電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
【課題】曲げによる外力が働いた場合であっても基板間に電気光学材料を良好に封止できる信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板３００及び第２基板３１０と、第１基板３００及び第２基板３１０の間に配置される電気光学層３２Ａと、第１基板３００又は第２基板３１０の一方に形成され、電気光学層３２Ａを注入するための注入穴Ｈと、注入穴Ｈを介して第１基板３００及び第２基板３１０間に注入された電気光学層３２Ａを封止する封止材１１０と、を備えた電気光学装置１００に関する。封止材１１０は、注入穴Ｈが形成されない他方の基板３１０側まで到達した状態に設けられる。
【解決手段】互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板３００及び第２基板３１０と、第１基板３００及び第２基板３１０の間に配置される電気光学層３２Ａと、第１基板３００又は第２基板３１０の一方に形成され、電気光学層３２Ａを注入するための注入穴Ｈと、注入穴Ｈを介して第１基板３００及び第２基板３１０間に注入された電気光学層３２Ａを封止する封止材１１０と、を備えた電気光学装置１００に関する。封止材１１０は、注入穴Ｈが形成されない他方の基板３１０側まで到達した状態に設けられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子ペーパーと呼ばれる薄型軽量の装置形態を有する表示装置の実用化が進められている。このような電子ペーパーではフレキシブル性を有する電気光学装置が用いられている。このようなフレキシブル性を有する電気光学装置として液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この液晶装置は、可撓性を有するプラスチック基板間に液体材料である液晶層（電気光学材料）を注入した後、封止材で封止することで構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−６４０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術のように基板間に液体材料を挟持してなる液晶装置は折り曲げられると封止部分に負荷が加わることで剥がれ落ちて液晶層が漏れ出すといった問題を引き起こすおそれがあった。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、曲げによる外力が働いた場合であっても基板間に電気光学材料を良好に封止できる信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される電気光学層と、前記第１基板又は前記第２基板の一方に形成され、前記電気光学層を注入するための注入穴と、前記注入穴を介して前記第１基板及び前記第２基板間に注入された前記電気光学層を封止する封止材と、を備え、前記封止材は、前記注入穴が形成されない他方の基板側まで到達した状態に設けられることを特徴とする。
【０００７】
本発明の電気光学装置によれば、可撓性を有する第１基板及び第２基板を備えているので、全体として可撓性を有したものとなる。また、封止材が注入穴の形成されていない他方の基板側まで到達するように設けられているので、封止材が強固に保持されたものとなる。よって、電気光学装置を折り曲げた場合であっても、封止材が剥離するといった不具合が生じることが防止され、電気光学材料を良好に封止できる信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置を提供できる。
【０００８】
また、上記電気光学装置においては、前記第２基板の前記電気光学層と反対側の面に表示面が設定され、前記注入穴は前記第１基板に形成されているのが好ましい。
【０００９】
この構成によれば、表示面を構成しない第１基板側に注入穴が形成されるので、注入穴及び該注入穴に注入された封止材が表示面の表示画像に重なるといった不具合の発生を防止することができる。
【００１０】
また、上記電気光学装置においては、前記第１基板は複数の基材が積層された多層構造から構成されるとともに前記注入穴が形成され、前記第１基板は、前記複数の基材間のいずれかに電子部品が挟持されることで該電子部品が基板本体内に埋め込まれているのが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、第１基板が多層構造からなり、内部に電子部品が埋め込まれているので、電気光学装置の小型化を図ることができる。
【００１２】
また、上記電気光学装置においては、前記注入穴は、該注入穴に対して前記電気光学層と反対側に設けられ、当該注入穴の穴径よりも大きい穴径を有するザグリ部に連通しているのが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、基板間に電気光学層を注入する際、ザグリ部によって電気光学層が注入穴の形成された基板表面に溢れ出して基板表面が汚れるのを防止し、組み立て性に優れたものとなる。また、ザグリ部が封止材の溢れを防止することで封止材の表面が基板表面から突出するのを防止できる。これにより、封止材が基板表面に突出して邪魔になるといった問題の発生を無くすことができる。
【００１４】
また、上記電気光学装置においては、前記注入穴が複数形成されるのが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、注入穴が複数形成されるので、装置組立時に電気光学材料を基板間の全域に亘って良好に配置することができる。
【００１６】
また、上記電気光学装置においては、前記第１基板及び前記第２基板の間に前記電気光学層の配置領域を区画する隔壁が設けられ、前記注入穴は前記電気光学層の配置領域に対応するように形成されるのが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、電気光学層の配置領域を複数備えるとともに該複数の領域に注入穴を介して異なる電気光学層を注入することができる。よって、例えば色の異なる電気光学層を備え、カラー表示が可能な電気光学層を提供できる。
【００１８】
また、上記電気光学装置においては、前記隔壁の一部が前記電気光学層を前記第１基板及び前記第２基板間にシールするシール部材を兼ねるのが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、シール部材を別途設ける必要が無くなり、装置の部品点数を削減し、製造コスト低減を図ることができる。
【００２０】
また、上記電気光学装置においては、前記電気光学層が電気泳動層であるのが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、可撓性を備えるとともに電子ペーパーとして好適な電気光学装置を提供することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板及び第２基板間に電気光学層が挟持されてなる電気光学装置の製造方法において、貼り合わされた前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられた注入穴を介して前記基板間に前記電気光学層を注入する工程と、前記注入穴を封止材で封止する工程と、を備え、前記封止工程においては、前記注入穴を介して、該注入穴が形成されない他方の基板側まで到達させるように前記封止材を配置させることを特徴とする。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、注入穴の形成されていない他方の基板側まで到達させるように封止材を注入孔から注入しているので、封止材を確実に注入することができる。これにより、電気光学装置を折り曲げた場合であっても、封止材が剥離するといった不具合が生じることが防止され、電気光学材料を良好に封止する信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置を製造できる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２５】
本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えるので、電子機器自体も折り曲げ可能な構造を採用した場合でも耐久性に優れた信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（ａ）は電気泳動表示装置の平面構成を示す図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視による断面図。
【図２】電気泳動表示装置の要部構成を示す断面図。
【図３】（ａ）、（ｂ）は電気泳動表示装置の製造工程を説明するための図。
【図４】（ａ）、（ｂ）は第２実施形態に係る電気泳動表示装置の構成を示す断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は電気泳動表示装置の製造工程を説明するための図。
【図６】第２実施形態に係る電気泳動表示装置の変形例に係る構成を示す図。
【図７】（ａ）は、第３実施形態に係る画像表示部における画素構成の一部を拡大して示す概略図であり、（ｂ）は隔壁の構成を示す平面図。
【図８】第３実施形態の電気泳動表示装置の断面図。
【図９】電気泳動表示装置の要部構成を示す断面図。
【図１０】観測側から見たときに視認される着色粒子の面積による階調の違いについて示すサブ画素の概念図。
【図１１】（ａ）は、白表示時における粒子の分布状態を示す図、（ｂ）は、赤表示時における粒子の分布状態を示す図、（ｃ）は、青表示時における粒子の分布状態を示す図、（ｄ）は、黒表示時における粒子の分布状態を示す図。
【図１２】緑表示時における粒子の分布状態を示す図。
【図１３】（ａ）は、暗い緑表示における粒子の分布状態を示す図、（ｂ）は、暗い赤表示における粒子の分布状態を示す図、（ｃ）は、暗い青表示における粒子の分布状態を示す図。
【図１４】第３実施形態の第１変形例に係る構成を示す図。
【図１５】第３実施形態の第２変形例に係る構成を示す図。
【図１６】本発明を液晶表示装置に適用した構成を示す図。
【図１７】本発明の電気泳動表示装置を適用した電子機器の具体例を説明する斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は本発明の電気光学装置を電気泳動表示装置に適用した場合の構成を示す図であり、同図（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図２は、電気泳動表示装置の要部構成を示す断面図である。
【００２９】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置１００は、フレキシブル性を有する素子基板（第１基板）３００と、素子基板３００に対向配置され、フレキシブル性を有する対向基板（第２基板）３１０と、これら素子基板３００および対向基板３１０間に挟持される電気泳動層（電気光学層）３２Ａと、を備えている。これにより、電気泳動表示装置１００は、全体としてフレキシブル性を備えたものとなっている。
【００３０】
素子基板３００および対向基板３１０の周縁部どうしの間には、電気泳動層３２Ａに対する耐湿性の確保と電気泳動層３２Ａの保持のために、電気泳動層３２Ａの周囲を取り囲むようにしてシール材６５が配置されている。シール材６５で囲まれた内側の領域は、画像表示部５を構成している。例えば、シール材６５はエポキシ樹脂から構成される。
【００３１】
素子基板３００には上記シール材６５で囲まれた画像表示部５に電気泳動層３２Ａを注入するための注入穴Ｈが形成されている。注入穴Ｈは、素子基板３００を貫通した状態に形成されており、電気泳動層３２Ａの注入後、封止材１１０によって封止されている。封止材１１０は例えばエポキシ樹脂から構成されるものであり、注入穴Ｈを介した電気泳動層３２Ａへの水分や酸素等の外部材料の浸入の防止と電気泳動材料２８の保持するためのものである。封止材１１０は、注入穴Ｈが形成されていない対向基板３１０側まで到達して該対向基板３１０に接触した状態に設けられている。ここで、電気泳動層３２Ａのセルギャップは例えば３０μｍ程度に設定されている。そのため、封止材１１０は素子基板３００の表面から電気泳動表示装置１００の内部まで確実に入り込むことで強固に保持された状態となっている。
【００３２】
電気泳動表示装置１００は上述のようにフレキシブル性を有するため、折り曲げられた状態で使用されることがある。このとき、封止材１１０に対して負荷が加わることとなる。本実施形態によれば、封止材１１０が対向基板３１０側まで注入されることで強固に保持されているので、折り曲げによる負荷による封止材１１０の剥離を防止し、折り曲げ耐性を向上させることで信頼性の高いものとなっている。
【００３３】
また、電気泳動表示装置１００は、画像表示部５に表示された画像が対向基板３１０側から視認されるようになっている。そのため、注入穴Ｈに注入された封止材１１０は画像表示部５の表示画像に重なるといった不具合が防止されたものとなっている。
【００３４】
図２は、電気泳動表示装置１００の要部構成を具体的に示す断面図である。図２に示すように、素子基板３００は、第１基板３０と、その表面に形成された駆動回路層２４とを主として構成されている。
【００３５】
第１基板３０は、フレキシブル性を有する３つの基材３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃが積層されてなり、駆動ＩＣ（電子部品）５１、各種配線等が埋め込まれている。これにより、IC等の電子部品を積載したプリント基板等を外部に設ける必要がなくなり、第１基板３０の小型化が実現できる。さらに、駆動回路層２４の一部を第１基板３０中に形成することにより高精細化が実現できる。第１基板３０の小型化を図っている。第１基板３０内に埋め込まれた各種配線は、例えば厚さ１０μｍのＣｕから構成されている。また、各基材３０Ａ〜３０Ｃは、厚さ５０μｍのポリイミドからなるフレキシブル基板である。
【００３６】
ユーザーは、上述のように画像を対向基板３１０側から視認するため、第１基板３０を非透明基板で形成するのが好ましい。具体的には、電子部品である、駆動ＩＣ５１が埋め込まれている基材３０Ａには非透明基板を用いることが好ましい。このように駆動ＩＣ５１の周囲の基材に遮光性を付与することで、光リークによる駆動ＩＣ５１の誤作動を抑制することができる。ここで駆動ＩＣ５１が基板３０Ａに埋め込まれて保持されているが、この形態に限らない。素子基板３００中のどこかに保持されていれば良い。
【００３７】
駆動回路層２４は、電気泳動表示装置１００の画像表示部５を構成するマトリクス状に配置された複数の画素ごとに画素電極３５と、当該画素電極３５を制御する画素トランジスタＴＲｓと、内蔵ドライバーＤｒと、を含む。内蔵ドライバーＤｒは、データ線駆動ドライバー、走査線駆動ドライバー、又はゲート線駆動ドライバー等を含む。
【００３８】
駆動ＩＣ５１は基材３０Ｂ，３０Ｃ間を貫通するコンタクトホールＣＨ１に埋設された接続部５１ａおよび接続部５１ａに電気的に接続され、基材３０Ｃ上に引き出された配線部５１ｂを介して内蔵ドライバーＤｒと電気的に接続されている。
【００３９】
画素トランジスタＴＲｓは、複数の走査線６６と複数のデータ線６８との交差する箇所のそれぞれに設けられている。そして、画素トランジスタＴＲｓのうち、半導体層４１ａのチャネル領域に対向するようにゲート電極４１ｅが配置され、走査線６６の一部が接続されている。この画素トランジスタＴＲｓは、ボトムゲート／トップコンタクト構造であり、有機半導体層を有する有機ＴＦＴである。なお、内蔵ドライバーＤｒは、画素トランジスタＴＲｓと同一の工程で第１基板３０上に形成される。
【００４０】
ゲート電極４１ｅは厚さ０．３μｍのＣｕからなり、該ゲート電極４１ｅを覆うようにして第１基板３０の表面全体には、ゲート絶縁膜４１ｂが設けられている。ゲート絶縁膜４１ｂは、厚さ０．５μｍのアクリルからなり、その上に厚さ０．０５μｍのペンタセンからなる半導体層４１ａが形成されている。ゲート絶縁膜４１ｂ上にはさらに半導体層４１ａの周縁部に一部乗り上げるようにして、厚さ０．３μｍのＡｕからなるソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄが設けられている。これら半導体層４１ａ、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄは、厚さ１μｍのアクリルからなる保護層４２によって覆われており、当該保護層４２の厚さ方向を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して画素電極３５が下層のドレイン電極４１ｄと電気的に接続されている。このように画素トランジスタＴＲｓは、第１基板３０側から順次薄膜を作成することで形成されている。
【００４１】
データ線６８は、上記内蔵ドライバーＤｒを介して画像信号を画素トランジスタＴＲｓのソース電極４１ｃに入力するようになっている。ここで、データ線６８に書き込む画像信号は、線順次に供給しても良いし、互いに隣接するデータ線６８に対してグループごと、又は１本のデータ線毎に供給しても良い。
【００４２】
画素トランジスタＴＲｓのゲート電極４１ｅには走査線６６が電気的に接続されており、所定のタイミングでパルス的に選択信号（走査信号）を、順次に印加するように構成されている。
【００４３】
第１基板３０の表面に形成された画素電極３５は、画素トランジスタＴＲｓのドレイン電極４１ｄと電気的に接続されており、スイッチング素子である画素トランジスタＴＲｓを開状態とすることにより、データ線６８から供給される画像信号が電気泳動層３２Ａに対して所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４４】
電気泳動層３２Ａは、正負のいずれかに帯電した黒色と白色の２種類の電気泳動粒子（正帯電粒子２６、負帯電粒子２７）と、シリコンオイルからなる分散媒２１とを含む。この電気泳動層３２Ａは、保持容量（図示せず）が作る画素電極３５と対向電極３７との電位差によって電気泳動粒子（正帯電粒子２６、負帯電粒子２７）が対向電極３７側あるいは画素電極３５側へと移動することとなり、対向基板３１０側から電気泳動層３２Ａを見たときに視認される電気泳動粒子の分布状態によって画像が形成されるようになっている。
