配線回路基板およびその製造方法
【課題】めっき用リード部が電気信号の波形に与える影響が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供する
【解決手段】サスペンション本体部１０上に、ベース絶縁層１１が形成される。ベース絶縁層１１上に、めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０が一体的に形成される。めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０を覆うように、ベース絶縁層１１上に、カバー絶縁層１３が形成される。ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分に複数の開口部１５が形成されている。この場合、複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒが小さくなる。
【解決手段】サスペンション本体部１０上に、ベース絶縁層１１が形成される。ベース絶縁層１１上に、めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０が一体的に形成される。めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０を覆うように、ベース絶縁層１１上に、カバー絶縁層１３が形成される。ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分に複数の開口部１５が形成されている。この場合、複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒが小さくなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の製造時には、基板上にサブトラクティブ法等により導体パターンが配線パターンとして形成される。また、導体パターンの一部に電解めっきを施すことにより接続端子が形成される。電解めっきを行うためには、導体パターンに給電を行う必要がある。そのため、導体パターンの形成時に、接続端子を形成すべき部分から基板上の一端部まで延びる給電用の配線部（以下、めっき用リード線と呼ぶ）が形成される。このめっき用リード線から導体パターンに給電が行われる。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、半導体装置に用いられるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる配線回路基板を製造する場合、サブトラクティブ法により形成された導体パターンのボンディングパッド上に電解ニッケルめっきおよび電解金めっきが施されることにより接続端子が形成される。
【０００４】
基板上のボンディングパッドから基板上の一端部まで延びるめっき用リード線を外部のめっき用電極と電気的に接続することにより給電を行う。そして、ボンディングパッド上に電解ニッケルめっきが行われた後、電解金めっきが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２８７０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記方法では、電解めっきが終了した後もめっき用リード線が不要な部分として配線回路基板上に残存する。配線回路基板の接続端子に他の電子回路が接続された状態で、導体パターンを電気信号が伝送される場合、上記のめっき用リード線は伝送線路から枝分かれしたスタブとなる。このようなスタブでは、特定の周波数で共振が起こる。それにより、電気信号の特定の周波数成分が減衰する。その結果、電気信号の波形が鈍る等の不都合が生じる場合がある。
【０００７】
めっき用リード線は電解めっきの終了後には不要である。そこで、電解めっきの終了後に、めっき用リード線を除去することも考えられる。しかしながら、めっき用リード線を除去する工程が必要となるため製造コストが増加する。
【０００８】
本発明の目的は、めっき用リード部が電気信号の波形に与える影響が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、配線パターンの一部に設けられる端子部と、配線パターンから延びるように形成されるめっき用リード部と、配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層とを備え、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも小さくなるように第１および第２の絶縁層の一方はめっき用リード部と重なりかつ他方はめっき用リード部の少なくとも一部と重ならないように設けられたものである。
【００１０】
その配線回路基板においては、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さく設定される。この状態で、配線パターンを通して電気信号が伝送される場合、めっき用リード部における共振周波数が高くなり、共振により減衰される信号成分の周波数が高くなる。それにより、めっき用リード部における共振による信号成分の減衰が電気信号の波形に与える影響を低減することができる。その結果、めっき用リード部を除去することなく電気信号の波形の歪みを低減することができる。
【００１１】
また、第１および第２の絶縁層の他方はめっき用リード部の少なくとも一部と重ならないように設けられるので、めっき用リード部に重なる領域に空間が形成される。空気（大気）の比誘電率は第１および第２の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
【００１２】
（２）第１および第２の絶縁層の他方は、１または複数の開口部が形成された低誘電率部を有し、低誘電率部は、めっき用リード部と重なるように設けられてもよい。
【００１３】
（３）めっき用リード部に重なる第１および第２の絶縁層の一方または他方の部分の厚さが配線パターンに重なる第１および第２の絶縁層の一方または他方の厚さよりも小さく設定されてもよい。
【００１４】
（４）低誘電率部に複数の開口部がメッシュ状に形成されてもよい。
【００１５】
（５）１または複数の開口部は、スリット上に設けられてもよい。
【００１６】
（６）１または複数の開口部内に第１および第２の絶縁層の他方よりも低い比誘電率を有する材料が充填されてもよい。
【００１７】
（７）第１および第２の絶縁層の他方はめっき用リード部と重ならないように形成されてもよい。
【００１８】
（８）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に、配線パターン、配線パターンの一部に設けられる端子部および配線パターンから延びるめっき用リード部を含む導体パターンを形成する工程と、端子部を除いて配線パターンおよびめっき用リード部を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、めっき用リード部を通して配線パターンに給電することにより配線パターンの一部にめっき層で被覆された端子部を形成する工程と、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さくなるようにめっき用リード部に重なる第１または第２の絶縁層の一方の部分に開口を形成する工程とを備えたものである。
【００１９】
その製造方法によれば、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さく設定される。この状態で、配線パターンを通して電気信号が伝送される場合、めっき用リード部における共振周波数が高くなり、共振により減衰される信号成分の周波数が高くなる。それにより、めっき用リード部における共振による信号成分の減衰が電気信号の波形に与える影響を低減することができる。その結果、めっき用リード部を除去することなく電気信号の波形の歪みを低減することができる。
【００２０】
また、めっき用リード部に重なる第１および第２の絶縁層の一方の部分に開口が形成されるので、めっき用リード部に重なる領域に空間が形成される。空気（大気）の比誘電率は第１および第２の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
【００２１】
（９）製造方法は、めっき用リード部に重なる第１および第２の絶縁層の一方の部分に形成された開口内に第１または第２の絶縁層よりも低い比誘電率を有する材料を充填する工程をさらに備えてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、めっき用リード部における共振周波数が高くなり、共振により減衰される信号成分の周波数が高くなる。それにより、めっき用リード部における共振による信号成分が電気信号の波形に与える影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】サスペンション基板の上面図である。
【図２】めっき用リード線およびその周辺部分の模式的縦断面図である。
【図３】めっき用リード線およびその周辺部分の模式的縦断面図である。
【図４】サスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図５】サスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図６】サスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図７】ＦＰＣ基板の模式的断面図である。
【図８】サスペンション基板の電極パッドとＦＰＣ基板の端子部との接続状態を示す模式的断面図である。
