脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
【課題】半導体装置製造に用いられるポジ型フォトレジスト用モノマーあるいは溶解抑止剤などとして有用な、溶解特性、露光感度、解像度、ラフネス、耐熱性等に優れ、特に現像液に対する溶解抑止効果に優れた脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アダマンタン骨格にコール酸類エステル構造含有基が１つ又は２つ結合した脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法である。
【解決手段】アダマンタン骨格にコール酸類エステル構造含有基が１つ又は２つ結合した脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法に関し、さらに詳しくは、ポジ型フォトレジストとして機能する脂環式化合物、すなわち、通常はアルカリ溶液への溶解抑止効果を有するが、光酸発生剤などにより酸分解を受けることにより、アルカリ可溶性となりうる脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の微細化が進むに伴い、その製造におけるフォトリソグラフィー工程において、さらなる微細化が要求されており、ＫｒＦ、ＡｒＦあるいはＦ2エキシマレーザー光などの短波長の照射光に対応したフォトレジスト材料を用いて、微細パターンを形成させる方法が種々検討されている。そして、前記エキシマレーザー光などの短波長の照射光に対応できる新しいフォトレジスト材料の出現が望まれている。
フォトレジスト材料として、従来はフェノール樹脂をベースとするポリマーが数多く開発されてきたが、これらの材料は芳香族環を含むために光の吸収が大きく、微細化に対応できるだけのパターン精度を得ることができない。
また、溶解抑止効果を有する化合物として、ジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）に代表されるフェノール系化合物も使用されてはいるが、上記ポリマーと同様に短波長の照射光では光の吸収のため、微細パターンの形成には限界がある。
【０００３】
このため、ＡｒＦエキシマレーザーによる半導体製造における感光性レジストとしては、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレートのような脂環式骨格を持った重合性化合物を共重合したポリマーが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、微細加工技術の更なる進歩に伴い、現時点では３２ｎｍ以下の線幅を実現しようとしているものの、従来の技術だけでは、露光感度、解像度、パターン形状、露光深度、表面荒れなどの種々の要求性能をクリアすることができていない。具体的には、ＬＥＲ、ＬＷＲと呼ばれるパターン表面の粗さ（ラフネス）やうねりといった平滑性の問題が顕在化してきた。また、近年の液浸露光による方法では、液浸媒体に起因するレジストパターンのディフェクト＝欠陥などの現像不良も散見される。さらには、１３．５ｎｍの極端紫外線（ＥＵＶ）を使用した半導体製造工程においては、スループットの向上の為にも、より高感度のレジスト開発が望まれている。
従来技術を駆使することにより、それぞれの要求性能を改善することは可能になってきているものの、互いにトレードオフの関係にある「露光感度、解像度、表面荒れ」を同時に達成することが困難と言われている。その中で、低分子レジストといわれる単分子化合物は、従来のポリマー系化合物と異なり、露光感度と解像度のみならず、その分子サイズに由来する表面荒れが大きく低減できる材料として期待されている。
【０００４】
低分子レジストとしては、例えば特許文献２〜７には、リソグラフィーによる半導体製造用材料としてカリックスアレーン、カリックスレゾルシナレンなどのポリフェノール系の低分子化合物が開発されている。これらは合成が容易であるものの、芳香環を有するためにＫｒＦやＡｒＦといった短波長の光源には、光の吸収により使用できない。通常、露光に使用できる波長は高圧水銀灯のｇ線またはｉ線、あるいは軟Ｘ線に限られる。
そこで現行の最先端の量産用露光技術であるＡｒＦエキシマレーザーに適用すべく、種々の脂環式低分子化合物がいくつか提案されている（特許文献８〜１１参照）。更には本発明者らも全脂環式の低分子化合物を開発している（特許文献１２参照）。これらに記載の化合物群は全脂環式化合物であるため高い透明性を有し、任意の光源でのリソグラフィーが可能である。さらには、アダマンタン骨格を有した熱安定性に優れた材料で熱的に余裕のあるプロセスを組むことができる。しかしながら、特定の化合物（特許文献１２の化合物番号ＧＲ−５参照）においては現像液への溶解性が高く、希釈した現像液を使用する必要があるという課題があった。
一方で既存のポリマー系レジストによるリソグラフィー技術では溶解抑止剤として、各種の低分子化合物が提案されてきた（特許文献１３〜１４参照）しかしながら、これらの化合物は分子量が小さすぎるため耐熱性が低く、昨今の高温化された半導体製造プロセスには不向きな材料と言える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−３９６６５号公報
【特許文献２】米国特許第６，０９３，５１７号明細書
【特許文献３】特開２００４−１９１９１３号公報
【特許文献４】特開２００５−０７５７６７号公報
【特許文献５】特開２００７−１９７３８９号公報
【特許文献６】特許第４０７６７８９号
【特許文献７】特開２００８−０８９７０９号公報
【特許文献８】特開２００７−１９１４６８号公報
【特許文献９】特開２００７−１９３３２８号公報
【特許文献１０】特開２００７−２１０９９６号公報
【特許文献１１】特開２００７−３１６５０８号公報
【特許文献１２】国際公開ＷＯ２００７／０９４７８４号
【特許文献１３】特開２００１−１８３８３９号公報
【特許文献１４】特開２００５−０５５８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような状況下で、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用溶解抑止剤あるいは層間絶縁膜、半導体装置製造に用いられるポジ型フォトレジスト用モノマーあるいはその他の溶解抑止剤などとして有用な、溶解特性、露光感度、解像度、ラフネス、耐熱性等に優れた脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、アダマンタン骨格にコール酸類エステル構造含有基が１つ又は２つ結合した脂環式化合物を用いることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
１．下記一般式（１）で表される脂環式化合物、
【化１】
（式中、Ｒa〜Ｒcのうち、１つ又は２つは、下記一般式（ａ）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、それ以外のＲa〜Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はハロゲン原子を示す。）
【化２】
（式中、Ｒd、Ｒe及びＲfは、水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基を示し、Ｒg及びＲhは、それぞれ独立に、水素原子又はヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、ｎは、１又は２を示す。Ａは、単結合又は炭素数１〜５の二価の炭化水素基を示す。）
【化３】
（式中、Ｚ1は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化４】
（式中、Ｚ2は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化５】
（式中、Ｚ3は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、Ｒi及びＲjは、それぞれ独立に、水素原子あるいはヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化６】
（式中、Ｚ4は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化７】
（式中、Ｚ5〜Ｚ7は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
２．前記一般式（ａ）におけるＲg及びＲhが水素原子であり、かつ、Ａが単結合である上記１記載の脂環式化合物、
３．前記一般式（ａ）におけるｎが１である上記１又は２記載の脂環式化合物、
４．前記一般式（ａ）におけるＲd、Ｒe及びＲfが、それぞれ独立に、水素原子又は水酸基である上記３記載の脂環式化合物、
５．前記一般式（１）中、Ｒa〜Ｒcのうち１つ又は２つが前記一般式（ａ）で示され、それ以外のＲa〜Ｒcが水素原子である上記４記載の脂環式化合物、
６．前記一般式（ａ）において、Ｒd、Ｒe及びＲfが、いずれも水酸基である上記５記載の脂環式化合物、
７．下記一般式（ｃ１）〜（ｃ５）のいずれかで示されるコール酸類と、１−ビニルオキシアダマンタン、１−ハロゲノメトキシアダマンタン、１−ビニルオキシメチルアダマンタン及び１−メチルチオメトキシアダマンタンから選択される１種以上とを反応させることを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物の製造方法、
【化８】
８．アダマンタン構造含有アルコールを、酸無水物の存在下、アルキルスルホキシドと反応させてアルキルチオアルキルエーテル体を得る工程と、該アルキルチオアルキルエーテル体をハロゲン化剤によりハロゲン化アルキルエーテル体とする工程と、該ハロゲン化アルキルエーテル体とコール酸類とのエステル化反応工程を有する上記１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物の製造方法、
９．少なくとも上記１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物を含有することを特徴とする組成物、
１０．さらに溶媒及び酸発生剤を含有する上記９記載の組成物、
１１．さらにクエンチャーを含有する上記９又は１０記載の組成物、
１２．ポジ型レジスト組成物である上記９〜１１のいずれかに記載の組成物、及び
１３．上記９〜１２のいずれかに記載の組成物をポジ型レジストとして用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、該レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法、
を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の脂環式化合物は、溶解特性、露光感度、解像度、ラフネス、耐熱性等に優れ、特に現像液に対する溶解抑止効果に優れる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例３及び４並びに比較例１で得られた組成物を用いて、未処理のシリコンウエハー上に形成されたレジスト膜におけるＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を比較する図である。
【図２】実施例３及び４並びに比較例１で得られた組成物を用いて、ＨＭＤＳ処理されたシリコンウエハー上に形成されたレジスト膜におけるＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を比較する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、下記一般式（１）で表される脂環式化合物を提供する。
【化９】
（式中、Ｒa〜Ｒcのうち、１つ又は２つは、下記一般式（ａ）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、それ以外のＲa〜Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はハロゲン原子を示す。）
上記一般式（１）中、Ｒa〜Ｒcのうち１つ又は２つが前記一般式（ａ）で示され、それ以外のＲa〜Ｒcが水素原子であることが好ましい。
【００１１】
【化１０】
【００１２】
上記一般式（ａ）におけるＲdは、水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基を示し、好ましくは水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基であり、より好ましくは水酸基又は下記一般式（ｂ１）で示される炭素数２〜１５の酸素含有有機基である。
上記一般式（ａ）におけるＲe及びＲfは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基を示し、好ましくは水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜１５の酸素含有有機基であり、より好ましくは水素原子又は水酸基である。
上記一般式（ａ）におけるＲg及びＲhは、それぞれ独立に、水素原子、あるいは、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは水素原子、あるいは、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜６の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、より好ましくは水素原子である。
上記一般式（ａ）におけるｎは、１又は２を示し、好ましくは１を示す。
上記一般式（ａ）におけるＡは、単結合又は炭素数１〜５の二価の炭化水素基を示し、好ましくは単結合を示す。
【００１３】
上記一般式（ａ）においてＲg及びＲhで示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基等の直鎖状炭化水素基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等の分岐状炭化水素基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の環状炭化水素基が挙げられる。Ｒg及びＲhが有するヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
上記一般式（ａ）においてＡで示される炭素数１〜５の二価の炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基及びペンタメチレン基が挙げられる。
【００１４】
【化１１】
【００１５】
