磁気記録媒体、その初期化方法及びその製造方法
【課題】 トラック間の磁気的干渉低減効果を高めることが可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 非磁性材料からなる基板の上に磁気記録層が形成されている。磁気記録層に、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されている。トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化され易い磁気異方性を示し、ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化され易い磁気異方性を示す。
【解決手段】 非磁性材料からなる基板の上に磁気記録層が形成されている。磁気記録層に、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されている。トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化され易い磁気異方性を示し、ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化され易い磁気異方性を示す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体、その初期化方法及びその製造方法に関し、特に相互に隣り合うトラック同士の磁気的干渉を軽減するためのガードバンドが設けられた磁気記録媒体、その初期化方法及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８（Ａ）に、下記の特許文献１に開示された磁気記録媒体の一部破断斜視図を示す。ガラス基板１００の表面に、トラック領域１０１とガードバンド領域１０２とが画定されている。ガードバンド領域１０２は、相互に隣り合う２つのトラック領域１０１の間に配置される。ガードバンド領域１０２は、ＣｕまたはＣｒ薄膜１０３の上に形成される。トラック領域１０１には、ガラス基板１００上にＣｏＣｒ合金等の垂直磁気記録膜１０４が形成される。
【０００３】
トラック領域１０１に情報を書き込み易くするために、トラック領域１０１の下層には高透磁率薄膜が形成されている。また、トラック領域１０１に記憶された情報を読み出すときに、ガードバンド領域１０２から漏れた磁束による信号出力が十分小さくなるため、良好なオフトラック特性を得ることができる。
【０００４】
図８（Ｂ）に、下記の特許文献２に開示された磁気記録媒体の一部破断斜視図を示す。基板１１０の表面に複数の溝１１１が形成され、相互に隣り合う２つの溝１１１の間の凸部が、データを記録するためのトラック領域１１２になる。読出ヘッド１１３が、トラック領域１１２に記録されたデータを読み出す。トラック同士が溝１１１で分離されているため、トラック間の磁場の干渉を軽減することができる。また、溝１１１にも磁気記録膜を設け、この磁気記録膜にサーボ情報を記録する。
【０００５】
図８（Ｃ）に、下記の特許文献３に開示された磁気記録媒体の断面図を示す。非磁性基板１２０の上に、軟磁性裏打層１２１が形成されている。軟磁性裏打層１２１の表面に複数の溝１２２が形成されている。溝１２２内に、非磁性材料１２３が充填されている。軟磁性裏打層１２１及び非磁性材料１２３の上に、垂直磁気記録膜１２４が形成されている。相互に隣り合う２つの溝１２２の間の領域が、データトラック１２５になる。相互に隣り合う２つのデータトラック１２５の間に配置された非磁性材料１２３が、相互に隣接するデータトラック１２５を磁気的に分離する。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６１−２３７２３１号公報
【特許文献２】特開平３−１４２７０７号公報
【特許文献１】特開２００３−１６６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２に開示された磁気記録媒体のように、表面に凹凸を付すると、凹凸によりヘッド浮上が不安定になるため、ヘッドクラッシュの危険性が高まる。特許文献３に記載された磁気記録媒体では、表面に凹凸は形成されないためヘッド浮上が安定する。ところが、非磁性材料１２３上の領域も垂直磁気記録膜１２４であり、データトラックと同一材料であるため、トラック幅よりも広い領域に情報の記録が行われてしまう。さらに、非磁性材料１２３上の領域とデータトラックとが同一材料であることから、最初に情報を記録するときに、ヘッドからデータトラックの位置を検出しにくい。このため、トラックの判別が困難になり、ヘッドの位置決が難しくなる。
【０００８】
また、特許文献１に開示された磁気記録媒体では、トラックピッチが狭くなったときに、トラック間の磁気的な干渉を防止する機能が不十分である。
本発明の目的は、トラック間の磁気的干渉低減効果を高めることが可能な磁気記録媒体を提供することである。本発明の他の目的は、この磁気記録媒体の初期化方法、及び製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によると、非磁性材料からなる基板と、前記基板の上に形成された磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化され易い磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化され易い磁気異方性を示す磁気記録層とを有する磁気記録媒体が提供される。
【００１０】
本発明の他の観点によると、非磁性材料からなる基板と、前記基板の上に配置され、結晶構造が六方最密構造の磁性材料を含む磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内においては、該磁気記録層内の磁性材料のｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向し、該ガードバンド領域内においては、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向している磁気記録層とを有する磁気記録媒体が提供される。
【００１１】
本発明のさらに他の観点によると、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化されやすい磁気異方性を示す磁気記録媒体を準備する工程と、前記磁気記録層を形成する磁性材料の保磁力よりも大きく、かつ該磁気記録層に対して垂直方向を向く磁界を印加することにより、該磁気記録層を磁気的に初期化する工程とを有する磁気記録媒体の初期化方法が提供される。
【００１２】
本発明のさらに他の観点によると、（ａ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の、該ガードバンド領域の上に、非磁性材料からなる下地層を形成する工程と、（ｂ）前記下地層の間のトラック領域に、上面が前記下地層の上面よりも高くなるまで軟磁性材料を充填して軟磁性部材を形成工程と、（ｃ）前記下地層及び軟磁性部材の上に、非磁性材料を堆積させて上層を形成する工程と、（ｄ）前記トラック領域においては前記軟磁性部材が露出し、前記ガードバンド領域においては前記上層が残るように、表面の平坦化を行う工程と、（ｅ）平坦化された表面上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、（ｆ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明のさらに他の観点によると、（ｐ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の上に、非磁性材料からなるガードバンド用下側配向制御層を形成する工程と、（ｑ）前記トラック領域に、少なくとも前記ガードバンド用下側配向制御層の底面まで達する溝を形成する工程と、（ｒ）前記溝に軟磁性材料を充填し、トラック用下側配向制御層を形成する工程と、（ｓ）前記ガードバンド用下側配向制御層及び前記トラック用下側配向制御層の上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、（ｔ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
ガードバンド領域の磁気記録層が、面内方向に優先的に磁化されるため、ガードバンド領域からの漏れ磁束が、垂直磁化されたトラック領域の磁気記録層から読み出される信号に影響を及ぼしにくい。このため、媒体ノイズを低減することができる。また、読出し対象のトラック領域と、それに隣接するトラック領域との間にガードバンド領域が配置されているため、隣接するトラック領域からの磁気的影響を低減することができる。これにより、優れたリードライト特性（Ｒ／Ｗ特性）を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１に、第１の実施例による磁気記録媒体の一部破断斜視図を示す。図１の横方向（Ｘ方向）が半径方向（トラックの幅方向）に対応し、奥行き方向（Ｙ方向）が円周方向（トラックの長さ方向）に対応し、縦方向（Ｚ方向）が磁気記録媒体の厚さ方向に対応する。
【００１６】
ガラス等の非磁性材料からなる基板１の表面に、同心円状のトラック領域１１が画定されている。相互に隣り合うトラック領域１１の間が、ガードバンド領域１２になる。
基板１の上に、軟磁性材料からなる裏打層２が配置されている。裏打層２は、例えばＣｏＮｉＦｅＢ等のアモルファス合金で形成され、その厚さは例えば１００ｎｍである。裏打層２の上に、下側配向制御層３、上側配向制御層４、磁気記録層５がこの順番に積層されている。
【００１７】
下側配向制御層３は、トラック領域１１とガードバンド領域１２とで、異なった積層構造を有する。トラック領域１１内の下側配向制御層３は、格子形が面心立方格子（ｆｃｃ）である軟磁性材料からなる軟磁性層９で構成される。軟磁性層９は、例えばＣｏＮｉＦｅＢで形成され、その厚さは１５０ｎｍである。ガードバンド領域１２内の下側配向制御層３は、下地層６、中層７、及び上層８がこの順番に積層された層構造を有する。下地層６は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の非磁性材料で形成され、その厚さは例えば１００ｎｍである。中層７は、格子形が体心立方格子である非磁性材料、例えばＡｌＣｒ合金で形成され、その厚さは約３０ｎｍである。上層８は、格子形が体心立方格子である非磁性材料、例えばＣｒで形成され、その厚さは３〜１０ｎｍである。