【図９】サスペンション基板の配線パターンとＦＰＣ基板の配線パターンの間において、差動モード入力および差動モード出力（Ｓｄｄ２１）での損失をシミュレーションにより算出した結果を示す図である。
【図１０】第１の実施の形態に係るサスペンション基板の断面図である。
【図１１】第２の実施の形態に係るサスペンション基板の断面図である。
【図１２】第３の実施の形態に係るサスペンション基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の参考形態および実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下の参考形態および実施の形態においては、配線回路基板の一例として、ハードディスクの読み取りおよび書き込みに用いられるサスペンション基板について説明する。
【００２５】
（１）参考形態
（１−１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の参考形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。サスペンション本体部１０上には、複数の配線パターン２０が形成されている。各配線パターンの一端部および他端部には、電極パッド２３，３０がそれぞれ設けられている。
【００２６】
サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部２１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部に複数の電極パッド２３が形成されている。
【００２７】
タング部１２上に、ハードディスクに対して読み取りおよび書き込みを行う磁気ヘッドが実装される。磁気ヘッドの端子部は、複数の電極パッド２３にそれぞれ接続される。
【００２８】
サスペンション本体部１０の他端部に複数の電極パッド３０が形成されている。また、複数の電極パッド３０から配線パターン２０と逆側に延びるように複数のめっき用リード線Ｓが形成されている。
【００２９】
製造時には、金属製の支持基板５０に複数のサスペンション基板１が同時に形成された後、各サスペンション基板１が支持基板５０の他の領域から分離される。この場合、サスペンション本体部１０は支持基板５０の一部分からなる。
【００３０】
各サスペンション基板１の複数のめっき用リード線Ｓは、各サスペンション基板１の外側の支持基板５０上の領域まで延び、給電端子に接続されている。各サスペンション基板１が完成した後、一点鎖線Ｚ１において各サスペンション本体部１０が支持基板５０の他の領域から分離される。
【００３１】
図２および図３は、めっき用リード線Ｓおよびその周辺部分の模式的縦断面図である。なお、図２には、めっき用リード線Ｓに垂直な方向における断面が示され、図３には、めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０に沿った方向における断面が示される。
【００３２】
図２および図３に示すように、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなるサスペンション本体部１０上に、例えばポリイミドからなるベース絶縁層１１が形成される。
【００３３】
ベース絶縁層１１上に、例えば銅からなる複数のめっき用リード線Ｓ（配線パターン２０）が互いに所定距離を隔てて形成される。なお、図３に示すように、各配線パターン２０と各めっき用リード線Ｓとは互いに一体的に形成される。
【００３４】
複数のめっき用リード線Ｓおよび複数の配線パターン２０を覆うように、ベース絶縁層１１上に、例えばポリイミドからなるカバー絶縁層１３が形成される。複数のめっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みは、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定される。
【００３５】
図３に示すように、各配線パターン２０の電極パッド３０上におけるカバー絶縁層１３の部分には、各電極パッド３０の上面に達する孔部１４が形成される。孔部１４を埋めるように、例えば金からなるめっき層３０ａが形成される。
【００３６】
（１−２）サスペンション基板の製造方法
以下、参考形態に係るサスペンション基板１の製造方法について説明する。ここでは、図１のタング部１２、複数の電極パッド２３および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。
【００３７】
図４〜図６は、本発明の参考形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す模式的工程断面図である。なお、図４には、図２と同じ箇所の断面における製造工程が示され、図５および図６には、図３と同じ箇所の断面における製造工程が示される。
【００３８】
最初に、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる支持基板５０を用意する。次に、図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、支持基板５０上に、例えばポリイミドからなるベース絶縁層１１を形成する。
【００３９】
支持基板５０の材料としては、ステンレス鋼に代えてアルミニウム等の他の材料を用いてもよい。支持基板５０の厚みは、５μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることがより好ましい。
【００４０】
ベース絶縁層１１の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。ベース絶縁層１１の厚みは、５μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることがより好ましい。
【００４１】
次に、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１１上に例えば銅からなる複数の配線パターン２０および複数のめっき用リード線Ｓを形成する。この場合、各配線パターン２０の端部に電極パッド３０が設けられ、各電極パッド３０から配線パターン２０と逆側に延びるようにめっき用リード線Ｓが設けられる。
【００４２】
配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓは、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの材料としては、銅に代えて金、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００４３】
配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの厚みは、例えば４μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの幅は、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。
【００４４】
次に、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、複数の配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓを覆うように、ベース絶縁層１１上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層１３を形成する。カバー絶縁層１３の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の材料を用いてもよい。
【００４５】
次に、図４（ｄ）および図５（ｄ）に示すように、複数のめっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の上面をエッチングすることにより、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さくする。
【００４６】
エッチング深さは、エッチングを行わないカバー絶縁層１３の部分の厚みの７０％以下であることが好ましく、５０％以下であることがより好ましい。ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みは、１μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【００４７】
なお、エッチングの代わりに、階調露光技術またはレーザ加工によりベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを小さくしてもよい。
【００４８】
なお、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを小さくする代わりに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１の厚みを小さくしてもよい。
【００４９】
次に、図５（ｅ）に示すように、例えばエッチングまたはレーザ加工により、各配線パターン２０の電極パッド３０上におけるカバー絶縁層１３の部分に、電極パッド３０の上面に達する孔部１４を形成する。
【００５０】
次に、図６に示すように、電解めっきにより、孔部１４を埋めるように例えば金からな
るめっき層３０ａを形成する。この場合、めっき用リード線Ｓを通して、電解めっきのための給電が行われる。めっき層３０ａが形成された後、一点鎖線Ｚ１において、支持基板５０、ベース絶縁層１１、めっき用リード線Ｓおよびカバー絶縁層１３を切断する。それにより、サスペンション本体部１０を有するサスペンション基板１が完成する。
