磁気記録媒体
【課題】保護層が薄くても、走行耐久性を満足し、かつ長期保存における耐蝕性に有効な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性支持体１上に磁性層２と、カーボンを主体とした保護層３と、極性基を有する潤滑剤からなる潤滑層４とを有する金属薄膜型の磁気記録媒体１００であって、保護層３は、金属が０．５ａｔ％〜５０ａｔ％含有されてなる。
【解決手段】非磁性支持体１上に磁性層２と、カーボンを主体とした保護層３と、極性基を有する潤滑剤からなる潤滑層４とを有する金属薄膜型の磁気記録媒体１００であって、保護層３は、金属が０．５ａｔ％〜５０ａｔ％含有されてなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜と保護層とが形成された、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体に関するものであり、特に、カーボン保護層の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分散させた磁性塗料を塗布、乾燥させて作製される、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く知られている。
【０００３】
これに対して、高密度記録化への要求から、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からなる強磁性材料を、真空薄膜形成手段（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）によって非磁性支持体上に直接被着せしめて強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体が実用化されている。
【０００４】
このような、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄く形成できるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこと、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得ることができる等、数々の利点を有している。
【０００５】
さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするため、図２に示すような蒸着装置１００などによる斜方蒸着法が提案され、現在の蒸着磁気テープの主流となっている。この蒸着磁気テープは、高画質ＶＴＲ用、デジタルＶＴＲ用、データストレージ用等の磁気テープとして実用化されている。
【０００６】
ところで、これらの磁気記録媒体では、磁性層表面に硬質の保護層を形成し、これによって、磁気ヘッド等との摺動に対する耐久性を確保している。この硬質の保護層としては、カーボン膜、石英（ＳｉＯ2）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2）膜等が挙げられ、なかでもダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜は、硬度が高く、保護効果に優れることから、蒸着テープ保護層の主流になっている。このようなＤＬＣ膜を成膜する方法には、スパッタリング法やＣＶＤ法がある。
【０００７】
スパッタリング法では、電場や磁場を利用してＡｒ等の不活性ガスを電離（プラズマ化）させ、生じたアルゴンイオンを加速してターゲットに衝突させる。その結果、アルゴンイオンの運動エネルギーによってターゲットの原子がはじき出され、そのはじき出された原子が、ターゲットと対向する基板上に堆積することで薄膜が成膜される。
【０００８】
ＣＶＤ法（化学気相成長法）は、電場や磁場を用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用して、原料ガスに分解、合成等の化学反応を起こさせ、この化学反応の結果生じた反応生成物を基体上に堆積させることで薄膜を成膜する方法である。
【０００９】
一般に、磁気記録媒体の電磁変換特性は、「出力」と「媒体ノイズ」の差分である“ＣＮＲ”で評価され、高出力かつ低ノイズ状態が好ましい。このうち、高出力化のためには、金属磁性薄膜と、記録ヘッドや再生ヘッドの距離（スペーシング）を小さくすることが非常に重要である。スペーシングによる記録再生の損失は「スペーシング損失」と呼ばれ、次式（式１）のように示される。記録密度向上のために記録再生における波長を短くするほど、スペーシング損失は顕著になる。
【００１０】
（スペーシング損失）[ｄＢ]＝（スペーシング損失係数）×（スペーシング）÷（記録再生波長） ・・・ （式１）
【００１１】
蒸着磁気テープにおけるスペーシング損失係数は、発明者らの検討において９０〜１３０程度であることが明らかになっており、仮にＡＩＴ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｔａｐｅ）フォーマットのうち、ＡＩＴ３の最短波長０.２８６μｍの場合、計算ではつぎのような出力変化が予想される。
・２ｎｍのスペーシングで０.６〜０.９ｄＢ
・４ｎｍのスペーシングで１.３〜１.８ｄＢ
・６ｎｍのスペーシングで１.９〜２.７ｄＢ
【００１２】
したがってスペーシングを抑制することは、高出力化のための有効な手段であり、また高ＣＮＲ化に対しても有効な手段である。
【００１３】
蒸着磁気テープでは、磁性層表面に硬質のカーボン保護層を形成し、これによって、磁気ヘッド等との摺動に対する耐久性を確保しており、スペーシング損失の観点からは、薄いほど好ましい。しかしながら、保護層が薄い場合、充分な摺動耐久性が確保できない。薄層保護層の場合、摺動によって低摩擦・高強度なカーボン保護層が摩耗し、高摩擦で強度の低い磁性層が露出するまでの時間（摺動回数）が早まることが原因である。また、保護層を薄層化すると、表面被覆率の低下、ガス透過の増大などの理由により、腐蝕ガスに対する耐蝕性が劣化することも、長期間保存を要求されるデータストレージ用途などにとっては大きな課題である。
【００１４】
前記問題のうち腐食問題に対しては、磁性層上に耐食性保護層と耐久性保護層とを積層形成して、その改善を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。これにより、磁性層である金属磁性薄膜の腐食は抑制されエラーレートを改善することが可能となるが、スペーシング損失に関してはその改善は十分とはいえなかった。
【００１５】
【特許文献１】特開平５−２３４０５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、保護層が薄く、その膜厚が１４ｎｍ以下であっても、走行耐久性を満足し、かつ長期保存における耐蝕性に有効な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記課題を解決するために提供する本発明は、非磁性支持体上に磁性層と、カーボンを主体とした保護層と、極性基を有する潤滑剤からなる潤滑層とを有する金属薄膜型の磁気記録媒体であって、前記保護層は、金属が０．５ａｔ％〜５０ａｔ％含有されてなることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１８】
ここで、前記非磁性金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕいずれかの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金からなることが好ましい。
【００１９】
また、前記保護層の膜厚が２〜１４ｎｍであることが好適である。
【００２０】
また、前記磁性層の膜厚が２０〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００２１】
また、前記潤滑層は、フッ素を含む潤滑剤が塗布されてなることが好適である。
【００２２】
また、前記非磁性支持体の磁性層形成面とは反対面にバックコート層を有するとよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の磁気記録媒体によれば、カーボンを主体とする保護層に所定の金属を含有させることで、潤滑層を構成する潤滑剤、例えばフッ素系潤滑剤の保持効果が高まり、繰り返し摺動によるフッ素系潤滑剤の減少・枯渇が抑制され、シャトル摺動耐久性が向上する。これにより、保護層を薄くすることが可能になり、より高記録密度に対応した磁気記録媒体の提供が可能になる。また、保護層に腐蝕しにくい貴金属を含有させることで磁性層の腐蝕を抑制した磁気記録媒体の提供が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、本発明に係る磁気記録媒体の構成について説明する。
図１に本発明により作成された磁気記録媒体の略式断面図を示す。
この磁気記録媒体１００は、長尺形状の非磁性支持体１の一主面に、真空薄膜形成技術により作製した磁性層２を有し、磁性層２上にカーボンを主体とする保護層３が形成され、保護層３上に極性基を有する潤滑剤からなる潤滑層４が形成された構成を有するものである。以下、詳細に説明する。
【００２５】
非磁性支持体１としては、従来より金属磁性薄膜型の磁気記録媒体で用いられているものがいずれも使用可能である。例えば、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド樹脂等の高分子物質が使用可能である。また、これら非磁性支持体上には、磁性薄膜を形成するのに先立ち、易接着化、表面性改良、着色、帯電防止、耐磨耗性付与等の目的で表面処理や前処理を行うようにしてもよい。