【００１８】
上側配向制御層４は、結晶構造が六方最密構造（ｈｃｐ）である非磁性材料、例えばルテニウム（Ｒｕ）またはＲｕを含む合金で形成され、その厚さは１５ｎｍである。下地表面が面心立方格子の軟磁性材料であるトラック領域１１において、上側配向制御層４を形成する非磁性材料のｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向する。これに対し、下地表面が体心立方格子の非磁性材料であるガードバンド領域１２においては、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向する。
【００１９】
この配向性は、Ｘ線回折を用いた分析により確認することができる。例えばＣｏＮｉＦｅＢアモルファス合金層の上に形成したＲｕ層のＸ線回折パターンには、Ｒｕの（００２）面に対応する鋭いピークが現れる。これに対し、ＰＭＭＡ層、ＡｌＣｒ合金層、及びＣｒ層の積層の上に形成したＲｕ層のＸ線回折パターンには、Ｒｕの（００２）面に対応する明確なピークが現れない。
【００２０】
磁気記録層５は、非磁性材料中に多数の磁性金属粒が分散されたグラニュラ構造を有する垂直磁化膜である。ベースとなる非磁性材料は、例えば酸化シリコンであり、磁性金属粒は、結晶構造が六方最密構造の磁性金属、例えばＣｏＣｒＰｔ合金で形成される。磁気記録層５の厚さは、例えば１５ｎｍである。
【００２１】
磁気記録層５内の磁性金属粒は、その下地表面の結晶配向性を引き継いで、エピタキシャルライクに成長する。このため、トラック領域１１内の磁性金属粒を形成する結晶のｃ軸は、基板面に垂直な方向に優先的に配向する。また、ガードバンド領域１２内の磁性金属粒を形成する結晶のｃ軸は、基板面に平行な方向に優先的に配向する。
【００２２】
トラック領域１１内の磁気記録層５は、面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示す。これに対し、ガードバンド領域１２内の磁気記録層５は、垂直方向よりも面内方向に磁化されやすい磁気異方性を示す。ここで、「面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示す」とは、垂直方向の磁場を印加したときの残留磁束密度が、面内方向の磁場を印加したときの残留磁束密度よりも大きいことを意味する。
【００２３】
次に、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）を参照して、第１の実施例による磁気記録媒体の製造方法を説明する。
図２（Ａ）に示すように、基板１の表面上に、ＣｏＮｉＦｅＢターゲットを用いたスパッタリングにより、ＣｏＮｉＦｅＢ裏打層２を形成する。裏打層２の上に、ＰＭＭＡ膜を形成し、電子ビーム描画やインプリント法により、このＰＭＭＡ膜をパターニングする。これにより、ガードバンド領域１２に、ＰＭＭＡからなる下地層６が形成される。トラック領域１１には、裏打層２の表面が露出している。
【００２４】
図２（Ｂ）に示すように、裏打層２のトラック領域１１上に、軟磁性層９をめっきにより形成する。軟磁性層９は、その上面が下地層６の上面よりも高くなるような厚さにされている。軟磁性層９の上面と、下地層６の上面との高さの差は、図１に示した中層７と上層８との合計の厚さよりも大きい。下地層６の上面には、軟磁性層９は形成されない。
【００２５】
軟磁性層９及び下地層６の上に、ＡｌＣｒ合金からなる厚さ約３０ｎｍの中層７、及びＣｒからなる厚さ３〜１０ｎｍの上層８を、スパッタリングにより形成する。成膜時に基板を１５０℃〜２００℃程度に加熱することにより、ＡｌＣｒ及びＣｒの結晶化を促進させることが好ましい。
【００２６】
図２（Ｃ）に示すように、トラック領域１１において軟磁性層９が露出し、ガードバンド領域１２においては上層８の一部が残るように、表面を平坦化する。この平坦化処理は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）またはイオンエッチングにより行うことができる。イオンエッチングで行う場合には、エッチバックという手法により平坦化することができる。例えば、被エッチング材料（上層８、中層７）と異なるエッチングレートを有する材料（レジスト等）を成膜し、イオンエッチング（イオンビームエッチング等）でエッチングし、エッチングレートの違いを利用して平坦化することができる。これにより、トラック領域１１において、軟磁性層９からなる単層構造を有し、ガードバンド領域１２において、下地層６、中層７、及び上層８の３層構造を有する下側配向制御層３が形成される。
【００２７】
図２（Ｄ）に示すように、下側配向制御層３の上に、ＲｕまたはＲｕ合金からなる上側配向制御層４を、スパッタリングにより形成する。基板温度は室温とする。上側配向制御層４の上に、グラニュラ構造を有する磁気記録層５を、スパッタリングにより形成する。磁気記録層５の形成は、グラニュラ構造中の磁性金属粒が、下地表面の結晶の配向性を引き継いで成長する条件で行う。
【００２８】
次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を参照して、上記第１の実施例による磁気記録媒体の効果について説明する。
図３（Ａ）に、ガードバンド領域を設けず、トラック同士が接する構造の磁気記録層５及び読出ヘッド２０の概略図を示す。読出し対象のトラック１１Ａの両側に他のトラック１１Ｂが隣接している。読出し対象トラック１１Ａ及び隣接トラック１１Ｂの両方に、垂直方向の磁気記録が行われている。このため、隣接トラック１１Ｂからの漏れ磁束が媒体ノイズ源になる。
【００２９】
図３（Ｂ）に、第１の実施例による磁気記録媒体の磁気記録層５及び読出ヘッド２０の概略図を示す。読出し対象トラック１１Ａと、それに隣接するトラック１１Ｂとの間に、ガードバンド領域１２が配置されている。ガードバンド領域１２内の磁気記録層５は、面内方向に優先的に磁化される。このため、ガードバンド領域１２からの漏れ磁束は、読出し信号にほとんど影響を与えない。これにより、媒体ノイズの低減を図ることが可能になる。
【００３０】
次に、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を参照して、第１の実施例による磁気記録媒体の初期化方法及びトラック識別方法について説明する。
図４（Ａ）に、磁気記録膜５のトラック領域１１の磁化状態の一例と、読出し信号波形との関係を示し、図４（Ｂ）に、磁気記録層５のガードバンド領域１２の磁化状態の一例と、ガードバンド領域１２からの漏れ磁場に起因する読出し信号波形を示す。図４（Ａ）〜図４（Ｃ）の横軸がトラックの長さ方向（Ｙ方向）に対応する。
【００３１】
垂直磁化されたトラック領域１１においては、磁化の強さが、直接、読出し信号の大きさに反映される。ガードバンド領域１２に垂直磁化用の磁束が漏れ出すと、その磁束の変化によって、ガードバンド領域１２が面内方向に優先的に磁化される。面内方向に磁化されたガードバンド領域１２においては、磁化方向が反転する時の磁束の変化分が読み出し信号として検出される。
【００３２】
第１の実施例による磁気記録媒体を、交番磁場で初期化（ＡＣ消去）する場合について考える。トラック領域１１においては、図４（Ａ）に示すように、磁化が上向きの領域と下向きの領域とが交互に現れる。ＧＭＲヘッド等で読み出しを行う場合、読出し信号は、正弦波状のエンベロープを持つ。ガードバンド領域１２においては、面内方向の磁化の向きが交番磁場に応じて変化する。読出し信号は、図４（Ｂ）に示すように、磁場の向きが反転する時にピークを持つ波形になる。トラック領域１１から読み出された信号と、ガードバンド領域１２から読み出された信号とは、共に直流成分を持たない。ところが、トラック領域１１から読み出される信号の強度は、ガードバンド領域１２から読み出される信号の強度よりも大きい。従って、信号の強度を判定することにより、トラック領域１１とガードバンド領域１２とを明確に識別することができる。
【００３３】
次に、第１の実施例による磁気記録媒体を直流磁場で初期化（ＤＣ消去）する場合について考える。基板面に垂直で、かつ磁気記録層５内の磁性金属粒の保持力よりも大きな磁場を、磁気記録媒体に印加する。これにより、図４（Ｃ）に示すように、トラック領域１１の磁気記録層５が一様に、例えば上向きに垂直磁化される。このとき、ガードバンド領域１２の磁気記録層５は、垂直方向には殆ど磁化されず、面内方向の磁化の向きはランダムである。
【００３４】
トラック領域１１から読み出される信号は、一定の大きさの直流信号になる。ガードバンド領域１２から読み出される信号は、直流成分を持たない。このため、読出し信号の直流成分を判定することにより、トラック領域１１とガードバンド領域１２とを明確に識別することができる。
【００３５】
第１の実施例による磁気記録媒体では、セクタサーボ情報をトラック領域１１に書き込む。トラック領域以外にセクタサーボ情報を書き込むような構造の磁気記録媒体においては、サーボ情報を読み出すための複雑な読出しヘッドが必要になる。第１の実施例においては、通常のデータと、サーボ情報とを、一つの読出しヘッドで読み出すことができる。このため、読出しヘッドの構造を簡単化することができる。
【００３６】
第１の実施例では、磁気記録層５を、酸化シリコン媒質内にＣｏＣｒＰｔ磁性金属粒が分散したグラニュラ構造とし、上側配向制御層４をＲｕまたはＲｕ合金で形成した。磁気記録層５内の磁性金属粒の材料として、結晶構造が六方最密構造である他の磁性材料を用いてもよい。このような磁性材料として、例えばＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ等が挙げられる。また、上側配向制御層４の材料として、ＲｕまたはＲｕ合金以外に、結晶構造が六方最密構造である非磁性材料を用いることができる。このような材料として、例えばＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｅや、これらの金属を含む合金等が挙げられる。
【００３７】
