発光装置及び電子機器
【課題】狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した発光装置が提供する。
【解決手段】発光装置１０は、少なくとも発光層を含む発光素子１４と、発光素子１４を駆動するためのスイッチング素子１８と、少なくとも発光素子１４とスイッチング素子１８とを接続する積層された配線２０と、発光素子１４とスイッチング素子１８と積層された配線２０とを配設する基板１２と、基板１２上に複数の封止部材を介し配設され、発光素子１４を覆う封止基板１６と、を含み、複数の封止部材は、第１及び第２の封止部材２６，２８を含み、第１の封止部材２６は、発光素子１４の外周を取り囲み、発光素子１４、スイッチング素子１８、及び積層された配線２０が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設され、第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６の外周を取り囲んでいる。
【解決手段】発光装置１０は、少なくとも発光層を含む発光素子１４と、発光素子１４を駆動するためのスイッチング素子１８と、少なくとも発光素子１４とスイッチング素子１８とを接続する積層された配線２０と、発光素子１４とスイッチング素子１８と積層された配線２０とを配設する基板１２と、基板１２上に複数の封止部材を介し配設され、発光素子１４を覆う封止基板１６と、を含み、複数の封止部材は、第１及び第２の封止部材２６，２８を含み、第１の封止部材２６は、発光素子１４の外周を取り囲み、発光素子１４、スイッチング素子１８、及び積層された配線２０が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設され、第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６の外周を取り囲んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）等の発光素子を備えた発光装置が、表示装置や電子写真方式の画像形成装置の露光装置等として広く利用されている。
【０００３】
かかる発光装置には長期間の発光に耐える耐久性が求められるが、有機ＥＬ素子の発光特性を劣化させる原因の一つとして、ダークスポットの発生が上げられる。ダークスポットは、有機ＥＬ素子の構成部品の表面に付着している水分や有機ＥＬ素子内に侵入した水分（湿気）や酸素等の雰囲気ガスが、透明電極と発光層（有機層）と背面電極とを順次積層して形成される積層体内に背面電極表面の欠陥等から侵入し、有機層と背面電極との間に乖離を生じさせることで発生する。
【０００４】
このような発光装置では、有機ＥＬ素子の信頼性向上や長寿命化を図るため、有機ＥＬ素子を構成する発光層や各電極を雰囲気ガスから確実に遮断することが重要とされている。この目的から、有機ＥＬ素子部を形成した基板（透明基板）と封止部材とを接着剤を介して一体化することにより、これらの間に封止した有機ＥＬ素子を雰囲気ガス等から保護する技術が知られている。水分の侵入をできるだけ抑え、発光素子の劣化を防ぐ（封止性能）には、接着剤の幅（シールエリア）が広い方が有利であり、封止性能は接着剤の幅に比例して高くなることが知られている。
【０００５】
例えば、特許文献１に開示されるような、ガラス材料からなる透光性の基板上に、陽極となるＩＴＯ等の透明電極と、有機化合物からなる少なくとも発光層を有する有機層と、陰極となるアルミニウム（Ａｌ）等の非透光性の背面電極とを順次積層して積層体を形成し、この積層体を覆うガラス材料からなる凹部形状の封止部材を基板上に接着剤を介して気密的に配設し、封止部材の積層体と対向する面に、化学的に水分を吸着すると共に吸着しても固体状態を維持する化合物により形成される吸湿剤を配設する発光装置が知られている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−８８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、図１５に示すように、近年、携帯電話の表示パネルに代表されるように、額縁領域３００（発光素子３０３の配設面の領域である表示領域３０２の外周の領域）ができるだけ狭いことが要求されている。しかし、狭額縁化するためには封止部材３０４を配設するシール領域３０６を狭くする必要があり、シール領域３０６を狭くすると封止性能を損なうことになり、狭額縁化と封止性能確保の両立が難しい。又、封止部材３０４には、封止基板３０８と基板３１０の間隙３１２を一定に保つため、ギャップ材（シリカ、プラスチック等）３１４が入っている。更に、防湿性を高めるため、或いは封止部材３０４の弾性率を制御することで作業性を高めるために、フィラー（シリカ等）３１６が入っている。これにより、封止基板３０８と基板３１０を張り合わせるとき圧力を加えるが、配線３２０が複数積層される多層配線領域３２２に封止部材３０４が被った場合には、ギャップ材３１４やフィラー３１６により配線３２０間で、リークやショートが発生する場合がある。又、スイッチング素子３２４が配設されるスイッチング素子領域３２６に封止部材３０４が被った場合には、スイッチング素子３２４が機能しなくなったり、特性が悪くなったりする場合がある。そのため、シール領域３０６は表示領域３０２、多層配線領域３２２、及びスイッチング素子領域３２６と重ねず、別々に配置する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］少なくとも発光層を含む発光素子と、前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子と、少なくとも前記発光素子と前記スイッチング素子とを接続する積層された配線と、前記発光素子と前記スイッチング素子と前記積層された配線とを配設する基板と、前記基板上に複数の封止部材を介し配設され、前記発光素子を覆う封止基板と、を含み、前記複数の封止部材は、第１及び第２の封止部材を含み、前記第１の封止部材は、前記発光素子の外周を取り囲み、前記発光素子、前記スイッチング素子、及び前記積層された配線が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設され、前記第２の封止部材は、前記第１の封止部材の外周を取り囲んでいることを特徴とする発光装置。
【００１０】
これによれば、第１の封止部材を発光素子、スイッチング素子、及び積層された配線が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設することができ、従来と比べると接着剤幅を同じにした場合には、額縁幅を小さくすることができるので、小型化が可能な発光装置が提供できる。又、従来と額縁幅を同じにした場合には、シール幅を大きくすることができるので、封止性能向上により素子の劣化防止が可能となり長寿命化した発光装置が提供できる。更に、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した発光装置が提供できる。
【００１１】
［適用例２］上記発光装置であって、前記第２の封止部材は、粒状物を含み、前記第１の封止部材は、粒状物を含まないことを特徴とする発光装置。
【００１２】
これによれば、第１の封止部材による発光素子、スイッチング素子、及び積層された配線の破損を効果的に防止することが容易になる。又、第２の封止部材により基板と封止基板とのギャップを効果的に設定することが容易になる。
【００１３】
［適用例３］上記発光装置であって、前記第１の封止部材は、第１の粒状物を含み、前記第２の封止部材は、第２の粒状物を含み、前記第１の粒状物の体積は、前記第２の粒状物の体積より小さいことを特徴とする発光装置。
【００１４】
これによれば、第１の封止部材による発光素子、スイッチング素子、及び積層された配線の破損を効果的に防止することが容易になる。又、第２の封止部材により基板と封止基板とのギャップを効果的に設定することが容易になる。
【００１５】
［適用例４］上記のいずれかに記載の発光装置と、前記発光装置を制御するための制御部と、を含むことを特徴とする電子機器。
【００１６】
これによれば、上記のいずれかに記載の発光装置を用いることにより、小型で長寿命化した電子機器が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本実施形態について図面を参照して以下に説明する。尚、説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１８】
（第１の実施形態）
（有機ＥＬ装置）
図１（Ａ）は、第１の実施形態に係る発光装置としての有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）１０の平面構成図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面構成図である。
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、基板１２と、基板１２上に設けられた発光素子１４と、発光素子１４を挟持して基板１２と対向する封止基板１６と、を主体としてなる。基板１２上には、発光素子１４の他に、発光素子１４を駆動するためのスイッチング素子（薄膜トランジスタ）１８と、少なくとも発光素子１４とスイッチング素子１８とを接続する積層された配線２０と、発光素子１４とスイッチング素子１８と積層された配線２０とを覆っている層間絶縁層２２と、が設けられている。基板１２と封止基板１６との間には、上記の他に、発光素子１４と対向して設けられた吸着剤２４と、発光素子１４を取り囲んで設けられた第１の封止部材２６と、第１の封止部材２６を取り囲んで設けられた第２の封止部材２８と、が設けられている。尚、図１（Ａ）では図面を見易くするために封止基板１６の図示を省略している。
【００１９】
本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、発光素子１４からの発光を基板１２側から装置外部に取り出す形態（ボトムエミッション型）、封止基板１６側から取り出す形態（トップエミッション型）のいずれも採用することができる。ボトムエミッション型とする場合には、基板１２は、光を透過可能な透明或いは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、或いはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトン等の透明な合成樹脂等を用いて形成される。トップエミッション型の場合には、層間絶縁層２２、吸着剤２４、及び封止基板１６について透明ないし透光性の材質が用いられる。
【００２０】
図２は、第１の実施形態に係る発光装置としての有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）１０の一部拡大した断面構成図である。図２に示すように、有機ＥＬ装置１０は、表示領域３０、額縁領域３２、多層配線領域３４、スイッチング素子領域３６、及びシール領域３８を有している。
【００２１】
表示領域３０は、基板１２上に配設された発光素子１４の配設面の領域である。額縁領域３２は、基板１２上の表示領域３０の外周の領域である。多層配線領域３４は、基板１２上に配設積層された配線２０の配設面の領域である。スイッチング素子領域３６は、基板１２上に配設されたスイッチング素子１８の配設面の領域である。シール領域３８は、基板１２上に配設された第１及び第２の封止部材２６，２８の配設面の領域である。
【００２２】
シール領域３８に配設される第１の封止部材２６は、発光素子１４の外周を取り囲むように配設されている。又、第１の封止部材２６は、発光素子１４、スイッチング素子１８、及び積層された配線２０が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設されている。言い換えると、シール領域３８は、表示領域３０、多層配線領域３４、及びスイッチング素子領域３６の少なくとも一部とオーバーラップするように配設されている。又、第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６の外周を取り囲むように配設されている。
【００２３】
図１に戻り、封止基板１６は、基板１２上に複数の封止部材を介し配設され、発光素子１４を覆っている。封止基板１６は、第１の封止部材２６と、第１の封止部材２６の外周を取り囲むように設けられた第２の封止部材２８と、を介して基板１２に接着され発光素子１４を封止している。封止基板１６としては、発光素子１４を良好に保護できる機能を有していればよく、例えばガラスや石英、合成樹脂、或いは金属等水分透過率の小さい材料を用いることができる。ガラスとしては、例えばソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等を用いることができる。合成樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトン等の透明な合成樹脂等を用いることができる。金属としては、アルミニウムやステンレス等を用いることができる。封止基板１６としてガラス基板を用い、発光素子１４を覆うことにより、発光素子１４への水分（湿気）や酸素等の浸入を良好に防止することができる。
