説明

蛍光体の製造方法

【課題】高蛍光輝度の希土類添加BaSiS蛍光体を安全かつ効率的に製造する希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法の提供。
【解決方法】アルカリ土類金属、珪素、硫黄、及び蛍光を付与する希土類元素からなる希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法であって、1)希土類元素が均一に分散したBaSiO、又は、2)希土類元素が均一に分散したBaSiO、希土類元素が均一に分散したBaCO、Euが均一に分散したBa(NO及びSiOからなる混合物を合成する第1の工程と、前記第1の工程で得られた希土類元素が均一に分散したBaSiO、又は前記混合物を、二硫化炭素を含む不活性ガス中で熱処理し、還元硫化する第2の工程とからなることを特徴とする希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、蛍光体の製造方法に関し、さらに詳しくは近紫外発光ダイオードの発光波長領域で高輝度の蛍光を発する紫外線励起型の青緑色蛍光体やFED(電解放射型ディスプレイ)や無機EL等の表示ディスプレイに用いる青緑色蛍光体として好適に使用できる高蛍光輝度の希土類元素添加バリウムチオシリケート(BaSiS)蛍光体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、白色LEDの開発が進み、白熱電灯や蛍光灯に替る照明として期待されている。
従来の白色LEDは(Y,Gd)(Al,Ga)12の組成式で知られるYAG系酸化物にCeを添加した蛍光体を、青色LEDの封止樹脂中に分散させたもの(特許文献1〜3参照)が知られている。これらは携帯電話のフロントライトや簡易照明器具に用いられているが、これらの白色LEDは色再現性や演色性が悪く、その改善が求められていた。
【0003】
これに対して青色LEDと緑色蛍光体と赤色蛍光体を組み合わせた青色励起白色LED(特許文献4参照)、紫外発光LEDと青色蛍光体と緑色蛍光体と赤色蛍光体を組み合わせた紫外線励起白色LED(特許文献5参照)が開発されている。
特に、紫外線励起白色LEDは青色の蛍光体を用いるため3色の波長を調整して色再現性が良く、また可視光の吸収が少ない紫外線励起型蛍光体を用いることで非発光時の蛍光体が白色を示す。このことは蛍光灯ランプへの応用を考えた場合、蛍光体が白色であることは非常な利点となっている。
【0004】
このような紫外線励起白色LED用蛍光体としては、例えば、青色蛍光体としてBaMgAl1017:Eu2+(BAM)や(Mg,Ca,Sr,Ba)10(POCl:Eu2+などが知られている。しかし、これらの蛍光体は近紫外励起での光変換効率が不十分であるとの指摘があり、BaSiS:Ce3+系青色蛍光体が開発されている(特許文献6参照)。
【0005】
ところで、高演色蛍光灯では単純に青、緑、赤の3色の光ではなく、波長480から500nmの青緑色の発光を加えている。このような蛍光体として(Ba,Ca,Mg)10(POCl:Eu2+(ピーク波長483nm)やSrAl1425:Eu2+(ピーク波長493nm)などが知られている。
【0006】
また、紫外線LED励起青緑蛍光体としてはJEM蛍光体、CeCaLa1−x―yAl(SiAl)NO(特許文献7参照)が知られている。
このような紫外線LEDは、発光波長390〜405nmでの発光効率が高いことが知られているが、これらの蛍光体は励起波長390〜405nmでの発光効率が良くない(非特許文献1、2参照)。一方、発光波長390〜405nmでの発光効率が高い青緑蛍光体として、最近BaSiS:Eu2+が報告されている(非特許文献3参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特許第2900928号公報
【特許文献2】特許第2927279号公報
【特許文献3】特許第2998696号公報
【特許文献4】特開2000−244021号公報
【特許文献5】特表2000−509912号公報
【特許文献6】特開2006−265501号公報
