電気光学装置および電子機器
【課題】ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置を提供する。
【解決手段】電気光学装置１００は、画素部１００Ａと、画素部１００Ａの外側に配置された配線１０６，１０７と、を有する素子基板１０１と、配線１０６，１０７上に形成された平坦化層１０４と、画素部１００Ａに形成された素子１１０を覆い、画素部１００Ａと平坦化層１０４との間の領域で素子基板１０１と接する第１無機封止層１２１と、第１無機封止層１２１を覆い、端部が平坦化層１０４の上面に配置された有機封止層１２２と、有機封止層１２２を覆い、平坦化層１０４の外側まで延在する第２無機封止層１２３と、を備えている。
【解決手段】電気光学装置１００は、画素部１００Ａと、画素部１００Ａの外側に配置された配線１０６，１０７と、を有する素子基板１０１と、配線１０６，１０７上に形成された平坦化層１０４と、画素部１００Ａに形成された素子１１０を覆い、画素部１００Ａと平坦化層１０４との間の領域で素子基板１０１と接する第１無機封止層１２１と、第１無機封止層１２１を覆い、端部が平坦化層１０４の上面に配置された有機封止層１２２と、有機封止層１２２を覆い、平坦化層１０４の外側まで延在する第２無機封止層１２３と、を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜封止構造を備えた電気光学装置として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。薄膜封止構造とは、有機ＥＬ素子などの水分や酸素に弱い素子をガスバリア性の高い１層又は複数層の薄膜で封止する構造である。特許文献１の電気光学装置では、素子が形成された画素部の全面を第１無機封止層、有機封止層および第２無機封止層からなる３層の封止層で封止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１７６７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
第１無機封止層および第２無機封止層は、素子基板上に酸化シリコンなどの無機膜を蒸着することにより形成される。そのため、素子基板上に電源線や信号線などによって形成された大きな凹凸が存在すると、その凹凸の部分でクラックなどの欠陥が発生し、ガスバリア性が低下する惧れがある。
【０００５】
特許文献１の電気光学装置では、画素部の周囲に配置された配線の凹凸を低減するために、配線の上方全体を有機封止層で覆い、有機封止層上に第２無機封止層を形成している。有機封止層は、スクリーン印刷などの印刷技術で形成されるため、配線の凹凸を低減することが可能である。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の構成では、有機封止層を配線の外側まで形成する必要があるので、そのぶん配線の外側に無駄な領域が生じる。有機封止層は、スクリーン印刷などの位置精度の粗い印刷技術で形成されるため、配線の外側には、１ｍｍ程度の領域を確保する必要があり、狭額縁化の妨げになる。
【０００７】
本発明の目的は、ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は、画素部と、前記画素部の外側に配置された配線と、を有する素子基板と、前記配線上に形成された平坦化層と、前記画素部に形成された素子を覆い、前記画素部と前記平坦化層との間の領域で前記素子基板と接する第１無機封止層と、前記第１無機封止層を覆い、端部が前記平坦化層の上面に配置された有機封止層と、前記有機封止層を覆い、前記平坦化層の外側まで延在する第２無機封止層と、を備えている。
【０００９】
この構成によれば、配線上に平坦化層が形成されているので、第１無機封止層と第２無機封止層に、配線の凹凸に起因したクラックなどの欠陥が発生しにくい。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置が提供される。また、平坦化層の上面に有機封止層の端部が配置されているので、配線よりも外側に、有機封止層の製造マージンを考慮した無駄な領域を設ける必要がない。よって、狭額縁な電気光学装置が提供される。
【００１０】
前記第１無機封止層は、前記平坦化層を覆い、前記平坦化層の外側まで延在して前記平坦化層の外側で前記素子基板と接しており、前記第２無機封止層は、前記平坦化層の上および前記平坦化層の外側において、前記第１無機封止層と接していてもよい。
【００１１】
この構成によれば、画素部の側方を、第１無機封止層、第２無機封止層および平坦化層で３重に封止することができる。また、第１無機封止層および第２無機封止層に欠陥が発生し、平坦化層に水分や酸素が浸入したとしても、平坦化層の内周側（画素部側）に配置された第１無機封止層によって画素部への水分や酸素の浸入を抑制することができる。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置が提供される。
【００１２】
前記素子基板と対向する封止基板と、前記素子基板と前記封止基板との対向領域の周縁部に配置され、前記素子基板と前記封止基板とを接合するシール部と、を備え、前記素子基板の法線方向から見て前記シール部と重なる位置に、前記平坦化層の外周端部が配置されていてもよい。
【００１３】
この構成によれば、シール部を含めた画素部周辺の無駄な領域（額縁領域）を少なくすることができる。また、シール部によって第２無機封止層が補強されるので、第２無機封止層にクラックなどの欠陥が発生することが抑制される。よって、ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置が提供される。
【００１４】
前記平坦化層は、矩形の前記画素部の４辺に沿って閉じた枠状に形成されていてもよい。
【００１５】
この構成によれば、画素部の４辺すべてについて高いガスバリア性を備えた電気光学装置が提供される。
【００１６】
前記素子基板上には、前記配線を覆う金属酸化物からなる保護層が設けられ、前記平坦化層は、前記保護層を覆い、前記保護層と前記第１無機封止層とは接触しないように配置されていてもよい。
【００１７】
金属酸化物は、耐薬剤性が高いため、配線の上方に形成して保護層として機能させる場合がある。しかし、金属酸化物は、透湿性が高いので、平坦化層と画素部に跨って連続的に形成された場合、平坦化層の内部に侵入した水分や酸素が金属酸化物（保護層）を介して画素部に侵入する惧れがある。そこで、本発明では、金属酸化物からなる保護層を平坦化層の形成領域内に収まるようにパターニングし、平坦化層と画素部に跨って配置されないようにした。この構成によれば、仮に平坦化層に水分や酸素が浸入しても、保護層を介して画素部にそのまま水分や酸素が浸入することが抑制される。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置が提供される。
【００１８】
前記素子は、画素電極と、前記画素電極上に配置され、流れる電流量に応じて発光する機能層と、前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に配置された対向電極と、を有し、前記第１無機封止層は、前記対向電極を覆い、前記対向電極の外側まで延在して前記対向電極と前記平坦化層との間で前記素子基板と接していてもよい。
【００１９】
この構成によれば、特に水分や酸素に対して劣化しやすい有機ＥＬ装置において、高いガスバリア性を備えた狭額縁な構造を提供できる。
【００２０】
前記画素部には、前記画素電極の形成位置に対応した開口部を有する隔壁層が設けられ、前記機能層は、前記開口部に配置され、前記対向電極は、前記隔壁層および前記機能層を覆い、前記隔壁層の外側まで延在して前記隔壁層と前記平坦化層との間で前記素子基板と接していてもよい。