【００２４】
発光素子１４は、基板１２上に電気光学的物質としての有機発光層を含む有機機能層を第１の電極と第２の電極としての２枚の電極膜により挟持した有機ＥＬ素子であり、例えば図３に示すように、陽極４０と、正孔輸送層４２と、発光層４４と、陰極４６と、を積層した構造を備えている。発光素子１４は、有機ＥＬ装置１０の用途に応じて種々の態様に構成され、例えば、照明用途であれば発光素子１４は平面形状に形成される。又、電子機器の表示手段としての用途であれば複数の発光素子１４が平面視略マトリクス状に配列される。更に、プリンタの露光手段としての用途であれば、複数の発光素子１４が一列又は複数列に配列された形態となる。
【００２５】
図１に戻り、層間絶縁層２２は、無機絶縁材料の薄膜であり、発光素子１４に対して水分等が浸入するのを抑制する機能を有する。層間絶縁層２２を形成するための形成材料としては、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、二酸化珪素（ＳｉＯ2）、窒化珪素（ＳｉＮ）等を挙げることができる。
【００２６】
吸着剤２４は、封止基板１６に設けられている。平面視略矩形状に形成された層間絶縁層２２と対向して平面視略矩形状に吸着剤２４が設けられている。尚、本実施形態では、吸着剤２４は平面視略矩形形状に形成しているが、例えば、発光素子１４や層間絶縁層２２等の形状に応じた枠に形成してもよいし、発光素子１４を囲んだ任意の枠に形成してもよい。本実施形態の場合、図１（Ｂ）に示すように、吸着剤２４はその対向する層間絶縁層２２と間隙４８が設けられ、更に当該吸着剤２４を挟持する基板１２及び封止基板１６の封止基板１６に当接して配置されている。すなわち、吸着剤２４は所定の平面形状と断面形状とを保持し得るものであることが好ましく、例えば、水分（湿気）や酸素等の吸着作用を奏する吸着材料（脱水材及び脱酸素剤）を、樹脂やワックス、油脂等のバインダ中に分散させたものを用いることで、吸着剤に良好な成形性を付与することができる。
【００２７】
上記吸着材料としては、バインダを構成する有機化合物と反応しにくいものが用いられ、例えば水素化カルシウム、水素化ストロンチウム、水素化バリウム、水素化アルミニウムリチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム等を挙げることができる。
【００２８】
バインダとしては、樹脂、ワックス、油脂等を用いることができ、具体例を挙げるならば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂等の樹脂材料、パラフィンワックス、マイクロリスタリンワックス等の石油系ワックス、植物系ワックス、動物系ワックス、鉱物系ワックス、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、脂肪族アミン等を挙げることができる。
【００２９】
尚、吸着剤２４についてバインダと吸着材料との混合材料を用いない場合には、基板１２と封止基板１６との間の間隙４８を含む封止空間において所望の吸着機能を有していれば、吸着材料に上記のような限定は無く種々のものを用いることが可能である。例えば、シリカゲル、ゼオライト、活性炭、酸化カルシウム、酸化ゲルマニウム、五酸化リン、塩化カルシウム等を単独又は複数で用いることができる。又、このような間隙４８が設けられていれば、第１の封止部材２６を通過して水分（湿気）や酸素等が間隙４８に侵入した場合にも、間隙４８に水分（湿気）や酸素等が拡散し、吸着剤２４への負荷をその周面で均一化することができる。従って係る構成によれば、良好な吸着効果を長期間に渡り得ることができ、有機ＥＬ装置の信頼性、耐久性を向上させることができる。
【００３０】
第１の封止部材２６は、封止基板１６に設けられている。第１の封止部材２６は、発光素子１４の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成され、基板１２と封止基板１６との間に挟持されている。本実施形態の場合、第１の封止部材２６は、基板１２と封止基板１６とを接着する接着剤としても機能する。第１の封止部材２６を形成するための材料としては、安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好なものであれば特に限定されず用いることができる。例えば、紫外光（ＵＶ）の照射により硬化する光硬化性エポキシ樹脂が用いられ、エポキシ、ビニルエーテル等のカチオン系材料の他にも、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート等のアクリレート、ウレタンポリエステル等のラジカル系材料を用いることができる。
【００３１】
第１の封止部材２６は、弾性率の小さい材料を用いて形成することが好ましく、後述する第２の封止部材２８より弾性率の小さい材料を用いて形成することが好ましい。第２の封止部材２８より小さい弾性率としておくことで、封止基板１６が第２の封止部材２８により支持される構造とすることができるので、形成が容易になる。
【００３２】
又、第１の封止部材２６は、その内部に基板１２と封止基板１６とを所定間隔に離間する粒状物（スペーサ等のギャップ材）５０が混入されていない構成である。このような構成とすることで、封止基板１６を被着する際の押圧力により発光素子１４、スイッチング素子１８及び積層された配線２０が破損するのを防止することができる。尚、第１の封止部材２６は、その内部に防湿性を高めるため、或いは第１の封止部材２６の弾性率を制御することで作業性を高めるために、フィラー（シリカ等）５２が混入された構成としてもよい。
【００３３】
第２の封止部材２８は、封止基板１６に設けられている。第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成され、基板１２と封止基板１６との間に挟持されている。本実施形態の場合、第２の封止部材２８は、基板１２と封止基板１６とを接着する接着剤としても機能する。第２の封止部材２８の形成材料としては、第１の封止部材２６と同様に安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好なものであれば特に限定されないが、例えば熱硬化性樹脂材料を用いることができる。第２の封止部材２８を形成する材料としては、紫外光（ＵＶ）の照射により硬化する光硬化性エポキシ樹脂等を用いることもできる。
【００３４】
第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６に比して水分（湿気）や酸素等の透過率の低い材料を用いて形成することが好ましい。このように装置の最外周部で水分（湿気）や酸素等の透過率の低い材料で遮断する構成とすることで、内側に配された吸着剤２４への水分（湿気）や酸素等の到達量を低減することができ、発光素子１４に達する水分量を低減すると共に、水分（湿気）や酸素等が発光素子１４に達するまでの時間を延ばすことができ、発光素子１４の長寿命化を実現することができる。
【００３５】
又、第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６と異なりその内部に基板１２と封止基板１６とを所定間隔に離間する粒状物５０が混入された構成である。このような構成とすることで、封止基板１６を被着する際の押圧力により発光素子１４が破損するのを防止することができる。尚、第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６と同様にその内部にフィラー５２が混入された構成としてもよい。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、第１及び第２の封止部材２６，２８の二重封止構造によって、発光素子１４に対する良好な封止性能を実現することができる。これにより、第１の封止部材２６を発光素子１４、スイッチング素子１８、及び積層された配線２０が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設することができ、従来と比べると接着剤幅を同じにした場合には、額縁幅を小さくすることができるので、小型化が可能な有機ＥＬ装置が提供できる。又、従来と額縁幅を同じにした場合には、シール幅を大きくすることができるので、封止性能向上により素子の劣化防止が可能となり長寿命化した有機ＥＬ装置が提供できる。更に、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した有機ＥＬ装置が提供できる。
【００３７】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上述した構成を有する有機ＥＬ装置１０を製造する方法について、図３〜図６に示す模式図を参照しながら説明する。図４〜図６において、（Ａ）図は各工程における平面工程図、（Ｂ）図は（Ａ）図の各断面線に沿う位置に対応する断面工程図である。尚、図６（Ａ）では図面を見易くするために封止基板１６の図示を省略している。
【００３８】
先ず、図３に示すように、基板１２上に発光素子１４を形成する。図３には示していないが、発光素子１４が形成される基板１２上には、既に発光素子１４を駆動制御するスイッチング素子１８（図４（Ｂ）参照）等が形成されているものとする。
発光素子１４は、基板１２上の所定領域に、陽極４０と、正孔輸送層４２と、発光層４４と、陰極４６と、を順次積層することで形成できる。このような積層構造を具備した発光素子１４は、スイッチング素子１８から駆動信号を供給されると、陽極４０と陰極４６との間に電流が流れて発光層４４が発光し、ボトムエミッション型の場合には、透明な基板１２の外面側に光が射出される。
【００３９】
図３に示す積層構造において、陽極４０は図示しないスイッチング素子１８に接続され、スイッチング素子１８から印加された電圧によって正孔を正孔輸送層４２に注入するものであり、その形成材料には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等の透明導電材料、或いはアルミニウムや銀等の金属材料を用いることができる。
【００４０】
正孔輸送層４２は、陽極４０の正孔を発光層４４に輸送・注入するためのものであり、公知の材料を用いることができる。例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等を用いることができる。更に具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。
【００４１】
発光層４４は、正孔輸送層４２から注入される正孔と、陰極４６から注入される電子との再結合により発光する層である。発光層４４を形成する材料としては、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。例えば、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等を用いることができる。
【００４２】
又、発光層４４と陰極４６との間に電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層を設けることで陰極４６から発光層４４への電子の注入効率を向上させることができる。電子輸送層の形成材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体等を用いることができる。
【００４３】
陰極４６は、発光層４４へ効率的に電子注入を行うことができる仕事関数の低い金属、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、又はカルシウム（Ｃａ）等の金属材料から形成され、かかる金属膜にＩＴＯ等の透明導電膜を積層した構造であってもよい。
【００４４】
発光素子１４を構成する上記各層を設けるに際しては、例えば、フォトリソグラフィ法や液滴吐出法等、公知のパターニング手法を用いることができ、これにより基板１２上の所定領域に各層を積層してなる構造の発光素子１４を設けることができる。
金属材料や透明導電材料からなる陽極４０、陰極４６の形成には、スパッタ法や真空蒸着法と、フォトリソグラフィ法と、を好適に用いることができ、又、高分子材料からなる正孔輸送層４２及び発光層４４の形成には、液滴吐出法を好適に用いることができる。
【００４５】