上記一般式（ｂ１）におけるＺ1は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００１６】
【化１２】
【００１７】
上記一般式（ｂ２）におけるＺ2は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００１８】
【化１３】
【００１９】
上記一般式（ｂ３）におけるＺ3は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜４の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
上記一般式（ｂ３）におけるＲi及びＲjは、それぞれ独立に、水素原子あるいはヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、水素原子あるいは炭素数１〜５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００２０】
【化１４】
【００２１】
上記一般式（ｂ４）におけるＺ4は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００２２】
【化１５】
【００２３】
上記一般式（ｂ５）におけるＺ5〜Ｚ7は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００２４】
上記一般式（ｂ１）においてＺ1で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基、上記一般式（ｂ２）においてＺ2で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基、上記一般式（ｂ３）においてＺ3で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基、上記一般式（ｂ４）においてＺ4で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基、及び上記一般式（ｂ５）においてＺ5〜Ｚ7で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デカニル基などの直鎖状炭化水素基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等の分岐状炭化水素基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデカニル基、デカリル基（パーヒドロナフチル基）、ノルボルニル基、ボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基等の環状炭化水素基、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン環、テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン環などの単環あるいは多環式アルキルの１価の残基、γ−ブチロラクチル環，４−オキサ−トリシクロ［４．２．１．０3,7］ノナン−５−オン，４，８−ジオキサ−トリシクロ［４．２．１．０3,7］ノナン−５−オン，４−オキサ−トリシクロ［４．３．１．１3,8］ウンデカン−５−オンなどの単環あるいは多環式ラクトンの１価の残基、テトラヒドロフラン，テトラヒドロピラン，１，４−ジオキサンなどの単環あるいは多環式エーテルの１価の残基、およびこれらのパーフルオロ体などが挙げられる。
【００２５】
本発明の脂環構造含有化合物は、種々の方法により製造可能であり、代表的な例としては以下の製造方法Ａ〜Ｄが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
製造方法Ａ：
アダマンタン構造含有アルコールをアルデヒド類の存在下、ハロゲン化水素ガスと反応させることによりハロゲン化アルキルエーテル体を得て、このハロゲン化アルキルエーテル体と、コール酸類とのエステル化反応を行う方法。
製造方法Ｂ：
アダマンタン構造含有アルコールを酸無水物の存在下、アルキルスルホキシドと反応させることによりアルキルチオアルキルエーテル体を得て、ハロゲン化剤によりハロゲン化アルキルエーテル体とし、さらに、このハロゲン化アルキルエーテル体と、コール酸類とのエステル化反応を行う方法。
製造方法Ｃ：
酸触媒存在下、アダマンタン構造含有ビニルエーテルと、コール酸類とのエステル化反応を行う方法。
製造方法Ｄ：
酸素含有有機化合物を用いて、前記製造方法Ａ〜Ｃで得られた脂環式化合物の水酸基保護反応を行う方法。
【００２６】
（製造方法Ａ）
上記製造方法Ａにおけるアダマンタン構造含有アルコールとしては、１，３，５−アダマンタントリオール、１，３，５−トリス（ヒドロキシメチル）アダマンタン、１，３−アダマンタンジオール、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）アダマンタン、１−アダマンタノール、１−（ヒドロキシメチル）アダマンタンなどが挙げられるが、１，３−アダマンタンジオール、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）アダマンタン、１−アダマンタノール、１−（ヒドロキシメチル）アダマンタンが好ましい。
製造方法Ａにおけるアルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド，パラホルムアルデヒド，アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒドなどの直鎖状または分岐状の脂肪族アルデヒドが挙げられる。
製造方法Ａにおけるハロゲン化水素ガスとしては、例えば、フッ化水素ガス、塩化水素ガス、臭化水素ガスのような単体ガスまたはこれらの混合ガスが挙げられる。
製造方法Ａにおけるコール酸類としては、例えば、下記式（ｃ１）で示されるリトコール酸、下記式（ｃ２）で示されるデオキシコール酸、下記式（ｃ３）で示されるウルソデオキシコール酸、下記式（ｃ４）で示されるケノデオキシコール酸、下記式（ｃ５）で示されるコール酸などの飽和コール酸類縁体が挙げられる。
【００２７】
【化１６】
【００２８】
製造方法Ａにおけるハロゲン化アルキルエーテル体は、アダマンタン構造含有アルコールをアルデヒド類の存在下、ハロゲン化水素ガスで反応させることにより得られる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、有機溶媒を使用する場合には、アダマンタン構造含有アルコールの飽和溶解度以下であれば特に限定はしないが、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。
使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、ハロゲン化水素ガスの溶存量が高いハロゲン系溶媒が好ましく、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
また、反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎるとハロゲン化水素ガスの溶解度が低下し、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、０℃〜４０℃が好ましい。
圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。また、圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
このようにして得られるハロゲン化アルキルエーテル体の具体例としては、１，３−ビス（ハロゲノメトキシ）アダマンタン等が挙げられる。
【００２９】
製造方法Ａにおけるエステル化反応は、塩基存在下、ハロゲン化アルキルエーテル体と、コール酸類とを反応させることにより行うことができる。反応性の観点から、α−ハロアルキルエーテルと反応させることが好ましい。また、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、有機溶媒を使用する場合には、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ），などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド），ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ），Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ），ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ），ヘキサメチル亜リン酸トリアミド（ＨＭＰＴ），二硫化炭素などの非プロトン極性溶媒が挙げられ、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。上記塩基としては水素化ナトリウム，水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，炭酸ナトリウム，炭酸カリウム，炭酸水素ナトリウム，炭酸水素カリウム，酸化銀，燐酸ナトリウム，燐酸カリウム，燐酸一水素二ナトリウム，燐酸一水素二カリウム，燐酸二水素一ナトリウム，燐酸二水素一カリウム，ナトリウムメトキシド，カリウムｔ−ブトキシド，トリエチルアミン，トリブチルアミン，トリオクチルアミン，ピリジン，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ），１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）などの無機塩基および有機アミンが用いられる。
【００３０】
上記エステル化反応後、反応生成液は水と有機層に分離し、必要に応じて水層から生成物を抽出する。反応液から溶媒を減圧留去することで、本発明の脂環式化合物が得られる。必要に応じて精製してもよいし、精製することなく反応液を次の反応に供してもよい。精製方法としては、蒸留，抽出洗浄，晶析，再沈，活性炭吸着，シリカゲルカラムクロマトグラフィーなど一般的な精製方法の中から、製造スケール、必要な純度を考慮して、選択することができるが、比較的低温での取扱いが可能であり、一度に多量のサンプルを処理できるため、抽出洗浄、晶析または再沈による方法が好ましい。特に使用した原料を、本発明である脂環式化合物から除去する方法としては種々の方法が採用され得るが、操作性や経済的な視点から、脂環式化合物に対する貧溶媒を用いて原料を洗浄する方法が好ましい。脂環式化合物に対する貧溶媒の中でも、沸点が低いものが好ましく、代表的にはジエチルエーテル、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどが挙げられる。
【００３１】
（製造方法Ｂ）
上記製造方法Ｂにおけるアダマンタン構造含有アルコール及びコール酸類としては、前記製造方法Ａと同様のものが用いられる。
製造方法Ｂにおけるアルキルスルホキシドとしては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジ−ｎ−プロピルスルホキシド、ジイソプロピルスルホキシド、ジ−ｎ−ブチルスルホキシド、ジイソブチルスルホキシド、ジ−ｓｅｃ−ブチルスルホキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルスルホキシド、ジイソペンチルスルホキシド、メチルエチルスルホキシド、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルスルホキシドなどの対称または非対称の脂肪族スルホキシドが挙げられるが、反応生成物の単一性を考慮すると、好ましくは、対称脂肪族スルホキシドがよく、短鎖長アルキル基のジメチルスルホキシドがより好ましい。
製造方法Ｂにおける酸無水物としては、例えば、無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無水物、イソ酪酸無水物、吉草酸無水物、ピバリン酸無水物、安息香酸無水物、クロロ酢酸無水物、トリフルオロ酢酸無水物などの脂肪族または芳香族カルボン酸無水物が挙げられ、１種または２種以上を用いることができる。
製造方法Ｂにおけるハロゲン化剤としては、例えば、塩化チオニル、塩化スルフリル、臭化チオニル、臭化スルフリル、塩化臭化チオニル、塩化臭化スルフリル、などのハロゲン化硫黄化合物や、三塩化リン、三臭化リン、三ヨウ化リン、三塩化リン酸、三臭化リン酸、五塩化リン、五臭化リンなどのハロゲン化リン化合物が挙げられる。
【００３２】
製造方法Ｂにおけるアルキルチオアルキルエーテル体は、アダマンタン構造含有アルコールをアルキルスルホキシドおよび酸無水物の存在下、反応させることにより得られる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、通常はアルキルスルホキシドおよび酸無水物を反応試剤かつ溶媒として大過剰使用することにより反応は進行する。別途、有機溶媒を使用する場合には、基質濃度が１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，ＴＨＦ（テトラヒドロフラン），ジオキサン，ＤＭＥ（ジメトキシエタン）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎると副反応による選択率低下がおき、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、室温〜６０℃が好ましい。圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
このようにして得られるアルキルチオアルキルエーテル体の具体例としては、１−メチルチオメトキシアダマンタン、１，３−ビス（メチルチオメトキシ）アダマンタン等が挙げられる。
【００３３】
製造方法Ｂにおけるハロゲン化アルキルエーテル体は、上記アルキルチオアルキルエーテル体をハロゲン化剤と反応させることにより得られる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、ハロゲン化剤を反応試剤かつ溶媒として大過剰使用してもよい。別途、有機溶媒を使用する場合には、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎると副反応による選択率低下がおき、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、室温〜１００℃が好ましい。圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
このようにして得られるハロゲン化アルキルエーテル体の具体例としては、１，３−ビス（ハロゲノメトキシ）アダマンタン等が挙げられる。