また、軟磁性層９及び裏打層２の材料として、ＣｏＮｉＦｅＢ以外の軟磁性材料を用いてもよい。軟磁性層９及び裏打層２に適した軟磁性材料として、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＮｉＦｅ等が挙げられる。ガードバンド領域１２内の下側配向制御層３の下層７及び上層８を、ＡｌＣｒやＣｒ以外に、上側配向制御層４の材料のｃ軸を面内方向に優先的に配向させる性質を持つ非磁性材料で形成してもよい。このような材料として、結晶格子形が体心立法格子である非磁性材料、例えばＡｌＲｕ等が挙げられる。
【００３８】
次に、図５〜図６（Ｆ）を参照して、第２の実施例による磁気記録媒体について説明する。
図５に、第２の実施例による磁気記録媒体の断面図を示す。図５の横方向（Ｘ方向）が、トラックの幅方向（半径方向）に対応し、紙面に垂直な方向（Ｙ方向）が、トラックの長さ方向（円周方向）に対応する。以下、図１に示した第１の実施例による磁気記録媒体との相違点に着目して説明を続ける。
【００３９】
第１の実施例では、裏打層２が、軟磁性材料からなる単層で形成されていた。第２の実施例では、ガードバンド領域１２が第１裏打層３０のみで形成され、トラック領域１１が、第１裏打層３０と第２裏打層３１との２層構造を有する。第１裏打層３０の上面に、トラック領域１１に対応する溝が形成されている。この溝内に、第２裏打層３１が充填されている。ガードバンド領域１２の第１裏打層３０の上面と、トラック領域１１の第２裏打層３１の上面とは、必ずしも同じ高さに位置する必要はない。
【００４０】
第１裏打層３０及び第２裏打層３１は、共に軟磁性材料で形成されるが、第１裏打層３０の方が、第２裏打層３１よりも透磁率の低い材料で形成されている。例えば、第１裏打層３０がＮｉＰで形成され、第２裏打層３１がＣｏＮｉＦｅＢで形成される。ガードバンド領域１２の第１裏打層３０の厚さは、例えば約１５０ｎｍであり、第２裏打層３１の厚さは、例えば約１５０ｎｍである。
【００４１】
裏打層２の上に、下側配向制御層３が配置されている。トラック領域１１内に配置されたトラック用下側配向制御層３Ｔは、下層３５と上層３６との２層構造を有する。ガードバンド領域１２内に配置されたガードバンド用下側配向制御層３Ｇは、下層３２と上層３３との２層構造を有する。
【００４２】
ガードバンド用下側配向制御層３Ｇの下層３２及び上層３３は、それぞれ第１の実施例におけるガードバンド領域１２の下側配向制御層３の中層７及び上層８と同じ材料で形成される。下層３２及び上層３３の厚さは、それぞれ第１の実施例の中層７及び上層８の厚さと等しい。
【００４３】
トラック用下側配向制御層３Ｔの下層３５は、Ｔａ、Ｃ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、またはＨｆで形成される。上層３６は、結晶格子形が面心立方格子の非磁性材料、例えばＮｉＦｅで形成される。ガードバンド用下側配向制御層３Ｇの上層３３の上面と、トラック用下側配向制御層３Ｔの上層３６の上面とは、高さが揃えられており、下側配向制御層３の上面が平坦になっている。
【００４４】
下側配向制御層３の上に、第１の実施例による磁気記録媒体と同様に、上側配向制御層４及び磁気記録層５が積層されている。
以下、図６（Ａ）〜図６（Ｆ）を参照して、第２の実施例による磁気記録媒体の製造方法について説明する。
【００４５】
図６（Ａ）に示すように、基板１の上に、ＮｉＰ等の軟磁性材料からなる第１裏打層３０をスパッタリングにより形成する。第１裏打層３０の上に、ＡｌＣｒからなる下層３２、及びＣｒからなる上層３３を、スパッタリングにより形成する。下層３２及び上層３３の成膜時には、結晶化を促進するために基板を１５０〜２００℃程度に加熱することが好ましい。
【００４６】
図６（Ｂ）に示すように、上層３３の上にＰＭＭＡ等からなるレジストを塗布し、パターニングすることにより、ガードバンド領域１２にレジストパターン４０を形成する。レジストのパターニングは、例えば電子ビーム描画やインプリント法により行うことができる。レジストパターン４０の厚さは、例えば１５０ｎｍである。
【００４７】
図６（Ｃ）に示すように、レジストパターン４０をエッチングマスクとして、第１裏打層３０の途中までエッチングし、溝４１を形成する。このエッチングには、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）または収束イオンビーム（ＦＩＢ）が用いられる。第１裏打層３０の上面から溝４１の底面までの深さは、例えば１５０ｎｍである。レジストパターン４０の下に、下層３２と上層３３とで構成されたガードバンド用下側配向制御層３Ｇが残る。
【００４８】
図６（Ｄ）に示すように、溝４１の底面上に、ＣｏＮｉＦｅＢ等からなる第２裏打層３１、トラック用下側配向制御層３Ｔの下層３５及び上層３６を順番に堆積させる。第２裏打層３１は、例えばめっき、スパッタリング等により形成される。下層３５及び上層３６は、スパッタリングにより形成される。レジストパターン４０の上にも、第２裏打層３１、下層３５、及び上層３６と同じ材料からなる３つの層３１ａ、３５ａ、及び３６ａが堆積する。この段階で、上層３６の上面の高さを、ガードバンド用下側配向制御層３Ｇの上層３３の上面の高さに揃える必要はない。
【００４９】
図６（Ｅ）に示すように、レジストパターン４０を、その上に堆積している層とともに除去（リフトオフ）する。
図６（Ｆ）に示すように、表面の平坦化を行う。この平坦化は、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）、イオンエッチングによるエッチバック等により行うことができる。図５に示すように、上側配向制御層４及び磁気記録層５を形成する。
【００５０】
第２の実施例においても、ガードバンド領域１２において、上側配向制御層４及び磁気記録層５を形成する結晶のｃ軸が、面内方向に優先的に配向する。
また、トラック領域１１にＴａ等からなる下層３５を配置することにより、その上に配置されるＮｉＦｅ等の上層３６の配向性や結晶粒径を好適に制御することができる。例えば、ＮｉＦｅの（１１１）面を基板面に平行な方向に揃えることができる。これにより、上側配向制御層４及び磁気記録層５のｃ軸配向性を高めることができる。
【００５１】
トラック領域１１に、ガードバンド領域１２に配置されている第１裏打層３０よりも透磁率の高い第２裏打層３１が配置されている。このため、磁束がトラック領域１１に集中し、漏れ磁束を少なくすることができる。なお、図６（Ｃ）の工程において、溝４１の底面を第１裏打層３０の上面に一致させ、第２裏打層３１の形成を省略してもよい。
【００５２】
図７に、上記第１または第２の実施例による磁気記録媒体を用いた磁気記録装置の平面図を示す。筐体５０が、平たい直方体状の内部空間を画定する。この内部空間に、１枚以上の磁気ディスク５１が収容される。磁気ディスク５１は、第１または第２の実施例による磁気記録媒体と同様の構造を有する。磁気ディスク５１は、スピンドルモータ５２の回転軸に装着される。スピンドルモータ５２は、例えば回転数７２００ｒｐｍまたは１００００ｒｐｍ等で磁気ディスク５１を高速回転させる。
【００５３】
スピンドルモータ５２の回転軸と平行な方向に延在する支軸５３に、ヘッドアクチュエータ５５が装着されている。ヘッドアクチュエータ５５は、アーム５６とサスペンション５７とを備える。アーム５６は、支軸５３により、磁気ディスク５１の面に平行な方向に揺動可能に支持されている。サスペンション５７は、アーム５６の先端に取り付けられ、アーム５６から前方に延びる。サスペンション５８の先端に、浮上ヘッドスライダ５８が取り付けられている。
【００５４】
第１または第２の実施例による磁気記録媒体を、磁気ディスク５１に用いることにより、隣接トラックからの磁気的干渉を受けにくい磁気記録装置が得られる。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５５】
上記実施例から、以下の付記に示す発明が導出される。
（付記１）
非磁性材料からなる基板と、
前記基板の上に形成された磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化され易い磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化され易い磁気異方性を示す磁気記録層と
を有する磁気記録媒体。（１）
（付記２）
非磁性材料からなる基板と、
前記基板の上に配置され、結晶構造が六方最密構造の磁性材料を含む磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内においては、該磁気記録層内の磁性材料のｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向し、該ガードバンド領域内においては、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向している磁気記録層と
を有する磁気記録媒体。（２）
（付記３）
さらに、前記基板と前記磁気記録層との間に配置された上側配向制御層を有し、該上側配向制御層は、結晶構造が六方最密構造である非磁性材料で形成され、前記トラック領域に対応する領域では、ｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向しており、前記ガードバンド領域に対応する領域では、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向している付記１または２に記載の磁気記録媒体。
【００５６】
（付記４）
前記上側配向制御層は、ＲｕまたはＲｕを含む合金で形成されている付記３に記載の磁気記録媒体。
【００５７】
（付記５）
さらに、前記上側配向制御層と前記基板との間に配置された下側配向制御層を有し、前記トラック領域に対応する領域の下側配向制御層は、軟磁性材料で形成され、前記ガードバンド領域に対応する領域の下側配向制御層は、非磁性材料で形成されている付記３または４に記載の磁気記録媒体。
【００５８】
（付記６）
さらに、前記下側配向制御層と前記基板との間に配置され、軟磁性材料で形成された裏打層を有する付記５に記載の磁気記録媒体。
【００５９】
（付記７）
データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化されやすい磁気異方性を示す磁気記録媒体を準備する工程と、