【００５１】
（１−３）サスペンション基板とＦＰＣ基板との接合
サスペンション基板１の複数の電極パッド３０は、他の配線回路基板（例えばフレキシブル配線回路基板）の端子部と接合される。以下、サスペンション基板１の電極パッド３０とフレキシブル配線回路基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ）の端子部との接合例について説明する。
【００５２】
図７は、ＦＰＣ基板の模式的断面図であり、図８は、サスペンション基板１の電極パッド３０とＦＰＣ基板の端子部との接続状態を示す模式的断面図である。なお、図８においては、図７のＦＰＣ基板の上下が逆に示される。
【００５３】
図７に示すように、ＦＰＣ基板１００ａは、例えばポリイミドからなるベース絶縁層４１を備える。ベース絶縁層４１上に、例えば銅からなる複数の配線パターン４２が形成される。なお、図７および図８には、１つの配線パターン４２のみが示される。
【００５４】
各配線パターン４２の端部に、端子部４５が形成される。複数の配線パターン４２を覆うように、ベース絶縁層４１上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層４３が形成される。各配線パターン４２の端子部４５上におけるカバー絶縁層４３の部分には、孔部４４が形成される。各孔部４４を埋めるように、例えば金からなるめっき層４５ａが形成される。
【００５５】
図８に示すように、サスペンション基板１の電極パッド３０とＦＰＣ基板１００ａの端子部４５とが互いに接触するようにサスペンション基板１およびＦＰＣ基板１００ａが配置され、例えば超音波または半田を用いて電極パッド３０と端子部４５（めっき層４５ａ）とが互いに接合される。
【００５６】
（１−４）めっき用リード線Ｓによる周波数成分の減衰
ここで、サスペンション基板１とＦＰＣ基板１００ａとの間で電気信号が伝送される際のめっき用リード線Ｓによる周波数成分の減衰について説明する。
【００５７】
サスペンション基板１の配線パターン２０およびＦＰＣ基板１００ａの配線パターン４２を電気信号が伝送される場合、配線パターン２０および配線パターン４２が伝送経路となり、めっき用リード線Ｓは伝送経路から枝分かれするスタブとなる。
【００５８】
この場合、スタブにおいて特定の周波数で共振が起こる。それにより、伝送経路を伝送する電気信号の共振周波数の成分が減衰する。
【００５９】
デジタル信号には複数の周波数成分が含まれる。例えば、矩形波からなるデジタル信号の周波数をｆとすると、そのデジタル信号には周波数ｆの整数倍の複数の周波数成分が含まれる。そのため、デジタル信号に含まれる特定の周波数成分が減衰すると、デジタル信号の波形が鈍り、立上がりエッジおよび立下がりエッジの傾きが穏やかになる。
【００６０】
ここで、サスペンション基板１の配線パターン２０およびＦＰＣ基板１００ａの配線パターン４２を電気信号が伝送する場合におけるめっき用リード線Ｓの有無による電気信号の透過性の違いをシミュレーションにより求めた。
【００６１】
図９は、めっき用リード線Ｓがある場合およびない場合の電気信号の透過特性のシミュレーション結果を示す図である。
【００６２】
縦軸は、差動モード入力および差動モード出力（Ｓｄｄ２１）での減衰量を示し、横軸は周波数を示す。
【００６３】
図９において、サスペンション基板１にめっき用リード線Ｓが形成されている
場合の電気信号の透過特性が実線で示され、めっき用リード線Ｓが形成されていない場合の電気信号の透過特性が点線で示される。
【００６４】
図９に示すように、めっき用リード線Ｓが形成されていない場合は、全周波数領域でほとんど減衰が生じない。一方、めっき用リード線Ｓが形成されている場合、特定の周波数領域（共振周波数領域）で大きな減衰が生じる。
【００６５】
ここで、めっき用リード線Ｓの長さをＬとし、波長をλとすると、Ｌ＝λ／４を満たす周波数で共振が起こる。共振周波数をｆｒとし、電気信号の伝送速度をｖとすると、めっき用リード線Ｓによる共振周波数ｆｒは次式（１）で表される。
【００６６】
ｆｒ＝ｖ／（４Ｌ）・・・（１）
めっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率をεｒとすると、電気信号の伝送速度ｖは、次式（２）で表される。ここで、実効比誘電率εｒは、めっき用リード線Ｓの周囲の要素（例えば、ベース絶縁層１１、カバー絶縁層１３および大気を含む）の比誘電率の合成値である。
【００６７】
ｖ＝３×１０８／（√εｒ）・・・（２）
式（１）および式（２）から次式（３）が導かれる。
【００６８】
ｆｒ＝３×１０８／（４Ｌ√εｒ）・・・（３）
式（３）からわかるように、実効比誘電率εｒを小さくすることにより、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数ｆｒを高くすることができる。それにより、めっき用リード線Ｓの共振周波数ｆｒを、電気信号の波形に与える影響が小さい値に設定することが可能となる。
【００６９】
（１−５）参考形態の効果
本参考形態に係るサスペンション基板１においては、複数のめっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の厚みよりも小さく設定される。それにより、複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒが小さくなり、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数が高くなる。したがって、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。
【００７０】
（２）第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板について、上記参考形態と異なる点を説明する。
【００７１】
図１０は、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１ａの断面図である。図１０に示すように、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１ａにおいては、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みがベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の厚みよりも小さく設定される代わりに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分に複数の開口部１５が形成されている。例えば、メッシュ状に複数の開口部１５が形成されてもよく、スリット状に複数の開口部１５が形成されてもよい。
【００７２】
ここで、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１とは、ベース絶縁層１１上のめっき用リード線Ｓが形成された部分の領域をいう。
【００７３】
サスペンション基板１ａの製造時には、上記参考形態における図４（ｃ）および図５（ｃ）の工程の後、例えばエッチングにより、カバー絶縁層１３に複数の開口部１５を形成する。なお、フォトリソグラフィー技術またはレーザを用いてカバー絶縁層１３に複数の開口部１５を形成してもよい。めっき用リード線Ｓに重なる開口部１５の部分の面積の合計は、めっき用リード線Ｓに接するベース絶縁層１１の部分の面積の３割以上であることが好ましく、５割以上であることがより好ましい。
【００７４】
この場合も、上記参考形態と同様に複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒが小さくなり、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数が高くなる。したがって、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。
【００７５】
なお、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１に複数の開口部１５を形成してもよい。
【００７６】
（３）第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態に係るサスペンション基板１ｂについて、上記参考形態と異なる点を説明する。
【００７７】
図１１は、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１ｂの断面図である。図１１に示すように、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１ｂにおいては、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上にカバー絶縁層１３が形成されない。
【００７８】
サスペンション基板１ｂの製造時には、上記参考形態における図４（ｃ）および図５（ｃ）の工程の後、例えばエッチングにより、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分を取り除く。
【００７９】
この場合、上記参考形態および第１の実施の形態に比べて複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒがより小さくなり、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数がより高くなる。したがって、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響がより小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが十分に抑制される。