【００４５】
なお、分散媒２１に電気泳動粒子２６，２７を分散させた電気泳動層３２Ａを用いた例に限らず、例えば、電気泳動粒子と分散媒とをカプセル化したカプセル型のものでも良い。また、異なる極性に帯電した白黒の２粒子以外の粒子構成を採用しても良い。
【００４６】
このように本実施形態においては、駆動ＩＣ５１および内蔵ドライバーＤｒを画像表示部５の周囲に配置させることなく、画像表示部５の範囲内における第１基板３０内に埋め込むことによって、額縁幅、すなわち非表示領域を狭くした構成にしても良い。
【００４７】
一方、対向基板３１０は、厚さ０．２ｍｍのＰＥＴからなる透明な第２基板３１上に、厚さ０．１μｍのカーボンナノチューブからなる対向電極３７が形成されてなり、ユーザーは当該対向基板３１０を通して電気泳動層３２Ａを観察するため第２基板３１には透明基板が用いられる。対向電極３７への電圧の印加は第１基板３０内に埋め込まれた駆動ＩＣ５１によって行われる。駆動ＩＣ５１は上下導通部（不図示）を介して対向電極３７と電気的に接続されており、該対向電極３７に対して所定の電圧を入力できる構成となっている。
【００４８】
次に、上記電気泳動表示装置１００の製造方法として、電気泳動層３２Ａを基板３００，３１０間に注入する方法について図３を参照にしつつ説明する。
はじめに、シール材６５を介して貼り合わせた素子基板３００及び対向基板３１０であって素子基板３００に注入穴Ｈが形成された基板本体１５０を用意する。そして、図３（ａ）に示すように、注入穴Ｈの注入口が上向きとなるように基板本体１５０を配置し、減圧下に保持し、電気泳動層３２Ａを構成する電気泳動材料２８を注入口に塗布する。なお、電気泳動材料２８の塗布方法としては、ディスペンサー、インクジェット法等の公知技術を適宜使用することができる。
【００４９】
電気泳動材料２８を塗布して一定時間が経過した後、基板本体１５０を大気圧下に配置する。これにより、注入口から注入される電気泳動材料２８の注入速度を加速させ、対向基板３１０および素子基板３００間においてシール材６５で囲まれる領域内に電気泳動材料２８を良好に充填することができる。
【００５０】
続いて、図３（ｂ）に示すように、注入穴ＨにエポキシからなるＵＶ硬化樹脂１１０ａを塗布する。このとき、ＵＶ硬化樹脂１１０ａが注入穴Ｈよりも広くセルギャップ中で広がるように注入するのが望ましい。そして対向基板３０にも達するように注入する。これによれば、注入穴Ｈを介して注入されたＵＶ硬化樹脂１１０ａを対向基板３１０の内面に接触した状態とさせることができる。
【００５１】
そして、紫外線（ＵＶ）を照射することでＵＶ硬化樹脂１１０ａを硬化させ、注入穴Ｈを封止する封止材１１０を形成する。以上により、基板本体１５０は、封止材１１０が対向基板３１０の内面に接触した状態（図１（ｂ）参照）となるので、封止材１１０が強固に基板本体１５０に保持されたものとなる。図１（ｂ）に示したように封止材１１０は素子基板３００の裏面側に突出した状態となるが、素子基板３００は表示面と反対側のため、実用上問題は無い。なお、素子基板３００の表面から突出する封止材１１０のみを部分的に除去しても良い。
【００５２】
以上述べたように、本実施形態に係る電気泳動表示装置１００では、可撓性を有する素子基板３００及び対向基板３１０からなる基板本体１５０を主体に構成されるので、全体として可撓性を有したものとなる。また、封止材１１０が注入穴Ｈの形成されない対向基板３１０側まで到達するように設けられているので、封止材１１０が強固に保持されたものとなる。よって、電気泳動表示装置１００を折り曲げた場合であっても、封止材１１０が剥離することが防止され、電気泳動層３２Ａを良好に封止できる信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置を提供できる。
【００５３】
また、本実施形態においては、エポキシ樹脂からなるシール材６５や封止材１１０を用いているが、アクリル等の有機材料を用いても構わない。また、帯電粒子として白黒粒子以外にカラー粒子を用いても構わない。
また、画素トランジスタＴＲｓの構成はボトムゲート構造に限られない。画素トランジスタＴＲｓも有機、無機トランジスタのどちらを用いても良い。また、画素トランジスタＴＲｓや第１基板３０、第２基板３１および対向電極３７に用いる材料は上述のものに限られない。
【００５４】
さらに、素子基板３００を構成する第１基板３０と対向基板３１０の第２基板３１に用いる材料は、フレキシブル性を有するポリエステルや他の有機、無機材料を用いてもよい。また、第１基板３０や第２基板３１に用いる材料としては伸縮性を有する材料であってもよい。これにより、伸縮状態を含めたフレキシブル性を実現することができる。例えば、アクリル等の柔らかい有機材料、これらをコーティングした不織布、織布、またはゴム等であっても構わない。伸縮性を有すると、電気光学装置を服等の布のように変形の大きい材料や複雑な表面形状の上にも隙間なく貼るように設置するだけでなく、変形させて使用するときの剥がれを少なくすることができる。
また、第１基板３０を構成する基材の数も上記したものに限られない。
また、画素トランジスタＴＲｓの材料も上記したものに限られない。
また、画素電極３５、対向電極３７、走査線６６、データ線６８、および接続配線２２等に用いる材料としては、Ｃｕ以外の他の金属ペースト、金属、カーボンナノチューブ等の導電性材料、無機導電性材料、有機導電性材料、透明電極、導電性ペーストを用いても良い。
また、図３（ａ）において、電気泳動表示装置１５０を減圧下に保持して電気泳動材料２８を注入したが、それに限らず例えば大気圧下で行っても良い。
【００５５】
（第２実施形態）
続いて、第２実施形態に係る電気泳動表示装置の構成について説明する。本実施形態と第１実施形態との違いは、封止材１１０（ＵＶ硬化樹脂１１０ａ）を注入するための注入穴の形状であり、それ以外の構成については第１実施形態と共通である。以下の説明では、上記実施形態と同一の構成或いは部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略若しくは簡略化する。
【００５６】
図４は本実施形態に係る電気泳動表示装置２００の構成を示す図である。なお、図４においては、図を見やすくするため、対向基板３１０を上側にして示している。
図４に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、シール材６５を介して張り合わされた素子基板３００および対向基板３１０と、これら素子基板３００および対向基板３１０間に挟持される電気泳動層３２Ａと、を備えている。
【００５７】
本実施形態においても、注入穴Ｈ２が対向基板３１０に形成されている。本実施形態に係る注入穴Ｈ２は、第１基板３０の基材３０Ｃを貫通した状態に形成されている。本実施形態においては、第１基板３０の基材３０Ａ，３０Ｂを貫通した状態に設けられるザグリ部ＺＧが設けられており、注入穴Ｈ２の一端側（電気泳動層３２Ａと反対側）が連通している。ザグリ部ＺＧは、穴径が注入穴Ｈ２よりも大きく形成されている。このように基材３０Ａ〜３０Ｃの界面にザグリ部ＺＧを形成することで注入穴Ｈ２の加工性を向上させている。
【００５８】
なお、本実施形態では、ザグリ部ＺＧおよび注入穴Ｈ２の穴径を基材３０Ａと基材３０Ｂとの界面で異ならせる場合を例に説明したが、基材３０Ａ〜Ｃの途中で穴径を変える構成を採用しても良い。また、第１基板３０として基材３０Ａ〜３０Ｃを積層した多層構造のものを例示したが、多層基板でない第１基板３０に対して注入穴Ｈ２およびザグリ部ＺＧを形成するようにしても良い。
【００５９】
封止材１１０は、第１実施形態と同様、注入穴Ｈ２が形成されていない対向基板３１０側まで到達して該対向基板３１０に接触した状態に設けられている。本実施形態では、注入穴Ｈ２内に注入された封止材１１０が素子基板３００の表面に対して凹んだ状態となっている。
【００６０】
続いて、上記電気光学装置２００の製造方法として、電気泳動層３２Ａを基板３００，３１０間に注入する方法について図５を参照にしつつ説明する。はじめに、素子基板３００に注入穴Ｈ２が形成された基板本体２５０を用意する。そして、図５（ａ）に示すように、注入穴Ｈ２が上向きとなるように基板本体１５０を配置し、減圧下に保持し、電気泳動材料２８を注入穴Ｈ２のザグリ部ＺＧ内に塗布する。ザグリ部ＺＧは上述のように穴径が注入穴Ｈ２よりも大きいため、塗布された電気泳動材料２８が素子基板３００の表面に溢れ出させることなく良好に保持されたものとなる。
【００６１】
そして、電気泳動材料２８を塗布して一定時間が経過した後、基板本体１５０を大気圧下に配置し、対向基板３１０および素子基板３００間においてシール材６５で囲まれる領域内に電気泳動材料２８を良好に充填することができる。このとき、上述のように電気泳動材料２８はザグリ部ＺＧから素子基板３００の表面に溢れ出ることなく基板３００，３１０間に充填されるので、素子基板３００の表面が電気泳動材料２８で汚れるのを防止できる。
【００６２】
続いて、図５（ｂ）に示すように、注入穴Ｈ２のザグリ部ＺＧ内にエポキシからなるＵＶ硬化樹脂１１０ａを塗布する。このとき、第１実施形態と同様、注入穴Ｈ２を介して注入されたＵＶ硬化樹脂１１０ａを対向基板３１０の内面に接触した状態とする。そして、紫外線（ＵＶ）を照射することでＵＶ硬化樹脂１１０ａを硬化させ、注入穴Ｈ２を封止する封止材１１０を形成する。
【００６３】
本実施形態では、注入穴Ｈ２に設けられたザグリ部ＺＧを介して封止材１１０が基板３００，３１０間に充填されるので、電気泳動材料２８と同様、封止材１１０（ＵＶ硬化樹脂１１０ａ）が素子基板３００の表面を汚すことがない。すなわち、注入穴Ｈ２内に配置された封止材１１０は、素子基板３００の表面から出っ張った状態となるのを防止することができる。
【００６４】
本実施形態においても、基板本体２５０は、封止材１１０が対向基板３１０の内面に接触した状態となるので、封止材１１０が強固に基板本体２５０に保持されたものとなる。また、本実施形態によれば、ザグリ部ＺＧを設けたことで素子基板３００の表面が電気泳動表示材料で汚れることで不良品となるといった不具合の発生を防止できる。特に黒色の電気泳動粒子は粒径が細かく、付着すると洗浄しても除去し難いので、汚れを原因として不良品とみなされることがある。そのため、本実施形態に係る構成は、特に顕著な効果を得ることができる。
【００６５】
（変形例）
続いて、上述した第２実施形態に係る電気泳動表示装置２００の変形例について説明する。なお、本変形例は注入穴Ｈ２の形状が第２実施形態に係る構成と異なっており、それ以外の構成は共通である。そのため、以下の説明では注入穴Ｈ２の形状について説明する。図６は本変形例に係る電気泳動表示装置２００の構成を示す図であり、同図（ａ）は電気泳動表示装置２００の平面図であり、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視による断面図を示すものである。なお、図６は図を簡略化するため、電気泳動層３２Ａを注入しない状態の基板本体２５０を図示している。
【００６６】
図６（ａ），（ｂ）に示されるように、電気泳動表示装置２００は、注入穴Ｈ２が３つ形成されている。また、ザグリ部ＺＧは素子基板３００の長辺方向に沿って形成されており、３つの注入穴Ｈ２がそれぞれ連通した状態に設けられている。このように本変形例においては、注入穴Ｈ２が共通のザグリ部ＺＧに連通した構成となっている。
【００６７】
続いて、本変形例に係る構成において、基板３００，３１０間に電気泳動材料２８を充填する工程について説明する。はじめに、注入穴Ｈ２が上向きとなるように基板本体２５０を配置し、減圧下に保持し、電気泳動材料２８をザグリ部ＺＧ内に塗布する。本実施形態に係るザグリ部ＺＧは上述のように素子基板３００の長辺方向に沿って形成されるため、第２実施形態に係る構成に比べて電気泳動材料２８を多く保持することができる。よって、電気泳動材料２８が素子基板３００の表面に溢れ出すのを確実に防止できる。
【００６８】
そして、電気泳動材料２８を塗布して一定時間が経過した後、基板本体２５０を大気圧下に配置し、注入穴Ｈ２を介して電気泳動材料２８を基板３００，３１０間に充填する。このとき、本変形例では上述のように注入穴Ｈ２が複数（本変形例では３つ）設けられているので、電気泳動材料２８はザグリ部ＺＧから素子基板３００の表面に溢れ出ることなく基板３００，３１０間に短時間で良好に充填できる。
【００６９】
続いて、注入穴Ｈ２のザグリ部ＺＧ内にＵＶ硬化樹脂１１０ａを塗布し、第１実施形態と同様、注入穴Ｈ２を介して注入されたＵＶ硬化樹脂１１０ａを対向基板３１０の内面に接触させるまで引き込ませる。そして、紫外線（ＵＶ）を照射することでＵＶ硬化樹脂１１０ａを硬化させ、注入穴Ｈ２を封止する封止材１１０を形成する。このように本変形例においても、基板本体２５０は、封止材１１０が対向基板３１０の内面に接触した状態となるので、封止材１１０が強固に基板本体２５０に保持されたものとなる。
【００７０】
（第３実施形態）
続いて、第３実施形態に係る電気泳動表示装置の構成について説明する。本実施形態と第１、第２実施形態との違いは、画素表示部における画素構造および注入穴の形状であり、それ以外の構成については第１、第２実施形態と共通である。以下の説明では、上記実施形態と同一の構成或いは部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略若しくは簡略化する。
【００７１】
図７（ａ）は、画像表示部における画素構成の一部を拡大して示す概略図であり、（ｂ）は隔壁の構成を示す平面図である。また、図８は電気泳動表示装置の断面図である。
【００７２】
図７（ａ）に示すように、本実施形態における１つの画素４０は２つのサブ画素４０Ａおよびサブ画素４０Ｂから構成されている。これら２つのサブ画素４０Ａ，４０Ｂは、走査線６６の延在方向に沿って交互に存在するとともに、データ線６８の延在方向に同じサブ画素４０Ａ，４０Ｂ同士が連続して存在している。１画素を構成するサブ画素４０Ａ，４０Ｂの間には隔壁６４が存在している。この隔壁６４は、素子基板３００と対向基板３１０との間に配置され、図７（ｂ）に示すように、少なくとも画像表示領域（画像表示部５）を２つの領域に分離するものである。具体的には、画像表示部５に対応する素子基板３００および対向基板３１０間の空間を２つの空間５ａ，５ｂに区画形成している。そして、この隔壁６４の両側に存在するサブ画素４０Ａ，４０Ｂによって、表示を行う１つの画素４０を構成している。隔壁６４によって区画形成された空間５ａ，５ｂ内にそれぞれ存在するサブ画素４０Ａとサブ画素４０Ｂとはそれぞれ異なる画素４０を構成するものである。
【００７３】
隔壁６４の具体的な構成について述べると、隔壁６４の外形を枠状に形成すべく互いに対向配置されたＬ字形状の一対の外壁部６４Ａと、これら外壁部６４Ａによって囲まれた領域を二等分する波型形状の内壁部６４Ｃとから構成されている。外壁部６４Ａと内壁部６４Ｃとの間に上記空間５ａと５ｂが形成される。これら空間５ａ，５ｂ内には異なる電気泳動材料が封入されており、電気泳動層３２Ａが構成されている。また、隔壁６４の外周を囲むようにシール材６５が設けられている。これにより、隔壁６４がシールから電気泳動層３２Ａへの不純物の溶出等を防止することができる。
【００７４】
本実施形態においては、図７（ｂ）、図８に示すように、上記空間５ａに後述の電気泳動層３２Ａを注入するための注入穴Ｈ３と、上記空間５ｂに後述の電気泳動層３２Ａを注入するための注入穴Ｈ４と、を備えている。具体的に本実施形態では、素子基板３００における画像表示部５の外側に設定される非表示部６に注入穴Ｈ３，Ｈ４が３つずつ形成されている。また、本実施形態においては、非表示部６の延在方向に沿ってザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２が設けられている。注入穴Ｈ３はザグリ部ＺＧに連通しており、注入穴Ｈ４はザグリ部ＺＧ２に連通している。各注入穴Ｈ３，Ｈ４は封止材１１０によって封止されている。
【００７５】
上記隔壁６４の材料としては、例えばポリイミドが用いられる。隔壁６４の配置領域は表示に係わらない領域であるため、その色は、非透明で黒色または明度の低い無彩色であることが望ましい。
このため、コントラストの低下が生じにくい。
【００７６】
従来の隔壁構成では空間５ａ、５ｂ内のサブ画素４０Ａ、４０Ｂ間にも隔壁を設ける。そのため本実施例の２倍の数の隔壁が必要になる。本実施例の隔壁が占める面積が従来のそれが占める面積に比べて小さいことから、明るく高コントラストの表示が可能となっている。また、高精細な画像表示を必要とする表示装置に有効である。なお、隔壁６４の形状は上記したものに限らない。
【００７７】
ここで、電気泳動表示装置３５０の製造時における電気泳動層の形成工程のうち、電気泳動材料を注入する工程を主体について述べる。
まず、素子基板３００上にポリイミドから成る隔壁形成材料を塗布して所定の厚さになるように成膜し、フォトリソグラフィーを用いてパターニングを行うことによって隔壁６４を形成する。隔壁６４の高さは、例えば１０〜３０μｍである。続いて隔壁６４上にエポキシからなる紫外性硬化性樹脂をスクリーン印刷等で塗布する。
【００７８】
続いて、素子基板３００上に隔壁６４を介して対向基板３１０を貼り合わせ、両基板３００，３１０に圧力を加えながら紫外線を照射し、紫外線硬化樹脂を硬化させる。これにより、隔壁６４は素子基板３００と対向基板３１０とが隔壁６４を介して接続される。本実施形態では、電気泳動層３２Ａによりカラー表示を行うため、液晶表示装置のようにカラーフィルターを用いないことから素子基板３００および対向基板３１０の貼り合わせ精度は要求されない。本形態に係る構成では隔壁６４の位置精度が重要とされるからである。
【００７９】
続いて、注入穴Ｈ３，Ｈ４が上向きとなるように基板本体を配置し、減圧下に保持し、電気泳動層３２Ａの電気泳動材料２８をザグリ部ＺＧ１、Ｇ２内に塗布する。ザグリ部ＺＧ１，２は上述のように注入穴Ｈ３，Ｈ４の穴径よりも内径が大きいため、塗布された電気泳動層３２Ａの構成材料が素子基板３００の表面に溢れ出させることなく良好に保持されたものとなる。
【００８０】
