磁気記録媒体の製造方法
【課題】磁気記録媒体を製造する場合に、量産性を損なうことなく、温度分布の偏りに起因する磁気特性のばらつきを抑える。
【解決手段】基板１２と、磁気記録を行うために基板上に成膜された磁性層とを少なくとも備える磁気記録媒体の製造方法において、磁性層を成膜する前、途中あるいは成膜後に基板１２の両主表面を加熱する加熱工程を備え、加熱工程は、基板１２の一方の主表面と対向する面内に所定の配列で配置されたヒータ３０４Ａを有する第１加熱部３０２Ａと、基板１２の他方の主表面と対向する面内に第１加熱部３０２Ａと異なる配列で配置されたヒータ３０４Ｂを有する第２加熱部３０２Ｂとを備える加熱装置２０２を用いて基板を加熱する。
【解決手段】基板１２と、磁気記録を行うために基板上に成膜された磁性層とを少なくとも備える磁気記録媒体の製造方法において、磁性層を成膜する前、途中あるいは成膜後に基板１２の両主表面を加熱する加熱工程を備え、加熱工程は、基板１２の一方の主表面と対向する面内に所定の配列で配置されたヒータ３０４Ａを有する第１加熱部３０２Ａと、基板１２の他方の主表面と対向する面内に第１加熱部３０２Ａと異なる配列で配置されたヒータ３０４Ｂを有する第２加熱部３０２Ｂとを備える加熱装置２０２を用いて基板を加熱する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＨＤＤ用長手磁気記録媒体等の磁気記録媒体は、ガラス基板や金属基板などの非磁性の基板の主表面上に少なくとも磁性層、保護層、及び潤滑層がこの順に積層された構造になっている。これらの層（薄膜）は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などにより形成される。これらの層の成膜前又は成膜の途中の工程においては、所望の磁気特性を得るために、ヒータによる基板加熱が行われる。
【０００３】
また、近年、磁気記録媒体として、外径寸法が３．５インチや３．０インチから２．５インチ、更には、１．０インチ以下のものが採用されるようになっている。このような磁気記録媒体のうち、外径寸法が比較的小径のものを製造する場合、上記の層の成膜を複数の基板に対して同時に行うことが検討されている。また、このために、複数の基板を保持する基板ホルダを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−１１６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の基板加熱を行う場合に、基板を所望の温度に加熱できないと、所望の磁気特性が得られないこととなる。そのため、例えば、各基板の面内に温度分布の偏りが生じた場合、基板の面内の位置によって磁気特性がばらつくこととなる。
【０００５】
また、例えば複数の基板を保持する基板ホルダを用いた場合、基板加熱を複数の基板に対して一括して行うこととなる。この場合、基板ホルダ上の基板位置により、温度分布の偏りが生じるおそれがある。そのため、この温度分布に起因して、基板個々の磁気特性にばらつきが発生するおそれがある。
【０００６】
ここで、この問題点の解決策としては、例えば、スループットを落として基板加熱の時間を長くし、基板の温度分布の偏りを抑える方法も考えられる。しかし、この方法を用いた場合、量産性が大きく損なわれてしまうこととなる。本発明では、量産性を損なうことなく上記の課題を解決できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）基板と、磁気記録を行うために基板上に成膜された磁性層とを少なくとも備える磁気記録媒体の製造方法において、磁性層を成膜する前、途中あるいは成膜後に基板の両主表面を加熱する加熱工程を備え、加熱工程は、基板の一方の主表面と対向する面内に所定の配列で配置されたヒータを有する第１加熱部と、基板の他方の主表面と対向する面内に第１加熱部と異なる配列で配置されたヒータを有する第２加熱部とを備える加熱装置を用いて基板を加熱する。加熱工程は、例えば、下地層、磁性層、又は磁性層上に形成される層（保護層等）の特性を制御するために、基板を加熱する。
【０００８】
このようにした場合、第１加熱部及び第２加熱部は、基板の表面側及び裏面側のそれぞれにおいて、異なる分布で熱を発生する。そのため、基板が受ける熱の分布が平均化され、温度分布の偏りが生じにくい。従って、このようにすれば、磁気特性のばらつきを適切に抑えることができる。また、両主表面から基板を加熱することにより、短時間で適切に基板を加熱できる。そのため、量産性を損なうことなく、温度分布の偏りに起因する磁気特性のばらつきを抑えることができる。また、例えば複数の基板を同時に加熱する場合も、同様に、各基板の位置による温度分布の偏りに起因する磁気特性のばらつきを抑えることができる。更に、例えば、磁性層を成膜後にその上に成膜する保護層についても、温度分布の偏りに起因する硬さや密度等の膜質の基板間及び基板内のばらつきを抑制できる。尚、磁気記録媒体は、例えば、長手磁気記録方式用の磁気ディスクである。この場合、加熱工程は、例えば、磁性層の成膜前に基板の両主表面を加熱する。加熱工程は、磁性層の成膜前から成膜後までの期間、基板の両主表面を加熱してもよい。
【０００９】
また、この磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式用の磁気ディスクであってもよい。この場合、磁気記録媒体は、磁性層として、例えば、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）及び垂直磁気記録層を備える。加熱工程は、例えば、軟磁性裏打ち層の成膜途中に、基板の両主表面を加熱する。加熱工程は、垂直磁気記録層の成膜途中に、基板の両主表面を加熱してもよい。軟磁性裏打ち層の成膜前から垂直磁気記録層の成膜後までの期間、基板の両主表面を加熱してもよい。また、垂直磁気記録層は、例えば、グラニュラー構造に形成される。垂直磁気記録層をグラニュラー構造とした場合、磁性粒子を微細化する必要がある。この場合、構成１のようにすれば、垂直磁気記録層を安定して形成することができるため、結晶粒径に対して高い精度を実現できる。そのため、磁気特性のばらつきを適切に抑えることができる。また、基板と磁性層との間に形成される軟磁性裏打ち層の磁化容易軸制御のための加熱処理においても、軟磁性裏打ち層を均一な温度に保てることにより、基板間及び基板内の磁区制御のばらつきを抑えることができる。
【００１０】
（構成２）加熱工程は、複数の基板を保持する基板ホルダを用いて、複数の基板を同時に加熱する。このようにすれば、基板ホルダ上の基板位置による温度分布の偏りが生じにくくなる。そのため、基板個々の磁気特性のばらつきを抑えることができる。
【００１１】
（構成３）第１加熱部は、基板の主表面と平行な第１の方向に延伸する複数のヒータを有し、第２加熱部は、基板の主表面と平行、かつ第１の方向と垂直な第２の方向に延伸する複数のヒータを有する。
【００１２】
このようにすれば、基板の表面側及び裏面側に、異なる配列のヒータを適切に設けることができる。第１加熱部の各ヒータ、及び第２加熱部の各ヒータは、ヒータ毎に個別（独立）に出力制御可能であることが望ましい。このようにすれば、基板表面の温度分布を高い精度で調整できる。
【００１３】
（構成４）磁性層は、インライン型の成膜装置で成膜され、加熱装置は、成膜装置内の加熱室に設けられており、第１の方向は、加熱室内で基板が運搬される移動方向であり、第１加熱部は、当該移動方向に並べられた、当該移動方向と垂直な方向に延伸する複数のヒータを有し、第２加熱部は、当該移動方向と垂直な方向に並べられた、当該移動方向に延伸する複数のヒータを有し、加熱工程は、第１加熱部の複数のヒータを同じ出力に制御し、第２加熱部の複数のヒータを、並びの中央のヒータに比べて外側のヒータの出力が大きくなるように制御する。
【００１４】
このようにした場合、加熱室内において、基板は、第１加熱部の各ヒータを順次横切るように運搬される。この場合、ヒータの延伸する方向と基板の移動方向とが垂直になるため、移動方向について温度分布の偏りは生じにくい。
【００１５】
