体の金属錯塩、前記一般式（ＩＩＩ）、前記一般式（ＩＶ）、前記一般式（Ｖ）、前記一般式（ＶＩ）、及び前記一般式（ＶＩＩ）から選ばれる化合物のうち、いずれか１つを含有することが好ましい。該各化合物の好ましい範囲及び具体例は前記の通りである。
これらの化合物は、単独で用いても複数種を併用しても良い。
本発明において、前記８−キノリノール誘導体の金属錯塩、前記一般式（ＩＩＩ）、前記一般式（ＩＶ）、前記一般式（Ｖ）、前記一般式（ＶＩ）、及び前記一般式（ＶＩＩ）から選択される化合物のうち、少なくともいずれか１つの化合物は、単独で層を構成しても良く、バインダー中に分散されて層を形成しても良い。
正孔阻止層を形成する方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられるが、中でも、真空蒸着法が均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上の観点から好ましい。
正孔阻止層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常５ｎｍ〜５０μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜３０μｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２０μｍである。
正孔阻止層は、上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１８９】
（保護層）
本発明の発光素子は、水分や酸素の進入を防止するために保護層を有してもよい。
保護層の材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１９０】
＜有機電界発光素子の製造方法＞
以下に、本発明の有機電界発光素子の製造方法について以下に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
透明電極としてＩＴＯ薄膜を有するガラス基板を溶媒洗浄した後、ＵＶ−オゾン処理を行なう。さらに、この透明電極上に正孔注入層、正孔輸送層をこの順に蒸着法にて形成する。この上に、発光材料およびホスト材料を真空において共蒸着することにより発光層を形成する。該発光材料及びホスト材料は前記のものと同義であり、好ましい範囲も同様である。発光層に用いられる該ホスト材料及び該発光材料は分子量３０００以下であることが好ましく、発光層を構成する材料が分子量３０００以下であることが好ましい。該分子量範囲を前記範囲とすることにより蒸着し易くなる。
該蒸着としては、公知の蒸着法を用いることができる。さらにその上に、８−キノリノール誘導体の金属錯塩等の材料を用いて正孔阻止層を形成する。続いて、前記一般式（Ｉ）の化合物を含有する電子輸送層、電子注入層をこの順に設け、この上に、パタ−ニングしたマスクを設置し、背面電極（陰極）を蒸着して形成する。前記陽極と陰極のそれぞれにリ−ド線を結線し、発光積層体を形成する。ここで得られた発光積層体を封止して発光素子を作成する。
【０１９１】
前記発光素子は、直流電圧を印加し発光させて、初期輝度で駆動耐久性試験を実施し、輝度が半分になった時間を半減時間として、耐久性試験を実施評価することができる。
【０１９２】
本発明の発光素子の用途は特に限定されないが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。
【実施例】
【０１９３】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【０１９４】
［比較例１］
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍ堆積したもの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２×１０-6Ｔｏｒｒ（約２．７×１０-4Ｐａ）以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。
【０１９５】
次いで、上記装置内に配置されたモリブデンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン（結晶形はβ型）を加熱して、真空度１．４×１０-6Ｔｏｒｒ（約１．９×１０-4Ｐａ）、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着を行ない、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（陽極バッファ層）を形成した。
【０１９６】
次に、上記装置内に配置されたセラミックルツボに入れた、α−ＮＰＤ（（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）をルツボの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度９．０×１０-7Ｔｏｒｒ（約１．２×１０-4Ｐａ）、蒸着速度は０．２ｎｍ／秒で膜厚６０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１９７】
引続き、発光層の主成分（ホスト材料）としてＣＢＰを、副成分（ドーパント）の燐光性有機金属錯体として、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）をセラミックルツボに設置し、２元同時蒸着法により成膜を行った。ＣＢＰの蒸着速度は、０．１ｎｍ／秒に制御し、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）はホストに対して５重量％含有されるように蒸着速度を制御し、膜厚３０ｎｍの発光層を正孔輸送層の上に積層した。蒸着時の真空度は１．３×１０-6Ｔｏｒｒ（約１．７×１０-4Ｐａ）であった。
【０１９８】
さらに、正孔阻止層としてＢＡｌｑ2を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で１０ｎｍの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は７．０×１０-7Ｔｏｒｒ（約０．９×１０-4Ｐａ）であった。
【０１９９】
【化３２】
【０２００】
次いで、正孔阻止層の上に、電子輸送層として下記比較化合物を同様にして蒸着した。蒸着時の真空度は６．０×１０-7Ｔｏｒｒ（約０．８×１０-4Ｐａ）、蒸着速度は０．２ｎｍ／秒で膜厚は３５ｎｍとした。
【０２０１】
【化３３】
【０２０２】
上記の正孔輸送層、発光層、正孔阻止層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【０２０３】
ここで、電子輸送層までの蒸着を行った素子を一旦前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層の形成時と同様にして装置内の真空度が２×１０-6Ｔｏｒｒ（約２．７×１０-4Ｐａ）以下になるまで排気した。
【０２０４】
その後、陰極として、先ず、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度０．１ｎｍ／秒、真空度７．０×１０-6Ｔｏｒｒ（約９．３×１０-4Ｐａ）で、１．５ｎｍの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．５ｎｍ／秒、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ（約１．３×１０-3Ｐａ）で膜厚４０ｎｍのアルミニウム層を形成した。さらに、その上に、陰極の導電性を高めるために銀を、同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．３ｎｍ／秒、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ（約１．３×１０-3Ｐａ）で膜厚４０ｎｍの銀層を形成して陰極８を完成させた。以上の３層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
上記で得られた発光素子を用いて、以下の方法で評価した。
【０２０５】
東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加し発光させて、初期の発光性能を測定した。
発光効率（％）は、１００Ｃｄ／ｍ2時の発光効率を外部量子効率（η100）（％）として、また、輝度／電流（Ｃｄ／Ａ）は輝度−電流密度特性の傾きを、駆動電圧は１００ｃｄ／ｍ2での値を各々表２４に示す。
