蛍光体の製造方法
【課題】本発明は、従来の高温長時間を要する焼成法、水熱法による課題を解決するものであり、発光素子として、簡便にして十分な輝度を得る蛍光体製造方法を提供する。
【解決手段】無機化合物半導体又はそれを含む混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることによる、励起発光性の蛍光体製造方法である。また内部にマイクロ波吸収体を形成した断熱性セラミックス加熱容器の底辺に、基板を配置し、この基板上に前記無機化合物半導体又はそれを含む混合物粉末試料を配置したり、また前記基板が、マイクロ波吸収体の耐熱セラミックスであったり、また前記基板上に配置する前記化合物半導体又はその粉末試料を、マイクロ波電力半減深度以内の厚さにほぼ均一に平たく配置したことを特徴とする蛍光体製造方法である。また前記無機化合物半導体が、硫黄を含む2元または３元系半導体であるか、または２−６族化合物半導体である蛍光体製造方法である。
【解決手段】無機化合物半導体又はそれを含む混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることによる、励起発光性の蛍光体製造方法である。また内部にマイクロ波吸収体を形成した断熱性セラミックス加熱容器の底辺に、基板を配置し、この基板上に前記無機化合物半導体又はそれを含む混合物粉末試料を配置したり、また前記基板が、マイクロ波吸収体の耐熱セラミックスであったり、また前記基板上に配置する前記化合物半導体又はその粉末試料を、マイクロ波電力半減深度以内の厚さにほぼ均一に平たく配置したことを特徴とする蛍光体製造方法である。また前記無機化合物半導体が、硫黄を含む2元または３元系半導体であるか、または２−６族化合物半導体である蛍光体製造方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硫化亜鉛、硫化ストロンチウムなどの母体に発光中心となる賦活剤を含む蛍光体の新規な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトルミネッセンス（ＰＬ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）に供する蛍光体の製造方法は、例えば特開昭６１−２９６０８５号に記載されているように、硫化亜鉛、銅化合物、ハロゲン化物の混合物を、１０００〜１２００℃で数時間1次焼成し、六方晶系の中間蛍光体粉末を形成し、これに常圧下で静水圧を加えた後、７００〜９５０℃で数時間熱処理するか、熱間プレスして立方晶系に全部または一部転移させ、高輝度の蛍光体粉末を得る方法が記載されている。このように、１０００℃以上数時間で1次焼成し、１０００℃以下数時間で2次焼成して、大変手間と時間を要して作製している。
【０００３】
また特開２００６−１９９７９４号では、硫化ストロンチウムを母剤とする各種賦活剤を含む系で、真空中、２０００℃以上、1時間で第1の焼成工程を行い、硫黄ガスを６％含む窒素雰囲気中、８００℃で第2の焼成を行い蛍光体を得る方法が記載されている。
【０００４】
また特開２００５−２６４１０８号では、上記の固相反応とはことなり、高温で水を溶媒とする水熱合成法によって調整される硫化亜鉛の合成層が記載されている。これは亜鉛イオン水溶液、硫黄イオン水溶液に銅などの賦活剤イオンの水溶液を助剤とともに適当量混合し、数時間から数十時間、２００〜４００℃でオスワルド熟成をする。
【０００５】
一方、マイクロ波による加熱は、ヒーターなどの外部加熱とことなり、物体の内部から加熱されるため、従来溶液系の化学反応を促進する方法や、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの無機材料の迅速合成方法として研究され、一部有効な方法として実用されてきた。
【特許文献１】特開昭６１−２９６０８５号公報
【特許文献２】特開２００５−２６４１０８号公報
【特許文献３】特開２００６−１９９７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来の高温長時間の焼成法や、高温の水を介して製造する水熱法の課題を解決するものであり、発光素子として、簡便にして十分な輝度を得る製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による解決手段は、無機化合物半導体又はそれを含む混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることによる、励起発光性の蛍光体製造方法である。
【０００８】
また内部にマイクロ波吸収体を形成した断熱性セラミックス加熱容器の底辺に、基板を配置し、この基板上に前記無機化合物半導体又はそれを含む混合物粉末試料を配置した蛍光体製造方法である。
【０００９】
また前記基板が、マイクロ波吸収体の耐熱セラミックスである蛍光体製造方法である。
【００１０】
また前記基板が炭化珪素からなる蛍光体製造方法である。
【００１１】
また前記基板上に配置する前記化合物半導体又はその粉末試料を、マイクロ波電力半減深度以内の厚さにほぼ均一に平たく配置したことを特徴とする蛍光体製造方法である。
【００１２】
また前記無機化合物半導体が、硫黄を含む2元または３元系半導体であるか、または２−６族化合物半導体である蛍光体製造方法である。
【００１３】
また前記無機化合物半導体粉末に、還元作用または触媒作用を行う物質を添加したことを特徴とする蛍光体製造方法である。
【００１４】
また前記無機化合物半導体粉末に、1種類以上の賦活剤を添加したことを特徴とする蛍光体製造方法である。
【００１５】
また前記無機化合物半導体粉末に、還元作用または触媒作用を行う物質と1種類以上の賦活剤を添加したことを特徴とする蛍光体製造方法である。
【００１６】
また前記還元作用を行う物質が、グラファイト、炭素、ガリウム、またはそれを含む炭化物、窒化物の化合物である蛍光体製造方法である。
【００１７】