【００２６】
磁性層２を形成する金属磁性材料としては、通常の蒸着テープに使用されるものであれば如何なるものであってもよいが、例示すればＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられる。
【００２７】
磁性層２は、真空中で金属磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体１に蒸着させる真空蒸着法や、金属磁性材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、アルゴンイオンでターゲット表面の原子を叩き出すスパッタ法などのいわゆるＰＶＤ技術によって形成された薄膜であり、その膜厚は２０ｎｍ〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００２８】
なお、磁性層２は上記方法によって成膜される金属磁性薄膜の単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。さらには、非磁性支持体１と磁性層２との間、さらには磁性層２が多層膜の場合には、各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、下地層、又は、中間層を設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていてもよい。
【００２９】
図２に磁性層２の成膜を行う蒸着装置２００の一例の概略構成図を示す。本実施例においては、図２の蒸着装置２００において、１０-2Ｐａに排気した蒸着室２０２内で、ルツボ２１０内に配した金属磁性材料２１１であるコバルト塊を、電子銃２１２からの電子ビームで加熱溶解して、幅６２０ｍｍの非磁性支持体１に、コバルト金属磁性薄膜を蒸着した。この蒸着装置２００においては、排気口２０３から排気されて真空状態となされた真空槽２０１内に、送りロール２０４と巻取りロール２０５とが設けられており、これらの間に非磁性支持体１が順次走行するようになされている。
【００３０】
これら送りロール２０４と巻取りロール２０５との間に、上記非磁性支持体１が走行する中途部には、冷却キャン２０６が設けられている。この冷却キャン２０６には、冷却装置が設けられ、非磁性支持体１の温度上昇による熱変形などを抑制している。
【００３１】
非磁性支持体１は、送りロール２０４から順次送り出され、さらに上記冷却キャン２０６の周面を通過し、巻取りロール２０５に巻取られていくようになされている。尚、上記送りロール２０４と冷却キャン２０６との間及び冷却キャン２０６と巻取りロール２０５との問にはそれぞれガイドロール２０７、２０８が配設され、上記送りロール２０４から冷却キャン２０６及び該冷却キャン２０６から巻取りロール２０５にわたって走行する非磁性支持体１に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体１が円滑に走行するようになされている。
【００３２】
蒸着室２０２は隔壁２０９によって隔てられており、ルツボ２１０から蒸発した金属粒子や反射、散乱する電子ビームの流入を抑制している。上記冷却キャン２０６の下方にルツボ２１０が設けられ、このルツボ２１０に金属磁性材料２１１が充填されている。このルツボ２１０は、冷却キャン２０６の幅と略同一の幅を有してなる。
【００３３】
一方、蒸着装置２００の側壁部には、上記ルツボ２１０内に充填された金属磁性材料２１１を加熱蒸発させるための電子銃２１２が取り付けられる。この電子銃２１２は、当該電子銃２１２より放出される電子ビームが上記ルツボ２１０内の金属磁性材料２１１に照射されるような位置に配設される。そして、この電子線によって蒸発した金属磁性材料２１１が上記冷却キャン２０６の周面を定速走行する非磁性支持体１上に磁性層２として被着形成されるようになっている。
【００３４】
また、上記冷却キャン２０６とルツボ２１０との間であって、冷却キャン２０６の近傍には、シャッタ２１３が配設されている。このシャッタ２１３は、上記冷却キャン２０６の周面を定速走行する非磁性支持体１の所定領域を覆う形で形成され、このシャッタ２１３により上記蒸発せしめられた金属磁性材料２１１が上記非磁性支持体１に対して所定の角度範囲で斜めに蒸着されるようになっている。さらに、このような蒸着に際し、上記蒸着装置２００側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入口２１４を介して非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性、耐久性及び耐蝕性の向上が図られている。蒸着の入射角は、非磁性支持体１の法線方向から９０度〜４５度までとし、非磁性支持体１の送り速度を変化させ、蒸着層の厚さを制御する。また、蒸着中は磁気特性を制御するために、酸素ガス導入管２１４から酸素ガスを導入しながら成膜を行う。
【００３５】
保護層３は、カーボンを主体とし、金属が０．５ａｔ％以上、５０ａｔ％以下含有されてなるものである。この保護層３の膜厚は、２〜１４ｎｍであることが好ましい。
【００３６】
保護層３に含有される金属は、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金が挙げられる。あるいは、耐食性向上の観点から、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金が挙げられる。また、これらのうち、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕいずれかの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金からなることが好ましく、非磁性金属であることがより好ましい。
【００３７】
以下、保護層３を作成するためのスパッタリング装置（図３）とＣＶＤ（化学気相成長法）装置(図４)の説明をするが、保護層成膜装置はこれに限定されるものではない。
【００３８】
図３に保護層３の成膜装置として、マグネトロンスパッタ装置３００の略式構成図を示す。
この装置３００においては、頭部に設けられた排気口３０３によって内部が高真空状態となされた真空槽３０１内に、定速回転する送りロール３０４と、巻取りロール３０５とが設けられ、これら送りロール３０４から巻取りロール３０５に、非磁性支持体１の上に磁性層が蒸着された被処理体５０１が、順次走行するようになされている。
【００３９】
これら送りロール３０４から巻取りロール３０５側に被処理体５０１が走行する中途部には、キャン３０６が設けられている。このキャン３０６は、被処理体５０１を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成で示してある。また、これら送りロール３０４から巻取りロール３０５側に被処理体５０１が走行する中途部には、ガイドロール３０７やガイドロール３０８が配設され、被処理体５０１に所定のテンションをかけ、被処理体５０１が円滑に走行するようになされている。
【００４０】
成膜室３０２は隔壁３０９によって隔てられており、スパッタリングの際の飛散粒子の抑制やガス圧力を制御している。
【００４１】
冷却キャン３０６と対向する位置には、ターゲット３１０が設けられている。ターゲット３１０は、前記金属を含有したカーボンからなるものであり、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の少なくとも１種類の金属を混合した、あるいは当該金属チップとして埋め込んだカーボンターゲットが用いられる。これらターゲット３１０は、カソード電極を構成するバッキングプレート３１１に支持されている。そして、バッキングプレート３１１の裏面には、磁場を形成するマグネット３１２が配設されている。このマグネトロンスパッタ装置３００において、金属が含有されたカーボン保護層３を成膜する場合には、成膜室３０２内を約１×１０−４〔Ｐａ〕程度に減圧した後、ガス導入管３１４からＡｒガスを導入して真空度を例えば約０．５〔Ｐａ〕とする。
【００４２】
そして、ガス導入管３１４からＡｒガスを導入するとともに、冷却キャン３０６をアノード、バッキングプレート３１１をカソードとして、電源３１３を用いて約６００Ｖの電圧を印加し、約４０Ａの電流が流れる状態を保持する。そして、この電圧の印加により、Ａｒガスがプラズマ化し、電離されたイオンがターゲット３１０に衝突することにより、ターゲットからカーボンと金属原子がはじき出される。
【００４３】
このとき、バッキングプレート３１１の裏面に配置されたマグネット３１２より、ターゲット３１０近傍には、磁場が形成されるので、電離されたイオンは、ターゲット３１０の近傍に集中されることとなる。そして、これらのターゲット３１０からはじき出された原子は、冷却キャン３０６の外周面に沿って走行する被処理体５０１に付着する。このようにして、金属が含有されたカーボン保護層３が成膜された被処理体５０２は、巻き取りロール３０５に巻き取られる。
【００４４】
ターゲットには、保護層として成膜後に希望の濃度比率になるよう、カーボンターゲット上に金属のチップを配置してもよいし、初めからカーボンに金属を混入させたものを用いてもよい。
【００４５】
図４に保護層３の成膜装置として、プラズマＣＶＤ装置４００の略式構成図を示す。
この装置４００においては、頭部に設けられた排気口４０３によって内部が高真空状態となされた真空槽４０１内に、定速回転する送りロール４０４と、巻取りロール４０５とが設けられ、これら送りロール４０４から巻取りロール４０５に、非磁性支持体１の上に磁性層が蒸着された被処理体５０１が、順次走行するようになされている。
【００４６】