そして、電気泳動層３２Ａ（電気泳動材料２８）を塗布して一定時間が経過した後、基板本体１５０を大気圧下に配置し、上記領域５ａ，５ｂ内に電気泳動層３２Ａをそれぞれ良好に充填する。このとき、上述のように電気泳動層３２Ａの構成材料はザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２から素子基板３００の表面に溢れ出ることなく基板３００，３１０間に充填されるので、素子基板３００の表面が電気泳動表示材料で汚れるのを防止できる。
【００８１】
続いて、注入穴Ｈ３，Ｈ４のザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２内にＵＶ硬化樹脂１１０ａを塗布し、第１実施形態と同様、注入穴Ｈ３，Ｈ４を介して注入された封止材１１０を対向基板３１０の内面に接触させるまで引き込ませる。そして、紫外線（ＵＶ）を照射することでＵＶ硬化樹脂１１０ａを硬化させ、注入穴Ｈ３，Ｈ４を封止する封止材１１０を形成する。これにより、空間５ａに電気泳動層３２Ａが形成され、空間５ｂに電気泳動層３２Ａが形成される。以上により、基板本体１５０は、封止材１１０が対向基板３１０の内面に接触した状態となるので、封止材１１０が強固に基板本体１５０に保持されたものとなる。
【００８２】
図９は本実施形態に係る電気泳動表示装置３５０の要部構成を示す断面図である。
図９に示すように、各サブ画素４０Ａ，４０Ｂ内には、２つの画素電極３５Ａ，画素電極３５Ｂ、対向電極３７、および反射電極１３が備えられている。画素電極３５Ａ、３５Ｂは、それぞれ異なるトランジスタにより駆動されるようになっており、対向電極３７との間で独立して電圧を印加できる構成となっている。また、反射電極１３は、対向電極３７と略同電位の電圧が印加される。この反射電極１３は少なくともその表面（電気泳動層３２Ａ側の面）に反射性を有している。
【００８３】
また、サブ画素４０Ａに対応する電気泳動層３２Ａは、青色の負帯電粒子２６Ｂと赤色の正帯電粒子２７Ｒとを有し、サブ画素４０Ｂに対応する電気泳動層３２Ａは、緑色の正帯電粒子２７Ｇと黒色の負帯電粒子２６Ｂｋとを有する。このため、１画素内には４種類（４色）の粒子が保持されていることになる。
【００８４】
ここで、サブ画素４０Ａの電気泳動層３２Ａにおける２種類の帯電粒子の色として、赤、青、緑のいずれか２つの色（本実施形態では、赤と青）が選択されるものとし、サブ画素４０Ｂの電気泳動層３２Ａにおける２種類の帯電粒子の色として、赤、青、緑のうち、サブ画素４０Ａにおける各粒子の色とは異なる色（本実施形態では緑）と、黒色が選択されている。また、黒色以外にも、他方の帯電粒子の色の補色の関係となる色であれば選択することができる。
【００８５】
分散媒２１の材料としては、実質的に無色透明であることが好ましい。このような分散媒２１としては、比較的高い絶縁性を有するものが好適に使用される。かかる分散媒２１の材料としては、上記以外にも、例えば各種類（蒸留水、純水、イオン交換水等）、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、メチルセロソルブ等のセロソルブ類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、ペンタン等の脂肪族炭化水素類、シクロへキサン等の脂環式炭化水素類、ベンゼン、トルエンのような長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、ピリジン、ピラジン等の芳香族複素環類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、カルボン酸塩、流動パラフィンなどの鉱物油類、リノール酸、リノレン酸、オレイン酸等の植物油類、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル等のシリコーンオイル類、ハイドロフルオロエーテル等のフッ素系液体またはその他の各種油類等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いることができる。分散媒２１として気体や真空を用いても良い。
【００８６】
また、分散媒２１中には、必要に応じて、例えば、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂材料、ゴム材料、油類、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、例えばチタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等カップリング剤やその他の分散剤、潤滑剤、安定化剤等の各種添加剤を添加するようにしてもよい。
【００８７】
分散媒２１中に含まれる、帯電粒子、無帯電粒子および透明粒子は、それぞれいかなるものを用いることができ、特に限定はされないが、染料粒子、顔料粒子、樹脂粒子、セラミックス粒子、金属粒子、金属酸化物粒子またはこれらの複合粒子のうちの少なくとも１種が好適に使用される。これらの粒子は、製造が容易であるとともに、荷電の制御を比較的容易に行うことができるという利点を有している。
【００８８】
顔料粒子を構成する顔料としては、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック、チタンブラック等の黒色顔料、二酸化チタン、三酸化アンチモン、硫化亜鉛、亜鉛華等の白色顔料、モノアゾ、ジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、イソインドリノン、黄鉛、黄色酸化鉄、カドミウムイエロー、チタンイエロー等の黄色顔料、モノアゾ、ジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、キナクリドンレッド、クロムバーミリオン等の赤色顔料、フタロシアニンブルー、インダスレンブルー、紺青、群青、コバルトブルー等の青色顔料、フタロシアニングリーン等の緑色顔料、フェロシアン化第二鉄等のシアン色顔料、あるいは無機酸化鉄等のマゼンタ色顔料等が挙げられる。無機顔料、有機顔料を用いることも出来る。
これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８９】
上記顔料の代わりに染料を用いて染料粒子を構成できる。この場合は白色顔料に染料を混入させても良いし、着色の顔料と混ぜて用いても良い。例えばカルボニウム系のマゼンタ等の染料を用いることもできる。
【００９０】
また、樹脂粒子を構成する樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、尿素系樹脂、エポキシ系樹脂、ロジン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、スチレンとアクリロニトリルを共重合したＡＳ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９１】
また、複合粒子としては、例えば、顔料粒子の表面を樹脂材料で被覆したもの、樹脂粒子の表面を顔料で被覆したもの、顔料と樹脂材料とを適当な組成比で混合した混合物で構成される粒子等が挙げられる。また、分散媒２１中に含まれる各種粒子としては、粒子の中心を空洞にした構造のものを用いても良い。このような構成によれば、粒子の表面で光を散乱させることに加えて、粒子内部の、空洞を構成する壁面においても光を散乱させることができ、光の散乱効率を向上させることが可能となる。よって、白、及びその他の色の発色性を向上させることができる。
【００９２】
また、このような電気泳動粒子の分散媒２１中における分散性を向上させることを目的に、各粒子の表面に、分散媒２１と相溶性の高い高分子を物理的に吸着させたり、化学的に結合させたりすることができる。これらの中でも、電気泳動粒子の表面からの離脱着の問題から、高分子が化学的に結合しているものが特に好ましい。かかる構成とすれば、電気泳動粒子の見かけの比重が小さくなる方向に作用して、電気泳動粒子の分散媒２１での親和性、すなわち分散性を向上させることができる。
【００９３】
このような高分子としては、例えば、電気泳動粒子と反応性を有する基と帯電性官能基を有する高分子、電気泳動粒子と反応性を有する基と長鎖アルキル鎖、長鎖エチレンオキシド鎖、長鎖フッ化アルキル鎖、長鎖ジメチルシリコーン鎖等を有する高分子、および、電気泳動粒子と反応性を有する基と帯電性官能基と長鎖アルキル鎖、長鎖エチレンオキシド鎖、長鎖フッ化アルキル鎖、長鎖ジメチルシリコーン鎖等を有する高分子等が挙げられる。
【００９４】
上述したような高分子において、電気泳動粒子と反応性を有する基としては、例えば、エポキシ基、チオエポキシ基、アルコキシシラン基、シラノール基、アルキルアミド基、アジリジン基、オキサゾン基、およびイソシアネート基等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を選択して用いることができるが、用いる電気泳動粒子の種類等に応じて、選択するようにすればよい
【００９５】
このような構成に基づき、本実施形態に係る電気泳動表示装置は、１画素を構成するサブ画素４０Ａ，４０Ｂにおいて互いに異なる表示を行うことで、これら表示の組み合わせによる多様な表現を実現可能となっている。
【００９６】
次に、本実施形態の電気泳動表示装置の動作原理について図９を参照にしながら述べる。
ここでは、１つのサブ画素に着目して説明する。なお、実際には画素電極と反射電極とは異なる層に形成されているが、説明をわかりやすくするために、図９では反射電極を画素電極と同じ層に示している。以下の説明において、便宜上、画素電極に印加する電圧に符号ＶＬ、Ｖｌ、ＶＨ、Ｖｈ２、Ｖｌ２を付して説明する。
【００９７】
図示していないが、最初に画素電極３５Ａにマイナス電圧ＶＬを印加し赤の正帯電粒子２７Ｒを画素電極３５Ａに集合させ、画素電極３５Ｂにプラス電圧ＶＨを印加し青の負帯電粒子２６Ｂを画素電極３５Ｂに集合させる。
【００９８】
次に、図９に示すように、画素電極３５Ａおよび画素電極３５Ｂに対してそれぞれ同じ大きさのマイナス電圧ＶＬを印加すると、例えば画素電極３５Ａ上に赤色の正帯電粒子２７Ｒが複数吸着し、対向電極３７上に複数の青色の負帯電粒子２６Ｂを分布させる事ができる。一方、画素電極３５Ａおよび画素電極３５Ｂに対してそれぞれ同じ大きさのプラス電圧ＶＨを印加すると、例えば画素電極３５Ｂ上に青色の負帯電粒子２６Ｂが複数吸着し、対向電極３７上に赤色の正帯電粒子２７Ｒが複数分布させる事ができる。
【００９９】
このように、画素電極３５Ａ，３５Ｂのそれぞれに印加する電圧を介して、各帯電粒子を画素電極３５Ａ，３５Ｂ側と対向電極３７側とに非対象に分布させることによって表示を制御することができる。
【０１００】
図１０は、観測側（対向基板側）から見たときに視認される着色粒子の面積による階調の違いについて示すサブ画素の概念図である。ここでは、分かりやすくするために赤色粒子のみを用いて説明する。
図１０（ａ）は、マイナス電圧ＶＬが印加された画素電極３５Ａ上に赤色の正帯電粒子２７Ｒが吸着した状態である。この状態で対向基板３１０側から見ると、赤色粒子の分布面積に応じた小さな赤色ドットと、反射電極１３によって表現される白色とにより、若干赤みを帯びた白表示として見える。
【０１０１】
図１０（ｂ）は、画素電極３５Ａに対してマイナス電圧Ｖｌ（Ｖｌ＜ＶＬ）において印加するマイナス電圧より低い）を印加して、図１０（ａ）の状態において画素電極３５Ａ上に吸着していた正帯電粒子２７Ｒの一部を対向電極３７側へと移動させた状態である。この状態で、対向基板３１０側から見ると、図１０（ａ）の状態よりも大きい赤ドットが分布した状態となり、淡い赤色が表現される。
【０１０２】
図１０（ｃ）は、電気泳動層３２Ａ側における複数の正帯電粒子２７Ｒのすべてを対向電極３７側へと移動させた状態である。この状態で、対向基板３１０側から見るとサブ画素４０Ａの全体が赤色に見える。
このように、電気泳動表示装置では、対向基板３１０側から見たときに視認される着色粒子の面積により階調を制御するように構成されている。
【０１０３】
次に、本実施形態の電気泳動表示装置における動作（表示方法）について述べる。
図１１（ａ）は、白表示時における粒子の分布状態を示す図である。
サブ画素４０Ａ，４０Ｂ内の各画素電極３５Ａにマイナス電圧ＶＬを印加するとともに、各画素電極３５Ｂにプラス電圧ＶＨを印加する。これにより、サブ画素４０Ａにおける画素電極３５Ａ上に赤色の正帯電粒子２７Ｒを吸着させるとともに画素電極３５Ｂ上に青色の負帯電粒子２６Ｂを吸着させ、また、サブ画素４０Ｂにおける画素電極３５Ａ上に緑色の正帯電粒子２７Ｇを吸着させるとともに画素電極３５Ｂ上に黒色の負帯電粒子２６Ｂｋを吸着させる。
【０１０４】
このように、サブ画素４０Ａ，４０Ｂ内の画素電極３５Ａ，３５Ｂ上にすべての帯電粒子を集合させることにより、対向基板３１０側から電気泳動層３２Ａ内へ入射した外光は粒子が吸着していない反射電極１３において反射され、対向基板３１０側から観測者側へと出射する。これにより、明るい表示、すなわち明るい白表示が実現できる。
【０１０５】
ここで、反射電極１３の表面を酸化して形成した酸化物で構成しておくか、あるいは反射電極１３の表面に酸化膜を形成しておくことによって、反射率が向上するだけでなく、反射光を乱反射させることができる。その結果、メタリックな反射ではなく、紙のような白色により近い白表示を実現できるようになる。
【０１０６】
また、この状態は、電気泳動表示装置１００の表示画像を切り換えるときのプリセット状態でもある。電気泳動材料はメモリー性を有するため、表示画像を書き換えるときに画像表示部５における表示全体を一度クリアにするプリセット動作を行い、粒子の分布状態をリセットする必要がある。このリセットされた状態（プリセット状態）を基準として、そこから新たな表示画像の書き換え動作を行う。
【０１０７】
図１１（ｂ）は、赤表示時における粒子の分布状態を示す図である。
まず、先に述べたプリセット動作を実行して画素４０（各サブ画素４０Ａ，４０Ｂ）を白表示にした後、サブ画素４０Ａ内の画素電極３５Ａにプラス電圧ＶＨを印加するとともに、画素電極３５Ｂにもプラス電圧ＶＨを印加した。これにより、プリセット状態から引き続き、画素電極３５Ｂ上には青色の負帯電粒子２６Ｂが吸着した状態のまま保持され、プリセット時に画素電極３５Ａ上に吸着していた赤色の正帯電粒子２７Ｒはすべて対向電極３７側へと移動して、サブ画素４０Ａが赤表示となる。一方、サブ画素４０Ｂの各画素電極３５Ａ，３５Ｂに対してはマイナス電圧ＶＬをそれぞれ印加して、帯電粒子２６Ｇをすべて画素電極３５Ａ上に保持させておくとともに、帯電粒子２７Ｂｋを対向電極３７側へとすべて移動させることで、サブ画素４０Ｂが黒表示となる。
【０１０８】
ここで、サブ画素４０Ａにおける赤色の正帯電粒子２７Ｒは透明粒子（透過粒子）であることから、対向基板３１０側から入射した外光は、正帯電粒子２７Ｒを透過した後に素子基板３００側の反射電極１３において反射されて、再度、正帯電粒子２７Ｒを透過して外部に出射する。この際、最初に透過する正帯電粒子２７Ｒにおいて赤色以外の光の一部が吸収されて、赤色を含む光が反射電極１３で反射される。そして、この反射光が再び正帯電粒子２７Ｒに入射することによって、赤色以外の光が再度吸収されるため、くっきりした赤い光のみが対向基板３１０側から外部に出て行くことになる。このため、サブ画素４０Ａは赤表示となる。
【０１０９】
このときの出射光（表示画像）の明るさは反射電極１３の面積に比例する。このため、画素電極３５Ａ，３５Ｂが存在する領域にも反射性（散乱性）を付与することが好ましい。すなわち、反射電極１３と同様に、画素電極３５Ａ，３５Ｂに反射性を付与し、その表面を金属酸化物で構成してもよいし、金属層の表面を別途酸化させて酸化膜を形成してもよい。
【０１１０】
ここで、透明粒子とは、可視光領域において特定波長領域の光を吸収し、それ以外の波長の光を散乱または透過させる粒子のことである。本実施形態においては、赤色の約６００〜８００ｎｍの光を散乱または透過させている。なお、可視光以外の領域は不問とする。
【０１１１】
上記したように、サブ画素４０Ａを赤表示、サブ画素４０Ｂを黒表示とすることにより、画素４０全体が赤表示となる。
【０１１２】
図１１（ｃ）は、青表示時における粒子の分布状態を示す図である。
まず、プリセット動作を実行した後、サブ画素４０Ａ内の画素電極３５Ａ，３５Ｂにマイナス電圧ＶＬをそれぞれ印加して、赤色の正帯電粒子２７Ｒを画素電極３５Ａ上に保持させたままにするとともに、プリセット時に画素電極３５Ｂ上に吸着していた青色の負帯電粒子２６Ｂを対向電極３７側へとすべて移動させることにより、サブ画素４０Ａを青表示にする。一方、サブ画素４０Ｂ内の画素電極３５Ａ，３５Ｂには引き続きプリセット動作後に、図１１（ｂ）と同様の動作で黒表示とする。
【０１１３】
ここで、青色の負帯電粒子２６Ｂは反射粒子であり、対向基板３１０側から入射した光の一部はこの負帯電粒子２６Ｂにおいて反射される。具体的には、青色以外の光は負帯電粒子２６Ｂにおいて吸収され、青色光のみが負帯電粒子２６Ｂにおいて反射されて対向基板３１０側から出射する。このときの青表示の明るさは、対向電極３７上に分布した青色の負帯電粒子２６Ｂの実行的な分布面積に比例する。そのため、十分な青色光の反射が行えるような範囲（厚さ）で、対向電極３７上に青色粒子を２次元あるいは３次元的に分布させることが好ましい。
【０１１４】
青色の負帯電粒子２６Ｂにおける青色光の反射率は極力高いことが望ましく、少なくとも６０％以上、より好ましくは９０％以上の反射率を有していることである。さらに、青色以外の光の反射率は低い程よく、できれば１０％以下、より好ましくは５％以下が好適である。
また、少なくとも反射において拡散反射（乱反射）の成分を有していることが望ましい。ここで、反射粒子とは、可視光領域において特定波長領域の光を吸収し、それ以外の波長の光を散乱または反射させる粒子を指す。本実施形態においては、青色の波長、約４００〜５００ｎｍの光を散乱または反射させている。なお、可視光領域以外は不問とする。
【０１１５】
なお、緑色の正帯電粒子２７Ｇは反射粒子および透過粒子のいずれであってもよいが、本実施形態では透明粒子とした。
なお、反射粒子とする場合は、緑色光の反射率が極力高いことが望ましく、上記の青粒子と同様に、少なくとも６０％以上、より好ましくは９０％以上の反射率を有しているとともに、緑色以外の光の反射率は低い程よく、できれば１０％以下、より好ましくは５％以下が好適である。
【０１１６】
上記したように、サブ画素４０Ａを青表示、サブ画素４０Ｂを黒表示とすることで、画素４０全体が青表示となる。