【特許文献7】特開2006−232868号公報
【非特許文献】
【0008】
【非特許文献1】蛍光体同学会編「蛍光体ハンドブック」オーム社 第2章
【非特許文献2】中西、波多腰編「発光と受光の物理と応用」培風館 5.3章
【非特許文献3】大観、大橋:第321回蛍光体同学会予稿
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかしながら、蛍光体の原料である硫化バリウム、硫化ユーロピウム等の硫化物を作製するには、通常硫化反応を行うために有毒で悪臭を発する硫化水素ガスを使用しなければならず、工業的にはその安全性の確保が大きな課題となっている。
また、Siの硫化物は、その合成が難しいため簡単には入手できず、吸湿性が強く不安定である。秤量や混合などはグローブボックスを利用し、焼成時にも分解しないように注意する必要がある。そのため、蛍光体のBaSiSの合成に際しては、Si源に金属Siの使用が考えられる。この金属Siと硫化物を混合、焼成することによりBaSiSの合成を行うが、硫化源として硫化バリウム、硫化ユーロピウム等の硫化物を作製するときと同じく有毒な硫化水素を必要とする。一方、この硫化水素は有毒なだけではなく、悪臭物質であり、不安定な物質でもあるために、微量であっても、厳しい管理が要求され、製造コストや生産効率などの低下を招いてしまうなどの問題が生じる。またこれらの方法ではEuが均一に添加されたBaSiSの合成が難しい。
【0010】
本発明は、係る現状に鑑みてなされたもので、希土類添加BaSiO又は希土類添加BaSiOと希土類添加BaCO、希土類添加Ba(NOとSiOの混合物を作製し、二硫化炭素を含む不活性ガス中で熱処理して還元硫化することにより、高蛍光輝度の希土類添加BaSiS蛍光体を安全かつ効率的に製造する希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明に係る蛍光体の製造方法は、1)希土類元素が均一に分散したBaSiO、又は、2)希土類元素が均一に分散したBaSiO、希土類元素が均一に分散したBaCO、希土類元素が均一に分散したBa(NO及びSiOからなる混合物を合成する第1の工程と、この第1の工程で得られた希土類元素が均一に分散したBaSiO、又は、希土類元素が均一に分散したBaSiO、希土類元素が均一に分散したBaCO、希土類元素が均一に分散したBa(NO及びSiOからなる混合物を、二硫化炭素を含む不活性ガス中で熱処理し、還元硫化する第2の工程とからなることを特徴とする希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法で、特に希土類元素にEuを用いると良好な蛍光体性能が得られるものである。
【0012】
本発明の製造方法における第1の工程では、水溶性珪素又はフュームド(fumed)SiO、硝酸Ba及び酢酸ユーロピウムを水に溶解して30分間攪拌した後、噴霧乾燥又は冷凍乾燥等の方法で乾燥させ、その乾燥物を700〜900℃の温度により焼成することで、1)希土類元素が均一に分散した希土類元素添加BaSiO、又は、2)希土類元素が均一に分散したBaSiO、希土類元素が均一に分散したBaCO、希土類元素が均一に分散したBa(NO及びSiOからなる混合物とすることを特徴とし、第2の工程では、第1の工程で得た、1)希土類元素が均一に分散したEu添加BaSiO、又は、2)希土類元素が均一に分散したBaSiO、希土類元素が均一に分散したBaCO、希土類元素が均一に分散したBa(NO及びSiOからなる混合物を、二硫化炭素を含んだ不活性ガス流通下で900〜1090℃の温度による熱処理によって、還元硫化することでBaSiS蛍光体を作製することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【0013】
