薄膜太陽電池
【課題】ＳＣＡＦ型太陽電池の貫通孔に入射した光を有効に発電に使用する構成を提供する。
【解決手段】基板の受光面側に第一電極層、光電変換層、透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、各単位太陽電池において第二電極層と背面電極層とが絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されると共に、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが基板を貫通する接続孔を通じて電気的に連結されることで複数の単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池で、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され集電孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であり、背面電極側の封止材中に、集電孔から入射した光を反射する反射シートが挿入される。
【解決手段】基板の受光面側に第一電極層、光電変換層、透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、各単位太陽電池において第二電極層と背面電極層とが絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されると共に、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが基板を貫通する接続孔を通じて電気的に連結されることで複数の単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池で、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され集電孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であり、背面電極側の封止材中に、集電孔から入射した光を反射する反射シートが挿入される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルム基板上に形成された薄膜太陽電池に関し、受光面側および非受光面側が封止材で封止された薄膜太陽電池であり、薄膜太陽電池に形成された貫通孔からの入射光を反射することができる反射シートを、非受光面側の封止材の非受光面側に少なくとも１層有する薄膜太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、クリーンなエネルギーの研究開発が進められている。中でも、太陽光発電は、その資源が、無限のエネルギーであることと、無公害であることから注目を集めている。
同一基板上に形成された複数の太陽電池素子が、直列接続されてなる太陽電池として、薄膜太陽電池がある。
薄膜太陽電池は、薄型で軽量かつ大面積製造が容易であり、フレキシブル性基板を用いることで、薄型で軽量にすることができる。
【０００３】
従来の薄膜太陽電池は、ガラス基板を用いているものが一般的であった。しかし、軽量化、施工性、量産性においてプラスチックフィルムを用いたフレキシブルタイプの太陽電池の研究開発が進められ実用化されている。さらに、フレキシブルな金属材料に絶縁被覆したフィルム基板を用いたものも開発されている。このフレキシブル性を生かし、ロール・ツー・ロール方式やステッピングロール方式の製膜方法により大量生産が可能になった。
【０００４】
薄膜太陽電池は、電気絶縁性フィルム基板上に、第１電極（以下、裏面電極ともいう）と、薄膜半導体層からなる光電変換層および第2電極（以下、透明電極ともいう）が積層されてなる光電変換素子（セルともいう）が形成されている。そして、この光電変換素子は、基板上で複数に分割され（これをユニットセルという）、それぞれを直列に接続し、最初の光電変換素子の第1電極と最後の光電変換素子の第2電極とに必要な電圧を出力させることができる。あるいは、光電変換素子を、直列と並列とを組み合わせたり、並列に接続することもできる。
【０００５】
この、ユニットセルの直列接続構造を採る場合、電極層と光電変換層の製膜と各層のパターニングおよびそれらの組み合わせ手順により形成され、構成および製膜方法の一例として、ＳＣＡＦ（Ｓｅｒｉｅｓ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ｔｈｒｏｕｇｈ Ａｐｅｒｔｕｒｅｓ ｆｏｒｍｅｄ ｏｎ Ｆｉｌｍ）型の薄膜太陽電池が提案されており、例えば特許文献１ならびに特許文献２に記載されている。
【０００６】
ＳＣＡＦ型の薄膜太陽電池では、絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続されている。
【０００７】
図８は、前記ＳＣＡＦ構造を有する薄膜太陽電池を、接着性樹脂封止材により封止してなる従来の薄膜太陽電池２１の平面図であり、図９は、図８のＡ−Ａ断面図であり、図１０は図８のＢ−Ｂ断面図である。また図９（ａ）のＫ部拡大図を図９（ｂ）に示し、図１０（ａ）のＬ部拡大図を図１０（ｂ）に示す。図８〜図１０においては、２７は第１の貫通孔である集電孔、２５は透明電極層、２４は光電変換層、２３（２３ａ）は第１電極層（裏面電極）、２２は基板、２３（２３ｂ）と２６は背面電極層である。４１は接着性樹脂封止材（例えばＥＶＡ：エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）であり、表面保護フィルム４３（例えばＥＴＦＥ：テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体）により挟まれている。図９（ａ）及び図１０（ａ）においては、封止工程が完了し、受光面側の接着性樹脂封止材４１と非受光面側の接着性樹脂封止材４１とが接着した状態の太陽電池モジュール断面を示す。図９（ａ）では、熱を加え、接着性樹脂封止樹脂４１の粘度を低下させ、圧力を加えることで、第１の貫通孔である集電孔２７の内部に樹脂が入り込み、受光面側の接着性樹脂封止材と非受光面側の接着性樹脂封止材とは、その境界付近で互いに混ざり合う。また図１０は、第２の貫通孔である接続孔２８部分を示す断面図である。