前記磁気記録層を形成する磁性材料の保磁力よりも大きく、かつ該磁気記録層に対して垂直方向を向く磁界を印加することにより、該磁気記録層を磁気的に初期化する工程と
を有する磁気記録媒体の初期化方法。（３）
（付記８）
（ａ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の、該ガードバンド領域の上に、非磁性材料からなる下地層を形成する工程と、
（ｂ）前記下地層の間のトラック領域に、上面が前記下地層の上面よりも高くなるまで軟磁性材料を充填して軟磁性部材を形成工程と、
（ｃ）前記下地層及び軟磁性部材の上に、非磁性材料を堆積させて上層を形成する工程と、
（ｄ）前記トラック領域においては前記軟磁性部材が露出し、前記ガードバンド領域においては前記上層が残るように、表面の平坦化を行う工程と、
（ｅ）平坦化された表面上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、
（ｆ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。（４）
（付記９）
前記上側配向制御層を形成する非磁性材料及び前記磁気記録層に含まれる磁性材料の結晶構造が六方最密構造であり、前記工程ｄで平坦化された表面のうち前記軟磁性部材が露出した領域は、前記配向制御層を形成する非磁性材料のｃ軸が基板表面に垂直になるように優先配向させ、前記上層が露出した領域は、前記配向制御層を形成する非磁性材料のｃ軸が基板表面と平行になるように優先配向させる性質を有する付記８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６０】
（付記１０）
前記工程ｆにおいて、前記磁気記録層の磁性材料が、下地表面の結晶配向状態を引き継ぐ条件で該磁気記録層を形成する付記９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６１】
（付記１１）
（ｐ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の上に、非磁性材料からなるガードバンド用下側配向制御層を形成する工程と、
（ｑ）前記トラック領域に、少なくとも前記ガードバンド用下側配向制御層の底面まで達する溝を形成する工程と、
（ｒ）前記溝に軟磁性材料を充填し、トラック用下側配向制御層を形成する工程と、
（ｓ）前記ガードバンド用下側配向制御層及び前記トラック用下側配向制御層の上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、
（ｔ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。（５）
（付記１２）
前記上側配向制御層を形成する非磁性材料及び前記磁気記録層に含まれる磁性材料の結晶構造は六方最密構造であり、前記トラック用下側配向制御層の表面は、前記上側配向制御層を形成する非磁性材料のｃ軸が基板表面に垂直になるように優先配向させ、前記ガードバンド用下側配向制御層の上面は、前記上側配向制御層を形成する非磁性材料のｃ軸が基板表面と平行になるように優先配向させる性質を有する付記１１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６２】
（付記１３）
前記工程ｔにおいて、前記磁気記録層の磁性材料が、下地表面の結晶配向状態を引き継ぐ条件で該磁気記録層を形成する付記１２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１の実施例による磁気記録媒体の一部破断斜視図である。
【図２（Ａ）】第１の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その１）である。
【図２（Ｂ）】第１の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その２）である。
【図２（Ｃ）】第１の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その３）である。
【図２（Ｄ）】第１の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その４）である。
【図３（Ａ）】ガードバンド領域が設けられていない磁気記録媒体の磁化及び磁束の様子を概略的に示す図である。
【図３（Ｂ）】第１の実施例による磁気記録媒体の磁化及び磁束の様子を概略的に示す図である。
【図４（Ａ）】第１の実施例による磁気記録媒体をＡＣ消去したときのトラック領域の磁化の様子、及び読み出し信号波形を示す図である。
【図４（Ｂ）】第１の実施例による磁気記録媒体をＡＣ消去したときのガードバンド領域の磁化の様子、及び読み出し信号波形を示す図である。
【図４（Ｃ）】第１の実施例による磁気記録媒体をＤＣ消去したときのトラック領域の磁化の様子、及び読み出し信号波形を示す図である。
【図５】第２の実施例による磁気記録媒体の一部破断斜視図である。
【図６（Ａ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その１）である。
【図６（Ｂ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その２）である。
【図６（Ｃ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その３）である。
【図６（Ｄ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その４）である。
【図６（Ｅ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その５）である。
【図６（Ｆ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その６）である。
【図７】第１または第２の実施例による磁気記録媒体を用いた磁気記録装置の平面図である。
【図８（Ａ）】従来の磁気記録媒体の一部破断斜視図である。
【図８（Ｂ）】従来の磁気記録媒体の一部破断斜視図である。
【図８（Ｃ）】従来の磁気記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１ 基板
２ 裏打層
３ 下側配向制御層
４ 上側配向制御層
５ 磁気記録層
６ 下地層
７ 中層
８ 下層
９ 軟磁性層
１１ トラック領域
１２ ガードバンド領域
２０ 読出ヘッド
３０ 第１裏打層
３１ 第２裏打層
３２ ガードバンド用下側配向制御層の下層
３３ ガードバンド用下側配向制御層の上層
３５ トラック用下側配向制御層の下層
３６ トラック用下側配向制御層の上層
４０ レジストパターン
４１ 溝
５０ 筐体
５１ 磁気ディスク
５２ スピンドルモータ
５３ 支軸
５５ ヘッドアクチュエータ
５６ アーム
５７ サスペンション
５８ 浮上ヘッドスライダ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体、その初期化方法及びその製造方法に関し、特に相互に隣り合うトラック同士の磁気的干渉を軽減するためのガードバンドが設けられた磁気記録媒体、その初期化方法及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８（Ａ）に、下記の特許文献１に開示された磁気記録媒体の一部破断斜視図を示す。ガラス基板１００の表面に、トラック領域１０１とガードバンド領域１０２とが画定されている。ガードバンド領域１０２は、相互に隣り合う２つのトラック領域１０１の間に配置される。ガードバンド領域１０２は、ＣｕまたはＣｒ薄膜１０３の上に形成される。トラック領域１０１には、ガラス基板１００上にＣｏＣｒ合金等の垂直磁気記録膜１０４が形成される。
【０００３】
トラック領域１０１に情報を書き込み易くするために、トラック領域１０１の下層には高透磁率薄膜が形成されている。また、トラック領域１０１に記憶された情報を読み出すときに、ガードバンド領域１０２から漏れた磁束による信号出力が十分小さくなるため、良好なオフトラック特性を得ることができる。
【０００４】
図８（Ｂ）に、下記の特許文献２に開示された磁気記録媒体の一部破断斜視図を示す。基板１１０の表面に複数の溝１１１が形成され、相互に隣り合う２つの溝１１１の間の凸部が、データを記録するためのトラック領域１１２になる。読出ヘッド１１３が、トラック領域１１２に記録されたデータを読み出す。トラック同士が溝１１１で分離されているため、トラック間の磁場の干渉を軽減することができる。また、溝１１１にも磁気記録膜を設け、この磁気記録膜にサーボ情報を記録する。
【０００５】
図８（Ｃ）に、下記の特許文献３に開示された磁気記録媒体の断面図を示す。非磁性基板１２０の上に、軟磁性裏打層１２１が形成されている。軟磁性裏打層１２１の表面に複数の溝１２２が形成されている。溝１２２内に、非磁性材料１２３が充填されている。軟磁性裏打層１２１及び非磁性材料１２３の上に、垂直磁気記録膜１２４が形成されている。相互に隣り合う２つの溝１２２の間の領域が、データトラック１２５になる。相互に隣り合う２つのデータトラック１２５の間に配置された非磁性材料１２３が、相互に隣接するデータトラック１２５を磁気的に分離する。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６１−２３７２３１号公報
【特許文献２】特開平３−１４２７０７号公報
【特許文献１】特開２００３−１６６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２に開示された磁気記録媒体のように、表面に凹凸を付すると、凹凸によりヘッド浮上が不安定になるため、ヘッドクラッシュの危険性が高まる。特許文献３に記載された磁気記録媒体では、表面に凹凸は形成されないためヘッド浮上が安定する。ところが、非磁性材料１２３上の領域も垂直磁気記録膜１２４であり、データトラックと同一材料であるため、トラック幅よりも広い領域に情報の記録が行われてしまう。さらに、非磁性材料１２３上の領域とデータトラックとが同一材料であることから、最初に情報を記録するときに、ヘッドからデータトラックの位置を検出しにくい。このため、トラックの判別が困難になり、ヘッドの位置決が難しくなる。