しかし、例えば上記の第１加熱部のみを設けた場合を考えると、移動方向と垂直な方向については、ヒータの形状等の影響により、温度分布が生じるおそれがある。例えば、基板において、各ヒータの中央付近を横切る部分と比べ、ヒータの両端付近を横切る部分の温度が低くなるおそれがある。これに対し、構成４のようにすれば、基板表面における温度分布のばらつきを適切に抑えることができる。
【００１６】
（構成５）磁性層は、静止対向型の成膜装置で成膜され、第１加熱部のヒータ、及び第２加熱部のヒータは、共通の一定の間隔で並べられており、加熱工程は、第１加熱部において隣接する２つのヒータ、及び第２加熱部において隣接する２つのヒータに囲まれる正方形領域の頂点又は中心と基板の中心とが重なるように基板を保持して、基板を加熱する。
【００１７】
このようにすれば、基板の面内における温度分布の偏りが生じにくくなる。また、これにより、磁気特性を基板の面内で均一化できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、磁気記録媒体を製造する場合に、量産性を損なうことなく、温度分布の偏りに起因する磁気特性のばらつきを抑えることができる。また、磁性層を成膜後にその上に成膜する保護層についても、温度分布の偏りに起因する硬さや密度等の膜質の基板間及び基板内のばらつきを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体１０の構成の一例を示す。図１（ａ）は、磁気記録媒体１０を示す平面図である。図１（ｂ）は、磁気記録媒体１０の概略断面図である。磁気記録媒体１０は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）用の磁気ディスクであり、非磁性の基板１２の主表面上に第１の下地層１４、第２の下地層１６、磁性層１８、保護層２０、及び潤滑層２２をこの順に積層した構造を有している。尚、磁気記録媒体１０は、上記以外の層を更に備えてもよい。また、例えば複数の磁性層１８を備えてもよい。更に多くの下地層を備えてもよい。
【００２０】
基板１２は、中心穴を有する円形の基板であり、例えば、アルミノシリケートガラス等の化学強化ガラスからなる。また、基板１２は、外径が３．５インチ径以下（例えば、３．５、３．０、２．５、１．８、１．０、０．８５インチ径）の小径基板である。
【００２１】
下地層１４、１６は、磁性層１８の結晶構造を制御するための層である。磁性層１８は、磁気記録を行うための層である。下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８は、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法などの物理気相成長法により、基板１２の主表面上に順次成膜される。保護層２０は、耐摩耗性を向上させて磁性層１８を保護するための層である。保護層２０は、例えばアモルファスのダイヤモンドライクカーボンからなり、磁性層１８上に、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法あるいはプラズマＣＶＤ法で成膜される。潤滑層２２は、磁気記録媒体１０と磁気ヘッドとが接触した場合の衝撃を緩和するための層である。保護層２０は、例えばパーフルオロポリエーテルの層であり、ディップ法やスピンコート法あるいは真空蒸着法で形成される。
【００２２】
図２は、磁気記録媒体１０の各層の成膜方法を説明する図である。図２（ａ）は、各層を成膜するための成膜装置１００の構成の第１の例を示す。成膜装置１００は、基板１２を直線搬送しつつ成膜を行うインライン型の成膜装置であり、仕込室１０２、加熱室１０４、反応室１０６、カーボンスパッタ室１０８、及び取出室１１０を備える。
【００２３】
仕込室１０２は、基板ホルダ５０に保持された基板１２を成膜装置１００に取り入れるためのチャンバである。仕込室１０２は、基板ホルダ５０が設置された後に真空排気される。加熱室１０４は、各層の成膜前の加熱工程を行うためのチャンバである。本例において、加熱室１０４には、基板１２の両主表面を加熱するための加熱装置２０２が設けられている。
【００２４】
反応室１０６は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で磁気記録媒体１０の各層を成膜するためのチャンバである。本例において、反応室１０６には、下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８のそれぞれに対応するターゲット２０４Ａ〜Ｃが設けられている。これにより、基板１２が反応室１０６内を搬送される間に、基板１２上に、下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８が順次成膜される。
【００２５】
カーボンスパッタ室１０８は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で保護層２０を成膜するためのチャンバである。取出室１１０は、各層が成膜された後の基板１２を大気中に取り出すためのチャンバである。尚、潤滑層２２は、例えばカーボンスパッタ室１０８又は取出室１１０内等の成膜装置１００内で形成されてもよく、成膜装置１００から基板１２を取り出した後に形成されてもよい。以上のようにすれば、磁気記録媒体１０を適切に形成できる。
【００２６】
図２（ｂ）は、成膜時に基板１２を保持するための基板ホルダ５０の一例を示す。本例において、基板ホルダ５０は、各行１０枚づつ計５行（Ｒ１〜Ｒ５）に並べた基板１２を保持する四角板状体である。これにより、基板ホルダ５０は、全５０枚の２．５インチ径の基板１２を同時に保持する。そのため、成膜装置１００は、５０枚の基板１２に対して同時に成膜を行う。また、成膜装置１００に設けられた加熱装置２０２は、５０枚の基板１２を同時に加熱する。尚、必要な品質と量産性とを両立させる観点等から、基板ホルダ５０は、例えば１０〜２００個、より好ましくは５０〜１００個の基板１２を同時に保持することが好ましい。
【００２７】
図３は、加熱装置２０２の構成の一例を示す。図３（ａ）は、加熱装置２０２の上面図である。この上面図は、基板１２の主表面と平行かつ成膜装置１００での基板ホルダ５０の移動方向と垂直な方向から見た加熱装置２０２を示す。図３（ｂ）は、加熱装置２０２を構成する第１加熱部３０２Ａ及び第２加熱部３０２Ｂの構成を示す正面図である。この正面図は、第１加熱部３０２Ａ及び第２加熱部３０２Ｂにおいて基板１２の主表面と対向する面を示す。
【００２８】
第１加熱部３０２Ａは、基板１２の一方の主表面（表面）と対向する側に設けられており、基板ホルダ５０の移動方向と垂直な方向（以下、Ｖ方向という）に延伸する複数のヒータ３０４Ａを有する。これらのヒータ３０４Ａは、基板１２の表面と対向する面内において、基板ホルダ５０の移動方向（以下、Ｈ方向という）に並べられている。尚、このＨ方向は、加熱室１０４（図２参照）内で基板１２が運搬される移動方向である。
【００２９】
第２加熱部３０２Ｂは、基板１２の他方の主表面（裏面）と対向する側に設けられており、Ｈ方向に延伸する複数のヒータ３０４Ｂを有する。これらのヒータ３０４Ｂは、基板１２の裏面と対向する面内において、Ｖ方向に並べられている。尚、以下の説明において、並べられたヒータ３０４Ｂのそれぞれを、図の上側から順にＨ１〜Ｈ７とする。
【００３０】
以上の構成により、基板ホルダ５０に保持された基板１２は、表裏で９０度角度を変えて配列されたヒータ３０４Ａ、３０４Ｂにより加熱される。そのため、各基板１２が受ける熱の分布は平均化され、温度分布の偏りが生じにくい。従って、このようにすれば、加熱後に成膜される磁性層１８（図１参照）の磁気特性のばらつきを適切に抑えることができる。
【００３１】
尚、本例において、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、個別に出力制御可能である。加熱工程において、第１加熱部３０２Ａのヒータ３０４Ａは、例えば、同じ出力に制御される。また、第２加熱部３０２Ｂのヒータ３０４Ｂは、並びの中央のヒータ３０４Ｂ（例えばＨ４等）に比べて外側のヒータ３０４Ｂ（例えばＨ１、Ｈ７等）の出力が大きくなるように制御される。このようにすれば、温度分布の偏りをより適切に抑えることができる。
【００３２】