【０００８】
図１１には、別のＳＣＡＦ薄膜太陽電池の平面図を示す。図１１で、接続孔２８ａの周囲には、透明電極除去部１２を設けている。図１２は、図１１のＥ−Ｅ断面図で、図１３は図１１のＧ−Ｇ断面図である。そして、図１２（ａ）のＭ部拡大図を図１２（ｂ）に示し、図１３（ａ）のＮ部拡大図を図１３（ｂ）に示す。
図１１および図１２のように、この例では透明電極２５が基板２２の全面に積層されている。また図１３に示すように接続孔２８ａの周囲には、透明電極２５が形成されない透明電極除去部１２を設けている。
【０００９】
図８及び図１１に示すように、薄膜太陽電池２１、１１は、絶縁性基板２２を備えている。この絶縁性基板２２は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミドやポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート等の材料から形成されている。絶縁性基板の厚さは50μｍ程度である。
【００１０】
図９に示すように、絶縁性基板２２の両面には、Ａｇ等からなる金属電極層２３が形成されている。ここで、絶縁性基板２２の一方の面（受光面）上の金属電極層２３は、裏面電極層２３ａとして機能し、絶縁性基板２２の他方の面（非受光面）上の金属電極層２３は、第１の背面電極層２３ｂとして機能する。
【００１１】
また、図９に示すように、絶縁性基板２２の一方の面上にある裏面電極層２３ａ上には、光電変換層２４と透明電極層２５とが当該順で積層されている。
一方、絶縁性基板２２の他方の面上にある第１の背面電極層２３ｂには、第２の背面電極層２６が積層されている。
【００１２】
図８に示すように、絶縁性基板２２の一方の面上に積層された層（裏面電極層２３ａ、光電変換層２４、透明電極層２５）は、レーザ加工による第１のパターニングライン２９により複数に分割されている。
また、図８及び図１０に示すように、絶縁性基板２２の他方の面上に積層された層（第１の背面電極層２３ｂ、第２の背面電極層２６）は、レーザ加工による、第２のパターニングライン３０により複数に分割されている。
【００１３】
図８及び図９に示すように、絶縁性基板２２には、絶縁性基板２２を貫通する第１の貫通孔２７（集電孔）が設けられている。この集電孔は、パンチングなどの手段により穿孔された直径１．５ｍｍ程度の孔である。透明電極層２５と第２の背面電極層２６とは、第１の貫通孔２７の側壁部上で互いに重なり合うような形で接続している。これにより、絶縁性基板２２の一方面２２ａ上の各層と他方の面２２ｂ上の各層とからなるユニットセル（単位太陽電池）が形成されている。
【００１４】
また、図１０に示すように、絶縁性基板２２には、絶縁性基板２２を貫通する第２の貫通孔２８（接続孔）が設けられている。裏面電極層２３ａと第１の背面電極層２３ｂとは、第２の貫通孔２８の側壁部を介して電気的に接続されている。すなわち、隣接し合うユニットセルが第２の貫通孔２８により電気的に接続されている。詳細には、第１及び第２の貫通孔２７，２８は、第１及び第２の背面電極層２３ｂ，２６→第１の貫通孔２７→透明電極層２５→光電変換層２４→裏面電極層２３ａ→第２の貫通孔２８→第１の背面電極層２３ｂの順に接続するために利用されている。
以上のように、隣接し合うユニットセルを電気的に直列接続することにより、薄膜太陽電池２１が構成されている。
【００１５】
次に、絶縁性基板２２の全面に透明電極層２５を積層した構成のＳＣＡＦ太陽電池の場合を述べる。この場合には、図１１に示すように、発電領域中に接続孔２８ａが存在しており、この接続孔を透過した光が発電ロスになる。
【００１６】
発電面積のロスは、例えば、特許文献３に示されているようなモノリシック構造の太陽電池の場合が、レーザースクライブライン部分のみであるのに対し、ＳＣＡＦ構造では、発電領域内に存在する第１の貫通孔（集電孔）部分へ入射している光が、発電に寄与することなく、その分、面積ロスが発生するという問題を有している。図８の場合、第２の貫通孔である接続孔は、その数も少なく、また薄膜太陽電池の発電領域の外に有る場合には、発電面積ロスに対する問題にはならない。しかし、第１の貫通孔（集電孔）は、その数が多数で、かつ発電領域に存在しているので、発電出力の減少に影響することになる。
【００１７】
また図１１に示した透明電極が薄膜太陽電池の受光側表面全体に積層した場合は、接続孔が発電領域中にあるので、接続孔２８ａを通過する光も、発電ロスの原因になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平６−３４２９２４号公報
【特許文献２】特開２０００−２２３７２７号公報
【特許文献３】特開平１１−１０３０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、集電孔、接続孔が多数存在するＳＣＡＦ構造の薄膜太陽電池において、集電孔、接続孔を通過した、発電に寄与しない光を、反射させることによって、薄膜太陽電池の出力を増加させる薄膜太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、
絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、
薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され集電孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、