また、初期輝度１０００Ｃｄ／ｍ2で駆動耐久性試験を実施し、輝度が半分になった時間を半減時間（Ｔ1/2）（Ｈｒ）として、試験結果を表２４に示した。
この素子の発光スペクトルの極大波長は５１５ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）からのものと同定された。
【０２０６】
［比較例２〜３、実施例１〜１２］
上記比較例１において、電子輸送層の化合物と正孔阻止層の化合物を下表のように変更した以外は、比較例１と同様にして発光素子を作製した。その評価については、サンプル１と同様に行ない、その結果を表２４に示す。
これらの素子の発光スペクトルの極大波長は５１５ｎｍであり、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）からのものと同定された。
【０２０７】
【表２４】
【０２０８】
表２４から明らかな通り、電子輸送層に本発明の化合物を使用し、正孔阻止層を有する実施例は、比較例と比べて、外部量子効率、輝度／電流，駆動電圧に優れることが理解できる。さらに駆動耐久性も良好であることが理解できる。
【産業上の利用可能性】
【０２０９】
本発明の発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。また、本発明の化合物は、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、記録メディア用材料、インクジェット用顔料、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする発光素子。
【化１】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）の化合物が下記一般式（ＩＩ）であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【化２】
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【請求項３】
前記正孔阻止層中に、８−キノリノール誘導体の金属錯塩、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）から選ばれる化合物のうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
【化３】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ11はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【化４】
（一般式（ＩＶ）中、Ａｒ21はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ22はアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。Ａｒ22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ21、Ｒ22、又はＲ23は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、ｍは１もしくは２を表す。）
【化５】
（一般式（Ｖ）中、Ａｒ32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ａｒ32は、前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ31、Ｒ32、又はＲ33は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【化６】
（一般式（ＶＩ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16は水素原子もしくは置換基を表す。）
【化７】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｌは単結合、あるいは２価以上の連結基を表し、Ｔは一般式（１）で表される構造のＲ1〜Ｒ16のいずれかから水素原子などの原子を脱離して得られる基、又はＲ1〜Ｒ16のいずれか１つを除いて得られる基を表す。ｎは２以上の整数を表し、複数のＴは互いに独立である。）
【請求項１】
一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機化合物層を有する発光素子であって、該有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含み、かつ該一般式（Ｉ）を含む層と該発光層の間に正孔阻止層を有することを特徴とする発光素子。
【化１】
（一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）の化合物が下記一般式（ＩＩ）であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【化２】
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。）
【請求項３】
前記正孔阻止層中に、８−キノリノール誘導体の金属錯塩、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）から選ばれる化合物のうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
【化３】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ11はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ12はオルトフェニレン基、メタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、ベンゼン環が３環以上６環以下連結した基、２環以上６環以下の芳香環が縮環した縮合環のアリーレン基、あるいはヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ12はアリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【化４】
（一般式（ＩＶ）中、Ａｒ21はアリール基あるいはヘテロアリール基を表す。Ａｒ22はアリーレン基あるいはへテロアリーレン基を表す。Ａｒ22は前記アリーレン基とヘテロアリーレン基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ21、Ｒ22、又はＲ23は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、ｍは１もしくは２を表す。）
【化５】
（一般式（Ｖ）中、Ａｒ32はアリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、あるいはチオフェン構造を含む基を表す。Ａｒ32は、前記アリーレン基、アゾール構造を含む基、ヘテロ原子が２個以上のアジン構造を含む基、フラン構造を含む基、チオフェン構造を含む基が互いに連結したものであっても良い。Ｒ31、Ｒ32、又はＲ33は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基を表す。）
【化６】
（一般式（ＶＩ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16は水素原子もしくは置換基を表す。）
【化７】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｌは単結合、あるいは２価以上の連結基を表し、Ｔは一般式（１）で表される構造のＲ1〜Ｒ16のいずれかから水素原子などの原子を脱離して得られる基、又はＲ1〜Ｒ16のいずれか１つを除いて得られる基を表す。ｎは２以上の整数を表し、複数のＴは互いに独立である。）
【公開番号】特開２００６−３２６３８（Ｐ２００６−３２６３８Ａ）
【公開日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２０９０２８（Ｐ２００４−２０９０２８）
【出願日】平成１６年７月１５日（２００４．７．１５）
【出願人】（０００００５２０１）富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月１５日（２００４．７．１５）
【出願人】（０００００５２０１）富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
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