また前記触媒物質が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ジルコニウム、またはそれを含む化合物である請求項６から１０の蛍光体製造方法である。
【００１８】
また前記賦活剤が、セリウム、ガリウム、マンガン、銅、アルミニウム、インジウム、ユーロピウム、フッソ、塩素、ヨウ素、単独またはその化合物である蛍光体製造方法である。
【００１９】
また減圧下で無機化合物半導体そして又はその混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることにより、励起発光する蛍光体の製造方法である。
【００２０】
またマイクロ波が２．４５ＧＨＺから２８ＧＨＺまでの周波数であることを特徴とする蛍光体の製造方法である。
【００２１】
またマイクロ波照射プロセスが、高温に達する第１段階のプロセスとより低温の第２段階のプロセスからなる蛍光体製造方法である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の製造方法により、短時間のマイクロ波照射により、乾式法で蛍光体母剤中に簡単に賦活剤を導入し、高い輝度の蛍光体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
マイクロ波は周波数３００ＭＨＺから３００ＧＨＺまでの電磁波の通称であるが、本発明による蛍光体の製造方法に用いられるマイクロ波は、家庭用電子レンジで用いられる周波数２．４５ＧＨＺのほか通称ミリ波加熱法と言われる装置で用いられる２８ＧＨＺの周波数を用いてもよい。更にこれ以外の周波数のマイクロ波を用いることもできる。特に１０ｇ程度の少量蛍光体の試作レベルであれば、家庭用の電子レンジを改造した小型加熱装置を用いることができる。マイクロ波の発信器としては、家庭用レンジなどに用いられるマグネトロン発振管や、ミリ波加熱装置に用いられるジャイロトロン発振管などが用いられる。
【００２４】
マイクロ波加熱では、被加熱体の比誘電率、誘電損失が大きいほど、効率よく加熱される。その発熱量は、周波数、比誘電率、誘電損失、投入電力に比例する。また、そのマイクロ波電力半減深度は、逆に周波数、比誘電率、誘電損失に逆比例的に依存する。この特性を有効に生かす必要がある。例えばＳｉＣの場合、比誘電率３０、誘電損失（タンジェントデルタ）０．１と置くと約２ｃｍの電力半減深度になる。
【００２５】
図1は本発明に用いるマイクロ波加熱装置（２．４５ＧＨＺ、７００Ｗ）及び加熱容器の断面図をしめす。マイクロ波加熱装置１の中に断熱性セラミックス容器２を配置する。発泡性酸化ケイ素を主成分とする中空の断熱性セラミックス容器２の内部壁面には炭化珪素（ＳｉＣ）などのマイクロ波吸収体３を塗布したものを用いる。ＳｉＣの塗布部は左右前後または円筒周囲だけでもよい。一般にこの状態だけで、容器底部にアルミナなどの耐熱性基板４を配置し、その上に目的の試料５を置いて、試料のマイクロ波加熱をすることができる。このようなマイクロ波用オーブンは市販もされている。本発明に関わる効果を促進するためには、試料を置く基板を、アルミナだけでなく、マイクロ波をよく吸収するＳｉＣを主成分とする基板４を用いると加熱効率がいっそう向上する。ＳｉＣ基板は純度９９％以上の焼結体でも、９９．９％以上の物理化学的気相成長法で作製したものでも利用できる。
【００２６】
マイクロ波による加熱温度は、ＳｉＣ基板４に１００ｍｍ直径、厚さ５〜６ｍｍのものを用いたとき、７００ｗのマイクロ波照射で、5分後５００℃、１０分後６５０℃、１５分後８５０℃、20分後１０００℃のＳｉＣ表面温度を得ることができ、迅速な蛍光体実験や、製造を行える。なお、温度測定はマイクロ波を照射直後に白金―白金ロジウムなどの温度計６をすばやく図1のように挿入し、測定することができる。
【００２７】
マイクロ波加熱装置に排気系を具備した真空マイクロ波加熱装置をもちいると、試料の酸化を望まない目的によっては、いっそうの効果を発揮できる。
【００２８】
この様な加熱装置の基板４上に、未処理状態では蛍光を発しない無機化合物半導体やそれに賦活剤や還元剤や触媒などを含む混合物の粉末試料を平たく乗せ、マイクロ波加熱をすると、適切な条件下、適切な試料の組合せにより、蛍光体を作製することができることを見出した。上記化合物半導体やその混合物を、同等の温度下、通常の大気中での外部加熱法を用いても発光は観測できない。窒素ガスや、水素を含む窒素ガスなどの還元性雰囲気中での外部加熱法にすると、若干発光を観測することができる。それに対し適切な条件下でマイクロ波加熱すると、きわめて大きな輝度の発光を観測することができる。このマイクロ波効果のメカニズムは現在明らかではないが、実験的にきわめて有効であることを確認した。
【００２９】
無機化合物半導体としては、硫黄Ｓを含む2元またが3元の化合物や、硫黄に限らず２−６族半導体、３−５族半導体を用いることができる。とりわけ、２−６族半導体である硫化亜鉛（ＺｎＳ）や、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）や、ＺｎＳの硫黄Ｓの代わりにセレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）を用いてもよい。亜鉛Ｚｎの代わりに、カルシウムＣａ、ストロンチウムＳｒ、バリウムＢａをもちいてもよい。3元系化合物としては、亜鉛、ガリウムＧａ、硫黄の（Ｚｎ−Ｇａ−Ｓ）系、Ｓｒ−Ｇａ−Ｓ、Ｃａ−Ｇａ−Ｓの系などが有効である。
【００３０】
賦活剤としては、セリウムＣｅ，ガリウム、マンガンＭｎ，銅Ｃｕ，アルミニウムＡｌ，インジウムＩｎ，塩素Ｃｌ、フッソＦ，臭素Ｂｒ，ヨウ素Ｉ及び、その化合物が有効である。その化合物としては、硫化銅Ｃｕ２Ｓ、塩化セリウムＣｅＣｌ、塩化銅ＣｕＣＬ、ガリウム砒素ＧａＡｓ，塩化マクネシウムＭｇＣｌなどが望ましい。また希土類としてセリウムの他、ユーロピウムＥｕ，プラセオジムＰｒ，テルビウムＴｂ，サマリウムＳｍも有効である。
【００３１】