本発明は、希土類元素添加BaSiS蛍光体を製造する方法であって、特に希土類元素にEuを用いる場合、Euが均一に分散したEu添加BaSiO、又は、Euが均一に分散したBaSiO、Euが均一に分散したBaCO、Euが均一に分散したBa(NO及びSiOの混合物を合成する第1の工程と、第1の工程で得られたEuが均一に分散したEu添加BaSiO、又は、Euが均一に分散したBaSiO、Euが均一に分散したBaCO、Euが均一に分散したBa(NO及びSiOの混合物を、二硫化炭素を含む不活性ガス中での熱処理によって、還元硫化する第2の工程からなる蛍光体の製造方法で、原料に金属Siや硫化バリウム、硫化ユーロピウムなどの硫化物を使用せずに、高品質の結晶が得られると共に、有毒な硫化水素を用いることなく高輝度のEu添加BaSiS蛍光体を製造することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本発明の実施例1におけるArガスに二硫化炭素(CS)を含ませる方法を示す図である。
【図2】本発明の方法で、実施例1の噴霧乾燥後の乾燥物、それを800℃で焼成した焼成物、還元硫化後硫化物粉末のX線回折測定結果を示す図である。
【図3】本発明の実施例3の800℃で焼成した焼成物と実施例3及び実施例4で作製した硫化物粉末のX線回折測定結果を示す図である。
【図4】本発明の実施例5から8における還元硫化後の粉末X線回折測定結果を示す図である。
【図5】本発明の実施例1におけるEu添加BaSiS蛍光体の蛍光スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
1.希土類元素のEuが均一に分散したEu添加BaSiOを合成する第1の工程:
先ず、Eu添加BaSiOを合成するには、添加するSi源を、水溶性珪素或いはフュームド(fumed)SiOを用いるのが好ましい。
水溶性珪素は、以下に示す方法で作製される。原料にはテトラエトキシシラン(TEOS)とプロピレングリコールを同量秤量し、80℃で48時間混合し、この混合液に塩酸を少量(混合液の0.2%程度)加えて1時間攪拌する。この攪拌液に蒸留水を加え、濃度が1Mの水溶性珪素を作製する。また、Si源としてのフュームドSiOは、その粒径が5〜10nm程度のものが好ましい。
【0016】
次に、上記Si源と硝酸Baと酢酸ユーロピウムを、Si源のSiと(Ba+Eu)のモル比が1:2になるように水に溶解する。その溶解液を室温で攪拌して前駆体を含む水溶液を作製する。ここで、水溶液の乾燥に噴霧乾燥を用いた場合は0.02〜0.4mol/Lの水溶液が好ましく、凍結乾燥を用いるときは0.2〜0.4mol/Lの水溶液が好ましい。
なお、加えるBa源としては硝酸Baや酢酸Baなどの水溶性のBa塩、ユーロピウム源には水溶性のEu塩などを用いることができる。
【0017】
次いで、この水溶液を乾燥させて乾燥物を得て、第一工程の酸化物前駆体を作製する。
水溶液の乾燥は、噴霧乾燥法或いは凍結乾燥法を用いて行う。先ず噴霧乾燥機を用いて乾燥させる場合には、水溶液を20〜40分攪拌し、その液をポンプで噴霧乾燥機に送って乾燥させる。その乾燥条件は乾燥機入り口温度を200℃、加圧空気圧を0.1MPaの条件が好ましい。
【0018】
凍結乾燥を行う場合には、水溶液を10分攪拌して、Euを均一に含んだゲルを作製し、このゲルを凍結乾燥機で−30℃、1時間保持の条件で凍結し、真空ポンプで排気して0.00603気圧以下にする。その後−25℃、3時間保持、−20℃、5時間保持、−15℃、8時間保持、30℃、5時間保持と条件を変化させて乾燥させる。
【0019】
続いて、この乾燥物の酸化物前駆体を、700〜1100℃、より好ましくは750〜1000℃の温度に1〜3時間保持する熱処理を施すことで、Euが均一に分散したEu添加BaSiOを作製する。なお、酸化物前駆体のTG−DTAの分析から、200℃から水の脱離が開始し、400℃以上で残留有機物、600℃で硝酸の脱離し、700℃以上で重量が一定になり、従って700℃以上の温度で焼成することで酸化物が合成できる。
【0020】
水溶性珪素を用いた場合の噴霧乾燥後の乾燥物のXRDからは、硝酸Baのピークしかないが、その乾燥物を800℃で焼成するとBaSiOの回折パターンが得られる。また、フュームド(fumed)SiOを用いた場合の噴霧乾燥後の乾燥物を800℃で焼成するとBaSiOと炭酸Baの混合物の回折パターンが得られる。
