芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
【課題】 発光輝度及び発光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供する。
【解決手段】 ナフタレン構造に置換基を有するジフェニルアミノ基が結合した特定構造の芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【解決手段】 ナフタレン構造に置換基を有するジフェニルアミノ基が結合した特定構造の芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し、特に、発光輝度及び発光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子及びそれを実現する新規な芳香族アミン誘導体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらになる高発光効率、長寿命が要求されている。
例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献１）。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度１６５ｍＡ／ｃｍ2において、１６５０ｃｄ／ｍ2の輝度しか得られておらず、効率は１ｃｄ／Ａであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献２）。しかしながら、この技術においても、効率は１〜３ｃｄ／Ａ程度で低く、実用化のための改良が求められていた。一方、有機発光材料として、ジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミンなどを添加したものを用いた長寿命の有機ＥＬ素子が提案されている（特許文献３）。しかしながら、この素子は、半減寿命が十分長くなく、さらなる改良が求められていた。
また、モノもしくはビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（特許文献４）。しかしながら、これらの技術においては、スチリル化合物の共役構造により発光スペクトルが長波長化して色純度を悪化させていた。さらに、ジアミノナフタレン化合物を発光層に用いた素子が開示されている（特許文献５）。しかしながら、この素子は半減寿命が十分でなく、さらなる改良が求められている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３７８２号公報
【特許文献２】特開平８−１２６００号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ９４／０６１５７号公報
【特許文献４】特開２００１−２８４０５０号公報
【特許文献５】特開平１１−２７３８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、発光輝度及び発光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子及びそれを実現する新規な芳香族アミン誘導体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、前記の好ましい性質を有する芳香族アミン誘導体及びそれを使用した有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）〜（７）のいずれかで表されるナフタレン構造に置換基を有するジフェニルアミノ基が結合した芳香族アミン誘導体を利用することによりその目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
【０００６】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。
【化１】
【０００７】
（一般式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（１）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。）
【０００８】
【化２】
【０００９】
（一般式（２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じである。
ただし、一般式（２）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。）
【００１０】
【化３】
【００１１】
（一般式（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じである。
ただし、一般式（３）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。）
【００１２】
【化４】
【００１３】
（一般式（４）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じである。
ただし、一般式（４）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。）
【００１４】
【化５】
【００１５】
（一般式（５）中、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（４）におけるものと同じである。
ただし、一般式（５）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。）
【００１６】
【化６】
【００１７】
（一般式（６）中、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（４）におけるものと同じである。
ただし、一般式（６）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。）
【００１８】
【化７】
【００１９】
（一般式（７）中、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（４）におけるものと同じである。
ただし、一般式（７）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄが２以上で、Ａ1〜Ａ4が互いに連結して飽和環を形成する場合の炭素数の総和は１２以下である。）
【００２０】
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子、並びに、
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、前記陽極と前記発光層との間に前記芳香族アミン誘導体を主成分として含有する有機層を有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を使用した有機ＥＬ素子は、発光輝度及び発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体からなるものである。
【００２３】
【化８】
【００２４】
【化９】
【００２５】
一般式（１）〜（３）において、Ｒ1及びＲ2は、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数９〜２０）のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０（好ましくは、炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜１８）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜１８）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキルアミノ基又はハロゲン原子を表わす。
【００２６】
前記Ｒ1及びＲ2のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、ナフチル基、５−メチルナフチル基、アントリル基、ピレニル基等が挙げられる。
【００２７】
前記Ｒ1及びＲ2のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
【００２８】
前記Ｒ1及びＲ2のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルネン基、アダマンチル基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，イソプロポキシ基，ブトキシ基，イソブトキシ基，ｓ−ブトキシ基，ｔ−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基，各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基，トリルオキシ基，ナフチルオキシ基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ基，ジトリルアミノ基，イソプロピルジフェニルアミノ基，ｔ−ブチルジフェニルアミノ基，ジイソプロピルジフェニルアミノ基，ジ−ｔ−ブチルジフェニルアミノ基，ジナフチルアミノ基，ナフチルフェニルアミノ基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子，塩素原子，臭素原子等が挙げられる。