製造方法Ｂにおけるエステル化反応は、前記製造方法Ａにおけるエステル化反応と同様にして行うことができる。
【００３４】
（製造方法Ｃ）
上記製造方法Ｃにおけるアダマンタン構造含有ビニルエーテルとしては、例えば、１−ビニルオキシアダマンタン、１−ビニルオキシメチルアダマンタン、１，３−ビス（ビニルオキシ）アダマンタン、１，３−ビス（ビニルオキシメチル）アダマンタンなどが挙げられる。
製造方法Ｃにおけるコール酸類としては、上記製造方法Ａと同様のものが用いられる。
製造方法Ｃにおける酸触媒としては、ルイス酸、ブレンステッド酸、アレニウス酸などで定義される任意の有機および無機の酸が挙げられるが、好ましくは、ギ酸、酢酸、塩酸、硫酸、硝酸、メタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸などのブレンステッド酸が挙げられる。
上記製造方法Ｃでは、酸触媒存在下、アダマンタン構造含有ビニルエーテルと、コール酸類とを反応させる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、有機溶媒を使用する場合には、アダマンタン構造含有ビニルエーテルの飽和溶解度以下であれば特に限定はしないが、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。
使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレン，などの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、ハロゲン化水素ガスの溶存量が高いハロゲン系溶媒が好ましく、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
また、反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎるとアダマンタン構造含有ビニルエーテル同士が重合する副反応が起きてしまい、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、０℃〜４０℃が好ましい。
圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。また、圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
【００３５】
（製造方法Ｄ）
上記製造方法Ａ〜Ｃによって得られた脂環式化合物に対して、以下に示す水酸基保護反応を行ってもよい。
製造方法Ｄに用いられる脂環式化合物としては、下記一般式（１−１）で示されるものが好ましい。
【化１７】
（式中、Ｒa〜Ｒcのうち、１つ又は２つは、それぞれ独立に、下記一般式（ａ−１）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、好ましくは下記一般式（ａ−２）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、それ以外のＲa〜Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はハロゲン原子を示す。）
【００３６】
【化１８】
（式中、Ｒk及びＲlは、それぞれ独立に、水素原子又は水酸基である。）
【００３７】
【化１９】
【００３８】
製造方法Ｄにおける酸素含有有機化合物は、下記一般式（ｄ１）で示されるカルボン酸ハライド類、下記一般式（ｄ２）で示される炭酸エステル無水物、下記一般式（ｄ３）で示されるハロゲン化アルキルエーテル類、下記一般式（ｄ４）で示されるハロゲン化酢酸エステル類および下記一般式（ｄ５）で示されるシリルハライド類から選択される１種以上が用いられる。
【００３９】
【化２０】
（式中、Ｚ1は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【００４０】
【化２１】
（式中、Ｚ2は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【００４１】
【化２２】
（式中、Ｚ3は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、Ｒm及びＲnは、それぞれ独立に、水素原子あるいはヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【００４２】
【化２３】
（式中、Ｚ4は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【００４３】
【化２４】
（式中、Ｚ5〜Ｚ7は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
上記一般式（ｄ１）〜（ｄ５）におけるＺ1〜Ｚ7及びＸは、前記（ｂ１）〜（ｂ５）におけるものとそれぞれ同様である。
【００４４】
上記製造方法Ｄにおける水酸基保護反応では、上記製造方法Ａ〜Ｃで得られた脂環式化合物の水酸基に対して、酸素含有有機化合物を反応させる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、有機溶媒を使用する場合には、脂環式化合物の飽和溶解度以下であれば特に限定はしないが、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。
使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレン，などの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、ハロゲン化水素ガスの溶存量が高いハロゲン系溶媒が好ましく、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
また、反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎると既存のエステル結合やアセタール結合の分解が起きてしまい、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、０℃〜４０℃が好ましい。
圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。また、圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
【００４５】
本発明はまた、上記本発明の脂環式化合物を含有する組成物も提供する。
本発明の組成物は、さらに溶媒、酸発生剤、クエンチャー、各種添加剤等を含有することが好ましい。
本発明の組成物は、種々の用途、例えば、回路形成材料（半導体製造用レジスト、プリント配線板など）、画像形成材料（印刷版材、レリーフ像など）などに利用できるが、特にフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用溶解抑止剤や層間絶縁膜、フォトレジスト組成物として用いることが好ましく、ポジ型フォトレジスト組成物として用いることがより好ましい。
本発明はさらに、上記本発明の組成物からなるポジ型レジスト組成物をも提供する。
本発明のポジ型レジスト組成物は、本発明の脂環構造含有化合物を含有するものであれば特に限定されないが、本発明のポジ型レジスト組成物の全量基準で、本発明の脂環構造含有化合物を２〜５０質量％含有するものが好ましく、５〜１５質量％含有するものがより好ましい。
【００４６】
本発明のポジ型レジスト組成物は、上記脂環構造含有化合物以外に、光酸発生剤（ＰＡＧ）や有機アミンなどのクエンチャー、アルカリ可溶性樹脂（例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂など）などのアルカリ可溶成分、着色剤（例えば、染料など）、有機溶媒（例えば、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、アルコール類、エステル類、ケトン類、エーテル類、セロソルブ類、カルビトール類、グリコールエーテルエステル類、これらの混合溶媒など）などを添加することができる。
光酸発生剤としては、露光により効率よく酸を生成する慣用の化合物、例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩（例えば、ジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェートなど）、スルホニウム塩（例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネートなど）、スルホン酸エステル［例えば、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、１，２，３−トリスルホニルオキシメチルベンゼン、１，３−ジニトロ−２−（４−フェニルスルホニルオキシメチル）ベンゼン、１−フェニル−１−（４−メチルフェニルスルホニルオキシメチル）−１−ヒドロキシ−１−ベンゾイルメタンなど］、オキサチアゾール誘導体、ｓ−トリアジン誘導体、ジスルホン誘導体（ジフェニルジスルホンなど）、イミド化合物、オキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントレートなどが挙げられる。
これらの光酸発生剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。さらにこれらの光酸発生剤は熱酸発生剤としても使用できる。
本発明のポジ型レジスト組成物中における光酸発生剤の使用量は、光照射により生成する酸の強度や前記脂環構造含有化合物の含有量などに応じて適宜選択できるが、例えば、前記脂環構造含有化合物の全量１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３０質量部、より好ましくは１〜２５質量部、さらに好ましくは２〜２０質量部の光酸発生剤を含有する。
【００４７】
クエンチャーは、脂肪族アミン、環式アミン、芳香族アミン等の公知のものから任意に用いれば良く、なかでも脂肪族アミン、特に第２級脂肪族アミンや第３級脂肪族アミンが好ましい。ここで、脂肪族アミンとは、１つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が１〜２０であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアＮＨ3の水素原子の少なくとも１つを、炭素数２０以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン（アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン）又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノアルキルアミン；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン；ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−オクタノールアミン、トリ−ｎ−オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数５〜１０のトリアルキルアミンや、アルキルアルコールアミンが好ましく、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、ステアリルジエタノールアミンが特に好ましい。
【００４８】
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの（脂肪族単環式アミン）であっても多環式のもの（脂肪族多環式アミン）であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が６〜１０のものが好ましく、具体的には、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミンなどが挙げられる。
その他の脂肪族アミンとしては、トリス（２−メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチルアミン等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
本発明のレジスト組成物中におけるクエンチャーの使用量は、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるため適宜選択できるが、例えば、前記脂環式化合物１００質量部に対して、好ましくは０〜１０質量部、より好ましくは０．０１〜５．０質量部のクエンチャーを含有する。
本発明のポジ型レジスト組成物は、前記脂環構造含有化合物と光酸発生剤、クエンチャー及び必要に応じて前記有機溶媒等を混合し、必要に応じて夾雑物をフィルターなどの慣用の固体分離手段により除去することにより調製できる。このポジ型レジスト組成物を基材又は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜（レジスト膜）に光線を露光して（又は、さらに露光後ベークを行い）潜像パターンを形成し、次いで現像することにより、微細なパターンを高い精度で形成できる。
【００５０】
本発明は、必要に応じて支持体上に疎水化処理をする工程と、上記ポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を選択露光する工程と、選択露光されたレジスト膜をアルカリ現像処理してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法をも提供する。
上記疎水化処理に使用される疎水化処理剤は、公知のものから任意に用いれば良く、例えば、好ましくはビス（アルキルシリル）アミン、より好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）である。
上記支持体としては、シリコンウエハー、金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げられる。フォトレジスト組成物の塗布は、スピンコータ、ディップコータ、ローラコータなどの慣用の塗布手段を用いて行うことができる。塗膜の厚みは、例えば、好ましくは０．０１〜２０μｍ、より好ましくは０．０５〜１μｍである。
レジスト膜を選択露光する工程には、種々の波長の光線、例えば、紫外線、Ｘ線などが利用でき、半導体レジスト用では、通常、ｇ線、ｉ線、エキシマレーザー（例えば、ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなど）、軟Ｘ線などが使用される。露光エネルギーは、例えば０．１〜１０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１〜１００ｍＪ／ｃｍ2程度である。