これら送りロール４０４から巻取りロール４０５側に被処理体５０１が走行する中途部には、キャン４０６が設けられている。このキャン４０６は、被処理体５０１を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成で示してある。また、これら送りロール４０４から巻取りロール４０５側に被処理体５０１が走行する中途部には、ガイドロール４０７，４０８が配設され、被処理体５０１に所定のテンションをかけ、被処理体５０１が円滑に走行するようになされている。
【００４７】
成膜室４０２内には、上記キャン４０６の下方にパイレックス（登録商標）ガラス，プラスチック等よりなる反応管４１０が設けられている。この反応管４１０は、一方の端部が成膜室４０２の底部を貫通しており、このガス導入管４１１から成膜ガスが当該反応管４１０内に導入されるようになっている。また、この反応管４１０内の中途部には、金属メッシュ等よりなる電極４１３が取り付けられている。この電極４１３は、外部に配設された電源４１２と接続されており、０〜３０００Ｖの電圧が印加されるようになっている。
【００４８】
このＣＶＤ装置では、この電極４１３に電圧が印加されることで、当該電極４１３とキャン４０６との間にグロー放電が生じる。そして、反応管４１０内に導入された成膜ガスは、この生じたグロー放電によって分解し、被処理体５０１上に被着され、保護層３が形成される。
【００４９】
保護層３の形成に適用する成膜ガスとしては炭化水素系、ケトン系、アルコール系など、従来公知の材料をいずれも使用できる。また、プラズマ生成時には炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｈ２などが導入されていてもよい。その他、ダイヤモンドライクカーボンの膜硬度、耐蝕性の向上を図るため、カーボンが窒素、フッ素と反応した状態でもよく、ダイヤモンドライクカーボン膜は単層であっても多層であってもよい。また、プラズマ生成時には炭素化合物の他、Ｎ２、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２等のガスを単独あるいは適宜混合した状態で成膜することもできる。
【００５０】
上記カーボン系ガスに対し、下記に示すような原料を用いて金属含有ガスをカーボン系ガスと混合させ、これを用いてＣＶＤすることで金属が含有された保護層３が成膜される。
【００５１】
金属含有ガスを生成する原料として、ＴｉＣｌ４やＷＦ６のハロゲン系金属材料、さらにＣａ(ＤＰＭ)２、Ｃａ(ＤＰＭ)２、Ｔｉ(Ｏｉ―Ｐｒ)２(ＤＰＭ)２、Ｔｉ(Ｏｔ―Ａｍ)２(ＴＭＯＤ)２、ＴｉＯ(ＤＰＭ)２、Ｃｒ(ＤＰＭ)３、Ｍｎ(ＤＰＭ)３、Ｚｎ(ＤＰＭ)２、Ｚｒ(ＤＰＭ)４、Ｚｒ(ＤＩＢＭ)４、Ｎｂ(ＯＥｔ)４(ＤＰＭ)、Ｔａ(ＯＥｔ)４(ＤＰＭ)、Ｐｂ(ＤＰＭ)２、Ｂｉ(Ｏ―Ｔｏｌ)３、Ｃｕ(ＤＰＭ)２、Ｃｕ(ＩＢＰＭ)２、Ｃｕ(ＤＩＢＭ)２などが使用できるが、これに限定されるものではない。
【００５２】
金属が含有された保護層３は厚く形成しすぎるとスペーシングによる損失が増加し、薄すぎると耐久性、耐蝕性が低下するため、２ｎｍ〜１４ｎｍの厚さに形成することが好ましい。
【００５３】
潤滑層４は、ガイドロール、回転ドラム、ヘッド等との摩擦を低減させるために、極性基を有する潤滑剤が保護層３上に塗布されてなるものである。潤滑剤としては、従来公知の材料を用いることができるが、特にフッ素系の潤滑剤であることが好ましい。
【００５４】
本発明の磁気記録媒体１００においては、必要に応じて非磁性支持体１の磁性層２の形成面側とは反対側に厚さ０．１〜０.７μｍのバックコート層５を形成してもよい。この場合、バックコート層５形成用材料としては、非磁性顔料、樹脂結合剤等、従来公知の材料を適宜用いることができる。また、本発明の磁気記録媒体１００は、ヘリカル・スキャン記録再生システムに用いられることを想定しているが、このシステムに限定されるものではない。
【実施例】
【００５５】
次に、本発明の磁気記録媒体１００について、具体的な例を挙げて説明するが、本発明の磁気記録媒体は、以下の例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
（１）サンプル作製
図１に示した磁気記録媒体１００の非磁性支持体１として、厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に磁性層２を図２に示した蒸着装置２００を用いて以下の条件で作成した。
（蒸着条件）
・成膜材料：Ｃｏ１００ｗｔ％
・入射角：４５°〜９０°
・導入ガス：酸素ガス
・磁性層の膜厚：１５０ｎｍ
【００５６】
次に、以下の条件により図４に示したプラズマＣＶＤ装置４００を用いて金属が含有された保護層３を形成した。
（ＣＶＤ条件）
・導入ガス：エチレン／アルゴン／ＴｉＣｌ４混合ガス
・ＴｉＣｌ４流量：２ｓｃｃｍ
・反応管内圧力：３０Ｐａ
・投入電圧：＋１．２ｋＶ
・保護層の膜厚：８ｎｍ
【００５７】
次に、フッ素系潤滑剤を用いて潤滑剤層４を形成し、カーボン系のバックコート層５を形成し、最後に８ｍｍ幅に裁断してテープ状の磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００５８】
（２）サンプル評価
得られたサンプルについて、以下の評価を行った。
（ｉ）保護層中の金属含有量
保護層３中の金属の含有量を、Ｘ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ、ＳＨＩＭＡＺＵ製）により測定した。具体的には、カーボン（炭素）１００％の標準試料における光電子の検出強度（Ａ）と、含有金属（例えばＴｉ）１００％の標準試料における光電子の検出強度（Ｂ）を測定しておき、測定対象サンプルの光電子の検出強度（炭素：ａ、Ｔｉ：ｂ）から、炭素存在比率（ａ／Ａ）、Ｔｉ存在比率（ｂ／Ｂ）をそれぞれ求めることによって測定対象サンプルの相対的な保護層中の金属含有量を算出した。
【００５９】
（ii）シャトル耐久性（シャトル回数）
サンプルの摺動耐久性評価のため、恒温槽内の雰囲気を温度２５℃、相対湿度５０％に制御して、この恒温槽内で市販のＡＩＴ３デッキ（ソニー株式会社製；商品名ＳＤＸ―７００Ｃ）を用い、繰り返し摺動（シャトル）を行った。再生出力が初期出力から３ｄＢ落ちた時点を摺動終了回数とした。なお、シャトル耐久性の判断だが、およそシャトル回数３００００パスを超えれば製品として問題無いレベル、５００００パスを超えればさらに保護膜を薄くできる可能性があるため、次世代の製品に有望なレベルである。
【００６０】
（iii）インダクティブヘッド再生の電磁変換特性
市販のＡＩＴ３デッキ（ソニー株式会社製；商品名ＳＤＸ―７００Ｃ）を使用し、各サンプル磁気テープに、記録波長０．２８６μｍで、情報信号を記録した後、インダクティブヘッドにより再生し、出力レベルとＣＮＲを測定した。なお、ＣＮＲレベルは、後述する比較例１の磁気テープをリファレンス（基準値（±０ｄＢ））とした場合、リファレンスに比較して−１．５ｄＢ以下であると、実用上充分な記録再生特性が得られない。
【００６１】
（iv）摺動による潤滑剤の残存量
まず作成した初期状態のサンプルの潤滑剤量をＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ、ＳＨＩＭＡＺＵ製）を用いて測定し、このテープをφ２ｍｍのＳＵＳピンに９０゜の角度で巻きつけ、１０ｇｆの荷重で繰り返し行き来させる摩擦摺動試験を１０００パス実施した。
摩擦試験終了後、再度テープの潤滑剤量をＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ、ＳＨＩＭＡＺＵ製）を用いて測定し、次の式により潤滑剤の残存量を求めた。
（残存量）（％）＝（摺動後の潤滑剤量） ÷ （初期状態の潤滑剤量）
【００６２】
＜実施例２〜９＞
実施例１において、ＴｉＣｌ４流量をそれぞれ４ｓｃｃｍ（実施例２），８ｓｃｃｍ（実施例３），２０ｓｃｃｍ（実施例４），４０ｓｃｃｍ（実施例５），８０ｓｃｃｍ（実施例６），１２０ｓｃｃｍ（実施例７），１６０ｓｃｃｍ（実施例８），２００ｓｃｃｍ（実施例９）とし、それ以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００６３】
＜比較例１〜４＞
実施例１において、ＴｉＣｌ４流量をそれぞれ０ｓｃｃｍ（比較例１）、１ｓｃｃｍ（比較例２）、２４０ｓｃｃｍ（比較例３）、２８０ｓｃｃｍ（比較例４）とし、それ以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００６４】
＜比較例５，６＞
比較例１において、保護層の膜厚をそれぞれ４ｎｍ（比較例５）、６ｎｍ（比較例６）とし、それ以外は比較例１と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００６５】
以上のサンプルの評価結果を表１に示す。なお、摺動による潤滑剤の残存量は、実施例４、比較例１について測定した。
【００６６】
【表１】
【００６７】
（保護層膜厚の影響）
＜実施例１０〜１５＞
実施例４において、保護層３の膜厚がそれぞれ２ｎｍ（実施例１０），４ｎｍ（実施例１１），６ｎｍ（実施例１２），１０ｎｍ（実施例１３），１２ｎｍ（実施例１４），１４ｎｍ（実施例１５）となるように成膜速度を変化させて、それ以外は実施例４と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００６８】
＜比較例７，８＞
実施例４において、保護層３の膜厚がそれぞれ１ｎｍ（比較例７），１６ｎｍ（比較例８）となるように成膜速度を変化させて、それ以外は実施例４と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００６９】