液滴吐出法とは、形成しようとする機能層の形成材料を液状体にし、その液状体をディスペンサやインクジェット装置等の液滴吐出装置を用いて定量的に吐出することによって、所望領域に前記形成材料を塗布する方法である。具体的には、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）に設けられたノズルと基板１２とを対向させた状態でノズルと基板１２とを相対移動させつつ、ノズルから１滴あたりの液量が制御された液状体の液滴を吐出することによって、基板１２上に液状体による所望形状の膜パターンを形成する技術である。
【００４６】
正孔輸送層４２や発光層４４を液滴吐出法を用いて成膜することにより、製造コストを低減することができる。すなわち、液滴吐出法では、基板１２上の所望の局所領域に材料を配置することが可能であるから、フォトリソグラフィ法等に比べて膜形成のプロセスが簡素であると共に使用材料に無駄が少ない。
【００４７】
発光素子１４を基板１２上に形成したならば、次に、図４に示すように、所定の手法によって、発光素子１４、スイッチング素子１８及び積層された配線２０に層間絶縁層２２を被覆する。本実施形態においては、層間絶縁層２２は、イオンプレーティング法、或いはスパッタ法等の成膜法を用いて発光素子１４の表面に被覆される。これにより、発光素子１４を覆うように、発光素子１４の表面に層間絶縁層２２が接続される。発光素子１４の表面に所定の厚さを有する層間絶縁層２２が被覆されることにより、有機ＥＬ装置１０の製造工程中においても、発光素子１４と水分等との接触を防止でき、発光素子１４は良好に封止される。
【００４８】
次に、図５に示すように、発光素子１４が配設された側の基板面周縁に沿って平面視矩形枠状の第１及び第２の封止部材２６，２８を形成する。例えば、ディスペンサやインクジェット装置を用いて、エポキシ樹脂等の樹脂材料を図示の平面形状に塗布する。このとき、第２の封止部材２８の前記樹脂材料には、基板１２と封止基板１６との間隔を調整するためのスペーサ（粒状物５０）を混入されたものを用いる。スペーサとしてはガラスビーズ、樹脂ビーズ等を用いることができる。又、第１の封止部材２６の前記樹脂材料には、基板１２と封止基板１６との間隔を調整するためのスペーサ（粒状物５０）を混入されたものを用いない。尚、各製造工程は、発光素子１４の劣化を防ぐために窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【００４９】
基板１２上に配置した前記樹脂材料は、後段の工程で封止基板１６を配置したとき、封止基板１６に密着して封止性を得られるものであることが好ましい。そのため、以降の工程では封止基板１６に対し接着可能な状態に保持されるが、基板１２上に配置した後、接着性を損なわない程度の硬化（仮硬化）を行ってもよい。仮硬化を行うことで第１及び第２の封止部材２６，２８を構成する樹脂材料の粘度を高め、基板１２上にて形状を良好に保持することができるので、第１及び第２の封止部材２６，２８の形状不良による歩留まり低下を防止でき、又後続の工程における基板のハンドリング性も向上させることができる。
【００５０】
次に、図６に示すように、第１の封止部材２６の内側の封止基板１６上に、層間絶縁層２２と対向する平面視略矩形状に乾燥剤形成材料を配置して、吸着剤２４を形成する。乾燥剤形成材料としては、先の記載のように、吸着材料とバインダとを混合してなるものを用いることが好ましい。このような乾燥剤形成材料を、ディスペンサやインクジェット装置を用いて塗布することで、図６に示すような平面形状の吸着剤２４を容易に形成することができる。
【００５１】
上記乾燥剤形成材料は、封止基板１６上に配置する際の粘度を２０Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。このような比較的高粘度の材料を配置することで、封止基板１６上に配置した後の乾燥剤形成材料の形状を良好に保持することができる。又、乾燥剤形成材料は、後段の工程で吸着剤２４に囲まれる領域に配置される、第１の封止部材２６を形成するための樹脂材料より大きい粘度を有するものであることが好ましい。
【００５２】
又、乾燥剤形成材料を封止基板１６上に塗布した後、先の第１及び第２の封止部材２６，２８を形成する工程と同様に乾燥剤形成材料の仮硬化を行ってもよい。仮硬化を行うことで、乾燥剤形成材料が経時的に封止基板１６上で過度に濡れ広がることを防止することができ、有機ＥＬ装置の歩留まり向上、基板のハンドリング性の向上に寄与する。
【００５３】
本実施形態において、吸着剤２４は、層間絶縁層２２との間に間隙４８（図１（Ｂ）参照）を有する位置に配置されるようになっている。このような間隙４８を形成しておくことで、封止基板１６を基板１２上に被着した際の緩衝領域として間隙４８を利用することができ、又封止基板１６の被着後にも間隙４８が保持されるようにしておけば、第１の封止部材２６を通過して装置内部に侵入した水分や酸素等を保持する領域としても機能させることができ、層間絶縁層２２より内側への水分等の侵入を緩和することができる。
【００５４】
そして、封止基板１６上に吸着剤２４が形成された後、基板１２上に封止基板１６が被着される（図１参照）。本実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造工程では、この封止基板１６を配置する工程は、封止基板１６と第１の封止部材２６との間に気泡等が混入するのを防止するため、減圧環境下で実施され、封止基板１６を被着した後に大気圧下に戻すことで、大気圧により封止基板１６を発光素子１４側へ押しつけるようになっている。その後、第１の封止部材２６を形成するための樹脂材料として熱硬化性樹脂材料が用いられている場合には、所定の熱が基板１２上の樹脂材料に付与される。
以上の工程により、樹脂材料を硬化させて第１及び第２の封止部材２６，２８を形成し、第１及び第２の封止部材２６，２８を介して封止基板１６が接着された有機ＥＬ装置１０を製造することができる。
【００５５】
本実施形態では、上記樹脂材料を基板１２上に配置した際、基板１２上に既設の吸着剤２４が、基板１２上で樹脂材料が広がる領域を規定するようになっており、樹脂材料が必要以上に広がることで第１の封止部材２６の層厚が設計値よりも薄くなってしまうのを防止することができ、又封止基板１６と第１の封止部材２６との間に空隙が生じるのを防止することができる。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態の製造方法によれば、発光素子１４上に層間絶縁層２２を設けた後に樹脂材料や乾燥剤形成材料の配置を行うようになっているので、封止工程中に樹脂材料や乾燥剤形成材料に含まれる溶剤等が発光素子１４と接触して発光素子１４を劣化させるのを防止でき、高歩留まりで有機ＥＬ装置１０を製造することができる。
【００５７】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１及び第２の封止部材に混入するそれぞれの粒状物の大きさが上記の実施形態と異なり、その他の点は上記の実施形態と同様である。
【００５８】
図７は、本実施形態に係る発光装置としての有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）５４の一部拡大した断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置５４は、図７に示すように、第１の封止部材２６は、その内部に基板１２と封止基板１６とを所定間隔に離間する第１の粒状物（スペーサ等のギャップ材）５６が混入された構成である。第２の封止部材２８は、その内部に基板１２と封止基板１６とを所定間隔に離間する第２の粒状物（スペーサ等のギャップ材）５８が混入された構成である。第１の粒状物５６の体積は、第２の粒状物５８の体積より小さいものが配設されている。このような構成とすることで、封止基板１６を被着する際の押圧力によりスイッチング素子１８、及び積層された配線２０が破損するのを防止することができる。
【００５９】
（実施例）
（有機ＥＬ表示装置）
次に、図８〜図１１を参照して、有機ＥＬ装置の一実施例である有機ＥＬ表示装置１００について説明する。
図８は、本実施例に係る有機ＥＬ表示装置１００の回路構成図であり、図９は、同表示装置の平面構成図である。図１０は、同表示装置の画素１０２の平面構造を示す図であって、（Ａ）図は画素１０２のうち主にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の画素駆動部分を示す図であり、（Ｂ）図は画素間を区画するバンク（隔壁部材）等を示す図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面構成図である。
【００６０】
図８に示す回路構成において、有機ＥＬ表示装置１００は、複数の走査線１０４と、これら走査線１０４に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０６と、これら信号線１０６に並列に延びる複数の共通給電線１０８と、がそれぞれ配線されたもので、走査線１０４及び信号線１０６の各交点に、画素１０２が設けられて構成されたものである。
【００６１】
信号線１０６に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１１０が設けられている。一方、走査線１０４に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路１１２が設けられている。画素１０２の各々には、走査線１０４を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング素子（薄膜トランジスタ）１８と、このスイッチング素子１８を介して信号線１０６から供給される画像信号を保持する保持容量ＣＡＰと、保持容量ＣＡＰによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１６と、この駆動用ＴＦＴ１１６を介して共通給電線１０８に電気的に接続したときに共通給電線１０８から駆動電流が流れ込む画素電極１１８と、この画素電極１１８と共通電極１２０との間に挟み込まれる発光部１２２と、が設けられている。画素電極１１８と、共通電極１２０と、発光部１２２と、によって構成される素子が有機ＥＬ素子（発光素子）である。
【００６２】
このような構成のもとに、走査線１０４が駆動されてスイッチング素子１８がオンとなると、そのときの信号線１０６の電位が保持容量ＣＡＰに保持され、保持容量ＣＡＰの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１１６のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１６のチャネルを介して共通給電線１０８から画素電極１１８に電流が流れ、更に発光部１２２を通じて共通電極１２０に電流が流れることにより、発光部１２２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００６３】
次に、図９の平面構成に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、矩形状の基板１２の略中央部に、複数の画素１０２が平面視マトリクス状に配列された表示領域３０を備えており、表示領域３０を覆って吸着剤２４が形成されている。表示領域３０及び吸着剤２４を取り囲んで平面視矩形枠状の第１の封止部材２６が設けられており、第１の封止部材２６を取り囲んで平面視矩形枠状の第２の封止部材２８が設けられている。そして、封止基板１６が、表示領域３０、吸着剤２４、第１の封止部材２６、及び第２の封止部材２８を平面的に覆うように配置されている。
【００６４】
すなわち、有機ＥＬ表示装置１００は、先の実施形態の有機ＥＬ装置１０と同様の基本構成を具備した表示装置であり、有機ＥＬ装置１０の発光素子１４に対応する有機ＥＬ素子を有する画素１０２を配列してなる表示領域３０を、第１の封止部材２６と第２の封止部材２８とによって二重に封止する構成を具備したものとなっている。
【００６５】
又、吸着剤２４と表示領域３０との間には、間隙４８（図１（Ｂ）参照）が設けられており、先の実施形態と同様、第１の封止部材２６を通過して内部に侵入した水分等を拡散させ、吸着剤２４への負荷をその周面で均一化し、吸着剤２４の局所的な劣化を抑え、信頼性を向上させることができるようになっている。
【００６６】
次に、図１０（Ａ）に示す画素１０２の平面構造をみると、画素１０２は、平面視略矩形状の画素電極１１８の四辺が、信号線１０６、共通給電線１０８、走査線１０４、及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。画素電極１１８の近傍にはスイッチング素子１８と、駆動用ＴＦＴ１１６とが設けられている。
【００６７】