前記背面電極側の封止材中に、集電孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることとする。
また本発明は、
絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、
薄膜太陽電池の受光面側は、その全面が透明な第二電極層によって覆われており、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され接続孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、
前記背面電極側の封止材中に、接続孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることとする。
【００２１】
また、本発明の薄膜太陽電池によれば、薄膜太陽電池として、アモルファス半導体或いは微結晶を含むアモルファス半導体の太陽電池、ＣＩＧＳ太陽電池、色素増感形太陽電池、有機太陽電池のなかのいずれかを使用することができる。
【００２２】
封止材中に挿入される反射シートは金属シート（Ａｌ箔、ＳＵＳ箔、Ａｕ箔、Ｃｕ箔）又は、封止材上にＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｗなどの金属膜が製膜されたシートでも良い。反射率は高ければ高いほど良い。この中でも、Ａｇ，Ａｌが特に反射率が高く好ましい。この場合、全反射率は９５％以上になる。また封止材と接着が可能なフィルムにＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｗなどを蒸着法やスパッタ法により製膜したフィルムでも良い。さらには、受光面側と非受光面側との両面側から封止材により封止された薄膜太陽電池を、高反射シート上に貼り付ける構成でも良い。
【００２３】
また、受光面側の透明電極上に反射防止膜が付与されていることが好ましい。
【００２４】
本発明の薄膜太陽電池によれば、前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されている場合にも適用できる。
【００２５】
また、本発明の薄膜太陽電池では、前記フィルム材料として、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレートのような耐熱性フィルムを使用することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る薄膜太陽電池によれば、上記の構成を採用することにより、集電孔である第１の貫通孔を通過して、または接続孔である第２の貫通孔を通過して、発電に寄与しない光を、反射シートによって集電孔または接続孔の内部に乱反射させることによって、薄膜太陽電池の出力を増加させることができる。
【００２７】
すなわち、反射シートで反射された光は、封止材（光透過率は約９０％以上である）を通して、第１、第２の貫通孔内に乱反射され、第１、第２の貫通孔を通過あるいは第１、第２の貫通孔内側壁の背面電極に当たって乱反射されて受光面側に戻り、透明電極（例えばＩＴＯ：酸化インジウムスズ）と封止材との界面などで再度乱反射され、ｐｉｎ構造の光電変換層に入射する。つまり、第１の貫通孔に入射して発電に寄与しなかった光も、反射シートにより反射されて光電変換層に再度入射することによって、光電変換層における発電量が上昇することになる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例を示す平面図である。
【図２】本発明の実施例を示す断面図で、（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、（ｂ） は（ａ）のＣ部拡大図である。
【図３】本発明の実施例を示す断面図で、（ａ）は図１のＢ−Ｂ断面図、（ｂ） は（ａ）のＤ部拡大図である。
【図４】本発明の要部の部分拡大図である。
【図５】本発明の別の実施例を示す平面図である。
【図６】本発明の別の実施例を示す断面図で、（ａ）は図５のＥ−Ｅ断面図、 （ｂ）は（ａ）のＨ部拡大図である。
【図７】本発明の別の実施例を示す断面図で、（ａ）は図５のＧ−Ｇ断面図、 （ｂ）は（ａ）のＪ部拡大図である。
【図８】従来のＳＣＡＦ太陽電池の平面図である。
【図９】（ａ）は、図８のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は（ａ）のＫ部拡大図である。
【図１０】（ａ）は、図８のＢ−Ｂ断面図、（ｂ）は（ａ）のＬ部拡大図である。
【図１１】別のＳＣＡＦ太陽電池の平面図である。
【図１２】（ａ）は図１１のＥ−Ｅ断面図、（ｂ）は（ａ）のＭ部拡大図である。
【図１３】（ａ）は図１１のＧ−Ｇ断面図、（ｂ）は（ａ）のＮ部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
［実施例］
以下で、本発明の実施例に係る薄膜太陽電池を、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の実施例を示すＳＣＡＦ太陽電池の平面図である。図２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ断面図で、図２（ｂ）は図１（ａ）のＣ部を拡大した図である。また図３（ａ）は図１のＢ−Ｂ断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＤ部を拡大した図である。
【００３０】
図１、図２、図３、に示すように、本実施例に係る薄膜太陽電池２１は、絶縁性基板２２を備えている。この絶縁性基板２２は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミドやポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート等の材料から形成されている。絶縁性基板の厚さは50μｍ程度である。
