青色蛍光体と赤色蛍光体の処理方法

【要約】
【課題】青色蛍光体と赤色蛍光体の発光強度低下を防止する。
【解決手段】真空槽内１１内に処理対象の基板１０を配置し、プラズマ発生源１２内に水素ガスを含有する処理ガスを導入し、マイクロ波によって処理ガスのプラズマを生成し、基板１０上の青色蛍光体、又は赤色蛍光体にプラズマを照射する。二価のＥｕ²⁺を有する青色蛍光体の場合、三価のＥｕ³⁺が二価のＥｕ²⁺に還元され、三価のＥｕ³⁺を有する赤色蛍光体の場合、結晶欠陥に水素が結合して結晶欠陥が修復され、発光強度が高くなる。プラズマを処理する際に３００℃以上の温度に昇温させておくと効果的である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＤＰパネルの技術分野に係り、特に、ＰＤＰパネルに用いられる青色蛍光体と赤色蛍光体の輝度劣化の防止技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰはＬＣＤに比べると、自発光である点や、また、カラーフィルタを必要としない点から高輝度であり、物理的なシャッターが不要なことから応答が高速である、という特徴がある。
【０００３】
ＰＤＰに用いられるプラズマディスプレイパネル(PDP)の構造を簡単に説明すると、図６に示すように、プラズマディスプレイパネル(PDP)１０１は、二枚のパネル１１１、１１２の間に隔壁１１３が配置されており、隔壁１１３によって、複数のセルが形成されている。
【０００４】
各セルの壁には、赤、緑又は青色に対応する蛍光体１１５(１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂ)のいずれかが塗布されている。
セルの中には希ガス(例えばネオンガスとキセノンガスの混合ガス)から成る発光ガスが封入されており、セル内の電極に高電圧を印加して放電させると、発光ガスがプラズマ化し、紫外線が放射され、蛍光体１１５に当たると、蛍光体１１５は赤、緑又は青の対応する光で発光し、これにより、カラー表示を行なうことができる。
【０００５】
赤色の蛍光体１１５Ｒには、Ｙ(Ｐ，Ｖ)Ｏ₄：Ｅｕや、(Ｙ，Ｇｄ)ＢＯ₃：Ｅｕ等が用いられており、緑色の蛍光体１１５Ｇには、(Ｙ，Ｇｄ)ＢＯ₃：ＴｂやＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ等が用いられ、青色の蛍光体１１５Ｂには、Ｂａ_(1-x)ＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_x（以下、「ＢＡＭ」と言う。）が用いられている。
【０００６】
しかし、これらの物質は長時間プラズマに曝されると劣化し、輝度が低下してしまうという問題がある。
劣化を生じさせる原因は色々あるが、例えば、ＢＡＭの酸素欠損に注目した劣化防止の処理方法は下記文献に記載されており、従来よりＢＡＭの輝度劣化に対して種々の解決方法が提案されているが、問題解決には至っていないのが実情である。
【特許文献１】特開２００５−１４４３１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、長時間使用しても赤色蛍光体と青色蛍光体の発光強度が低下しない技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発明者等は、ＢＡＭ中のユーロピウムには、二価のＥｕ²⁺と三価のＥｕ³⁺が混在しているが、発光に寄与するのは、二価のＥｕ²⁺であり、青色蛍光体が発光ガスのプラズマに曝されることにより、二価のＥｕ²⁺が三価のＥｕ³⁺に変化し、輝度が低下する、と予想した。
特に、ＢＡＭをＰＤＰパネルに塗布する際に、ＢＡＭ粉体に有機溶剤を加え、混合してペースト状にした場合、有機溶剤を加える前のＢＡＭ粉体に比べて発光強度の低下が大きくなっている。
【０００９】
図７のグラフは、横軸が発光時間、縦軸が粉末状のＢＡＭの発光強度に対する試料の発光強度の比の値であり、符号Ｌ₁は、試料がペースト状のＢＡＭの場合の曲線であり、発光時間が長くなるに従い、発光強度比は低下することが分かる。
【００１０】