【００２９】
一般式（４）〜（７）において、Ｒ3及びＲ4は、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルキル基を表す。
前記Ｒ3及びＲ4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、２−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等が挙げられる。
以上の中でも、Ｒ3及びＲ4としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基がさらに好ましい。
【００３０】
一般式（１）〜（７）において、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数９〜２０）のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０（好ましくは、炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜１８）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜１８）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキルアミノ基又はハロゲン原子を表わす。
これらの中でも、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基が好ましく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜１８のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１８のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜６のシクロアルキル基がさらに好ましい。
【００３１】
前記Ａ1〜Ａ4のアルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基及びハロゲン原子の具体例としては、前記Ｒ1及びＲ2で挙げたものと、それぞれ同様のものが挙げられる。
ａ〜ｄはそれぞれ０〜５の整数であり、０〜３であると好ましく、０〜２であるとさらに好ましい。
ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、複数のＡ1〜Ａ4は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
【００３２】
ただし、一般式（１）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。
また、一般式（２）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。
また、一般式（３）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。
また、一般式（４）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。
また、一般式（５）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。
また、一般式（６）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。
また、一般式（７）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄが２以上で、Ａ1〜Ａ4が互いに連結して飽和環を形成する場合の炭素数の総和は１２以下である。
【００３３】
本発明の一般式（１）〜（７）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。Ｍｅはメチル基を示す。
【化１０】
【００３４】
【化１１】
【００３５】
【化１２】
【００３６】
【化１３】
【００３７】
【化１４】
【００３８】
【化１５】
【００３９】
【化１６】
【００４０】
【化１７】
【００４１】
【化１８】
【００４２】
【化１９】
【００４３】
本発明の一般式（１）〜（７）のいずれかに表される芳香族アミン誘導体は、発光中心であるジアミノナフタレン構造に、置換基を有するベンゼン環を連結していることにより、化合物同士の会合が防止されるため、寿命が長くなる。また、ナフタレン骨格に対し、アミノ基の結合位置（１、５位）から、離れた位置（３、７位）に、かさ高い置換基を導入することで、アミノ基−ナフタレン結合に立体反発をかけることなく、化合物同士の会合が防止されるため、さらに寿命が長くなる。
また、固体状態で強い蛍光性を持ち、電場発光性にも優れ、蛍光量子効率が０．３以上である。さらに、金属電極又は有機薄膜層からの優れた正孔注入性及び正孔輸送性、金属電極又は有機薄膜層からの優れた電子注入性及び電子輸送性を併せて持ち合わせているので、有機ＥＬ素子用発光材料、特にドーピング材料として有効に用いられ、さらに、他の正孔輸送性材料、電子輸送性材料又はドーピング材料を使用してもよい。
【００４４】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層又は多層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料又は電子注入材料を含有してもよい。一般式（１）〜（７）の芳香族アミン誘導体は、高い発光特性を持ち、優れた正孔注入性、正孔輸送特性及び電子注入性、電子輸送特性を有しているので、前記有機薄膜層に使用することができ、発光材料として発光層に使用すると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層が、本発明の芳香族アミン誘導体を０．１〜２０重量％含有すると好ましく、１〜１０重量％含有するとさらに好ましい。また、本発明の一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、この芳香族アミン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む二層以上からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、陽極と発光層との間に一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を主成分とする有機層を有すると好ましい。この有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。
多層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層したものが挙げられる。
【００４５】
さらに、本発明の芳香族アミン誘導体をドーピング材料として含有する場合、ホスト材料として下記一般式（８）のアントラセン誘導体、（９）のアントラセン誘導体及び（１０）のピレン誘導体から選ばれる少なくとも一種を含有すると好ましい。
【化２０】
【００４６】
（一般式（８）中、Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子であり、ｅ、ｆは、それぞれ独立に０〜４の整数である。ｅ、ｆが２以上の場合、Ｘ1、Ｘ2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基であり、Ａｒ1及びＡｒ2の少なくとも一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合環含有アリール基である。
ｍは１〜３の整数である。ｍが２以上の場合は、［ ］内の基は、同じでも異なっていてもよい。）
前記Ｘ1及びＸ2並びにＡｒ1及びＡｒ2の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００４７】
【化２１】
【００４８】
（一般式（９）中、Ｘ1〜Ｘ3は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子であり、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に０〜４の整数である。ｅ、ｆ、ｇが２以上の場合、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合環含有アリール基であり、Ａｒ3は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基である。
ｎは１〜３の整数である。ｎが２以上の場合は、［ ］内の基は、同じでも異なっていてもよい。）
前記Ｘ1〜Ｘ3並びにＡｒ1及びＡｒ3の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００４９】