スイッチング素子１８は、矩形の島状の半導体層１３８を主体としてなるトップゲート型の薄膜トランジスタであり、半導体層１３８と交差する走査線１０４が、当該交差部分でスイッチング素子１８のゲート電極となっている。又、半導体層１３８には、図示上下方向に延在する信号線１０６から走査線１０４に沿う方向に延びた分岐配線１０６ＡがコンタクトホールＣ１を介して電気的に接続されている。更に、半導体層１３８には、画素電極１１８の図示右側に配された平面視矩形状の中継電極１４０が、コンタクトホールＣ２を介して電気的に接続されている。
【００６８】
駆動用ＴＦＴ１１６は、矩形の島状の半導体層１４２を主体としてなるトップゲート型の薄膜トランジスタであり、ゲート電極１４４Ｇと、ソース電極１４６（電源線１０８の一部）と、ドレイン電極１４８と、を備えている。ドレイン電極１４８は、図示しないコンタクトホール（図１１参照）を介して画素電極１１８と電気的に接続されている。ゲート電極１４４Ｇは、半導体層１４２と重なる位置から図示下側へ延びて保持容量ＣＡＰの電極１５０と一体に形成されている。更に、電極１５０は、図示下側へ延びており、それと平面的に重なって配置された中継電極１４０とコンタクトホールＣ３を介して電気的に接続されている。従って、中継電極１４０を介して駆動用ＴＦＴ１１６のゲートと、スイッチング素子１８のドレインと、が電気的に接続されている。
【００６９】
又、図１１に示す画素１０２の断面構造をみると、基板１２上に、駆動用ＴＦＴ１１６が設けられており、駆動用ＴＦＴ１１６を覆って形成された複数の絶縁膜を介した基板１２上に、有機ＥＬ素子１５２が形成されている。有機ＥＬ素子１５２は、基板１２上に立設されたバンク（無機バンク１５４及び有機バンク１５６）に囲まれる領域内に設けられた有機機能層（発光部）１２２を主体として構成され、この有機機能層１２２を、画素電極１１８と共通電極１２０との間に挟持した構成を備えている。ここで、図１０（Ｂ）に示す平面構造をみると、有機バンク１５６は、画素電極１１８の形成領域に対応した平面視略矩形状の開口部１５８を有しており、この開口部１５８に先の有機機能層１２２が形成されるようになっている。
【００７０】
図１１に示すように、駆動用ＴＦＴ１１６は、半導体層１４２に形成されたソース領域１４４Ａ、ドレイン領域１４４Ｂ、及びチャネル領域１４４Ｃと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜１６０を介してチャネル領域１４４Ｃに対向するゲート電極１４４Ｇと、を主体として構成されている。半導体層１４２及びゲート絶縁膜１６０を覆う第１の層間絶縁膜１６２が形成されており、この第１の層間絶縁膜１６２を貫通して半導体層１４２に達するコンタクトホール１６４，１６６内に、それぞれドレイン電極１４８、ソース電極１４６が埋設され、各々の電極はドレイン領域１４４Ｂ及びソース領域１４４Ａに導電接続されている。第１の層間絶縁膜１６２上には、第２の層間絶縁膜１６８が形成されており、この第２の層間絶縁膜１６８に貫設されたコンタクトホールに画素電極１１８の一部が埋設されている。そして画素電極１１８とドレイン電極１４８とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ１１６と画素電極１１８（有機ＥＬ素子１５２）とが電気的に接続されている。
【００７１】
第２の層間絶縁膜１６８上には、無機絶縁材料からなる無機バンク（第１の隔壁層）１５４が形成されており、無機バンク１５４は、画素電極１１８の周縁部に一部乗り上げるように配置されている。無機バンク１５４上には、有機材料からなる有機バンク（第２の隔壁層）１５６が積層され、この有機ＥＬ装置における隔壁部材を成している。
【００７２】
有機ＥＬ素子１５２は、画素電極１１８上に、正孔輸送層１２２Ａと発光層１２２Ｂとを積層し、この発光層１２２Ｂと有機バンク１５６とを覆う共通電極１２０を形成することにより構成されている。すなわち、本実施例に係る有機ＥＬ素子１５２が、先の実施形態に係る発光素子１４に対応するものであり、画素電極１１８、正孔輸送層１２２Ａ、発光層１２２Ｂ、及び共通電極１２０は、それぞれ発光素子１４の陽極４０、正孔輸送層４２、発光層４４、及び陰極４６に相当する構成要素である。
正孔輸送層１２２Ａは、画素電極１１８の表面を覆って形成されており、その周縁部は、有機バンク１５６の下端側から画素電極１１８中央側に延出された無機バンク１５４の端縁部を覆っている。
【００７３】
共通電極１２０上には、先の実施形態の層間絶縁層２２に対応する層間絶縁層１７０が形成され、かかる層間絶縁層１７０を覆って吸着剤２４が形成されている。
【００７４】
以上の構成を具備した有機ＥＬ表示装置１００は、先の実施形態に係る有機ＥＬ装置１０と同様に、吸着剤２４と、第１及び第２の封止部材２６，２８と、を設けた構成とされている。これにより、第１の封止部材２６と第２の封止部材２８との二重封止構造によって有機ＥＬ素子１５２に対する良好な封止性能を実現で、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した有機ＥＬ表示装置が提供できる。
【００７５】
（光書き込みヘッド）
次に、他の実施例として、有機ＥＬ装置を用いた光書き込みヘッドについて図１２及び図１３を参照して説明する。
図１２は、本実施例に係る光書き込みヘッド用途に好適な構成を具備した有機ＥＬ装置の平面構成図である。
【００７６】
図１２に示すように、有機ＥＬ装置１７２を構成する基板１２上には、図示しない有機ＥＬ素子が配列形成された発光素子領域１７４が基板１２の長さ方向に沿って長手に設けられており、発光素子領域１７４に沿って複数の駆動素子１７６が配列されている。詳細は省略しているが、発光素子領域１７４に設けられた各有機ＥＬ素子は、各駆動素子１７６から延びる接続配線１７８と電気的に接続され、駆動素子１７６から供給される電気信号により駆動されるようになっている。
【００７７】
本実施例の有機ＥＬ装置１７２も、先の実施形態の有機ＥＬ装置１０と同様の封止構造を具備したものとなっている。すなわち、発光素子領域１７４に設けられた有機ＥＬ素子の表面には図示しない保護層が形成され、発光素子領域１７４を覆って吸着剤２４が形成されており、吸着剤２４を取り囲む第１の封止部材２６と、第１の封止部材２６を取り囲む第２の封止部材２８と、が形成されている。そして、吸着剤２４、第１の封止部材２６、及び第２の封止部材２８を覆うようにして封止基板１６が被着されている。
【００７８】
上記構成を具備した有機ＥＬ装置１７２は、先の実施形態に係る有機ＥＬ装置１０と同様に、吸着剤２４と、第１及び第２の封止部材２６，２８と、を設けた構成とされている。これにより、第１の封止部材２６と第２の封止部材２８との二重封止構造によって発光素子領域１７４に対する良好な封止性能を実現で、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した光書き込みヘッドが提供できる。
【００７９】
図１３は、上述の有機ＥＬ装置１７２を、電子写真方式プリンタの光書き込みヘッド（プリンタヘッド）に適用した場合の一例を示す図である。図１３において、有機ＥＬ装置１７２の光射出方向（図示上方）には光学系１９０が設けられており、光学系１９０の上方には感光ドラム（感光体）１９２が設けられている。有機ＥＬ装置１７２は、光学系１９０に対して光を射出し、光学系１９０に入射した光は光学系１９０により集光されて感光ドラム１９２に入射する。本例では、発光素子１４に対する良好な封止性能を実現することが可能であり、電子写真方式プリンタ全体の信頼性を向上することができる。
【００８０】
（電子機器）
次に、上記実施例の有機ＥＬ表示装置１００を備えた電子機器の例について説明する。
図１４は、本実施例に係る携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４に示す携帯電話２００は、上記実施例の有機ＥＬ表示装置１００を用いた表示部２０２と、表示部２０２を制御するための制御部２０４と、操作ボタン部２０６と、受話部２０８と、送話部２１０と、を備えて構成されている。図１４に示す電子機器は、上記実施例の有機ＥＬ表示装置１００を備えているので、第１の封止部材２６と第２の封止部材２８との二重封止構造によって有機ＥＬ素子に対する良好な封止性能が図られ、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した電子機器が提供できる。尚、本実施例に係る発光装置が適用される電子機器は携帯電話に限定されない。例えば、各種の電子機器における表示デバイスとして各実施例に係る発光装置を利用してもよい。このような電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の平面構成図及び断面構成図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の一部拡大した断面構成図。
【図３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための断面工程図。
【図４】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。
【図５】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。
【図６】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。
【図７】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の一部拡大した断面構成図。
【図８】本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成図。
【図９】本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の平面構成図。
【図１０】本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の１画素領域を示す平面構成図。
【図１１】本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の１画素領域の断面構成図。
【図１２】本実施例に係る光書き込みヘッド用有機ＥＬ装置の平面構成図。
【図１３】本実施例に係る光書き込みヘッドの概略構成図。
【図１４】本実施例に係る電子機器の一例を示す斜視構成図。
【図１５】従来の有機ＥＬ装置の一部拡大した断面構成図。
【符号の説明】
【００８２】
１０…有機ＥＬ装置（発光装置） １２…基板 １４…発光素子（積層体） １６…封止基板 １８…スイッチング素子（薄膜トランジスタ） ２０…配線 ２２…層間絶縁層 ２４…吸着剤 ２６…第１の封止部材 ２８…第２の封止部材 ３０…表示領域 ３２…額縁領域 ３４…多層配線領域 ３６…スイッチング素子領域 ３８…シール領域 ４０…陽極 ４２…正孔輸送層 ４４…発光層 ４６…陰極 ４８…間隙 ５０…粒状物 ５２…フィラー ５４…有機ＥＬ装置（発光装置） ５６…第１の粒状物 ５８…第２の粒状物 １００…有機ＥＬ表示装置 １０２…画素 １０４…走査線 １０６…信号線 １０８…共通給電線（電源線） １１０…データ側駆動回路 １１２…走査側駆動回路 １１６…駆動用ＴＦＴ １１８…画素電極 １２０…共通電極 １２２…発光部（有機機能層） １２２Ａ…正孔輸送層 １２２Ｂ…発光層 １３８…半導体層 １４０…中継電極 １４２…半導体層 １４４Ａ…ソース領域 １４４Ｂ…ドレイン領域 １４４Ｃ…チャネル領域 １４４Ｇ…ゲート電極 １４６…ソース電極 １４８…ドレイン電極 １５０…電極 １５２…有機ＥＬ素子 １５４…無機バンク（第１の隔壁層） １５６…有機バンク（第２の隔壁層） １５８…開口部 １６０…ゲート絶縁膜 １６２…第１の層間絶縁膜 １６４，１６６…コンタクトホール １６８…第２の層間絶縁膜 １７０…層間絶縁層 １７２…有機ＥＬ装置 １７４…発光素子領域 １７６…駆動素子 １７８…接続配線 １９０…光学系 １９２…感光ドラム（感光体） ２００…携帯電話 ２０２…表示部 ２０４…制御部 ２０６…操作ボタン部 ２０８…受話部 ２１０…送話部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）等の発光素子を備えた発光装置が、表示装置や電子写真方式の画像形成装置の露光装置等として広く利用されている。
【０００３】
かかる発光装置には長期間の発光に耐える耐久性が求められるが、有機ＥＬ素子の発光特性を劣化させる原因の一つとして、ダークスポットの発生が上げられる。ダークスポットは、有機ＥＬ素子の構成部品の表面に付着している水分や有機ＥＬ素子内に侵入した水分（湿気）や酸素等の雰囲気ガスが、透明電極と発光層（有機層）と背面電極とを順次積層して形成される積層体内に背面電極表面の欠陥等から侵入し、有機層と背面電極との間に乖離を生じさせることで発生する。
【０００４】