還元剤の効果は、これを含まないでマイクロ波加熱すると、上記化合物半導体の一部が酸化されるためである。また大きな発光強度が得られにくい。ＺｎＳの場合、還元剤がないとＺｎＳの結晶系のほか、酸化亜鉛ＺｎＯの結晶系がエックス線解析で多く観測されるようになる。還元剤としては、グラファイト、カーボンやその他の炭化物、窒化ガリウムなどの窒化物が有効である。カーボンやグラファイトなど黒色体は母剤に対して微量（０．５重量％以下）であれば、酸化して白色化し、母剤の色に影響を与えない。
【００３２】
触媒作用をする材料は、蛍光体の賦活に有効である。これは還元剤と同様な効果の他、マイクロ波効果を促進するのに寄与している。このような触媒効果材料には、通常触媒として用いられる白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ジルコニウムまたはこれらを含む化合物が有効である。
【実施例】
【００３３】
更に実施例を用いて詳細を説明する。本発明は以下の実施例に例示された内容に限定されるものではない。
実施例１
【００３４】
図1に示すような、マイクロ波加熱装置（２．４５ＧＨＺ、最大出力７００Ｗ）及び加熱容器、試料用基材を用いた。加熱装置１は松下電器製電子レンジＮＥ−ＥＺ２を温度が測定できるように上面に孔をあけ改造した装置を用いた。断熱性セラミックス容器２として、ふたつき円筒状の断熱セラミックスであるアートボックス（内径１１０ｍｍ、旭物産製）を用いた。この内部壁面はＳｉＣ塗布加工されている。この容器底部にＳｉＣ製基板（外径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ）を置き、基板上部面に一様に試料粉末を約５ｇから１０ｇ薄く広げて配置した。この状態でマイクロ波電力を７００Ｗに設定し、１５分間加熱した。事前に測定したＳｉＣ基板上の温度は約８５０℃に達した。以上は大気雰囲気で行い、降温は自然冷却によった。
【００３５】
母剤として、ＺｎＳ（堺化学製、商品名ＲＡＫ−Ｓ、純度９９％）７０００ｍｇを、１００ｍｍ直径のＳｉＣ基板上に数ｍｍの厚さ以下に均一に配置した。
【００３６】
蛍光体を発光させるための紫外線ＵＶ源は３６５ｎｍの波長のＵＶランプを用いた。
マイクロ波加熱前では、立方晶のみの結晶系で、かつＵＶランプでは発光しなかった試料が、加熱後では、室内の蛍光灯下でも視認できる強度の発光を確認した。またエックス線解析（ＸＲＤ）で、立方晶のほか、六方晶系も現れ、混晶系となっていた。また、２つの晶系のＺｎＳだけでなく、酸化亜鉛ＺｎＯも形成されていることもわかった。
【００３７】
このようにマイクロ波を照射して、元々発光しない試料が、発光体になることを確認したが、そのマイクロ波効果を以下のように考察している。１０００℃以上で発現し安定に存在するといわれているＺｎＳの六方晶系が１０００℃以下で安定な立方晶系と混在していること。また比較例１、２に示すように、単なる１０００℃前後の外部加熱では、発光体は形成できないことも考えあわせると、マイクロ波加熱は単なる熱的効果だけでなく、マイクロ波の周波数で結晶格子を振動させることにより、混晶系が発現したり、ＺｎＳ中の銅を含む不純物が、ＺｎＳ格子の適切なサイト（混晶系の面欠陥など）に入り、発光中心になっていると考えることができる。またＺｎＳの比誘電率が約１０と相対的に大きいことも、マイクロ波効果に相乗されていると考えられる。なお、上記実施例では純度９９％のＺｎＳを用いたが、９９．９９％純度（高純度化学製）のものでも結果は大差なかった。
比較例１
【００３８】
上述の母剤試料を用いて、電気炉（バーンステッド社製、ファーネス１３００）を用い、大気雰囲気で１０００℃まで昇温し、３０分保持後、自然冷却した。この試料のＵＶ光照射による発光は全く観測されなかった。
比較例２
【００３９】
上述の母剤試料を用いて、還元性ガスが導入できるマッフル炉（ＫＤＦ社製、Ｓ９０Ｇ）を用い、窒素ガス雰囲気で１０００℃まで昇温し、３０分保持後、自然冷却した。この試料のＵＶ光照射による発光は、ガスと接触する試料表面に発光が観測されたが、実施例１と比較すると、発光レベルは低いものであった。また試料内部では発光は確認できなかった。
比較例３
【００４０】
実施例１の中でＺｎＳ試料を平たく配置せず、中央部に高く盛り上げて、同様なマイクロ波電力を印加して実験した。この時は、表層とＳｉＣ基材近くのＺｎＳが発光に寄与し、内部のＺｎＳの発光はすくなかった。
実施例２
【００４１】
上記母剤７０００ｍｇに、還元剤としてグラファイト（高純度化学製、純度９９．９９％）を１６ｍｇ混入し、混合した試料を上述のＳｉＣ基板上に配置した。そして、上述の加熱源を用い、７００ｗ、２０分の加熱を行った。この時のＳｉＣ基板面温度は事前実験で約１０００℃に達していた。
【００４２】
この試料では、実施例１の発光強度より強い強度の発光を得ることができた。またＸＲＤ解析により、酸化亜鉛ＺｎＯの強度ピークは低くなっていた。グラファイトは酸化され、白化していることが確認された。このことにより、ＺｎＳ自身が酸化される確率が減少したと考えられる。上記グラファイトのほか、９９％のグラファイト（東海カーボン製）でもよく、炭素粉、窒化ガリウムなどの還元作用を行うものでも同様な効果が得られた。
実施例３
【００４３】
上記母剤７０００ｍｇに、賦活剤として塩化セリウムＣｅＣｌ３（高純度化学製、）を１３ｍｇ混入し、混合した資料を用意し、実施例２と同様な条件で実験を行った。この場合も、実施例２と同等以上のＵＶ照射による発光強度を得た。塩化セリウムの代わりに、塩化マグネシウムＭｇＣｌ， ガリウム砒素ＧａＡｓを用いた実験でも、ほぼ同様な結果が得られた。
実施例４
【００４４】
ＺｎＳに賦活剤銅をドープする目的で以下の実験を行った。実施例２に記載した方法で得た蛍光体（ＺｎＳに還元剤を混合した系）５７００ｍｇに硫化銅Ｃｕ２Ｓ１４ｍｇ、マンガンＭｎ１５ｍｇを混入し、混合した試料を、上述のようにＳｉＣ基板上に配置し、７００ｗの電力で１０分間加熱した。このときの事前温度評価では、ＳｉＣ上の温度は約６５０℃であった。この試料でのＵＶ光による発光強度は、実施例２の発光強度より若干下がるレベルになるが、銅を含む系としては、発光レベルの高いものが得られた。このような２段階の加熱法で、銅を賦活剤とする蛍光体を得ることができた。
比較例４
【００４５】