【０１１７】
図１１（ｄ）は、黒表示時における粒子の分布状態を示す図である。
黒表示を行う際においても、まずプリセット動作を実行する。プリセット動作を実行して画素４０（各サブ画素４０Ａ，４０Ｂ）を白表示にした後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ａにプラス電圧ＶＨを印加して対向電極３７側へ赤色の正帯電粒子２７Ｒをすべて移動させる。移動した複数の正帯電粒子２７Ｒは、対向電極３７の表面を覆うように分布することになる。
【０１１８】
その後、所定の時間をおいてから、画素電極３５Ｂに対してマイナス電圧ＶＬを印加して、対向電極３７側へ青色の負帯電粒子２６Ｂをすべて移動させる。対向電極３７側へと移動した青色の負帯電粒子２６Ｂは、対向電極３７の表面上に分布している赤色の正帯電粒子２７Ｒの下側に配置され、これら正帯電粒子２７Ｒと重なるようにして３次元的に分布する。このように、対向電極３７の直下にまず赤色の正帯電粒子２７Ｒを配置した後、これら正帯電粒子２７Ｒの直下に負帯電粒子２６Ｂを配置させる。
【０１１９】
この状態だと、対向基板３１０側から入射した光は、まず透過粒子である赤色の正帯電粒子２７Ｒにおいて赤色以外の光の一部が吸収されて青色の負帯電粒子２６Ｂに到達する。負帯電粒子２６Ｂに到達した光のうち、青色光以外の光、つまり赤色光は負帯電粒子２６Ｂにおいて吸収される。また、正帯電粒子２７Ｒを透過することなく負帯電粒子２６Ｂに直接到達した外光は、そのうちの青色光のみが負帯電粒子２６Ｂにおいて反射されて、それ以外の色の光は吸収される。負帯電粒子２６Ｂで反射された青色光は正帯電粒子２７Ｒにおいて吸収される。このため、結果として黒表示となる。
【０１２０】
一方のサブ画素４０Ｂにおいては図１１（ｂ）と同様にプリセット動作後に黒表示とする。また、サブ画素４０Ａを黒表示する正帯電粒子２７Ｒと負帯電粒子２６Ｂとの移動を開始する時間のずれは上記に限らない。正帯電粒子２７Ｒを移動開始させ、まだ、対向電極３７側に移動しきらない時に負帯電粒子２６Ｂを移動開始させても良い。
【０１２１】
図１２は、緑表示時における粒子の分布状態を示す図である。
まず、プリセット動作を実行して画素４０（サブ画素４０Ａ，４０Ｂ）を白表示にした後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ａ，３５Ｂに対して当該サブ画素４０Ａを黒表示にする所定の電圧を、それぞれ時間差を設けて印加するとともに、サブ画素４０Ｂの画素電極３５Ａ，３５Ｂにプラス電圧ＶＨをそれぞれ印加する。
【０１２２】
これにより、サブ画素４０Ａでは、対向電極３７上に分布する赤色の正帯電粒子２７Ｒの直下に青色の負帯電粒子２６Ｂが配置されて黒表示となる。サブ画素４０Ｂでは、画素電極３５Ｂ上に黒色の負帯電粒子２６Ｂｋが吸着するとともに、対向電極３７上に緑色の正帯電粒子２７Ｇが広く分布して、緑表示となる。
つまり、サブ画素４０Ｂでは、外光が対向電極３７上に広く分布した透過性の緑色の正帯電粒子２７Ｇに入射して、緑色以外の光の一部が吸収される。正帯電粒子２７Ｒ）を透過した緑色光を含む光は反射電極１３において反射された再び正帯電粒子２７Ｇへと入射し、緑色以外の光が吸収されて緑色光のみが外部に出射する。これにより、緑表示となる。
ここで、緑粒子を透過粒子としたが、反射粒子であってもよい。
【０１２３】
次に、ＲＧＢそれぞれの低い明度（暗い色）表示する方法を示す。
図１３（ａ）は、暗い緑表示における粒子の分布状態を示す図である。
プリセット動作の後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ａ，３５Ｂに対して黒表示を実現する電圧をそれぞれ印加するとともに、サブ画素４０Ｂの画素電極３５Ａに対してＶｈ２（０＜Ｖｈ２＜ＶＨ）を印加して緑色の正帯電粒子２７Ｇの一部を対向電極３７側に移動させ、さらに、画素電極３５Ｂに対してＶｌ２（ＶＬ＜Ｖｌ２＜０）を印加して黒色の負帯電粒子２６Ｂｋを対向電極３７側に移動させた。ここで、対向電極３７側へ移動する緑粒子の方が黒粒子よりも多くなるように各画素電極３５Ａ，３５Ｂに対して印加する電圧の大きさを調整する。
【０１２４】
この状態で対向基板３１０側から見ると、サブ画素４０Ｂでは緑色の中に黒ドットが存在し、その結果、暗い緑表示となる。この緑色と黒色の面積を制御することで任意の明度を表現できる。また、各色の面積は、画素電極３５Ａ，３５Ｂに印加する電圧の大きさ、印加時間の長短、電圧を印加するタイミングで制御することができる。この面積とは、対向電極３７近傍または溶媒中も含んだ２次元、３次元的な広がりをすべて考慮した、観測者側（外部）から観察される実効的な面積である。このように、階調表示を行うことができるのは、サブ画素４０Ａ，４０Ｂがそれぞれ複数の画素電極３５Ａ，３５Ｂの集合体からなり、これら画素電極３５Ａ，３５Ｂをそれぞれ独立に制御しているからである。
【０１２５】
次に、赤粒子および青粒子による階調制御を行った際の表示を示す。
図１３（ｂ）は、暗い赤表示における粒子の分布状態を示す図である。
プリセット動作の後、まず、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ｂに対してプラス電圧ＶＨを印加して赤色の正帯電粒子２７Ｒをすべて対向電極３７側へと移動させる。その後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ｂに対してマイナス電圧Ｖｌ（ＶＬ＜Ｖｌ＜０）を印加して青色の負帯電粒子２６Ｂの一部を対向電極３７側へと移動させることにより、赤色の中に黒ドットを形成できる。その結果、サブ画素４０Ａが暗い赤表示となる。
一方、サブ画素４０Ｂの各画素電極３５Ａ，３５Ｂに対しては、黒表示となる電圧を印加しておく。
【０１２６】
図１３（ｃ）は、暗い青表示における粒子の分布状態を示す図である。
プリセット動作の後、まず、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ａに対してプラス電圧Ｖｈ（０＜Ｖｈ＜ＶＨ）を印加して赤色の正帯電粒子２７Ｒの一部を対向電極３７側へと移動させる。その後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ｂに対してマイナス電圧ＶＬを印加して青色の負帯電粒子２６Ｂをすべて対向電極３７側へと移動させることにより、青色の中に黒ドットが存在する。その結果、サブ画素４０Ａが暗い青表示となる。
一方、サブ画素４０Ｂの各画素電極３５Ａ，３５Ｂに対しては、黒表示となる電圧を印加しておく。
【０１２７】
上記は一例であり、各粒子の分布面積および分布状態の制御は、画素電極３５Ａ，３５Ｂに対してそれぞれ印加する電圧の大きさ、印加時間、印加タイミングによって制御する。
また、赤表示領域および黒表示領域における各面積は、対向基板３１０側（対向電極３７上）における各色の帯電粒子の２次元あるいは３次元的な広がりをすべて考慮した、対向基板３１０側から観測される実効的な面積である。
【０１２８】
以上述べたように、本実施形態の電気泳動表示装置１００では、サブ画素４０Ａ，４０Ｂにおける各帯電粒子の分布状態を制御することによって、サブ画素４０Ａとサブ画素４０Ｂとで異なる表示を行うことができ、これら異なる表示の組み合わせによって多様な表現を実現することができる。また、上記実施形態と同様、封止材１１０が強固に基板本体に保持されたものとなっているので、折り曲げ耐性を備えた信頼性の高いものとなる。
【０１２９】
（第３実施形態の第１変形例）
なお、上記実施形態では、ザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２を非表示部６の延在方向に沿って１つずつ形成する場合について説明したが、ザグリ部の形状及び配置位置はこれに限られることはない。例えば、図１４に示すように注入穴Ｈ３の各々に対応させてザグリ部ＺＧ１をそれぞれ形成し、注入穴Ｈ４の各々に対応させてザグリ部ＺＧ２をそれぞれ形成するようにしても良い。この構成によれば、素子基板３００全体に占めるザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２の形成領域を小さくできるので、素子基板３００の機械的強度を高めることができ、電気光学装置の折り曲げ耐性を向上させることができる。
【０１３０】
（第３実施形態の第２変形例）
また、上記第３実施形態では、隔壁６４により少なくとも画像表示領域（画像表示部５）を２つの領域に分離する場合を例に挙げたが、画像表示領域を３つの領域に分離するようにしても良い。図１５は隔壁６４により画像表示領域（画像表示部５）を３つの空間５ｃ〜５ｅに分離した構成を示す平面図である。
【０１３１】
本形態に係る隔壁６４は、図１５に示すように、隔壁６４の外形を枠状に形成する枠状外壁部６４Ｄと、枠状外壁部６４Ｄによって囲まれた領域を三等分する波型形状の第１内壁部６４Ｅおよび第２内壁部６４Ｆとから構成されている。第１内壁部６４Ｅと枠状外壁部６４Ｄとの間に上記空間５ｃが形成され、第１内壁部６４Ｅと第２内壁部６４Ｆとの間に上記空間５ｄが形成され、第２内壁部６４Ｆと枠状外壁部６４Ｄとの間に上記空間５ｅが形成される。各空間５ｃ〜５ｅ内には異なる電気泳動材料が封入されており、電気泳動層３２Ｃ〜３２Ｅが構成されている。電気泳動層３２Ｃは赤色の帯電粒子とともに黒粒子が注入されることで構成され、電気泳動層３２Ｄは緑色の帯電粒子とともに黒粒子が注入されることで構成され、電気泳動層３２Ｅは青色の帯電粒子とともに黒粒子が注入されることで構成される。
【０１３２】
本変形例では３つのサブ画素４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃから構成された画素４０が画像表示領域（画像表示部５）に多数設けられている。サブ画素４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは上記電気泳動層３２Ｃ、３２Ｄ、３２Ｅにそれぞれ対応するものであり、それぞれＲ（赤色）表示、Ｇ（緑色）表示、Ｂ（青色）表示を行うものである。画素４０は、画像表示部５の長辺方向において、サブ画素４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの配置順をＲＧＢと示すと、ＲＧＢ、ＢＧＲの順番を繰り返すようにして配置されている。また、サブ画素４０Ａおよびサブ画素４０Ｃは、画像表示部５の長辺方向において隣の画素４０との仕切りが設けられない構成となっている。
【０１３３】
また、本変形例では、空間５ｃに対応する注入穴Ｈ１０、空間５ｄに対応する注入穴Ｈ１１、および空間５ｅに対応する注入穴Ｈ１２が設けられている。具体的に、注入穴Ｈ１０，Ｈ１２は非表示部６の延在方向に沿って３つ形成されている。また、注入穴Ｈ１１は空間５ｄを構成する素子基板３００の両端部にそれぞれ合計２つ形成されている。また、本変形例では、ザグリ部ＺＧが各注入穴Ｈ１０乃至Ｈ１２に対応するように形成されている。これにより、本変形例においても注入穴Ｈ１０乃至Ｈ１２内に封止材１１０を良好に注入することで折り曲げ耐性を備えた電気光学装置を提供できる。
【０１３４】
ここで、液晶表示装置のようにセルギャップが３μｍ程度の狭い空間内に粘度の高い液晶材料を注入する場合には、図１５に示すような経路の長いパターンでは注入時間が長くなってしまい生産的ではない。しかし、電気泳動表示装置のようにセルギャップが厚く、例えば１０μｍ以上のセルギャップを有する場合には、粘度の低い電気泳動材料であれば短時間で注入作業を行うことができ、生産的であり、実用的な方法となる。
【０１３５】
また、本実施形態では隔壁６４がシール材を兼ねた構成となっている。これによれば、シール材を別途設ける必要が無くなり、電気泳動表示装置の部品点数を削減し、製造コストの低減を図ることができる。
【０１３６】
また、上記実施形態及び変形例では、素子基板３００及び対向基板３１０間に電気光学層として電気泳動層を挟持した場合を例に説明したが、図１６に示すように電気光学層として液晶層を挟持した液晶表示装置についても本発明は適用可能である。なお、図１６は第２実施形態に係る構成において電気光学層を液晶層５０に置き換えたものである。上述のように素子基板３００及び対向基板３１０はフレキシブル性を有するため、液晶表示装置は折り曲げられるとセルギャップが変化し易い。そのため、液晶層５０としてはセルギャップが変化しても表示特性への影響が小さいもの、例えば高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）、ポリマー分散型液晶（ＰＮＬＣ）等を用いるのが好ましい。また、本発明は、電気光学層として、液晶層の他、エレクトロクロミック材料を用いたエレクトロクロミック表示装置についても適用可能である。
本発明の用いる第１基板３０は必ずしも多層基板である必要はない。封止材１１０も紫外線硬化樹脂に限らず、熱硬化樹脂やそれらの混合を用いても良い。図７（ｂ）等に示したように、封止材１１０は画像表示部５の画部に設けるのが好適である。
【０１３７】
（電子機器）
次に、上記各実施形態の電気泳動表示装置を電子機器に適用した場合について説明する。
図１７は、本発明の電気泳動表示装置を適用した電子機器の具体例を説明する斜視図である。
図１７（ａ）は、電子機器の一例である電子ブックを示す斜視図である。この電子ブック（電子機器）１０００は、ブック形状のフレーム１００１と、このフレーム１００１に対して回動自在に設けられた（開閉可能な）カバー１００２と、操作部１００３と、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１００４と、を備えている。
【０１３８】
図１７（ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計（電子機器）１１００は、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１１０１を備えている。
【０１３９】
図１７（ｃ）は、電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。この電子ペーパー（電子機器）１２００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体部１２０１と、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１２０２を備えている。
【０１４０】
例えば電子ブックや電子ペーパーなどは、白地の背景上に文字を繰り返し書き込む用途が想定されるため、消去時残像や経時的残像の解消が必要とされる。
なお、本発明の電気泳動表示装置を適用可能な電子機器の範囲はこれに限定されず、帯電粒子の移動に伴う視覚上の色調の変化を利用した装置を広く含むものである。
【０１４１】
以上の電子ブック１０００、腕時計１１００及び電子ペーパー１２００によれば、本発明に係る電気泳動表示装置が採用されているので、折り曲げ耐性を有し、良好なフルカラーに近い表示の行える信頼性に優れた高品位の電子機器となる。
【０１４２】
なお、上記の電子機器は、本発明に係る電子機器を例示するものであって、本発明の技術範囲を限定するものではない。例えば、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部や、マニュアル等の業務用シート、教科書、問題集、情報シート等にも、本発明に係る電気泳動表示装置は好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１４３】
Ｈ、Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ１０，Ｈ１１，Ｈ１２…注入穴、ＺＧ，ＺＧ１，ＺＧ２…ザグリ部、３２Ａ…電気泳動層（電気光学層）、５０…液晶層（電気光学層）、５１…駆動ＩＣ（電子部品）、６４…隔壁、６５…シール材、１００，２００，３５０…電気泳動表示装置（電気光学装置）、１１０…封止材、３００…素子基板（第１基板）、３１０…対向基板（第２基板）、４００…液晶表示装置（電気光学装置）、１０００…電子ブック（電子機器）、１１００…腕時計（電子機器）、１２００…電子ペーパー（電子機器）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子ペーパーと呼ばれる薄型軽量の装置形態を有する表示装置の実用化が進められている。このような電子ペーパーではフレキシブル性を有する電気光学装置が用いられている。このようなフレキシブル性を有する電気光学装置として液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この液晶装置は、可撓性を有するプラスチック基板間に液体材料である液晶層（電気光学材料）を注入した後、封止材で封止することで構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−６４０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術のように基板間に液体材料を挟持してなる液晶装置は折り曲げられると封止部分に負荷が加わることで剥がれ落ちて液晶層が漏れ出すといった問題を引き起こすおそれがあった。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、曲げによる外力が働いた場合であっても基板間に電気光学材料を良好に封止できる信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される電気光学層と、前記第１基板又は前記第２基板の一方に形成され、前記電気光学層を注入するための注入穴と、前記注入穴を介して前記第１基板及び前記第２基板間に注入された前記電気光学層を封止する封止材と、を備え、前記封止材は、前記注入穴が形成されない他方の基板側まで到達した状態に設けられることを特徴とする。
【０００７】
本発明の電気光学装置によれば、可撓性を有する第１基板及び第２基板を備えているので、全体として可撓性を有したものとなる。また、封止材が注入穴の形成されていない他方の基板側まで到達するように設けられているので、封止材が強固に保持されたものとなる。よって、電気光学装置を折り曲げた場合であっても、封止材が剥離するといった不具合が生じることが防止され、電気光学材料を良好に封止できる信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置を提供できる。