【００３１】
図２に示すように、絶縁性基板２１の両面２２ａ，２２ｂには、Ａｇからなる金属電極層２３が形成されている。ここで、絶縁性基板２２の一方の面上の金属電極層２３は、裏面電極層２３ａとして機能し、絶縁性基板２２の他方の面上の金属電極層２３は、第１の背面電極層２３ｂとして機能する。
【００３２】
また、図２に示すように、絶縁性基板２２の一方の面（受光面側）上にある裏面電極層２３ａ上には、光電変換層２４と透明電極層２５とが当該順で積層されている。ここで、光電変換層４としては、アモルファス半導体やアモルファス化合物半導体を用いた太陽電池、ＣＩＧＳ太陽電池、色素増感形太陽電池、又は有機太陽電池を用いることができる。一方、絶縁性基板２の他方の面（非受光免側）上にある第１の背面電極層２３ｂには、第２の背面電極層２６が積層されている。
【００３３】
そして、図２、図３には、本発明の反射シート４２を設けている。
本実施例の特徴として、図２に示すように、絶縁性基板２２上に形成された、ＳＣＡＦ構造を有する薄膜太陽電池は、受光面側および非受光面側の両面に、接着性を有する封止材４１を有し、この封止材４１により薄膜太陽電池が挟まれている。そして非受光面側の封止材を貼り合わせたあとに、反射シートとしてアルミシート４２を貼り合わせ、さらにそのアルミシート４２の非受光面側に封止材４１を配置している。アルミシート４２の厚さは20μｍ程度、アルミシート４２の反射率は95％程度である。ここで、絶縁性基板２２の非受光面側とアルミシート４２との間に存在する封止材４１の厚さは１００μｍ程度である。これは、あまりにこの封止材４１の厚さが薄いと、アルミシート４２と第２の背面電極層２６とが短絡してしまう可能性があるからである。
【００３４】
挿入する高反射率を有する反射シート４２は例えば、SUS箔やAgなどが蒸着されたPET（ポリエチレンテレフタレート）フィルムでも良い。反射シート４２の厚さとしては、通常１μｍ以上である。数百ｎｍ以下であると、光が反射シート４２を透過してしまい、反射シート３２の面で、乱反射が生じなくなる可能性が有る。
なお、光電変換層３４上に形成された透明電極上にＳｉＮなどの反射防止膜３５を形成した。
【００３５】
図４は、図２（ｂ）の要部拡大図である。受光面側から入射した光は、矢印で示すように、反射シート４２で反射され、背面電極２６側壁で反射を繰り返し、封止材４１と透明電極２５との界面（または表面保護材４３と封止材４１との界面など）で反射して光電変換層２４に再度入射する。
すなわち、反射シート４２で反射された光は、封止材４１を通して、第１の貫通孔内に乱反射され、第１の貫通孔内側壁の背面電極に当たって乱反射され、受光面側に戻り、ＩＴＯと封止材との界面などで再度乱反射され、光電変換層に入射する。このように、集電孔である第１の貫通孔２７を通過してきた光がアルミシート４２により反射して発電面側に反射して乱反射することで、これまで第１の貫通孔２７を通過して発電に寄与しなかった光が効率よく発電に寄与することができるようになる。本実施例によれば、従来の薄膜太陽電池に比べて、約１％、薄膜太陽電池としての発電効率が向上する。これは、従来の薄膜太陽電池での発電効率を約１０％とした場合、その１割、発電効率が向上することになるので、大きな効率アップである。
【００３６】
また、図４において、アルミシート（反射シート）４２の下側（非受光面側）に封止材４１を設けずに、反射シートが非受光面側である裏面の表面保護フィルムとした構成にしても、上記の構成と同じく、効率よく反射光を発電に寄与させることができる。
【００３７】
図５は、本発明の別の実施例を示す平面図であり、図６は図５におけるＥ−Ｅ断面図である。貫通孔２７の下方には、反射シート４２が存在している。また、図７は図５におけるＧ−Ｇ断面図である。接続孔２８の下方には、反射シート４２が存在している。
この反射シート４２により、接続孔２８を透過してきた光は、図４に矢印で示したのと同様にして、乱反射を繰り返して光電変換層２４に入射して、発電効率のロスを取り戻す。
本例では、接続孔２８に入射した光の利用により、発電電力が増加するので、先に述べた貫通孔２７における１％の発電電力と合わせて、その効果は大きい。
【符号の説明】
【００３８】
１１、２１、１１ａ、２１ａ 薄膜太陽電池
２２ 絶縁性基板
２３ 金属電極層
２３ａ 裏面電極層
２３ｂ 第１の背面電極層
２４ 光電変換層
２５ 透明電極層
２６ 第２の背面電極層
２７ 第１の貫通孔（集電光）
２８、２８ａ 第２の貫通孔（接続孔）
２９ 第１のパターニングライン
３０ 第２のパターニングライン
４１ 封止材
４２ 反射シート
４３ 表面保護材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルム基板上に形成された薄膜太陽電池に関し、受光面側および非受光面側が封止材で封止された薄膜太陽電池であり、薄膜太陽電池に形成された貫通孔からの入射光を反射することができる反射シートを、非受光面側の封止材の非受光面側に少なくとも１層有する薄膜太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、クリーンなエネルギーの研究開発が進められている。中でも、太陽光発電は、その資源が、無限のエネルギーであることと、無公害であることから注目を集めている。
同一基板上に形成された複数の太陽電池素子が、直列接続されてなる太陽電池として、薄膜太陽電池がある。
薄膜太陽電池は、薄型で軽量かつ大面積製造が容易であり、フレキシブル性基板を用いることで、薄型で軽量にすることができる。
【０００３】