以上のサンプルについて、保護層中の金属含有量、シャトル耐久性（シャトル回数）、インダクティブヘッド再生の電磁変換特性を評価した結果を表２に示す。
【００７０】
【表２】
【００７１】
（磁性層膜厚の影響）
＜実施例１６〜２１＞
実施例４において、磁性層２の膜厚をそれぞれ２０ｎｍ（実施例１６）、３５ｎｍ（実施例１７）、５０ｎｍ（実施例１８）、１００ｎｍ（実施例１９）、１５０ｎｍ（実施例２０）、２００ｎｍ（実施例２１）、３００ｎｍ（実施例２１）となるように蒸着成膜速度を変化させ、それ以外は実施例４と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００７２】
＜比較例９，１０＞
実施例４において、磁性層２の膜厚をそれぞれ１５ｎｍ（比較例９）、４００ｎｍ（比較例１０）となるように蒸着成膜速度を変化させ、それ以外は実施例４と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００７３】
以上のサンプルについて、保護層中の金属含有量、シャトル耐久性（シャトル回数）、インダクティブヘッド再生の電磁変換特性、異方性磁気抵抗効果型ヘッド（ＡＭＲヘッド）再生の電磁変換特性を評価した。なお、ＡＭＲヘッド再生の電磁変換特性の評価は次のように行った。
（ＡＭＲヘッド再生の電磁変換特性）
市販のデジタルビデオカメラレコーダー「ＭｉｃｒｏＭＶ」（ソニー株式会社製；商品名ＤＣＲ−ＩＰ７）用のＡＭＲヘッドをＡＩＴ３デッキ（ソニー株式会社製；商品名ＳＤＸ−７００Ｃ）に搭載させ、各サンプル磁気テープに、記録波長０．２２μｍで、情報信号を記録した後、ＡＭＲヘッドにより再生し、出力レベルとＣＮＲを測定した。ここで、ＣＮＲレベルは、比較例１の磁気テープをリファレンス（基準値（±０ｄＢ））とした場合、リファレンスに比較して−１．５ｄＢ以下であると、実用上充分な記録再生特性が得られない。また、インダクティブヘッドと、ＡＭＲヘッドやＧＭＲヘッドなどの磁気抵抗効果を利用したヘッドは、最適な磁性層厚み範囲が異なっており、両方の再生ヘッドで優れたＣＮＲを満たす必要はない。
【００７４】
以上の評価結果を表３に示す
【００７５】
【表３】
【００７６】
次に、スパッタリング法により含有金属をＣｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗにして保護層３を成膜した場合の実施例を以下に示す。
＜実施例２２＞
図１に示した磁気記録媒体１００の非磁性支持体１として、厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に磁性層２を図２に示した蒸着装置２００を用いて以下の条件で作成した。
（蒸着条件）
・成膜材料：Ｃｏ１００ｗｔ％
・入射角：４５°〜９０°
・導入ガス：酸素ガス
・磁性層の膜厚：１５０ｎｍ
【００７７】
次に、以下の条件により図３に示したマグネトロンスパッタ装置３００を用いて金属が含有された保護層３を形成した。ここで、ターゲットは矩形のカーボンターゲットの表面に縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１ｍｍの金属からなるチップを所定個数埋め込んだものを使用した。
（スパッタリング条件）
・導入ガス：アルゴン
・ターゲット：カーボン＋Ｃｕチップ
・・Ｃｕチップ数：２個
・投入電圧：５００Ｖ
・カーボン保護層の膜厚：８ｎｍ
【００７８】
次に、フッ素系潤滑剤を用いて潤滑剤層４を形成し、カーボン系のバックコート層５を形成し、最後に８ｍｍ幅に裁断してテープ状の磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００７９】
＜実施例２３〜３０＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むＣｕチップ数をそれぞれ４個（実施例２３）、８個（実施例２４）、２０個（実施例２５）、４０個（実施例２６）、８０個（実施例２７）、１２０個（実施例２８）、１６０個（実施例２９）、２００個（実施例３０）とし、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００８０】
＜比較例１１〜１４＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むＣｕチップ数をそれぞれ０個（比較例１１）、１個（比較例１２）、２４０個（比較例１３）、２８０個（比較例１４）とし、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００８１】
＜実施例３１＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むチップをＴｉチップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１ｍｍ）とし、該Ｔｉチップ数を３０個として、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００８２】
＜実施例３２＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むチップをＷチップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１ｍｍ）とし、該Ｗチップ数を５０個として、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００８３】
＜実施例３３＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むチップをＴｉＷチップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１ｍｍ）とし、該ＴｉＷチップ数を４０個として、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００８４】
以上のサンプルについて、保護層中の金属含有量、シャトル耐久性（シャトル回数）、インダクティブヘッド再生の電磁変換特性、ＳＯ２耐食性を評価した。なお、ＳＯ２耐食性の評価は実施例２２〜３０、比較例１１〜１４について次のように行った。
（ＳＯ２耐食性）
ＳＯ２ガス環境の磁化劣化評価として、ガス試験装置（ＳＯ２ガス濃度＝０．５ｐｐｍ、３０℃・８０％ＲＨ）の環境で、５０時間保存したサンプルの磁化量変化を測定した。ＶＳＭを用いてサンプルの飽和磁化を測定し、以下の式（式２）を用いて磁化劣化率を算出した。式２においてＳＯ２ガス環境保存後のＣｏ磁性層の磁化量が半分に減少すれば磁化劣化率５０％、保存後の磁化率がゼロまで減少すれば磁化劣化率は１００％になる。ここでは、磁化劣化率が２０％未満のものを良好と評価し、２０％以上のものを不可と評価した。
（磁化劣化率φs）（％）＝（（保存前の磁化量）−（保存後の磁化量））／（保存前の磁化量） ・・・ （式２）
【００８５】
以上の評価結果を表４に示す
【００８６】
【表４】
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造に用いる蒸着装置の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の製造に用いるマグネトロンスパッタ装置の構成を示す概略図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体の製造に用いるプラズマＣＶＤ装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８８】
１・・・非磁性支持体、２・・・磁性層、３・・・保護層、４・・・潤滑層、５・・・バックコート層、１００・・・磁気記録媒体、２００・・・蒸着装置、２０１，３０１，４０１・・・真空槽、２０２・・・蒸着室、２０３，３０３，４０３・・・排気口、２０４，３０４，４０４・・・送りロール、２０５，３０５，４０５・・・巻取りロール、２０６，３０６，４０６・・・冷却キャン、２０７，２０８，３０７，３０８，４０７，４０８・・・ガイドロール、２０９，３０９，４０９・・・隔壁、２１０・・・ルツボ、２１１・・・金属磁性材料、２１２・・・電子銃、２１３・・・シャッター、２１４・・・酸素ガス導入管、３００・・・マグネトロンスパッタ装置、３０２，４０２・・・成膜室、３１０・・・ターゲット、３１１・・・バッキングプレート、３１２・・・マグネット、３１３，４１２・・・電源、３１４，４１１・・・ガス導入管、４００・・・プラズマＣＶＤ装置、４１０・・・反応管、４１３・・・放電電極、５０１，５０２・・・被処理体、５０２
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜と保護層とが形成された、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体に関するものであり、特に、カーボン保護層の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分散させた磁性塗料を塗布、乾燥させて作製される、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く知られている。
【０００３】
これに対して、高密度記録化への要求から、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からなる強磁性材料を、真空薄膜形成手段（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）によって非磁性支持体上に直接被着せしめて強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体が実用化されている。