このような発光装置では、有機ＥＬ素子の信頼性向上や長寿命化を図るため、有機ＥＬ素子を構成する発光層や各電極を雰囲気ガスから確実に遮断することが重要とされている。この目的から、有機ＥＬ素子部を形成した基板（透明基板）と封止部材とを接着剤を介して一体化することにより、これらの間に封止した有機ＥＬ素子を雰囲気ガス等から保護する技術が知られている。水分の侵入をできるだけ抑え、発光素子の劣化を防ぐ（封止性能）には、接着剤の幅（シールエリア）が広い方が有利であり、封止性能は接着剤の幅に比例して高くなることが知られている。
【０００５】
例えば、特許文献１に開示されるような、ガラス材料からなる透光性の基板上に、陽極となるＩＴＯ等の透明電極と、有機化合物からなる少なくとも発光層を有する有機層と、陰極となるアルミニウム（Ａｌ）等の非透光性の背面電極とを順次積層して積層体を形成し、この積層体を覆うガラス材料からなる凹部形状の封止部材を基板上に接着剤を介して気密的に配設し、封止部材の積層体と対向する面に、化学的に水分を吸着すると共に吸着しても固体状態を維持する化合物により形成される吸湿剤を配設する発光装置が知られている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−８８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、図１５に示すように、近年、携帯電話の表示パネルに代表されるように、額縁領域３００（発光素子３０３の配設面の領域である表示領域３０２の外周の領域）ができるだけ狭いことが要求されている。しかし、狭額縁化するためには封止部材３０４を配設するシール領域３０６を狭くする必要があり、シール領域３０６を狭くすると封止性能を損なうことになり、狭額縁化と封止性能確保の両立が難しい。又、封止部材３０４には、封止基板３０８と基板３１０の間隙３１２を一定に保つため、ギャップ材（シリカ、プラスチック等）３１４が入っている。更に、防湿性を高めるため、或いは封止部材３０４の弾性率を制御することで作業性を高めるために、フィラー（シリカ等）３１６が入っている。これにより、封止基板３０８と基板３１０を張り合わせるとき圧力を加えるが、配線３２０が複数積層される多層配線領域３２２に封止部材３０４が被った場合には、ギャップ材３１４やフィラー３１６により配線３２０間で、リークやショートが発生する場合がある。又、スイッチング素子３２４が配設されるスイッチング素子領域３２６に封止部材３０４が被った場合には、スイッチング素子３２４が機能しなくなったり、特性が悪くなったりする場合がある。そのため、シール領域３０６は表示領域３０２、多層配線領域３２２、及びスイッチング素子領域３２６と重ねず、別々に配置する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］少なくとも発光層を含む発光素子と、前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子と、少なくとも前記発光素子と前記スイッチング素子とを接続する積層された配線と、前記発光素子と前記スイッチング素子と前記積層された配線とを配設する基板と、前記基板上に複数の封止部材を介し配設され、前記発光素子を覆う封止基板と、を含み、前記複数の封止部材は、第１及び第２の封止部材を含み、前記第１の封止部材は、前記発光素子の外周を取り囲み、前記発光素子、前記スイッチング素子、及び前記積層された配線が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設され、前記第２の封止部材は、前記第１の封止部材の外周を取り囲んでいることを特徴とする発光装置。
【００１０】
これによれば、第１の封止部材を発光素子、スイッチング素子、及び積層された配線が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設することができ、従来と比べると接着剤幅を同じにした場合には、額縁幅を小さくすることができるので、小型化が可能な発光装置が提供できる。又、従来と額縁幅を同じにした場合には、シール幅を大きくすることができるので、封止性能向上により素子の劣化防止が可能となり長寿命化した発光装置が提供できる。更に、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した発光装置が提供できる。
【００１１】
［適用例２］上記発光装置であって、前記第２の封止部材は、粒状物を含み、前記第１の封止部材は、粒状物を含まないことを特徴とする発光装置。
【００１２】
これによれば、第１の封止部材による発光素子、スイッチング素子、及び積層された配線の破損を効果的に防止することが容易になる。又、第２の封止部材により基板と封止基板とのギャップを効果的に設定することが容易になる。
【００１３】
［適用例３］上記発光装置であって、前記第１の封止部材は、第１の粒状物を含み、前記第２の封止部材は、第２の粒状物を含み、前記第１の粒状物の体積は、前記第２の粒状物の体積より小さいことを特徴とする発光装置。
【００１４】
これによれば、第１の封止部材による発光素子、スイッチング素子、及び積層された配線の破損を効果的に防止することが容易になる。又、第２の封止部材により基板と封止基板とのギャップを効果的に設定することが容易になる。
【００１５】
［適用例４］上記のいずれかに記載の発光装置と、前記発光装置を制御するための制御部と、を含むことを特徴とする電子機器。
【００１６】
これによれば、上記のいずれかに記載の発光装置を用いることにより、小型で長寿命化した電子機器が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本実施形態について図面を参照して以下に説明する。尚、説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１８】
（第１の実施形態）
（有機ＥＬ装置）
図１（Ａ）は、第１の実施形態に係る発光装置としての有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）１０の平面構成図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面構成図である。
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、基板１２と、基板１２上に設けられた発光素子１４と、発光素子１４を挟持して基板１２と対向する封止基板１６と、を主体としてなる。基板１２上には、発光素子１４の他に、発光素子１４を駆動するためのスイッチング素子（薄膜トランジスタ）１８と、少なくとも発光素子１４とスイッチング素子１８とを接続する積層された配線２０と、発光素子１４とスイッチング素子１８と積層された配線２０とを覆っている層間絶縁層２２と、が設けられている。基板１２と封止基板１６との間には、上記の他に、発光素子１４と対向して設けられた吸着剤２４と、発光素子１４を取り囲んで設けられた第１の封止部材２６と、第１の封止部材２６を取り囲んで設けられた第２の封止部材２８と、が設けられている。尚、図１（Ａ）では図面を見易くするために封止基板１６の図示を省略している。
【００１９】
本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、発光素子１４からの発光を基板１２側から装置外部に取り出す形態（ボトムエミッション型）、封止基板１６側から取り出す形態（トップエミッション型）のいずれも採用することができる。ボトムエミッション型とする場合には、基板１２は、光を透過可能な透明或いは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、或いはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトン等の透明な合成樹脂等を用いて形成される。トップエミッション型の場合には、層間絶縁層２２、吸着剤２４、及び封止基板１６について透明ないし透光性の材質が用いられる。
【００２０】
図２は、第１の実施形態に係る発光装置としての有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）１０の一部拡大した断面構成図である。図２に示すように、有機ＥＬ装置１０は、表示領域３０、額縁領域３２、多層配線領域３４、スイッチング素子領域３６、及びシール領域３８を有している。
【００２１】
表示領域３０は、基板１２上に配設された発光素子１４の配設面の領域である。額縁領域３２は、基板１２上の表示領域３０の外周の領域である。多層配線領域３４は、基板１２上に配設積層された配線２０の配設面の領域である。スイッチング素子領域３６は、基板１２上に配設されたスイッチング素子１８の配設面の領域である。シール領域３８は、基板１２上に配設された第１及び第２の封止部材２６，２８の配設面の領域である。
【００２２】
シール領域３８に配設される第１の封止部材２６は、発光素子１４の外周を取り囲むように配設されている。又、第１の封止部材２６は、発光素子１４、スイッチング素子１８、及び積層された配線２０が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設されている。言い換えると、シール領域３８は、表示領域３０、多層配線領域３４、及びスイッチング素子領域３６の少なくとも一部とオーバーラップするように配設されている。又、第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６の外周を取り囲むように配設されている。
【００２３】
図１に戻り、封止基板１６は、基板１２上に複数の封止部材を介し配設され、発光素子１４を覆っている。封止基板１６は、第１の封止部材２６と、第１の封止部材２６の外周を取り囲むように設けられた第２の封止部材２８と、を介して基板１２に接着され発光素子１４を封止している。封止基板１６としては、発光素子１４を良好に保護できる機能を有していればよく、例えばガラスや石英、合成樹脂、或いは金属等水分透過率の小さい材料を用いることができる。ガラスとしては、例えばソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等を用いることができる。合成樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトン等の透明な合成樹脂等を用いることができる。金属としては、アルミニウムやステンレス等を用いることができる。封止基板１６としてガラス基板を用い、発光素子１４を覆うことにより、発光素子１４への水分（湿気）や酸素等の浸入を良好に防止することができる。
【００２４】
発光素子１４は、基板１２上に電気光学的物質としての有機発光層を含む有機機能層を第１の電極と第２の電極としての２枚の電極膜により挟持した有機ＥＬ素子であり、例えば図３に示すように、陽極４０と、正孔輸送層４２と、発光層４４と、陰極４６と、を積層した構造を備えている。発光素子１４は、有機ＥＬ装置１０の用途に応じて種々の態様に構成され、例えば、照明用途であれば発光素子１４は平面形状に形成される。又、電子機器の表示手段としての用途であれば複数の発光素子１４が平面視略マトリクス状に配列される。更に、プリンタの露光手段としての用途であれば、複数の発光素子１４が一列又は複数列に配列された形態となる。
【００２５】
図１に戻り、層間絶縁層２２は、無機絶縁材料の薄膜であり、発光素子１４に対して水分等が浸入するのを抑制する機能を有する。層間絶縁層２２を形成するための形成材料としては、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、二酸化珪素（ＳｉＯ2）、窒化珪素（ＳｉＮ）等を挙げることができる。
【００２６】
吸着剤２４は、封止基板１６に設けられている。平面視略矩形状に形成された層間絶縁層２２と対向して平面視略矩形状に吸着剤２４が設けられている。尚、本実施形態では、吸着剤２４は平面視略矩形形状に形成しているが、例えば、発光素子１４や層間絶縁層２２等の形状に応じた枠に形成してもよいし、発光素子１４を囲んだ任意の枠に形成してもよい。本実施形態の場合、図１（Ｂ）に示すように、吸着剤２４はその対向する層間絶縁層２２と間隙４８が設けられ、更に当該吸着剤２４を挟持する基板１２及び封止基板１６の封止基板１６に当接して配置されている。すなわち、吸着剤２４は所定の平面形状と断面形状とを保持し得るものであることが好ましく、例えば、水分（湿気）や酸素等の吸着作用を奏する吸着材料（脱水材及び脱酸素剤）を、樹脂やワックス、油脂等のバインダ中に分散させたものを用いることで、吸着剤に良好な成形性を付与することができる。
【００２７】
上記吸着材料としては、バインダを構成する有機化合物と反応しにくいものが用いられ、例えば水素化カルシウム、水素化ストロンチウム、水素化バリウム、水素化アルミニウムリチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム等を挙げることができる。