従来の薄膜太陽電池は、ガラス基板を用いているものが一般的であった。しかし、軽量化、施工性、量産性においてプラスチックフィルムを用いたフレキシブルタイプの太陽電池の研究開発が進められ実用化されている。さらに、フレキシブルな金属材料に絶縁被覆したフィルム基板を用いたものも開発されている。このフレキシブル性を生かし、ロール・ツー・ロール方式やステッピングロール方式の製膜方法により大量生産が可能になった。
【０００４】
薄膜太陽電池は、電気絶縁性フィルム基板上に、第１電極（以下、裏面電極ともいう）と、薄膜半導体層からなる光電変換層および第2電極（以下、透明電極ともいう）が積層されてなる光電変換素子（セルともいう）が形成されている。そして、この光電変換素子は、基板上で複数に分割され（これをユニットセルという）、それぞれを直列に接続し、最初の光電変換素子の第1電極と最後の光電変換素子の第2電極とに必要な電圧を出力させることができる。あるいは、光電変換素子を、直列と並列とを組み合わせたり、並列に接続することもできる。
【０００５】
この、ユニットセルの直列接続構造を採る場合、電極層と光電変換層の製膜と各層のパターニングおよびそれらの組み合わせ手順により形成され、構成および製膜方法の一例として、ＳＣＡＦ（Ｓｅｒｉｅｓ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ｔｈｒｏｕｇｈ Ａｐｅｒｔｕｒｅｓ ｆｏｒｍｅｄ ｏｎ Ｆｉｌｍ）型の薄膜太陽電池が提案されており、例えば特許文献１ならびに特許文献２に記載されている。
【０００６】
ＳＣＡＦ型の薄膜太陽電池では、絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続されている。
【０００７】
図８は、前記ＳＣＡＦ構造を有する薄膜太陽電池を、接着性樹脂封止材により封止してなる従来の薄膜太陽電池２１の平面図であり、図９は、図８のＡ−Ａ断面図であり、図１０は図８のＢ−Ｂ断面図である。また図９（ａ）のＫ部拡大図を図９（ｂ）に示し、図１０（ａ）のＬ部拡大図を図１０（ｂ）に示す。図８〜図１０においては、２７は第１の貫通孔である集電孔、２５は透明電極層、２４は光電変換層、２３（２３ａ）は第１電極層（裏面電極）、２２は基板、２３（２３ｂ）と２６は背面電極層である。４１は接着性樹脂封止材（例えばＥＶＡ：エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）であり、表面保護フィルム４３（例えばＥＴＦＥ：テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体）により挟まれている。図９（ａ）及び図１０（ａ）においては、封止工程が完了し、受光面側の接着性樹脂封止材４１と非受光面側の接着性樹脂封止材４１とが接着した状態の太陽電池モジュール断面を示す。図９（ａ）では、熱を加え、接着性樹脂封止樹脂４１の粘度を低下させ、圧力を加えることで、第１の貫通孔である集電孔２７の内部に樹脂が入り込み、受光面側の接着性樹脂封止材と非受光面側の接着性樹脂封止材とは、その境界付近で互いに混ざり合う。また図１０は、第２の貫通孔である接続孔２８部分を示す断面図である。
【０００８】
図１１には、別のＳＣＡＦ薄膜太陽電池の平面図を示す。図１１で、接続孔２８ａの周囲には、透明電極除去部１２を設けている。図１２は、図１１のＥ−Ｅ断面図で、図１３は図１１のＧ−Ｇ断面図である。そして、図１２（ａ）のＭ部拡大図を図１２（ｂ）に示し、図１３（ａ）のＮ部拡大図を図１３（ｂ）に示す。
図１１および図１２のように、この例では透明電極２５が基板２２の全面に積層されている。また図１３に示すように接続孔２８ａの周囲には、透明電極２５が形成されない透明電極除去部１２を設けている。
【０００９】
図８及び図１１に示すように、薄膜太陽電池２１、１１は、絶縁性基板２２を備えている。この絶縁性基板２２は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミドやポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート等の材料から形成されている。絶縁性基板の厚さは50μｍ程度である。
【００１０】
図９に示すように、絶縁性基板２２の両面には、Ａｇ等からなる金属電極層２３が形成されている。ここで、絶縁性基板２２の一方の面（受光面）上の金属電極層２３は、裏面電極層２３ａとして機能し、絶縁性基板２２の他方の面（非受光面）上の金属電極層２３は、第１の背面電極層２３ｂとして機能する。
【００１１】
また、図９に示すように、絶縁性基板２２の一方の面上にある裏面電極層２３ａ上には、光電変換層２４と透明電極層２５とが当該順で積層されている。
一方、絶縁性基板２２の他方の面上にある第１の背面電極層２３ｂには、第２の背面電極層２６が積層されている。
【００１２】
図８に示すように、絶縁性基板２２の一方の面上に積層された層（裏面電極層２３ａ、光電変換層２４、透明電極層２５）は、レーザ加工による第１のパターニングライン２９により複数に分割されている。
また、図８及び図１０に示すように、絶縁性基板２２の他方の面上に積層された層（第１の背面電極層２３ｂ、第２の背面電極層２６）は、レーザ加工による、第２のパターニングライン３０により複数に分割されている。
【００１３】
図８及び図９に示すように、絶縁性基板２２には、絶縁性基板２２を貫通する第１の貫通孔２７（集電孔）が設けられている。この集電孔は、パンチングなどの手段により穿孔された直径１．５ｍｍ程度の孔である。透明電極層２５と第２の背面電極層２６とは、第１の貫通孔２７の側壁部上で互いに重なり合うような形で接続している。これにより、絶縁性基板２２の一方面２２ａ上の各層と他方の面２２ｂ上の各層とからなるユニットセル（単位太陽電池）が形成されている。
【００１４】
また、図１０に示すように、絶縁性基板２２には、絶縁性基板２２を貫通する第２の貫通孔２８（接続孔）が設けられている。裏面電極層２３ａと第１の背面電極層２３ｂとは、第２の貫通孔２８の側壁部を介して電気的に接続されている。すなわち、隣接し合うユニットセルが第２の貫通孔２８により電気的に接続されている。詳細には、第１及び第２の貫通孔２７，２８は、第１及び第２の背面電極層２３ｂ，２６→第１の貫通孔２７→透明電極層２５→光電変換層２４→裏面電極層２３ａ→第２の貫通孔２８→第１の背面電極層２３ｂの順に接続するために利用されている。