【００２１】
この構成によれば、機能層の側方が隔壁層、対向電極および第１無機封止層によって３重に封止されるので、ガスバリア性の高い電気光学装置が提供される。
【００２２】
本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えている。
【００２３】
この構成によれば、ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置が備えられているため、長寿命で信頼性に優れた小型の電子機器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態の電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】電気光学装置の等価回路図である。
【図４】第２実施形態の電気光学装置の断面図である。
【図５】電子機器の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態の電気光学装置１００の平面図である。電気光学装置１００は、例えば、本発明の素子として有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。
【００２６】
電気光学装置１００は、複数の画素電極１１１がマトリクス状に形成された素子基板１０１を備えている。素子基板１１１には、複数の画素電極１１１の形成位置に対応した複数の開口部（図示略）を有する隔壁層１０３が形成されている。隔壁層１０３の開口部には、図示略の機能層が配置されており、機能層を挟んで画素電極１１１の反対側に対向電極１１３が対向配置されている。
【００２７】
素子基板１０１において、複数の画素電極１１１がマトリクス状に配置される領域が画素部１００Ａである。画素部１００Ａの最外周部は、対向電極１１３が素子基板１０１と接触する最も画素部中央寄りの位置（本実施形態の場合は隔壁層１０３の最外周部）と一致している。対向電極１１３は、複数の画素電極１１１にわたって連続して形成されており、画素部１００Ａの全面を覆うように画素部１００Ａよりも広い面積で形成されている。
【００２８】
画素部１００Ａの外側には、対向電極１１３と接続される対向電極用配線１０５が形成されている。対向電極用配線１０５は、画素部１００Ａの周囲を囲むように、矩形の画素部１００Ａの４辺に沿って閉じた枠状に形成されている。対向電極１１３は、隔壁層１０３と対向電極用配線１０５の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆うように形成され、対向電極用配線１０５の外側で素子基板１０１と接している。
【００２９】
対向電極１１３の外側には、電源線１０６や信号線などの対向電極用配線１０５以外の各種配線が形成された配線部１００Ｂが設けられている。配線部１００Ｂは、画素部１００Ａを囲むように枠状に設けられている。配線部１００Ｂには、各種配線によって素子基板１０１上に形成された凹凸を平坦化する平坦化層１０４が形成されている。平坦化層１０４は、画素部１００Ａの４辺に沿って閉じた枠状に形成され、対向電極１１３と接触しないように対向電極１１３との間に隙間を空けて形成されている。
【００３０】
平坦化層１０４と対向電極１１３の素子基板１０１上で露出する面には、第１無機封止層１２１、有機封止層１２２および第２無機封止層１２３からなる薄膜封止層１２０が形成されている。また、薄膜封止層１２０の上方には封止基板１０２が配置され、薄膜封止層１２０と封止基板１０２によって、素子基板１０１の表面全体が封止されている。
【００３１】
図２は、図１のＡ−Ａ′断面図である。
【００３２】
電気光学装置１００は、画素部１００Ａと、画素部１００Ａの周囲に配置された配線部１００Ｂと、を有する素子基板１０１を備えている。素子基板１０１は、ガラスやプラスチックなどからなる基板本体と、基板本体上に形成されるスイッチング用ＴＦＴ、各種回路および層間絶縁膜などを含めた構成をいい、画素電極１１１や画素電極１１１よりも上層側（基板本体とは反対側）に配置される層は含まない。
【００３３】
素子基板１０１の画素部１００Ａには、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などからなる複数の画素電極１１１が形成されている。また、複数の画素電極１１１を覆って、複数の画素電極１１１の形成位置に対応した複数の開口部１０３ａを有する隔壁層１０３が形成されている。画素電極１１１は、隔壁層１０３の開口部１０３ａの底面に露出している。
【００３４】
隔壁層１０３の外側には、配線部１００Ｂに形成された電源線１０６や信号線１０７などの各種配線、あるいは、素子基板１０１の内部（層間絶縁膜を介して画素電極１１１よりも下層側）に形成された各種配線によって形成された素子基板１０１表面の凹凸を覆って平坦化層１０４が形成されている。隔壁層１０３と平坦化層１０４は、同一材料によって形成することができる。例えば、素子基板１０１の全面にアクリル樹脂を塗布し、これをパターニングすることにより、隔壁層１０３と平坦化層１０４とが一括で形成される。
【００３５】
配線部１００Ｂには、電源線１０６や信号線１０７以外の配線１０８，１０９も存在するが、平坦化層１０４は、これらの配線の全てを覆っている必要はない。平坦化層１０４は、少なくとも画素部１００Ａの近傍に形成された配線や凹凸を覆っていればよい。平坦化層１０４の外周端部（画素部１００Ａとは反対側の端部）は、配線部１００Ｂの外周端部（配線部１００Ｂに形成された各種配線のうち最外周部に配置された配線の外周端部）と同じ位置或いは配線部１００Ｂの外周端部よりも画素部１００Ａに近い位置に配置されていればよい。
【００３６】
隔壁層１０３の開口部１０３ａには、有機発光層を含む機能層１１２が配置されている。また、機能層１１２を覆って対向電極１１３が形成されている。画素電極１１１と機能層１１２と対向電極１１３によって、有機ＥＬ素子１１０が形成されている。
【００３７】
対向電極１１３は、機能層１１２を挟んで画素電極１１１の反対側に対向して配置され、複数の画素電極１１１にわたって連続して設けられている。対向電極１１３は、隔壁層１０３と機能層１１２と平坦化層１０４の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆い、隔壁層１０３の外側まで延在して隔壁層１０３と平坦化層１０４との間で素子基板１０１と接している。対向電極１１３の端部は、平坦化層１０４と接触しないように、平坦化層１０４の内周端部（画素部１００Ａ側の端部）との間に隙間を空けて形成されている。
【００３８】
隔壁層１０３と平坦化層１０４の間の素子基板１０１上には、Ａｌ（アルミニウム）などからなる対向電極用配線１０５が形成されている。対向電極１１３は、隔壁層１０３の外側において対向電極用配線１０５と接触して接続されている。対向電極用配線１０５は、素子基板１０１の表面の絶縁層（図示略）に埋め込まれている。対向電極用配線１０５と対向電極１１３との接続部は、この絶縁層の厚み方向に壁状に形成され、絶縁層を透過する水分や酸素の浸入が抑制されるようになっている。
【００３９】
機能層１１２は、画素電極１１１と対向電極１１３との間に流れる電流量に応じて発光する。対向電極１１３は、例えば、１０ｎｍないし２０ｎｍの厚みのＭｇＡｇ（マグネシウム銀合金）の薄膜で形成されている。対向電極１１３は機能層１１２で発光した光Ｌに対して高い透過率を有し、機能層１１２で発光した光Ｌは、概ね対向電極１１３を透過して素子基板１０１とは反対側から射出される。
【００４０】