【００８０】
なお、カバー絶縁層１３の部分を取り除く代わりにベース絶縁層１１の領域Ｒ１を取り除いてもよい。
【００８１】
（４）第３の実施の形態
本発明の第３の実施の形態に係るサスペンション基板１ｃについて、上記第１の実施の形態と異なる点を説明する。
【００８２】
図１２は、第３の実施の形態に係るサスペンション基板１ｃの断面図である。図１２に示すように、第３の実施の形態に係るサスペンション基板１ｃにおいては、カバー絶縁層１３の開口部１５内にカバー絶縁層１３よりも低い誘電率を有する誘電体１６が充填されている。誘電体１６としては、例えば、複数の気孔を有する多孔体状の誘電材料（例えば、ポリイミド）が用いられる。
【００８３】
この場合、複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒが小さくなり、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数が高くなる。したがって、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。また、めっき用リード線Ｓが露出しないので、めっき用リード線Ｓの腐食が防止される。
【００８４】
なお、ベース絶縁層１１に開口部１５を形成した後、開口部１５内部に誘電体１６を充填してもよい。
【００８５】
（５）他の実施の形態
上記参考形態および第１〜第３の実施の形態の構成が組み合わされてもよい。例えば、複数のめっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分に複数の開口部１５が形成されてもよい。また、その開口部１５内にカバー絶縁層１３よりも低い誘電率を有する誘電体１６が充填されてもよい。
【００８６】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１に複数の開口部１５が形成されてもよい。また、その開口部１５内にベース絶縁層１１よりも低い誘電率を有する誘電体１６が充填されてもよい。
【００８７】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１が取り除かれてもよい。
【００８８】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分に複数の開口部１５が形成されてもよい。また、その開口部１５内にカバー絶縁層１３よりも低い誘電率を有する誘電体１６が充填されてもよい。
【００８９】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分が取り除かれてもよい。
【００９０】
（６）参考例および比較例
（６−１）参考例
次の条件で上記参考形態のサスペンション基板１を作製した。
【００９１】
サスペンション本体部１０（支持基板５０）の材料としてステンレス鋼を用い、ベース絶縁層１１の材料としてポリイミドを用い、配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの材料として銅を用い、カバー絶縁層１３の材料としてポリイミドを用い、めっき層３０ａの材料として金を用いた。
【００９２】
また、サスペンション本体部１０（支持基板５０）の厚さを１８μｍとし、ベース絶縁層１１の厚さを１０μｍとし、配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの厚さを１２
μｍとし、配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの幅を３５μｍとし、めっき用リード線Ｓの長さを９μｍとした。
【００９３】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを３μｍとし、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを６μｍとした。
【００９４】
（６−２）比較例
カバー絶縁層１３の厚みを均一に６μｍとした点を除いて上記参考例と同様にサスペンション基板１を形成した。
【００９５】
（６−３）評価
図８に示したように、参考例および比較例のサスペンション基板１の電極パッド３０とＦＰＣ基板１００ａの端子部４５とを接合し、サスペンション基板１の配線パターン２０からＦＰＣ基板１００ａの配線パターン４２に電気信号を伝送した。
【００９６】
参考例においては、電気信号の波形の鈍りがほとんど生じなかった。一方、比較例においては、電気信号の波形に鈍りが生じた。
【００９７】
これにより、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上のカバー絶縁層１３の部分の厚みをベース絶縁層１１の他の領域上のカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも薄く形成することにより、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。
【００９８】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００９９】
上記実施の形態においては、ベース絶縁層１１が第１の絶縁層の例であり、配線パターン２０が配線パターンの例であり、電極パッド３０が端子部の例であり、めっき用リード線Ｓがめっき用リード部の例であり、カバー絶縁層１３が第２の絶縁層の例であり、サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、開口部１５が開口部の例である。また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分が低誘電率部の例である。
【０１００】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は種々の配線回路基板に有効に利用できる。
【符号の説明】
【０１０２】
１ サスペンション基板
１０ サスペンション本体部
１１ ベース絶縁層
１２ タング部
１３ カバー絶縁層
１４，Ｈ 孔部
１４ａ 電解めっき
１４ｂ 接続端子
１５，２１ 開口部
１６ 誘電体
２０ 配線パターン
２３，３０ 電極パッド
３０ａ，４５ａ めっき層
５０ 支持基板
１００ａ ＦＰＣ基板
Ｓ めっき用リード線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の製造時には、基板上にサブトラクティブ法等により導体パターンが配線パターンとして形成される。また、導体パターンの一部に電解めっきを施すことにより接続端子が形成される。電解めっきを行うためには、導体パターンに給電を行う必要がある。そのため、導体パターンの形成時に、接続端子を形成すべき部分から基板上の一端部まで延びる給電用の配線部（以下、めっき用リード線と呼ぶ）が形成される。このめっき用リード線から導体パターンに給電が行われる。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、半導体装置に用いられるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれる配線回路基板を製造する場合、サブトラクティブ法により形成された導体パターンのボンディングパッド上に電解ニッケルめっきおよび電解金めっきが施されることにより接続端子が形成される。
【０００４】
基板上のボンディングパッドから基板上の一端部まで延びるめっき用リード線を外部のめっき用電極と電気的に接続することにより給電を行う。そして、ボンディングパッド上に電解ニッケルめっきが行われた後、電解金めっきが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２８７０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記方法では、電解めっきが終了した後もめっき用リード線が不要な部分として配線回路基板上に残存する。配線回路基板の接続端子に他の電子回路が接続された状態で、導体パターンを電気信号が伝送される場合、上記のめっき用リード線は伝送線路から枝分かれしたスタブとなる。このようなスタブでは、特定の周波数で共振が起こる。それにより、電気信号の特定の周波数成分が減衰する。その結果、電気信号の波形が鈍る等の不都合が生じる場合がある。
【０００７】
めっき用リード線は電解めっきの終了後には不要である。そこで、電解めっきの終了後に、めっき用リード線を除去することも考えられる。しかしながら、めっき用リード線を除去する工程が必要となるため製造コストが増加する。
【０００８】
本発明の目的は、めっき用リード部が電気信号の波形に与える影響が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、配線パターンの一部に設けられる端子部と、配線パターンから延びるように形成されるめっき用リード部と、配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層とを備え、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも小さくなるように第１および第２の絶縁層の一方はめっき用リード部と重なりかつ他方はめっき用リード部の少なくとも一部と重ならないように設けられたものである。
【００１０】