上記ポジ型レジスト組成物に含まれる脂環式化合物は、アセタール構造を有するため、酸分解機能を有する。従って、上記選択露光により光酸発生剤から酸が生成し、この酸により前記脂環式化合物に基づく構造のうちアセタール構造部分が速やかに脱離して、可溶化に寄与するカルボキシル基や水酸基が生成する。そのため、水又はアルカリ現像液を用いて現像処理を行なうことで、所定のパターンを精度よく形成できる。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明について実施例及び比較例を示してより具体的に説明するが、本発明はこれらに何ら制限されるものではない。
なお、各種分析方法は以下に示すようにして行った。
［示差走査熱量分析（ＤＳＣ）］
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製 ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０を用いて測定した。
［熱重量／示差熱分析（ＴＧ／ＤＴＡ）］
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製 ＥＸＳＴＡＲ ＴＧ／ＤＴＡ７２００を用いて測定した。
［膜厚及び規格化膜厚］
光学式膜厚計（フィルメトリクス株式会社製 Ｆ２０−ＵＶ）を用いて膜厚を測定し、現像前の膜厚を１．００として規格化膜厚を算出した。
【００５２】
実施例１（コール酸 アダマンタン−１−オキシメチルの合成）
３００ミリリットルフラスコに、１−アダマンタノール［式量：１５２．２３，１５ｇ，９８．５ｍｍｏｌ］とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１５０ミリリットル、無水酢酸７５ミリリットルを加え２０時間攪拌した。反応混合液に水５０ミリリットルとジエチルエーテル１００ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。水層に再びジエチルエーテル５０ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。これをさらに２回繰り返した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過の後、溶媒を留去すると、目的物である１−メチルチオメトキシアダマンタンの無色液体[２０．１ｇ，９４．６ｍｍｏｌ，単離収率９６％]を得た。
５０ミリリットル二口フラスコに、上記で合成した１−メチルチオメトキシアダマンタン［式量：２１２．３５，１４８６ｍｇ，７ｍｍｏｌ］を入れ、塩化チオニル［式量：１１８．９７，０．６ミリリットル，８．４ｍｍｏｌ］をゆっくり滴下した後１５分撹拌した。残った塩化チオニルを真空ポンプにて除去した。溶媒を除去した残渣をＴＨＦ５ミリリットルに溶かし、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ミリリットルに溶かしたコール酸［式量：４０８．５７，３１４６ｍｇ，７．７ｍｍｏｌ，１．１当量］とトリエチルアミン［式量：１０１．１９，ｄ＝０．７２６，１．１８ミリリットル，８．４７ｍｍｏｌ，１．１当量］を入れた１００ミリリットル二口フラスコにゆっくり滴下すると、速やかに反応液が白濁し、わずかに発熱がみられた。引き続き２０時間撹拌の後、水５０ミリリットルを加えて反応を止めた。反応混合液にジエチルエーテル１００ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。水層に再びジエチルエーテル５０ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。これをさらに２回繰り返した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過の後、溶媒を留去した。溶媒を除去した残渣をジエチルエーテル２０ミリリットルに溶かし、へキサン５００ミリリットルに滴下すると目的物である下記コール酸 アダマンタン−１−オキシメチルの白色固体[３０７９ｍｇ，５．３８ｍｍｏｌ，単離収率７６．８％]を得た。
【００５３】
＜物性データ＞
熱重量／示差熱分析法（ＴＧ／ＤＴＡ)： Ｔｄ5＝１３１．４℃
示差走査熱量分析（ＤＳＣ）：Ｔｇ＝８６．１℃
【化２５】
【００５４】
実施例２（ジコール酸 アダマンタン−１，３−ジオキシメチルの合成）
３００ミリリットルフラスコに、１，３−アダマンタノール［式量：１６８．２３，１０ｇ，５９．４ｍｍｏｌ］とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１５０ミリリットル、無水酢酸７５ミリリットルを加え５０時間攪拌した。反応混合液に水５０ミリリットルとジエチルエーテル１００ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。水層に再びジエチルエーテル５０ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。これをさらに２回繰り返した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過の後、溶媒を留去すると、目的物である１，３−ジメチルチオメトキシアダマンタンの無色液体[１６．２８ｇ，５６．４ｍｍｏｌ，単離収率９５％]を得た。
５０ミリリットル二口フラスコに、上記で合成した１，３−ジメチルチオメトキシアダマンタン［式量：２８８．４７，１４４２ｍｇ，５ｍｍｏｌ］を入れ、塩化チオニル［式量：１１８．９７，０．４４ミリリットル，６ｍｍｏｌ］をゆっくり滴下した後１５分撹拌した。残った塩化チオニルを真空ポンプにて除去した。溶媒を除去した残渣をＴＨＦ５ミリリットルに溶かし、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２５ミリリットルに溶かしたコール酸［式量：４０８．５７，４９０３ｍｇ，１２ｍｍｏｌ，１．２当量］とトリエチルアミン［式量：１０１．１９，ｄ＝０．７２６，２ミリリットル，１４．４ｍｍｏｌ，１．２当量］を入れた１００ミリリットル二口フラスコにゆっくり滴下すると、速やかに反応液が白濁し、わずかに発熱がみられた。引き続き２０時間撹拌の後、水５０ミリリットルを加えて反応を止めた。反応混合液にジエチルエーテル１００ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。水層に再びジエチルエーテル５０ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。これをさらに２回繰り返した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過の後、溶媒を留去した。溶媒を除去した残渣をＴＨＦ１０ミリリットルに溶かし、ジエチルエーテル５００ミリリットルに滴下すると目的物である下記ジコール酸 アダマンタン−１，３−ジオキシメチルの白色固体[３６５０ｍｇ，３．６２ｍｍｏｌ，単離収率７２．３％]を得た。
【００５５】
＜物性データ＞
熱重量／示差熱分析法（ＴＧ／ＤＴＡ)： Ｔｄ5＝１２０．３℃
示差走査熱量分析（ＤＳＣ）：Ｔｇ＝８０．４℃
【化２６】
【００５６】
実施例３（組成物の調製）
実施例１で得たコール酸 アダマンタン−１−オキシメチルに対し、光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート ５質量％を加え、これらが５質量％になるようにシクロヘキサノンで溶解し、レジスト組成物Ｒ３を調製した。未処理のシリコンウエハー及びＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理したシリコンウエハー上に、それぞれ調製したレジスト組成物を塗布し、１１０℃で、６０秒間ベークを行い、レジスト膜を形成した。こうして得られたシリコンウエハーを水で希釈したＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像した。このときのＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を第１表及び図１に示す。
【００５７】
実施例４（組成物の調製）
実施例１で得たコール酸 アダマンタン−１−オキシメチルに代えて、実施例２で得たジコール酸 アダマンタン−１，３−ジオキシメチルを用いてレジスト組成物Ｒ４を調製した以外は、実施例３と同様にして行った。ＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を第１表及び図１に示す。
【００５８】
比較例１（組成物の調製）
実施例１で得たコール酸 アダマンタン−１−オキシメチルに代えて、下記式で示される化合物ＧＲ−５を用いてレジスト組成物Ｒ５を調製し、シクロヘキサノンの代わりに乳酸エチルを用いた以外は、実施例３と同様にして行った。ＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を第１表及び図１に示す。
尚、ＨＭＤＳ処理したシリコンウエハー上にレジスト組成物Ｒ５を塗布しても、レジスト組成物Ｒ５がはじかれてしまい成膜できなかった。
【００５９】
【化２７】
【００６０】
【表１】
【００６１】
このように本発明の実施例３および４は、ＴＭＡＨ標準濃度（２．３８質量％）もしくは比較例１より高濃度のＴＭＡＨ溶液で、膜厚維持の確認ができた。また、シリコンウエハーをＨＭＤＳ処理した場合には、比較例１では成膜できなかったのに対し、実施例３および４では成膜が可能となり、成膜性の向上を確認できた。比較例１のＧＲ−５を用いた場合ＨＭＤＳ処理したシリコンウエハー上に成膜できない理由については、コール酸の割合が小さく水酸基数の少ない化合物を用いた実施例３および４では化合物の極性が低いが、コール酸の割合が高く水酸基数の多い比較例１のＧＲ−５は極性が高いため、ＨＭＤＳ処理して疎水性になったウエハー上で、比較例１の組成物Ｒ５がはじかれてしまい、成膜ができなかったと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
以上詳細に説明したように、本発明の脂環式化合物は、ポジ型レジスト組成物用途に有用である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法に関し、さらに詳しくは、ポジ型フォトレジストとして機能する脂環式化合物、すなわち、通常はアルカリ溶液への溶解抑止効果を有するが、光酸発生剤などにより酸分解を受けることにより、アルカリ可溶性となりうる脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の微細化が進むに伴い、その製造におけるフォトリソグラフィー工程において、さらなる微細化が要求されており、ＫｒＦ、ＡｒＦあるいはＦ2エキシマレーザー光などの短波長の照射光に対応したフォトレジスト材料を用いて、微細パターンを形成させる方法が種々検討されている。そして、前記エキシマレーザー光などの短波長の照射光に対応できる新しいフォトレジスト材料の出現が望まれている。
フォトレジスト材料として、従来はフェノール樹脂をベースとするポリマーが数多く開発されてきたが、これらの材料は芳香族環を含むために光の吸収が大きく、微細化に対応できるだけのパターン精度を得ることができない。
また、溶解抑止効果を有する化合物として、ジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）に代表されるフェノール系化合物も使用されてはいるが、上記ポリマーと同様に短波長の照射光では光の吸収のため、微細パターンの形成には限界がある。
【０００３】
このため、ＡｒＦエキシマレーザーによる半導体製造における感光性レジストとしては、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレートのような脂環式骨格を持った重合性化合物を共重合したポリマーが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、微細加工技術の更なる進歩に伴い、現時点では３２ｎｍ以下の線幅を実現しようとしているものの、従来の技術だけでは、露光感度、解像度、パターン形状、露光深度、表面荒れなどの種々の要求性能をクリアすることができていない。具体的には、ＬＥＲ、ＬＷＲと呼ばれるパターン表面の粗さ（ラフネス）やうねりといった平滑性の問題が顕在化してきた。また、近年の液浸露光による方法では、液浸媒体に起因するレジストパターンのディフェクト＝欠陥などの現像不良も散見される。さらには、１３．５ｎｍの極端紫外線（ＥＵＶ）を使用した半導体製造工程においては、スループットの向上の為にも、より高感度のレジスト開発が望まれている。
従来技術を駆使することにより、それぞれの要求性能を改善することは可能になってきているものの、互いにトレードオフの関係にある「露光感度、解像度、表面荒れ」を同時に達成することが困難と言われている。その中で、低分子レジストといわれる単分子化合物は、従来のポリマー系化合物と異なり、露光感度と解像度のみならず、その分子サイズに由来する表面荒れが大きく低減できる材料として期待されている。
【０００４】
低分子レジストとしては、例えば特許文献２〜７には、リソグラフィーによる半導体製造用材料としてカリックスアレーン、カリックスレゾルシナレンなどのポリフェノール系の低分子化合物が開発されている。これらは合成が容易であるものの、芳香環を有するためにＫｒＦやＡｒＦといった短波長の光源には、光の吸収により使用できない。通常、露光に使用できる波長は高圧水銀灯のｇ線またはｉ線、あるいは軟Ｘ線に限られる。
そこで現行の最先端の量産用露光技術であるＡｒＦエキシマレーザーに適用すべく、種々の脂環式低分子化合物がいくつか提案されている（特許文献８〜１１参照）。更には本発明者らも全脂環式の低分子化合物を開発している（特許文献１２参照）。これらに記載の化合物群は全脂環式化合物であるため高い透明性を有し、任意の光源でのリソグラフィーが可能である。さらには、アダマンタン骨格を有した熱安定性に優れた材料で熱的に余裕のあるプロセスを組むことができる。しかしながら、特定の化合物（特許文献１２の化合物番号ＧＲ−５参照）においては現像液への溶解性が高く、希釈した現像液を使用する必要があるという課題があった。
一方で既存のポリマー系レジストによるリソグラフィー技術では溶解抑止剤として、各種の低分子化合物が提案されてきた（特許文献１３〜１４参照）しかしながら、これらの化合物は分子量が小さすぎるため耐熱性が低く、昨今の高温化された半導体製造プロセスには不向きな材料と言える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−３９６６５号公報
【特許文献２】米国特許第６，０９３，５１７号明細書
【特許文献３】特開２００４−１９１９１３号公報