また、第１加熱部３０２Ａのヒータ３０４Ａは、例えば、第２加熱部３０２Ｂの中央のヒータ３０４Ｂよりも高い出力に制御される。このようにすれば、第１加熱部３０２Ａのヒータ３０４Ａをメインのヒータとして用い、第２加熱部３０２Ｂのヒータ３０４Ｂを補助的なヒータとして用いることにより、温度分布の制御が行いやすくなる。
【００３３】
ここで、本発明を、実施例及び比較例を用いて更に詳しく説明する。
（実施例１）
５０枚の基板１２を装着した基板ホルダ５０を仕込室１０２に設置して、仕込室１０２を真空排気した後、基板ホルダ５０を加熱室１０４に移動させた。加熱室１０４において、等間隔に配置された６本のヒータ３０４Ａを有する第１加熱部３０２Ａ、及び等間隔に配置された７本のヒータ３０４Ｂを有する第２加熱部３０２Ｂを用いて加熱工程を行った。
【００３４】
【表１】
表１は、各ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの電圧設定値（最大設定値に対する割合、％）を示す。ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂとしては、同じランプヒータを用いた。ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの出力電圧の最大設定値は等しい。
【００３５】
実施例１においては、第１加熱部３０２Ａの全てのヒータ３０４Ａの電圧設定値を３５％とした。また、第２加熱部３０２Ｂのヒータ３０４Ｂのうち、並びの中央のヒータ３０４Ｂ（Ｈ３〜Ｈ５）電圧設定値を０％とし、その他のヒータ３０４Ｂ（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ６、Ｈ７）の電圧設定値を１５％とした。
【００３６】
加熱工程を行った後、反応室１０６において、基板１２の主表面上に、ＮｉＡｌ層、ＣｒＷ層、ＮｉＡｌ層、ＣｒＶ層、ＣｏＣｒ層、ＣｏＣｒＰｔＴａ層、ＣｏＣｒＰｔＢ層、及びＣｏＣｒＰｔＴａＢ層を順次成膜した。これらの層のうち、ＮｉＡｌ層、ＣｒＷ層、ＮｉＡｌ層、及びＣｒＶ層は、下地層１４、１６（図１参照）に相当する層である。また、ＣｏＣｒ層、ＣｏＣｒＰｔＴａ層、ＣｏＣｒＰｔＢ層、及びＣｏＣｒＰｔＴａＢ層は磁性層１８（図１参照）に相当する層である。
【００３７】
続いて、カーボンスパッタ室１０８において、保護層２０となるＣ層（炭素層）を更に成膜した。また、潤滑層２２を更に形成した。以上の工程により、実施例１に係る磁気記録媒体を作製した。
【００３８】
（比較例２、３）
加熱工程における各ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの電圧設定値以外は実施例１と同様にして、比較例２、３に係る磁気記録媒体を作製した。比較例１においては、第１加熱部３０２Ａの全てのヒータ３０４Ａの電圧設定値を３５％とした。また、第２加熱部３０２Ｂの全てのヒータ３０４Ｂの電圧設定値を０％とした。これにより、比較例１においては、Ｖ方向に延伸するヒータ３０４Ａのみを用いて、基板１２を片面から加熱した。
【００３９】
また、比較例２においては、第１加熱部３０２Ａの全てのヒータ３０４Ａの電圧設定値を０％とした。また、第２加熱部３０２Ｂの全てのヒータ３０４Ｂの電圧設定値を１５％とした。これにより、比較例２においては、Ｈ方向に延伸するヒータ３０４Ｂのみを用いて、基板１２を片面から加熱した。
【００４０】
図４は、実施例１、及び比較例１、２の評価結果を示すグラフである。実施例１、及び比較例１、２について、基板ホルダ５０の各行（Ｒ１〜Ｒ５）毎に、行の中心に保持されていた２枚の磁気記録媒体に対して、磁気特性である媒体保磁力Ｈｒを測定した。そして、各行（Ｒ１〜Ｒ５）について、２枚の磁気記録媒体１０の測定結果の平均値を、その行の測定値とした。尚、グラフにおいては、実施例１、及び比較例１、２のそれぞれについて、全ての行の測定値の平均値を基準として、各行での値を相対値（％）にて示してある。
【００４１】
Ｖ方向又はＨ方向のヒータのみを用いた比較例１、２では、基板ホルダ５０の最下部Ｒ１、及び最上部Ｒ５での値が、中央部に比べて小さくなっている。また、磁気特性のばらつきは、平均値±３〜４％になった。一方、Ｖ方向のヒータ、及びＨ方向のヒータの両方を用いた実施例１では、各行（Ｒ１〜Ｒ５）での磁気特性のばらつきは、平均値±０．７％以下になった。このように、実施例１では、基板ホルダ５０での基板位置の違いによる磁気特性のばらつきが解消されていた。
【００４２】
図５は、成膜装置１００の構成の第２の例を示す。本例において、成膜装置１００は、基板１２を回転搬送しつつ成膜を行う静止対向型のスパッタリング成膜装置であり、加熱室１０４、及び反応室１０６を備える。また、基板１２（図１参照）は、円板状の基板ホルダ５０に保持されている。
【００４３】
加熱室１０４は、各層の成膜前の加熱工程を行うためのチャンバである。本例において、加熱室１０４には、基板１２の両主表面を加熱するための加熱装置２０２が設けられている。反応室１０６は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で磁気記録媒体１０の各層を成膜するためのチャンバである。本例において、反応室１０６には、下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８のそれぞれに対応するターゲット２０４Ａ〜Ｃが設けられている。これにより、基板１２が反応室１０６内を搬送される間に、基板１２上に、下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８が順次形成される。尚、本例において、保護層２０及び潤滑層２２（図１）は、成膜装置１００での成膜の後に別途成膜される。以上のようにすれば、磁気記録媒体１０を適切に形成できる。
【００４４】
図６は、加熱工程を説明する図である。図６（ａ）は、基板ホルダ５０の構成の一例を示す。本例において、基板ホルダ５０は、一枚の基板１２を保持する。そのため、成膜装置１００（図５参照）は、一枚の基板１２毎に、加熱工程を行う。また、一枚の基板１２毎に、各ターゲット２０４Ａ〜Ｃと対向するように基板１２を静止配置させて、各層の成膜プロセスを行う。この場合は、基板ホルダ５０は、常時成膜装置の中を循環し、真空中の基板交換室において基板の装着、交換を行うことにより、特性の安定した量産が可能となる。
【００４５】
図６（ｂ）は、加熱装置２０２の構成の一例を示す。尚、本図においては、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂと基板１２との位置関係を分かりやすく示すため、第１加熱部３０２Ａ及び第２加熱部３０２Ｂにおけるヒータ３０４Ａ、３０４Ｂ以外の構成要素は省略している。
【００４６】
本例において、第１加熱部３０２Ａは、基板１２の一方の主表面（表面）と対向する側に設けられており、所定の方向に延伸する複数のヒータ３０４Ａを有する。これらのヒータ３０４Ａは、基板１２の表面と対向する面内において、一定の間隔で並べられている。第２加熱部３０２Ｂは、基板１２の他方の主表面（裏面）と対向する側に設けられており、ヒータ３０４Ａと直行する方向に延伸する複数のヒータ３０４Ｂを有する。これらのヒータ３０４Ｂは、基板１２の裏面と対向する面内において、ヒータ３０４Ａと同じ間隔で並べられている。これにより、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、基板１２の表面及び裏面にマトリクス状に配列される。この場合も、基板１２の面内における温度分布の偏りが生じにくくなる。また、これにより、磁気特性を基板１２の面内で均一化できる。
【００４７】
尚、基板ホルダ５０は、例えば、第１加熱部３０２Ａのヒータ３０４Ａと第２加熱部３０２Ｂのヒータ３０４Ｂとが交差する位置と基板１２の中心とが重なるように、基板１２を保持する。また、本例のように、ヒータ３０４Ａの間隔とヒータ３０４Ｂの間隔とが等しい場合、基板ホルダ５０は、隣接する２つのヒータ３０４Ａ、及び隣接する２つのヒータ３０４Ｂに囲まれる正方形領域の頂点と基板１２の中心とが重なるように、基板１２を保持する。このようにすれば、温度分布の偏りをより適切に抑えることができる。基板ホルダ５０は、上記正方形領域の中心と基板１２の中心とが重なるように基板１２を保持してもよい。