対向電極１１３と平坦化層１０４を覆って第１無機封止層１２１が形成されている。第１無機封止層１２１は、酸化シリコンや窒化シリコンなどの透明性の高い無機材料で形成されている。第１無機封止層１２１は、対向電極１１３の素子基板１０１上で露出する部位全体（すなわち有機ＥＬ素子１１０の素子基板１０１上で露出する部位全体）を覆い、対向電極１１３の外側まで延在して対向電極１１３と平坦化層１０４との間で素子基板１０１と接している。また、第１無機封止層１２１は、平坦化層１０４の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆い、平坦化層１０４の外側まで延在して平坦化層１０４の外側で素子基板１０１と接している。
【００４１】
図２では、第１無機封止層１２１は、素子基板１０１の端部まで形成されているが、第１無機封止層１２１は必ずしも素子基板１０１の端部まで形成されている必要はない。
【００４２】
第１無機封止層１２１を覆って有機封止層１２２が形成されている。有機封止層１２２は、アクリル樹脂などの有機材料、または、有機材料と無機材料との複合材料（ハイブリッド材料）によって形成されている。有機封止層１２２は、第１無機封止層１２１の素子基板１０１上で露出する部位を覆い、端部が平坦化層１０４の上面に配置されている。
【００４３】
有機封止層１２２を覆って第２無機封止層１２３が形成されている。第２無機封止層１２３は、酸化シリコンや窒化シリコンなどの透明性の高い無機材料で形成されている。第２無機封止層１２３は、有機封止層１２２の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆い、平坦化層１０４の外側まで延在している。また、第２無機封止層１２３は、平坦化層１０４の上面および側面ならびに平坦化層１０４の外側の領域において、第１無機封止層１２１と接している。
【００４４】
以上のように構成された素子基板１０１の外周部には、エポキシ樹脂などからなるガスバリア性の高いシール部１２５が形成されている。シール部１２５の内側には、エポキシ樹脂などからなる封止樹脂層１２４が充填されている。シール部１２５および封止樹脂層１２４を挟んで素子基板１０１上には封止基板１０２が対向配置され、シール部１２５によって素子基板１０１と封止基板１０２とが接合されている。
【００４５】
シール部１２５は、素子基板１０１と封止基板１０２との対向領域の周縁部に沿って閉じた枠状に形成されている。素子基板１０１の法線方向から見てシール部１２５と重なる位置には、平坦化層１０４の外周端部が配置されている。
【００４６】
図３は電気光学装置１００の等価回路図である。
【００４７】
電気光学装置１００は、複数の走査線１１７と、各走査線１１７に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１１８と、各信号線１１８に並列に延びる複数の電源線１０６とからなる配線構造を備えている。
【００４８】
走査線１１７と信号線１１８との各交点付近には、赤色表示を行う赤色サブ画素ＰＲ、緑色表示を行う緑色サブ画素ＰＧおよび青色表示を行う青色サブ画素ＰＢが形成されている。赤色サブ画素ＰＲ、緑色サブ画素ＰＧおよび青色サブ画素ＰＢは走査線１１７の延在方向に沿って互いに隣接して配置されており、赤色サブ画素ＰＲ、緑色サブ画素ＰＧおよび青色サブ画素ＰＢからなる３つのサブ画素によって、カラー表示を行う１つの画素が形成されている。画素部には、このような構成の複数の画素が走査線１１７の延在方向および信号線１１８の延在方向に沿ってマトリクス状に配置されている。
【００４９】
信号線１１８には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１３０が接続されている。走査線１１７には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１４０が接続されている。
【００５０】
赤色サブ画素ＰＲ、緑色サブ画素ＰＧおよび青色サブ画素ＰＢの各々には、走査線１１７を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１４と、スイッチング用ＴＦＴ１１４を介して信号線１１８から供給される画像信号を保持する保持容量１１６と、保持容量１１６によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１５と、駆動用ＴＦＴ１１５を介して電源線１０６に電気的に接続したときに電源線１０６から駆動電流が流れ込む画素電極１１１と、画素電極１１１と対向電極１１３との間に挟み込まれた機能層１１２と、が設けられている。
【００５１】
電気光学装置１００では、走査線１１７が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１４がオン状態になると、そのときの信号線１１８の電位が保持容量１１６に保持され、保持容量１１６の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１１５のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１５のチャネルを介して、電源線１０６から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１２を介して対向電極１１３に電流が流れる。機能層１１２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００５２】
上記構成の電気光学装置１００によれば、次のような作用効果が奏される。
【００５３】
（１）配線部１００Ｂ上に平坦化層１０４が形成されているので、第１無機封止層１２１と第２無機封止層１２３に、配線１０６，１０７の凹凸に起因したクラックなどの欠陥が発生しにくい。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置１００が提供される。また、平坦化層１０４の上面に有機封止層１２２の端部が配置されているので、配線１０７よりも外側に、有機封止層１２２の製造マージンを考慮した無駄な領域を設ける必要がない。よって、狭額縁な電気光学装置１００が提供される。
【００５４】
（２）画素部１００Ａの側方が、第１無機封止層１２１、第２無機封止層１２３および平坦化層１０４で３重に封止されるため、ガスバリア性の高い電気光学装置１００が提供される。仮に第１無機封止層１２１および第２無機封止層１２３に欠陥が発生し、平坦化層１０４に水分や酸素が浸入したとしても、平坦化層１０４の内周側（画素部１００Ａ側）に配置された第１無機封止層１２１によって画素部１００Ａへの水分や酸素の浸入が抑制される。そのため、水分や酸素の浸入が画素部１００Ａの端部および平坦化層１０４の端部で２重に抑制され、非常に高いガスバリア性が得られる。
【００５５】
（３）平坦化層１０４の画素部１００Ａ側の端部が、配線１０７よりも画素部１００Ａに近い位置に配置されているので、有機封止層１２２の端部の位置を画素部１００Ａに近づけることができる。よって、狭額縁な電気光学装置１００が提供される。
【００５６】
（４）素子基板１０１の法線方向から見てシール部１２５と重なる位置に、平坦化層１０４の外周端部が配置されているので、シール部１２５を含めた画素部１００Ａ周辺の額縁領域を少なくすることができる。また、シール部１２５によって第２無機封止層１２３が補強されるので、第２無機封止層１２３にクラックなどの欠陥が発生することが抑制される。よって、ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置１００が提供される。
【００５７】
（５）平坦化層１０４は、矩形の画素部１００Ａの４辺に沿って枠状に形成されているので、画素部１００Ａの４辺すべてについて高いガスバリア性を備えた電気光学装置１００が提供される。