次に、粉末状のＢＡＭとペースト状のＢＡＭの温度と放出光の光強度の関係を熱ルミネッセンス法によって測定した。
【００１１】
図８は、熱ルミネッセンス法により、試料を低温から昇温させたときの、温度と発光強度の関係を示すグラフであり、横軸は温度、縦軸は発光強度である。
符号Ｓ₁は粉末状のＢＡＭを試料としたときの測定結果を示す曲線であり、符号Ｓ₂は、粉末ＢＡＭに有機溶剤を加えてペースト状にした試料の測定結果を示す曲線である。
ペースト状のＢＡＭは、室温(３００Ｋ)付近でトラップを示すピークが観察されている。このピークが発光強度低下の原因であり、これが室温での発光強度を低下させる原因であると推測される。
【００１２】
本発明の発明者等は、室温付近のトラップを減少させ、発光強度を増大させるためには、ＢＡＭを水素プラズマに曝してＥｕ³⁺を還元すればよいと考えた。
また、水素ガスを含む処理ガスのプラズマに曝すと、２価のＥｕ(Ｅｕ２＋)を化学構造中に有する青色蛍光体の他、３価のＥｕ(Ｅｕ３＋)を化学構造中に有する赤色蛍光体についても、発光強度低下を防止できるという結果を得ている。
【００１３】
その理由は、赤色蛍光体中に含まれている欠陥に水素を結合させることで欠陥修復し、欠陥密度が低減されるからであると推測される。結晶中の欠陥のその他の形態としては、結晶粒界が知られている。
【００１４】
蛍光体に照射されたイオン、電子、光は、蛍光体結晶体中を電子、光の形態で伝播する。伝播してきた電子、光により発光原子は励起されて、所定の波長範囲の光を発光する。本発明の発明者は、蛍光体結晶体中の結晶欠陥を低減すれば、結晶体中を伝播する電子、光エネルギーが熱として散逸する過程が抑制されて、発光原子までの電子、光の伝播効率を高めることができると考えた。
【００１５】
本発明は上記知見に基づいて創作された技術であり、真空雰囲気中にＥｕを含有する蛍光体を配置し、水素ガスを含有する処理ガスのプラズマを前記真空雰囲気中に形成し、前記蛍光体を前記プラズマに曝す蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、前記蛍光体はＢａ_(1-x)ＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇Ｅｕ_xを含有する青色蛍光体である蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、真空雰囲気中に波長5８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲に最大発光項強度がある赤色蛍光物質を含有する赤色蛍光体を配置し、水素ガスを含有する処理ガスのプラズマを前記真空雰囲気中に形成し、前記緑色蛍光体を前記プラズマに曝す赤色蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、前記赤色蛍光物質は、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺ 、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺ 、又はＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ₄：Ｅｕ³⁺ のうちのいずれか一種以上の化合物である赤色蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、真空雰囲気中に波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲に最大発光項強度がある青色蛍光物質を含有する青色蛍光体を配置し、水素ガスを含有する処理ガスのプラズマを前記真空雰囲気中に形成し、前記青色蛍光体を前記プラズマに曝す青色蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、前記青色蛍光物質は、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺ 又はＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺ のうちのいずれか一種以上の化合物である青色蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、プラズマ発生源内に前記処理ガスを導入し、前記プラズマ発生源内で前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ発生源の開口に面する位置に配置された前記青色蛍光体に前記プラズマを照射する蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、前記プラズマ発生源内にアンテナを配置し、前記アンテナに高周波電圧を印加してマイクロ波を発生させ、前記プラズマ発生源内に導入された前記処理ガスに前記マイクロ波を照射して、前記プラズマ発生源内の前記処理ガスをプラズマ化する蛍光体の処理方法である。
また、前記プラズマ発生源にマイクロ波を供給し、前記マイクロ波によって、前記プラズマ発生源内の前記処理ガスをプラズマ化する蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、前記水素ガスは、前記処理ガス内に０．０５体積％以上含有させる蛍光体の処理方法である。
また、本発明は、前記青色蛍光体を３００℃以上に昇温させ、前記プラズマを照射する蛍光体の処理方法である。
【００１６】
本発明は上記のように構成されており、ＢＡＭを水素プラズマに曝すことで、Ｅｕを還元し、三価のＥｕ³⁺を二価のＥｕ²⁺に変化させている。
上述した図７の符号Ｌ₂は、後述する処理装置を用い、ＰＤＰのパネルに塗布したペースト状のＢＡＭを、ＰＤＰパネルを加熱せず、室温の状態でアルゴンガスに５％の割合で水素ガスが添加された処理ガスのプラズマを接触させ、発光強度の変化を測定した結果である。処理ガスで処理しない場合に比べて低下率が小さくなっており、発光強度が大きい。室温ではなく、昇温させたときには、低下率は、一層小さくなることが確認されている。
【００１７】
図１２は、処理ガスのプラズマに曝さない場合の、青色蛍光体(ＢＡＭ)と赤色蛍光体(（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺)の発光時間と発光強度の関係を示すグラフであり、図１３は、基板を３００℃に加熱して青色蛍光体(ＢＡＭ)と赤色蛍光体（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺を処理ガスのプラズマに曝した場合の、発光時間と発光強度の関係を示すグラフである。図１２、１３の縦軸は、発光開始時の発光強度に対する比であり、Ｂは青色蛍光体、Ｒは赤色蛍光体の関係を示している。
【００１８】
焼成した蛍光体をプラズマに曝した。以下、測定に用いた蛍光体は、焼成後のものである。
室温よりも発光強度低下の防止効果が高く、赤色蛍光物質を含有する赤色蛍光体でも、青色蛍光物質を含有する青色蛍光体でも、３００℃以上(５００℃以下)の温度に昇温させた状態で、処理ガスのプラズマに接触させることが望ましい。
【００１９】
また、上述の図８の符号Ｓ₃は、上記５％の水素ガス添加の処理ガスで処理したＢＡＭの熱ルミネッセンス法による発光強度を測定した結果である。３００Ｋ付近のトラップのピークが未処理のＢＡＭの場合に比べて小さくなっており、これが発光強度が大きくなった理由であると考えられる。
【００２０】
図１１は、ペーストの塗布、焼成後の青色蛍光体に対し、異なる種類のガスのプラズマを、加熱せず常温の青色蛍光体ＢＡＭに照射したときの発光強度を、プラズマを照射しない青色蛍光体に対する発光強度の比で表わしたグラフである。
【００２１】
アルゴンガスに５％の水素ガスを含む処理ガスと、アルゴンガスに５％のO₂ガスを含む混合ガスと、アルゴンガスの結果が示されており、Ｈ₂ガスを含有する処理ガスの場合が、最も発光強度が大きくなっている。なお、このときのプラズマの投入電力は６０Ｗ、照射時間は３０分である。基板温度(青色蛍光体の温度)は加熱せず、室温のまま照射した。図１１から分かるように、Ｈ₂ガスを含有する処理ガスで処理する場合は、常温でも発光強度が向上することが分かる。
【００２２】