【００４８】
また、本例においても、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、個別に出力制御可能であることが好ましい。このようにすれば、基板１２の面内の磁気特性を更に均一にできる。ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの制御方法としては、例えば、基板１２の中心で交差するヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの出力を、他のヒータ３０４Ａ、３０４Ｂよりも低くする方法が考えられる。このように、ヒータの出力比を変更することにより、基板面内の温度分布を制御できる。
【００４９】
また、この場合、基板１２は周辺領域からゆっくりと加熱されることとなるため、温度分布の均一性をより高めることができる。尚、ヒータの制御方法は、適宜変更可能である。例えば、上記と出力の高低を反対にして、基板１２の中心で交差するヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの出力を、他のヒータ３０４Ａ、３０４Ｂよりも高くする方法も考えられる。いずれにしても、各ヒータの出力（温度）を適宜制御することで、基板両面における面内の温度分布の偏りを抑制することができ、磁気特性を基板１２の面内で均一化できる。
【００５０】
図７は、基板ホルダ５０及び加熱装置２０２の変形例を示す。図７（ａ）は、４枚の基板１２を保持する基板ホルダ５０の構成を示す。この基板ホルダ５０は、４枚の基板１２を円周方向に並べて保持する。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示した基板ホルダ５０を用いる場合の加熱装置２０２の構成の一例を示す。本例においても、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、各基板１２の表面及び裏面にマトリクス状に配列される。また、基板ホルダ５０は、各基板１２の中心上でヒータ３０４Ａとヒータ３０４Ｂとが交差するように、各基板１２を保持している。そのため、本例においても、温度分布の偏りを適切に抑えることができる。また、これにより、基板間及び基板内の磁気特性、及び磁性層上の保護層の膜質を均一化できる。
【００５１】
図７（ｃ）は、５枚の基板１２を保持する基板ホルダ５０の構成を示す。この基板ホルダ５０は、四角板状であり、四角形の中心、及び中心と各頂点を結ぶ各対角線上にそれぞれ基板１２を保持する。図７（ｄ）は、図７（ｃ）に示した基板ホルダ５０を用いる場合の加熱装置２０２の構成の一例を示す。本例においても、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、各基板１２の表面及び裏面にマトリクス状に配列される。また、基板ホルダ５０は、各基板１２の中心上でヒータ３０４Ａとヒータ３０４Ｂとが交差するように、各基板１２を保持している。そのため、本例においても、温度分布の偏りを適切に抑えることができる。また、これにより、磁気特性を均一化できる。
【００５２】
尚、図７を用いて説明した構成において、基板１２は、例えば１．０インチ径以下等の小径基板である。また、これらの構成においても、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、個別に出力制御可能であることが好ましい。このようにすれば、各基板１２の面内の磁気特性をより均一に制御できる。
【００５３】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、例えば、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）用の磁気ディスク等の磁気記録媒体に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体１０の構成の一例を示す図である。 図１（ａ）は、磁気記録媒体１０を示す平面図である。 図１（ｂ）は、磁気記録媒体１０の概略断面図である。
【図２】磁気記録媒体１０の各層の成膜方法を説明する図である。 図２（ａ）は、各層を成膜するための成膜装置１００の構成の第１の例を示す。 図２（ｂ）は、成膜時に基板１２を保持するための基板ホルダ５０の一例を示す。
【図３】加熱装置２０２の構成の一例を示す図である。 図３（ａ）は、加熱装置２０２の上面図である。 図３（ｂ）は、加熱装置２０２を構成する第１加熱部３０２Ａ及び第２加熱部３０２Ｂの構成を示す正面図である。
【図４】実施例１、及び比較例１、２の評価結果を示すグラフである。
【図５】成膜装置１００の構成の第２の例を示す。
【図６】加熱工程を説明する図である。 図６（ａ）は、基板ホルダ５０の構成の一例を示す。 図６（ｂ）は、加熱装置２０２の構成の一例を示す。
【図７】基板ホルダ５０及び加熱装置２０２の変形例を示す図である。 図７（ａ）は、４枚の基板１２を保持する基板ホルダ５０の構成を示す。 図７（ｂ）は、図７（ａ）に示した基板ホルダ５０を用いる場合の加熱装置２０２の構成の一例を示す。 図７（ｃ）は、５枚の基板１２を保持する基板ホルダ５０の構成を示す。 図７（ｄ）は、図７（ｃ）に示した基板ホルダ５０を用いる場合の加熱装置２０２の構成の一例を示す。
【符号の説明】
【００５６】
１０・・・磁気記録媒体、１２・・・基板、１４・・・下地層、１６・・・下地層、１８・・・磁性層、２０・・・保護層、２２・・・潤滑層、５０・・・基板ホルダ、１００・・・成膜装置、１０２・・・仕込室、１０４・・・加熱室、１０６・・・反応室、１０８・・・カーボンスパッタ室、１１０・・・取出室、２０２・・・加熱装置、２０４Ａ、Ｂ、Ｃ・・・ターゲット、３０２Ａ・・・第１加熱部、３０２Ｂ・・・第２加熱部、３０４Ａ、Ｂ・・・ヒータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＨＤＤ用長手磁気記録媒体等の磁気記録媒体は、ガラス基板や金属基板などの非磁性の基板の主表面上に少なくとも磁性層、保護層、及び潤滑層がこの順に積層された構造になっている。これらの層（薄膜）は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などにより形成される。これらの層の成膜前又は成膜の途中の工程においては、所望の磁気特性を得るために、ヒータによる基板加熱が行われる。
【０００３】
また、近年、磁気記録媒体として、外径寸法が３．５インチや３．０インチから２．５インチ、更には、１．０インチ以下のものが採用されるようになっている。このような磁気記録媒体のうち、外径寸法が比較的小径のものを製造する場合、上記の層の成膜を複数の基板に対して同時に行うことが検討されている。また、このために、複数の基板を保持する基板ホルダを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−１１６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の基板加熱を行う場合に、基板を所望の温度に加熱できないと、所望の磁気特性が得られないこととなる。そのため、例えば、各基板の面内に温度分布の偏りが生じた場合、基板の面内の位置によって磁気特性がばらつくこととなる。
【０００５】
また、例えば複数の基板を保持する基板ホルダを用いた場合、基板加熱を複数の基板に対して一括して行うこととなる。この場合、基板ホルダ上の基板位置により、温度分布の偏りが生じるおそれがある。そのため、この温度分布に起因して、基板個々の磁気特性にばらつきが発生するおそれがある。
【０００６】
ここで、この問題点の解決策としては、例えば、スループットを落として基板加熱の時間を長くし、基板の温度分布の偏りを抑える方法も考えられる。しかし、この方法を用いた場合、量産性が大きく損なわれてしまうこととなる。本発明では、量産性を損なうことなく上記の課題を解決できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）基板と、磁気記録を行うために基板上に成膜された磁性層とを少なくとも備える磁気記録媒体の製造方法において、磁性層を成膜する前、途中あるいは成膜後に基板の両主表面を加熱する加熱工程を備え、加熱工程は、基板の一方の主表面と対向する面内に所定の配列で配置されたヒータを有する第１加熱部と、基板の他方の主表面と対向する面内に第１加熱部と異なる配列で配置されたヒータを有する第２加熱部とを備える加熱装置を用いて基板を加熱する。加熱工程は、例えば、下地層、磁性層、又は磁性層上に形成される層（保護層等）の特性を制御するために、基板を加熱する。