【００５８】
（６）機能層１１２の側方が隔壁層１０３、対向電極１１３および第１無機封止層１２１によって３重に封止されるので、ガスバリア性の高い電気光学装置１００が提供される。
【００５９】
（７）対向電極用配線１０５が、画素部１００Ａの４辺に沿って形成されているので、画素部１００Ａの４辺から対向電極１１３全体に均一に電荷が供給される。そのため、電圧降下によって画素部１００Ａの面内で明るさむらが発生する惧れが少ない。また、対向電極用配線１０５と対向電極１１３との接続は、電気的接続がなされる強固な接続であるため、対向電極１１３によるガスバリア性を補強することができる。対向電極用配線１０５は、素子基板１０１の表面の絶縁層（図示略）に埋め込まれているため、対向電極用配線１０５と対向電極１１３との接続部が絶縁層の厚み方向に壁状に形成され、絶縁層を透過する水分や酸素の浸入を抑えることができる。
【００６０】
［第２実施形態］
図４は、第２実施形態の電気光学装置２００の断面図である。図４は、図１のＡ−Ａ′断面の他の構成例を示す図である。電気光学装置２００において、第１実施形態の電気光学装置１００と共通する構成については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６１】
電気光学装置２００において、第１実施形態の電気光学装置１００と異なる点は、素子基板１０１上に、配線部１００Ｂに形成された配線（電源線１５１や信号線１５２など）の上方を覆う金属酸化物、例えばＩＴＯ（インジウム酸化物）からなる保護層１５０が設けられ、保護層１５０を覆って平坦化層１０４が形成されている点である。
【００６２】
保護層１５０は、例えば、画素電極１１１と同一材料で形成されている。例えば、素子基板１０１の全面にＩＴＯを形成し、これをパターニングすることにより、画素電極１１１と保護層１５０とが一括で形成される。
【００６３】
保護層１５０は、平坦化層１０４と隔壁層１０３との間に跨らないように形成されている。平坦化層１０４は、保護層１５０の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆って形成されており、保護層１５０と第１無機封止層１２１とは接触しないように配置されている。このような構成を採用することにより、以下のような作用効果が奏される。
【００６４】
すなわち、金属酸化物は、耐薬剤性が高いため、下層の配線１５１，１５２の上方に形成して保護層１５０として機能させる場合がある。しかし、金属酸化物は、透湿性が高いので、平坦化層１０４と画素部１００Ａに跨って連続的に形成された場合、平坦化層１０４の内部に侵入した水分や酸素が金属酸化物（保護層）を介して画素部１００Ａに侵入する惧れがある。そこで、本実施形態の電気光学装置２００では、金属酸化物からなる保護層１５０を平坦化層１０４の形成領域内に収まるようにパターニングし、平坦化層１０４と画素部１００Ａに跨って配置されないようにした。この構成によれば、仮に平坦化層１０４に水分や酸素が浸入しても、保護層１５０を介して画素部１００Ａにそのまま水分や酸素が浸入することが抑制される。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置２００が提供される。
【００６５】
［電子機器］
図１０は、本発明の電気光学装置を備える電子機器の一例を示す模式図である。
【００６６】
電子機器３００は、例えば携帯電話機３００であって、本体部３０１と、本体部３０１に開閉可能に設けられた表示体部３０２とを有する。表示体部３０２の内部には表示装置３０３が配置されており、電話通信に関する各種表示が表示画面３０４において視認可能となっている。本体部３０１には操作ボタン３０５が配列されている。
【００６７】
表示体部３０２の一端部には、アンテナ３０６が伸縮自在に取り付けられている。表示体部３０２の上部に設けられた受話部３０７の内部には、スピーカ（図示略）が内蔵されている。本体部３０１の下端部に設けられた送話部３０８の内部には、マイク（図示略）が内蔵されている。
【００６８】
ここで、表示装置３０３としては、例えば第１実施形態に示した電気光学装置が用いられている。そのため、表示装置３０３はガスバリア性の高い狭額縁な表示装置となる。よって、電子機器３００は、長寿命で信頼性に優れた小型の電子機器となる。
【００６９】
なお、本発明の電子機器としては、携帯電話機以外にも、例えば電子ブック、パーソナルコンピュータ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display：ＨＭＤ）などを挙げることができ、これらの表示部として本発明の電気光学装置を適用することができる。
【符号の説明】
【００７０】
１００…電気光学装置、１００Ａ…画素部、１００Ｂ…配線部、１０１…素子基板、１０２…封止基板、１０３…隔壁層、１０３ａ…開口部、１０４…平坦化層、１０５…対向電極用配線、１０６…電源線（配線）、１０７…信号線（配線）、１１０…有機ＥＬ素子（素子）、１１１…画素電極、１１２…機能層、１１３…対向電極、１２１…第１無機封止層、１２２…有機封止層、１２３…第２無機封止層、１２５…シール部、１５０…保護層、１５１…電源線（配線）、１５２…信号線（配線）、２００…電気光学装置、３００…電子機器（携帯電話機）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜封止構造を備えた電気光学装置として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。薄膜封止構造とは、有機ＥＬ素子などの水分や酸素に弱い素子をガスバリア性の高い１層又は複数層の薄膜で封止する構造である。特許文献１の電気光学装置では、素子が形成された画素部の全面を第１無機封止層、有機封止層および第２無機封止層からなる３層の封止層で封止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１７６７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
第１無機封止層および第２無機封止層は、素子基板上に酸化シリコンなどの無機膜を蒸着することにより形成される。そのため、素子基板上に電源線や信号線などによって形成された大きな凹凸が存在すると、その凹凸の部分でクラックなどの欠陥が発生し、ガスバリア性が低下する惧れがある。
【０００５】
特許文献１の電気光学装置では、画素部の周囲に配置された配線の凹凸を低減するために、配線の上方全体を有機封止層で覆い、有機封止層上に第２無機封止層を形成している。有機封止層は、スクリーン印刷などの印刷技術で形成されるため、配線の凹凸を低減することが可能である。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の構成では、有機封止層を配線の外側まで形成する必要があるので、そのぶん配線の外側に無駄な領域が生じる。有機封止層は、スクリーン印刷などの位置精度の粗い印刷技術で形成されるため、配線の外側には、１ｍｍ程度の領域を確保する必要があり、狭額縁化の妨げになる。
【０００７】
本発明の目的は、ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は、画素部と、前記画素部の外側に配置された配線と、を有する素子基板と、前記配線上に形成された平坦化層と、前記画素部に形成された素子を覆い、前記画素部と前記平坦化層との間の領域で前記素子基板と接する第１無機封止層と、前記第１無機封止層を覆い、端部が前記平坦化層の上面に配置された有機封止層と、前記有機封止層を覆い、前記平坦化層の外側まで延在する第２無機封止層と、を備えている。