【０００８】
また、特許文献１に開示された磁気記録媒体では、トラックピッチが狭くなったときに、トラック間の磁気的な干渉を防止する機能が不十分である。
本発明の目的は、トラック間の磁気的干渉低減効果を高めることが可能な磁気記録媒体を提供することである。本発明の他の目的は、この磁気記録媒体の初期化方法、及び製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によると、非磁性材料からなる基板と、前記基板の上に形成された磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化され易い磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化され易い磁気異方性を示す磁気記録層とを有する磁気記録媒体が提供される。
【００１０】
本発明の他の観点によると、非磁性材料からなる基板と、前記基板の上に配置され、結晶構造が六方最密構造の磁性材料を含む磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内においては、該磁気記録層内の磁性材料のｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向し、該ガードバンド領域内においては、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向している磁気記録層とを有する磁気記録媒体が提供される。
【００１１】
本発明のさらに他の観点によると、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化されやすい磁気異方性を示す磁気記録媒体を準備する工程と、前記磁気記録層を形成する磁性材料の保磁力よりも大きく、かつ該磁気記録層に対して垂直方向を向く磁界を印加することにより、該磁気記録層を磁気的に初期化する工程とを有する磁気記録媒体の初期化方法が提供される。
【００１２】
本発明のさらに他の観点によると、（ａ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の、該ガードバンド領域の上に、非磁性材料からなる下地層を形成する工程と、（ｂ）前記下地層の間のトラック領域に、上面が前記下地層の上面よりも高くなるまで軟磁性材料を充填して軟磁性部材を形成工程と、（ｃ）前記下地層及び軟磁性部材の上に、非磁性材料を堆積させて上層を形成する工程と、（ｄ）前記トラック領域においては前記軟磁性部材が露出し、前記ガードバンド領域においては前記上層が残るように、表面の平坦化を行う工程と、（ｅ）平坦化された表面上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、（ｆ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明のさらに他の観点によると、（ｐ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の上に、非磁性材料からなるガードバンド用下側配向制御層を形成する工程と、（ｑ）前記トラック領域に、少なくとも前記ガードバンド用下側配向制御層の底面まで達する溝を形成する工程と、（ｒ）前記溝に軟磁性材料を充填し、トラック用下側配向制御層を形成する工程と、（ｓ）前記ガードバンド用下側配向制御層及び前記トラック用下側配向制御層の上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、（ｔ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
ガードバンド領域の磁気記録層が、面内方向に優先的に磁化されるため、ガードバンド領域からの漏れ磁束が、垂直磁化されたトラック領域の磁気記録層から読み出される信号に影響を及ぼしにくい。このため、媒体ノイズを低減することができる。また、読出し対象のトラック領域と、それに隣接するトラック領域との間にガードバンド領域が配置されているため、隣接するトラック領域からの磁気的影響を低減することができる。これにより、優れたリードライト特性（Ｒ／Ｗ特性）を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１に、第１の実施例による磁気記録媒体の一部破断斜視図を示す。図１の横方向（Ｘ方向）が半径方向（トラックの幅方向）に対応し、奥行き方向（Ｙ方向）が円周方向（トラックの長さ方向）に対応し、縦方向（Ｚ方向）が磁気記録媒体の厚さ方向に対応する。
【００１６】
ガラス等の非磁性材料からなる基板１の表面に、同心円状のトラック領域１１が画定されている。相互に隣り合うトラック領域１１の間が、ガードバンド領域１２になる。
基板１の上に、軟磁性材料からなる裏打層２が配置されている。裏打層２は、例えばＣｏＮｉＦｅＢ等のアモルファス合金で形成され、その厚さは例えば１００ｎｍである。裏打層２の上に、下側配向制御層３、上側配向制御層４、磁気記録層５がこの順番に積層されている。
【００１７】
下側配向制御層３は、トラック領域１１とガードバンド領域１２とで、異なった積層構造を有する。トラック領域１１内の下側配向制御層３は、格子形が面心立方格子（ｆｃｃ）である軟磁性材料からなる軟磁性層９で構成される。軟磁性層９は、例えばＣｏＮｉＦｅＢで形成され、その厚さは１５０ｎｍである。ガードバンド領域１２内の下側配向制御層３は、下地層６、中層７、及び上層８がこの順番に積層された層構造を有する。下地層６は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の非磁性材料で形成され、その厚さは例えば１００ｎｍである。中層７は、格子形が体心立方格子である非磁性材料、例えばＡｌＣｒ合金で形成され、その厚さは約３０ｎｍである。上層８は、格子形が体心立方格子である非磁性材料、例えばＣｒで形成され、その厚さは３〜１０ｎｍである。
【００１８】
上側配向制御層４は、結晶構造が六方最密構造（ｈｃｐ）である非磁性材料、例えばルテニウム（Ｒｕ）またはＲｕを含む合金で形成され、その厚さは１５ｎｍである。下地表面が面心立方格子の軟磁性材料であるトラック領域１１において、上側配向制御層４を形成する非磁性材料のｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向する。これに対し、下地表面が体心立方格子の非磁性材料であるガードバンド領域１２においては、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向する。
【００１９】
この配向性は、Ｘ線回折を用いた分析により確認することができる。例えばＣｏＮｉＦｅＢアモルファス合金層の上に形成したＲｕ層のＸ線回折パターンには、Ｒｕの（００２）面に対応する鋭いピークが現れる。これに対し、ＰＭＭＡ層、ＡｌＣｒ合金層、及びＣｒ層の積層の上に形成したＲｕ層のＸ線回折パターンには、Ｒｕの（００２）面に対応する明確なピークが現れない。
【００２０】
磁気記録層５は、非磁性材料中に多数の磁性金属粒が分散されたグラニュラ構造を有する垂直磁化膜である。ベースとなる非磁性材料は、例えば酸化シリコンであり、磁性金属粒は、結晶構造が六方最密構造の磁性金属、例えばＣｏＣｒＰｔ合金で形成される。磁気記録層５の厚さは、例えば１５ｎｍである。
【００２１】
磁気記録層５内の磁性金属粒は、その下地表面の結晶配向性を引き継いで、エピタキシャルライクに成長する。このため、トラック領域１１内の磁性金属粒を形成する結晶のｃ軸は、基板面に垂直な方向に優先的に配向する。また、ガードバンド領域１２内の磁性金属粒を形成する結晶のｃ軸は、基板面に平行な方向に優先的に配向する。
【００２２】
トラック領域１１内の磁気記録層５は、面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示す。これに対し、ガードバンド領域１２内の磁気記録層５は、垂直方向よりも面内方向に磁化されやすい磁気異方性を示す。ここで、「面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示す」とは、垂直方向の磁場を印加したときの残留磁束密度が、面内方向の磁場を印加したときの残留磁束密度よりも大きいことを意味する。
【００２３】
次に、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）を参照して、第１の実施例による磁気記録媒体の製造方法を説明する。
図２（Ａ）に示すように、基板１の表面上に、ＣｏＮｉＦｅＢターゲットを用いたスパッタリングにより、ＣｏＮｉＦｅＢ裏打層２を形成する。裏打層２の上に、ＰＭＭＡ膜を形成し、電子ビーム描画やインプリント法により、このＰＭＭＡ膜をパターニングする。これにより、ガードバンド領域１２に、ＰＭＭＡからなる下地層６が形成される。トラック領域１１には、裏打層２の表面が露出している。
【００２４】
図２（Ｂ）に示すように、裏打層２のトラック領域１１上に、軟磁性層９をめっきにより形成する。軟磁性層９は、その上面が下地層６の上面よりも高くなるような厚さにされている。軟磁性層９の上面と、下地層６の上面との高さの差は、図１に示した中層７と上層８との合計の厚さよりも大きい。下地層６の上面には、軟磁性層９は形成されない。
【００２５】
軟磁性層９及び下地層６の上に、ＡｌＣｒ合金からなる厚さ約３０ｎｍの中層７、及びＣｒからなる厚さ３〜１０ｎｍの上層８を、スパッタリングにより形成する。成膜時に基板を１５０℃〜２００℃程度に加熱することにより、ＡｌＣｒ及びＣｒの結晶化を促進させることが好ましい。
【００２６】
図２（Ｃ）に示すように、トラック領域１１において軟磁性層９が露出し、ガードバンド領域１２においては上層８の一部が残るように、表面を平坦化する。この平坦化処理は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）またはイオンエッチングにより行うことができる。イオンエッチングで行う場合には、エッチバックという手法により平坦化することができる。例えば、被エッチング材料（上層８、中層７）と異なるエッチングレートを有する材料（レジスト等）を成膜し、イオンエッチング（イオンビームエッチング等）でエッチングし、エッチングレートの違いを利用して平坦化することができる。これにより、トラック領域１１において、軟磁性層９からなる単層構造を有し、ガードバンド領域１２において、下地層６、中層７、及び上層８の３層構造を有する下側配向制御層３が形成される。