【０００８】
また、上記電気光学装置においては、前記第２基板の前記電気光学層と反対側の面に表示面が設定され、前記注入穴は前記第１基板に形成されているのが好ましい。
【０００９】
この構成によれば、表示面を構成しない第１基板側に注入穴が形成されるので、注入穴及び該注入穴に注入された封止材が表示面の表示画像に重なるといった不具合の発生を防止することができる。
【００１０】
また、上記電気光学装置においては、前記第１基板は複数の基材が積層された多層構造から構成されるとともに前記注入穴が形成され、前記第１基板は、前記複数の基材間のいずれかに電子部品が挟持されることで該電子部品が基板本体内に埋め込まれているのが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、第１基板が多層構造からなり、内部に電子部品が埋め込まれているので、電気光学装置の小型化を図ることができる。
【００１２】
また、上記電気光学装置においては、前記注入穴は、該注入穴に対して前記電気光学層と反対側に設けられ、当該注入穴の穴径よりも大きい穴径を有するザグリ部に連通しているのが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、基板間に電気光学層を注入する際、ザグリ部によって電気光学層が注入穴の形成された基板表面に溢れ出して基板表面が汚れるのを防止し、組み立て性に優れたものとなる。また、ザグリ部が封止材の溢れを防止することで封止材の表面が基板表面から突出するのを防止できる。これにより、封止材が基板表面に突出して邪魔になるといった問題の発生を無くすことができる。
【００１４】
また、上記電気光学装置においては、前記注入穴が複数形成されるのが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、注入穴が複数形成されるので、装置組立時に電気光学材料を基板間の全域に亘って良好に配置することができる。
【００１６】
また、上記電気光学装置においては、前記第１基板及び前記第２基板の間に前記電気光学層の配置領域を区画する隔壁が設けられ、前記注入穴は前記電気光学層の配置領域に対応するように形成されるのが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、電気光学層の配置領域を複数備えるとともに該複数の領域に注入穴を介して異なる電気光学層を注入することができる。よって、例えば色の異なる電気光学層を備え、カラー表示が可能な電気光学層を提供できる。
【００１８】
また、上記電気光学装置においては、前記隔壁の一部が前記電気光学層を前記第１基板及び前記第２基板間にシールするシール部材を兼ねるのが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、シール部材を別途設ける必要が無くなり、装置の部品点数を削減し、製造コスト低減を図ることができる。
【００２０】
また、上記電気光学装置においては、前記電気光学層が電気泳動層であるのが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、可撓性を備えるとともに電子ペーパーとして好適な電気光学装置を提供することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板及び第２基板間に電気光学層が挟持されてなる電気光学装置の製造方法において、貼り合わされた前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられた注入穴を介して前記基板間に前記電気光学層を注入する工程と、前記注入穴を封止材で封止する工程と、を備え、前記封止工程においては、前記注入穴を介して、該注入穴が形成されない他方の基板側まで到達させるように前記封止材を配置させることを特徴とする。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、注入穴の形成されていない他方の基板側まで到達させるように封止材を注入孔から注入しているので、封止材を確実に注入することができる。これにより、電気光学装置を折り曲げた場合であっても、封止材が剥離するといった不具合が生じることが防止され、電気光学材料を良好に封止する信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置を製造できる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２５】
本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えるので、電子機器自体も折り曲げ可能な構造を採用した場合でも耐久性に優れた信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（ａ）は電気泳動表示装置の平面構成を示す図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視による断面図。
【図２】電気泳動表示装置の要部構成を示す断面図。
【図３】（ａ）、（ｂ）は電気泳動表示装置の製造工程を説明するための図。
【図４】（ａ）、（ｂ）は第２実施形態に係る電気泳動表示装置の構成を示す断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は電気泳動表示装置の製造工程を説明するための図。
【図６】第２実施形態に係る電気泳動表示装置の変形例に係る構成を示す図。
【図７】（ａ）は、第３実施形態に係る画像表示部における画素構成の一部を拡大して示す概略図であり、（ｂ）は隔壁の構成を示す平面図。
【図８】第３実施形態の電気泳動表示装置の断面図。
【図９】電気泳動表示装置の要部構成を示す断面図。
【図１０】観測側から見たときに視認される着色粒子の面積による階調の違いについて示すサブ画素の概念図。
【図１１】（ａ）は、白表示時における粒子の分布状態を示す図、（ｂ）は、赤表示時における粒子の分布状態を示す図、（ｃ）は、青表示時における粒子の分布状態を示す図、（ｄ）は、黒表示時における粒子の分布状態を示す図。
【図１２】緑表示時における粒子の分布状態を示す図。
【図１３】（ａ）は、暗い緑表示における粒子の分布状態を示す図、（ｂ）は、暗い赤表示における粒子の分布状態を示す図、（ｃ）は、暗い青表示における粒子の分布状態を示す図。
【図１４】第３実施形態の第１変形例に係る構成を示す図。
【図１５】第３実施形態の第２変形例に係る構成を示す図。
【図１６】本発明を液晶表示装置に適用した構成を示す図。
【図１７】本発明の電気泳動表示装置を適用した電子機器の具体例を説明する斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は本発明の電気光学装置を電気泳動表示装置に適用した場合の構成を示す図であり、同図（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図２は、電気泳動表示装置の要部構成を示す断面図である。
【００２９】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置１００は、フレキシブル性を有する素子基板（第１基板）３００と、素子基板３００に対向配置され、フレキシブル性を有する対向基板（第２基板）３１０と、これら素子基板３００および対向基板３１０間に挟持される電気泳動層（電気光学層）３２Ａと、を備えている。これにより、電気泳動表示装置１００は、全体としてフレキシブル性を備えたものとなっている。
【００３０】
素子基板３００および対向基板３１０の周縁部どうしの間には、電気泳動層３２Ａに対する耐湿性の確保と電気泳動層３２Ａの保持のために、電気泳動層３２Ａの周囲を取り囲むようにしてシール材６５が配置されている。シール材６５で囲まれた内側の領域は、画像表示部５を構成している。例えば、シール材６５はエポキシ樹脂から構成される。
【００３１】
素子基板３００には上記シール材６５で囲まれた画像表示部５に電気泳動層３２Ａを注入するための注入穴Ｈが形成されている。注入穴Ｈは、素子基板３００を貫通した状態に形成されており、電気泳動層３２Ａの注入後、封止材１１０によって封止されている。封止材１１０は例えばエポキシ樹脂から構成されるものであり、注入穴Ｈを介した電気泳動層３２Ａへの水分や酸素等の外部材料の浸入の防止と電気泳動材料２８の保持するためのものである。封止材１１０は、注入穴Ｈが形成されていない対向基板３１０側まで到達して該対向基板３１０に接触した状態に設けられている。ここで、電気泳動層３２Ａのセルギャップは例えば３０μｍ程度に設定されている。そのため、封止材１１０は素子基板３００の表面から電気泳動表示装置１００の内部まで確実に入り込むことで強固に保持された状態となっている。
【００３２】
電気泳動表示装置１００は上述のようにフレキシブル性を有するため、折り曲げられた状態で使用されることがある。このとき、封止材１１０に対して負荷が加わることとなる。本実施形態によれば、封止材１１０が対向基板３１０側まで注入されることで強固に保持されているので、折り曲げによる負荷による封止材１１０の剥離を防止し、折り曲げ耐性を向上させることで信頼性の高いものとなっている。
【００３３】
また、電気泳動表示装置１００は、画像表示部５に表示された画像が対向基板３１０側から視認されるようになっている。そのため、注入穴Ｈに注入された封止材１１０は画像表示部５の表示画像に重なるといった不具合が防止されたものとなっている。
【００３４】
図２は、電気泳動表示装置１００の要部構成を具体的に示す断面図である。図２に示すように、素子基板３００は、第１基板３０と、その表面に形成された駆動回路層２４とを主として構成されている。
【００３５】
第１基板３０は、フレキシブル性を有する３つの基材３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃが積層されてなり、駆動ＩＣ（電子部品）５１、各種配線等が埋め込まれている。これにより、IC等の電子部品を積載したプリント基板等を外部に設ける必要がなくなり、第１基板３０の小型化が実現できる。さらに、駆動回路層２４の一部を第１基板３０中に形成することにより高精細化が実現できる。第１基板３０の小型化を図っている。第１基板３０内に埋め込まれた各種配線は、例えば厚さ１０μｍのＣｕから構成されている。また、各基材３０Ａ〜３０Ｃは、厚さ５０μｍのポリイミドからなるフレキシブル基板である。
【００３６】
ユーザーは、上述のように画像を対向基板３１０側から視認するため、第１基板３０を非透明基板で形成するのが好ましい。具体的には、電子部品である、駆動ＩＣ５１が埋め込まれている基材３０Ａには非透明基板を用いることが好ましい。このように駆動ＩＣ５１の周囲の基材に遮光性を付与することで、光リークによる駆動ＩＣ５１の誤作動を抑制することができる。ここで駆動ＩＣ５１が基板３０Ａに埋め込まれて保持されているが、この形態に限らない。素子基板３００中のどこかに保持されていれば良い。
【００３７】
駆動回路層２４は、電気泳動表示装置１００の画像表示部５を構成するマトリクス状に配置された複数の画素ごとに画素電極３５と、当該画素電極３５を制御する画素トランジスタＴＲｓと、内蔵ドライバーＤｒと、を含む。内蔵ドライバーＤｒは、データ線駆動ドライバー、走査線駆動ドライバー、又はゲート線駆動ドライバー等を含む。
【００３８】
駆動ＩＣ５１は基材３０Ｂ，３０Ｃ間を貫通するコンタクトホールＣＨ１に埋設された接続部５１ａおよび接続部５１ａに電気的に接続され、基材３０Ｃ上に引き出された配線部５１ｂを介して内蔵ドライバーＤｒと電気的に接続されている。
【００３９】
画素トランジスタＴＲｓは、複数の走査線６６と複数のデータ線６８との交差する箇所のそれぞれに設けられている。そして、画素トランジスタＴＲｓのうち、半導体層４１ａのチャネル領域に対向するようにゲート電極４１ｅが配置され、走査線６６の一部が接続されている。この画素トランジスタＴＲｓは、ボトムゲート／トップコンタクト構造であり、有機半導体層を有する有機ＴＦＴである。なお、内蔵ドライバーＤｒは、画素トランジスタＴＲｓと同一の工程で第１基板３０上に形成される。
【００４０】
ゲート電極４１ｅは厚さ０．３μｍのＣｕからなり、該ゲート電極４１ｅを覆うようにして第１基板３０の表面全体には、ゲート絶縁膜４１ｂが設けられている。ゲート絶縁膜４１ｂは、厚さ０．５μｍのアクリルからなり、その上に厚さ０．０５μｍのペンタセンからなる半導体層４１ａが形成されている。ゲート絶縁膜４１ｂ上にはさらに半導体層４１ａの周縁部に一部乗り上げるようにして、厚さ０．３μｍのＡｕからなるソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄが設けられている。これら半導体層４１ａ、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄは、厚さ１μｍのアクリルからなる保護層４２によって覆われており、当該保護層４２の厚さ方向を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して画素電極３５が下層のドレイン電極４１ｄと電気的に接続されている。このように画素トランジスタＴＲｓは、第１基板３０側から順次薄膜を作成することで形成されている。
【００４１】
データ線６８は、上記内蔵ドライバーＤｒを介して画像信号を画素トランジスタＴＲｓのソース電極４１ｃに入力するようになっている。ここで、データ線６８に書き込む画像信号は、線順次に供給しても良いし、互いに隣接するデータ線６８に対してグループごと、又は１本のデータ線毎に供給しても良い。
【００４２】
画素トランジスタＴＲｓのゲート電極４１ｅには走査線６６が電気的に接続されており、所定のタイミングでパルス的に選択信号（走査信号）を、順次に印加するように構成されている。
【００４３】
第１基板３０の表面に形成された画素電極３５は、画素トランジスタＴＲｓのドレイン電極４１ｄと電気的に接続されており、スイッチング素子である画素トランジスタＴＲｓを開状態とすることにより、データ線６８から供給される画像信号が電気泳動層３２Ａに対して所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４４】
電気泳動層３２Ａは、正負のいずれかに帯電した黒色と白色の２種類の電気泳動粒子（正帯電粒子２６、負帯電粒子２７）と、シリコンオイルからなる分散媒２１とを含む。この電気泳動層３２Ａは、保持容量（図示せず）が作る画素電極３５と対向電極３７との電位差によって電気泳動粒子（正帯電粒子２６、負帯電粒子２７）が対向電極３７側あるいは画素電極３５側へと移動することとなり、対向基板３１０側から電気泳動層３２Ａを見たときに視認される電気泳動粒子の分布状態によって画像が形成されるようになっている。
【００４５】
なお、分散媒２１に電気泳動粒子２６，２７を分散させた電気泳動層３２Ａを用いた例に限らず、例えば、電気泳動粒子と分散媒とをカプセル化したカプセル型のものでも良い。また、異なる極性に帯電した白黒の２粒子以外の粒子構成を採用しても良い。
【００４６】
このように本実施形態においては、駆動ＩＣ５１および内蔵ドライバーＤｒを画像表示部５の周囲に配置させることなく、画像表示部５の範囲内における第１基板３０内に埋め込むことによって、額縁幅、すなわち非表示領域を狭くした構成にしても良い。
【００４７】
一方、対向基板３１０は、厚さ０．２ｍｍのＰＥＴからなる透明な第２基板３１上に、厚さ０．１μｍのカーボンナノチューブからなる対向電極３７が形成されてなり、ユーザーは当該対向基板３１０を通して電気泳動層３２Ａを観察するため第２基板３１には透明基板が用いられる。対向電極３７への電圧の印加は第１基板３０内に埋め込まれた駆動ＩＣ５１によって行われる。駆動ＩＣ５１は上下導通部（不図示）を介して対向電極３７と電気的に接続されており、該対向電極３７に対して所定の電圧を入力できる構成となっている。
【００４８】
次に、上記電気泳動表示装置１００の製造方法として、電気泳動層３２Ａを基板３００，３１０間に注入する方法について図３を参照にしつつ説明する。
はじめに、シール材６５を介して貼り合わせた素子基板３００及び対向基板３１０であって素子基板３００に注入穴Ｈが形成された基板本体１５０を用意する。そして、図３（ａ）に示すように、注入穴Ｈの注入口が上向きとなるように基板本体１５０を配置し、減圧下に保持し、電気泳動層３２Ａを構成する電気泳動材料２８を注入口に塗布する。なお、電気泳動材料２８の塗布方法としては、ディスペンサー、インクジェット法等の公知技術を適宜使用することができる。
【００４９】
電気泳動材料２８を塗布して一定時間が経過した後、基板本体１５０を大気圧下に配置する。これにより、注入口から注入される電気泳動材料２８の注入速度を加速させ、対向基板３１０および素子基板３００間においてシール材６５で囲まれる領域内に電気泳動材料２８を良好に充填することができる。
【００５０】
続いて、図３（ｂ）に示すように、注入穴ＨにエポキシからなるＵＶ硬化樹脂１１０ａを塗布する。このとき、ＵＶ硬化樹脂１１０ａが注入穴Ｈよりも広くセルギャップ中で広がるように注入するのが望ましい。そして対向基板３０にも達するように注入する。これによれば、注入穴Ｈを介して注入されたＵＶ硬化樹脂１１０ａを対向基板３１０の内面に接触した状態とさせることができる。
【００５１】
そして、紫外線（ＵＶ）を照射することでＵＶ硬化樹脂１１０ａを硬化させ、注入穴Ｈを封止する封止材１１０を形成する。以上により、基板本体１５０は、封止材１１０が対向基板３１０の内面に接触した状態（図１（ｂ）参照）となるので、封止材１１０が強固に基板本体１５０に保持されたものとなる。図１（ｂ）に示したように封止材１１０は素子基板３００の裏面側に突出した状態となるが、素子基板３００は表示面と反対側のため、実用上問題は無い。なお、素子基板３００の表面から突出する封止材１１０のみを部分的に除去しても良い。
【００５２】
以上述べたように、本実施形態に係る電気泳動表示装置１００では、可撓性を有する素子基板３００及び対向基板３１０からなる基板本体１５０を主体に構成されるので、全体として可撓性を有したものとなる。また、封止材１１０が注入穴Ｈの形成されない対向基板３１０側まで到達するように設けられているので、封止材１１０が強固に保持されたものとなる。よって、電気泳動表示装置１００を折り曲げた場合であっても、封止材１１０が剥離することが防止され、電気泳動層３２Ａを良好に封止できる信頼性の高い封止構造を備えた電気光学装置を提供できる。