【特許文献４】特開２００５−０７５７６７号公報
【特許文献５】特開２００７−１９７３８９号公報
【特許文献６】特許第４０７６７８９号
【特許文献７】特開２００８−０８９７０９号公報
【特許文献８】特開２００７−１９１４６８号公報
【特許文献９】特開２００７−１９３３２８号公報
【特許文献１０】特開２００７−２１０９９６号公報
【特許文献１１】特開２００７−３１６５０８号公報
【特許文献１２】国際公開ＷＯ２００７／０９４７８４号
【特許文献１３】特開２００１−１８３８３９号公報
【特許文献１４】特開２００５−０５５８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような状況下で、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用溶解抑止剤あるいは層間絶縁膜、半導体装置製造に用いられるポジ型フォトレジスト用モノマーあるいはその他の溶解抑止剤などとして有用な、溶解特性、露光感度、解像度、ラフネス、耐熱性等に優れた脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、アダマンタン骨格にコール酸類エステル構造含有基が１つ又は２つ結合した脂環式化合物を用いることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
１．下記一般式（１）で表される脂環式化合物、
【化１】
（式中、Ｒa〜Ｒcのうち、１つ又は２つは、下記一般式（ａ）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、それ以外のＲa〜Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はハロゲン原子を示す。）
【化２】
（式中、Ｒd、Ｒe及びＲfは、水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基を示し、Ｒg及びＲhは、それぞれ独立に、水素原子又はヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、ｎは、１又は２を示す。Ａは、単結合又は炭素数１〜５の二価の炭化水素基を示す。）
【化３】
（式中、Ｚ1は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化４】
（式中、Ｚ2は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化５】
（式中、Ｚ3は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、Ｒi及びＲjは、それぞれ独立に、水素原子あるいはヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化６】
（式中、Ｚ4は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化７】
（式中、Ｚ5〜Ｚ7は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
２．前記一般式（ａ）におけるＲg及びＲhが水素原子であり、かつ、Ａが単結合である上記１記載の脂環式化合物、
３．前記一般式（ａ）におけるｎが１である上記１又は２記載の脂環式化合物、
４．前記一般式（ａ）におけるＲd、Ｒe及びＲfが、それぞれ独立に、水素原子又は水酸基である上記３記載の脂環式化合物、
５．前記一般式（１）中、Ｒa〜Ｒcのうち１つ又は２つが前記一般式（ａ）で示され、それ以外のＲa〜Ｒcが水素原子である上記４記載の脂環式化合物、
６．前記一般式（ａ）において、Ｒd、Ｒe及びＲfが、いずれも水酸基である上記５記載の脂環式化合物、
７．下記一般式（ｃ１）〜（ｃ５）のいずれかで示されるコール酸類と、１−ビニルオキシアダマンタン、１−ハロゲノメトキシアダマンタン、１−ビニルオキシメチルアダマンタン及び１−メチルチオメトキシアダマンタンから選択される１種以上とを反応させることを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物の製造方法、
【化８】
８．アダマンタン構造含有アルコールを、酸無水物の存在下、アルキルスルホキシドと反応させてアルキルチオアルキルエーテル体を得る工程と、該アルキルチオアルキルエーテル体をハロゲン化剤によりハロゲン化アルキルエーテル体とする工程と、該ハロゲン化アルキルエーテル体とコール酸類とのエステル化反応工程を有する上記１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物の製造方法、
９．少なくとも上記１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物を含有することを特徴とする組成物、
１０．さらに溶媒及び酸発生剤を含有する上記９記載の組成物、
１１．さらにクエンチャーを含有する上記９又は１０記載の組成物、
１２．ポジ型レジスト組成物である上記９〜１１のいずれかに記載の組成物、及び
１３．上記９〜１２のいずれかに記載の組成物をポジ型レジストとして用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、該レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法、
を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の脂環式化合物は、溶解特性、露光感度、解像度、ラフネス、耐熱性等に優れ、特に現像液に対する溶解抑止効果に優れる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例３及び４並びに比較例１で得られた組成物を用いて、未処理のシリコンウエハー上に形成されたレジスト膜におけるＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を比較する図である。
【図２】実施例３及び４並びに比較例１で得られた組成物を用いて、ＨＭＤＳ処理されたシリコンウエハー上に形成されたレジスト膜におけるＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を比較する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、下記一般式（１）で表される脂環式化合物を提供する。
【化９】
（式中、Ｒa〜Ｒcのうち、１つ又は２つは、下記一般式（ａ）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、それ以外のＲa〜Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はハロゲン原子を示す。）
上記一般式（１）中、Ｒa〜Ｒcのうち１つ又は２つが前記一般式（ａ）で示され、それ以外のＲa〜Ｒcが水素原子であることが好ましい。
【００１１】
【化１０】
【００１２】
上記一般式（ａ）におけるＲdは、水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基を示し、好ましくは水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基であり、より好ましくは水酸基又は下記一般式（ｂ１）で示される炭素数２〜１５の酸素含有有機基である。
上記一般式（ａ）におけるＲe及びＲfは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基を示し、好ましくは水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜１５の酸素含有有機基であり、より好ましくは水素原子又は水酸基である。
上記一般式（ａ）におけるＲg及びＲhは、それぞれ独立に、水素原子、あるいは、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは水素原子、あるいは、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜６の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、より好ましくは水素原子である。
上記一般式（ａ）におけるｎは、１又は２を示し、好ましくは１を示す。
上記一般式（ａ）におけるＡは、単結合又は炭素数１〜５の二価の炭化水素基を示し、好ましくは単結合を示す。
【００１３】
上記一般式（ａ）においてＲg及びＲhで示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基等の直鎖状炭化水素基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等の分岐状炭化水素基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の環状炭化水素基が挙げられる。Ｒg及びＲhが有するヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
上記一般式（ａ）においてＡで示される炭素数１〜５の二価の炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基及びペンタメチレン基が挙げられる。
【００１４】
【化１１】
【００１５】
上記一般式（ｂ１）におけるＺ1は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００１６】
【化１２】
【００１７】
上記一般式（ｂ２）におけるＺ2は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００１８】
【化１３】
【００１９】
上記一般式（ｂ３）におけるＺ3は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜４の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
上記一般式（ｂ３）におけるＲi及びＲjは、それぞれ独立に、水素原子あるいはヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、水素原子あるいは炭素数１〜５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００２０】
【化１４】
【００２１】
上記一般式（ｂ４）におけるＺ4は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００２２】
【化１５】
【００２３】
上記一般式（ｂ５）におけるＺ5〜Ｚ7は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、好ましくは、炭素数１〜５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。
【００２４】
上記一般式（ｂ１）においてＺ1で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基、上記一般式（ｂ２）においてＺ2で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基、上記一般式（ｂ３）においてＺ3で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基、上記一般式（ｂ４）においてＺ4で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基、及び上記一般式（ｂ５）においてＺ5〜Ｚ7で示されるヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デカニル基などの直鎖状炭化水素基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等の分岐状炭化水素基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデカニル基、デカリル基（パーヒドロナフチル基）、ノルボルニル基、ボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基等の環状炭化水素基、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン環、テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン環などの単環あるいは多環式アルキルの１価の残基、γ−ブチロラクチル環，４−オキサ−トリシクロ［４．２．１．０3,7］ノナン−５−オン，４，８−ジオキサ−トリシクロ［４．２．１．０3,7］ノナン−５−オン，４−オキサ−トリシクロ［４．３．１．１3,8］ウンデカン−５−オンなどの単環あるいは多環式ラクトンの１価の残基、テトラヒドロフラン，テトラヒドロピラン，１，４−ジオキサンなどの単環あるいは多環式エーテルの１価の残基、およびこれらのパーフルオロ体などが挙げられる。
【００２５】
本発明の脂環構造含有化合物は、種々の方法により製造可能であり、代表的な例としては以下の製造方法Ａ〜Ｄが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
製造方法Ａ：
アダマンタン構造含有アルコールをアルデヒド類の存在下、ハロゲン化水素ガスと反応させることによりハロゲン化アルキルエーテル体を得て、このハロゲン化アルキルエーテル体と、コール酸類とのエステル化反応を行う方法。
製造方法Ｂ：
アダマンタン構造含有アルコールを酸無水物の存在下、アルキルスルホキシドと反応させることによりアルキルチオアルキルエーテル体を得て、ハロゲン化剤によりハロゲン化アルキルエーテル体とし、さらに、このハロゲン化アルキルエーテル体と、コール酸類とのエステル化反応を行う方法。
製造方法Ｃ：
酸触媒存在下、アダマンタン構造含有ビニルエーテルと、コール酸類とのエステル化反応を行う方法。
製造方法Ｄ：
酸素含有有機化合物を用いて、前記製造方法Ａ〜Ｃで得られた脂環式化合物の水酸基保護反応を行う方法。
【００２６】
（製造方法Ａ）
上記製造方法Ａにおけるアダマンタン構造含有アルコールとしては、１，３，５−アダマンタントリオール、１，３，５−トリス（ヒドロキシメチル）アダマンタン、１，３−アダマンタンジオール、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）アダマンタン、１−アダマンタノール、１−（ヒドロキシメチル）アダマンタンなどが挙げられるが、１，３−アダマンタンジオール、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）アダマンタン、１−アダマンタノール、１−（ヒドロキシメチル）アダマンタンが好ましい。