【００２８】
バインダとしては、樹脂、ワックス、油脂等を用いることができ、具体例を挙げるならば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂等の樹脂材料、パラフィンワックス、マイクロリスタリンワックス等の石油系ワックス、植物系ワックス、動物系ワックス、鉱物系ワックス、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、脂肪族アミン等を挙げることができる。
【００２９】
尚、吸着剤２４についてバインダと吸着材料との混合材料を用いない場合には、基板１２と封止基板１６との間の間隙４８を含む封止空間において所望の吸着機能を有していれば、吸着材料に上記のような限定は無く種々のものを用いることが可能である。例えば、シリカゲル、ゼオライト、活性炭、酸化カルシウム、酸化ゲルマニウム、五酸化リン、塩化カルシウム等を単独又は複数で用いることができる。又、このような間隙４８が設けられていれば、第１の封止部材２６を通過して水分（湿気）や酸素等が間隙４８に侵入した場合にも、間隙４８に水分（湿気）や酸素等が拡散し、吸着剤２４への負荷をその周面で均一化することができる。従って係る構成によれば、良好な吸着効果を長期間に渡り得ることができ、有機ＥＬ装置の信頼性、耐久性を向上させることができる。
【００３０】
第１の封止部材２６は、封止基板１６に設けられている。第１の封止部材２６は、発光素子１４の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成され、基板１２と封止基板１６との間に挟持されている。本実施形態の場合、第１の封止部材２６は、基板１２と封止基板１６とを接着する接着剤としても機能する。第１の封止部材２６を形成するための材料としては、安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好なものであれば特に限定されず用いることができる。例えば、紫外光（ＵＶ）の照射により硬化する光硬化性エポキシ樹脂が用いられ、エポキシ、ビニルエーテル等のカチオン系材料の他にも、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート等のアクリレート、ウレタンポリエステル等のラジカル系材料を用いることができる。
【００３１】
第１の封止部材２６は、弾性率の小さい材料を用いて形成することが好ましく、後述する第２の封止部材２８より弾性率の小さい材料を用いて形成することが好ましい。第２の封止部材２８より小さい弾性率としておくことで、封止基板１６が第２の封止部材２８により支持される構造とすることができるので、形成が容易になる。
【００３２】
又、第１の封止部材２６は、その内部に基板１２と封止基板１６とを所定間隔に離間する粒状物（スペーサ等のギャップ材）５０が混入されていない構成である。このような構成とすることで、封止基板１６を被着する際の押圧力により発光素子１４、スイッチング素子１８及び積層された配線２０が破損するのを防止することができる。尚、第１の封止部材２６は、その内部に防湿性を高めるため、或いは第１の封止部材２６の弾性率を制御することで作業性を高めるために、フィラー（シリカ等）５２が混入された構成としてもよい。
【００３３】
第２の封止部材２８は、封止基板１６に設けられている。第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成され、基板１２と封止基板１６との間に挟持されている。本実施形態の場合、第２の封止部材２８は、基板１２と封止基板１６とを接着する接着剤としても機能する。第２の封止部材２８の形成材料としては、第１の封止部材２６と同様に安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好なものであれば特に限定されないが、例えば熱硬化性樹脂材料を用いることができる。第２の封止部材２８を形成する材料としては、紫外光（ＵＶ）の照射により硬化する光硬化性エポキシ樹脂等を用いることもできる。
【００３４】
第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６に比して水分（湿気）や酸素等の透過率の低い材料を用いて形成することが好ましい。このように装置の最外周部で水分（湿気）や酸素等の透過率の低い材料で遮断する構成とすることで、内側に配された吸着剤２４への水分（湿気）や酸素等の到達量を低減することができ、発光素子１４に達する水分量を低減すると共に、水分（湿気）や酸素等が発光素子１４に達するまでの時間を延ばすことができ、発光素子１４の長寿命化を実現することができる。
【００３５】
又、第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６と異なりその内部に基板１２と封止基板１６とを所定間隔に離間する粒状物５０が混入された構成である。このような構成とすることで、封止基板１６を被着する際の押圧力により発光素子１４が破損するのを防止することができる。尚、第２の封止部材２８は、第１の封止部材２６と同様にその内部にフィラー５２が混入された構成としてもよい。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、第１及び第２の封止部材２６，２８の二重封止構造によって、発光素子１４に対する良好な封止性能を実現することができる。これにより、第１の封止部材２６を発光素子１４、スイッチング素子１８、及び積層された配線２０が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設することができ、従来と比べると接着剤幅を同じにした場合には、額縁幅を小さくすることができるので、小型化が可能な有機ＥＬ装置が提供できる。又、従来と額縁幅を同じにした場合には、シール幅を大きくすることができるので、封止性能向上により素子の劣化防止が可能となり長寿命化した有機ＥＬ装置が提供できる。更に、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した有機ＥＬ装置が提供できる。
【００３７】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上述した構成を有する有機ＥＬ装置１０を製造する方法について、図３〜図６に示す模式図を参照しながら説明する。図４〜図６において、（Ａ）図は各工程における平面工程図、（Ｂ）図は（Ａ）図の各断面線に沿う位置に対応する断面工程図である。尚、図６（Ａ）では図面を見易くするために封止基板１６の図示を省略している。
【００３８】
先ず、図３に示すように、基板１２上に発光素子１４を形成する。図３には示していないが、発光素子１４が形成される基板１２上には、既に発光素子１４を駆動制御するスイッチング素子１８（図４（Ｂ）参照）等が形成されているものとする。
発光素子１４は、基板１２上の所定領域に、陽極４０と、正孔輸送層４２と、発光層４４と、陰極４６と、を順次積層することで形成できる。このような積層構造を具備した発光素子１４は、スイッチング素子１８から駆動信号を供給されると、陽極４０と陰極４６との間に電流が流れて発光層４４が発光し、ボトムエミッション型の場合には、透明な基板１２の外面側に光が射出される。
【００３９】
図３に示す積層構造において、陽極４０は図示しないスイッチング素子１８に接続され、スイッチング素子１８から印加された電圧によって正孔を正孔輸送層４２に注入するものであり、その形成材料には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等の透明導電材料、或いはアルミニウムや銀等の金属材料を用いることができる。
【００４０】
正孔輸送層４２は、陽極４０の正孔を発光層４４に輸送・注入するためのものであり、公知の材料を用いることができる。例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等を用いることができる。更に具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。
【００４１】
発光層４４は、正孔輸送層４２から注入される正孔と、陰極４６から注入される電子との再結合により発光する層である。発光層４４を形成する材料としては、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。例えば、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等を用いることができる。
【００４２】
又、発光層４４と陰極４６との間に電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層を設けることで陰極４６から発光層４４への電子の注入効率を向上させることができる。電子輸送層の形成材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体等を用いることができる。
【００４３】
陰極４６は、発光層４４へ効率的に電子注入を行うことができる仕事関数の低い金属、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、又はカルシウム（Ｃａ）等の金属材料から形成され、かかる金属膜にＩＴＯ等の透明導電膜を積層した構造であってもよい。
【００４４】
発光素子１４を構成する上記各層を設けるに際しては、例えば、フォトリソグラフィ法や液滴吐出法等、公知のパターニング手法を用いることができ、これにより基板１２上の所定領域に各層を積層してなる構造の発光素子１４を設けることができる。
金属材料や透明導電材料からなる陽極４０、陰極４６の形成には、スパッタ法や真空蒸着法と、フォトリソグラフィ法と、を好適に用いることができ、又、高分子材料からなる正孔輸送層４２及び発光層４４の形成には、液滴吐出法を好適に用いることができる。
【００４５】
液滴吐出法とは、形成しようとする機能層の形成材料を液状体にし、その液状体をディスペンサやインクジェット装置等の液滴吐出装置を用いて定量的に吐出することによって、所望領域に前記形成材料を塗布する方法である。具体的には、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）に設けられたノズルと基板１２とを対向させた状態でノズルと基板１２とを相対移動させつつ、ノズルから１滴あたりの液量が制御された液状体の液滴を吐出することによって、基板１２上に液状体による所望形状の膜パターンを形成する技術である。
【００４６】
正孔輸送層４２や発光層４４を液滴吐出法を用いて成膜することにより、製造コストを低減することができる。すなわち、液滴吐出法では、基板１２上の所望の局所領域に材料を配置することが可能であるから、フォトリソグラフィ法等に比べて膜形成のプロセスが簡素であると共に使用材料に無駄が少ない。
【００４７】
発光素子１４を基板１２上に形成したならば、次に、図４に示すように、所定の手法によって、発光素子１４、スイッチング素子１８及び積層された配線２０に層間絶縁層２２を被覆する。本実施形態においては、層間絶縁層２２は、イオンプレーティング法、或いはスパッタ法等の成膜法を用いて発光素子１４の表面に被覆される。これにより、発光素子１４を覆うように、発光素子１４の表面に層間絶縁層２２が接続される。発光素子１４の表面に所定の厚さを有する層間絶縁層２２が被覆されることにより、有機ＥＬ装置１０の製造工程中においても、発光素子１４と水分等との接触を防止でき、発光素子１４は良好に封止される。
【００４８】
次に、図５に示すように、発光素子１４が配設された側の基板面周縁に沿って平面視矩形枠状の第１及び第２の封止部材２６，２８を形成する。例えば、ディスペンサやインクジェット装置を用いて、エポキシ樹脂等の樹脂材料を図示の平面形状に塗布する。このとき、第２の封止部材２８の前記樹脂材料には、基板１２と封止基板１６との間隔を調整するためのスペーサ（粒状物５０）を混入されたものを用いる。スペーサとしてはガラスビーズ、樹脂ビーズ等を用いることができる。又、第１の封止部材２６の前記樹脂材料には、基板１２と封止基板１６との間隔を調整するためのスペーサ（粒状物５０）を混入されたものを用いない。尚、各製造工程は、発光素子１４の劣化を防ぐために窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【００４９】
基板１２上に配置した前記樹脂材料は、後段の工程で封止基板１６を配置したとき、封止基板１６に密着して封止性を得られるものであることが好ましい。そのため、以降の工程では封止基板１６に対し接着可能な状態に保持されるが、基板１２上に配置した後、接着性を損なわない程度の硬化（仮硬化）を行ってもよい。仮硬化を行うことで第１及び第２の封止部材２６，２８を構成する樹脂材料の粘度を高め、基板１２上にて形状を良好に保持することができるので、第１及び第２の封止部材２６，２８の形状不良による歩留まり低下を防止でき、又後続の工程における基板のハンドリング性も向上させることができる。