【００２７】
図２（Ｄ）に示すように、下側配向制御層３の上に、ＲｕまたはＲｕ合金からなる上側配向制御層４を、スパッタリングにより形成する。基板温度は室温とする。上側配向制御層４の上に、グラニュラ構造を有する磁気記録層５を、スパッタリングにより形成する。磁気記録層５の形成は、グラニュラ構造中の磁性金属粒が、下地表面の結晶の配向性を引き継いで成長する条件で行う。
【００２８】
次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を参照して、上記第１の実施例による磁気記録媒体の効果について説明する。
図３（Ａ）に、ガードバンド領域を設けず、トラック同士が接する構造の磁気記録層５及び読出ヘッド２０の概略図を示す。読出し対象のトラック１１Ａの両側に他のトラック１１Ｂが隣接している。読出し対象トラック１１Ａ及び隣接トラック１１Ｂの両方に、垂直方向の磁気記録が行われている。このため、隣接トラック１１Ｂからの漏れ磁束が媒体ノイズ源になる。
【００２９】
図３（Ｂ）に、第１の実施例による磁気記録媒体の磁気記録層５及び読出ヘッド２０の概略図を示す。読出し対象トラック１１Ａと、それに隣接するトラック１１Ｂとの間に、ガードバンド領域１２が配置されている。ガードバンド領域１２内の磁気記録層５は、面内方向に優先的に磁化される。このため、ガードバンド領域１２からの漏れ磁束は、読出し信号にほとんど影響を与えない。これにより、媒体ノイズの低減を図ることが可能になる。
【００３０】
次に、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を参照して、第１の実施例による磁気記録媒体の初期化方法及びトラック識別方法について説明する。
図４（Ａ）に、磁気記録膜５のトラック領域１１の磁化状態の一例と、読出し信号波形との関係を示し、図４（Ｂ）に、磁気記録層５のガードバンド領域１２の磁化状態の一例と、ガードバンド領域１２からの漏れ磁場に起因する読出し信号波形を示す。図４（Ａ）〜図４（Ｃ）の横軸がトラックの長さ方向（Ｙ方向）に対応する。
【００３１】
垂直磁化されたトラック領域１１においては、磁化の強さが、直接、読出し信号の大きさに反映される。ガードバンド領域１２に垂直磁化用の磁束が漏れ出すと、その磁束の変化によって、ガードバンド領域１２が面内方向に優先的に磁化される。面内方向に磁化されたガードバンド領域１２においては、磁化方向が反転する時の磁束の変化分が読み出し信号として検出される。
【００３２】
第１の実施例による磁気記録媒体を、交番磁場で初期化（ＡＣ消去）する場合について考える。トラック領域１１においては、図４（Ａ）に示すように、磁化が上向きの領域と下向きの領域とが交互に現れる。ＧＭＲヘッド等で読み出しを行う場合、読出し信号は、正弦波状のエンベロープを持つ。ガードバンド領域１２においては、面内方向の磁化の向きが交番磁場に応じて変化する。読出し信号は、図４（Ｂ）に示すように、磁場の向きが反転する時にピークを持つ波形になる。トラック領域１１から読み出された信号と、ガードバンド領域１２から読み出された信号とは、共に直流成分を持たない。ところが、トラック領域１１から読み出される信号の強度は、ガードバンド領域１２から読み出される信号の強度よりも大きい。従って、信号の強度を判定することにより、トラック領域１１とガードバンド領域１２とを明確に識別することができる。
【００３３】
次に、第１の実施例による磁気記録媒体を直流磁場で初期化（ＤＣ消去）する場合について考える。基板面に垂直で、かつ磁気記録層５内の磁性金属粒の保持力よりも大きな磁場を、磁気記録媒体に印加する。これにより、図４（Ｃ）に示すように、トラック領域１１の磁気記録層５が一様に、例えば上向きに垂直磁化される。このとき、ガードバンド領域１２の磁気記録層５は、垂直方向には殆ど磁化されず、面内方向の磁化の向きはランダムである。
【００３４】
トラック領域１１から読み出される信号は、一定の大きさの直流信号になる。ガードバンド領域１２から読み出される信号は、直流成分を持たない。このため、読出し信号の直流成分を判定することにより、トラック領域１１とガードバンド領域１２とを明確に識別することができる。
【００３５】
第１の実施例による磁気記録媒体では、セクタサーボ情報をトラック領域１１に書き込む。トラック領域以外にセクタサーボ情報を書き込むような構造の磁気記録媒体においては、サーボ情報を読み出すための複雑な読出しヘッドが必要になる。第１の実施例においては、通常のデータと、サーボ情報とを、一つの読出しヘッドで読み出すことができる。このため、読出しヘッドの構造を簡単化することができる。
【００３６】
第１の実施例では、磁気記録層５を、酸化シリコン媒質内にＣｏＣｒＰｔ磁性金属粒が分散したグラニュラ構造とし、上側配向制御層４をＲｕまたはＲｕ合金で形成した。磁気記録層５内の磁性金属粒の材料として、結晶構造が六方最密構造である他の磁性材料を用いてもよい。このような磁性材料として、例えばＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ等が挙げられる。また、上側配向制御層４の材料として、ＲｕまたはＲｕ合金以外に、結晶構造が六方最密構造である非磁性材料を用いることができる。このような材料として、例えばＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｅや、これらの金属を含む合金等が挙げられる。
【００３７】
また、軟磁性層９及び裏打層２の材料として、ＣｏＮｉＦｅＢ以外の軟磁性材料を用いてもよい。軟磁性層９及び裏打層２に適した軟磁性材料として、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＮｉＦｅ等が挙げられる。ガードバンド領域１２内の下側配向制御層３の下層７及び上層８を、ＡｌＣｒやＣｒ以外に、上側配向制御層４の材料のｃ軸を面内方向に優先的に配向させる性質を持つ非磁性材料で形成してもよい。このような材料として、結晶格子形が体心立法格子である非磁性材料、例えばＡｌＲｕ等が挙げられる。
【００３８】
次に、図５〜図６（Ｆ）を参照して、第２の実施例による磁気記録媒体について説明する。
図５に、第２の実施例による磁気記録媒体の断面図を示す。図５の横方向（Ｘ方向）が、トラックの幅方向（半径方向）に対応し、紙面に垂直な方向（Ｙ方向）が、トラックの長さ方向（円周方向）に対応する。以下、図１に示した第１の実施例による磁気記録媒体との相違点に着目して説明を続ける。
【００３９】
第１の実施例では、裏打層２が、軟磁性材料からなる単層で形成されていた。第２の実施例では、ガードバンド領域１２が第１裏打層３０のみで形成され、トラック領域１１が、第１裏打層３０と第２裏打層３１との２層構造を有する。第１裏打層３０の上面に、トラック領域１１に対応する溝が形成されている。この溝内に、第２裏打層３１が充填されている。ガードバンド領域１２の第１裏打層３０の上面と、トラック領域１１の第２裏打層３１の上面とは、必ずしも同じ高さに位置する必要はない。
【００４０】
第１裏打層３０及び第２裏打層３１は、共に軟磁性材料で形成されるが、第１裏打層３０の方が、第２裏打層３１よりも透磁率の低い材料で形成されている。例えば、第１裏打層３０がＮｉＰで形成され、第２裏打層３１がＣｏＮｉＦｅＢで形成される。ガードバンド領域１２の第１裏打層３０の厚さは、例えば約１５０ｎｍであり、第２裏打層３１の厚さは、例えば約１５０ｎｍである。
【００４１】
裏打層２の上に、下側配向制御層３が配置されている。トラック領域１１内に配置されたトラック用下側配向制御層３Ｔは、下層３５と上層３６との２層構造を有する。ガードバンド領域１２内に配置されたガードバンド用下側配向制御層３Ｇは、下層３２と上層３３との２層構造を有する。
【００４２】
ガードバンド用下側配向制御層３Ｇの下層３２及び上層３３は、それぞれ第１の実施例におけるガードバンド領域１２の下側配向制御層３の中層７及び上層８と同じ材料で形成される。下層３２及び上層３３の厚さは、それぞれ第１の実施例の中層７及び上層８の厚さと等しい。
【００４３】
トラック用下側配向制御層３Ｔの下層３５は、Ｔａ、Ｃ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、またはＨｆで形成される。上層３６は、結晶格子形が面心立方格子の非磁性材料、例えばＮｉＦｅで形成される。ガードバンド用下側配向制御層３Ｇの上層３３の上面と、トラック用下側配向制御層３Ｔの上層３６の上面とは、高さが揃えられており、下側配向制御層３の上面が平坦になっている。
【００４４】
下側配向制御層３の上に、第１の実施例による磁気記録媒体と同様に、上側配向制御層４及び磁気記録層５が積層されている。
以下、図６（Ａ）〜図６（Ｆ）を参照して、第２の実施例による磁気記録媒体の製造方法について説明する。
【００４５】
図６（Ａ）に示すように、基板１の上に、ＮｉＰ等の軟磁性材料からなる第１裏打層３０をスパッタリングにより形成する。第１裏打層３０の上に、ＡｌＣｒからなる下層３２、及びＣｒからなる上層３３を、スパッタリングにより形成する。下層３２及び上層３３の成膜時には、結晶化を促進するために基板を１５０〜２００℃程度に加熱することが好ましい。
【００４６】
図６（Ｂ）に示すように、上層３３の上にＰＭＭＡ等からなるレジストを塗布し、パターニングすることにより、ガードバンド領域１２にレジストパターン４０を形成する。レジストのパターニングは、例えば電子ビーム描画やインプリント法により行うことができる。レジストパターン４０の厚さは、例えば１５０ｎｍである。
【００４７】
図６（Ｃ）に示すように、レジストパターン４０をエッチングマスクとして、第１裏打層３０の途中までエッチングし、溝４１を形成する。このエッチングには、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）または収束イオンビーム（ＦＩＢ）が用いられる。第１裏打層３０の上面から溝４１の底面までの深さは、例えば１５０ｎｍである。レジストパターン４０の下に、下層３２と上層３３とで構成されたガードバンド用下側配向制御層３Ｇが残る。