以上のように、隣接し合うユニットセルを電気的に直列接続することにより、薄膜太陽電池２１が構成されている。
【００１５】
次に、絶縁性基板２２の全面に透明電極層２５を積層した構成のＳＣＡＦ太陽電池の場合を述べる。この場合には、図１１に示すように、発電領域中に接続孔２８ａが存在しており、この接続孔を透過した光が発電ロスになる。
【００１６】
発電面積のロスは、例えば、特許文献３に示されているようなモノリシック構造の太陽電池の場合が、レーザースクライブライン部分のみであるのに対し、ＳＣＡＦ構造では、発電領域内に存在する第１の貫通孔（集電孔）部分へ入射している光が、発電に寄与することなく、その分、面積ロスが発生するという問題を有している。図８の場合、第２の貫通孔である接続孔は、その数も少なく、また薄膜太陽電池の発電領域の外に有る場合には、発電面積ロスに対する問題にはならない。しかし、第１の貫通孔（集電孔）は、その数が多数で、かつ発電領域に存在しているので、発電出力の減少に影響することになる。
【００１７】
また図１１に示した透明電極が薄膜太陽電池の受光側表面全体に積層した場合は、接続孔が発電領域中にあるので、接続孔２８ａを通過する光も、発電ロスの原因になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平６−３４２９２４号公報
【特許文献２】特開２０００−２２３７２７号公報
【特許文献３】特開平１１−１０３０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、集電孔、接続孔が多数存在するＳＣＡＦ構造の薄膜太陽電池において、集電孔、接続孔を通過した、発電に寄与しない光を、反射させることによって、薄膜太陽電池の出力を増加させる薄膜太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、
絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、
薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され集電孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、
前記背面電極側の封止材中に、集電孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることとする。
また本発明は、
絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、
薄膜太陽電池の受光面側は、その全面が透明な第二電極層によって覆われており、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され接続孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、
前記背面電極側の封止材中に、接続孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることとする。
【００２１】
また、本発明の薄膜太陽電池によれば、薄膜太陽電池として、アモルファス半導体或いは微結晶を含むアモルファス半導体の太陽電池、ＣＩＧＳ太陽電池、色素増感形太陽電池、有機太陽電池のなかのいずれかを使用することができる。
【００２２】
封止材中に挿入される反射シートは金属シート（Ａｌ箔、ＳＵＳ箔、Ａｕ箔、Ｃｕ箔）又は、封止材上にＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｗなどの金属膜が製膜されたシートでも良い。反射率は高ければ高いほど良い。この中でも、Ａｇ，Ａｌが特に反射率が高く好ましい。この場合、全反射率は９５％以上になる。また封止材と接着が可能なフィルムにＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｗなどを蒸着法やスパッタ法により製膜したフィルムでも良い。さらには、受光面側と非受光面側との両面側から封止材により封止された薄膜太陽電池を、高反射シート上に貼り付ける構成でも良い。
【００２３】
また、受光面側の透明電極上に反射防止膜が付与されていることが好ましい。
【００２４】
本発明の薄膜太陽電池によれば、前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されている場合にも適用できる。
【００２５】
また、本発明の薄膜太陽電池では、前記フィルム材料として、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレートのような耐熱性フィルムを使用することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る薄膜太陽電池によれば、上記の構成を採用することにより、集電孔である第１の貫通孔を通過して、または接続孔である第２の貫通孔を通過して、発電に寄与しない光を、反射シートによって集電孔または接続孔の内部に乱反射させることによって、薄膜太陽電池の出力を増加させることができる。
【００２７】
すなわち、反射シートで反射された光は、封止材（光透過率は約９０％以上である）を通して、第１、第２の貫通孔内に乱反射され、第１、第２の貫通孔を通過あるいは第１、第２の貫通孔内側壁の背面電極に当たって乱反射されて受光面側に戻り、透明電極（例えばＩＴＯ：酸化インジウムスズ）と封止材との界面などで再度乱反射され、ｐｉｎ構造の光電変換層に入射する。つまり、第１の貫通孔に入射して発電に寄与しなかった光も、反射シートにより反射されて光電変換層に再度入射することによって、光電変換層における発電量が上昇することになる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例を示す平面図である。