【０００８】
このようにした場合、第１加熱部及び第２加熱部は、基板の表面側及び裏面側のそれぞれにおいて、異なる分布で熱を発生する。そのため、基板が受ける熱の分布が平均化され、温度分布の偏りが生じにくい。従って、このようにすれば、磁気特性のばらつきを適切に抑えることができる。また、両主表面から基板を加熱することにより、短時間で適切に基板を加熱できる。そのため、量産性を損なうことなく、温度分布の偏りに起因する磁気特性のばらつきを抑えることができる。また、例えば複数の基板を同時に加熱する場合も、同様に、各基板の位置による温度分布の偏りに起因する磁気特性のばらつきを抑えることができる。更に、例えば、磁性層を成膜後にその上に成膜する保護層についても、温度分布の偏りに起因する硬さや密度等の膜質の基板間及び基板内のばらつきを抑制できる。尚、磁気記録媒体は、例えば、長手磁気記録方式用の磁気ディスクである。この場合、加熱工程は、例えば、磁性層の成膜前に基板の両主表面を加熱する。加熱工程は、磁性層の成膜前から成膜後までの期間、基板の両主表面を加熱してもよい。
【０００９】
また、この磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式用の磁気ディスクであってもよい。この場合、磁気記録媒体は、磁性層として、例えば、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）及び垂直磁気記録層を備える。加熱工程は、例えば、軟磁性裏打ち層の成膜途中に、基板の両主表面を加熱する。加熱工程は、垂直磁気記録層の成膜途中に、基板の両主表面を加熱してもよい。軟磁性裏打ち層の成膜前から垂直磁気記録層の成膜後までの期間、基板の両主表面を加熱してもよい。また、垂直磁気記録層は、例えば、グラニュラー構造に形成される。垂直磁気記録層をグラニュラー構造とした場合、磁性粒子を微細化する必要がある。この場合、構成１のようにすれば、垂直磁気記録層を安定して形成することができるため、結晶粒径に対して高い精度を実現できる。そのため、磁気特性のばらつきを適切に抑えることができる。また、基板と磁性層との間に形成される軟磁性裏打ち層の磁化容易軸制御のための加熱処理においても、軟磁性裏打ち層を均一な温度に保てることにより、基板間及び基板内の磁区制御のばらつきを抑えることができる。
【００１０】
（構成２）加熱工程は、複数の基板を保持する基板ホルダを用いて、複数の基板を同時に加熱する。このようにすれば、基板ホルダ上の基板位置による温度分布の偏りが生じにくくなる。そのため、基板個々の磁気特性のばらつきを抑えることができる。
【００１１】
（構成３）第１加熱部は、基板の主表面と平行な第１の方向に延伸する複数のヒータを有し、第２加熱部は、基板の主表面と平行、かつ第１の方向と垂直な第２の方向に延伸する複数のヒータを有する。
【００１２】
このようにすれば、基板の表面側及び裏面側に、異なる配列のヒータを適切に設けることができる。第１加熱部の各ヒータ、及び第２加熱部の各ヒータは、ヒータ毎に個別（独立）に出力制御可能であることが望ましい。このようにすれば、基板表面の温度分布を高い精度で調整できる。
【００１３】
（構成４）磁性層は、インライン型の成膜装置で成膜され、加熱装置は、成膜装置内の加熱室に設けられており、第１の方向は、加熱室内で基板が運搬される移動方向であり、第１加熱部は、当該移動方向に並べられた、当該移動方向と垂直な方向に延伸する複数のヒータを有し、第２加熱部は、当該移動方向と垂直な方向に並べられた、当該移動方向に延伸する複数のヒータを有し、加熱工程は、第１加熱部の複数のヒータを同じ出力に制御し、第２加熱部の複数のヒータを、並びの中央のヒータに比べて外側のヒータの出力が大きくなるように制御する。
【００１４】
このようにした場合、加熱室内において、基板は、第１加熱部の各ヒータを順次横切るように運搬される。この場合、ヒータの延伸する方向と基板の移動方向とが垂直になるため、移動方向について温度分布の偏りは生じにくい。
【００１５】
しかし、例えば上記の第１加熱部のみを設けた場合を考えると、移動方向と垂直な方向については、ヒータの形状等の影響により、温度分布が生じるおそれがある。例えば、基板において、各ヒータの中央付近を横切る部分と比べ、ヒータの両端付近を横切る部分の温度が低くなるおそれがある。これに対し、構成４のようにすれば、基板表面における温度分布のばらつきを適切に抑えることができる。
【００１６】
（構成５）磁性層は、静止対向型の成膜装置で成膜され、第１加熱部のヒータ、及び第２加熱部のヒータは、共通の一定の間隔で並べられており、加熱工程は、第１加熱部において隣接する２つのヒータ、及び第２加熱部において隣接する２つのヒータに囲まれる正方形領域の頂点又は中心と基板の中心とが重なるように基板を保持して、基板を加熱する。
【００１７】
このようにすれば、基板の面内における温度分布の偏りが生じにくくなる。また、これにより、磁気特性を基板の面内で均一化できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、磁気記録媒体を製造する場合に、量産性を損なうことなく、温度分布の偏りに起因する磁気特性のばらつきを抑えることができる。また、磁性層を成膜後にその上に成膜する保護層についても、温度分布の偏りに起因する硬さや密度等の膜質の基板間及び基板内のばらつきを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体１０の構成の一例を示す。図１（ａ）は、磁気記録媒体１０を示す平面図である。図１（ｂ）は、磁気記録媒体１０の概略断面図である。磁気記録媒体１０は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）用の磁気ディスクであり、非磁性の基板１２の主表面上に第１の下地層１４、第２の下地層１６、磁性層１８、保護層２０、及び潤滑層２２をこの順に積層した構造を有している。尚、磁気記録媒体１０は、上記以外の層を更に備えてもよい。また、例えば複数の磁性層１８を備えてもよい。更に多くの下地層を備えてもよい。
【００２０】
基板１２は、中心穴を有する円形の基板であり、例えば、アルミノシリケートガラス等の化学強化ガラスからなる。また、基板１２は、外径が３．５インチ径以下（例えば、３．５、３．０、２．５、１．８、１．０、０．８５インチ径）の小径基板である。
【００２１】
下地層１４、１６は、磁性層１８の結晶構造を制御するための層である。磁性層１８は、磁気記録を行うための層である。下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８は、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法などの物理気相成長法により、基板１２の主表面上に順次成膜される。保護層２０は、耐摩耗性を向上させて磁性層１８を保護するための層である。保護層２０は、例えばアモルファスのダイヤモンドライクカーボンからなり、磁性層１８上に、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法あるいはプラズマＣＶＤ法で成膜される。潤滑層２２は、磁気記録媒体１０と磁気ヘッドとが接触した場合の衝撃を緩和するための層である。保護層２０は、例えばパーフルオロポリエーテルの層であり、ディップ法やスピンコート法あるいは真空蒸着法で形成される。
【００２２】
図２は、磁気記録媒体１０の各層の成膜方法を説明する図である。図２（ａ）は、各層を成膜するための成膜装置１００の構成の第１の例を示す。成膜装置１００は、基板１２を直線搬送しつつ成膜を行うインライン型の成膜装置であり、仕込室１０２、加熱室１０４、反応室１０６、カーボンスパッタ室１０８、及び取出室１１０を備える。