【０００４】
このような、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄く形成できるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこと、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得ることができる等、数々の利点を有している。
【０００５】
さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするため、図２に示すような蒸着装置１００などによる斜方蒸着法が提案され、現在の蒸着磁気テープの主流となっている。この蒸着磁気テープは、高画質ＶＴＲ用、デジタルＶＴＲ用、データストレージ用等の磁気テープとして実用化されている。
【０００６】
ところで、これらの磁気記録媒体では、磁性層表面に硬質の保護層を形成し、これによって、磁気ヘッド等との摺動に対する耐久性を確保している。この硬質の保護層としては、カーボン膜、石英（ＳｉＯ2）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2）膜等が挙げられ、なかでもダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜は、硬度が高く、保護効果に優れることから、蒸着テープ保護層の主流になっている。このようなＤＬＣ膜を成膜する方法には、スパッタリング法やＣＶＤ法がある。
【０００７】
スパッタリング法では、電場や磁場を利用してＡｒ等の不活性ガスを電離（プラズマ化）させ、生じたアルゴンイオンを加速してターゲットに衝突させる。その結果、アルゴンイオンの運動エネルギーによってターゲットの原子がはじき出され、そのはじき出された原子が、ターゲットと対向する基板上に堆積することで薄膜が成膜される。
【０００８】
ＣＶＤ法（化学気相成長法）は、電場や磁場を用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用して、原料ガスに分解、合成等の化学反応を起こさせ、この化学反応の結果生じた反応生成物を基体上に堆積させることで薄膜を成膜する方法である。
【０００９】
一般に、磁気記録媒体の電磁変換特性は、「出力」と「媒体ノイズ」の差分である“ＣＮＲ”で評価され、高出力かつ低ノイズ状態が好ましい。このうち、高出力化のためには、金属磁性薄膜と、記録ヘッドや再生ヘッドの距離（スペーシング）を小さくすることが非常に重要である。スペーシングによる記録再生の損失は「スペーシング損失」と呼ばれ、次式（式１）のように示される。記録密度向上のために記録再生における波長を短くするほど、スペーシング損失は顕著になる。
【００１０】
（スペーシング損失）[ｄＢ]＝（スペーシング損失係数）×（スペーシング）÷（記録再生波長） ・・・ （式１）
【００１１】
蒸着磁気テープにおけるスペーシング損失係数は、発明者らの検討において９０〜１３０程度であることが明らかになっており、仮にＡＩＴ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｔａｐｅ）フォーマットのうち、ＡＩＴ３の最短波長０.２８６μｍの場合、計算ではつぎのような出力変化が予想される。
・２ｎｍのスペーシングで０.６〜０.９ｄＢ
・４ｎｍのスペーシングで１.３〜１.８ｄＢ
・６ｎｍのスペーシングで１.９〜２.７ｄＢ
【００１２】
したがってスペーシングを抑制することは、高出力化のための有効な手段であり、また高ＣＮＲ化に対しても有効な手段である。
【００１３】
蒸着磁気テープでは、磁性層表面に硬質のカーボン保護層を形成し、これによって、磁気ヘッド等との摺動に対する耐久性を確保しており、スペーシング損失の観点からは、薄いほど好ましい。しかしながら、保護層が薄い場合、充分な摺動耐久性が確保できない。薄層保護層の場合、摺動によって低摩擦・高強度なカーボン保護層が摩耗し、高摩擦で強度の低い磁性層が露出するまでの時間（摺動回数）が早まることが原因である。また、保護層を薄層化すると、表面被覆率の低下、ガス透過の増大などの理由により、腐蝕ガスに対する耐蝕性が劣化することも、長期間保存を要求されるデータストレージ用途などにとっては大きな課題である。
【００１４】
前記問題のうち腐食問題に対しては、磁性層上に耐食性保護層と耐久性保護層とを積層形成して、その改善を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。これにより、磁性層である金属磁性薄膜の腐食は抑制されエラーレートを改善することが可能となるが、スペーシング損失に関してはその改善は十分とはいえなかった。
【００１５】
【特許文献１】特開平５−２３４０５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、保護層が薄く、その膜厚が１４ｎｍ以下であっても、走行耐久性を満足し、かつ長期保存における耐蝕性に有効な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記課題を解決するために提供する本発明は、非磁性支持体上に磁性層と、カーボンを主体とした保護層と、極性基を有する潤滑剤からなる潤滑層とを有する金属薄膜型の磁気記録媒体であって、前記保護層は、金属が０．５ａｔ％〜５０ａｔ％含有されてなることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１８】
ここで、前記非磁性金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕいずれかの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金からなることが好ましい。
【００１９】
また、前記保護層の膜厚が２〜１４ｎｍであることが好適である。
【００２０】
また、前記磁性層の膜厚が２０〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００２１】
また、前記潤滑層は、フッ素を含む潤滑剤が塗布されてなることが好適である。
【００２２】
また、前記非磁性支持体の磁性層形成面とは反対面にバックコート層を有するとよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の磁気記録媒体によれば、カーボンを主体とする保護層に所定の金属を含有させることで、潤滑層を構成する潤滑剤、例えばフッ素系潤滑剤の保持効果が高まり、繰り返し摺動によるフッ素系潤滑剤の減少・枯渇が抑制され、シャトル摺動耐久性が向上する。これにより、保護層を薄くすることが可能になり、より高記録密度に対応した磁気記録媒体の提供が可能になる。また、保護層に腐蝕しにくい貴金属を含有させることで磁性層の腐蝕を抑制した磁気記録媒体の提供が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、本発明に係る磁気記録媒体の構成について説明する。
図１に本発明により作成された磁気記録媒体の略式断面図を示す。
この磁気記録媒体１００は、長尺形状の非磁性支持体１の一主面に、真空薄膜形成技術により作製した磁性層２を有し、磁性層２上にカーボンを主体とする保護層３が形成され、保護層３上に極性基を有する潤滑剤からなる潤滑層４が形成された構成を有するものである。以下、詳細に説明する。
【００２５】
非磁性支持体１としては、従来より金属磁性薄膜型の磁気記録媒体で用いられているものがいずれも使用可能である。例えば、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド樹脂等の高分子物質が使用可能である。また、これら非磁性支持体上には、磁性薄膜を形成するのに先立ち、易接着化、表面性改良、着色、帯電防止、耐磨耗性付与等の目的で表面処理や前処理を行うようにしてもよい。
【００２６】
磁性層２を形成する金属磁性材料としては、通常の蒸着テープに使用されるものであれば如何なるものであってもよいが、例示すればＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられる。
【００２７】
磁性層２は、真空中で金属磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体１に蒸着させる真空蒸着法や、金属磁性材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、アルゴンイオンでターゲット表面の原子を叩き出すスパッタ法などのいわゆるＰＶＤ技術によって形成された薄膜であり、その膜厚は２０ｎｍ〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００２８】
なお、磁性層２は上記方法によって成膜される金属磁性薄膜の単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。さらには、非磁性支持体１と磁性層２との間、さらには磁性層２が多層膜の場合には、各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、下地層、又は、中間層を設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていてもよい。
【００２９】