製造方法Ａにおけるアルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド，パラホルムアルデヒド，アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒドなどの直鎖状または分岐状の脂肪族アルデヒドが挙げられる。
製造方法Ａにおけるハロゲン化水素ガスとしては、例えば、フッ化水素ガス、塩化水素ガス、臭化水素ガスのような単体ガスまたはこれらの混合ガスが挙げられる。
製造方法Ａにおけるコール酸類としては、例えば、下記式（ｃ１）で示されるリトコール酸、下記式（ｃ２）で示されるデオキシコール酸、下記式（ｃ３）で示されるウルソデオキシコール酸、下記式（ｃ４）で示されるケノデオキシコール酸、下記式（ｃ５）で示されるコール酸などの飽和コール酸類縁体が挙げられる。
【００２７】
【化１６】
【００２８】
製造方法Ａにおけるハロゲン化アルキルエーテル体は、アダマンタン構造含有アルコールをアルデヒド類の存在下、ハロゲン化水素ガスで反応させることにより得られる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、有機溶媒を使用する場合には、アダマンタン構造含有アルコールの飽和溶解度以下であれば特に限定はしないが、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。
使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、ハロゲン化水素ガスの溶存量が高いハロゲン系溶媒が好ましく、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
また、反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎるとハロゲン化水素ガスの溶解度が低下し、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、０℃〜４０℃が好ましい。
圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。また、圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
このようにして得られるハロゲン化アルキルエーテル体の具体例としては、１，３−ビス（ハロゲノメトキシ）アダマンタン等が挙げられる。
【００２９】
製造方法Ａにおけるエステル化反応は、塩基存在下、ハロゲン化アルキルエーテル体と、コール酸類とを反応させることにより行うことができる。反応性の観点から、α−ハロアルキルエーテルと反応させることが好ましい。また、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、有機溶媒を使用する場合には、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ），などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド），ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ），Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ），ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ），ヘキサメチル亜リン酸トリアミド（ＨＭＰＴ），二硫化炭素などの非プロトン極性溶媒が挙げられ、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。上記塩基としては水素化ナトリウム，水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，炭酸ナトリウム，炭酸カリウム，炭酸水素ナトリウム，炭酸水素カリウム，酸化銀，燐酸ナトリウム，燐酸カリウム，燐酸一水素二ナトリウム，燐酸一水素二カリウム，燐酸二水素一ナトリウム，燐酸二水素一カリウム，ナトリウムメトキシド，カリウムｔ−ブトキシド，トリエチルアミン，トリブチルアミン，トリオクチルアミン，ピリジン，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ），１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）などの無機塩基および有機アミンが用いられる。
【００３０】
上記エステル化反応後、反応生成液は水と有機層に分離し、必要に応じて水層から生成物を抽出する。反応液から溶媒を減圧留去することで、本発明の脂環式化合物が得られる。必要に応じて精製してもよいし、精製することなく反応液を次の反応に供してもよい。精製方法としては、蒸留，抽出洗浄，晶析，再沈，活性炭吸着，シリカゲルカラムクロマトグラフィーなど一般的な精製方法の中から、製造スケール、必要な純度を考慮して、選択することができるが、比較的低温での取扱いが可能であり、一度に多量のサンプルを処理できるため、抽出洗浄、晶析または再沈による方法が好ましい。特に使用した原料を、本発明である脂環式化合物から除去する方法としては種々の方法が採用され得るが、操作性や経済的な視点から、脂環式化合物に対する貧溶媒を用いて原料を洗浄する方法が好ましい。脂環式化合物に対する貧溶媒の中でも、沸点が低いものが好ましく、代表的にはジエチルエーテル、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどが挙げられる。
【００３１】
（製造方法Ｂ）
上記製造方法Ｂにおけるアダマンタン構造含有アルコール及びコール酸類としては、前記製造方法Ａと同様のものが用いられる。
製造方法Ｂにおけるアルキルスルホキシドとしては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジ−ｎ−プロピルスルホキシド、ジイソプロピルスルホキシド、ジ−ｎ−ブチルスルホキシド、ジイソブチルスルホキシド、ジ−ｓｅｃ−ブチルスルホキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルスルホキシド、ジイソペンチルスルホキシド、メチルエチルスルホキシド、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルスルホキシドなどの対称または非対称の脂肪族スルホキシドが挙げられるが、反応生成物の単一性を考慮すると、好ましくは、対称脂肪族スルホキシドがよく、短鎖長アルキル基のジメチルスルホキシドがより好ましい。
製造方法Ｂにおける酸無水物としては、例えば、無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無水物、イソ酪酸無水物、吉草酸無水物、ピバリン酸無水物、安息香酸無水物、クロロ酢酸無水物、トリフルオロ酢酸無水物などの脂肪族または芳香族カルボン酸無水物が挙げられ、１種または２種以上を用いることができる。
製造方法Ｂにおけるハロゲン化剤としては、例えば、塩化チオニル、塩化スルフリル、臭化チオニル、臭化スルフリル、塩化臭化チオニル、塩化臭化スルフリル、などのハロゲン化硫黄化合物や、三塩化リン、三臭化リン、三ヨウ化リン、三塩化リン酸、三臭化リン酸、五塩化リン、五臭化リンなどのハロゲン化リン化合物が挙げられる。
【００３２】
製造方法Ｂにおけるアルキルチオアルキルエーテル体は、アダマンタン構造含有アルコールをアルキルスルホキシドおよび酸無水物の存在下、反応させることにより得られる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、通常はアルキルスルホキシドおよび酸無水物を反応試剤かつ溶媒として大過剰使用することにより反応は進行する。別途、有機溶媒を使用する場合には、基質濃度が１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，ＴＨＦ（テトラヒドロフラン），ジオキサン，ＤＭＥ（ジメトキシエタン）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎると副反応による選択率低下がおき、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、室温〜６０℃が好ましい。圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
このようにして得られるアルキルチオアルキルエーテル体の具体例としては、１−メチルチオメトキシアダマンタン、１，３−ビス（メチルチオメトキシ）アダマンタン等が挙げられる。
【００３３】
製造方法Ｂにおけるハロゲン化アルキルエーテル体は、上記アルキルチオアルキルエーテル体をハロゲン化剤と反応させることにより得られる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、ハロゲン化剤を反応試剤かつ溶媒として大過剰使用してもよい。別途、有機溶媒を使用する場合には、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレンなどの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎると副反応による選択率低下がおき、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、室温〜１００℃が好ましい。圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
このようにして得られるハロゲン化アルキルエーテル体の具体例としては、１，３−ビス（ハロゲノメトキシ）アダマンタン等が挙げられる。
製造方法Ｂにおけるエステル化反応は、前記製造方法Ａにおけるエステル化反応と同様にして行うことができる。
【００３４】
（製造方法Ｃ）
上記製造方法Ｃにおけるアダマンタン構造含有ビニルエーテルとしては、例えば、１−ビニルオキシアダマンタン、１−ビニルオキシメチルアダマンタン、１，３−ビス（ビニルオキシ）アダマンタン、１，３−ビス（ビニルオキシメチル）アダマンタンなどが挙げられる。
製造方法Ｃにおけるコール酸類としては、上記製造方法Ａと同様のものが用いられる。
製造方法Ｃにおける酸触媒としては、ルイス酸、ブレンステッド酸、アレニウス酸などで定義される任意の有機および無機の酸が挙げられるが、好ましくは、ギ酸、酢酸、塩酸、硫酸、硝酸、メタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸などのブレンステッド酸が挙げられる。
上記製造方法Ｃでは、酸触媒存在下、アダマンタン構造含有ビニルエーテルと、コール酸類とを反応させる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、有機溶媒を使用する場合には、アダマンタン構造含有ビニルエーテルの飽和溶解度以下であれば特に限定はしないが、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。
使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレン，などの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、ハロゲン化水素ガスの溶存量が高いハロゲン系溶媒が好ましく、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
また、反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎるとアダマンタン構造含有ビニルエーテル同士が重合する副反応が起きてしまい、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、０℃〜４０℃が好ましい。
圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。また、圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
【００３５】
（製造方法Ｄ）
上記製造方法Ａ〜Ｃによって得られた脂環式化合物に対して、以下に示す水酸基保護反応を行ってもよい。
製造方法Ｄに用いられる脂環式化合物としては、下記一般式（１−１）で示されるものが好ましい。
【化１７】
（式中、Ｒa〜Ｒcのうち、１つ又は２つは、それぞれ独立に、下記一般式（ａ−１）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、好ましくは下記一般式（ａ−２）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、それ以外のＲa〜Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はハロゲン原子を示す。）
【００３６】
【化１８】
（式中、Ｒk及びＲlは、それぞれ独立に、水素原子又は水酸基である。）
【００３７】
【化１９】
【００３８】
製造方法Ｄにおける酸素含有有機化合物は、下記一般式（ｄ１）で示されるカルボン酸ハライド類、下記一般式（ｄ２）で示される炭酸エステル無水物、下記一般式（ｄ３）で示されるハロゲン化アルキルエーテル類、下記一般式（ｄ４）で示されるハロゲン化酢酸エステル類および下記一般式（ｄ５）で示されるシリルハライド類から選択される１種以上が用いられる。
【００３９】
【化２０】
（式中、Ｚ1は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【００４０】
【化２１】
（式中、Ｚ2は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【００４１】
【化２２】
（式中、Ｚ3は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、Ｒm及びＲnは、それぞれ独立に、水素原子あるいはヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【００４２】
【化２３】
（式中、Ｚ4は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【００４３】
【化２４】
（式中、Ｚ5〜Ｚ7は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
上記一般式（ｄ１）〜（ｄ５）におけるＺ1〜Ｚ7及びＸは、前記（ｂ１）〜（ｂ５）におけるものとそれぞれ同様である。
【００４４】