一般式（８）及び（９）のアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
【化２２】
【００５０】
【化２３】
【００５１】
【化２４】
【００５２】
【化２５】
【００５３】
【化２６】
【００５４】
【化２７】
【００５５】
（一般式（１０）中、Ａｒ5及びＡｒ6は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｓは０〜２の整数、ｐは１〜４の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは０〜４の整数である。
また、Ｌ1又はＡｒ5は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ2又はＡｒ6は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｐ＋ｒが偶数の時、Ａｒ5，Ａｒ6，Ｌ1，Ｌ2は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ａｒ5≠Ａｒ6及び／又はＬ1≠Ｌ2（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
(2) Ａｒ5＝Ａｒ6かつＬ1＝Ｌ2の時
(2-1) ｓ≠ｑ及び／又はｐ≠ｒ、又は
(2-2) ｓ＝ｑかつｐ＝ｒの時、
(2-2-1) Ｌ1及びＬ2、又はピレンが、それぞれＡｒ5及びＡｒ6上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ1及びＬ2、又はピレンが、Ａｒ5及びＡｒ6上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ1及びＬ2又はＡｒ5及びＡｒ6のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。）
前記Ａｒ5及びＡｒ6並びにＬ1及びＬ2の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００５６】
一般式（５）のピレン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
【化２８】
【００５７】
【化２９】
【００５８】
本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の構成で積層したものが挙げられる。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
【００５９】
本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる上記一般式（３）〜（５）以外のホスト材料又はドーピング材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル) アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル) ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート) アルミニウム、ビス−（２−メチル−８−キノリノラート) −４−（フェニルフェノリナート) アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６０】
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６１】
本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
【００６２】
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体でがあるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び／又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
【００６３】
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
【００６４】
本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６５】
また、含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) １，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) ］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) −４−ｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル) ］ベンゼン、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル)］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６６】
本発明の有機ＥＬ素子においては、有機薄膜層、特に、発光層中に、一般式（１）〜（７）の芳香族アミン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも１種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
【００６７】
有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
【００６８】
有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
【００６９】
本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【００７０】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
【００７１】
以上のように、有機ＥＬ素子の有機薄膜層に本発明の芳香族アミン誘導体を用いることにより、寿命が長く、高発光効率な有機ＥＬ素子を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
【実施例】
【００７２】
次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
合成実施例１ （化合物（Ｄ−６６）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、３，７−ジ−ｔ−ブチル−１，５−ジブロモナフタレン ４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、２−ジナフチルアミン ６．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍLを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍL、メタノール １００ｍLにて洗浄し、淡黄色粉末 ６．３ｇを得た。このものは、ＮＭＲスペクトル（図１）及びＦＤ−ＭＳ（フィールドディソプーションマススペクトル）の測定により、化合物（Ｄ−６６）と同定した（収率８２％）
ＮＭＲは、Ｂｕｋｅｒ製ＤＲＸ５００を用いた。
［最大吸収波長 ３５０ｎｍ，最大蛍光波長 ４３０ｎｍ （トルエン溶液）］
【００７３】
合成実施例２（化合物（Ｄ−１４２）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、３，７−ジ（３，５−ジメチルフェニル−１，５−ジブロモナフタレン ４．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、２−ジナフチルアミン ６．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍLを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍL、メタノール １００ｍLにて洗浄し、淡黄色粉末 ８．２ｇを得た。このものは、ＮＭＲスペクトル（図２）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（９）と同定した（収率９４％）
［最大吸収波長 ３５３ｎｍ，最大蛍光波長 ４２０ｎｍ （トルエン溶液）］
【００７４】
合成実施例３（化合物（Ｄ−１３５）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、３，７−ジ（３，５−ジメチルフェニル−１，５−ジブロモナフタレン ４．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−イソプロピルフフェニル−４’−ｔ−ブチルフェニルアミン ６．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍLを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍL、メタノール １００ｍLにて洗浄し、淡黄色粉末 ７．４ｇを得た。このものは、ＮＭＲスペクトル（図３）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１３５）と同定した（収率８５％）