焼成温度の上限は、1100℃以下とするが、1000℃を超えると第2工程のCS還元硫化が難しくなるので1000℃以下がより好ましい。
【0021】
なお、第一の工程としては硝酸Euを水に溶解し、オキシカルボン酸、グリコール又は水、炭酸バリウム、フュームド(fumed)SiOを順次加え、更に120〜250℃に加熱してゲルを得た後に、このゲルを400〜500℃で熱処理して炭酸塩前駆体を作製し、得られた炭酸塩前駆体を700〜1090℃で熱処理してEuが均一に分散したEu添加BaSiOを作製することも可能である。
また、炭酸バリウム、Eu粉末とSiO粉末を混合し、大気中または還元雰囲気中、700から1000℃で焼成することでEu添加BaSiO、又はEu添加BaCOとSiO粉末の混合粉末を作製することも可能である。
【0022】
2.Eu添加BaSiOを、二硫化炭素を含む不活性ガス中で熱処理し、還元硫化してEu添加BaSiS蛍光体を製造する第2の工程:
この第2の工程では、第1の工程で得られたEu添加BaSiO粉末を、二硫化炭素(CS)を含む不活性ガス中で加熱、900〜1090℃で2〜8時間の熱処理を施し、Eu添加BaSiS蛍光体粉末の焼成物を得る。
【0023】
この熱処理の温度は、900〜1090℃であることが好ましく、900℃未満では還元硫化が不充分となるため好ましくなく、硫化珪素の融点である1090℃を超えると、部分的な融解が発生する可能性があり、融解した液体が移動することによって焼成物が不均一になるため好ましくない。一般に高温では硫黄蒸気圧が高くなり硫化物表面から硫黄が揮発すると言われており低温で合成することが好ましい。
なお、合成に使用する容器は、グラファイト、ジルコニア、アルミナ等の酸化物やBN等の耐熱容器を用いることが出来るが、高温ではアルミナが還元され、不純物が多くなるのでグラファイトやジルコニアが好ましい。
【0024】
ここで用いる不活性ガスとしては、Arガス等の不活性ガスが好ましく、不活性ガス中に二硫化炭素(CS)を含ませる方法としては、図1に示すような、不活性ガスを液体の二硫化炭素中に通す方法が利用できる。二硫化炭素や不活性ガスの温度は15℃以上46℃未満、特に20℃〜25℃が良く、15℃以下では不活性ガスに含まれる二硫化炭素の濃度が低くなり還元硫化が進まないため好ましくなく、46℃以上では二硫化炭素の沸点以上となって蒸発量の制御が難しく、均一な還元硫化が難しくなるため好ましくない。尚、不活性ガスとしてはArガスのほか窒素を用いることが出来る。ただし高温で窒素を用いることは、窒化物が形成されることがあるため好ましくない。
【0025】
この得られた粉末の焼成物の同定は、X線回折を用いて行った。
原料として水溶性珪素を用いて噴霧乾燥を行った酸化物を1010℃で還元硫化したものからはBaSiS単相が得られた。第一工程の焼成物に炭酸塩を含んでいるものや還元硫化温度が低い場合は、BaSと思われる少量の異相を含むX線回折パターンが観察されたが、還元硫化の温度を1000℃〜1090℃とすることでBaSiS単相が得られることが分かった。
【実施例1】
【0026】
第1の工程:Eu添加BaSiOの合成
[第1の工程の酸化物前駆体作製]
水溶性珪素を次のように作製した。テトラエトキシシラン:TEOS(関東化学株式会社製)とプロピレングリコール(関東化学株式会社製99%)を22.4ml秤量し、80℃で48時間混合した。更に混合液に塩酸を100μl加えて室温で1時間攪拌した。この攪拌液に蒸留水を加えて100mlに定溶して1Mの水溶性珪素を作製した。
【0027】
この水溶性珪素15mmol、硝酸Ba28.5mmol及び酢酸ユーロピウム(フルウチ化学株式会社製)1.5mmolを純水に加えて500mlに定溶し、この水溶液を室温で30分間攪拌した。
【0028】
次に、水溶液を噴霧乾燥機(YAMATO製 ADL310)に入れて噴霧乾燥を行い、乾燥物を作製した。その乾燥条件は、入り口温度200℃、風量を0.55立方メータ/min、ポンプ速度5ml/min、加圧空気圧力0.1MPaとした。
乾燥物は直ちにアルミナの容器に入れて、ボックス炉で水分を除去するため100℃で予備加熱し、800℃2時間焼成を行った。