その配線回路基板においては、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さく設定される。この状態で、配線パターンを通して電気信号が伝送される場合、めっき用リード部における共振周波数が高くなり、共振により減衰される信号成分の周波数が高くなる。それにより、めっき用リード部における共振による信号成分の減衰が電気信号の波形に与える影響を低減することができる。その結果、めっき用リード部を除去することなく電気信号の波形の歪みを低減することができる。
【００１１】
また、第１および第２の絶縁層の他方はめっき用リード部の少なくとも一部と重ならないように設けられるので、めっき用リード部に重なる領域に空間が形成される。空気（大気）の比誘電率は第１および第２の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
【００１２】
（２）第１および第２の絶縁層の他方は、１または複数の開口部が形成された低誘電率部を有し、低誘電率部は、めっき用リード部と重なるように設けられてもよい。
【００１３】
（３）めっき用リード部に重なる第１および第２の絶縁層の一方または他方の部分の厚さが配線パターンに重なる第１および第２の絶縁層の一方または他方の厚さよりも小さく設定されてもよい。
【００１４】
（４）低誘電率部に複数の開口部がメッシュ状に形成されてもよい。
【００１５】
（５）１または複数の開口部は、スリット上に設けられてもよい。
【００１６】
（６）１または複数の開口部内に第１および第２の絶縁層の他方よりも低い比誘電率を有する材料が充填されてもよい。
【００１７】
（７）第１および第２の絶縁層の他方はめっき用リード部と重ならないように形成されてもよい。
【００１８】
（８）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に、配線パターン、配線パターンの一部に設けられる端子部および配線パターンから延びるめっき用リード部を含む導体パターンを形成する工程と、端子部を除いて配線パターンおよびめっき用リード部を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、めっき用リード部を通して配線パターンに給電することにより配線パターンの一部にめっき層で被覆された端子部を形成する工程と、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さくなるようにめっき用リード部に重なる第１または第２の絶縁層の一方の部分に開口を形成する工程とを備えたものである。
【００１９】
その製造方法によれば、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さく設定される。この状態で、配線パターンを通して電気信号が伝送される場合、めっき用リード部における共振周波数が高くなり、共振により減衰される信号成分の周波数が高くなる。それにより、めっき用リード部における共振による信号成分の減衰が電気信号の波形に与える影響を低減することができる。その結果、めっき用リード部を除去することなく電気信号の波形の歪みを低減することができる。
【００２０】
また、めっき用リード部に重なる第１および第２の絶縁層の一方の部分に開口が形成されるので、めっき用リード部に重なる領域に空間が形成される。空気（大気）の比誘電率は第１および第２の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
【００２１】
（９）製造方法は、めっき用リード部に重なる第１および第２の絶縁層の一方の部分に形成された開口内に第１または第２の絶縁層よりも低い比誘電率を有する材料を充填する工程をさらに備えてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、めっき用リード部における共振周波数が高くなり、共振により減衰される信号成分の周波数が高くなる。それにより、めっき用リード部における共振による信号成分が電気信号の波形に与える影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】サスペンション基板の上面図である。
【図２】めっき用リード線およびその周辺部分の模式的縦断面図である。
【図３】めっき用リード線およびその周辺部分の模式的縦断面図である。
【図４】サスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図５】サスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図６】サスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図７】ＦＰＣ基板の模式的断面図である。
【図８】サスペンション基板の電極パッドとＦＰＣ基板の端子部との接続状態を示す模式的断面図である。
【図９】サスペンション基板の配線パターンとＦＰＣ基板の配線パターンの間において、差動モード入力および差動モード出力（Ｓｄｄ２１）での損失をシミュレーションにより算出した結果を示す図である。
【図１０】第１の実施の形態に係るサスペンション基板の断面図である。
【図１１】第２の実施の形態に係るサスペンション基板の断面図である。
【図１２】第３の実施の形態に係るサスペンション基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の参考形態および実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下の参考形態および実施の形態においては、配線回路基板の一例として、ハードディスクの読み取りおよび書き込みに用いられるサスペンション基板について説明する。
【００２５】
（１）参考形態
（１−１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の参考形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。サスペンション本体部１０上には、複数の配線パターン２０が形成されている。各配線パターンの一端部および他端部には、電極パッド２３，３０がそれぞれ設けられている。
【００２６】
サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部２１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部に複数の電極パッド２３が形成されている。
【００２７】
タング部１２上に、ハードディスクに対して読み取りおよび書き込みを行う磁気ヘッドが実装される。磁気ヘッドの端子部は、複数の電極パッド２３にそれぞれ接続される。
【００２８】
サスペンション本体部１０の他端部に複数の電極パッド３０が形成されている。また、複数の電極パッド３０から配線パターン２０と逆側に延びるように複数のめっき用リード線Ｓが形成されている。
【００２９】
製造時には、金属製の支持基板５０に複数のサスペンション基板１が同時に形成された後、各サスペンション基板１が支持基板５０の他の領域から分離される。この場合、サスペンション本体部１０は支持基板５０の一部分からなる。
【００３０】
各サスペンション基板１の複数のめっき用リード線Ｓは、各サスペンション基板１の外側の支持基板５０上の領域まで延び、給電端子に接続されている。各サスペンション基板１が完成した後、一点鎖線Ｚ１において各サスペンション本体部１０が支持基板５０の他の領域から分離される。
【００３１】
図２および図３は、めっき用リード線Ｓおよびその周辺部分の模式的縦断面図である。なお、図２には、めっき用リード線Ｓに垂直な方向における断面が示され、図３には、めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０に沿った方向における断面が示される。
【００３２】
図２および図３に示すように、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなるサスペンション本体部１０上に、例えばポリイミドからなるベース絶縁層１１が形成される。
【００３３】
ベース絶縁層１１上に、例えば銅からなる複数のめっき用リード線Ｓ（配線パターン２０）が互いに所定距離を隔てて形成される。なお、図３に示すように、各配線パターン２０と各めっき用リード線Ｓとは互いに一体的に形成される。
【００３４】
複数のめっき用リード線Ｓおよび複数の配線パターン２０を覆うように、ベース絶縁層１１上に、例えばポリイミドからなるカバー絶縁層１３が形成される。複数のめっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みは、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定される。
【００３５】
図３に示すように、各配線パターン２０の電極パッド３０上におけるカバー絶縁層１３の部分には、各電極パッド３０の上面に達する孔部１４が形成される。孔部１４を埋めるように、例えば金からなるめっき層３０ａが形成される。
【００３６】
（１−２）サスペンション基板の製造方法
以下、参考形態に係るサスペンション基板１の製造方法について説明する。ここでは、図１のタング部１２、複数の電極パッド２３および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。
【００３７】
図４〜図６は、本発明の参考形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す模式的工程断面図である。なお、図４には、図２と同じ箇所の断面における製造工程が示され、図５および図６には、図３と同じ箇所の断面における製造工程が示される。
【００３８】