［最大吸収波長 ３４９ｎｍ，最大蛍光波長 ４１５ｎｍ （トルエン溶液）］
【００７５】
実施例１（有機ＥＬ素子の製造）
２５×７５×１．１ｍｍサイズのガラス基板上に、膜厚１２０ｎｍのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、Ｎ',Ｎ''−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ',Ｎ''−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミンを６０ｎｍの厚さに蒸着した後、その上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ' −テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジンを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次いで、１０，１０’−ビス［１，１',４',１''］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビアントラセニルと上記化合物（Ｄ−６６）とを、重量比４０：２で同時蒸着し、厚さ４０ｎｍの発光層を形成した。
次に、電子注入層として、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウムを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、次に弗化リチウムを１ｎｍの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを１５０ｎｍの厚さに蒸着した。このアルミニウム／弗化リチウムは陰極として機能する。このようにして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧７．０Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率３ｃｄ／Ａ、発光輝度２５０ｃｄ／ｍ2の青色発光が得られた。また、初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１，２００時間であった。
【００７６】
実施例２（有機ＥＬ素子の製造）
実施例１において、化合物（Ｄ−６６）の代わりに化合物（Ｄ−１４２）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧７．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率２．８ｃｄ／Ａ、発光輝度２８０ｃｄ／ｍ2の青色発光が得られた。また、初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１，０００時間であった。
【００７７】
比較例１
実施例１において、化合物（Ｄ−６６）の代わりに、１，５−ビス（２−ナフチルアミノ）ナフタレンを用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧７．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率１．０ｃｄ／Ａ、発光輝度１００ｃｄ／ｍ2の青色発光が得られた。また、初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００時間と短かった。
以上の結果より、ジアミノナフタレン骨格に置換基を有しない化合物を有機ＥＬ素子の材料として用いた場合、化合物同士の分子会合が起こり、発光色が長波長し、発光効率、発光輝度及び寿命が劣ることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
以上詳細に説明したように、本発明の一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を使用した有機ＥＬ素子は、発光輝度及び発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため、実用性能が高い有機ＥＬ素子として極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−６６）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図２】本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１４２）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図３】本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１３５）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し、特に、発光輝度及び発光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子及びそれを実現する新規な芳香族アミン誘導体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらになる高発光効率、長寿命が要求されている。
例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献１）。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度１６５ｍＡ／ｃｍ2において、１６５０ｃｄ／ｍ2の輝度しか得られておらず、効率は１ｃｄ／Ａであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献２）。しかしながら、この技術においても、効率は１〜３ｃｄ／Ａ程度で低く、実用化のための改良が求められていた。一方、有機発光材料として、ジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミンなどを添加したものを用いた長寿命の有機ＥＬ素子が提案されている（特許文献３）。しかしながら、この素子は、半減寿命が十分長くなく、さらなる改良が求められていた。
また、モノもしくはビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（特許文献４）。しかしながら、これらの技術においては、スチリル化合物の共役構造により発光スペクトルが長波長化して色純度を悪化させていた。さらに、ジアミノナフタレン化合物を発光層に用いた素子が開示されている（特許文献５）。しかしながら、この素子は半減寿命が十分でなく、さらなる改良が求められている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３７８２号公報
【特許文献２】特開平８−１２６００号公報
【特許文献３】国際公開ＷＯ９４／０６１５７号公報
【特許文献４】特開２００１−２８４０５０号公報
【特許文献５】特開平１１−２７３８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、発光輝度及び発光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子及びそれを実現する新規な芳香族アミン誘導体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、前記の好ましい性質を有する芳香族アミン誘導体及びそれを使用した有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）〜（７）のいずれかで表されるナフタレン構造に置換基を有するジフェニルアミノ基が結合した芳香族アミン誘導体を利用することによりその目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
【０００６】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。
【化１】
【０００７】
（一般式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（１）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。）
【０００８】
【化２】
【０００９】
（一般式（２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じである。
ただし、一般式（２）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。）
【００１０】
【化３】
【００１１】
（一般式（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じである。