【００２３】
仕込室１０２は、基板ホルダ５０に保持された基板１２を成膜装置１００に取り入れるためのチャンバである。仕込室１０２は、基板ホルダ５０が設置された後に真空排気される。加熱室１０４は、各層の成膜前の加熱工程を行うためのチャンバである。本例において、加熱室１０４には、基板１２の両主表面を加熱するための加熱装置２０２が設けられている。
【００２４】
反応室１０６は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で磁気記録媒体１０の各層を成膜するためのチャンバである。本例において、反応室１０６には、下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８のそれぞれに対応するターゲット２０４Ａ〜Ｃが設けられている。これにより、基板１２が反応室１０６内を搬送される間に、基板１２上に、下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８が順次成膜される。
【００２５】
カーボンスパッタ室１０８は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で保護層２０を成膜するためのチャンバである。取出室１１０は、各層が成膜された後の基板１２を大気中に取り出すためのチャンバである。尚、潤滑層２２は、例えばカーボンスパッタ室１０８又は取出室１１０内等の成膜装置１００内で形成されてもよく、成膜装置１００から基板１２を取り出した後に形成されてもよい。以上のようにすれば、磁気記録媒体１０を適切に形成できる。
【００２６】
図２（ｂ）は、成膜時に基板１２を保持するための基板ホルダ５０の一例を示す。本例において、基板ホルダ５０は、各行１０枚づつ計５行（Ｒ１〜Ｒ５）に並べた基板１２を保持する四角板状体である。これにより、基板ホルダ５０は、全５０枚の２．５インチ径の基板１２を同時に保持する。そのため、成膜装置１００は、５０枚の基板１２に対して同時に成膜を行う。また、成膜装置１００に設けられた加熱装置２０２は、５０枚の基板１２を同時に加熱する。尚、必要な品質と量産性とを両立させる観点等から、基板ホルダ５０は、例えば１０〜２００個、より好ましくは５０〜１００個の基板１２を同時に保持することが好ましい。
【００２７】
図３は、加熱装置２０２の構成の一例を示す。図３（ａ）は、加熱装置２０２の上面図である。この上面図は、基板１２の主表面と平行かつ成膜装置１００での基板ホルダ５０の移動方向と垂直な方向から見た加熱装置２０２を示す。図３（ｂ）は、加熱装置２０２を構成する第１加熱部３０２Ａ及び第２加熱部３０２Ｂの構成を示す正面図である。この正面図は、第１加熱部３０２Ａ及び第２加熱部３０２Ｂにおいて基板１２の主表面と対向する面を示す。
【００２８】
第１加熱部３０２Ａは、基板１２の一方の主表面（表面）と対向する側に設けられており、基板ホルダ５０の移動方向と垂直な方向（以下、Ｖ方向という）に延伸する複数のヒータ３０４Ａを有する。これらのヒータ３０４Ａは、基板１２の表面と対向する面内において、基板ホルダ５０の移動方向（以下、Ｈ方向という）に並べられている。尚、このＨ方向は、加熱室１０４（図２参照）内で基板１２が運搬される移動方向である。
【００２９】
第２加熱部３０２Ｂは、基板１２の他方の主表面（裏面）と対向する側に設けられており、Ｈ方向に延伸する複数のヒータ３０４Ｂを有する。これらのヒータ３０４Ｂは、基板１２の裏面と対向する面内において、Ｖ方向に並べられている。尚、以下の説明において、並べられたヒータ３０４Ｂのそれぞれを、図の上側から順にＨ１〜Ｈ７とする。
【００３０】
以上の構成により、基板ホルダ５０に保持された基板１２は、表裏で９０度角度を変えて配列されたヒータ３０４Ａ、３０４Ｂにより加熱される。そのため、各基板１２が受ける熱の分布は平均化され、温度分布の偏りが生じにくい。従って、このようにすれば、加熱後に成膜される磁性層１８（図１参照）の磁気特性のばらつきを適切に抑えることができる。
【００３１】
尚、本例において、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、個別に出力制御可能である。加熱工程において、第１加熱部３０２Ａのヒータ３０４Ａは、例えば、同じ出力に制御される。また、第２加熱部３０２Ｂのヒータ３０４Ｂは、並びの中央のヒータ３０４Ｂ（例えばＨ４等）に比べて外側のヒータ３０４Ｂ（例えばＨ１、Ｈ７等）の出力が大きくなるように制御される。このようにすれば、温度分布の偏りをより適切に抑えることができる。
【００３２】
また、第１加熱部３０２Ａのヒータ３０４Ａは、例えば、第２加熱部３０２Ｂの中央のヒータ３０４Ｂよりも高い出力に制御される。このようにすれば、第１加熱部３０２Ａのヒータ３０４Ａをメインのヒータとして用い、第２加熱部３０２Ｂのヒータ３０４Ｂを補助的なヒータとして用いることにより、温度分布の制御が行いやすくなる。
【００３３】
ここで、本発明を、実施例及び比較例を用いて更に詳しく説明する。
（実施例１）
５０枚の基板１２を装着した基板ホルダ５０を仕込室１０２に設置して、仕込室１０２を真空排気した後、基板ホルダ５０を加熱室１０４に移動させた。加熱室１０４において、等間隔に配置された６本のヒータ３０４Ａを有する第１加熱部３０２Ａ、及び等間隔に配置された７本のヒータ３０４Ｂを有する第２加熱部３０２Ｂを用いて加熱工程を行った。
【００３４】
【表１】
表１は、各ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの電圧設定値（最大設定値に対する割合、％）を示す。ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂとしては、同じランプヒータを用いた。ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの出力電圧の最大設定値は等しい。
【００３５】
実施例１においては、第１加熱部３０２Ａの全てのヒータ３０４Ａの電圧設定値を３５％とした。また、第２加熱部３０２Ｂのヒータ３０４Ｂのうち、並びの中央のヒータ３０４Ｂ（Ｈ３〜Ｈ５）電圧設定値を０％とし、その他のヒータ３０４Ｂ（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ６、Ｈ７）の電圧設定値を１５％とした。
【００３６】
加熱工程を行った後、反応室１０６において、基板１２の主表面上に、ＮｉＡｌ層、ＣｒＷ層、ＮｉＡｌ層、ＣｒＶ層、ＣｏＣｒ層、ＣｏＣｒＰｔＴａ層、ＣｏＣｒＰｔＢ層、及びＣｏＣｒＰｔＴａＢ層を順次成膜した。これらの層のうち、ＮｉＡｌ層、ＣｒＷ層、ＮｉＡｌ層、及びＣｒＶ層は、下地層１４、１６（図１参照）に相当する層である。また、ＣｏＣｒ層、ＣｏＣｒＰｔＴａ層、ＣｏＣｒＰｔＢ層、及びＣｏＣｒＰｔＴａＢ層は磁性層１８（図１参照）に相当する層である。
【００３７】
続いて、カーボンスパッタ室１０８において、保護層２０となるＣ層（炭素層）を更に成膜した。また、潤滑層２２を更に形成した。以上の工程により、実施例１に係る磁気記録媒体を作製した。
【００３８】
（比較例２、３）
加熱工程における各ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの電圧設定値以外は実施例１と同様にして、比較例２、３に係る磁気記録媒体を作製した。比較例１においては、第１加熱部３０２Ａの全てのヒータ３０４Ａの電圧設定値を３５％とした。また、第２加熱部３０２Ｂの全てのヒータ３０４Ｂの電圧設定値を０％とした。これにより、比較例１においては、Ｖ方向に延伸するヒータ３０４Ａのみを用いて、基板１２を片面から加熱した。
【００３９】
また、比較例２においては、第１加熱部３０２Ａの全てのヒータ３０４Ａの電圧設定値を０％とした。また、第２加熱部３０２Ｂの全てのヒータ３０４Ｂの電圧設定値を１５％とした。これにより、比較例２においては、Ｈ方向に延伸するヒータ３０４Ｂのみを用いて、基板１２を片面から加熱した。
【００４０】