【００５０】
次に、図６に示すように、第１の封止部材２６の内側の封止基板１６上に、層間絶縁層２２と対向する平面視略矩形状に乾燥剤形成材料を配置して、吸着剤２４を形成する。乾燥剤形成材料としては、先の記載のように、吸着材料とバインダとを混合してなるものを用いることが好ましい。このような乾燥剤形成材料を、ディスペンサやインクジェット装置を用いて塗布することで、図６に示すような平面形状の吸着剤２４を容易に形成することができる。
【００５１】
上記乾燥剤形成材料は、封止基板１６上に配置する際の粘度を２０Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。このような比較的高粘度の材料を配置することで、封止基板１６上に配置した後の乾燥剤形成材料の形状を良好に保持することができる。又、乾燥剤形成材料は、後段の工程で吸着剤２４に囲まれる領域に配置される、第１の封止部材２６を形成するための樹脂材料より大きい粘度を有するものであることが好ましい。
【００５２】
又、乾燥剤形成材料を封止基板１６上に塗布した後、先の第１及び第２の封止部材２６，２８を形成する工程と同様に乾燥剤形成材料の仮硬化を行ってもよい。仮硬化を行うことで、乾燥剤形成材料が経時的に封止基板１６上で過度に濡れ広がることを防止することができ、有機ＥＬ装置の歩留まり向上、基板のハンドリング性の向上に寄与する。
【００５３】
本実施形態において、吸着剤２４は、層間絶縁層２２との間に間隙４８（図１（Ｂ）参照）を有する位置に配置されるようになっている。このような間隙４８を形成しておくことで、封止基板１６を基板１２上に被着した際の緩衝領域として間隙４８を利用することができ、又封止基板１６の被着後にも間隙４８が保持されるようにしておけば、第１の封止部材２６を通過して装置内部に侵入した水分や酸素等を保持する領域としても機能させることができ、層間絶縁層２２より内側への水分等の侵入を緩和することができる。
【００５４】
そして、封止基板１６上に吸着剤２４が形成された後、基板１２上に封止基板１６が被着される（図１参照）。本実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造工程では、この封止基板１６を配置する工程は、封止基板１６と第１の封止部材２６との間に気泡等が混入するのを防止するため、減圧環境下で実施され、封止基板１６を被着した後に大気圧下に戻すことで、大気圧により封止基板１６を発光素子１４側へ押しつけるようになっている。その後、第１の封止部材２６を形成するための樹脂材料として熱硬化性樹脂材料が用いられている場合には、所定の熱が基板１２上の樹脂材料に付与される。
以上の工程により、樹脂材料を硬化させて第１及び第２の封止部材２６，２８を形成し、第１及び第２の封止部材２６，２８を介して封止基板１６が接着された有機ＥＬ装置１０を製造することができる。
【００５５】
本実施形態では、上記樹脂材料を基板１２上に配置した際、基板１２上に既設の吸着剤２４が、基板１２上で樹脂材料が広がる領域を規定するようになっており、樹脂材料が必要以上に広がることで第１の封止部材２６の層厚が設計値よりも薄くなってしまうのを防止することができ、又封止基板１６と第１の封止部材２６との間に空隙が生じるのを防止することができる。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態の製造方法によれば、発光素子１４上に層間絶縁層２２を設けた後に樹脂材料や乾燥剤形成材料の配置を行うようになっているので、封止工程中に樹脂材料や乾燥剤形成材料に含まれる溶剤等が発光素子１４と接触して発光素子１４を劣化させるのを防止でき、高歩留まりで有機ＥＬ装置１０を製造することができる。
【００５７】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１及び第２の封止部材に混入するそれぞれの粒状物の大きさが上記の実施形態と異なり、その他の点は上記の実施形態と同様である。
【００５８】
図７は、本実施形態に係る発光装置としての有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）５４の一部拡大した断面構成図である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置５４は、図７に示すように、第１の封止部材２６は、その内部に基板１２と封止基板１６とを所定間隔に離間する第１の粒状物（スペーサ等のギャップ材）５６が混入された構成である。第２の封止部材２８は、その内部に基板１２と封止基板１６とを所定間隔に離間する第２の粒状物（スペーサ等のギャップ材）５８が混入された構成である。第１の粒状物５６の体積は、第２の粒状物５８の体積より小さいものが配設されている。このような構成とすることで、封止基板１６を被着する際の押圧力によりスイッチング素子１８、及び積層された配線２０が破損するのを防止することができる。
【００５９】
（実施例）
（有機ＥＬ表示装置）
次に、図８〜図１１を参照して、有機ＥＬ装置の一実施例である有機ＥＬ表示装置１００について説明する。
図８は、本実施例に係る有機ＥＬ表示装置１００の回路構成図であり、図９は、同表示装置の平面構成図である。図１０は、同表示装置の画素１０２の平面構造を示す図であって、（Ａ）図は画素１０２のうち主にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の画素駆動部分を示す図であり、（Ｂ）図は画素間を区画するバンク（隔壁部材）等を示す図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面構成図である。
【００６０】
図８に示す回路構成において、有機ＥＬ表示装置１００は、複数の走査線１０４と、これら走査線１０４に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０６と、これら信号線１０６に並列に延びる複数の共通給電線１０８と、がそれぞれ配線されたもので、走査線１０４及び信号線１０６の各交点に、画素１０２が設けられて構成されたものである。
【００６１】
信号線１０６に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１１０が設けられている。一方、走査線１０４に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路１１２が設けられている。画素１０２の各々には、走査線１０４を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング素子（薄膜トランジスタ）１８と、このスイッチング素子１８を介して信号線１０６から供給される画像信号を保持する保持容量ＣＡＰと、保持容量ＣＡＰによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１６と、この駆動用ＴＦＴ１１６を介して共通給電線１０８に電気的に接続したときに共通給電線１０８から駆動電流が流れ込む画素電極１１８と、この画素電極１１８と共通電極１２０との間に挟み込まれる発光部１２２と、が設けられている。画素電極１１８と、共通電極１２０と、発光部１２２と、によって構成される素子が有機ＥＬ素子（発光素子）である。
【００６２】
このような構成のもとに、走査線１０４が駆動されてスイッチング素子１８がオンとなると、そのときの信号線１０６の電位が保持容量ＣＡＰに保持され、保持容量ＣＡＰの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１１６のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１６のチャネルを介して共通給電線１０８から画素電極１１８に電流が流れ、更に発光部１２２を通じて共通電極１２０に電流が流れることにより、発光部１２２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００６３】
次に、図９の平面構成に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、矩形状の基板１２の略中央部に、複数の画素１０２が平面視マトリクス状に配列された表示領域３０を備えており、表示領域３０を覆って吸着剤２４が形成されている。表示領域３０及び吸着剤２４を取り囲んで平面視矩形枠状の第１の封止部材２６が設けられており、第１の封止部材２６を取り囲んで平面視矩形枠状の第２の封止部材２８が設けられている。そして、封止基板１６が、表示領域３０、吸着剤２４、第１の封止部材２６、及び第２の封止部材２８を平面的に覆うように配置されている。
【００６４】
すなわち、有機ＥＬ表示装置１００は、先の実施形態の有機ＥＬ装置１０と同様の基本構成を具備した表示装置であり、有機ＥＬ装置１０の発光素子１４に対応する有機ＥＬ素子を有する画素１０２を配列してなる表示領域３０を、第１の封止部材２６と第２の封止部材２８とによって二重に封止する構成を具備したものとなっている。
【００６５】
又、吸着剤２４と表示領域３０との間には、間隙４８（図１（Ｂ）参照）が設けられており、先の実施形態と同様、第１の封止部材２６を通過して内部に侵入した水分等を拡散させ、吸着剤２４への負荷をその周面で均一化し、吸着剤２４の局所的な劣化を抑え、信頼性を向上させることができるようになっている。
【００６６】
次に、図１０（Ａ）に示す画素１０２の平面構造をみると、画素１０２は、平面視略矩形状の画素電極１１８の四辺が、信号線１０６、共通給電線１０８、走査線１０４、及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。画素電極１１８の近傍にはスイッチング素子１８と、駆動用ＴＦＴ１１６とが設けられている。
【００６７】
スイッチング素子１８は、矩形の島状の半導体層１３８を主体としてなるトップゲート型の薄膜トランジスタであり、半導体層１３８と交差する走査線１０４が、当該交差部分でスイッチング素子１８のゲート電極となっている。又、半導体層１３８には、図示上下方向に延在する信号線１０６から走査線１０４に沿う方向に延びた分岐配線１０６ＡがコンタクトホールＣ１を介して電気的に接続されている。更に、半導体層１３８には、画素電極１１８の図示右側に配された平面視矩形状の中継電極１４０が、コンタクトホールＣ２を介して電気的に接続されている。
【００６８】
駆動用ＴＦＴ１１６は、矩形の島状の半導体層１４２を主体としてなるトップゲート型の薄膜トランジスタであり、ゲート電極１４４Ｇと、ソース電極１４６（電源線１０８の一部）と、ドレイン電極１４８と、を備えている。ドレイン電極１４８は、図示しないコンタクトホール（図１１参照）を介して画素電極１１８と電気的に接続されている。ゲート電極１４４Ｇは、半導体層１４２と重なる位置から図示下側へ延びて保持容量ＣＡＰの電極１５０と一体に形成されている。更に、電極１５０は、図示下側へ延びており、それと平面的に重なって配置された中継電極１４０とコンタクトホールＣ３を介して電気的に接続されている。従って、中継電極１４０を介して駆動用ＴＦＴ１１６のゲートと、スイッチング素子１８のドレインと、が電気的に接続されている。
【００６９】
又、図１１に示す画素１０２の断面構造をみると、基板１２上に、駆動用ＴＦＴ１１６が設けられており、駆動用ＴＦＴ１１６を覆って形成された複数の絶縁膜を介した基板１２上に、有機ＥＬ素子１５２が形成されている。有機ＥＬ素子１５２は、基板１２上に立設されたバンク（無機バンク１５４及び有機バンク１５６）に囲まれる領域内に設けられた有機機能層（発光部）１２２を主体として構成され、この有機機能層１２２を、画素電極１１８と共通電極１２０との間に挟持した構成を備えている。ここで、図１０（Ｂ）に示す平面構造をみると、有機バンク１５６は、画素電極１１８の形成領域に対応した平面視略矩形状の開口部１５８を有しており、この開口部１５８に先の有機機能層１２２が形成されるようになっている。
【００７０】
図１１に示すように、駆動用ＴＦＴ１１６は、半導体層１４２に形成されたソース領域１４４Ａ、ドレイン領域１４４Ｂ、及びチャネル領域１４４Ｃと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜１６０を介してチャネル領域１４４Ｃに対向するゲート電極１４４Ｇと、を主体として構成されている。半導体層１４２及びゲート絶縁膜１６０を覆う第１の層間絶縁膜１６２が形成されており、この第１の層間絶縁膜１６２を貫通して半導体層１４２に達するコンタクトホール１６４，１６６内に、それぞれドレイン電極１４８、ソース電極１４６が埋設され、各々の電極はドレイン領域１４４Ｂ及びソース領域１４４Ａに導電接続されている。第１の層間絶縁膜１６２上には、第２の層間絶縁膜１６８が形成されており、この第２の層間絶縁膜１６８に貫設されたコンタクトホールに画素電極１１８の一部が埋設されている。そして画素電極１１８とドレイン電極１４８とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ１１６と画素電極１１８（有機ＥＬ素子１５２）とが電気的に接続されている。