上記製造方法Ｄにおける水酸基保護反応では、上記製造方法Ａ〜Ｃで得られた脂環式化合物の水酸基に対して、酸素含有有機化合物を反応させる。このとき、有機溶媒の存在下又は不存在下で行うことができるが、有機溶媒を使用する場合には、脂環式化合物の飽和溶解度以下であれば特に限定はしないが、基質濃度が０．１モル／リットル〜１０モル／リットルとなるように調節することが好ましい。基質濃度が０．１モル／リットル以上であると、通常の反応器で必要な量が得られるため、経済的に好ましく、基質濃度が１０モル／リットル以下であると、反応液の温度制御が容易となり好ましい。
使用できる有機溶媒としては、ヘキサン，ヘプタン，シクロヘキサン，エチルシクロヘキサン，ベンゼン，トルエン，キシレン，などの炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル，ジブチルエーテル，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），ジオキサン，ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などのエーテル系溶媒、ジクロロメタン，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒が挙げられ、ハロゲン化水素ガスの溶存量が高いハロゲン系溶媒が好ましく、これらを１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
また、反応温度は任意の温度をとれるが、高すぎると既存のエステル結合やアセタール結合の分解が起きてしまい、低すぎると反応自体の進行が遅くなるので、０℃〜４０℃が好ましい。
圧力は任意の圧力をとれるが、加圧条件では副反応の制御も必要となるため、常圧が好ましい。また、圧力が高すぎる場合は特別な耐圧装置が必要となり、経済的でない。
【００４５】
本発明はまた、上記本発明の脂環式化合物を含有する組成物も提供する。
本発明の組成物は、さらに溶媒、酸発生剤、クエンチャー、各種添加剤等を含有することが好ましい。
本発明の組成物は、種々の用途、例えば、回路形成材料（半導体製造用レジスト、プリント配線板など）、画像形成材料（印刷版材、レリーフ像など）などに利用できるが、特にフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用溶解抑止剤や層間絶縁膜、フォトレジスト組成物として用いることが好ましく、ポジ型フォトレジスト組成物として用いることがより好ましい。
本発明はさらに、上記本発明の組成物からなるポジ型レジスト組成物をも提供する。
本発明のポジ型レジスト組成物は、本発明の脂環構造含有化合物を含有するものであれば特に限定されないが、本発明のポジ型レジスト組成物の全量基準で、本発明の脂環構造含有化合物を２〜５０質量％含有するものが好ましく、５〜１５質量％含有するものがより好ましい。
【００４６】
本発明のポジ型レジスト組成物は、上記脂環構造含有化合物以外に、光酸発生剤（ＰＡＧ）や有機アミンなどのクエンチャー、アルカリ可溶性樹脂（例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂など）などのアルカリ可溶成分、着色剤（例えば、染料など）、有機溶媒（例えば、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、アルコール類、エステル類、ケトン類、エーテル類、セロソルブ類、カルビトール類、グリコールエーテルエステル類、これらの混合溶媒など）などを添加することができる。
光酸発生剤としては、露光により効率よく酸を生成する慣用の化合物、例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩（例えば、ジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェートなど）、スルホニウム塩（例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネートなど）、スルホン酸エステル［例えば、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、１，２，３−トリスルホニルオキシメチルベンゼン、１，３−ジニトロ−２−（４−フェニルスルホニルオキシメチル）ベンゼン、１−フェニル−１−（４−メチルフェニルスルホニルオキシメチル）−１−ヒドロキシ−１−ベンゾイルメタンなど］、オキサチアゾール誘導体、ｓ−トリアジン誘導体、ジスルホン誘導体（ジフェニルジスルホンなど）、イミド化合物、オキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントレートなどが挙げられる。
これらの光酸発生剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。さらにこれらの光酸発生剤は熱酸発生剤としても使用できる。
本発明のポジ型レジスト組成物中における光酸発生剤の使用量は、光照射により生成する酸の強度や前記脂環構造含有化合物の含有量などに応じて適宜選択できるが、例えば、前記脂環構造含有化合物の全量１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３０質量部、より好ましくは１〜２５質量部、さらに好ましくは２〜２０質量部の光酸発生剤を含有する。
【００４７】
クエンチャーは、脂肪族アミン、環式アミン、芳香族アミン等の公知のものから任意に用いれば良く、なかでも脂肪族アミン、特に第２級脂肪族アミンや第３級脂肪族アミンが好ましい。ここで、脂肪族アミンとは、１つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が１〜２０であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアＮＨ3の水素原子の少なくとも１つを、炭素数２０以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン（アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン）又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノアルキルアミン；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン；ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−オクタノールアミン、トリ−ｎ−オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数５〜１０のトリアルキルアミンや、アルキルアルコールアミンが好ましく、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、ステアリルジエタノールアミンが特に好ましい。
【００４８】
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの（脂肪族単環式アミン）であっても多環式のもの（脂肪族多環式アミン）であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が６〜１０のものが好ましく、具体的には、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミンなどが挙げられる。
その他の脂肪族アミンとしては、トリス（２−メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチルアミン等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
本発明のレジスト組成物中におけるクエンチャーの使用量は、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるため適宜選択できるが、例えば、前記脂環式化合物１００質量部に対して、好ましくは０〜１０質量部、より好ましくは０．０１〜５．０質量部のクエンチャーを含有する。
本発明のポジ型レジスト組成物は、前記脂環構造含有化合物と光酸発生剤、クエンチャー及び必要に応じて前記有機溶媒等を混合し、必要に応じて夾雑物をフィルターなどの慣用の固体分離手段により除去することにより調製できる。このポジ型レジスト組成物を基材又は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜（レジスト膜）に光線を露光して（又は、さらに露光後ベークを行い）潜像パターンを形成し、次いで現像することにより、微細なパターンを高い精度で形成できる。
【００５０】
本発明は、必要に応じて支持体上に疎水化処理をする工程と、上記ポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を選択露光する工程と、選択露光されたレジスト膜をアルカリ現像処理してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法をも提供する。
上記疎水化処理に使用される疎水化処理剤は、公知のものから任意に用いれば良く、例えば、好ましくはビス（アルキルシリル）アミン、より好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）である。
上記支持体としては、シリコンウエハー、金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げられる。フォトレジスト組成物の塗布は、スピンコータ、ディップコータ、ローラコータなどの慣用の塗布手段を用いて行うことができる。塗膜の厚みは、例えば、好ましくは０．０１〜２０μｍ、より好ましくは０．０５〜１μｍである。
レジスト膜を選択露光する工程には、種々の波長の光線、例えば、紫外線、Ｘ線などが利用でき、半導体レジスト用では、通常、ｇ線、ｉ線、エキシマレーザー（例えば、ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなど）、軟Ｘ線などが使用される。露光エネルギーは、例えば０．１〜１０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１〜１００ｍＪ／ｃｍ2程度である。
上記ポジ型レジスト組成物に含まれる脂環式化合物は、アセタール構造を有するため、酸分解機能を有する。従って、上記選択露光により光酸発生剤から酸が生成し、この酸により前記脂環式化合物に基づく構造のうちアセタール構造部分が速やかに脱離して、可溶化に寄与するカルボキシル基や水酸基が生成する。そのため、水又はアルカリ現像液を用いて現像処理を行なうことで、所定のパターンを精度よく形成できる。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明について実施例及び比較例を示してより具体的に説明するが、本発明はこれらに何ら制限されるものではない。
なお、各種分析方法は以下に示すようにして行った。
［示差走査熱量分析（ＤＳＣ）］
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製 ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０を用いて測定した。
［熱重量／示差熱分析（ＴＧ／ＤＴＡ）］
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製 ＥＸＳＴＡＲ ＴＧ／ＤＴＡ７２００を用いて測定した。
［膜厚及び規格化膜厚］
光学式膜厚計（フィルメトリクス株式会社製 Ｆ２０−ＵＶ）を用いて膜厚を測定し、現像前の膜厚を１．００として規格化膜厚を算出した。
【００５２】
実施例１（コール酸 アダマンタン−１−オキシメチルの合成）
３００ミリリットルフラスコに、１−アダマンタノール［式量：１５２．２３，１５ｇ，９８．５ｍｍｏｌ］とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１５０ミリリットル、無水酢酸７５ミリリットルを加え２０時間攪拌した。反応混合液に水５０ミリリットルとジエチルエーテル１００ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。水層に再びジエチルエーテル５０ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。これをさらに２回繰り返した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過の後、溶媒を留去すると、目的物である１−メチルチオメトキシアダマンタンの無色液体[２０．１ｇ，９４．６ｍｍｏｌ，単離収率９６％]を得た。
５０ミリリットル二口フラスコに、上記で合成した１−メチルチオメトキシアダマンタン［式量：２１２．３５，１４８６ｍｇ，７ｍｍｏｌ］を入れ、塩化チオニル［式量：１１８．９７，０．６ミリリットル，８．４ｍｍｏｌ］をゆっくり滴下した後１５分撹拌した。残った塩化チオニルを真空ポンプにて除去した。溶媒を除去した残渣をＴＨＦ５ミリリットルに溶かし、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ミリリットルに溶かしたコール酸［式量：４０８．５７，３１４６ｍｇ，７．７ｍｍｏｌ，１．１当量］とトリエチルアミン［式量：１０１．１９，ｄ＝０．７２６，１．１８ミリリットル，８．４７ｍｍｏｌ，１．１当量］を入れた１００ミリリットル二口フラスコにゆっくり滴下すると、速やかに反応液が白濁し、わずかに発熱がみられた。引き続き２０時間撹拌の後、水５０ミリリットルを加えて反応を止めた。反応混合液にジエチルエーテル１００ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。水層に再びジエチルエーテル５０ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。これをさらに２回繰り返した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過の後、溶媒を留去した。溶媒を除去した残渣をジエチルエーテル２０ミリリットルに溶かし、へキサン５００ミリリットルに滴下すると目的物である下記コール酸 アダマンタン−１−オキシメチルの白色固体[３０７９ｍｇ，５．３８ｍｍｏｌ，単離収率７６．８％]を得た。
【００５３】
＜物性データ＞
熱重量／示差熱分析法（ＴＧ／ＤＴＡ)： Ｔｄ5＝１３１．４℃
示差走査熱量分析（ＤＳＣ）：Ｔｇ＝８６．１℃
【化２５】
【００５４】
実施例２（ジコール酸 アダマンタン−１，３−ジオキシメチルの合成）