図２に磁性層２の成膜を行う蒸着装置２００の一例の概略構成図を示す。本実施例においては、図２の蒸着装置２００において、１０-2Ｐａに排気した蒸着室２０２内で、ルツボ２１０内に配した金属磁性材料２１１であるコバルト塊を、電子銃２１２からの電子ビームで加熱溶解して、幅６２０ｍｍの非磁性支持体１に、コバルト金属磁性薄膜を蒸着した。この蒸着装置２００においては、排気口２０３から排気されて真空状態となされた真空槽２０１内に、送りロール２０４と巻取りロール２０５とが設けられており、これらの間に非磁性支持体１が順次走行するようになされている。
【００３０】
これら送りロール２０４と巻取りロール２０５との間に、上記非磁性支持体１が走行する中途部には、冷却キャン２０６が設けられている。この冷却キャン２０６には、冷却装置が設けられ、非磁性支持体１の温度上昇による熱変形などを抑制している。
【００３１】
非磁性支持体１は、送りロール２０４から順次送り出され、さらに上記冷却キャン２０６の周面を通過し、巻取りロール２０５に巻取られていくようになされている。尚、上記送りロール２０４と冷却キャン２０６との間及び冷却キャン２０６と巻取りロール２０５との問にはそれぞれガイドロール２０７、２０８が配設され、上記送りロール２０４から冷却キャン２０６及び該冷却キャン２０６から巻取りロール２０５にわたって走行する非磁性支持体１に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体１が円滑に走行するようになされている。
【００３２】
蒸着室２０２は隔壁２０９によって隔てられており、ルツボ２１０から蒸発した金属粒子や反射、散乱する電子ビームの流入を抑制している。上記冷却キャン２０６の下方にルツボ２１０が設けられ、このルツボ２１０に金属磁性材料２１１が充填されている。このルツボ２１０は、冷却キャン２０６の幅と略同一の幅を有してなる。
【００３３】
一方、蒸着装置２００の側壁部には、上記ルツボ２１０内に充填された金属磁性材料２１１を加熱蒸発させるための電子銃２１２が取り付けられる。この電子銃２１２は、当該電子銃２１２より放出される電子ビームが上記ルツボ２１０内の金属磁性材料２１１に照射されるような位置に配設される。そして、この電子線によって蒸発した金属磁性材料２１１が上記冷却キャン２０６の周面を定速走行する非磁性支持体１上に磁性層２として被着形成されるようになっている。
【００３４】
また、上記冷却キャン２０６とルツボ２１０との間であって、冷却キャン２０６の近傍には、シャッタ２１３が配設されている。このシャッタ２１３は、上記冷却キャン２０６の周面を定速走行する非磁性支持体１の所定領域を覆う形で形成され、このシャッタ２１３により上記蒸発せしめられた金属磁性材料２１１が上記非磁性支持体１に対して所定の角度範囲で斜めに蒸着されるようになっている。さらに、このような蒸着に際し、上記蒸着装置２００側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入口２１４を介して非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性、耐久性及び耐蝕性の向上が図られている。蒸着の入射角は、非磁性支持体１の法線方向から９０度〜４５度までとし、非磁性支持体１の送り速度を変化させ、蒸着層の厚さを制御する。また、蒸着中は磁気特性を制御するために、酸素ガス導入管２１４から酸素ガスを導入しながら成膜を行う。
【００３５】
保護層３は、カーボンを主体とし、金属が０．５ａｔ％以上、５０ａｔ％以下含有されてなるものである。この保護層３の膜厚は、２〜１４ｎｍであることが好ましい。
【００３６】
保護層３に含有される金属は、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金が挙げられる。あるいは、耐食性向上の観点から、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金が挙げられる。また、これらのうち、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕいずれかの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金からなることが好ましく、非磁性金属であることがより好ましい。
【００３７】
以下、保護層３を作成するためのスパッタリング装置（図３）とＣＶＤ（化学気相成長法）装置(図４)の説明をするが、保護層成膜装置はこれに限定されるものではない。
【００３８】
図３に保護層３の成膜装置として、マグネトロンスパッタ装置３００の略式構成図を示す。
この装置３００においては、頭部に設けられた排気口３０３によって内部が高真空状態となされた真空槽３０１内に、定速回転する送りロール３０４と、巻取りロール３０５とが設けられ、これら送りロール３０４から巻取りロール３０５に、非磁性支持体１の上に磁性層が蒸着された被処理体５０１が、順次走行するようになされている。
【００３９】
これら送りロール３０４から巻取りロール３０５側に被処理体５０１が走行する中途部には、キャン３０６が設けられている。このキャン３０６は、被処理体５０１を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成で示してある。また、これら送りロール３０４から巻取りロール３０５側に被処理体５０１が走行する中途部には、ガイドロール３０７やガイドロール３０８が配設され、被処理体５０１に所定のテンションをかけ、被処理体５０１が円滑に走行するようになされている。
【００４０】
成膜室３０２は隔壁３０９によって隔てられており、スパッタリングの際の飛散粒子の抑制やガス圧力を制御している。
【００４１】
冷却キャン３０６と対向する位置には、ターゲット３１０が設けられている。ターゲット３１０は、前記金属を含有したカーボンからなるものであり、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の少なくとも１種類の金属を混合した、あるいは当該金属チップとして埋め込んだカーボンターゲットが用いられる。これらターゲット３１０は、カソード電極を構成するバッキングプレート３１１に支持されている。そして、バッキングプレート３１１の裏面には、磁場を形成するマグネット３１２が配設されている。このマグネトロンスパッタ装置３００において、金属が含有されたカーボン保護層３を成膜する場合には、成膜室３０２内を約１×１０−４〔Ｐａ〕程度に減圧した後、ガス導入管３１４からＡｒガスを導入して真空度を例えば約０．５〔Ｐａ〕とする。
【００４２】
そして、ガス導入管３１４からＡｒガスを導入するとともに、冷却キャン３０６をアノード、バッキングプレート３１１をカソードとして、電源３１３を用いて約６００Ｖの電圧を印加し、約４０Ａの電流が流れる状態を保持する。そして、この電圧の印加により、Ａｒガスがプラズマ化し、電離されたイオンがターゲット３１０に衝突することにより、ターゲットからカーボンと金属原子がはじき出される。
【００４３】
このとき、バッキングプレート３１１の裏面に配置されたマグネット３１２より、ターゲット３１０近傍には、磁場が形成されるので、電離されたイオンは、ターゲット３１０の近傍に集中されることとなる。そして、これらのターゲット３１０からはじき出された原子は、冷却キャン３０６の外周面に沿って走行する被処理体５０１に付着する。このようにして、金属が含有されたカーボン保護層３が成膜された被処理体５０２は、巻き取りロール３０５に巻き取られる。
【００４４】
ターゲットには、保護層として成膜後に希望の濃度比率になるよう、カーボンターゲット上に金属のチップを配置してもよいし、初めからカーボンに金属を混入させたものを用いてもよい。
【００４５】
図４に保護層３の成膜装置として、プラズマＣＶＤ装置４００の略式構成図を示す。
この装置４００においては、頭部に設けられた排気口４０３によって内部が高真空状態となされた真空槽４０１内に、定速回転する送りロール４０４と、巻取りロール４０５とが設けられ、これら送りロール４０４から巻取りロール４０５に、非磁性支持体１の上に磁性層が蒸着された被処理体５０１が、順次走行するようになされている。
【００４６】
これら送りロール４０４から巻取りロール４０５側に被処理体５０１が走行する中途部には、キャン４０６が設けられている。このキャン４０６は、被処理体５０１を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成で示してある。また、これら送りロール４０４から巻取りロール４０５側に被処理体５０１が走行する中途部には、ガイドロール４０７，４０８が配設され、被処理体５０１に所定のテンションをかけ、被処理体５０１が円滑に走行するようになされている。
【００４７】
成膜室４０２内には、上記キャン４０６の下方にパイレックス（登録商標）ガラス，プラスチック等よりなる反応管４１０が設けられている。この反応管４１０は、一方の端部が成膜室４０２の底部を貫通しており、このガス導入管４１１から成膜ガスが当該反応管４１０内に導入されるようになっている。また、この反応管４１０内の中途部には、金属メッシュ等よりなる電極４１３が取り付けられている。この電極４１３は、外部に配設された電源４１２と接続されており、０〜３０００Ｖの電圧が印加されるようになっている。
【００４８】
このＣＶＤ装置では、この電極４１３に電圧が印加されることで、当該電極４１３とキャン４０６との間にグロー放電が生じる。そして、反応管４１０内に導入された成膜ガスは、この生じたグロー放電によって分解し、被処理体５０１上に被着され、保護層３が形成される。
【００４９】