【０００９】
この構成によれば、配線上に平坦化層が形成されているので、第１無機封止層と第２無機封止層に、配線の凹凸に起因したクラックなどの欠陥が発生しにくい。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置が提供される。また、平坦化層の上面に有機封止層の端部が配置されているので、配線よりも外側に、有機封止層の製造マージンを考慮した無駄な領域を設ける必要がない。よって、狭額縁な電気光学装置が提供される。
【００１０】
前記第１無機封止層は、前記平坦化層を覆い、前記平坦化層の外側まで延在して前記平坦化層の外側で前記素子基板と接しており、前記第２無機封止層は、前記平坦化層の上および前記平坦化層の外側において、前記第１無機封止層と接していてもよい。
【００１１】
この構成によれば、画素部の側方を、第１無機封止層、第２無機封止層および平坦化層で３重に封止することができる。また、第１無機封止層および第２無機封止層に欠陥が発生し、平坦化層に水分や酸素が浸入したとしても、平坦化層の内周側（画素部側）に配置された第１無機封止層によって画素部への水分や酸素の浸入を抑制することができる。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置が提供される。
【００１２】
前記素子基板と対向する封止基板と、前記素子基板と前記封止基板との対向領域の周縁部に配置され、前記素子基板と前記封止基板とを接合するシール部と、を備え、前記素子基板の法線方向から見て前記シール部と重なる位置に、前記平坦化層の外周端部が配置されていてもよい。
【００１３】
この構成によれば、シール部を含めた画素部周辺の無駄な領域（額縁領域）を少なくすることができる。また、シール部によって第２無機封止層が補強されるので、第２無機封止層にクラックなどの欠陥が発生することが抑制される。よって、ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置が提供される。
【００１４】
前記平坦化層は、矩形の前記画素部の４辺に沿って閉じた枠状に形成されていてもよい。
【００１５】
この構成によれば、画素部の４辺すべてについて高いガスバリア性を備えた電気光学装置が提供される。
【００１６】
前記素子基板上には、前記配線を覆う金属酸化物からなる保護層が設けられ、前記平坦化層は、前記保護層を覆い、前記保護層と前記第１無機封止層とは接触しないように配置されていてもよい。
【００１７】
金属酸化物は、耐薬剤性が高いため、配線の上方に形成して保護層として機能させる場合がある。しかし、金属酸化物は、透湿性が高いので、平坦化層と画素部に跨って連続的に形成された場合、平坦化層の内部に侵入した水分や酸素が金属酸化物（保護層）を介して画素部に侵入する惧れがある。そこで、本発明では、金属酸化物からなる保護層を平坦化層の形成領域内に収まるようにパターニングし、平坦化層と画素部に跨って配置されないようにした。この構成によれば、仮に平坦化層に水分や酸素が浸入しても、保護層を介して画素部にそのまま水分や酸素が浸入することが抑制される。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置が提供される。
【００１８】
前記素子は、画素電極と、前記画素電極上に配置され、流れる電流量に応じて発光する機能層と、前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に配置された対向電極と、を有し、前記第１無機封止層は、前記対向電極を覆い、前記対向電極の外側まで延在して前記対向電極と前記平坦化層との間で前記素子基板と接していてもよい。
【００１９】
この構成によれば、特に水分や酸素に対して劣化しやすい有機ＥＬ装置において、高いガスバリア性を備えた狭額縁な構造を提供できる。
【００２０】
前記画素部には、前記画素電極の形成位置に対応した開口部を有する隔壁層が設けられ、前記機能層は、前記開口部に配置され、前記対向電極は、前記隔壁層および前記機能層を覆い、前記隔壁層の外側まで延在して前記隔壁層と前記平坦化層との間で前記素子基板と接していてもよい。
【００２１】
この構成によれば、機能層の側方が隔壁層、対向電極および第１無機封止層によって３重に封止されるので、ガスバリア性の高い電気光学装置が提供される。
【００２２】
本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えている。
【００２３】
この構成によれば、ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置が備えられているため、長寿命で信頼性に優れた小型の電子機器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態の電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】電気光学装置の等価回路図である。
【図４】第２実施形態の電気光学装置の断面図である。
【図５】電子機器の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態の電気光学装置１００の平面図である。電気光学装置１００は、例えば、本発明の素子として有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。
【００２６】
電気光学装置１００は、複数の画素電極１１１がマトリクス状に形成された素子基板１０１を備えている。素子基板１１１には、複数の画素電極１１１の形成位置に対応した複数の開口部（図示略）を有する隔壁層１０３が形成されている。隔壁層１０３の開口部には、図示略の機能層が配置されており、機能層を挟んで画素電極１１１の反対側に対向電極１１３が対向配置されている。
【００２７】
素子基板１０１において、複数の画素電極１１１がマトリクス状に配置される領域が画素部１００Ａである。画素部１００Ａの最外周部は、対向電極１１３が素子基板１０１と接触する最も画素部中央寄りの位置（本実施形態の場合は隔壁層１０３の最外周部）と一致している。対向電極１１３は、複数の画素電極１１１にわたって連続して形成されており、画素部１００Ａの全面を覆うように画素部１００Ａよりも広い面積で形成されている。
【００２８】
画素部１００Ａの外側には、対向電極１１３と接続される対向電極用配線１０５が形成されている。対向電極用配線１０５は、画素部１００Ａの周囲を囲むように、矩形の画素部１００Ａの４辺に沿って閉じた枠状に形成されている。対向電極１１３は、隔壁層１０３と対向電極用配線１０５の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆うように形成され、対向電極用配線１０５の外側で素子基板１０１と接している。
【００２９】
対向電極１１３の外側には、電源線１０６や信号線などの対向電極用配線１０５以外の各種配線が形成された配線部１００Ｂが設けられている。配線部１００Ｂは、画素部１００Ａを囲むように枠状に設けられている。配線部１００Ｂには、各種配線によって素子基板１０１上に形成された凹凸を平坦化する平坦化層１０４が形成されている。平坦化層１０４は、画素部１００Ａの４辺に沿って閉じた枠状に形成され、対向電極１１３と接触しないように対向電極１１３との間に隙間を空けて形成されている。
【００３０】
平坦化層１０４と対向電極１１３の素子基板１０１上で露出する面には、第１無機封止層１２１、有機封止層１２２および第２無機封止層１２３からなる薄膜封止層１２０が形成されている。また、薄膜封止層１２０の上方には封止基板１０２が配置され、薄膜封止層１２０と封止基板１０２によって、素子基板１０１の表面全体が封止されている。