【００４８】
図６（Ｄ）に示すように、溝４１の底面上に、ＣｏＮｉＦｅＢ等からなる第２裏打層３１、トラック用下側配向制御層３Ｔの下層３５及び上層３６を順番に堆積させる。第２裏打層３１は、例えばめっき、スパッタリング等により形成される。下層３５及び上層３６は、スパッタリングにより形成される。レジストパターン４０の上にも、第２裏打層３１、下層３５、及び上層３６と同じ材料からなる３つの層３１ａ、３５ａ、及び３６ａが堆積する。この段階で、上層３６の上面の高さを、ガードバンド用下側配向制御層３Ｇの上層３３の上面の高さに揃える必要はない。
【００４９】
図６（Ｅ）に示すように、レジストパターン４０を、その上に堆積している層とともに除去（リフトオフ）する。
図６（Ｆ）に示すように、表面の平坦化を行う。この平坦化は、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）、イオンエッチングによるエッチバック等により行うことができる。図５に示すように、上側配向制御層４及び磁気記録層５を形成する。
【００５０】
第２の実施例においても、ガードバンド領域１２において、上側配向制御層４及び磁気記録層５を形成する結晶のｃ軸が、面内方向に優先的に配向する。
また、トラック領域１１にＴａ等からなる下層３５を配置することにより、その上に配置されるＮｉＦｅ等の上層３６の配向性や結晶粒径を好適に制御することができる。例えば、ＮｉＦｅの（１１１）面を基板面に平行な方向に揃えることができる。これにより、上側配向制御層４及び磁気記録層５のｃ軸配向性を高めることができる。
【００５１】
トラック領域１１に、ガードバンド領域１２に配置されている第１裏打層３０よりも透磁率の高い第２裏打層３１が配置されている。このため、磁束がトラック領域１１に集中し、漏れ磁束を少なくすることができる。なお、図６（Ｃ）の工程において、溝４１の底面を第１裏打層３０の上面に一致させ、第２裏打層３１の形成を省略してもよい。
【００５２】
図７に、上記第１または第２の実施例による磁気記録媒体を用いた磁気記録装置の平面図を示す。筐体５０が、平たい直方体状の内部空間を画定する。この内部空間に、１枚以上の磁気ディスク５１が収容される。磁気ディスク５１は、第１または第２の実施例による磁気記録媒体と同様の構造を有する。磁気ディスク５１は、スピンドルモータ５２の回転軸に装着される。スピンドルモータ５２は、例えば回転数７２００ｒｐｍまたは１００００ｒｐｍ等で磁気ディスク５１を高速回転させる。
【００５３】
スピンドルモータ５２の回転軸と平行な方向に延在する支軸５３に、ヘッドアクチュエータ５５が装着されている。ヘッドアクチュエータ５５は、アーム５６とサスペンション５７とを備える。アーム５６は、支軸５３により、磁気ディスク５１の面に平行な方向に揺動可能に支持されている。サスペンション５７は、アーム５６の先端に取り付けられ、アーム５６から前方に延びる。サスペンション５８の先端に、浮上ヘッドスライダ５８が取り付けられている。
【００５４】
第１または第２の実施例による磁気記録媒体を、磁気ディスク５１に用いることにより、隣接トラックからの磁気的干渉を受けにくい磁気記録装置が得られる。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５５】
上記実施例から、以下の付記に示す発明が導出される。
（付記１）
非磁性材料からなる基板と、
前記基板の上に形成された磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化され易い磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化され易い磁気異方性を示す磁気記録層と
を有する磁気記録媒体。（１）
（付記２）
非磁性材料からなる基板と、
前記基板の上に配置され、結晶構造が六方最密構造の磁性材料を含む磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内においては、該磁気記録層内の磁性材料のｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向し、該ガードバンド領域内においては、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向している磁気記録層と
を有する磁気記録媒体。（２）
（付記３）
さらに、前記基板と前記磁気記録層との間に配置された上側配向制御層を有し、該上側配向制御層は、結晶構造が六方最密構造である非磁性材料で形成され、前記トラック領域に対応する領域では、ｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向しており、前記ガードバンド領域に対応する領域では、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向している付記１または２に記載の磁気記録媒体。
【００５６】
（付記４）
前記上側配向制御層は、ＲｕまたはＲｕを含む合金で形成されている付記３に記載の磁気記録媒体。
【００５７】
（付記５）
さらに、前記上側配向制御層と前記基板との間に配置された下側配向制御層を有し、前記トラック領域に対応する領域の下側配向制御層は、軟磁性材料で形成され、前記ガードバンド領域に対応する領域の下側配向制御層は、非磁性材料で形成されている付記３または４に記載の磁気記録媒体。
【００５８】
（付記６）
さらに、前記下側配向制御層と前記基板との間に配置され、軟磁性材料で形成された裏打層を有する付記５に記載の磁気記録媒体。
【００５９】
（付記７）
データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化されやすい磁気異方性を示す磁気記録媒体を準備する工程と、
前記磁気記録層を形成する磁性材料の保磁力よりも大きく、かつ該磁気記録層に対して垂直方向を向く磁界を印加することにより、該磁気記録層を磁気的に初期化する工程と
を有する磁気記録媒体の初期化方法。（３）
（付記８）
（ａ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の、該ガードバンド領域の上に、非磁性材料からなる下地層を形成する工程と、
（ｂ）前記下地層の間のトラック領域に、上面が前記下地層の上面よりも高くなるまで軟磁性材料を充填して軟磁性部材を形成工程と、
（ｃ）前記下地層及び軟磁性部材の上に、非磁性材料を堆積させて上層を形成する工程と、
（ｄ）前記トラック領域においては前記軟磁性部材が露出し、前記ガードバンド領域においては前記上層が残るように、表面の平坦化を行う工程と、
（ｅ）平坦化された表面上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、
（ｆ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。（４）
（付記９）
前記上側配向制御層を形成する非磁性材料及び前記磁気記録層に含まれる磁性材料の結晶構造が六方最密構造であり、前記工程ｄで平坦化された表面のうち前記軟磁性部材が露出した領域は、前記配向制御層を形成する非磁性材料のｃ軸が基板表面に垂直になるように優先配向させ、前記上層が露出した領域は、前記配向制御層を形成する非磁性材料のｃ軸が基板表面と平行になるように優先配向させる性質を有する付記８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６０】
（付記１０）
前記工程ｆにおいて、前記磁気記録層の磁性材料が、下地表面の結晶配向状態を引き継ぐ条件で該磁気記録層を形成する付記９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６１】
（付記１１）
（ｐ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の上に、非磁性材料からなるガードバンド用下側配向制御層を形成する工程と、
（ｑ）前記トラック領域に、少なくとも前記ガードバンド用下側配向制御層の底面まで達する溝を形成する工程と、
（ｒ）前記溝に軟磁性材料を充填し、トラック用下側配向制御層を形成する工程と、
（ｓ）前記ガードバンド用下側配向制御層及び前記トラック用下側配向制御層の上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、
（ｔ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。（５）
（付記１２）
前記上側配向制御層を形成する非磁性材料及び前記磁気記録層に含まれる磁性材料の結晶構造は六方最密構造であり、前記トラック用下側配向制御層の表面は、前記上側配向制御層を形成する非磁性材料のｃ軸が基板表面に垂直になるように優先配向させ、前記ガードバンド用下側配向制御層の上面は、前記上側配向制御層を形成する非磁性材料のｃ軸が基板表面と平行になるように優先配向させる性質を有する付記１１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６２】
（付記１３）
前記工程ｔにおいて、前記磁気記録層の磁性材料が、下地表面の結晶配向状態を引き継ぐ条件で該磁気記録層を形成する付記１２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１の実施例による磁気記録媒体の一部破断斜視図である。
【図２（Ａ）】第１の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その１）である。
【図２（Ｂ）】第１の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その２）である。
【図２（Ｃ）】第１の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その３）である。
【図２（Ｄ）】第１の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その４）である。
【図３（Ａ）】ガードバンド領域が設けられていない磁気記録媒体の磁化及び磁束の様子を概略的に示す図である。
【図３（Ｂ）】第１の実施例による磁気記録媒体の磁化及び磁束の様子を概略的に示す図である。