【0029】
[第2の工程の還元硫化]
その後、焼成物をアルミナのボートに入れて図1に示す方法で液体の二硫化炭素(和光製99%)中を通したAr流通下で1010℃、2時間熱処理し、還元硫化を行い、Eu添加BaSiSを作製した。Ar流量は、50ml/minで流量の制御はデジタルフローメータ(Kofloc製 Model8300)で行った。
【0030】
噴霧乾燥後の乾燥物、それを800℃で焼成した焼成物、還元硫化後硫化物のX線回折パターンの測定結果を図2の(a)、(b)、(c)に示す。図2(a)から乾燥物は硝酸Baであること、(b)から800℃で焼成した焼成物がBaSiOであること、(c)から還元硫化によってBaSiSが合成されたことが分かる。
【実施例2】
【0031】
実施例1と同じ方法で、第二工程の還元硫化の熱処理時間だけを2時間から4時間に変更しそのほかは同条件でEu添加BaSiS蛍光体を作製した。
【実施例3】
【0032】
実施例1と同じ方法で、Si源として水溶性珪素をフュームド(fumed)SiO(Sigma Aldrich製、粒径7nm)とし、Ba源として硝酸Baを酢酸Ba(和光製 99%)に変更した以外は同じ方法で、Eu添加BaSiS蛍光体を作製した。
【実施例4】
【0033】
実施例3と同じ方法で、第二工程の還元硫化温度(熱処理温度)1010℃を950℃にした以外は同じ方法で、Eu添加BaSiS蛍光体を作製した。
【0034】
ここで、実施例3の800℃で焼成した焼成物と実施例3と4で作製した硫化物のX線回折パターンの測定結果を図3に示す。
図3(a)から実施例3の800℃で焼成した焼成物はBaSiOとBaCOの混合物であること、図3(b)及び(c)からは、950℃で還元硫化するとBaSiSとBaSの混合物が合成されることが分かる。
【実施例5】
【0035】
実施例1で作製した水溶性珪素を10mmolと酢酸バリウム20mmolと酢酸ユーロピウム1mmolを純水30mlに定溶し、この水溶液を10分間室温で攪拌しEuを均一に含んだゲルを作製した。
次に、このゲルを凍結乾燥機で−30℃、1時間凍結し、真空ポンプで排気して0.00603気圧以下にする。その後−25℃、3時間保持、−20℃、5時間保持、−15℃、8時間保持、30℃、5時間保持と条件を変化させて乾燥させた。
【0036】
乾燥後直ちに乾燥物は、アルミナの容器に入れて、ボックス炉で水分を除去するため100℃で予備加熱し、800℃、2時間の条件にて焼成を行った。
その後、この焼成物を実施例1と同様にアルミナのボートに入れて図1に示す方法で液体の二硫化炭素(和光製99%)中を通したAr流通下で1010℃、2時間の熱処理し、還元硫化を行い、Eu添加BaSiSを作製した。Ar流量は、50ml/minで流量の制御はデジタルフローメータ(Kofloc製 Model8300)で行った。
【実施例6】
【0037】
第1の工程の焼成温度を1000℃にした以外は、実施例5と同様の方法で硫化物を作製した。
【実施例7】
【0038】
第2の工程の還元硫化温度を1050℃にした以外は、実施例5と同様の方法で硫化物を作製した。
【実施例8】
【0039】
第1の工程の焼成温度を1000℃、第2の工程の還元硫化温度を1050℃にした以外は、実施例5と同様の方法で硫化物を作製した。
【0040】
実施例5、6、7、8で作製した硫化物のX線回折パターンの測定結果を図4に示す。
図4(a)は実施例5、(b)は実施例6、(c)は実施例7、(d)は実施例8の結果である。
図4(a)、(c)、(d)からは、BaSiS相のみが出来ていることが分かる。一方、実施例6を示す図4(b)からは、BaSiSとBaSの混合物であることが分かる。
【0041】
次に、これらの硫化物の蛍光を測定し、実施例1の硫化物の測定結果を代表として、図5に示す。
図5で、左側のスペクトルが発光波長500nmにして励起光の波長を変えて測定した励起スペクトル、右側は励起波長340nmとした場合の発光スペクトルである。励起のピークは340nmであるが400nmにもサブピークが見られるために、励起波長400nm前後でも強度低下が少ない。
【0042】
[輝度の評価]