前記実施例４に対し、最初からＺｎＳ，グラファイト、硫化銅、マンガンを同様な配合比で混入した試料を用意し、７０００ｗ、２０分のマイクロ波加熱を行った。この場合のＵＶ光による発光強度は極端に低下し、暗室下でわずかに確認できるレベルであった。この理由は明らかではないが、酸化されやすい銅を含む系に初めから、高い電力を加えることに問題があったと考えられる。
実施例５
【００４６】
母剤として硫化ストロンチウムＳｒＳ５０００ｍｇ、銅１３ｍｇ、ガリウム砒素ＧａＡｓ１２ｍｇ、グラファイト１８ｍｇを混合し、前述と同様にＳｉＣ基板に配置し、７０００ｗ、２０分の加熱を行った。この場合のＵＶ光による発光は、実施例１と同程度の発光強度を得た。ＺｎＳ系と異なるのは、マイクロ波照射前後でＺｎＳ系が重量減少することに対して、ＳｒＳ系は重量が１０％程度増加する点である。これは、ＳｒＳの融点は２０００℃以上と安定であるのに対して、ＺｎＳは沸点が１１８０℃、融点が１７１８℃と昇華性であることによると考えられる。またＳｒＳはマイクロ波で励起されている間に酸素、窒素などを吸収するためと思われる。
【００４７】
上記実験の中で、ＧａＡｓがない場合でも同様な結果が得られた。
比較例５
【００４８】
母剤として硫化ストロンチウムＳｒＳを５０００ｍｇだけを前述と同様にＳｉＣ基板に配置し、７０００ｗ、２０分の加熱を行った。この場合のＵＶ光による発光は、実施例５よりも、かなり小さな発光強度であった。
実施例６
【００４９】
実施例５で得た蛍光体を用いて、以下のように交流駆動型のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）膜を作製し、ＥＬとしての発光を確認した。ＥＬ膜は、透明導電膜（ＩＴＯ）を形成したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ポリエステル樹脂をバインダーとし、蛍光体：樹脂の重量比率が６：１になるように、有機溶剤（シクロヘキサノン、イソホロン、石油系のセルベッソ１００などの混合液）と共に混合して、ペースト化し、スクリーン印刷機で製膜した。更にこの蛍光体膜上に市販の誘電体ペースト（藤倉化成製、ＦＥＬ６１５。チタン酸バリウムなどの強誘電体と誘電率の高いフッソ系などの樹脂からなるペースト）を用いて、積層膜を作製、その上にカーボンインク、銀インクを重ねて製膜し、ＥＬ膜とした。これにパルス電圧５００ｖ（ピーク値）（周波数１．７ＫＨｚ）を印加し、ＥＬ発光が
発現したのを確認した。
実施例７
【００５０】
実施例と同様なマイクロ波加熱装置で、上部または側面から真空排気系が付いた試作装置を用いて、実施例１と同様な実験を行った。７００ｗ出力で２０分加熱した。真空度は３０トール（０．０４気圧）程度の低真空であるが、ＸＲＤから酸化亜鉛ＺｎＯ構造の大幅な減少が確認され、ＵＶ光による発光強度も実施例２以上を得た。
実施例８
【００５１】
２８ＧＨＺミリ波加熱装置（富士電波工業製、ＦＭＷ−３−２８）を用い、実施例１と同様な試料を用いて、２８ＧＨｚのミリ波加熱を行った。真空度は１００パスカル（０．００１気圧）で、ミリ波出力は１ＫＷ、１０分間の加熱を行った。この結果の実施例７と同様に、ＸＲＤ解析から酸化亜鉛ＺｎＯ構造の大幅な減少が確認され、ＵＶ光による発光強度も実施例２以上を得た。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）やＥＬ用の色変換蛍光体および、プラズマディスプレイ、蛍光放電管、電子放射（フィールドエミッション）型ディスプレイの蛍光体など面発光体やディスプレイ用の蛍光体に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のマイクロ波加熱装置及び加熱容器
【符号の説明】
【００５４】
１：マイクロ波加熱装置
２：断熱性セラミックス加熱容器
３：マイクロ波吸収体
４：基板
５：試料
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硫化亜鉛、硫化ストロンチウムなどの母体に発光中心となる賦活剤を含む蛍光体の新規な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトルミネッセンス（ＰＬ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）に供する蛍光体の製造方法は、例えば特開昭６１−２９６０８５号に記載されているように、硫化亜鉛、銅化合物、ハロゲン化物の混合物を、１０００〜１２００℃で数時間1次焼成し、六方晶系の中間蛍光体粉末を形成し、これに常圧下で静水圧を加えた後、７００〜９５０℃で数時間熱処理するか、熱間プレスして立方晶系に全部または一部転移させ、高輝度の蛍光体粉末を得る方法が記載されている。このように、１０００℃以上数時間で1次焼成し、１０００℃以下数時間で2次焼成して、大変手間と時間を要して作製している。
【０００３】
また特開２００６−１９９７９４号では、硫化ストロンチウムを母剤とする各種賦活剤を含む系で、真空中、２０００℃以上、1時間で第1の焼成工程を行い、硫黄ガスを６％含む窒素雰囲気中、８００℃で第2の焼成を行い蛍光体を得る方法が記載されている。
【０００４】
また特開２００５−２６４１０８号では、上記の固相反応とはことなり、高温で水を溶媒とする水熱合成法によって調整される硫化亜鉛の合成層が記載されている。これは亜鉛イオン水溶液、硫黄イオン水溶液に銅などの賦活剤イオンの水溶液を助剤とともに適当量混合し、数時間から数十時間、２００〜４００℃でオスワルド熟成をする。
【０００５】
一方、マイクロ波による加熱は、ヒーターなどの外部加熱とことなり、物体の内部から加熱されるため、従来溶液系の化学反応を促進する方法や、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの無機材料の迅速合成方法として研究され、一部有効な方法として実用されてきた。
【特許文献１】特開昭６１−２９６０８５号公報
【特許文献２】特開２００５−２６４１０８号公報