保護層３の形成に適用する成膜ガスとしては炭化水素系、ケトン系、アルコール系など、従来公知の材料をいずれも使用できる。また、プラズマ生成時には炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｈ２などが導入されていてもよい。その他、ダイヤモンドライクカーボンの膜硬度、耐蝕性の向上を図るため、カーボンが窒素、フッ素と反応した状態でもよく、ダイヤモンドライクカーボン膜は単層であっても多層であってもよい。また、プラズマ生成時には炭素化合物の他、Ｎ２、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２等のガスを単独あるいは適宜混合した状態で成膜することもできる。
【００５０】
上記カーボン系ガスに対し、下記に示すような原料を用いて金属含有ガスをカーボン系ガスと混合させ、これを用いてＣＶＤすることで金属が含有された保護層３が成膜される。
【００５１】
金属含有ガスを生成する原料として、ＴｉＣｌ４やＷＦ６のハロゲン系金属材料、さらにＣａ(ＤＰＭ)２、Ｃａ(ＤＰＭ)２、Ｔｉ(Ｏｉ―Ｐｒ)２(ＤＰＭ)２、Ｔｉ(Ｏｔ―Ａｍ)２(ＴＭＯＤ)２、ＴｉＯ(ＤＰＭ)２、Ｃｒ(ＤＰＭ)３、Ｍｎ(ＤＰＭ)３、Ｚｎ(ＤＰＭ)２、Ｚｒ(ＤＰＭ)４、Ｚｒ(ＤＩＢＭ)４、Ｎｂ(ＯＥｔ)４(ＤＰＭ)、Ｔａ(ＯＥｔ)４(ＤＰＭ)、Ｐｂ(ＤＰＭ)２、Ｂｉ(Ｏ―Ｔｏｌ)３、Ｃｕ(ＤＰＭ)２、Ｃｕ(ＩＢＰＭ)２、Ｃｕ(ＤＩＢＭ)２などが使用できるが、これに限定されるものではない。
【００５２】
金属が含有された保護層３は厚く形成しすぎるとスペーシングによる損失が増加し、薄すぎると耐久性、耐蝕性が低下するため、２ｎｍ〜１４ｎｍの厚さに形成することが好ましい。
【００５３】
潤滑層４は、ガイドロール、回転ドラム、ヘッド等との摩擦を低減させるために、極性基を有する潤滑剤が保護層３上に塗布されてなるものである。潤滑剤としては、従来公知の材料を用いることができるが、特にフッ素系の潤滑剤であることが好ましい。
【００５４】
本発明の磁気記録媒体１００においては、必要に応じて非磁性支持体１の磁性層２の形成面側とは反対側に厚さ０．１〜０.７μｍのバックコート層５を形成してもよい。この場合、バックコート層５形成用材料としては、非磁性顔料、樹脂結合剤等、従来公知の材料を適宜用いることができる。また、本発明の磁気記録媒体１００は、ヘリカル・スキャン記録再生システムに用いられることを想定しているが、このシステムに限定されるものではない。
【実施例】
【００５５】
次に、本発明の磁気記録媒体１００について、具体的な例を挙げて説明するが、本発明の磁気記録媒体は、以下の例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
（１）サンプル作製
図１に示した磁気記録媒体１００の非磁性支持体１として、厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に磁性層２を図２に示した蒸着装置２００を用いて以下の条件で作成した。
（蒸着条件）
・成膜材料：Ｃｏ１００ｗｔ％
・入射角：４５°〜９０°
・導入ガス：酸素ガス
・磁性層の膜厚：１５０ｎｍ
【００５６】
次に、以下の条件により図４に示したプラズマＣＶＤ装置４００を用いて金属が含有された保護層３を形成した。
（ＣＶＤ条件）
・導入ガス：エチレン／アルゴン／ＴｉＣｌ４混合ガス
・ＴｉＣｌ４流量：２ｓｃｃｍ
・反応管内圧力：３０Ｐａ
・投入電圧：＋１．２ｋＶ
・保護層の膜厚：８ｎｍ
【００５７】
次に、フッ素系潤滑剤を用いて潤滑剤層４を形成し、カーボン系のバックコート層５を形成し、最後に８ｍｍ幅に裁断してテープ状の磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００５８】
（２）サンプル評価
得られたサンプルについて、以下の評価を行った。
（ｉ）保護層中の金属含有量
保護層３中の金属の含有量を、Ｘ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ、ＳＨＩＭＡＺＵ製）により測定した。具体的には、カーボン（炭素）１００％の標準試料における光電子の検出強度（Ａ）と、含有金属（例えばＴｉ）１００％の標準試料における光電子の検出強度（Ｂ）を測定しておき、測定対象サンプルの光電子の検出強度（炭素：ａ、Ｔｉ：ｂ）から、炭素存在比率（ａ／Ａ）、Ｔｉ存在比率（ｂ／Ｂ）をそれぞれ求めることによって測定対象サンプルの相対的な保護層中の金属含有量を算出した。
【００５９】
（ii）シャトル耐久性（シャトル回数）
サンプルの摺動耐久性評価のため、恒温槽内の雰囲気を温度２５℃、相対湿度５０％に制御して、この恒温槽内で市販のＡＩＴ３デッキ（ソニー株式会社製；商品名ＳＤＸ―７００Ｃ）を用い、繰り返し摺動（シャトル）を行った。再生出力が初期出力から３ｄＢ落ちた時点を摺動終了回数とした。なお、シャトル耐久性の判断だが、およそシャトル回数３００００パスを超えれば製品として問題無いレベル、５００００パスを超えればさらに保護膜を薄くできる可能性があるため、次世代の製品に有望なレベルである。
【００６０】
（iii）インダクティブヘッド再生の電磁変換特性
市販のＡＩＴ３デッキ（ソニー株式会社製；商品名ＳＤＸ―７００Ｃ）を使用し、各サンプル磁気テープに、記録波長０．２８６μｍで、情報信号を記録した後、インダクティブヘッドにより再生し、出力レベルとＣＮＲを測定した。なお、ＣＮＲレベルは、後述する比較例１の磁気テープをリファレンス（基準値（±０ｄＢ））とした場合、リファレンスに比較して−１．５ｄＢ以下であると、実用上充分な記録再生特性が得られない。
【００６１】
（iv）摺動による潤滑剤の残存量
まず作成した初期状態のサンプルの潤滑剤量をＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ、ＳＨＩＭＡＺＵ製）を用いて測定し、このテープをφ２ｍｍのＳＵＳピンに９０゜の角度で巻きつけ、１０ｇｆの荷重で繰り返し行き来させる摩擦摺動試験を１０００パス実施した。
摩擦試験終了後、再度テープの潤滑剤量をＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ、ＳＨＩＭＡＺＵ製）を用いて測定し、次の式により潤滑剤の残存量を求めた。
（残存量）（％）＝（摺動後の潤滑剤量） ÷ （初期状態の潤滑剤量）
【００６２】
＜実施例２〜９＞
実施例１において、ＴｉＣｌ４流量をそれぞれ４ｓｃｃｍ（実施例２），８ｓｃｃｍ（実施例３），２０ｓｃｃｍ（実施例４），４０ｓｃｃｍ（実施例５），８０ｓｃｃｍ（実施例６），１２０ｓｃｃｍ（実施例７），１６０ｓｃｃｍ（実施例８），２００ｓｃｃｍ（実施例９）とし、それ以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００６３】
＜比較例１〜４＞
実施例１において、ＴｉＣｌ４流量をそれぞれ０ｓｃｃｍ（比較例１）、１ｓｃｃｍ（比較例２）、２４０ｓｃｃｍ（比較例３）、２８０ｓｃｃｍ（比較例４）とし、それ以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００６４】
＜比較例５，６＞
比較例１において、保護層の膜厚をそれぞれ４ｎｍ（比較例５）、６ｎｍ（比較例６）とし、それ以外は比較例１と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００６５】
以上のサンプルの評価結果を表１に示す。なお、摺動による潤滑剤の残存量は、実施例４、比較例１について測定した。
【００６６】
【表１】
【００６７】
（保護層膜厚の影響）
＜実施例１０〜１５＞
実施例４において、保護層３の膜厚がそれぞれ２ｎｍ（実施例１０），４ｎｍ（実施例１１），６ｎｍ（実施例１２），１０ｎｍ（実施例１３），１２ｎｍ（実施例１４），１４ｎｍ（実施例１５）となるように成膜速度を変化させて、それ以外は実施例４と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００６８】
＜比較例７，８＞
実施例４において、保護層３の膜厚がそれぞれ１ｎｍ（比較例７），１６ｎｍ（比較例８）となるように成膜速度を変化させて、それ以外は実施例４と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００６９】
以上のサンプルについて、保護層中の金属含有量、シャトル耐久性（シャトル回数）、インダクティブヘッド再生の電磁変換特性を評価した結果を表２に示す。
【００７０】
【表２】
【００７１】
（磁性層膜厚の影響）
＜実施例１６〜２１＞
実施例４において、磁性層２の膜厚をそれぞれ２０ｎｍ（実施例１６）、３５ｎｍ（実施例１７）、５０ｎｍ（実施例１８）、１００ｎｍ（実施例１９）、１５０ｎｍ（実施例２０）、２００ｎｍ（実施例２１）、３００ｎｍ（実施例２１）となるように蒸着成膜速度を変化させ、それ以外は実施例４と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００７２】
＜比較例９，１０＞
実施例４において、磁性層２の膜厚をそれぞれ１５ｎｍ（比較例９）、４００ｎｍ（比較例１０）となるように蒸着成膜速度を変化させ、それ以外は実施例４と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００７３】
以上のサンプルについて、保護層中の金属含有量、シャトル耐久性（シャトル回数）、インダクティブヘッド再生の電磁変換特性、異方性磁気抵抗効果型ヘッド（ＡＭＲヘッド）再生の電磁変換特性を評価した。なお、ＡＭＲヘッド再生の電磁変換特性の評価は次のように行った。
（ＡＭＲヘッド再生の電磁変換特性）