ただし、一般式（３）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。）
【００１２】
【化４】
【００１３】
（一般式（４）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じである。
ただし、一般式（４）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。）
【００１４】
【化５】
【００１５】
（一般式（５）中、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（４）におけるものと同じである。
ただし、一般式（５）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。）
【００１６】
【化６】
【００１７】
（一般式（６）中、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（４）におけるものと同じである。
ただし、一般式（６）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。）
【００１８】
【化７】
【００１９】
（一般式（７）中、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1〜Ａ4及びａ〜ｄは、それぞれ前記一般式（４）におけるものと同じである。
ただし、一般式（７）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄが２以上で、Ａ1〜Ａ4が互いに連結して飽和環を形成する場合の炭素数の総和は１２以下である。）
【００２０】
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子、並びに、
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、前記陽極と前記発光層との間に前記芳香族アミン誘導体を主成分として含有する有機層を有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を使用した有機ＥＬ素子は、発光輝度及び発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体からなるものである。
【００２３】
【化８】
【００２４】
【化９】
【００２５】
一般式（１）〜（３）において、Ｒ1及びＲ2は、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数９〜２０）のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０（好ましくは、炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜１８）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜１８）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキルアミノ基又はハロゲン原子を表わす。
【００２６】
前記Ｒ1及びＲ2のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、ナフチル基、５−メチルナフチル基、アントリル基、ピレニル基等が挙げられる。
【００２７】
前記Ｒ1及びＲ2のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
【００２８】
前記Ｒ1及びＲ2のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルネン基、アダマンチル基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，イソプロポキシ基，ブトキシ基，イソブトキシ基，ｓ−ブトキシ基，ｔ−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基，各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基，トリルオキシ基，ナフチルオキシ基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ基，ジトリルアミノ基，イソプロピルジフェニルアミノ基，ｔ−ブチルジフェニルアミノ基，ジイソプロピルジフェニルアミノ基，ジ−ｔ−ブチルジフェニルアミノ基，ジナフチルアミノ基，ナフチルフェニルアミノ基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基等が挙げられる。
前記Ｒ1及びＲ2のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子，塩素原子，臭素原子等が挙げられる。
【００２９】
一般式（４）〜（７）において、Ｒ3及びＲ4は、水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルキル基を表す。
前記Ｒ3及びＲ4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、２−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等が挙げられる。
以上の中でも、Ｒ3及びＲ4としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基がさらに好ましい。
【００３０】
一般式（１）〜（７）において、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数９〜２０）のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０（好ましくは、炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜１８）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０（好ましくは、炭素数５〜１８）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキルアミノ基又はハロゲン原子を表わす。
これらの中でも、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基が好ましく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜１８のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１８のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜６のシクロアルキル基がさらに好ましい。
【００３１】
前記Ａ1〜Ａ4のアルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基及びハロゲン原子の具体例としては、前記Ｒ1及びＲ2で挙げたものと、それぞれ同様のものが挙げられる。
ａ〜ｄはそれぞれ０〜５の整数であり、０〜３であると好ましく、０〜２であるとさらに好ましい。
ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、複数のＡ1〜Ａ4は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
【００３２】
ただし、一般式（１）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。
また、一般式（２）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。
また、一般式（３）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。
また、一般式（４）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。
また、一般式（５）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。
また、一般式（６）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。
また、一般式（７）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄが２以上で、Ａ1〜Ａ4が互いに連結して飽和環を形成する場合の炭素数の総和は１２以下である。
【００３３】
本発明の一般式（１）〜（７）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。Ｍｅはメチル基を示す。
【化１０】
【００３４】
【化１１】
【００３５】
【化１２】
【００３６】
【化１３】
【００３７】
【化１４】
【００３８】
【化１５】
【００３９】
【化１６】
【００４０】
【化１７】
【００４１】
【化１８】
【００４２】
【化１９】
【００４３】