最初に、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる支持基板５０を用意する。次に、図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、支持基板５０上に、例えばポリイミドからなるベース絶縁層１１を形成する。
【００３９】
支持基板５０の材料としては、ステンレス鋼に代えてアルミニウム等の他の材料を用いてもよい。支持基板５０の厚みは、５μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることがより好ましい。
【００４０】
ベース絶縁層１１の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。ベース絶縁層１１の厚みは、５μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることがより好ましい。
【００４１】
次に、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１１上に例えば銅からなる複数の配線パターン２０および複数のめっき用リード線Ｓを形成する。この場合、各配線パターン２０の端部に電極パッド３０が設けられ、各電極パッド３０から配線パターン２０と逆側に延びるようにめっき用リード線Ｓが設けられる。
【００４２】
配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓは、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの材料としては、銅に代えて金、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００４３】
配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの厚みは、例えば４μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの幅は、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。
【００４４】
次に、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、複数の配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓを覆うように、ベース絶縁層１１上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層１３を形成する。カバー絶縁層１３の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の材料を用いてもよい。
【００４５】
次に、図４（ｄ）および図５（ｄ）に示すように、複数のめっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の上面をエッチングすることにより、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さくする。
【００４６】
エッチング深さは、エッチングを行わないカバー絶縁層１３の部分の厚みの７０％以下であることが好ましく、５０％以下であることがより好ましい。ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みは、１μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【００４７】
なお、エッチングの代わりに、階調露光技術またはレーザ加工によりベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを小さくしてもよい。
【００４８】
なお、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを小さくする代わりに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１の厚みを小さくしてもよい。
【００４９】
次に、図５（ｅ）に示すように、例えばエッチングまたはレーザ加工により、各配線パターン２０の電極パッド３０上におけるカバー絶縁層１３の部分に、電極パッド３０の上面に達する孔部１４を形成する。
【００５０】
次に、図６に示すように、電解めっきにより、孔部１４を埋めるように例えば金からな
るめっき層３０ａを形成する。この場合、めっき用リード線Ｓを通して、電解めっきのための給電が行われる。めっき層３０ａが形成された後、一点鎖線Ｚ１において、支持基板５０、ベース絶縁層１１、めっき用リード線Ｓおよびカバー絶縁層１３を切断する。それにより、サスペンション本体部１０を有するサスペンション基板１が完成する。
【００５１】
（１−３）サスペンション基板とＦＰＣ基板との接合
サスペンション基板１の複数の電極パッド３０は、他の配線回路基板（例えばフレキシブル配線回路基板）の端子部と接合される。以下、サスペンション基板１の電極パッド３０とフレキシブル配線回路基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ）の端子部との接合例について説明する。
【００５２】
図７は、ＦＰＣ基板の模式的断面図であり、図８は、サスペンション基板１の電極パッド３０とＦＰＣ基板の端子部との接続状態を示す模式的断面図である。なお、図８においては、図７のＦＰＣ基板の上下が逆に示される。
【００５３】
図７に示すように、ＦＰＣ基板１００ａは、例えばポリイミドからなるベース絶縁層４１を備える。ベース絶縁層４１上に、例えば銅からなる複数の配線パターン４２が形成される。なお、図７および図８には、１つの配線パターン４２のみが示される。
【００５４】
各配線パターン４２の端部に、端子部４５が形成される。複数の配線パターン４２を覆うように、ベース絶縁層４１上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層４３が形成される。各配線パターン４２の端子部４５上におけるカバー絶縁層４３の部分には、孔部４４が形成される。各孔部４４を埋めるように、例えば金からなるめっき層４５ａが形成される。
【００５５】
図８に示すように、サスペンション基板１の電極パッド３０とＦＰＣ基板１００ａの端子部４５とが互いに接触するようにサスペンション基板１およびＦＰＣ基板１００ａが配置され、例えば超音波または半田を用いて電極パッド３０と端子部４５（めっき層４５ａ）とが互いに接合される。
【００５６】
（１−４）めっき用リード線Ｓによる周波数成分の減衰
ここで、サスペンション基板１とＦＰＣ基板１００ａとの間で電気信号が伝送される際のめっき用リード線Ｓによる周波数成分の減衰について説明する。
【００５７】
サスペンション基板１の配線パターン２０およびＦＰＣ基板１００ａの配線パターン４２を電気信号が伝送される場合、配線パターン２０および配線パターン４２が伝送経路となり、めっき用リード線Ｓは伝送経路から枝分かれするスタブとなる。
【００５８】
この場合、スタブにおいて特定の周波数で共振が起こる。それにより、伝送経路を伝送する電気信号の共振周波数の成分が減衰する。
【００５９】
デジタル信号には複数の周波数成分が含まれる。例えば、矩形波からなるデジタル信号の周波数をｆとすると、そのデジタル信号には周波数ｆの整数倍の複数の周波数成分が含まれる。そのため、デジタル信号に含まれる特定の周波数成分が減衰すると、デジタル信号の波形が鈍り、立上がりエッジおよび立下がりエッジの傾きが穏やかになる。
【００６０】
ここで、サスペンション基板１の配線パターン２０およびＦＰＣ基板１００ａの配線パターン４２を電気信号が伝送する場合におけるめっき用リード線Ｓの有無による電気信号の透過性の違いをシミュレーションにより求めた。
【００６１】
図９は、めっき用リード線Ｓがある場合およびない場合の電気信号の透過特性のシミュレーション結果を示す図である。
【００６２】
縦軸は、差動モード入力および差動モード出力（Ｓｄｄ２１）での減衰量を示し、横軸は周波数を示す。
【００６３】
図９において、サスペンション基板１にめっき用リード線Ｓが形成されている
場合の電気信号の透過特性が実線で示され、めっき用リード線Ｓが形成されていない場合の電気信号の透過特性が点線で示される。
【００６４】
図９に示すように、めっき用リード線Ｓが形成されていない場合は、全周波数領域でほとんど減衰が生じない。一方、めっき用リード線Ｓが形成されている場合、特定の周波数領域（共振周波数領域）で大きな減衰が生じる。
【００６５】
ここで、めっき用リード線Ｓの長さをＬとし、波長をλとすると、Ｌ＝λ／４を満たす周波数で共振が起こる。共振周波数をｆｒとし、電気信号の伝送速度をｖとすると、めっき用リード線Ｓによる共振周波数ｆｒは次式（１）で表される。
【００６６】
ｆｒ＝ｖ／（４Ｌ）・・・（１）
めっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率をεｒとすると、電気信号の伝送速度ｖは、次式（２）で表される。ここで、実効比誘電率εｒは、めっき用リード線Ｓの周囲の要素（例えば、ベース絶縁層１１、カバー絶縁層１３および大気を含む）の比誘電率の合成値である。
【００６７】
ｖ＝３×１０８／（√εｒ）・・・（２）
式（１）および式（２）から次式（３）が導かれる。
【００６８】
ｆｒ＝３×１０８／（４Ｌ√εｒ）・・・（３）
式（３）からわかるように、実効比誘電率εｒを小さくすることにより、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数ｆｒを高くすることができる。それにより、めっき用リード線Ｓの共振周波数ｆｒを、電気信号の波形に与える影響が小さい値に設定することが可能となる。
【００６９】