市販のデジタルビデオカメラレコーダー「ＭｉｃｒｏＭＶ」（ソニー株式会社製；商品名ＤＣＲ−ＩＰ７）用のＡＭＲヘッドをＡＩＴ３デッキ（ソニー株式会社製；商品名ＳＤＸ−７００Ｃ）に搭載させ、各サンプル磁気テープに、記録波長０．２２μｍで、情報信号を記録した後、ＡＭＲヘッドにより再生し、出力レベルとＣＮＲを測定した。ここで、ＣＮＲレベルは、比較例１の磁気テープをリファレンス（基準値（±０ｄＢ））とした場合、リファレンスに比較して−１．５ｄＢ以下であると、実用上充分な記録再生特性が得られない。また、インダクティブヘッドと、ＡＭＲヘッドやＧＭＲヘッドなどの磁気抵抗効果を利用したヘッドは、最適な磁性層厚み範囲が異なっており、両方の再生ヘッドで優れたＣＮＲを満たす必要はない。
【００７４】
以上の評価結果を表３に示す
【００７５】
【表３】
【００７６】
次に、スパッタリング法により含有金属をＣｕ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗにして保護層３を成膜した場合の実施例を以下に示す。
＜実施例２２＞
図１に示した磁気記録媒体１００の非磁性支持体１として、厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に磁性層２を図２に示した蒸着装置２００を用いて以下の条件で作成した。
（蒸着条件）
・成膜材料：Ｃｏ１００ｗｔ％
・入射角：４５°〜９０°
・導入ガス：酸素ガス
・磁性層の膜厚：１５０ｎｍ
【００７７】
次に、以下の条件により図３に示したマグネトロンスパッタ装置３００を用いて金属が含有された保護層３を形成した。ここで、ターゲットは矩形のカーボンターゲットの表面に縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１ｍｍの金属からなるチップを所定個数埋め込んだものを使用した。
（スパッタリング条件）
・導入ガス：アルゴン
・ターゲット：カーボン＋Ｃｕチップ
・・Ｃｕチップ数：２個
・投入電圧：５００Ｖ
・カーボン保護層の膜厚：８ｎｍ
【００７８】
次に、フッ素系潤滑剤を用いて潤滑剤層４を形成し、カーボン系のバックコート層５を形成し、最後に８ｍｍ幅に裁断してテープ状の磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００７９】
＜実施例２３〜３０＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むＣｕチップ数をそれぞれ４個（実施例２３）、８個（実施例２４）、２０個（実施例２５）、４０個（実施例２６）、８０個（実施例２７）、１２０個（実施例２８）、１６０個（実施例２９）、２００個（実施例３０）とし、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００８０】
＜比較例１１〜１４＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むＣｕチップ数をそれぞれ０個（比較例１１）、１個（比較例１２）、２４０個（比較例１３）、２８０個（比較例１４）とし、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体のサンプルを得た。
【００８１】
＜実施例３１＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むチップをＴｉチップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１ｍｍ）とし、該Ｔｉチップ数を３０個として、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００８２】
＜実施例３２＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むチップをＷチップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１ｍｍ）とし、該Ｗチップ数を５０個として、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００８３】
＜実施例３３＞
実施例２２において、カーボンターゲットに埋め込むチップをＴｉＷチップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１ｍｍ）とし、該ＴｉＷチップ数を４０個として、それ以外は実施例２２と同様にして磁気記録媒体１００のサンプルを得た。
【００８４】
以上のサンプルについて、保護層中の金属含有量、シャトル耐久性（シャトル回数）、インダクティブヘッド再生の電磁変換特性、ＳＯ２耐食性を評価した。なお、ＳＯ２耐食性の評価は実施例２２〜３０、比較例１１〜１４について次のように行った。
（ＳＯ２耐食性）
ＳＯ２ガス環境の磁化劣化評価として、ガス試験装置（ＳＯ２ガス濃度＝０．５ｐｐｍ、３０℃・８０％ＲＨ）の環境で、５０時間保存したサンプルの磁化量変化を測定した。ＶＳＭを用いてサンプルの飽和磁化を測定し、以下の式（式２）を用いて磁化劣化率を算出した。式２においてＳＯ２ガス環境保存後のＣｏ磁性層の磁化量が半分に減少すれば磁化劣化率５０％、保存後の磁化率がゼロまで減少すれば磁化劣化率は１００％になる。ここでは、磁化劣化率が２０％未満のものを良好と評価し、２０％以上のものを不可と評価した。
（磁化劣化率φs）（％）＝（（保存前の磁化量）−（保存後の磁化量））／（保存前の磁化量） ・・・ （式２）
【００８５】
以上の評価結果を表４に示す
【００８６】
【表４】
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造に用いる蒸着装置の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の製造に用いるマグネトロンスパッタ装置の構成を示す概略図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体の製造に用いるプラズマＣＶＤ装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８８】
１・・・非磁性支持体、２・・・磁性層、３・・・保護層、４・・・潤滑層、５・・・バックコート層、１００・・・磁気記録媒体、２００・・・蒸着装置、２０１，３０１，４０１・・・真空槽、２０２・・・蒸着室、２０３，３０３，４０３・・・排気口、２０４，３０４，４０４・・・送りロール、２０５，３０５，４０５・・・巻取りロール、２０６，３０６，４０６・・・冷却キャン、２０７，２０８，３０７，３０８，４０７，４０８・・・ガイドロール、２０９，３０９，４０９・・・隔壁、２１０・・・ルツボ、２１１・・・金属磁性材料、２１２・・・電子銃、２１３・・・シャッター、２１４・・・酸素ガス導入管、３００・・・マグネトロンスパッタ装置、３０２，４０２・・・成膜室、３１０・・・ターゲット、３１１・・・バッキングプレート、３１２・・・マグネット、３１３，４１２・・・電源、３１４，４１１・・・ガス導入管、４００・・・プラズマＣＶＤ装置、４１０・・・反応管、４１３・・・放電電極、５０１，５０２・・・被処理体、５０２
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体上に磁性層と、カーボンを主体とした保護層と、極性基を有する潤滑剤からなる潤滑層とを有する金属薄膜型の磁気記録媒体であって、
前記保護層は、金属が０．５ａｔ％〜５０ａｔ％含有されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕいずれかの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記保護層の膜厚が２〜１４ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁性層の膜厚が２０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記潤滑層は、フッ素を含む潤滑剤が塗布されてなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性支持体の磁性層形成面とは反対面にバックコート層を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１】
非磁性支持体上に磁性層と、カーボンを主体とした保護層と、極性基を有する潤滑剤からなる潤滑層とを有する金属薄膜型の磁気記録媒体であって、
前記保護層は、金属が０．５ａｔ％〜５０ａｔ％含有されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕいずれかの単金属またはこれらの金属群から選ばれる１または２以上の金属を含む合金からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記保護層の膜厚が２〜１４ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁性層の膜厚が２０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記潤滑層は、フッ素を含む潤滑剤が塗布されてなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性支持体の磁性層形成面とは反対面にバックコート層を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００８−３３９９６（Ｐ２００８−３３９９６Ａ）
【公開日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２０４２１７（Ｐ２００６−２０４２１７）
【出願日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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