【特許文献３】特開２００６−１９９７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来の高温長時間の焼成法や、高温の水を介して製造する水熱法の課題を解決するものであり、発光素子として、簡便にして十分な輝度を得る製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による解決手段は、無機化合物半導体又はそれを含む混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることによる、励起発光性の蛍光体製造方法である。
【０００８】
また内部にマイクロ波吸収体を形成した断熱性セラミックス加熱容器の底辺に、基板を配置し、この基板上に前記無機化合物半導体又はそれを含む混合物粉末試料を配置した蛍光体製造方法である。
【０００９】
また前記基板が、マイクロ波吸収体の耐熱セラミックスである蛍光体製造方法である。
【００１０】
また前記基板が炭化珪素からなる蛍光体製造方法である。
【００１１】
また前記基板上に配置する前記化合物半導体又はその粉末試料を、マイクロ波電力半減深度以内の厚さにほぼ均一に平たく配置したことを特徴とする蛍光体製造方法である。
【００１２】
また前記無機化合物半導体が、硫黄を含む2元または３元系半導体であるか、または２−６族化合物半導体である蛍光体製造方法である。
【００１３】
また前記無機化合物半導体粉末に、還元作用または触媒作用を行う物質を添加したことを特徴とする蛍光体製造方法である。
【００１４】
また前記無機化合物半導体粉末に、1種類以上の賦活剤を添加したことを特徴とする蛍光体製造方法である。
【００１５】
また前記無機化合物半導体粉末に、還元作用または触媒作用を行う物質と1種類以上の賦活剤を添加したことを特徴とする蛍光体製造方法である。
【００１６】
また前記還元作用を行う物質が、グラファイト、炭素、ガリウム、またはそれを含む炭化物、窒化物の化合物である蛍光体製造方法である。
【００１７】
また前記触媒物質が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ジルコニウム、またはそれを含む化合物である請求項６から１０の蛍光体製造方法である。
【００１８】
また前記賦活剤が、セリウム、ガリウム、マンガン、銅、アルミニウム、インジウム、ユーロピウム、フッソ、塩素、ヨウ素、単独またはその化合物である蛍光体製造方法である。
【００１９】
また減圧下で無機化合物半導体そして又はその混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることにより、励起発光する蛍光体の製造方法である。
【００２０】
またマイクロ波が２．４５ＧＨＺから２８ＧＨＺまでの周波数であることを特徴とする蛍光体の製造方法である。
【００２１】
またマイクロ波照射プロセスが、高温に達する第１段階のプロセスとより低温の第２段階のプロセスからなる蛍光体製造方法である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の製造方法により、短時間のマイクロ波照射により、乾式法で蛍光体母剤中に簡単に賦活剤を導入し、高い輝度の蛍光体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
マイクロ波は周波数３００ＭＨＺから３００ＧＨＺまでの電磁波の通称であるが、本発明による蛍光体の製造方法に用いられるマイクロ波は、家庭用電子レンジで用いられる周波数２．４５ＧＨＺのほか通称ミリ波加熱法と言われる装置で用いられる２８ＧＨＺの周波数を用いてもよい。更にこれ以外の周波数のマイクロ波を用いることもできる。特に１０ｇ程度の少量蛍光体の試作レベルであれば、家庭用の電子レンジを改造した小型加熱装置を用いることができる。マイクロ波の発信器としては、家庭用レンジなどに用いられるマグネトロン発振管や、ミリ波加熱装置に用いられるジャイロトロン発振管などが用いられる。
【００２４】
マイクロ波加熱では、被加熱体の比誘電率、誘電損失が大きいほど、効率よく加熱される。その発熱量は、周波数、比誘電率、誘電損失、投入電力に比例する。また、そのマイクロ波電力半減深度は、逆に周波数、比誘電率、誘電損失に逆比例的に依存する。この特性を有効に生かす必要がある。例えばＳｉＣの場合、比誘電率３０、誘電損失（タンジェントデルタ）０．１と置くと約２ｃｍの電力半減深度になる。
【００２５】
図1は本発明に用いるマイクロ波加熱装置（２．４５ＧＨＺ、７００Ｗ）及び加熱容器の断面図をしめす。マイクロ波加熱装置１の中に断熱性セラミックス容器２を配置する。発泡性酸化ケイ素を主成分とする中空の断熱性セラミックス容器２の内部壁面には炭化珪素（ＳｉＣ）などのマイクロ波吸収体３を塗布したものを用いる。ＳｉＣの塗布部は左右前後または円筒周囲だけでもよい。一般にこの状態だけで、容器底部にアルミナなどの耐熱性基板４を配置し、その上に目的の試料５を置いて、試料のマイクロ波加熱をすることができる。このようなマイクロ波用オーブンは市販もされている。本発明に関わる効果を促進するためには、試料を置く基板を、アルミナだけでなく、マイクロ波をよく吸収するＳｉＣを主成分とする基板４を用いると加熱効率がいっそう向上する。ＳｉＣ基板は純度９９％以上の焼結体でも、９９．９％以上の物理化学的気相成長法で作製したものでも利用できる。
【００２６】
マイクロ波による加熱温度は、ＳｉＣ基板４に１００ｍｍ直径、厚さ５〜６ｍｍのものを用いたとき、７００ｗのマイクロ波照射で、5分後５００℃、１０分後６５０℃、１５分後８５０℃、20分後１０００℃のＳｉＣ表面温度を得ることができ、迅速な蛍光体実験や、製造を行える。なお、温度測定はマイクロ波を照射直後に白金―白金ロジウムなどの温度計６をすばやく図1のように挿入し、測定することができる。
【００２７】
マイクロ波加熱装置に排気系を具備した真空マイクロ波加熱装置をもちいると、試料の酸化を望まない目的によっては、いっそうの効果を発揮できる。
【００２８】