（１−５）参考形態の効果
本参考形態に係るサスペンション基板１においては、複数のめっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の厚みよりも小さく設定される。それにより、複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒが小さくなり、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数が高くなる。したがって、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。
【００７０】
（２）第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板について、上記参考形態と異なる点を説明する。
【００７１】
図１０は、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１ａの断面図である。図１０に示すように、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１ａにおいては、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みがベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の厚みよりも小さく設定される代わりに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分に複数の開口部１５が形成されている。例えば、メッシュ状に複数の開口部１５が形成されてもよく、スリット状に複数の開口部１５が形成されてもよい。
【００７２】
ここで、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１とは、ベース絶縁層１１上のめっき用リード線Ｓが形成された部分の領域をいう。
【００７３】
サスペンション基板１ａの製造時には、上記参考形態における図４（ｃ）および図５（ｃ）の工程の後、例えばエッチングにより、カバー絶縁層１３に複数の開口部１５を形成する。なお、フォトリソグラフィー技術またはレーザを用いてカバー絶縁層１３に複数の開口部１５を形成してもよい。めっき用リード線Ｓに重なる開口部１５の部分の面積の合計は、めっき用リード線Ｓに接するベース絶縁層１１の部分の面積の３割以上であることが好ましく、５割以上であることがより好ましい。
【００７４】
この場合も、上記参考形態と同様に複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒが小さくなり、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数が高くなる。したがって、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。
【００７５】
なお、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１に複数の開口部１５を形成してもよい。
【００７６】
（３）第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態に係るサスペンション基板１ｂについて、上記参考形態と異なる点を説明する。
【００７７】
図１１は、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１ｂの断面図である。図１１に示すように、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１ｂにおいては、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上にカバー絶縁層１３が形成されない。
【００７８】
サスペンション基板１ｂの製造時には、上記参考形態における図４（ｃ）および図５（ｃ）の工程の後、例えばエッチングにより、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分を取り除く。
【００７９】
この場合、上記参考形態および第１の実施の形態に比べて複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒがより小さくなり、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数がより高くなる。したがって、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響がより小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが十分に抑制される。
【００８０】
なお、カバー絶縁層１３の部分を取り除く代わりにベース絶縁層１１の領域Ｒ１を取り除いてもよい。
【００８１】
（４）第３の実施の形態
本発明の第３の実施の形態に係るサスペンション基板１ｃについて、上記第１の実施の形態と異なる点を説明する。
【００８２】
図１２は、第３の実施の形態に係るサスペンション基板１ｃの断面図である。図１２に示すように、第３の実施の形態に係るサスペンション基板１ｃにおいては、カバー絶縁層１３の開口部１５内にカバー絶縁層１３よりも低い誘電率を有する誘電体１６が充填されている。誘電体１６としては、例えば、複数の気孔を有する多孔体状の誘電材料（例えば、ポリイミド）が用いられる。
【００８３】
この場合、複数のめっき用リード線Ｓの周囲の実効比誘電率εｒが小さくなり、めっき用リード線Ｓにおける電気信号の共振周波数が高くなる。したがって、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。また、めっき用リード線Ｓが露出しないので、めっき用リード線Ｓの腐食が防止される。
【００８４】
なお、ベース絶縁層１１に開口部１５を形成した後、開口部１５内部に誘電体１６を充填してもよい。
【００８５】
（５）他の実施の形態
上記参考形態および第１〜第３の実施の形態の構成が組み合わされてもよい。例えば、複数のめっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分に複数の開口部１５が形成されてもよい。また、その開口部１５内にカバー絶縁層１３よりも低い誘電率を有する誘電体１６が充填されてもよい。
【００８６】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１に複数の開口部１５が形成されてもよい。また、その開口部１５内にベース絶縁層１１よりも低い誘電率を有する誘電体１６が充填されてもよい。
【００８７】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１が取り除かれてもよい。
【００８８】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分に複数の開口部１５が形成されてもよい。また、その開口部１５内にカバー絶縁層１３よりも低い誘電率を有する誘電体１６が充填されてもよい。
【００８９】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１の厚みが、ベース絶縁層１１の他の領域の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分が取り除かれてもよい。
【００９０】
（６）参考例および比較例
（６−１）参考例
次の条件で上記参考形態のサスペンション基板１を作製した。
【００９１】
サスペンション本体部１０（支持基板５０）の材料としてステンレス鋼を用い、ベース絶縁層１１の材料としてポリイミドを用い、配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの材料として銅を用い、カバー絶縁層１３の材料としてポリイミドを用い、めっき層３０ａの材料として金を用いた。
【００９２】
また、サスペンション本体部１０（支持基板５０）の厚さを１８μｍとし、ベース絶縁層１１の厚さを１０μｍとし、配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの厚さを１２
μｍとし、配線パターン２０およびめっき用リード線Ｓの幅を３５μｍとし、めっき用リード線Ｓの長さを９μｍとした。
【００９３】
また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを３μｍとし、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みを６μｍとした。
【００９４】
（６−２）比較例
カバー絶縁層１３の厚みを均一に６μｍとした点を除いて上記参考例と同様にサスペンション基板１を形成した。
【００９５】
（６−３）評価
図８に示したように、参考例および比較例のサスペンション基板１の電極パッド３０とＦＰＣ基板１００ａの端子部４５とを接合し、サスペンション基板１の配線パターン２０からＦＰＣ基板１００ａの配線パターン４２に電気信号を伝送した。
【００９６】
参考例においては、電気信号の波形の鈍りがほとんど生じなかった。一方、比較例においては、電気信号の波形に鈍りが生じた。
【００９７】
これにより、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上のカバー絶縁層１３の部分の厚みをベース絶縁層１１の他の領域上のカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも薄く形成することにより、めっき用リード線Ｓにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Ｓでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。