【００７１】
第２の層間絶縁膜１６８上には、無機絶縁材料からなる無機バンク（第１の隔壁層）１５４が形成されており、無機バンク１５４は、画素電極１１８の周縁部に一部乗り上げるように配置されている。無機バンク１５４上には、有機材料からなる有機バンク（第２の隔壁層）１５６が積層され、この有機ＥＬ装置における隔壁部材を成している。
【００７２】
有機ＥＬ素子１５２は、画素電極１１８上に、正孔輸送層１２２Ａと発光層１２２Ｂとを積層し、この発光層１２２Ｂと有機バンク１５６とを覆う共通電極１２０を形成することにより構成されている。すなわち、本実施例に係る有機ＥＬ素子１５２が、先の実施形態に係る発光素子１４に対応するものであり、画素電極１１８、正孔輸送層１２２Ａ、発光層１２２Ｂ、及び共通電極１２０は、それぞれ発光素子１４の陽極４０、正孔輸送層４２、発光層４４、及び陰極４６に相当する構成要素である。
正孔輸送層１２２Ａは、画素電極１１８の表面を覆って形成されており、その周縁部は、有機バンク１５６の下端側から画素電極１１８中央側に延出された無機バンク１５４の端縁部を覆っている。
【００７３】
共通電極１２０上には、先の実施形態の層間絶縁層２２に対応する層間絶縁層１７０が形成され、かかる層間絶縁層１７０を覆って吸着剤２４が形成されている。
【００７４】
以上の構成を具備した有機ＥＬ表示装置１００は、先の実施形態に係る有機ＥＬ装置１０と同様に、吸着剤２４と、第１及び第２の封止部材２６，２８と、を設けた構成とされている。これにより、第１の封止部材２６と第２の封止部材２８との二重封止構造によって有機ＥＬ素子１５２に対する良好な封止性能を実現で、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した有機ＥＬ表示装置が提供できる。
【００７５】
（光書き込みヘッド）
次に、他の実施例として、有機ＥＬ装置を用いた光書き込みヘッドについて図１２及び図１３を参照して説明する。
図１２は、本実施例に係る光書き込みヘッド用途に好適な構成を具備した有機ＥＬ装置の平面構成図である。
【００７６】
図１２に示すように、有機ＥＬ装置１７２を構成する基板１２上には、図示しない有機ＥＬ素子が配列形成された発光素子領域１７４が基板１２の長さ方向に沿って長手に設けられており、発光素子領域１７４に沿って複数の駆動素子１７６が配列されている。詳細は省略しているが、発光素子領域１７４に設けられた各有機ＥＬ素子は、各駆動素子１７６から延びる接続配線１７８と電気的に接続され、駆動素子１７６から供給される電気信号により駆動されるようになっている。
【００７７】
本実施例の有機ＥＬ装置１７２も、先の実施形態の有機ＥＬ装置１０と同様の封止構造を具備したものとなっている。すなわち、発光素子領域１７４に設けられた有機ＥＬ素子の表面には図示しない保護層が形成され、発光素子領域１７４を覆って吸着剤２４が形成されており、吸着剤２４を取り囲む第１の封止部材２６と、第１の封止部材２６を取り囲む第２の封止部材２８と、が形成されている。そして、吸着剤２４、第１の封止部材２６、及び第２の封止部材２８を覆うようにして封止基板１６が被着されている。
【００７８】
上記構成を具備した有機ＥＬ装置１７２は、先の実施形態に係る有機ＥＬ装置１０と同様に、吸着剤２４と、第１及び第２の封止部材２６，２８と、を設けた構成とされている。これにより、第１の封止部材２６と第２の封止部材２８との二重封止構造によって発光素子領域１７４に対する良好な封止性能を実現で、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した光書き込みヘッドが提供できる。
【００７９】
図１３は、上述の有機ＥＬ装置１７２を、電子写真方式プリンタの光書き込みヘッド（プリンタヘッド）に適用した場合の一例を示す図である。図１３において、有機ＥＬ装置１７２の光射出方向（図示上方）には光学系１９０が設けられており、光学系１９０の上方には感光ドラム（感光体）１９２が設けられている。有機ＥＬ装置１７２は、光学系１９０に対して光を射出し、光学系１９０に入射した光は光学系１９０により集光されて感光ドラム１９２に入射する。本例では、発光素子１４に対する良好な封止性能を実現することが可能であり、電子写真方式プリンタ全体の信頼性を向上することができる。
【００８０】
（電子機器）
次に、上記実施例の有機ＥＬ表示装置１００を備えた電子機器の例について説明する。
図１４は、本実施例に係る携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４に示す携帯電話２００は、上記実施例の有機ＥＬ表示装置１００を用いた表示部２０２と、表示部２０２を制御するための制御部２０４と、操作ボタン部２０６と、受話部２０８と、送話部２１０と、を備えて構成されている。図１４に示す電子機器は、上記実施例の有機ＥＬ表示装置１００を備えているので、第１の封止部材２６と第２の封止部材２８との二重封止構造によって有機ＥＬ素子に対する良好な封止性能が図られ、狭額縁でも高い封止性能を得られ、小型で長寿命化した電子機器が提供できる。尚、本実施例に係る発光装置が適用される電子機器は携帯電話に限定されない。例えば、各種の電子機器における表示デバイスとして各実施例に係る発光装置を利用してもよい。このような電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の平面構成図及び断面構成図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の一部拡大した断面構成図。
【図３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための断面工程図。
【図４】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。
【図５】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。
【図６】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。
【図７】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の一部拡大した断面構成図。
【図８】本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成図。
【図９】本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の平面構成図。
【図１０】本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の１画素領域を示す平面構成図。
【図１１】本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の１画素領域の断面構成図。
【図１２】本実施例に係る光書き込みヘッド用有機ＥＬ装置の平面構成図。
【図１３】本実施例に係る光書き込みヘッドの概略構成図。
【図１４】本実施例に係る電子機器の一例を示す斜視構成図。
【図１５】従来の有機ＥＬ装置の一部拡大した断面構成図。
【符号の説明】
【００８２】
１０…有機ＥＬ装置（発光装置） １２…基板 １４…発光素子（積層体） １６…封止基板 １８…スイッチング素子（薄膜トランジスタ） ２０…配線 ２２…層間絶縁層 ２４…吸着剤 ２６…第１の封止部材 ２８…第２の封止部材 ３０…表示領域 ３２…額縁領域 ３４…多層配線領域 ３６…スイッチング素子領域 ３８…シール領域 ４０…陽極 ４２…正孔輸送層 ４４…発光層 ４６…陰極 ４８…間隙 ５０…粒状物 ５２…フィラー ５４…有機ＥＬ装置（発光装置） ５６…第１の粒状物 ５８…第２の粒状物 １００…有機ＥＬ表示装置 １０２…画素 １０４…走査線 １０６…信号線 １０８…共通給電線（電源線） １１０…データ側駆動回路 １１２…走査側駆動回路 １１６…駆動用ＴＦＴ １１８…画素電極 １２０…共通電極 １２２…発光部（有機機能層） １２２Ａ…正孔輸送層 １２２Ｂ…発光層 １３８…半導体層 １４０…中継電極 １４２…半導体層 １４４Ａ…ソース領域 １４４Ｂ…ドレイン領域 １４４Ｃ…チャネル領域 １４４Ｇ…ゲート電極 １４６…ソース電極 １４８…ドレイン電極 １５０…電極 １５２…有機ＥＬ素子 １５４…無機バンク（第１の隔壁層） １５６…有機バンク（第２の隔壁層） １５８…開口部 １６０…ゲート絶縁膜 １６２…第１の層間絶縁膜 １６４，１６６…コンタクトホール １６８…第２の層間絶縁膜 １７０…層間絶縁層 １７２…有機ＥＬ装置 １７４…発光素子領域 １７６…駆動素子 １７８…接続配線 １９０…光学系 １９２…感光ドラム（感光体） ２００…携帯電話 ２０２…表示部 ２０４…制御部 ２０６…操作ボタン部 ２０８…受話部 ２１０…送話部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも発光層を含む発光素子と、
前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子と、
少なくとも前記発光素子と前記スイッチング素子とを接続する積層された配線と、
前記発光素子と前記スイッチング素子と前記積層された配線とを配設する基板と、
前記基板上に複数の封止部材を介し配設され、前記発光素子を覆う封止基板と、
を含み、
前記複数の封止部材は、第１及び第２の封止部材を含み、
前記第１の封止部材は、前記発光素子の外周を取り囲み、前記発光素子、前記スイッチング素子、及び前記積層された配線が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設され、
前記第２の封止部材は、前記第１の封止部材の外周を取り囲んでいることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第２の封止部材は、粒状物を含み、
前記第１の封止部材は、粒状物を含まないことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１の封止部材は、第１の粒状物を含み、
前記第２の封止部材は、第２の粒状物を含み、
前記第１の粒状物の体積は、前記第２の粒状物の体積より小さいことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置を制御するための制御部と、
を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
少なくとも発光層を含む発光素子と、
前記発光素子を駆動するためのスイッチング素子と、
少なくとも前記発光素子と前記スイッチング素子とを接続する積層された配線と、
前記発光素子と前記スイッチング素子と前記積層された配線とを配設する基板と、
前記基板上に複数の封止部材を介し配設され、前記発光素子を覆う封止基板と、
を含み、
前記複数の封止部材は、第１及び第２の封止部材を含み、
前記第１の封止部材は、前記発光素子の外周を取り囲み、前記発光素子、前記スイッチング素子、及び前記積層された配線が配設される各配設面の少なくとも一部の配設面とオーバーラップするように配設され、
前記第２の封止部材は、前記第１の封止部材の外周を取り囲んでいることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第２の封止部材は、粒状物を含み、
前記第１の封止部材は、粒状物を含まないことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１の封止部材は、第１の粒状物を含み、
前記第２の封止部材は、第２の粒状物を含み、
前記第１の粒状物の体積は、前記第２の粒状物の体積より小さいことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置を制御するための制御部と、
を含むことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００９−１２３６４０（Ｐ２００９−１２３６４０Ａ）
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２９８９２３（Ｐ２００７−２９８９２３）
【出願日】平成１９年１１月１９日（２００７．１１．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月１９日（２００７．１１．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]