【００５３】
また、本実施形態においては、エポキシ樹脂からなるシール材６５や封止材１１０を用いているが、アクリル等の有機材料を用いても構わない。また、帯電粒子として白黒粒子以外にカラー粒子を用いても構わない。
また、画素トランジスタＴＲｓの構成はボトムゲート構造に限られない。画素トランジスタＴＲｓも有機、無機トランジスタのどちらを用いても良い。また、画素トランジスタＴＲｓや第１基板３０、第２基板３１および対向電極３７に用いる材料は上述のものに限られない。
【００５４】
さらに、素子基板３００を構成する第１基板３０と対向基板３１０の第２基板３１に用いる材料は、フレキシブル性を有するポリエステルや他の有機、無機材料を用いてもよい。また、第１基板３０や第２基板３１に用いる材料としては伸縮性を有する材料であってもよい。これにより、伸縮状態を含めたフレキシブル性を実現することができる。例えば、アクリル等の柔らかい有機材料、これらをコーティングした不織布、織布、またはゴム等であっても構わない。伸縮性を有すると、電気光学装置を服等の布のように変形の大きい材料や複雑な表面形状の上にも隙間なく貼るように設置するだけでなく、変形させて使用するときの剥がれを少なくすることができる。
また、第１基板３０を構成する基材の数も上記したものに限られない。
また、画素トランジスタＴＲｓの材料も上記したものに限られない。
また、画素電極３５、対向電極３７、走査線６６、データ線６８、および接続配線２２等に用いる材料としては、Ｃｕ以外の他の金属ペースト、金属、カーボンナノチューブ等の導電性材料、無機導電性材料、有機導電性材料、透明電極、導電性ペーストを用いても良い。
また、図３（ａ）において、電気泳動表示装置１５０を減圧下に保持して電気泳動材料２８を注入したが、それに限らず例えば大気圧下で行っても良い。
【００５５】
（第２実施形態）
続いて、第２実施形態に係る電気泳動表示装置の構成について説明する。本実施形態と第１実施形態との違いは、封止材１１０（ＵＶ硬化樹脂１１０ａ）を注入するための注入穴の形状であり、それ以外の構成については第１実施形態と共通である。以下の説明では、上記実施形態と同一の構成或いは部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略若しくは簡略化する。
【００５６】
図４は本実施形態に係る電気泳動表示装置２００の構成を示す図である。なお、図４においては、図を見やすくするため、対向基板３１０を上側にして示している。
図４に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、シール材６５を介して張り合わされた素子基板３００および対向基板３１０と、これら素子基板３００および対向基板３１０間に挟持される電気泳動層３２Ａと、を備えている。
【００５７】
本実施形態においても、注入穴Ｈ２が対向基板３１０に形成されている。本実施形態に係る注入穴Ｈ２は、第１基板３０の基材３０Ｃを貫通した状態に形成されている。本実施形態においては、第１基板３０の基材３０Ａ，３０Ｂを貫通した状態に設けられるザグリ部ＺＧが設けられており、注入穴Ｈ２の一端側（電気泳動層３２Ａと反対側）が連通している。ザグリ部ＺＧは、穴径が注入穴Ｈ２よりも大きく形成されている。このように基材３０Ａ〜３０Ｃの界面にザグリ部ＺＧを形成することで注入穴Ｈ２の加工性を向上させている。
【００５８】
なお、本実施形態では、ザグリ部ＺＧおよび注入穴Ｈ２の穴径を基材３０Ａと基材３０Ｂとの界面で異ならせる場合を例に説明したが、基材３０Ａ〜Ｃの途中で穴径を変える構成を採用しても良い。また、第１基板３０として基材３０Ａ〜３０Ｃを積層した多層構造のものを例示したが、多層基板でない第１基板３０に対して注入穴Ｈ２およびザグリ部ＺＧを形成するようにしても良い。
【００５９】
封止材１１０は、第１実施形態と同様、注入穴Ｈ２が形成されていない対向基板３１０側まで到達して該対向基板３１０に接触した状態に設けられている。本実施形態では、注入穴Ｈ２内に注入された封止材１１０が素子基板３００の表面に対して凹んだ状態となっている。
【００６０】
続いて、上記電気光学装置２００の製造方法として、電気泳動層３２Ａを基板３００，３１０間に注入する方法について図５を参照にしつつ説明する。はじめに、素子基板３００に注入穴Ｈ２が形成された基板本体２５０を用意する。そして、図５（ａ）に示すように、注入穴Ｈ２が上向きとなるように基板本体１５０を配置し、減圧下に保持し、電気泳動材料２８を注入穴Ｈ２のザグリ部ＺＧ内に塗布する。ザグリ部ＺＧは上述のように穴径が注入穴Ｈ２よりも大きいため、塗布された電気泳動材料２８が素子基板３００の表面に溢れ出させることなく良好に保持されたものとなる。
【００６１】
そして、電気泳動材料２８を塗布して一定時間が経過した後、基板本体１５０を大気圧下に配置し、対向基板３１０および素子基板３００間においてシール材６５で囲まれる領域内に電気泳動材料２８を良好に充填することができる。このとき、上述のように電気泳動材料２８はザグリ部ＺＧから素子基板３００の表面に溢れ出ることなく基板３００，３１０間に充填されるので、素子基板３００の表面が電気泳動材料２８で汚れるのを防止できる。
【００６２】
続いて、図５（ｂ）に示すように、注入穴Ｈ２のザグリ部ＺＧ内にエポキシからなるＵＶ硬化樹脂１１０ａを塗布する。このとき、第１実施形態と同様、注入穴Ｈ２を介して注入されたＵＶ硬化樹脂１１０ａを対向基板３１０の内面に接触した状態とする。そして、紫外線（ＵＶ）を照射することでＵＶ硬化樹脂１１０ａを硬化させ、注入穴Ｈ２を封止する封止材１１０を形成する。
【００６３】
本実施形態では、注入穴Ｈ２に設けられたザグリ部ＺＧを介して封止材１１０が基板３００，３１０間に充填されるので、電気泳動材料２８と同様、封止材１１０（ＵＶ硬化樹脂１１０ａ）が素子基板３００の表面を汚すことがない。すなわち、注入穴Ｈ２内に配置された封止材１１０は、素子基板３００の表面から出っ張った状態となるのを防止することができる。
【００６４】
本実施形態においても、基板本体２５０は、封止材１１０が対向基板３１０の内面に接触した状態となるので、封止材１１０が強固に基板本体２５０に保持されたものとなる。また、本実施形態によれば、ザグリ部ＺＧを設けたことで素子基板３００の表面が電気泳動表示材料で汚れることで不良品となるといった不具合の発生を防止できる。特に黒色の電気泳動粒子は粒径が細かく、付着すると洗浄しても除去し難いので、汚れを原因として不良品とみなされることがある。そのため、本実施形態に係る構成は、特に顕著な効果を得ることができる。
【００６５】
（変形例）
続いて、上述した第２実施形態に係る電気泳動表示装置２００の変形例について説明する。なお、本変形例は注入穴Ｈ２の形状が第２実施形態に係る構成と異なっており、それ以外の構成は共通である。そのため、以下の説明では注入穴Ｈ２の形状について説明する。図６は本変形例に係る電気泳動表示装置２００の構成を示す図であり、同図（ａ）は電気泳動表示装置２００の平面図であり、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視による断面図を示すものである。なお、図６は図を簡略化するため、電気泳動層３２Ａを注入しない状態の基板本体２５０を図示している。
【００６６】
図６（ａ），（ｂ）に示されるように、電気泳動表示装置２００は、注入穴Ｈ２が３つ形成されている。また、ザグリ部ＺＧは素子基板３００の長辺方向に沿って形成されており、３つの注入穴Ｈ２がそれぞれ連通した状態に設けられている。このように本変形例においては、注入穴Ｈ２が共通のザグリ部ＺＧに連通した構成となっている。
【００６７】
続いて、本変形例に係る構成において、基板３００，３１０間に電気泳動材料２８を充填する工程について説明する。はじめに、注入穴Ｈ２が上向きとなるように基板本体２５０を配置し、減圧下に保持し、電気泳動材料２８をザグリ部ＺＧ内に塗布する。本実施形態に係るザグリ部ＺＧは上述のように素子基板３００の長辺方向に沿って形成されるため、第２実施形態に係る構成に比べて電気泳動材料２８を多く保持することができる。よって、電気泳動材料２８が素子基板３００の表面に溢れ出すのを確実に防止できる。
【００６８】
そして、電気泳動材料２８を塗布して一定時間が経過した後、基板本体２５０を大気圧下に配置し、注入穴Ｈ２を介して電気泳動材料２８を基板３００，３１０間に充填する。このとき、本変形例では上述のように注入穴Ｈ２が複数（本変形例では３つ）設けられているので、電気泳動材料２８はザグリ部ＺＧから素子基板３００の表面に溢れ出ることなく基板３００，３１０間に短時間で良好に充填できる。
【００６９】
続いて、注入穴Ｈ２のザグリ部ＺＧ内にＵＶ硬化樹脂１１０ａを塗布し、第１実施形態と同様、注入穴Ｈ２を介して注入されたＵＶ硬化樹脂１１０ａを対向基板３１０の内面に接触させるまで引き込ませる。そして、紫外線（ＵＶ）を照射することでＵＶ硬化樹脂１１０ａを硬化させ、注入穴Ｈ２を封止する封止材１１０を形成する。このように本変形例においても、基板本体２５０は、封止材１１０が対向基板３１０の内面に接触した状態となるので、封止材１１０が強固に基板本体２５０に保持されたものとなる。
【００７０】
（第３実施形態）
続いて、第３実施形態に係る電気泳動表示装置の構成について説明する。本実施形態と第１、第２実施形態との違いは、画素表示部における画素構造および注入穴の形状であり、それ以外の構成については第１、第２実施形態と共通である。以下の説明では、上記実施形態と同一の構成或いは部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略若しくは簡略化する。
【００７１】
図７（ａ）は、画像表示部における画素構成の一部を拡大して示す概略図であり、（ｂ）は隔壁の構成を示す平面図である。また、図８は電気泳動表示装置の断面図である。
【００７２】
図７（ａ）に示すように、本実施形態における１つの画素４０は２つのサブ画素４０Ａおよびサブ画素４０Ｂから構成されている。これら２つのサブ画素４０Ａ，４０Ｂは、走査線６６の延在方向に沿って交互に存在するとともに、データ線６８の延在方向に同じサブ画素４０Ａ，４０Ｂ同士が連続して存在している。１画素を構成するサブ画素４０Ａ，４０Ｂの間には隔壁６４が存在している。この隔壁６４は、素子基板３００と対向基板３１０との間に配置され、図７（ｂ）に示すように、少なくとも画像表示領域（画像表示部５）を２つの領域に分離するものである。具体的には、画像表示部５に対応する素子基板３００および対向基板３１０間の空間を２つの空間５ａ，５ｂに区画形成している。そして、この隔壁６４の両側に存在するサブ画素４０Ａ，４０Ｂによって、表示を行う１つの画素４０を構成している。隔壁６４によって区画形成された空間５ａ，５ｂ内にそれぞれ存在するサブ画素４０Ａとサブ画素４０Ｂとはそれぞれ異なる画素４０を構成するものである。
【００７３】
隔壁６４の具体的な構成について述べると、隔壁６４の外形を枠状に形成すべく互いに対向配置されたＬ字形状の一対の外壁部６４Ａと、これら外壁部６４Ａによって囲まれた領域を二等分する波型形状の内壁部６４Ｃとから構成されている。外壁部６４Ａと内壁部６４Ｃとの間に上記空間５ａと５ｂが形成される。これら空間５ａ，５ｂ内には異なる電気泳動材料が封入されており、電気泳動層３２Ａが構成されている。また、隔壁６４の外周を囲むようにシール材６５が設けられている。これにより、隔壁６４がシールから電気泳動層３２Ａへの不純物の溶出等を防止することができる。
【００７４】
本実施形態においては、図７（ｂ）、図８に示すように、上記空間５ａに後述の電気泳動層３２Ａを注入するための注入穴Ｈ３と、上記空間５ｂに後述の電気泳動層３２Ａを注入するための注入穴Ｈ４と、を備えている。具体的に本実施形態では、素子基板３００における画像表示部５の外側に設定される非表示部６に注入穴Ｈ３，Ｈ４が３つずつ形成されている。また、本実施形態においては、非表示部６の延在方向に沿ってザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２が設けられている。注入穴Ｈ３はザグリ部ＺＧに連通しており、注入穴Ｈ４はザグリ部ＺＧ２に連通している。各注入穴Ｈ３，Ｈ４は封止材１１０によって封止されている。
【００７５】
上記隔壁６４の材料としては、例えばポリイミドが用いられる。隔壁６４の配置領域は表示に係わらない領域であるため、その色は、非透明で黒色または明度の低い無彩色であることが望ましい。
このため、コントラストの低下が生じにくい。
【００７６】
従来の隔壁構成では空間５ａ、５ｂ内のサブ画素４０Ａ、４０Ｂ間にも隔壁を設ける。そのため本実施例の２倍の数の隔壁が必要になる。本実施例の隔壁が占める面積が従来のそれが占める面積に比べて小さいことから、明るく高コントラストの表示が可能となっている。また、高精細な画像表示を必要とする表示装置に有効である。なお、隔壁６４の形状は上記したものに限らない。
【００７７】
ここで、電気泳動表示装置３５０の製造時における電気泳動層の形成工程のうち、電気泳動材料を注入する工程を主体について述べる。
まず、素子基板３００上にポリイミドから成る隔壁形成材料を塗布して所定の厚さになるように成膜し、フォトリソグラフィーを用いてパターニングを行うことによって隔壁６４を形成する。隔壁６４の高さは、例えば１０〜３０μｍである。続いて隔壁６４上にエポキシからなる紫外性硬化性樹脂をスクリーン印刷等で塗布する。
【００７８】
続いて、素子基板３００上に隔壁６４を介して対向基板３１０を貼り合わせ、両基板３００，３１０に圧力を加えながら紫外線を照射し、紫外線硬化樹脂を硬化させる。これにより、隔壁６４は素子基板３００と対向基板３１０とが隔壁６４を介して接続される。本実施形態では、電気泳動層３２Ａによりカラー表示を行うため、液晶表示装置のようにカラーフィルターを用いないことから素子基板３００および対向基板３１０の貼り合わせ精度は要求されない。本形態に係る構成では隔壁６４の位置精度が重要とされるからである。
【００７９】
続いて、注入穴Ｈ３，Ｈ４が上向きとなるように基板本体を配置し、減圧下に保持し、電気泳動層３２Ａの電気泳動材料２８をザグリ部ＺＧ１、Ｇ２内に塗布する。ザグリ部ＺＧ１，２は上述のように注入穴Ｈ３，Ｈ４の穴径よりも内径が大きいため、塗布された電気泳動層３２Ａの構成材料が素子基板３００の表面に溢れ出させることなく良好に保持されたものとなる。
【００８０】
そして、電気泳動層３２Ａ（電気泳動材料２８）を塗布して一定時間が経過した後、基板本体１５０を大気圧下に配置し、上記領域５ａ，５ｂ内に電気泳動層３２Ａをそれぞれ良好に充填する。このとき、上述のように電気泳動層３２Ａの構成材料はザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２から素子基板３００の表面に溢れ出ることなく基板３００，３１０間に充填されるので、素子基板３００の表面が電気泳動表示材料で汚れるのを防止できる。
【００８１】
続いて、注入穴Ｈ３，Ｈ４のザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２内にＵＶ硬化樹脂１１０ａを塗布し、第１実施形態と同様、注入穴Ｈ３，Ｈ４を介して注入された封止材１１０を対向基板３１０の内面に接触させるまで引き込ませる。そして、紫外線（ＵＶ）を照射することでＵＶ硬化樹脂１１０ａを硬化させ、注入穴Ｈ３，Ｈ４を封止する封止材１１０を形成する。これにより、空間５ａに電気泳動層３２Ａが形成され、空間５ｂに電気泳動層３２Ａが形成される。以上により、基板本体１５０は、封止材１１０が対向基板３１０の内面に接触した状態となるので、封止材１１０が強固に基板本体１５０に保持されたものとなる。
【００８２】
図９は本実施形態に係る電気泳動表示装置３５０の要部構成を示す断面図である。
図９に示すように、各サブ画素４０Ａ，４０Ｂ内には、２つの画素電極３５Ａ，画素電極３５Ｂ、対向電極３７、および反射電極１３が備えられている。画素電極３５Ａ、３５Ｂは、それぞれ異なるトランジスタにより駆動されるようになっており、対向電極３７との間で独立して電圧を印加できる構成となっている。また、反射電極１３は、対向電極３７と略同電位の電圧が印加される。この反射電極１３は少なくともその表面（電気泳動層３２Ａ側の面）に反射性を有している。
【００８３】
また、サブ画素４０Ａに対応する電気泳動層３２Ａは、青色の負帯電粒子２６Ｂと赤色の正帯電粒子２７Ｒとを有し、サブ画素４０Ｂに対応する電気泳動層３２Ａは、緑色の正帯電粒子２７Ｇと黒色の負帯電粒子２６Ｂｋとを有する。このため、１画素内には４種類（４色）の粒子が保持されていることになる。
【００８４】
ここで、サブ画素４０Ａの電気泳動層３２Ａにおける２種類の帯電粒子の色として、赤、青、緑のいずれか２つの色（本実施形態では、赤と青）が選択されるものとし、サブ画素４０Ｂの電気泳動層３２Ａにおける２種類の帯電粒子の色として、赤、青、緑のうち、サブ画素４０Ａにおける各粒子の色とは異なる色（本実施形態では緑）と、黒色が選択されている。また、黒色以外にも、他方の帯電粒子の色の補色の関係となる色であれば選択することができる。
【００８５】
分散媒２１の材料としては、実質的に無色透明であることが好ましい。このような分散媒２１としては、比較的高い絶縁性を有するものが好適に使用される。かかる分散媒２１の材料としては、上記以外にも、例えば各種類（蒸留水、純水、イオン交換水等）、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、メチルセロソルブ等のセロソルブ類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、ペンタン等の脂肪族炭化水素類、シクロへキサン等の脂環式炭化水素類、ベンゼン、トルエンのような長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、ピリジン、ピラジン等の芳香族複素環類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、カルボン酸塩、流動パラフィンなどの鉱物油類、リノール酸、リノレン酸、オレイン酸等の植物油類、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル等のシリコーンオイル類、ハイドロフルオロエーテル等のフッ素系液体またはその他の各種油類等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いることができる。分散媒２１として気体や真空を用いても良い。