【００３１】
図２は、図１のＡ−Ａ′断面図である。
【００３２】
電気光学装置１００は、画素部１００Ａと、画素部１００Ａの周囲に配置された配線部１００Ｂと、を有する素子基板１０１を備えている。素子基板１０１は、ガラスやプラスチックなどからなる基板本体と、基板本体上に形成されるスイッチング用ＴＦＴ、各種回路および層間絶縁膜などを含めた構成をいい、画素電極１１１や画素電極１１１よりも上層側（基板本体とは反対側）に配置される層は含まない。
【００３３】
素子基板１０１の画素部１００Ａには、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などからなる複数の画素電極１１１が形成されている。また、複数の画素電極１１１を覆って、複数の画素電極１１１の形成位置に対応した複数の開口部１０３ａを有する隔壁層１０３が形成されている。画素電極１１１は、隔壁層１０３の開口部１０３ａの底面に露出している。
【００３４】
隔壁層１０３の外側には、配線部１００Ｂに形成された電源線１０６や信号線１０７などの各種配線、あるいは、素子基板１０１の内部（層間絶縁膜を介して画素電極１１１よりも下層側）に形成された各種配線によって形成された素子基板１０１表面の凹凸を覆って平坦化層１０４が形成されている。隔壁層１０３と平坦化層１０４は、同一材料によって形成することができる。例えば、素子基板１０１の全面にアクリル樹脂を塗布し、これをパターニングすることにより、隔壁層１０３と平坦化層１０４とが一括で形成される。
【００３５】
配線部１００Ｂには、電源線１０６や信号線１０７以外の配線１０８，１０９も存在するが、平坦化層１０４は、これらの配線の全てを覆っている必要はない。平坦化層１０４は、少なくとも画素部１００Ａの近傍に形成された配線や凹凸を覆っていればよい。平坦化層１０４の外周端部（画素部１００Ａとは反対側の端部）は、配線部１００Ｂの外周端部（配線部１００Ｂに形成された各種配線のうち最外周部に配置された配線の外周端部）と同じ位置或いは配線部１００Ｂの外周端部よりも画素部１００Ａに近い位置に配置されていればよい。
【００３６】
隔壁層１０３の開口部１０３ａには、有機発光層を含む機能層１１２が配置されている。また、機能層１１２を覆って対向電極１１３が形成されている。画素電極１１１と機能層１１２と対向電極１１３によって、有機ＥＬ素子１１０が形成されている。
【００３７】
対向電極１１３は、機能層１１２を挟んで画素電極１１１の反対側に対向して配置され、複数の画素電極１１１にわたって連続して設けられている。対向電極１１３は、隔壁層１０３と機能層１１２と平坦化層１０４の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆い、隔壁層１０３の外側まで延在して隔壁層１０３と平坦化層１０４との間で素子基板１０１と接している。対向電極１１３の端部は、平坦化層１０４と接触しないように、平坦化層１０４の内周端部（画素部１００Ａ側の端部）との間に隙間を空けて形成されている。
【００３８】
隔壁層１０３と平坦化層１０４の間の素子基板１０１上には、Ａｌ（アルミニウム）などからなる対向電極用配線１０５が形成されている。対向電極１１３は、隔壁層１０３の外側において対向電極用配線１０５と接触して接続されている。対向電極用配線１０５は、素子基板１０１の表面の絶縁層（図示略）に埋め込まれている。対向電極用配線１０５と対向電極１１３との接続部は、この絶縁層の厚み方向に壁状に形成され、絶縁層を透過する水分や酸素の浸入が抑制されるようになっている。
【００３９】
機能層１１２は、画素電極１１１と対向電極１１３との間に流れる電流量に応じて発光する。対向電極１１３は、例えば、１０ｎｍないし２０ｎｍの厚みのＭｇＡｇ（マグネシウム銀合金）の薄膜で形成されている。対向電極１１３は機能層１１２で発光した光Ｌに対して高い透過率を有し、機能層１１２で発光した光Ｌは、概ね対向電極１１３を透過して素子基板１０１とは反対側から射出される。
【００４０】
対向電極１１３と平坦化層１０４を覆って第１無機封止層１２１が形成されている。第１無機封止層１２１は、酸化シリコンや窒化シリコンなどの透明性の高い無機材料で形成されている。第１無機封止層１２１は、対向電極１１３の素子基板１０１上で露出する部位全体（すなわち有機ＥＬ素子１１０の素子基板１０１上で露出する部位全体）を覆い、対向電極１１３の外側まで延在して対向電極１１３と平坦化層１０４との間で素子基板１０１と接している。また、第１無機封止層１２１は、平坦化層１０４の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆い、平坦化層１０４の外側まで延在して平坦化層１０４の外側で素子基板１０１と接している。
【００４１】
図２では、第１無機封止層１２１は、素子基板１０１の端部まで形成されているが、第１無機封止層１２１は必ずしも素子基板１０１の端部まで形成されている必要はない。
【００４２】
第１無機封止層１２１を覆って有機封止層１２２が形成されている。有機封止層１２２は、アクリル樹脂などの有機材料、または、有機材料と無機材料との複合材料（ハイブリッド材料）によって形成されている。有機封止層１２２は、第１無機封止層１２１の素子基板１０１上で露出する部位を覆い、端部が平坦化層１０４の上面に配置されている。
【００４３】
有機封止層１２２を覆って第２無機封止層１２３が形成されている。第２無機封止層１２３は、酸化シリコンや窒化シリコンなどの透明性の高い無機材料で形成されている。第２無機封止層１２３は、有機封止層１２２の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆い、平坦化層１０４の外側まで延在している。また、第２無機封止層１２３は、平坦化層１０４の上面および側面ならびに平坦化層１０４の外側の領域において、第１無機封止層１２１と接している。
【００４４】
以上のように構成された素子基板１０１の外周部には、エポキシ樹脂などからなるガスバリア性の高いシール部１２５が形成されている。シール部１２５の内側には、エポキシ樹脂などからなる封止樹脂層１２４が充填されている。シール部１２５および封止樹脂層１２４を挟んで素子基板１０１上には封止基板１０２が対向配置され、シール部１２５によって素子基板１０１と封止基板１０２とが接合されている。
【００４５】
シール部１２５は、素子基板１０１と封止基板１０２との対向領域の周縁部に沿って閉じた枠状に形成されている。素子基板１０１の法線方向から見てシール部１２５と重なる位置には、平坦化層１０４の外周端部が配置されている。
【００４６】
図３は電気光学装置１００の等価回路図である。
【００４７】
電気光学装置１００は、複数の走査線１１７と、各走査線１１７に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１１８と、各信号線１１８に並列に延びる複数の電源線１０６とからなる配線構造を備えている。
【００４８】
走査線１１７と信号線１１８との各交点付近には、赤色表示を行う赤色サブ画素ＰＲ、緑色表示を行う緑色サブ画素ＰＧおよび青色表示を行う青色サブ画素ＰＢが形成されている。赤色サブ画素ＰＲ、緑色サブ画素ＰＧおよび青色サブ画素ＰＢは走査線１１７の延在方向に沿って互いに隣接して配置されており、赤色サブ画素ＰＲ、緑色サブ画素ＰＧおよび青色サブ画素ＰＢからなる３つのサブ画素によって、カラー表示を行う１つの画素が形成されている。画素部には、このような構成の複数の画素が走査線１１７の延在方向および信号線１１８の延在方向に沿ってマトリクス状に配置されている。
【００４９】