【図２】本発明の実施例を示す断面図で、（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、（ｂ） は（ａ）のＣ部拡大図である。
【図３】本発明の実施例を示す断面図で、（ａ）は図１のＢ−Ｂ断面図、（ｂ） は（ａ）のＤ部拡大図である。
【図４】本発明の要部の部分拡大図である。
【図５】本発明の別の実施例を示す平面図である。
【図６】本発明の別の実施例を示す断面図で、（ａ）は図５のＥ−Ｅ断面図、 （ｂ）は（ａ）のＨ部拡大図である。
【図７】本発明の別の実施例を示す断面図で、（ａ）は図５のＧ−Ｇ断面図、 （ｂ）は（ａ）のＪ部拡大図である。
【図８】従来のＳＣＡＦ太陽電池の平面図である。
【図９】（ａ）は、図８のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は（ａ）のＫ部拡大図である。
【図１０】（ａ）は、図８のＢ−Ｂ断面図、（ｂ）は（ａ）のＬ部拡大図である。
【図１１】別のＳＣＡＦ太陽電池の平面図である。
【図１２】（ａ）は図１１のＥ−Ｅ断面図、（ｂ）は（ａ）のＭ部拡大図である。
【図１３】（ａ）は図１１のＧ−Ｇ断面図、（ｂ）は（ａ）のＮ部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
［実施例］
以下で、本発明の実施例に係る薄膜太陽電池を、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の実施例を示すＳＣＡＦ太陽電池の平面図である。図２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ断面図で、図２（ｂ）は図１（ａ）のＣ部を拡大した図である。また図３（ａ）は図１のＢ−Ｂ断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＤ部を拡大した図である。
【００３０】
図１、図２、図３、に示すように、本実施例に係る薄膜太陽電池２１は、絶縁性基板２２を備えている。この絶縁性基板２２は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミドやポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート等の材料から形成されている。絶縁性基板の厚さは50μｍ程度である。
【００３１】
図２に示すように、絶縁性基板２１の両面２２ａ，２２ｂには、Ａｇからなる金属電極層２３が形成されている。ここで、絶縁性基板２２の一方の面上の金属電極層２３は、裏面電極層２３ａとして機能し、絶縁性基板２２の他方の面上の金属電極層２３は、第１の背面電極層２３ｂとして機能する。
【００３２】
また、図２に示すように、絶縁性基板２２の一方の面（受光面側）上にある裏面電極層２３ａ上には、光電変換層２４と透明電極層２５とが当該順で積層されている。ここで、光電変換層４としては、アモルファス半導体やアモルファス化合物半導体を用いた太陽電池、ＣＩＧＳ太陽電池、色素増感形太陽電池、又は有機太陽電池を用いることができる。一方、絶縁性基板２の他方の面（非受光免側）上にある第１の背面電極層２３ｂには、第２の背面電極層２６が積層されている。
【００３３】
そして、図２、図３には、本発明の反射シート４２を設けている。
本実施例の特徴として、図２に示すように、絶縁性基板２２上に形成された、ＳＣＡＦ構造を有する薄膜太陽電池は、受光面側および非受光面側の両面に、接着性を有する封止材４１を有し、この封止材４１により薄膜太陽電池が挟まれている。そして非受光面側の封止材を貼り合わせたあとに、反射シートとしてアルミシート４２を貼り合わせ、さらにそのアルミシート４２の非受光面側に封止材４１を配置している。アルミシート４２の厚さは20μｍ程度、アルミシート４２の反射率は95％程度である。ここで、絶縁性基板２２の非受光面側とアルミシート４２との間に存在する封止材４１の厚さは１００μｍ程度である。これは、あまりにこの封止材４１の厚さが薄いと、アルミシート４２と第２の背面電極層２６とが短絡してしまう可能性があるからである。
【００３４】
挿入する高反射率を有する反射シート４２は例えば、SUS箔やAgなどが蒸着されたPET（ポリエチレンテレフタレート）フィルムでも良い。反射シート４２の厚さとしては、通常１μｍ以上である。数百ｎｍ以下であると、光が反射シート４２を透過してしまい、反射シート３２の面で、乱反射が生じなくなる可能性が有る。
なお、光電変換層３４上に形成された透明電極上にＳｉＮなどの反射防止膜３５を形成した。
【００３５】
図４は、図２（ｂ）の要部拡大図である。受光面側から入射した光は、矢印で示すように、反射シート４２で反射され、背面電極２６側壁で反射を繰り返し、封止材４１と透明電極２５との界面（または表面保護材４３と封止材４１との界面など）で反射して光電変換層２４に再度入射する。
すなわち、反射シート４２で反射された光は、封止材４１を通して、第１の貫通孔内に乱反射され、第１の貫通孔内側壁の背面電極に当たって乱反射され、受光面側に戻り、ＩＴＯと封止材との界面などで再度乱反射され、光電変換層に入射する。このように、集電孔である第１の貫通孔２７を通過してきた光がアルミシート４２により反射して発電面側に反射して乱反射することで、これまで第１の貫通孔２７を通過して発電に寄与しなかった光が効率よく発電に寄与することができるようになる。本実施例によれば、従来の薄膜太陽電池に比べて、約１％、薄膜太陽電池としての発電効率が向上する。これは、従来の薄膜太陽電池での発電効率を約１０％とした場合、その１割、発電効率が向上することになるので、大きな効率アップである。