【００８６】
また、分散媒２１中には、必要に応じて、例えば、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂材料、ゴム材料、油類、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、例えばチタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等カップリング剤やその他の分散剤、潤滑剤、安定化剤等の各種添加剤を添加するようにしてもよい。
【００８７】
分散媒２１中に含まれる、帯電粒子、無帯電粒子および透明粒子は、それぞれいかなるものを用いることができ、特に限定はされないが、染料粒子、顔料粒子、樹脂粒子、セラミックス粒子、金属粒子、金属酸化物粒子またはこれらの複合粒子のうちの少なくとも１種が好適に使用される。これらの粒子は、製造が容易であるとともに、荷電の制御を比較的容易に行うことができるという利点を有している。
【００８８】
顔料粒子を構成する顔料としては、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック、チタンブラック等の黒色顔料、二酸化チタン、三酸化アンチモン、硫化亜鉛、亜鉛華等の白色顔料、モノアゾ、ジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、イソインドリノン、黄鉛、黄色酸化鉄、カドミウムイエロー、チタンイエロー等の黄色顔料、モノアゾ、ジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、キナクリドンレッド、クロムバーミリオン等の赤色顔料、フタロシアニンブルー、インダスレンブルー、紺青、群青、コバルトブルー等の青色顔料、フタロシアニングリーン等の緑色顔料、フェロシアン化第二鉄等のシアン色顔料、あるいは無機酸化鉄等のマゼンタ色顔料等が挙げられる。無機顔料、有機顔料を用いることも出来る。
これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８９】
上記顔料の代わりに染料を用いて染料粒子を構成できる。この場合は白色顔料に染料を混入させても良いし、着色の顔料と混ぜて用いても良い。例えばカルボニウム系のマゼンタ等の染料を用いることもできる。
【００９０】
また、樹脂粒子を構成する樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、尿素系樹脂、エポキシ系樹脂、ロジン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、スチレンとアクリロニトリルを共重合したＡＳ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９１】
また、複合粒子としては、例えば、顔料粒子の表面を樹脂材料で被覆したもの、樹脂粒子の表面を顔料で被覆したもの、顔料と樹脂材料とを適当な組成比で混合した混合物で構成される粒子等が挙げられる。また、分散媒２１中に含まれる各種粒子としては、粒子の中心を空洞にした構造のものを用いても良い。このような構成によれば、粒子の表面で光を散乱させることに加えて、粒子内部の、空洞を構成する壁面においても光を散乱させることができ、光の散乱効率を向上させることが可能となる。よって、白、及びその他の色の発色性を向上させることができる。
【００９２】
また、このような電気泳動粒子の分散媒２１中における分散性を向上させることを目的に、各粒子の表面に、分散媒２１と相溶性の高い高分子を物理的に吸着させたり、化学的に結合させたりすることができる。これらの中でも、電気泳動粒子の表面からの離脱着の問題から、高分子が化学的に結合しているものが特に好ましい。かかる構成とすれば、電気泳動粒子の見かけの比重が小さくなる方向に作用して、電気泳動粒子の分散媒２１での親和性、すなわち分散性を向上させることができる。
【００９３】
このような高分子としては、例えば、電気泳動粒子と反応性を有する基と帯電性官能基を有する高分子、電気泳動粒子と反応性を有する基と長鎖アルキル鎖、長鎖エチレンオキシド鎖、長鎖フッ化アルキル鎖、長鎖ジメチルシリコーン鎖等を有する高分子、および、電気泳動粒子と反応性を有する基と帯電性官能基と長鎖アルキル鎖、長鎖エチレンオキシド鎖、長鎖フッ化アルキル鎖、長鎖ジメチルシリコーン鎖等を有する高分子等が挙げられる。
【００９４】
上述したような高分子において、電気泳動粒子と反応性を有する基としては、例えば、エポキシ基、チオエポキシ基、アルコキシシラン基、シラノール基、アルキルアミド基、アジリジン基、オキサゾン基、およびイソシアネート基等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を選択して用いることができるが、用いる電気泳動粒子の種類等に応じて、選択するようにすればよい
【００９５】
このような構成に基づき、本実施形態に係る電気泳動表示装置は、１画素を構成するサブ画素４０Ａ，４０Ｂにおいて互いに異なる表示を行うことで、これら表示の組み合わせによる多様な表現を実現可能となっている。
【００９６】
次に、本実施形態の電気泳動表示装置の動作原理について図９を参照にしながら述べる。
ここでは、１つのサブ画素に着目して説明する。なお、実際には画素電極と反射電極とは異なる層に形成されているが、説明をわかりやすくするために、図９では反射電極を画素電極と同じ層に示している。以下の説明において、便宜上、画素電極に印加する電圧に符号ＶＬ、Ｖｌ、ＶＨ、Ｖｈ２、Ｖｌ２を付して説明する。
【００９７】
図示していないが、最初に画素電極３５Ａにマイナス電圧ＶＬを印加し赤の正帯電粒子２７Ｒを画素電極３５Ａに集合させ、画素電極３５Ｂにプラス電圧ＶＨを印加し青の負帯電粒子２６Ｂを画素電極３５Ｂに集合させる。
【００９８】
次に、図９に示すように、画素電極３５Ａおよび画素電極３５Ｂに対してそれぞれ同じ大きさのマイナス電圧ＶＬを印加すると、例えば画素電極３５Ａ上に赤色の正帯電粒子２７Ｒが複数吸着し、対向電極３７上に複数の青色の負帯電粒子２６Ｂを分布させる事ができる。一方、画素電極３５Ａおよび画素電極３５Ｂに対してそれぞれ同じ大きさのプラス電圧ＶＨを印加すると、例えば画素電極３５Ｂ上に青色の負帯電粒子２６Ｂが複数吸着し、対向電極３７上に赤色の正帯電粒子２７Ｒが複数分布させる事ができる。
【００９９】
このように、画素電極３５Ａ，３５Ｂのそれぞれに印加する電圧を介して、各帯電粒子を画素電極３５Ａ，３５Ｂ側と対向電極３７側とに非対象に分布させることによって表示を制御することができる。
【０１００】
図１０は、観測側（対向基板側）から見たときに視認される着色粒子の面積による階調の違いについて示すサブ画素の概念図である。ここでは、分かりやすくするために赤色粒子のみを用いて説明する。
図１０（ａ）は、マイナス電圧ＶＬが印加された画素電極３５Ａ上に赤色の正帯電粒子２７Ｒが吸着した状態である。この状態で対向基板３１０側から見ると、赤色粒子の分布面積に応じた小さな赤色ドットと、反射電極１３によって表現される白色とにより、若干赤みを帯びた白表示として見える。
【０１０１】
図１０（ｂ）は、画素電極３５Ａに対してマイナス電圧Ｖｌ（Ｖｌ＜ＶＬ）において印加するマイナス電圧より低い）を印加して、図１０（ａ）の状態において画素電極３５Ａ上に吸着していた正帯電粒子２７Ｒの一部を対向電極３７側へと移動させた状態である。この状態で、対向基板３１０側から見ると、図１０（ａ）の状態よりも大きい赤ドットが分布した状態となり、淡い赤色が表現される。
【０１０２】
図１０（ｃ）は、電気泳動層３２Ａ側における複数の正帯電粒子２７Ｒのすべてを対向電極３７側へと移動させた状態である。この状態で、対向基板３１０側から見るとサブ画素４０Ａの全体が赤色に見える。
このように、電気泳動表示装置では、対向基板３１０側から見たときに視認される着色粒子の面積により階調を制御するように構成されている。
【０１０３】
次に、本実施形態の電気泳動表示装置における動作（表示方法）について述べる。
図１１（ａ）は、白表示時における粒子の分布状態を示す図である。
サブ画素４０Ａ，４０Ｂ内の各画素電極３５Ａにマイナス電圧ＶＬを印加するとともに、各画素電極３５Ｂにプラス電圧ＶＨを印加する。これにより、サブ画素４０Ａにおける画素電極３５Ａ上に赤色の正帯電粒子２７Ｒを吸着させるとともに画素電極３５Ｂ上に青色の負帯電粒子２６Ｂを吸着させ、また、サブ画素４０Ｂにおける画素電極３５Ａ上に緑色の正帯電粒子２７Ｇを吸着させるとともに画素電極３５Ｂ上に黒色の負帯電粒子２６Ｂｋを吸着させる。
【０１０４】
このように、サブ画素４０Ａ，４０Ｂ内の画素電極３５Ａ，３５Ｂ上にすべての帯電粒子を集合させることにより、対向基板３１０側から電気泳動層３２Ａ内へ入射した外光は粒子が吸着していない反射電極１３において反射され、対向基板３１０側から観測者側へと出射する。これにより、明るい表示、すなわち明るい白表示が実現できる。
【０１０５】
ここで、反射電極１３の表面を酸化して形成した酸化物で構成しておくか、あるいは反射電極１３の表面に酸化膜を形成しておくことによって、反射率が向上するだけでなく、反射光を乱反射させることができる。その結果、メタリックな反射ではなく、紙のような白色により近い白表示を実現できるようになる。
【０１０６】
また、この状態は、電気泳動表示装置１００の表示画像を切り換えるときのプリセット状態でもある。電気泳動材料はメモリー性を有するため、表示画像を書き換えるときに画像表示部５における表示全体を一度クリアにするプリセット動作を行い、粒子の分布状態をリセットする必要がある。このリセットされた状態（プリセット状態）を基準として、そこから新たな表示画像の書き換え動作を行う。
【０１０７】
図１１（ｂ）は、赤表示時における粒子の分布状態を示す図である。
まず、先に述べたプリセット動作を実行して画素４０（各サブ画素４０Ａ，４０Ｂ）を白表示にした後、サブ画素４０Ａ内の画素電極３５Ａにプラス電圧ＶＨを印加するとともに、画素電極３５Ｂにもプラス電圧ＶＨを印加した。これにより、プリセット状態から引き続き、画素電極３５Ｂ上には青色の負帯電粒子２６Ｂが吸着した状態のまま保持され、プリセット時に画素電極３５Ａ上に吸着していた赤色の正帯電粒子２７Ｒはすべて対向電極３７側へと移動して、サブ画素４０Ａが赤表示となる。一方、サブ画素４０Ｂの各画素電極３５Ａ，３５Ｂに対してはマイナス電圧ＶＬをそれぞれ印加して、帯電粒子２６Ｇをすべて画素電極３５Ａ上に保持させておくとともに、帯電粒子２７Ｂｋを対向電極３７側へとすべて移動させることで、サブ画素４０Ｂが黒表示となる。
【０１０８】
ここで、サブ画素４０Ａにおける赤色の正帯電粒子２７Ｒは透明粒子（透過粒子）であることから、対向基板３１０側から入射した外光は、正帯電粒子２７Ｒを透過した後に素子基板３００側の反射電極１３において反射されて、再度、正帯電粒子２７Ｒを透過して外部に出射する。この際、最初に透過する正帯電粒子２７Ｒにおいて赤色以外の光の一部が吸収されて、赤色を含む光が反射電極１３で反射される。そして、この反射光が再び正帯電粒子２７Ｒに入射することによって、赤色以外の光が再度吸収されるため、くっきりした赤い光のみが対向基板３１０側から外部に出て行くことになる。このため、サブ画素４０Ａは赤表示となる。
【０１０９】
このときの出射光（表示画像）の明るさは反射電極１３の面積に比例する。このため、画素電極３５Ａ，３５Ｂが存在する領域にも反射性（散乱性）を付与することが好ましい。すなわち、反射電極１３と同様に、画素電極３５Ａ，３５Ｂに反射性を付与し、その表面を金属酸化物で構成してもよいし、金属層の表面を別途酸化させて酸化膜を形成してもよい。
【０１１０】
ここで、透明粒子とは、可視光領域において特定波長領域の光を吸収し、それ以外の波長の光を散乱または透過させる粒子のことである。本実施形態においては、赤色の約６００〜８００ｎｍの光を散乱または透過させている。なお、可視光以外の領域は不問とする。
【０１１１】
上記したように、サブ画素４０Ａを赤表示、サブ画素４０Ｂを黒表示とすることにより、画素４０全体が赤表示となる。
【０１１２】
図１１（ｃ）は、青表示時における粒子の分布状態を示す図である。
まず、プリセット動作を実行した後、サブ画素４０Ａ内の画素電極３５Ａ，３５Ｂにマイナス電圧ＶＬをそれぞれ印加して、赤色の正帯電粒子２７Ｒを画素電極３５Ａ上に保持させたままにするとともに、プリセット時に画素電極３５Ｂ上に吸着していた青色の負帯電粒子２６Ｂを対向電極３７側へとすべて移動させることにより、サブ画素４０Ａを青表示にする。一方、サブ画素４０Ｂ内の画素電極３５Ａ，３５Ｂには引き続きプリセット動作後に、図１１（ｂ）と同様の動作で黒表示とする。
【０１１３】
ここで、青色の負帯電粒子２６Ｂは反射粒子であり、対向基板３１０側から入射した光の一部はこの負帯電粒子２６Ｂにおいて反射される。具体的には、青色以外の光は負帯電粒子２６Ｂにおいて吸収され、青色光のみが負帯電粒子２６Ｂにおいて反射されて対向基板３１０側から出射する。このときの青表示の明るさは、対向電極３７上に分布した青色の負帯電粒子２６Ｂの実行的な分布面積に比例する。そのため、十分な青色光の反射が行えるような範囲（厚さ）で、対向電極３７上に青色粒子を２次元あるいは３次元的に分布させることが好ましい。
【０１１４】
青色の負帯電粒子２６Ｂにおける青色光の反射率は極力高いことが望ましく、少なくとも６０％以上、より好ましくは９０％以上の反射率を有していることである。さらに、青色以外の光の反射率は低い程よく、できれば１０％以下、より好ましくは５％以下が好適である。
また、少なくとも反射において拡散反射（乱反射）の成分を有していることが望ましい。ここで、反射粒子とは、可視光領域において特定波長領域の光を吸収し、それ以外の波長の光を散乱または反射させる粒子を指す。本実施形態においては、青色の波長、約４００〜５００ｎｍの光を散乱または反射させている。なお、可視光領域以外は不問とする。
【０１１５】
なお、緑色の正帯電粒子２７Ｇは反射粒子および透過粒子のいずれであってもよいが、本実施形態では透明粒子とした。
なお、反射粒子とする場合は、緑色光の反射率が極力高いことが望ましく、上記の青粒子と同様に、少なくとも６０％以上、より好ましくは９０％以上の反射率を有しているとともに、緑色以外の光の反射率は低い程よく、できれば１０％以下、より好ましくは５％以下が好適である。
【０１１６】
上記したように、サブ画素４０Ａを青表示、サブ画素４０Ｂを黒表示とすることで、画素４０全体が青表示となる。
【０１１７】
図１１（ｄ）は、黒表示時における粒子の分布状態を示す図である。
黒表示を行う際においても、まずプリセット動作を実行する。プリセット動作を実行して画素４０（各サブ画素４０Ａ，４０Ｂ）を白表示にした後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ａにプラス電圧ＶＨを印加して対向電極３７側へ赤色の正帯電粒子２７Ｒをすべて移動させる。移動した複数の正帯電粒子２７Ｒは、対向電極３７の表面を覆うように分布することになる。
【０１１８】
その後、所定の時間をおいてから、画素電極３５Ｂに対してマイナス電圧ＶＬを印加して、対向電極３７側へ青色の負帯電粒子２６Ｂをすべて移動させる。対向電極３７側へと移動した青色の負帯電粒子２６Ｂは、対向電極３７の表面上に分布している赤色の正帯電粒子２７Ｒの下側に配置され、これら正帯電粒子２７Ｒと重なるようにして３次元的に分布する。このように、対向電極３７の直下にまず赤色の正帯電粒子２７Ｒを配置した後、これら正帯電粒子２７Ｒの直下に負帯電粒子２６Ｂを配置させる。
【０１１９】
この状態だと、対向基板３１０側から入射した光は、まず透過粒子である赤色の正帯電粒子２７Ｒにおいて赤色以外の光の一部が吸収されて青色の負帯電粒子２６Ｂに到達する。負帯電粒子２６Ｂに到達した光のうち、青色光以外の光、つまり赤色光は負帯電粒子２６Ｂにおいて吸収される。また、正帯電粒子２７Ｒを透過することなく負帯電粒子２６Ｂに直接到達した外光は、そのうちの青色光のみが負帯電粒子２６Ｂにおいて反射されて、それ以外の色の光は吸収される。負帯電粒子２６Ｂで反射された青色光は正帯電粒子２７Ｒにおいて吸収される。このため、結果として黒表示となる。
【０１２０】
一方のサブ画素４０Ｂにおいては図１１（ｂ）と同様にプリセット動作後に黒表示とする。また、サブ画素４０Ａを黒表示する正帯電粒子２７Ｒと負帯電粒子２６Ｂとの移動を開始する時間のずれは上記に限らない。正帯電粒子２７Ｒを移動開始させ、まだ、対向電極３７側に移動しきらない時に負帯電粒子２６Ｂを移動開始させても良い。
【０１２１】
図１２は、緑表示時における粒子の分布状態を示す図である。
まず、プリセット動作を実行して画素４０（サブ画素４０Ａ，４０Ｂ）を白表示にした後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ａ，３５Ｂに対して当該サブ画素４０Ａを黒表示にする所定の電圧を、それぞれ時間差を設けて印加するとともに、サブ画素４０Ｂの画素電極３５Ａ，３５Ｂにプラス電圧ＶＨをそれぞれ印加する。
【０１２２】
これにより、サブ画素４０Ａでは、対向電極３７上に分布する赤色の正帯電粒子２７Ｒの直下に青色の負帯電粒子２６Ｂが配置されて黒表示となる。サブ画素４０Ｂでは、画素電極３５Ｂ上に黒色の負帯電粒子２６Ｂｋが吸着するとともに、対向電極３７上に緑色の正帯電粒子２７Ｇが広く分布して、緑表示となる。
つまり、サブ画素４０Ｂでは、外光が対向電極３７上に広く分布した透過性の緑色の正帯電粒子２７Ｇに入射して、緑色以外の光の一部が吸収される。正帯電粒子２７Ｒ）を透過した緑色光を含む光は反射電極１３において反射された再び正帯電粒子２７Ｇへと入射し、緑色以外の光が吸収されて緑色光のみが外部に出射する。これにより、緑表示となる。
ここで、緑粒子を透過粒子としたが、反射粒子であってもよい。
【０１２３】
次に、ＲＧＢそれぞれの低い明度（暗い色）表示する方法を示す。
図１３（ａ）は、暗い緑表示における粒子の分布状態を示す図である。