本発明の一般式（１）〜（７）のいずれかに表される芳香族アミン誘導体は、発光中心であるジアミノナフタレン構造に、置換基を有するベンゼン環を連結していることにより、化合物同士の会合が防止されるため、寿命が長くなる。また、ナフタレン骨格に対し、アミノ基の結合位置（１、５位）から、離れた位置（３、７位）に、かさ高い置換基を導入することで、アミノ基−ナフタレン結合に立体反発をかけることなく、化合物同士の会合が防止されるため、さらに寿命が長くなる。
また、固体状態で強い蛍光性を持ち、電場発光性にも優れ、蛍光量子効率が０．３以上である。さらに、金属電極又は有機薄膜層からの優れた正孔注入性及び正孔輸送性、金属電極又は有機薄膜層からの優れた電子注入性及び電子輸送性を併せて持ち合わせているので、有機ＥＬ素子用発光材料、特にドーピング材料として有効に用いられ、さらに、他の正孔輸送性材料、電子輸送性材料又はドーピング材料を使用してもよい。
【００４４】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層又は多層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料又は電子注入材料を含有してもよい。一般式（１）〜（７）の芳香族アミン誘導体は、高い発光特性を持ち、優れた正孔注入性、正孔輸送特性及び電子注入性、電子輸送特性を有しているので、前記有機薄膜層に使用することができ、発光材料として発光層に使用すると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層が、本発明の芳香族アミン誘導体を０．１〜２０重量％含有すると好ましく、１〜１０重量％含有するとさらに好ましい。また、本発明の一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、この芳香族アミン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む二層以上からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、陽極と発光層との間に一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を主成分とする有機層を有すると好ましい。この有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。
多層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層したものが挙げられる。
【００４５】
さらに、本発明の芳香族アミン誘導体をドーピング材料として含有する場合、ホスト材料として下記一般式（８）のアントラセン誘導体、（９）のアントラセン誘導体及び（１０）のピレン誘導体から選ばれる少なくとも一種を含有すると好ましい。
【化２０】
【００４６】
（一般式（８）中、Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子であり、ｅ、ｆは、それぞれ独立に０〜４の整数である。ｅ、ｆが２以上の場合、Ｘ1、Ｘ2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基であり、Ａｒ1及びＡｒ2の少なくとも一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合環含有アリール基である。
ｍは１〜３の整数である。ｍが２以上の場合は、［ ］内の基は、同じでも異なっていてもよい。）
前記Ｘ1及びＸ2並びにＡｒ1及びＡｒ2の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００４７】
【化２１】
【００４８】
（一般式（９）中、Ｘ1〜Ｘ3は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子であり、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に０〜４の整数である。ｅ、ｆ、ｇが２以上の場合、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合環含有アリール基であり、Ａｒ3は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基である。
ｎは１〜３の整数である。ｎが２以上の場合は、［ ］内の基は、同じでも異なっていてもよい。）
前記Ｘ1〜Ｘ3並びにＡｒ1及びＡｒ3の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００４９】
一般式（８）及び（９）のアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
【化２２】
【００５０】
【化２３】
【００５１】
【化２４】
【００５２】
【化２５】
【００５３】
【化２６】
【００５４】
【化２７】
【００５５】
（一般式（１０）中、Ａｒ5及びＡｒ6は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｓは０〜２の整数、ｐは１〜４の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは０〜４の整数である。
また、Ｌ1又はＡｒ5は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ2又はＡｒ6は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｐ＋ｒが偶数の時、Ａｒ5，Ａｒ6，Ｌ1，Ｌ2は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ａｒ5≠Ａｒ6及び／又はＬ1≠Ｌ2（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
(2) Ａｒ5＝Ａｒ6かつＬ1＝Ｌ2の時
(2-1) ｓ≠ｑ及び／又はｐ≠ｒ、又は
(2-2) ｓ＝ｑかつｐ＝ｒの時、
(2-2-1) Ｌ1及びＬ2、又はピレンが、それぞれＡｒ5及びＡｒ6上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ1及びＬ2、又はピレンが、Ａｒ5及びＡｒ6上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ1及びＬ2又はＡｒ5及びＡｒ6のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。）
前記Ａｒ5及びＡｒ6並びにＬ1及びＬ2の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
【００５６】
一般式（５）のピレン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
【化２８】
【００５７】
【化２９】
【００５８】
本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の構成で積層したものが挙げられる。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
【００５９】
本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる上記一般式（３）〜（５）以外のホスト材料又はドーピング材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル) アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル) ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート) アルミニウム、ビス−（２−メチル−８−キノリノラート) −４−（フェニルフェノリナート) アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６０】
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６１】
本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
【００６２】
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体でがあるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び／又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
【００６３】
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
【００６４】
本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６５】