他方、プラズマを発生させずに、粉末状、又はペースト状の緑色蛍光体を焼成した後、加熱した状態で処理ガスに曝しても、水素は赤色蛍光物質や青色蛍光物質の結晶中に拡散せず、発光強度の低下を防止する効果は得られないことは確認している。
【００２３】
図１４は、青色蛍光体ＢＡＭを水素ガスや水素ガスプラズマに曝さない場合の発光時間と発光強度の関係(符号Ｍ₁)と、青色蛍光体ＢＡＭを５００℃３０分水素ガスに曝した場合の発光時間と発光強度の関係(符号Ｍ₂)を示すグラフである。
どちらの場合も、発光強度低下を防止する効果は見られない。従って、蛍光体をプラズマの存在下で水素ガスに曝すのが重要であることが分かる。
【発明の効果】
【００２４】
青色蛍光体と赤色蛍光体の発光強度の低下を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１の符号１は、本発明に用いられる処理装置であり、真空槽１１を有している。真空槽１１の内部には、プラズマ発生源１２と、台１８が配置されている。
プラズマ発生源１２は、導波管２１と、容器２２とを有している。
容器２２は、真空槽１１内で、その開口を台１８側に向けて略水平に配置されている。容器２２は石英製である。
【００２６】
真空槽１１の内部には、移動機構２０が配置されている。容器２２は細長であり、移動機構２０は、容器２２を、その長手方向とは垂直な方向に水平面内で移動させるように構成されている。
台１８上には成膜対象の基板１０が配置されている。基板１０は正方形又は長方形であり、四辺のうちの二辺は容器２２の長手方向に沿い、他の二辺は容器２２の長手方向とは垂直な容器２２の移動方向に沿って配置されている。
【００２７】
基板１０の、容器２２の長手方向に沿う方向の長さは、容器２２の長手方向の長さよりも長く形成されており、容器２２の開口２４を基板１０の一端に置き、移動機構２０によって容器２２を移動させると、容器２２の開口２４は、基板１０の一端から他端まで向き合いながら移動するように構成されている。
【００２８】
図３は、容器２２の開口２４付近の内部構造を説明するための拡大斜視図である。容器２２の開口２４の縁部分には、長手方向に沿って細長のシャワーヘッド２３が設けられている。
シャワーヘッド２３の内部には、シャワーヘッド２３の長手方向に沿って、ガス導入路３１が設けられている。シャワーヘッド２３の、開口２４付近の面には、ガス導入路３１と連通する細孔３２が複数個形成されている。
【００２９】
真空槽１１の外部には、真空排気系１９とガス導入系１４が配置されている。
ガス導入系１４は、シャワーヘッド２３に接続されており、ガス導入系１４からガス導入路３１内に水素ガス又は水素ガスと希ガスの混合ガスから成る処理ガスを導入できるように構成されている。真空排気系１９を起動し、真空槽１１の内部を真空排気した後、ガス導入路３１内に処理ガスを導入すると、処理ガスは、細孔３２から真空槽１１内の容器２２の内部空間に向けて噴出される。
【００３０】
導波管２１は、容器２２の少なくとも底面を覆うように取りつけられている。導波管２１には、マイクロ波発生装置１３が接続されており、導波管２１内にマイクロ波を導入すると、マイクロ波は、主として容器２２の底壁を透過して容器２２の内部空間に導入され、シャワーヘッド２３から容器２２の内部空間に向けて噴出された処理ガスに照射される。
マイクロ波が照射された処理ガスはプラズマ化し、開口２４から放出され、基板１０に到達する。
【００３１】
基板１０は、図４(ａ)に示すように、ガラス板３１上に細長の隔壁３３が複数形成されており、隔壁間には、赤、緑、又は青色のいずれかの色に対応する蛍光体のペーストが塗布、焼成され、赤色蛍光体３５Ｒ、緑色蛍光体３５Ｇ、又は青色蛍光体３５Ｂが形成されている。
【００３２】
人間が赤色に感じる光は、波長5８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲に最大強度(ピーク)があり、緑色では４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲、青色では４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲であり、各蛍光体３５Ｒ、Ｇ、Ｂの発光光は、対応する色の波長範囲内に最大発光強度の波長を有している。