【図４（Ａ）】第１の実施例による磁気記録媒体をＡＣ消去したときのトラック領域の磁化の様子、及び読み出し信号波形を示す図である。
【図４（Ｂ）】第１の実施例による磁気記録媒体をＡＣ消去したときのガードバンド領域の磁化の様子、及び読み出し信号波形を示す図である。
【図４（Ｃ）】第１の実施例による磁気記録媒体をＤＣ消去したときのトラック領域の磁化の様子、及び読み出し信号波形を示す図である。
【図５】第２の実施例による磁気記録媒体の一部破断斜視図である。
【図６（Ａ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その１）である。
【図６（Ｂ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その２）である。
【図６（Ｃ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その３）である。
【図６（Ｄ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その４）である。
【図６（Ｅ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その５）である。
【図６（Ｆ）】第２の実施例による磁気記録媒体の製造途中における媒体の断面図（その６）である。
【図７】第１または第２の実施例による磁気記録媒体を用いた磁気記録装置の平面図である。
【図８（Ａ）】従来の磁気記録媒体の一部破断斜視図である。
【図８（Ｂ）】従来の磁気記録媒体の一部破断斜視図である。
【図８（Ｃ）】従来の磁気記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１ 基板
２ 裏打層
３ 下側配向制御層
４ 上側配向制御層
５ 磁気記録層
６ 下地層
７ 中層
８ 下層
９ 軟磁性層
１１ トラック領域
１２ ガードバンド領域
２０ 読出ヘッド
３０ 第１裏打層
３１ 第２裏打層
３２ ガードバンド用下側配向制御層の下層
３３ ガードバンド用下側配向制御層の上層
３５ トラック用下側配向制御層の下層
３６ トラック用下側配向制御層の上層
４０ レジストパターン
４１ 溝
５０ 筐体
５１ 磁気ディスク
５２ スピンドルモータ
５３ 支軸
５５ ヘッドアクチュエータ
５６ アーム
５７ サスペンション
５８ 浮上ヘッドスライダ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性材料からなる基板と、
前記基板の上に形成された磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化され易い磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化され易い磁気異方性を示す磁気記録層と
を有する磁気記録媒体。
【請求項２】
非磁性材料からなる基板と、
前記基板の上に配置され、結晶構造が六方最密構造の磁性材料を含む磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内においては、該磁気記録層内の磁性材料のｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向し、該ガードバンド領域内においては、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向している磁気記録層と
を有する磁気記録媒体。
【請求項３】
データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化されやすい磁気異方性を示す磁気記録媒体を準備する工程と、
前記磁気記録層を形成する磁性材料の保磁力よりも大きく、かつ該磁気記録層に対して垂直方向を向く磁界を印加することにより、該磁気記録層を磁気的に初期化する工程と
を有する磁気記録媒体の初期化方法。
【請求項４】
（ａ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の、該ガードバンド領域の上に、非磁性材料からなる下地層を形成する工程と、
（ｂ）前記下地層の間のトラック領域に、上面が前記下地層の上面よりも高くなるまで軟磁性材料を充填して軟磁性部材を形成工程と、
（ｃ）前記下地層及び軟磁性部材の上に、非磁性材料を堆積させて上層を形成する工程と、
（ｄ）前記トラック領域においては前記軟磁性部材が露出し、前記ガードバンド領域においては前記上層が残るように、表面の平坦化を行う工程と、
（ｅ）平坦化された表面上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、
（ｆ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
（ｐ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の上に、非磁性材料からなるガードバンド用下側配向制御層を形成する工程と、
（ｑ）前記トラック領域に、少なくとも前記ガードバンド用下側配向制御層の底面まで達する溝を形成する工程と、
（ｒ）前記溝に軟磁性材料を充填し、トラック用下側配向制御層を形成する工程と、
（ｓ）前記ガードバンド用下側配向制御層及び前記トラック用下側配向制御層の上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、
（ｔ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１】
非磁性材料からなる基板と、
前記基板の上に形成された磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化され易い磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化され易い磁気異方性を示す磁気記録層と
を有する磁気記録媒体。
【請求項２】
非磁性材料からなる基板と、
前記基板の上に配置され、結晶構造が六方最密構造の磁性材料を含む磁気記録層であって、データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内においては、該磁気記録層内の磁性材料のｃ軸が基板面に垂直な方向に優先的に配向し、該ガードバンド領域内においては、ｃ軸が基板面に平行な方向に優先的に配向している磁気記録層と
を有する磁気記録媒体。
【請求項３】
データが記録される複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定されており、該トラック領域内の磁気記録層は、面内方向よりも垂直方向に磁化されやすい磁気異方性を示し、該ガードバンド領域内の磁気記録層は、垂直方向よりも面内方向に磁化されやすい磁気異方性を示す磁気記録媒体を準備する工程と、
前記磁気記録層を形成する磁性材料の保磁力よりも大きく、かつ該磁気記録層に対して垂直方向を向く磁界を印加することにより、該磁気記録層を磁気的に初期化する工程と
を有する磁気記録媒体の初期化方法。
【請求項４】
（ａ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の、該ガードバンド領域の上に、非磁性材料からなる下地層を形成する工程と、
（ｂ）前記下地層の間のトラック領域に、上面が前記下地層の上面よりも高くなるまで軟磁性材料を充填して軟磁性部材を形成工程と、
（ｃ）前記下地層及び軟磁性部材の上に、非磁性材料を堆積させて上層を形成する工程と、
（ｄ）前記トラック領域においては前記軟磁性部材が露出し、前記ガードバンド領域においては前記上層が残るように、表面の平坦化を行う工程と、
（ｅ）平坦化された表面上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、
（ｆ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
（ｐ）表面に、複数のトラック領域と、相互に隣り合うトラック領域の間に配置されたガードバンド領域とが画定された基板の上に、非磁性材料からなるガードバンド用下側配向制御層を形成する工程と、
（ｑ）前記トラック領域に、少なくとも前記ガードバンド用下側配向制御層の底面まで達する溝を形成する工程と、
（ｒ）前記溝に軟磁性材料を充填し、トラック用下側配向制御層を形成する工程と、
（ｓ）前記ガードバンド用下側配向制御層及び前記トラック用下側配向制御層の上に、非磁性材料からなる上側配向制御層を形成する工程と、
（ｔ）前記上側配向制御層の上に、磁性材料を含む磁気記録層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２（Ａ）】
【図２（Ｂ）】
【図２（Ｃ）】
【図２（Ｄ）】
【図３（Ａ）】
【図３（Ｂ）】
【図４（Ａ）】
【図４（Ｂ）】
【図４（Ｃ）】
【図５】
【図６（Ａ）】
【図６（Ｂ）】
【図６（Ｃ）】
【図６（Ｄ）】
【図６（Ｅ）】
【図６（Ｆ）】
【図７】
【図８（Ａ）】
【図８（Ｂ）】
【図８（Ｃ）】
【図２（Ａ）】
【図２（Ｂ）】
【図２（Ｃ）】
【図２（Ｄ）】
【図３（Ａ）】
【図３（Ｂ）】
【図４（Ａ）】
【図４（Ｂ）】
【図４（Ｃ）】
【図５】
【図６（Ａ）】
【図６（Ｂ）】
【図６（Ｃ）】
【図６（Ｄ）】
【図６（Ｅ）】
【図６（Ｆ）】
【図７】
【図８（Ａ）】
【図８（Ｂ）】
【図８（Ｃ）】
【公開番号】特開２００６−２１６１４４（Ｐ２００６−２１６１４４Ａ）
【公開日】平成１８年８月１７日（２００６．８．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２６９６９（Ｐ２００５−２６９６９）
【出願日】平成１７年２月２日（２００５．２．２）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月１７日（２００６．８．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月２日（２００５．２．２）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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