この様な加熱装置の基板４上に、未処理状態では蛍光を発しない無機化合物半導体やそれに賦活剤や還元剤や触媒などを含む混合物の粉末試料を平たく乗せ、マイクロ波加熱をすると、適切な条件下、適切な試料の組合せにより、蛍光体を作製することができることを見出した。上記化合物半導体やその混合物を、同等の温度下、通常の大気中での外部加熱法を用いても発光は観測できない。窒素ガスや、水素を含む窒素ガスなどの還元性雰囲気中での外部加熱法にすると、若干発光を観測することができる。それに対し適切な条件下でマイクロ波加熱すると、きわめて大きな輝度の発光を観測することができる。このマイクロ波効果のメカニズムは現在明らかではないが、実験的にきわめて有効であることを確認した。
【００２９】
無機化合物半導体としては、硫黄Ｓを含む2元またが3元の化合物や、硫黄に限らず２−６族半導体、３−５族半導体を用いることができる。とりわけ、２−６族半導体である硫化亜鉛（ＺｎＳ）や、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）や、ＺｎＳの硫黄Ｓの代わりにセレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）を用いてもよい。亜鉛Ｚｎの代わりに、カルシウムＣａ、ストロンチウムＳｒ、バリウムＢａをもちいてもよい。3元系化合物としては、亜鉛、ガリウムＧａ、硫黄の（Ｚｎ−Ｇａ−Ｓ）系、Ｓｒ−Ｇａ−Ｓ、Ｃａ−Ｇａ−Ｓの系などが有効である。
【００３０】
賦活剤としては、セリウムＣｅ，ガリウム、マンガンＭｎ，銅Ｃｕ，アルミニウムＡｌ，インジウムＩｎ，塩素Ｃｌ、フッソＦ，臭素Ｂｒ，ヨウ素Ｉ及び、その化合物が有効である。その化合物としては、硫化銅Ｃｕ２Ｓ、塩化セリウムＣｅＣｌ、塩化銅ＣｕＣＬ、ガリウム砒素ＧａＡｓ，塩化マクネシウムＭｇＣｌなどが望ましい。また希土類としてセリウムの他、ユーロピウムＥｕ，プラセオジムＰｒ，テルビウムＴｂ，サマリウムＳｍも有効である。
【００３１】
還元剤の効果は、これを含まないでマイクロ波加熱すると、上記化合物半導体の一部が酸化されるためである。また大きな発光強度が得られにくい。ＺｎＳの場合、還元剤がないとＺｎＳの結晶系のほか、酸化亜鉛ＺｎＯの結晶系がエックス線解析で多く観測されるようになる。還元剤としては、グラファイト、カーボンやその他の炭化物、窒化ガリウムなどの窒化物が有効である。カーボンやグラファイトなど黒色体は母剤に対して微量（０．５重量％以下）であれば、酸化して白色化し、母剤の色に影響を与えない。
【００３２】
触媒作用をする材料は、蛍光体の賦活に有効である。これは還元剤と同様な効果の他、マイクロ波効果を促進するのに寄与している。このような触媒効果材料には、通常触媒として用いられる白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ジルコニウムまたはこれらを含む化合物が有効である。
【実施例】
【００３３】
更に実施例を用いて詳細を説明する。本発明は以下の実施例に例示された内容に限定されるものではない。
実施例１
【００３４】
図1に示すような、マイクロ波加熱装置（２．４５ＧＨＺ、最大出力７００Ｗ）及び加熱容器、試料用基材を用いた。加熱装置１は松下電器製電子レンジＮＥ−ＥＺ２を温度が測定できるように上面に孔をあけ改造した装置を用いた。断熱性セラミックス容器２として、ふたつき円筒状の断熱セラミックスであるアートボックス（内径１１０ｍｍ、旭物産製）を用いた。この内部壁面はＳｉＣ塗布加工されている。この容器底部にＳｉＣ製基板（外径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ）を置き、基板上部面に一様に試料粉末を約５ｇから１０ｇ薄く広げて配置した。この状態でマイクロ波電力を７００Ｗに設定し、１５分間加熱した。事前に測定したＳｉＣ基板上の温度は約８５０℃に達した。以上は大気雰囲気で行い、降温は自然冷却によった。
【００３５】
母剤として、ＺｎＳ（堺化学製、商品名ＲＡＫ−Ｓ、純度９９％）７０００ｍｇを、１００ｍｍ直径のＳｉＣ基板上に数ｍｍの厚さ以下に均一に配置した。
【００３６】
蛍光体を発光させるための紫外線ＵＶ源は３６５ｎｍの波長のＵＶランプを用いた。
マイクロ波加熱前では、立方晶のみの結晶系で、かつＵＶランプでは発光しなかった試料が、加熱後では、室内の蛍光灯下でも視認できる強度の発光を確認した。またエックス線解析（ＸＲＤ）で、立方晶のほか、六方晶系も現れ、混晶系となっていた。また、２つの晶系のＺｎＳだけでなく、酸化亜鉛ＺｎＯも形成されていることもわかった。
【００３７】
このようにマイクロ波を照射して、元々発光しない試料が、発光体になることを確認したが、そのマイクロ波効果を以下のように考察している。１０００℃以上で発現し安定に存在するといわれているＺｎＳの六方晶系が１０００℃以下で安定な立方晶系と混在していること。また比較例１、２に示すように、単なる１０００℃前後の外部加熱では、発光体は形成できないことも考えあわせると、マイクロ波加熱は単なる熱的効果だけでなく、マイクロ波の周波数で結晶格子を振動させることにより、混晶系が発現したり、ＺｎＳ中の銅を含む不純物が、ＺｎＳ格子の適切なサイト（混晶系の面欠陥など）に入り、発光中心になっていると考えることができる。またＺｎＳの比誘電率が約１０と相対的に大きいことも、マイクロ波効果に相乗されていると考えられる。なお、上記実施例では純度９９％のＺｎＳを用いたが、９９．９９％純度（高純度化学製）のものでも結果は大差なかった。
比較例１
【００３８】
上述の母剤試料を用いて、電気炉（バーンステッド社製、ファーネス１３００）を用い、大気雰囲気で１０００℃まで昇温し、３０分保持後、自然冷却した。この試料のＵＶ光照射による発光は全く観測されなかった。
比較例２
【００３９】
上述の母剤試料を用いて、還元性ガスが導入できるマッフル炉（ＫＤＦ社製、Ｓ９０Ｇ）を用い、窒素ガス雰囲気で１０００℃まで昇温し、３０分保持後、自然冷却した。この試料のＵＶ光照射による発光は、ガスと接触する試料表面に発光が観測されたが、実施例１と比較すると、発光レベルは低いものであった。また試料内部では発光は確認できなかった。
比較例３
【００４０】