輝度を比較するため、実施例1〜4及び実施例7、実施例8の蛍光測定の結果を、青色蛍光体BaMgAl1017:Eu(BAM蛍光体:化成オプト製)と比較した。
BAM蛍光体では、波長340nmと420nmの励起光で励起し、発光波長450nmの蛍光強度を測定した。同様にEu添加BaSiS蛍光体も340nmと420nmの励起光で励起し、蛍光スペクトルの500nmの蛍光強度を求めた。その求めた強度をBAM蛍光体の強度で除した値を強度比として比較した。その結果を表1に示す。
【0043】
【表1】

【0044】
表1から明らかなように、硫化水素を用いることなく高輝度の希土類添加バリウムチオシリケート(BaSiS)蛍光体が作製でき、波長340nmの励起光において、BAMの積分強度の13%から64%の強度を有し、波長420nmの励起光において、BAMの積分強度の63%から325%の強度をもち十分な強度を有していることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【0045】
本発明の方法によれば、励起光が400nm程度の波長においては、実用的に十分な輝度を有しているため、波長400nm近傍の近紫外LEDで青色発光する蛍光体として利用可能である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
アルカリ土類金属、珪素、硫黄、及び蛍光を付与する希土類元素からなる希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法であって、
1)希土類元素が均一に分散したBaSiO、又は、2)希土類元素が均一に分散したBaSiO、希土類元素が均一に分散したBaCO、希土類元素が均一に分散したBa(NO及びSiOからなる混合物を合成する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた希土類元素が均一に分散したBaSiO、又は、前記混合物を、二硫化炭素を含む不活性ガス中で熱処理し、還元硫化する第2の工程とからなることを特徴とする希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法。
【請求項2】
前記第1の工程が、珪素化合物、バリウム塩、及び希土類塩を、水に溶解後、乾燥し、更に700〜800℃の温度による熱処理を施すことを特徴とする請求項1に記載の希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法。
【請求項3】
前記第2の工程が、前記第1の工程で得られた希土類元素が均一に分散したBaSiO、又は、前記混合物を、二硫化炭素を含んだ不活性ガス雰囲気下、900〜1090℃の温度による熱処理によって還元硫化することを特徴とする請求項1に記載の希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法。
【請求項4】
前記珪素化合物が、水溶性珪素、フュームド(fumed)SiOから選ばれる一種であることを特徴とする請求項2又は3に記載の希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法。
【請求項5】
前記希土類元素が、Eu(ユーロピウム)であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の希土類元素添加バリウムチオシリケート蛍光体の製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2010−215729(P2010−215729A)
【公開日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−61906(P2009−61906)
【出願日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【出願人】(000183303)住友金属鉱山株式会社 (2,015)
【出願人】(504157024)国立大学法人東北大学 (2,297)
【Fターム(参考)】