【００３６】
また、図４において、アルミシート（反射シート）４２の下側（非受光面側）に封止材４１を設けずに、反射シートが非受光面側である裏面の表面保護フィルムとした構成にしても、上記の構成と同じく、効率よく反射光を発電に寄与させることができる。
【００３７】
図５は、本発明の別の実施例を示す平面図であり、図６は図５におけるＥ−Ｅ断面図である。貫通孔２７の下方には、反射シート４２が存在している。また、図７は図５におけるＧ−Ｇ断面図である。接続孔２８の下方には、反射シート４２が存在している。
この反射シート４２により、接続孔２８を透過してきた光は、図４に矢印で示したのと同様にして、乱反射を繰り返して光電変換層２４に入射して、発電効率のロスを取り戻す。
本例では、接続孔２８に入射した光の利用により、発電電力が増加するので、先に述べた貫通孔２７における１％の発電電力と合わせて、その効果は大きい。
【符号の説明】
【００３８】
１１、２１、１１ａ、２１ａ 薄膜太陽電池
２２ 絶縁性基板
２３ 金属電極層
２３ａ 裏面電極層
２３ｂ 第１の背面電極層
２４ 光電変換層
２５ 透明電極層
２６ 第２の背面電極層
２７ 第１の貫通孔（集電光）
２８、２８ａ 第２の貫通孔（接続孔）
２９ 第１のパターニングライン
３０ 第２のパターニングライン
４１ 封止材
４２ 反射シート
４３ 表面保護材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、
薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され集電孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、
前記背面電極側の封止材中に、集電孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。
【請求項２】
絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、
薄膜太陽電池の受光面側は、その全面が透明な第二電極層によって覆われており、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され接続孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、
前記背面電極側の封止材中に、接続孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。
【請求項３】
前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜太陽電池。
【請求項４】
前記フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、の耐熱性フィルムであることを特徴とする請求項３に記載の薄膜太陽電池。
【請求項５】
前記封止材中に挿入される反射シートは金属層又は、封止材上に金属膜が製膜された金属シートであることを特徴とする請求項1または請求項２に記載の薄膜太陽電池。
【請求項１】
絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、
薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され集電孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、
前記背面電極側の封止材中に、集電孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。
【請求項２】
絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、
各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、
薄膜太陽電池の受光面側は、その全面が透明な第二電極層によって覆われており、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され接続孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、
前記背面電極側の封止材中に、接続孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。
【請求項３】
前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜太陽電池。
【請求項４】
前記フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、の耐熱性フィルムであることを特徴とする請求項３に記載の薄膜太陽電池。
【請求項５】
前記封止材中に挿入される反射シートは金属層又は、封止材上に金属膜が製膜された金属シートであることを特徴とする請求項1または請求項２に記載の薄膜太陽電池。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１３−１１０１５３（Ｐ２０１３−１１０１５３Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５１６１１（Ｐ２０１１−２５１６１１）
【出願日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【出願人】（０００００５２３４）富士電機株式会社 (3,146)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【出願人】（０００００５２３４）富士電機株式会社 (3,146)
【Ｆターム（参考）】
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