実施例１の中でＺｎＳ試料を平たく配置せず、中央部に高く盛り上げて、同様なマイクロ波電力を印加して実験した。この時は、表層とＳｉＣ基材近くのＺｎＳが発光に寄与し、内部のＺｎＳの発光はすくなかった。
実施例２
【００４１】
上記母剤７０００ｍｇに、還元剤としてグラファイト（高純度化学製、純度９９．９９％）を１６ｍｇ混入し、混合した試料を上述のＳｉＣ基板上に配置した。そして、上述の加熱源を用い、７００ｗ、２０分の加熱を行った。この時のＳｉＣ基板面温度は事前実験で約１０００℃に達していた。
【００４２】
この試料では、実施例１の発光強度より強い強度の発光を得ることができた。またＸＲＤ解析により、酸化亜鉛ＺｎＯの強度ピークは低くなっていた。グラファイトは酸化され、白化していることが確認された。このことにより、ＺｎＳ自身が酸化される確率が減少したと考えられる。上記グラファイトのほか、９９％のグラファイト（東海カーボン製）でもよく、炭素粉、窒化ガリウムなどの還元作用を行うものでも同様な効果が得られた。
実施例３
【００４３】
上記母剤７０００ｍｇに、賦活剤として塩化セリウムＣｅＣｌ３（高純度化学製、）を１３ｍｇ混入し、混合した資料を用意し、実施例２と同様な条件で実験を行った。この場合も、実施例２と同等以上のＵＶ照射による発光強度を得た。塩化セリウムの代わりに、塩化マグネシウムＭｇＣｌ， ガリウム砒素ＧａＡｓを用いた実験でも、ほぼ同様な結果が得られた。
実施例４
【００４４】
ＺｎＳに賦活剤銅をドープする目的で以下の実験を行った。実施例２に記載した方法で得た蛍光体（ＺｎＳに還元剤を混合した系）５７００ｍｇに硫化銅Ｃｕ２Ｓ１４ｍｇ、マンガンＭｎ１５ｍｇを混入し、混合した試料を、上述のようにＳｉＣ基板上に配置し、７００ｗの電力で１０分間加熱した。このときの事前温度評価では、ＳｉＣ上の温度は約６５０℃であった。この試料でのＵＶ光による発光強度は、実施例２の発光強度より若干下がるレベルになるが、銅を含む系としては、発光レベルの高いものが得られた。このような２段階の加熱法で、銅を賦活剤とする蛍光体を得ることができた。
比較例４
【００４５】
前記実施例４に対し、最初からＺｎＳ，グラファイト、硫化銅、マンガンを同様な配合比で混入した試料を用意し、７０００ｗ、２０分のマイクロ波加熱を行った。この場合のＵＶ光による発光強度は極端に低下し、暗室下でわずかに確認できるレベルであった。この理由は明らかではないが、酸化されやすい銅を含む系に初めから、高い電力を加えることに問題があったと考えられる。
実施例５
【００４６】
母剤として硫化ストロンチウムＳｒＳ５０００ｍｇ、銅１３ｍｇ、ガリウム砒素ＧａＡｓ１２ｍｇ、グラファイト１８ｍｇを混合し、前述と同様にＳｉＣ基板に配置し、７０００ｗ、２０分の加熱を行った。この場合のＵＶ光による発光は、実施例１と同程度の発光強度を得た。ＺｎＳ系と異なるのは、マイクロ波照射前後でＺｎＳ系が重量減少することに対して、ＳｒＳ系は重量が１０％程度増加する点である。これは、ＳｒＳの融点は２０００℃以上と安定であるのに対して、ＺｎＳは沸点が１１８０℃、融点が１７１８℃と昇華性であることによると考えられる。またＳｒＳはマイクロ波で励起されている間に酸素、窒素などを吸収するためと思われる。
【００４７】
上記実験の中で、ＧａＡｓがない場合でも同様な結果が得られた。
比較例５
【００４８】
母剤として硫化ストロンチウムＳｒＳを５０００ｍｇだけを前述と同様にＳｉＣ基板に配置し、７０００ｗ、２０分の加熱を行った。この場合のＵＶ光による発光は、実施例５よりも、かなり小さな発光強度であった。
実施例６
【００４９】
実施例５で得た蛍光体を用いて、以下のように交流駆動型のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）膜を作製し、ＥＬとしての発光を確認した。ＥＬ膜は、透明導電膜（ＩＴＯ）を形成したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ポリエステル樹脂をバインダーとし、蛍光体：樹脂の重量比率が６：１になるように、有機溶剤（シクロヘキサノン、イソホロン、石油系のセルベッソ１００などの混合液）と共に混合して、ペースト化し、スクリーン印刷機で製膜した。更にこの蛍光体膜上に市販の誘電体ペースト（藤倉化成製、ＦＥＬ６１５。チタン酸バリウムなどの強誘電体と誘電率の高いフッソ系などの樹脂からなるペースト）を用いて、積層膜を作製、その上にカーボンインク、銀インクを重ねて製膜し、ＥＬ膜とした。これにパルス電圧５００ｖ（ピーク値）（周波数１．７ＫＨｚ）を印加し、ＥＬ発光が
発現したのを確認した。
実施例７
【００５０】
実施例と同様なマイクロ波加熱装置で、上部または側面から真空排気系が付いた試作装置を用いて、実施例１と同様な実験を行った。７００ｗ出力で２０分加熱した。真空度は３０トール（０．０４気圧）程度の低真空であるが、ＸＲＤから酸化亜鉛ＺｎＯ構造の大幅な減少が確認され、ＵＶ光による発光強度も実施例２以上を得た。
実施例８
【００５１】
２８ＧＨＺミリ波加熱装置（富士電波工業製、ＦＭＷ−３−２８）を用い、実施例１と同様な試料を用いて、２８ＧＨｚのミリ波加熱を行った。真空度は１００パスカル（０．００１気圧）で、ミリ波出力は１ＫＷ、１０分間の加熱を行った。この結果の実施例７と同様に、ＸＲＤ解析から酸化亜鉛ＺｎＯ構造の大幅な減少が確認され、ＵＶ光による発光強度も実施例２以上を得た。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）やＥＬ用の色変換蛍光体および、プラズマディスプレイ、蛍光放電管、電子放射（フィールドエミッション）型ディスプレイの蛍光体など面発光体やディスプレイ用の蛍光体に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のマイクロ波加熱装置及び加熱容器
【符号の説明】
【００５４】
１：マイクロ波加熱装置
２：断熱性セラミックス加熱容器
３：マイクロ波吸収体
４：基板
５：試料