信号線１１８には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１３０が接続されている。走査線１１７には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１４０が接続されている。
【００５０】
赤色サブ画素ＰＲ、緑色サブ画素ＰＧおよび青色サブ画素ＰＢの各々には、走査線１１７を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１４と、スイッチング用ＴＦＴ１１４を介して信号線１１８から供給される画像信号を保持する保持容量１１６と、保持容量１１６によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１５と、駆動用ＴＦＴ１１５を介して電源線１０６に電気的に接続したときに電源線１０６から駆動電流が流れ込む画素電極１１１と、画素電極１１１と対向電極１１３との間に挟み込まれた機能層１１２と、が設けられている。
【００５１】
電気光学装置１００では、走査線１１７が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１４がオン状態になると、そのときの信号線１１８の電位が保持容量１１６に保持され、保持容量１１６の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１１５のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１５のチャネルを介して、電源線１０６から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１２を介して対向電極１１３に電流が流れる。機能層１１２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００５２】
上記構成の電気光学装置１００によれば、次のような作用効果が奏される。
【００５３】
（１）配線部１００Ｂ上に平坦化層１０４が形成されているので、第１無機封止層１２１と第２無機封止層１２３に、配線１０６，１０７の凹凸に起因したクラックなどの欠陥が発生しにくい。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置１００が提供される。また、平坦化層１０４の上面に有機封止層１２２の端部が配置されているので、配線１０７よりも外側に、有機封止層１２２の製造マージンを考慮した無駄な領域を設ける必要がない。よって、狭額縁な電気光学装置１００が提供される。
【００５４】
（２）画素部１００Ａの側方が、第１無機封止層１２１、第２無機封止層１２３および平坦化層１０４で３重に封止されるため、ガスバリア性の高い電気光学装置１００が提供される。仮に第１無機封止層１２１および第２無機封止層１２３に欠陥が発生し、平坦化層１０４に水分や酸素が浸入したとしても、平坦化層１０４の内周側（画素部１００Ａ側）に配置された第１無機封止層１２１によって画素部１００Ａへの水分や酸素の浸入が抑制される。そのため、水分や酸素の浸入が画素部１００Ａの端部および平坦化層１０４の端部で２重に抑制され、非常に高いガスバリア性が得られる。
【００５５】
（３）平坦化層１０４の画素部１００Ａ側の端部が、配線１０７よりも画素部１００Ａに近い位置に配置されているので、有機封止層１２２の端部の位置を画素部１００Ａに近づけることができる。よって、狭額縁な電気光学装置１００が提供される。
【００５６】
（４）素子基板１０１の法線方向から見てシール部１２５と重なる位置に、平坦化層１０４の外周端部が配置されているので、シール部１２５を含めた画素部１００Ａ周辺の額縁領域を少なくすることができる。また、シール部１２５によって第２無機封止層１２３が補強されるので、第２無機封止層１２３にクラックなどの欠陥が発生することが抑制される。よって、ガスバリア性の高い狭額縁な電気光学装置１００が提供される。
【００５７】
（５）平坦化層１０４は、矩形の画素部１００Ａの４辺に沿って枠状に形成されているので、画素部１００Ａの４辺すべてについて高いガスバリア性を備えた電気光学装置１００が提供される。
【００５８】
（６）機能層１１２の側方が隔壁層１０３、対向電極１１３および第１無機封止層１２１によって３重に封止されるので、ガスバリア性の高い電気光学装置１００が提供される。
【００５９】
（７）対向電極用配線１０５が、画素部１００Ａの４辺に沿って形成されているので、画素部１００Ａの４辺から対向電極１１３全体に均一に電荷が供給される。そのため、電圧降下によって画素部１００Ａの面内で明るさむらが発生する惧れが少ない。また、対向電極用配線１０５と対向電極１１３との接続は、電気的接続がなされる強固な接続であるため、対向電極１１３によるガスバリア性を補強することができる。対向電極用配線１０５は、素子基板１０１の表面の絶縁層（図示略）に埋め込まれているため、対向電極用配線１０５と対向電極１１３との接続部が絶縁層の厚み方向に壁状に形成され、絶縁層を透過する水分や酸素の浸入を抑えることができる。
【００６０】
［第２実施形態］
図４は、第２実施形態の電気光学装置２００の断面図である。図４は、図１のＡ−Ａ′断面の他の構成例を示す図である。電気光学装置２００において、第１実施形態の電気光学装置１００と共通する構成については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６１】
電気光学装置２００において、第１実施形態の電気光学装置１００と異なる点は、素子基板１０１上に、配線部１００Ｂに形成された配線（電源線１５１や信号線１５２など）の上方を覆う金属酸化物、例えばＩＴＯ（インジウム酸化物）からなる保護層１５０が設けられ、保護層１５０を覆って平坦化層１０４が形成されている点である。
【００６２】
保護層１５０は、例えば、画素電極１１１と同一材料で形成されている。例えば、素子基板１０１の全面にＩＴＯを形成し、これをパターニングすることにより、画素電極１１１と保護層１５０とが一括で形成される。
【００６３】
保護層１５０は、平坦化層１０４と隔壁層１０３との間に跨らないように形成されている。平坦化層１０４は、保護層１５０の素子基板１０１上で露出する部位全体を覆って形成されており、保護層１５０と第１無機封止層１２１とは接触しないように配置されている。このような構成を採用することにより、以下のような作用効果が奏される。
【００６４】
すなわち、金属酸化物は、耐薬剤性が高いため、下層の配線１５１，１５２の上方に形成して保護層１５０として機能させる場合がある。しかし、金属酸化物は、透湿性が高いので、平坦化層１０４と画素部１００Ａに跨って連続的に形成された場合、平坦化層１０４の内部に侵入した水分や酸素が金属酸化物（保護層）を介して画素部１００Ａに侵入する惧れがある。そこで、本実施形態の電気光学装置２００では、金属酸化物からなる保護層１５０を平坦化層１０４の形成領域内に収まるようにパターニングし、平坦化層１０４と画素部１００Ａに跨って配置されないようにした。この構成によれば、仮に平坦化層１０４に水分や酸素が浸入しても、保護層１５０を介して画素部１００Ａにそのまま水分や酸素が浸入することが抑制される。よって、ガスバリア性の高い電気光学装置２００が提供される。
【００６５】
［電子機器］
図１０は、本発明の電気光学装置を備える電子機器の一例を示す模式図である。
【００６６】
電子機器３００は、例えば携帯電話機３００であって、本体部３０１と、本体部３０１に開閉可能に設けられた表示体部３０２とを有する。表示体部３０２の内部には表示装置３０３が配置されており、電話通信に関する各種表示が表示画面３０４において視認可能となっている。本体部３０１には操作ボタン３０５が配列されている。
【００６７】