【００９８】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００９９】
上記実施の形態においては、ベース絶縁層１１が第１の絶縁層の例であり、配線パターン２０が配線パターンの例であり、電極パッド３０が端子部の例であり、めっき用リード線Ｓがめっき用リード部の例であり、カバー絶縁層１３が第２の絶縁層の例であり、サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、開口部１５が開口部の例である。また、ベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分が低誘電率部の例である。
【０１００】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は種々の配線回路基板に有効に利用できる。
【符号の説明】
【０１０２】
１ サスペンション基板
１０ サスペンション本体部
１１ ベース絶縁層
１２ タング部
１３ カバー絶縁層
１４，Ｈ 孔部
１４ａ 電解めっき
１４ｂ 接続端子
１５，２１ 開口部
１６ 誘電体
２０ 配線パターン
２３，３０ 電極パッド
３０ａ，４５ａ めっき層
５０ 支持基板
１００ａ ＦＰＣ基板
Ｓ めっき用リード線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、
前記配線パターンの一部に設けられる端子部と、
前記配線パターンから延びるように形成されるめっき用リード部と、
前記配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層とを備え、
前記めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が前記配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも小さくなるように前記第１および第２の絶縁層の一方は前記めっき用リード部と重なりかつ他方は前記めっき用リード部の少なくとも一部と重ならないように設けられた、配線回路基板。
【請求項２】
前記第１および第２の絶縁層の他方は、１または複数の開口部が形成された低誘電率部を有し、
前記低誘電率部は、前記めっき用リード部と重なるように設けられた、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記めっき用リード部に重なる前記第１および第２の絶縁層の一方または他方の部分の厚さが前記配線パターンに重なる前記第１および第２の絶縁層の一方または他方の厚さよりも小さく設定された、請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記低誘電率部に前記複数の開口部がメッシュ状に形成された、請求項２または３記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記１または複数の開口部は、スリット上に設けられた、請求項２または３記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記１または複数の開口部内に前記第１および第２の絶縁層の他方よりも低い比誘電率を有する材料が充填された、請求項２〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記第１および第２の絶縁層の他方は前記めっき用リード部と重ならないように形成された、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項８】
第１の絶縁層上に、配線パターン、前記配線パターンの一部に設けられる端子部および前記配線パターンから延びるめっき用リード部を含む導体パターンを形成する工程と、
前記端子部を除いて前記配線パターンおよび前記めっき用リード部を覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記めっき用リード部を通して前記配線パターンに給電することにより前記配線パターンの一部にめっき層で被覆された端子部を形成する工程と、
前記配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも前記めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さくなるように前記めっき用リード部に重なる前記第１または第２の絶縁層の一方の部分に開口を形成する工程とを備えた、配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記めっき用リード部に重なる前記第１および第２の絶縁層の一方の部分に形成された前記開口内に前記第１または第２の絶縁層よりも低い比誘電率を有する材料を充填する工程をさらに備えた、請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、
前記配線パターンの一部に設けられる端子部と、
前記配線パターンから延びるように形成されるめっき用リード部と、
前記配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層とを備え、
前記めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が前記配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも小さくなるように前記第１および第２の絶縁層の一方は前記めっき用リード部と重なりかつ他方は前記めっき用リード部の少なくとも一部と重ならないように設けられた、配線回路基板。
【請求項２】
前記第１および第２の絶縁層の他方は、１または複数の開口部が形成された低誘電率部を有し、
前記低誘電率部は、前記めっき用リード部と重なるように設けられた、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記めっき用リード部に重なる前記第１および第２の絶縁層の一方または他方の部分の厚さが前記配線パターンに重なる前記第１および第２の絶縁層の一方または他方の厚さよりも小さく設定された、請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記低誘電率部に前記複数の開口部がメッシュ状に形成された、請求項２または３記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記１または複数の開口部は、スリット上に設けられた、請求項２または３記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記１または複数の開口部内に前記第１および第２の絶縁層の他方よりも低い比誘電率を有する材料が充填された、請求項２〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記第１および第２の絶縁層の他方は前記めっき用リード部と重ならないように形成された、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項８】
第１の絶縁層上に、配線パターン、前記配線パターンの一部に設けられる端子部および前記配線パターンから延びるめっき用リード部を含む導体パターンを形成する工程と、
前記端子部を除いて前記配線パターンおよび前記めっき用リード部を覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記めっき用リード部を通して前記配線パターンに給電することにより前記配線パターンの一部にめっき層で被覆された端子部を形成する工程と、
前記配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも前記めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さくなるように前記めっき用リード部に重なる前記第１または第２の絶縁層の一方の部分に開口を形成する工程とを備えた、配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記めっき用リード部に重なる前記第１および第２の絶縁層の一方の部分に形成された前記開口内に前記第１または第２の絶縁層よりも低い比誘電率を有する材料を充填する工程をさらに備えた、請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１３−８５００４（Ｐ２０１３−８５００４Ａ）
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１３−２４９２５（Ｐ２０１３−２４９２５）
【出願日】平成２５年２月１２日（２０１３．２．１２）
【分割の表示】特願２００９−１７０９６０（Ｐ２００９−１７０９６０）の分割
【原出願日】平成２１年７月２２日（２００９．７．２２）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２５年２月１２日（２０１３．２．１２）
【分割の表示】特願２００９−１７０９６０（Ｐ２００９−１７０９６０）の分割
【原出願日】平成２１年７月２２日（２００９．７．２２）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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