プリセット動作の後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ａ，３５Ｂに対して黒表示を実現する電圧をそれぞれ印加するとともに、サブ画素４０Ｂの画素電極３５Ａに対してＶｈ２（０＜Ｖｈ２＜ＶＨ）を印加して緑色の正帯電粒子２７Ｇの一部を対向電極３７側に移動させ、さらに、画素電極３５Ｂに対してＶｌ２（ＶＬ＜Ｖｌ２＜０）を印加して黒色の負帯電粒子２６Ｂｋを対向電極３７側に移動させた。ここで、対向電極３７側へ移動する緑粒子の方が黒粒子よりも多くなるように各画素電極３５Ａ，３５Ｂに対して印加する電圧の大きさを調整する。
【０１２４】
この状態で対向基板３１０側から見ると、サブ画素４０Ｂでは緑色の中に黒ドットが存在し、その結果、暗い緑表示となる。この緑色と黒色の面積を制御することで任意の明度を表現できる。また、各色の面積は、画素電極３５Ａ，３５Ｂに印加する電圧の大きさ、印加時間の長短、電圧を印加するタイミングで制御することができる。この面積とは、対向電極３７近傍または溶媒中も含んだ２次元、３次元的な広がりをすべて考慮した、観測者側（外部）から観察される実効的な面積である。このように、階調表示を行うことができるのは、サブ画素４０Ａ，４０Ｂがそれぞれ複数の画素電極３５Ａ，３５Ｂの集合体からなり、これら画素電極３５Ａ，３５Ｂをそれぞれ独立に制御しているからである。
【０１２５】
次に、赤粒子および青粒子による階調制御を行った際の表示を示す。
図１３（ｂ）は、暗い赤表示における粒子の分布状態を示す図である。
プリセット動作の後、まず、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ｂに対してプラス電圧ＶＨを印加して赤色の正帯電粒子２７Ｒをすべて対向電極３７側へと移動させる。その後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ｂに対してマイナス電圧Ｖｌ（ＶＬ＜Ｖｌ＜０）を印加して青色の負帯電粒子２６Ｂの一部を対向電極３７側へと移動させることにより、赤色の中に黒ドットを形成できる。その結果、サブ画素４０Ａが暗い赤表示となる。
一方、サブ画素４０Ｂの各画素電極３５Ａ，３５Ｂに対しては、黒表示となる電圧を印加しておく。
【０１２６】
図１３（ｃ）は、暗い青表示における粒子の分布状態を示す図である。
プリセット動作の後、まず、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ａに対してプラス電圧Ｖｈ（０＜Ｖｈ＜ＶＨ）を印加して赤色の正帯電粒子２７Ｒの一部を対向電極３７側へと移動させる。その後、サブ画素４０Ａの画素電極３５Ｂに対してマイナス電圧ＶＬを印加して青色の負帯電粒子２６Ｂをすべて対向電極３７側へと移動させることにより、青色の中に黒ドットが存在する。その結果、サブ画素４０Ａが暗い青表示となる。
一方、サブ画素４０Ｂの各画素電極３５Ａ，３５Ｂに対しては、黒表示となる電圧を印加しておく。
【０１２７】
上記は一例であり、各粒子の分布面積および分布状態の制御は、画素電極３５Ａ，３５Ｂに対してそれぞれ印加する電圧の大きさ、印加時間、印加タイミングによって制御する。
また、赤表示領域および黒表示領域における各面積は、対向基板３１０側（対向電極３７上）における各色の帯電粒子の２次元あるいは３次元的な広がりをすべて考慮した、対向基板３１０側から観測される実効的な面積である。
【０１２８】
以上述べたように、本実施形態の電気泳動表示装置１００では、サブ画素４０Ａ，４０Ｂにおける各帯電粒子の分布状態を制御することによって、サブ画素４０Ａとサブ画素４０Ｂとで異なる表示を行うことができ、これら異なる表示の組み合わせによって多様な表現を実現することができる。また、上記実施形態と同様、封止材１１０が強固に基板本体に保持されたものとなっているので、折り曲げ耐性を備えた信頼性の高いものとなる。
【０１２９】
（第３実施形態の第１変形例）
なお、上記実施形態では、ザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２を非表示部６の延在方向に沿って１つずつ形成する場合について説明したが、ザグリ部の形状及び配置位置はこれに限られることはない。例えば、図１４に示すように注入穴Ｈ３の各々に対応させてザグリ部ＺＧ１をそれぞれ形成し、注入穴Ｈ４の各々に対応させてザグリ部ＺＧ２をそれぞれ形成するようにしても良い。この構成によれば、素子基板３００全体に占めるザグリ部ＺＧ１，ＺＧ２の形成領域を小さくできるので、素子基板３００の機械的強度を高めることができ、電気光学装置の折り曲げ耐性を向上させることができる。
【０１３０】
（第３実施形態の第２変形例）
また、上記第３実施形態では、隔壁６４により少なくとも画像表示領域（画像表示部５）を２つの領域に分離する場合を例に挙げたが、画像表示領域を３つの領域に分離するようにしても良い。図１５は隔壁６４により画像表示領域（画像表示部５）を３つの空間５ｃ〜５ｅに分離した構成を示す平面図である。
【０１３１】
本形態に係る隔壁６４は、図１５に示すように、隔壁６４の外形を枠状に形成する枠状外壁部６４Ｄと、枠状外壁部６４Ｄによって囲まれた領域を三等分する波型形状の第１内壁部６４Ｅおよび第２内壁部６４Ｆとから構成されている。第１内壁部６４Ｅと枠状外壁部６４Ｄとの間に上記空間５ｃが形成され、第１内壁部６４Ｅと第２内壁部６４Ｆとの間に上記空間５ｄが形成され、第２内壁部６４Ｆと枠状外壁部６４Ｄとの間に上記空間５ｅが形成される。各空間５ｃ〜５ｅ内には異なる電気泳動材料が封入されており、電気泳動層３２Ｃ〜３２Ｅが構成されている。電気泳動層３２Ｃは赤色の帯電粒子とともに黒粒子が注入されることで構成され、電気泳動層３２Ｄは緑色の帯電粒子とともに黒粒子が注入されることで構成され、電気泳動層３２Ｅは青色の帯電粒子とともに黒粒子が注入されることで構成される。
【０１３２】
本変形例では３つのサブ画素４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃから構成された画素４０が画像表示領域（画像表示部５）に多数設けられている。サブ画素４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは上記電気泳動層３２Ｃ、３２Ｄ、３２Ｅにそれぞれ対応するものであり、それぞれＲ（赤色）表示、Ｇ（緑色）表示、Ｂ（青色）表示を行うものである。画素４０は、画像表示部５の長辺方向において、サブ画素４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの配置順をＲＧＢと示すと、ＲＧＢ、ＢＧＲの順番を繰り返すようにして配置されている。また、サブ画素４０Ａおよびサブ画素４０Ｃは、画像表示部５の長辺方向において隣の画素４０との仕切りが設けられない構成となっている。
【０１３３】
また、本変形例では、空間５ｃに対応する注入穴Ｈ１０、空間５ｄに対応する注入穴Ｈ１１、および空間５ｅに対応する注入穴Ｈ１２が設けられている。具体的に、注入穴Ｈ１０，Ｈ１２は非表示部６の延在方向に沿って３つ形成されている。また、注入穴Ｈ１１は空間５ｄを構成する素子基板３００の両端部にそれぞれ合計２つ形成されている。また、本変形例では、ザグリ部ＺＧが各注入穴Ｈ１０乃至Ｈ１２に対応するように形成されている。これにより、本変形例においても注入穴Ｈ１０乃至Ｈ１２内に封止材１１０を良好に注入することで折り曲げ耐性を備えた電気光学装置を提供できる。
【０１３４】
ここで、液晶表示装置のようにセルギャップが３μｍ程度の狭い空間内に粘度の高い液晶材料を注入する場合には、図１５に示すような経路の長いパターンでは注入時間が長くなってしまい生産的ではない。しかし、電気泳動表示装置のようにセルギャップが厚く、例えば１０μｍ以上のセルギャップを有する場合には、粘度の低い電気泳動材料であれば短時間で注入作業を行うことができ、生産的であり、実用的な方法となる。
【０１３５】
また、本実施形態では隔壁６４がシール材を兼ねた構成となっている。これによれば、シール材を別途設ける必要が無くなり、電気泳動表示装置の部品点数を削減し、製造コストの低減を図ることができる。
【０１３６】
また、上記実施形態及び変形例では、素子基板３００及び対向基板３１０間に電気光学層として電気泳動層を挟持した場合を例に説明したが、図１６に示すように電気光学層として液晶層を挟持した液晶表示装置についても本発明は適用可能である。なお、図１６は第２実施形態に係る構成において電気光学層を液晶層５０に置き換えたものである。上述のように素子基板３００及び対向基板３１０はフレキシブル性を有するため、液晶表示装置は折り曲げられるとセルギャップが変化し易い。そのため、液晶層５０としてはセルギャップが変化しても表示特性への影響が小さいもの、例えば高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）、ポリマー分散型液晶（ＰＮＬＣ）等を用いるのが好ましい。また、本発明は、電気光学層として、液晶層の他、エレクトロクロミック材料を用いたエレクトロクロミック表示装置についても適用可能である。
本発明の用いる第１基板３０は必ずしも多層基板である必要はない。封止材１１０も紫外線硬化樹脂に限らず、熱硬化樹脂やそれらの混合を用いても良い。図７（ｂ）等に示したように、封止材１１０は画像表示部５の画部に設けるのが好適である。
【０１３７】
（電子機器）
次に、上記各実施形態の電気泳動表示装置を電子機器に適用した場合について説明する。
図１７は、本発明の電気泳動表示装置を適用した電子機器の具体例を説明する斜視図である。
図１７（ａ）は、電子機器の一例である電子ブックを示す斜視図である。この電子ブック（電子機器）１０００は、ブック形状のフレーム１００１と、このフレーム１００１に対して回動自在に設けられた（開閉可能な）カバー１００２と、操作部１００３と、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１００４と、を備えている。
【０１３８】
図１７（ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計（電子機器）１１００は、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１１０１を備えている。
【０１３９】
図１７（ｃ）は、電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。この電子ペーパー（電子機器）１２００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体部１２０１と、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１２０２を備えている。
【０１４０】
例えば電子ブックや電子ペーパーなどは、白地の背景上に文字を繰り返し書き込む用途が想定されるため、消去時残像や経時的残像の解消が必要とされる。
なお、本発明の電気泳動表示装置を適用可能な電子機器の範囲はこれに限定されず、帯電粒子の移動に伴う視覚上の色調の変化を利用した装置を広く含むものである。
【０１４１】
以上の電子ブック１０００、腕時計１１００及び電子ペーパー１２００によれば、本発明に係る電気泳動表示装置が採用されているので、折り曲げ耐性を有し、良好なフルカラーに近い表示の行える信頼性に優れた高品位の電子機器となる。
【０１４２】
なお、上記の電子機器は、本発明に係る電子機器を例示するものであって、本発明の技術範囲を限定するものではない。例えば、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部や、マニュアル等の業務用シート、教科書、問題集、情報シート等にも、本発明に係る電気泳動表示装置は好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１４３】
Ｈ、Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ１０，Ｈ１１，Ｈ１２…注入穴、ＺＧ，ＺＧ１，ＺＧ２…ザグリ部、３２Ａ…電気泳動層（電気光学層）、５０…液晶層（電気光学層）、５１…駆動ＩＣ（電子部品）、６４…隔壁、６５…シール材、１００，２００，３５０…電気泳動表示装置（電気光学装置）、１１０…封止材、３００…素子基板（第１基板）、３１０…対向基板（第２基板）、４００…液晶表示装置（電気光学装置）、１０００…電子ブック（電子機器）、１１００…腕時計（電子機器）、１２００…電子ペーパー（電子機器）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される電気光学層と、
前記第１基板又は前記第２基板の一方に形成され、前記電気光学層を注入するための注入穴と、
前記注入穴を介して前記第１基板及び前記第２基板間に注入された前記電気光学層を封止する封止材と、を備え、
前記封止材は、前記注入穴が形成されない他方の基板側まで到達した状態に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２基板の前記電気光学層と反対側の面に表示面が設定され、
前記注入穴は前記第１基板に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１基板は複数の基材が積層された多層構造から構成されるとともに前記注入穴が形成され、
前記第１基板は、前記複数の基材間のいずれかに電子部品が挟持されることで該電子部品が基板本体内に埋め込まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記注入穴は、該注入穴に対して前記電気光学層と反対側に設けられ、当該注入穴の穴径よりも大きい穴径を有するザグリ部に連通していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記注入穴が複数形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１基板及び前記第２基板の間に前記電気光学層の配置領域を区画する隔壁が設けられ、
前記注入穴は前記電気光学層の配置領域にそれぞれ対応するように形成されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記隔壁の一部が前記電気光学層を前記第１基板及び前記第２基板間にシールするシール部材を兼ねることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記電気光学層が電気泳動層であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板及び第２基板間に電気光学層が挟持されてなる電気光学装置の製造方法において、
貼り合わされた前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられた注入穴を介して前記基板間に前記電気光学層を注入する工程と、
前記注入穴を封止材で封止する工程と、を備え、
前記封止工程においては、前記注入穴を介して、該注入穴が形成されない他方の基板側まで到達させるように前記封止材を配置させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される電気光学層と、
前記第１基板又は前記第２基板の一方に形成され、前記電気光学層を注入するための注入穴と、
前記注入穴を介して前記第１基板及び前記第２基板間に注入された前記電気光学層を封止する封止材と、を備え、
前記封止材は、前記注入穴が形成されない他方の基板側まで到達した状態に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２基板の前記電気光学層と反対側の面に表示面が設定され、
前記注入穴は前記第１基板に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１基板は複数の基材が積層された多層構造から構成されるとともに前記注入穴が形成され、
前記第１基板は、前記複数の基材間のいずれかに電子部品が挟持されることで該電子部品が基板本体内に埋め込まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記注入穴は、該注入穴に対して前記電気光学層と反対側に設けられ、当該注入穴の穴径よりも大きい穴径を有するザグリ部に連通していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記注入穴が複数形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１基板及び前記第２基板の間に前記電気光学層の配置領域を区画する隔壁が設けられ、
前記注入穴は前記電気光学層の配置領域にそれぞれ対応するように形成されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記隔壁の一部が前記電気光学層を前記第１基板及び前記第２基板間にシールするシール部材を兼ねることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記電気光学層が電気泳動層であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
互いが対向配置され、それぞれが可撓性を有する第１基板及び第２基板間に電気光学層が挟持されてなる電気光学装置の製造方法において、
貼り合わされた前記第１基板及び前記第２基板の一方に設けられた注入穴を介して前記基板間に前記電気光学層を注入する工程と、
前記注入穴を封止材で封止する工程と、を備え、
前記封止工程においては、前記注入穴を介して、該注入穴が形成されない他方の基板側まで到達させるように前記封止材を配置させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−３７１９０（Ｐ２０１３−３７１９０Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７３１５５（Ｐ２０１１−１７３１５５）
【出願日】平成２３年８月８日（２０１１．８．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月８日（２０１１．８．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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