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機化合物半導体又はそれを含む混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることによる、励起発光性の蛍光体製造方法。
【請求項２】
内部にマイクロ波吸収体を形成した断熱性セラミックス加熱容器の底辺に、基板を配置し、この基板上に前記無機化合物半導体又はそれを含む混合物粉末試料を配置した請求項１の蛍光体製造方法。
【請求項３】
前記基板が、マイクロ波吸収体の耐熱セラミックスである請求項２の蛍光体製造方法。
【請求項４】
前記基板が炭化珪素からなる請求項２から３の蛍光体製造方法。
【請求項５】
前記基板上に配置する前記化合物半導体又はその粉末試料を、マイクロ波電力半減深度以内の厚さにほぼ均一に平たく配置したことを特徴とする請求項１から４の蛍光体製造方法。
【請求項６】
前記無機化合物半導体が、硫黄を含む2元または３元系半導体であるか、または２−６族化合物半導体である請求項１から５の蛍光体製造方法。
【請求項７】
前記無機化合物半導体粉末に、還元作用または触媒作用を行う物質を添加したことを特徴とする請求項６の蛍光体製造方法。
【請求項８】
前記無機化合物半導体粉末に、1種類以上の賦活剤を添加したことを特徴とする請求項６から７の蛍光体製造方法。
【請求項９】
前記無機化合物半導体粉末に、還元作用または触媒作用を行う物質と1種類以上の賦活剤を添加したことを特徴とする請求項６から８の蛍光体製造方法。
【請求項１０】
前記還元作用を行う物質が、グラファイト、炭素、ガリウム、またはそれを含む炭化物、窒化物の化合物である請求項６から９の蛍光体製造方法。
【請求項１１】
前記触媒物質が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ジルコニウム、またはそれを含む化合物である請求項６から１０の蛍光体製造方法。
【請求項１２】
前記賦活剤が、セリウム、ガリウム、マンガン、銅、アルミニウム、ユーロピウム、インジウム、フッソ、塩素、ヨウ素の単独またはその化合物である請求項６から１１の蛍光体製造方法。
【請求項１３】
減圧下で無機化合物半導体そして又はその混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることにより、励起発光する請求項１から１２の蛍光体の製造方法。
【請求項１４】
マイクロ波が２．４５ＧＨＺから２８ＧＨＺまでの周波数であることを特徴とする請求項１から１３までの蛍光体の製造方法。
【請求項１５】
マイクロ波照射プロセスが、高温に達する第１段階のプロセスとより低温の第２段階のプロセスからなる前記１から１４までの蛍光体製造方法。
【請求項１】
無機化合物半導体又はそれを含む混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることによる、励起発光性の蛍光体製造方法。
【請求項２】
内部にマイクロ波吸収体を形成した断熱性セラミックス加熱容器の底辺に、基板を配置し、この基板上に前記無機化合物半導体又はそれを含む混合物粉末試料を配置した請求項１の蛍光体製造方法。
【請求項３】
前記基板が、マイクロ波吸収体の耐熱セラミックスである請求項２の蛍光体製造方法。
【請求項４】
前記基板が炭化珪素からなる請求項２から３の蛍光体製造方法。
【請求項５】
前記基板上に配置する前記化合物半導体又はその粉末試料を、マイクロ波電力半減深度以内の厚さにほぼ均一に平たく配置したことを特徴とする請求項１から４の蛍光体製造方法。
【請求項６】
前記無機化合物半導体が、硫黄を含む2元または３元系半導体であるか、または２−６族化合物半導体である請求項１から５の蛍光体製造方法。
【請求項７】
前記無機化合物半導体粉末に、還元作用または触媒作用を行う物質を添加したことを特徴とする請求項６の蛍光体製造方法。
【請求項８】
前記無機化合物半導体粉末に、1種類以上の賦活剤を添加したことを特徴とする請求項６から７の蛍光体製造方法。
【請求項９】
前記無機化合物半導体粉末に、還元作用または触媒作用を行う物質と1種類以上の賦活剤を添加したことを特徴とする請求項６から８の蛍光体製造方法。
【請求項１０】
前記還元作用を行う物質が、グラファイト、炭素、ガリウム、またはそれを含む炭化物、窒化物の化合物である請求項６から９の蛍光体製造方法。
【請求項１１】
前記触媒物質が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ジルコニウム、またはそれを含む化合物である請求項６から１０の蛍光体製造方法。
【請求項１２】
前記賦活剤が、セリウム、ガリウム、マンガン、銅、アルミニウム、ユーロピウム、インジウム、フッソ、塩素、ヨウ素の単独またはその化合物である請求項６から１１の蛍光体製造方法。
【請求項１３】
減圧下で無機化合物半導体そして又はその混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をすることにより、励起発光する請求項１から１２の蛍光体の製造方法。
【請求項１４】
マイクロ波が２．４５ＧＨＺから２８ＧＨＺまでの周波数であることを特徴とする請求項１から１３までの蛍光体の製造方法。
【請求項１５】
マイクロ波照射プロセスが、高温に達する第１段階のプロセスとより低温の第２段階のプロセスからなる前記１から１４までの蛍光体製造方法。
【図１】
【公開番号】特開２００８−３０８５６３（Ｐ２００８−３０８５６３Ａ）
【公開日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１５６９６８（Ｐ２００７−１５６９６８）
【出願日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【出願人】（３０６０００９６８）有限会社イメージテック (5)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【出願人】（３０６０００９６８）有限会社イメージテック (5)
【Ｆターム（参考）】
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