また、含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) １，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) ］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) −４−ｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル) ］ベンゼン、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル)］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６６】
本発明の有機ＥＬ素子においては、有機薄膜層、特に、発光層中に、一般式（１）〜（７）の芳香族アミン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも１種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
【００６７】
有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
【００６８】
有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
【００６９】
本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【００７０】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
【００７１】
以上のように、有機ＥＬ素子の有機薄膜層に本発明の芳香族アミン誘導体を用いることにより、寿命が長く、高発光効率な有機ＥＬ素子を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
【実施例】
【００７２】
次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
合成実施例１ （化合物（Ｄ−６６）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、３，７−ジ−ｔ−ブチル−１，５−ジブロモナフタレン ４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、２−ジナフチルアミン ６．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍLを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍL、メタノール １００ｍLにて洗浄し、淡黄色粉末 ６．３ｇを得た。このものは、ＮＭＲスペクトル（図１）及びＦＤ−ＭＳ（フィールドディソプーションマススペクトル）の測定により、化合物（Ｄ−６６）と同定した（収率８２％）
ＮＭＲは、Ｂｕｋｅｒ製ＤＲＸ５００を用いた。
［最大吸収波長 ３５０ｎｍ，最大蛍光波長 ４３０ｎｍ （トルエン溶液）］
【００７３】
合成実施例２（化合物（Ｄ−１４２）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、３，７−ジ（３，５−ジメチルフェニル−１，５−ジブロモナフタレン ４．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、２−ジナフチルアミン ６．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍLを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍL、メタノール １００ｍLにて洗浄し、淡黄色粉末 ８．２ｇを得た。このものは、ＮＭＲスペクトル（図２）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（９）と同定した（収率９４％）
［最大吸収波長 ３５３ｎｍ，最大蛍光波長 ４２０ｎｍ （トルエン溶液）］
【００７４】
合成実施例３（化合物（Ｄ−１３５）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、３，７−ジ（３，５−ジメチルフェニル−１，５−ジブロモナフタレン ４．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−イソプロピルフフェニル−４’−ｔ−ブチルフェニルアミン ６．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍLを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍL、メタノール １００ｍLにて洗浄し、淡黄色粉末 ７．４ｇを得た。このものは、ＮＭＲスペクトル（図３）及びＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１３５）と同定した（収率８５％）
［最大吸収波長 ３４９ｎｍ，最大蛍光波長 ４１５ｎｍ （トルエン溶液）］
【００７５】
実施例１（有機ＥＬ素子の製造）
２５×７５×１．１ｍｍサイズのガラス基板上に、膜厚１２０ｎｍのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、Ｎ',Ｎ''−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ',Ｎ''−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミンを６０ｎｍの厚さに蒸着した後、その上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ' −テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジンを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次いで、１０，１０’−ビス［１，１',４',１''］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビアントラセニルと上記化合物（Ｄ−６６）とを、重量比４０：２で同時蒸着し、厚さ４０ｎｍの発光層を形成した。
次に、電子注入層として、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウムを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、次に弗化リチウムを１ｎｍの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを１５０ｎｍの厚さに蒸着した。このアルミニウム／弗化リチウムは陰極として機能する。このようにして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧７．０Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率３ｃｄ／Ａ、発光輝度２５０ｃｄ／ｍ2の青色発光が得られた。また、初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１，２００時間であった。
【００７６】
実施例２（有機ＥＬ素子の製造）
実施例１において、化合物（Ｄ−６６）の代わりに化合物（Ｄ−１４２）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧７．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率２．８ｃｄ／Ａ、発光輝度２８０ｃｄ／ｍ2の青色発光が得られた。また、初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１，０００時間であった。
【００７７】
比較例１
実施例１において、化合物（Ｄ−６６）の代わりに、１，５−ビス（２−ナフチルアミノ）ナフタレンを用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧７．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率１．０ｃｄ／Ａ、発光輝度１００ｃｄ／ｍ2の青色発光が得られた。また、初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００時間と短かった。
以上の結果より、ジアミノナフタレン骨格に置換基を有しない化合物を有機ＥＬ素子の材料として用いた場合、化合物同士の分子会合が起こり、発光色が長波長し、発光効率、発光輝度及び寿命が劣ることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