表示体部３０２の一端部には、アンテナ３０６が伸縮自在に取り付けられている。表示体部３０２の上部に設けられた受話部３０７の内部には、スピーカ（図示略）が内蔵されている。本体部３０１の下端部に設けられた送話部３０８の内部には、マイク（図示略）が内蔵されている。
【００６８】
ここで、表示装置３０３としては、例えば第１実施形態に示した電気光学装置が用いられている。そのため、表示装置３０３はガスバリア性の高い狭額縁な表示装置となる。よって、電子機器３００は、長寿命で信頼性に優れた小型の電子機器となる。
【００６９】
なお、本発明の電子機器としては、携帯電話機以外にも、例えば電子ブック、パーソナルコンピュータ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display：ＨＭＤ）などを挙げることができ、これらの表示部として本発明の電気光学装置を適用することができる。
【符号の説明】
【００７０】
１００…電気光学装置、１００Ａ…画素部、１００Ｂ…配線部、１０１…素子基板、１０２…封止基板、１０３…隔壁層、１０３ａ…開口部、１０４…平坦化層、１０５…対向電極用配線、１０６…電源線（配線）、１０７…信号線（配線）、１１０…有機ＥＬ素子（素子）、１１１…画素電極、１１２…機能層、１１３…対向電極、１２１…第１無機封止層、１２２…有機封止層、１２３…第２無機封止層、１２５…シール部、１５０…保護層、１５１…電源線（配線）、１５２…信号線（配線）、２００…電気光学装置、３００…電子機器（携帯電話機）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、前記画素部の外側に配置された配線と、を有する素子基板と、
前記配線上に形成された平坦化層と、
前記画素部に形成された素子を覆い、前記画素部と前記平坦化層との間の領域で前記素子基板と接する第１無機封止層と、
前記第１無機封止層を覆い、端部が前記平坦化層の上面に配置された有機封止層と、
前記有機封止層を覆い、前記平坦化層の外側まで延在する第２無機封止層と、を備えている電気光学装置。
【請求項２】
前記第１無機封止層は、前記平坦化層を覆い、前記平坦化層の外側まで延在して前記平坦化層の外側で前記素子基板と接しており、
前記第２無機封止層は、前記平坦化層の上および前記平坦化層の外側において、前記第１無機封止層と接している請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記素子基板と対向する封止基板と、
前記素子基板と前記封止基板との対向領域の周縁部に配置され、前記素子基板と前記封止基板とを接合するシール部と、を備え、
前記素子基板の法線方向から見て前記シール部と重なる位置に、前記平坦化層の外周端部が配置されている請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記平坦化層は、矩形の前記画素部の４辺に沿って閉じた枠状に形成されている請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記素子基板上には、前記配線を覆う金属酸化物からなる保護層が設けられ、
前記平坦化層は、前記保護層を覆い、
前記保護層と前記第１無機封止層とは接触しないように配置されている請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記素子は、画素電極と、前記画素電極上に配置され、流れる電流量に応じて発光する機能層と、前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に配置された対向電極と、を有し、
前記第１無機封止層は、前記対向電極を覆い、前記対向電極の外側まで延在して前記対向電極と前記平坦化層との間で前記素子基板と接している請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素部には、前記画素電極の形成位置に対応した開口部を有する隔壁層が設けられ、
前記機能層は、前記開口部に配置され、
前記対向電極は、前記隔壁層および前記機能層を覆い、前記隔壁層の外側まで延在して前記隔壁層と前記平坦化層との間で前記素子基板と接している請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えている電子機器。
【請求項１】
画素部と、前記画素部の外側に配置された配線と、を有する素子基板と、
前記配線上に形成された平坦化層と、
前記画素部に形成された素子を覆い、前記画素部と前記平坦化層との間の領域で前記素子基板と接する第１無機封止層と、
前記第１無機封止層を覆い、端部が前記平坦化層の上面に配置された有機封止層と、
前記有機封止層を覆い、前記平坦化層の外側まで延在する第２無機封止層と、を備えている電気光学装置。
【請求項２】
前記第１無機封止層は、前記平坦化層を覆い、前記平坦化層の外側まで延在して前記平坦化層の外側で前記素子基板と接しており、
前記第２無機封止層は、前記平坦化層の上および前記平坦化層の外側において、前記第１無機封止層と接している請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記素子基板と対向する封止基板と、
前記素子基板と前記封止基板との対向領域の周縁部に配置され、前記素子基板と前記封止基板とを接合するシール部と、を備え、
前記素子基板の法線方向から見て前記シール部と重なる位置に、前記平坦化層の外周端部が配置されている請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記平坦化層は、矩形の前記画素部の４辺に沿って閉じた枠状に形成されている請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記素子基板上には、前記配線を覆う金属酸化物からなる保護層が設けられ、
前記平坦化層は、前記保護層を覆い、
前記保護層と前記第１無機封止層とは接触しないように配置されている請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記素子は、画素電極と、前記画素電極上に配置され、流れる電流量に応じて発光する機能層と、前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に配置された対向電極と、を有し、
前記第１無機封止層は、前記対向電極を覆い、前記対向電極の外側まで延在して前記対向電極と前記平坦化層との間で前記素子基板と接している請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素部には、前記画素電極の形成位置に対応した開口部を有する隔壁層が設けられ、
前記機能層は、前記開口部に配置され、
前記対向電極は、前記隔壁層および前記機能層を覆い、前記隔壁層の外側まで延在して前記隔壁層と前記平坦化層との間で前記素子基板と接している請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えている電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１３−１６３７１（Ｐ２０１３−１６３７１Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４８８９８（Ｐ２０１１−１４８８９８）
【出願日】平成２３年７月５日（２０１１．７．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月５日（２０１１．７．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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