図４は、実施例１、及び比較例１、２の評価結果を示すグラフである。実施例１、及び比較例１、２について、基板ホルダ５０の各行（Ｒ１〜Ｒ５）毎に、行の中心に保持されていた２枚の磁気記録媒体に対して、磁気特性である媒体保磁力Ｈｒを測定した。そして、各行（Ｒ１〜Ｒ５）について、２枚の磁気記録媒体１０の測定結果の平均値を、その行の測定値とした。尚、グラフにおいては、実施例１、及び比較例１、２のそれぞれについて、全ての行の測定値の平均値を基準として、各行での値を相対値（％）にて示してある。
【００４１】
Ｖ方向又はＨ方向のヒータのみを用いた比較例１、２では、基板ホルダ５０の最下部Ｒ１、及び最上部Ｒ５での値が、中央部に比べて小さくなっている。また、磁気特性のばらつきは、平均値±３〜４％になった。一方、Ｖ方向のヒータ、及びＨ方向のヒータの両方を用いた実施例１では、各行（Ｒ１〜Ｒ５）での磁気特性のばらつきは、平均値±０．７％以下になった。このように、実施例１では、基板ホルダ５０での基板位置の違いによる磁気特性のばらつきが解消されていた。
【００４２】
図５は、成膜装置１００の構成の第２の例を示す。本例において、成膜装置１００は、基板１２を回転搬送しつつ成膜を行う静止対向型のスパッタリング成膜装置であり、加熱室１０４、及び反応室１０６を備える。また、基板１２（図１参照）は、円板状の基板ホルダ５０に保持されている。
【００４３】
加熱室１０４は、各層の成膜前の加熱工程を行うためのチャンバである。本例において、加熱室１０４には、基板１２の両主表面を加熱するための加熱装置２０２が設けられている。反応室１０６は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で磁気記録媒体１０の各層を成膜するためのチャンバである。本例において、反応室１０６には、下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８のそれぞれに対応するターゲット２０４Ａ〜Ｃが設けられている。これにより、基板１２が反応室１０６内を搬送される間に、基板１２上に、下地層１４、下地層１６、及び磁性層１８が順次形成される。尚、本例において、保護層２０及び潤滑層２２（図１）は、成膜装置１００での成膜の後に別途成膜される。以上のようにすれば、磁気記録媒体１０を適切に形成できる。
【００４４】
図６は、加熱工程を説明する図である。図６（ａ）は、基板ホルダ５０の構成の一例を示す。本例において、基板ホルダ５０は、一枚の基板１２を保持する。そのため、成膜装置１００（図５参照）は、一枚の基板１２毎に、加熱工程を行う。また、一枚の基板１２毎に、各ターゲット２０４Ａ〜Ｃと対向するように基板１２を静止配置させて、各層の成膜プロセスを行う。この場合は、基板ホルダ５０は、常時成膜装置の中を循環し、真空中の基板交換室において基板の装着、交換を行うことにより、特性の安定した量産が可能となる。
【００４５】
図６（ｂ）は、加熱装置２０２の構成の一例を示す。尚、本図においては、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂと基板１２との位置関係を分かりやすく示すため、第１加熱部３０２Ａ及び第２加熱部３０２Ｂにおけるヒータ３０４Ａ、３０４Ｂ以外の構成要素は省略している。
【００４６】
本例において、第１加熱部３０２Ａは、基板１２の一方の主表面（表面）と対向する側に設けられており、所定の方向に延伸する複数のヒータ３０４Ａを有する。これらのヒータ３０４Ａは、基板１２の表面と対向する面内において、一定の間隔で並べられている。第２加熱部３０２Ｂは、基板１２の他方の主表面（裏面）と対向する側に設けられており、ヒータ３０４Ａと直行する方向に延伸する複数のヒータ３０４Ｂを有する。これらのヒータ３０４Ｂは、基板１２の裏面と対向する面内において、ヒータ３０４Ａと同じ間隔で並べられている。これにより、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、基板１２の表面及び裏面にマトリクス状に配列される。この場合も、基板１２の面内における温度分布の偏りが生じにくくなる。また、これにより、磁気特性を基板１２の面内で均一化できる。
【００４７】
尚、基板ホルダ５０は、例えば、第１加熱部３０２Ａのヒータ３０４Ａと第２加熱部３０２Ｂのヒータ３０４Ｂとが交差する位置と基板１２の中心とが重なるように、基板１２を保持する。また、本例のように、ヒータ３０４Ａの間隔とヒータ３０４Ｂの間隔とが等しい場合、基板ホルダ５０は、隣接する２つのヒータ３０４Ａ、及び隣接する２つのヒータ３０４Ｂに囲まれる正方形領域の頂点と基板１２の中心とが重なるように、基板１２を保持する。このようにすれば、温度分布の偏りをより適切に抑えることができる。基板ホルダ５０は、上記正方形領域の中心と基板１２の中心とが重なるように基板１２を保持してもよい。
【００４８】
また、本例においても、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、個別に出力制御可能であることが好ましい。このようにすれば、基板１２の面内の磁気特性を更に均一にできる。ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの制御方法としては、例えば、基板１２の中心で交差するヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの出力を、他のヒータ３０４Ａ、３０４Ｂよりも低くする方法が考えられる。このように、ヒータの出力比を変更することにより、基板面内の温度分布を制御できる。
【００４９】
また、この場合、基板１２は周辺領域からゆっくりと加熱されることとなるため、温度分布の均一性をより高めることができる。尚、ヒータの制御方法は、適宜変更可能である。例えば、上記と出力の高低を反対にして、基板１２の中心で交差するヒータ３０４Ａ、３０４Ｂの出力を、他のヒータ３０４Ａ、３０４Ｂよりも高くする方法も考えられる。いずれにしても、各ヒータの出力（温度）を適宜制御することで、基板両面における面内の温度分布の偏りを抑制することができ、磁気特性を基板１２の面内で均一化できる。
【００５０】
図７は、基板ホルダ５０及び加熱装置２０２の変形例を示す。図７（ａ）は、４枚の基板１２を保持する基板ホルダ５０の構成を示す。この基板ホルダ５０は、４枚の基板１２を円周方向に並べて保持する。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示した基板ホルダ５０を用いる場合の加熱装置２０２の構成の一例を示す。本例においても、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、各基板１２の表面及び裏面にマトリクス状に配列される。また、基板ホルダ５０は、各基板１２の中心上でヒータ３０４Ａとヒータ３０４Ｂとが交差するように、各基板１２を保持している。そのため、本例においても、温度分布の偏りを適切に抑えることができる。また、これにより、基板間及び基板内の磁気特性、及び磁性層上の保護層の膜質を均一化できる。
【００５１】
図７（ｃ）は、５枚の基板１２を保持する基板ホルダ５０の構成を示す。この基板ホルダ５０は、四角板状であり、四角形の中心、及び中心と各頂点を結ぶ各対角線上にそれぞれ基板１２を保持する。図７（ｄ）は、図７（ｃ）に示した基板ホルダ５０を用いる場合の加熱装置２０２の構成の一例を示す。本例においても、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、各基板１２の表面及び裏面にマトリクス状に配列される。また、基板ホルダ５０は、各基板１２の中心上でヒータ３０４Ａとヒータ３０４Ｂとが交差するように、各基板１２を保持している。そのため、本例においても、温度分布の偏りを適切に抑えることができる。また、これにより、磁気特性を均一化できる。
【００５２】
尚、図７を用いて説明した構成において、基板１２は、例えば１．０インチ径以下等の小径基板である。また、これらの構成においても、ヒータ３０４Ａ、３０４Ｂは、個別に出力制御可能であることが好ましい。このようにすれば、各基板１２の面内の磁気特性をより均一に制御できる。