３００ミリリットルフラスコに、１，３−アダマンタノール［式量：１６８．２３，１０ｇ，５９．４ｍｍｏｌ］とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１５０ミリリットル、無水酢酸７５ミリリットルを加え５０時間攪拌した。反応混合液に水５０ミリリットルとジエチルエーテル１００ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。水層に再びジエチルエーテル５０ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。これをさらに２回繰り返した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過の後、溶媒を留去すると、目的物である１，３−ジメチルチオメトキシアダマンタンの無色液体[１６．２８ｇ，５６．４ｍｍｏｌ，単離収率９５％]を得た。
５０ミリリットル二口フラスコに、上記で合成した１，３−ジメチルチオメトキシアダマンタン［式量：２８８．４７，１４４２ｍｇ，５ｍｍｏｌ］を入れ、塩化チオニル［式量：１１８．９７，０．４４ミリリットル，６ｍｍｏｌ］をゆっくり滴下した後１５分撹拌した。残った塩化チオニルを真空ポンプにて除去した。溶媒を除去した残渣をＴＨＦ５ミリリットルに溶かし、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２５ミリリットルに溶かしたコール酸［式量：４０８．５７，４９０３ｍｇ，１２ｍｍｏｌ，１．２当量］とトリエチルアミン［式量：１０１．１９，ｄ＝０．７２６，２ミリリットル，１４．４ｍｍｏｌ，１．２当量］を入れた１００ミリリットル二口フラスコにゆっくり滴下すると、速やかに反応液が白濁し、わずかに発熱がみられた。引き続き２０時間撹拌の後、水５０ミリリットルを加えて反応を止めた。反応混合液にジエチルエーテル１００ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。水層に再びジエチルエーテル５０ミリリットルを加え、震とう，静置の後、水層と有機層を分けた。これをさらに２回繰り返した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過の後、溶媒を留去した。溶媒を除去した残渣をＴＨＦ１０ミリリットルに溶かし、ジエチルエーテル５００ミリリットルに滴下すると目的物である下記ジコール酸 アダマンタン−１，３−ジオキシメチルの白色固体[３６５０ｍｇ，３．６２ｍｍｏｌ，単離収率７２．３％]を得た。
【００５５】
＜物性データ＞
熱重量／示差熱分析法（ＴＧ／ＤＴＡ)： Ｔｄ5＝１２０．３℃
示差走査熱量分析（ＤＳＣ）：Ｔｇ＝８０．４℃
【化２６】
【００５６】
実施例３（組成物の調製）
実施例１で得たコール酸 アダマンタン−１−オキシメチルに対し、光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート ５質量％を加え、これらが５質量％になるようにシクロヘキサノンで溶解し、レジスト組成物Ｒ３を調製した。未処理のシリコンウエハー及びＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理したシリコンウエハー上に、それぞれ調製したレジスト組成物を塗布し、１１０℃で、６０秒間ベークを行い、レジスト膜を形成した。こうして得られたシリコンウエハーを水で希釈したＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像した。このときのＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を第１表及び図１に示す。
【００５７】
実施例４（組成物の調製）
実施例１で得たコール酸 アダマンタン−１−オキシメチルに代えて、実施例２で得たジコール酸 アダマンタン−１，３−ジオキシメチルを用いてレジスト組成物Ｒ４を調製した以外は、実施例３と同様にして行った。ＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を第１表及び図１に示す。
【００５８】
比較例１（組成物の調製）
実施例１で得たコール酸 アダマンタン−１−オキシメチルに代えて、下記式で示される化合物ＧＲ−５を用いてレジスト組成物Ｒ５を調製し、シクロヘキサノンの代わりに乳酸エチルを用いた以外は、実施例３と同様にして行った。ＴＭＡＨ濃度に対する膜厚の変化を第１表及び図１に示す。
尚、ＨＭＤＳ処理したシリコンウエハー上にレジスト組成物Ｒ５を塗布しても、レジスト組成物Ｒ５がはじかれてしまい成膜できなかった。
【００５９】
【化２７】
【００６０】
【表１】
【００６１】
このように本発明の実施例３および４は、ＴＭＡＨ標準濃度（２．３８質量％）もしくは比較例１より高濃度のＴＭＡＨ溶液で、膜厚維持の確認ができた。また、シリコンウエハーをＨＭＤＳ処理した場合には、比較例１では成膜できなかったのに対し、実施例３および４では成膜が可能となり、成膜性の向上を確認できた。比較例１のＧＲ−５を用いた場合ＨＭＤＳ処理したシリコンウエハー上に成膜できない理由については、コール酸の割合が小さく水酸基数の少ない化合物を用いた実施例３および４では化合物の極性が低いが、コール酸の割合が高く水酸基数の多い比較例１のＧＲ−５は極性が高いため、ＨＭＤＳ処理して疎水性になったウエハー上で、比較例１の組成物Ｒ５がはじかれてしまい、成膜ができなかったと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
以上詳細に説明したように、本発明の脂環式化合物は、ポジ型レジスト組成物用途に有用である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される脂環式化合物。
【化１】
（式中、Ｒa〜Ｒcのうち、１つ又は２つは、下記一般式（ａ）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、それ以外のＲa〜Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はハロゲン原子を示す。）
【化２】
（式中、Ｒd、Ｒe及びＲfは、水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基を示し、Ｒg及びＲhは、それぞれ独立に、水素原子又はヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、ｎは、１又は２を示す。Ａは、単結合又は炭素数１〜５の二価の炭化水素基を示す。）
【化３】
（式中、Ｚ1は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化４】
（式中、Ｚ2は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化５】
（式中、Ｚ3は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、Ｒi及びＲjは、それぞれ独立に、水素原子あるいはヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化６】
（式中、Ｚ4は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化７】
（式中、Ｚ5〜Ｚ7は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【請求項２】
前記一般式（ａ）におけるＲg及びＲhが水素原子であり、かつ、Ａが単結合である請求項１記載の脂環式化合物。
【請求項３】
前記一般式（ａ）におけるｎが１である請求項１又は２記載の脂環式化合物。
【請求項４】
前記一般式（ａ）におけるＲd、Ｒe及びＲfが、それぞれ独立に、水素原子又は水酸基である請求項３記載の脂環式化合物。
【請求項５】
前記一般式（１）中、Ｒa〜Ｒcのうち１つ又は２つが前記一般式（ａ）で示され、それ以外のＲa〜Ｒcが水素原子である請求項４記載の脂環式化合物。
【請求項６】
前記一般式（ａ）において、Ｒd、Ｒe及びＲfが、いずれも水酸基である請求項５記載の脂環式化合物。
【請求項７】
下記一般式（ｃ１）〜（ｃ５）のいずれかで示されるコール酸類と、１−ビニルオキシアダマンタン、１−ハロゲノメトキシアダマンタン、１−ビニルオキシメチルアダマンタン及び１−メチルチオメトキシアダマンタンから選択される１種以上とを反応させることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物の製造方法。
【化８】
【請求項８】
アダマンタン構造含有アルコールを、酸無水物の存在下、アルキルスルホキシドと反応させてアルキルチオアルキルエーテル体を得る工程と、該アルキルチオアルキルエーテル体をハロゲン化剤によりハロゲン化アルキルエーテル体とする工程と、該ハロゲン化アルキルエーテル体とコール酸類とのエステル化反応工程を有する請求項１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物の製造方法。
【請求項９】
少なくとも請求項１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物を含有することを特徴とする組成物。
【請求項１０】
さらに溶媒及び酸発生剤を含有する請求項９記載の組成物。
【請求項１１】
さらにクエンチャーを含有する請求項９又は１０記載の組成物。
【請求項１２】
ポジ型レジスト組成物である請求項９〜１１のいずれかに記載の組成物。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれかに記載の組成物をポジ型レジストとして用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、該レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法。
【請求項１】
下記一般式（１）で表される脂環式化合物。
【化１】
（式中、Ｒa〜Ｒcのうち、１つ又は２つは、下記一般式（ａ）で表わされるコール酸類エステル構造含有基を示し、それ以外のＲa〜Ｒcは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又はハロゲン原子を示す。）
【化２】
（式中、Ｒd、Ｒe及びＲfは、水素原子、水酸基又は下記一般式（ｂ１）〜（ｂ５）のいずれかで示される炭素数２〜３０の酸素含有有機基を示し、Ｒg及びＲhは、それぞれ独立に、水素原子又はヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示し、ｎは、１又は２を示す。Ａは、単結合又は炭素数１〜５の二価の炭化水素基を示す。）
【化３】
（式中、Ｚ1は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化４】
（式中、Ｚ2は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化５】
（式中、Ｚ3は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜９の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、Ｒi及びＲjは、それぞれ独立に、水素原子あるいはヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化６】
（式中、Ｚ4は、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【化７】
（式中、Ｚ5〜Ｚ7は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を示す。）
【請求項２】
前記一般式（ａ）におけるＲg及びＲhが水素原子であり、かつ、Ａが単結合である請求項１記載の脂環式化合物。
【請求項３】
前記一般式（ａ）におけるｎが１である請求項１又は２記載の脂環式化合物。
【請求項４】
前記一般式（ａ）におけるＲd、Ｒe及びＲfが、それぞれ独立に、水素原子又は水酸基である請求項３記載の脂環式化合物。
【請求項５】
前記一般式（１）中、Ｒa〜Ｒcのうち１つ又は２つが前記一般式（ａ）で示され、それ以外のＲa〜Ｒcが水素原子である請求項４記載の脂環式化合物。
【請求項６】
前記一般式（ａ）において、Ｒd、Ｒe及びＲfが、いずれも水酸基である請求項５記載の脂環式化合物。
【請求項７】
下記一般式（ｃ１）〜（ｃ５）のいずれかで示されるコール酸類と、１−ビニルオキシアダマンタン、１−ハロゲノメトキシアダマンタン、１−ビニルオキシメチルアダマンタン及び１−メチルチオメトキシアダマンタンから選択される１種以上とを反応させることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物の製造方法。
【化８】
【請求項８】
アダマンタン構造含有アルコールを、酸無水物の存在下、アルキルスルホキシドと反応させてアルキルチオアルキルエーテル体を得る工程と、該アルキルチオアルキルエーテル体をハロゲン化剤によりハロゲン化アルキルエーテル体とする工程と、該ハロゲン化アルキルエーテル体とコール酸類とのエステル化反応工程を有する請求項１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物の製造方法。
【請求項９】
少なくとも請求項１〜６のいずれかに記載の脂環式化合物を含有することを特徴とする組成物。
【請求項１０】
さらに溶媒及び酸発生剤を含有する請求項９記載の組成物。
【請求項１１】
さらにクエンチャーを含有する請求項９又は１０記載の組成物。
【請求項１２】
ポジ型レジスト組成物である請求項９〜１１のいずれかに記載の組成物。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれかに記載の組成物をポジ型レジストとして用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、該レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−１３１９（Ｐ２０１１−１３１９Ａ）
【公開日】平成２３年１月６日（２０１１．１．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４６８０８（Ｐ２００９−１４６８０８）
【出願日】平成２１年６月１９日（２００９．６．１９）
【出願人】（０００１８３６４６）出光興産株式会社 (2,069)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月６日（２０１１．１．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１９日（２００９．６．１９）
【出願人】（０００１８３６４６）出光興産株式会社 (2,069)
【Ｆターム（参考）】
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