以上詳細に説明したように、本発明の一般式（１）〜（７）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を使用した有機ＥＬ素子は、発光輝度及び発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため、実用性能が高い有機ＥＬ素子として極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−６６）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図２】本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１４２）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図３】本発明の芳香族アミン誘導体である化合物（Ｄ−１３５）のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化１】
（一般式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（１）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。）
【請求項２】
下記一般式（２）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化２】
（一般式（２）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（２）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。）
【請求項３】
下記一般式（３）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化３】
（一般式（３）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（３）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。）
【請求項４】
下記一般式（４）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化４】
（一般式（４）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（４）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。）
【請求項５】
下記一般式（５）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化５】
（一般式（５）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（５）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。）
【請求項６】
下記一般式（６）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化６】
（一般式（６）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（６）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。）
【請求項７】
下記一般式（７）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化７】
（一般式（７）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（７）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄが２以上で、Ａ1〜Ａ4が互いに連結して飽和環を形成する場合の炭素数の総和は１２以下である。）
【請求項８】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記陽極と前記発光層との間に請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を主成分として含有する有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を０．１〜２０質量％含有する有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１】
下記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化１】
（一般式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（１）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。）
【請求項２】
下記一般式（２）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化２】
（一般式（２）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（２）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。）
【請求項３】
下記一般式（３）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化３】
（一般式（３）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（３）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。）
【請求項４】
下記一般式（４）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化４】
（一般式（４）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（４）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4の全てが水素原子である場合はない。）
【請求項５】
下記一般式（５）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化５】
（一般式（５）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（５）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、Ａ1〜Ａ4のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数３〜１０の２級又は３級アルキル基である。）
【請求項６】
下記一般式（６）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化６】
（一般式（６）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（６）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄのうち少なくとも１つ以上は２以上の整数である。）
【請求項７】
下記一般式（７）で表わされる芳香族アミン誘導体。
【化７】
（一般式（７）中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表わす。ただし、Ｒ3及びＲ4が共に水素原子となる場合は無い。
Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子を表わす。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしく不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（７）において、Ａ1〜Ａ4の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はなく、ａ〜ｄが２以上で、Ａ1〜Ａ4が互いに連結して飽和環を形成する場合の炭素数の総和は１２以下である。）
【請求項８】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記陽極と前記発光層との間に請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を主成分として含有する有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を０．１〜２０質量％含有する有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−３０６７４５（Ｐ２００６−３０６７４５Ａ）
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１２８６５３（Ｐ２００５−１２８６５３）
【出願日】平成１７年４月２６日（２００５．４．２６）
【出願人】（０００１８３６４６）出光興産株式会社 (2,069)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月２６日（２００５．４．２６）
【出願人】（０００１８３６４６）出光興産株式会社 (2,069)
【Ｆターム（参考）】
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