【００５３】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、例えば、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）用の磁気ディスク等の磁気記録媒体に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法で製造される磁気記録媒体１０の構成の一例を示す図である。 図１（ａ）は、磁気記録媒体１０を示す平面図である。 図１（ｂ）は、磁気記録媒体１０の概略断面図である。
【図２】磁気記録媒体１０の各層の成膜方法を説明する図である。 図２（ａ）は、各層を成膜するための成膜装置１００の構成の第１の例を示す。 図２（ｂ）は、成膜時に基板１２を保持するための基板ホルダ５０の一例を示す。
【図３】加熱装置２０２の構成の一例を示す図である。 図３（ａ）は、加熱装置２０２の上面図である。 図３（ｂ）は、加熱装置２０２を構成する第１加熱部３０２Ａ及び第２加熱部３０２Ｂの構成を示す正面図である。
【図４】実施例１、及び比較例１、２の評価結果を示すグラフである。
【図５】成膜装置１００の構成の第２の例を示す。
【図６】加熱工程を説明する図である。 図６（ａ）は、基板ホルダ５０の構成の一例を示す。 図６（ｂ）は、加熱装置２０２の構成の一例を示す。
【図７】基板ホルダ５０及び加熱装置２０２の変形例を示す図である。 図７（ａ）は、４枚の基板１２を保持する基板ホルダ５０の構成を示す。 図７（ｂ）は、図７（ａ）に示した基板ホルダ５０を用いる場合の加熱装置２０２の構成の一例を示す。 図７（ｃ）は、５枚の基板１２を保持する基板ホルダ５０の構成を示す。 図７（ｄ）は、図７（ｃ）に示した基板ホルダ５０を用いる場合の加熱装置２０２の構成の一例を示す。
【符号の説明】
【００５６】
１０・・・磁気記録媒体、１２・・・基板、１４・・・下地層、１６・・・下地層、１８・・・磁性層、２０・・・保護層、２２・・・潤滑層、５０・・・基板ホルダ、１００・・・成膜装置、１０２・・・仕込室、１０４・・・加熱室、１０６・・・反応室、１０８・・・カーボンスパッタ室、１１０・・・取出室、２０２・・・加熱装置、２０４Ａ、Ｂ、Ｃ・・・ターゲット、３０２Ａ・・・第１加熱部、３０２Ｂ・・・第２加熱部、３０４Ａ、Ｂ・・・ヒータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、磁気記録を行うために前記基板上に成膜された磁性層とを少なくとも備える磁気記録媒体の製造方法において、
前記磁性層を成膜する前、途中あるいは成膜後に前記基板の両主表面を加熱する加熱工程を備え、
前記加熱工程は、
前記基板の一方の主表面と対向する面内に所定の配列で配置されたヒータを有する第１加熱部と、
前記基板の他方の主表面と対向する面内に前記第１加熱部と異なる配列で配置されたヒータを有する第２加熱部と
を備える加熱装置を用いて前記基板を加熱することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程は、複数の前記基板を保持する基板ホルダを用いて、前記複数の基板を同時に加熱することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
第１加熱部は、前記基板の主表面と平行な第１の方向に延伸する複数のヒータを有し、
前記第２加熱部は、前記基板の主表面と平行、かつ前記第１の方向と垂直な第２の方向に延伸する複数のヒータを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記磁性層は、インライン型の成膜装置で成膜され、
前記加熱装置は、前記成膜装置内の加熱室に設けられており、
前記第１の方向は、前記加熱室内で前記基板が運搬される移動方向であり、
前記第１加熱部は、前記移動方向に並べられた、前記移動方向と垂直な方向に延伸する複数のヒータを有し、
前記第２加熱部は、前記移動方向と垂直な方向に並べられた、前記移動方向に延伸する複数のヒータを有し、
前記加熱工程は、
前記第１加熱部の前記複数のヒータを同じ出力に制御し、
前記第２加熱部の前記複数のヒータを、並びの中央のヒータに比べて外側のヒータの出力が大きくなるように制御することを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記磁性層は、静止対向型の成膜装置で成膜され、
前記第１加熱部のヒータ、及び前記第２加熱部のヒータは、共通の一定の間隔で並べられており、
前記加熱工程は、前記第１加熱部において隣接する２つのヒータ、及び前記第２加熱部において隣接する２つのヒータに囲まれる正方形領域の頂点又は中心と前記基板の中心とが重なるように前記基板を保持して、前記基板を加熱することを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１】
基板と、磁気記録を行うために前記基板上に成膜された磁性層とを少なくとも備える磁気記録媒体の製造方法において、
前記磁性層を成膜する前、途中あるいは成膜後に前記基板の両主表面を加熱する加熱工程を備え、
前記加熱工程は、
前記基板の一方の主表面と対向する面内に所定の配列で配置されたヒータを有する第１加熱部と、
前記基板の他方の主表面と対向する面内に前記第１加熱部と異なる配列で配置されたヒータを有する第２加熱部と
を備える加熱装置を用いて前記基板を加熱することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程は、複数の前記基板を保持する基板ホルダを用いて、前記複数の基板を同時に加熱することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
第１加熱部は、前記基板の主表面と平行な第１の方向に延伸する複数のヒータを有し、
前記第２加熱部は、前記基板の主表面と平行、かつ前記第１の方向と垂直な第２の方向に延伸する複数のヒータを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記磁性層は、インライン型の成膜装置で成膜され、
前記加熱装置は、前記成膜装置内の加熱室に設けられており、
前記第１の方向は、前記加熱室内で前記基板が運搬される移動方向であり、
前記第１加熱部は、前記移動方向に並べられた、前記移動方向と垂直な方向に延伸する複数のヒータを有し、
前記第２加熱部は、前記移動方向と垂直な方向に並べられた、前記移動方向に延伸する複数のヒータを有し、
前記加熱工程は、
前記第１加熱部の前記複数のヒータを同じ出力に制御し、
前記第２加熱部の前記複数のヒータを、並びの中央のヒータに比べて外側のヒータの出力が大きくなるように制御することを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記磁性層は、静止対向型の成膜装置で成膜され、
前記第１加熱部のヒータ、及び前記第２加熱部のヒータは、共通の一定の間隔で並べられており、
前記加熱工程は、前記第１加熱部において隣接する２つのヒータ、及び前記第２加熱部において隣接する２つのヒータに囲まれる正方形領域の頂点又は中心と前記基板の中心とが重なるように前記基板を保持して、前記基板を加熱することを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００７−２５７７５８（Ｐ２００７−２５７７５８Ａ）
【公開日】平成１９年１０月４日（２００７．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−８２１１６（Ｐ２００６−８２１１６）
【出願日】平成１８年３月２４日（２００６．３．２４）
【出願人】（０００１１３２６３）ＨＯＹＡ株式会社 (3,820)
【出願人】（５０１２５９７３２）ホーヤ マグネティクス シンガポール プライベートリミテッド (124)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月４日（２００７．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月２４日（２００６．３．２４）
【出願人】（０００１１３２６３）ＨＯＹＡ株式会社 (3,820)
【出願人】（５０１２５９７３２）ホーヤ マグネティクス シンガポール プライベートリミテッド (124)
【Ｆターム（参考）】
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