【００３３】
赤色蛍光体には、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺ 、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺ 、又はＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ₄：Ｅｕ³⁺ のうちのいずれか一種以上の赤色蛍光物質を含有する蛍光体が用いられており、青色蛍光体には、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺ 又はＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺ のうちのいずれか一種以上の青色蛍光物質を含有する蛍光体が用いられている。これらの蛍光物質を、処理ガスのプラズマに曝すと、発光強度低下を防止することができる。蛍光物質の諸特性を下記表１に示す。
【００３４】
【表１】

【００３５】
ここでは、青色蛍光体３５Ｂは、ペースト状のＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺(ＢＡＭ)を塗布、焼成したものが用いられ、赤色蛍光体３５Ｒには、ペースト状の（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺を塗布、焼成したものが用いられている。
【００３６】
基板１０は、各蛍光体３５Ｒ、Ｇ、Ｂが配置された面を容器２２側に向けて台１８上に配置されている。
台１８の内部には、ヒータ１５が配置されており、ヒータ１５に通電して発熱させ、３００℃以上５００℃以下の温度に加熱した状態でプラズマを照射すると、各蛍光体３５Ｒ、Ｇ、Ｂは、処理ガスのプラズマに曝される。
【００３７】
青色蛍光体３５Ｂが処理ガスのプラズマに接触すると、青色蛍光体３５Ｂ中の三価のＥｕ³⁺は、処理ガス中に含有される水素ガスのプラズマによって還元され、二価のＥｕ²⁺が生成される。
赤色蛍光体３５Ｒの結晶欠陥には、水素が結合し、結晶欠陥が修復される。
【００３８】
処理ガスは、水素ガス１００％のガス、又はアルゴンガス等の希ガスと水素ガスの混合ガスであり、青色蛍光体中の三価のＥｕ³⁺が還元され、二価のＥｕ²⁺が生成される。水素ガスの含有量は、後述するように、０．０５％以上の場合に効果的である。
【００３９】
図２に示されているように、プラズマ発生源１２から処理ガスのプラズマを放出させながら、プラズマ発生源１２を移動させ、基板１０の一端から他端まで処理ガスのプラズマを照射する。処理ガスのプラズマを照射するときの真空槽１１内の圧力は１Torr〜大気圧であり、照射するプラズマ密度は１×１０¹²〜１×１０¹⁴ｃｍ^-3、プラズマの電子温度は１ｅＶから３ｅＶ程度である。
【００４０】
プラズマを照射した基板１０を真空槽１１から取り出し、基板１０上にフロントパネルを密着させ、内部にキセノンガスとネオンガスの混合ガス等の放電ガスを封入した状態で、低融点ガラス等の封止材料によって封止するとＰＤＰパネルが得られる。
【００４１】
図４（ｂ）の符号５は、得られたＰＤＰパネルの模式的な断面図であり、基板１０とフロントパネル３２とは、基板１０及びフロントパネル３２の周囲に配置された封着材料３６によって封止されている。
赤色蛍光体３５Ｒと青色蛍光体３５Ｂは一緒にプラズマに曝されるので、赤色蛍光体３５Ｒと青色蛍光体３５Ｂは、一緒に発光強度の低下が防止される。
【００４２】
次に、Ｈ₂ガス濃度と発光強度の関係を説明する。
図９は、Ｈ₂ガス濃度が異なる処理ガスで青色蛍光体３５Ｂを処理したときの、初期値に対する発光強度の割合(発光強度維持率）を示すグラフであり、横軸は発光時間、縦軸は発光強度維持率である。Ｈ₂ガスの濃度は、処理ガス全体の体積に対するＨ₂ガスの体積割合であり、希ガスにはアルゴンガスを用いている。
【００４３】
グラフ中、「未処理」とあるのはプラズマに曝さなかった青色蛍光体の測定結果であり、「０％」は水素ガスを含まない希ガス(ここではアルゴンガス)のプラズマに曝した青色蛍光体の測定結果である。図９から、全体の量に対して０．０５％以上の含有率でＨ₂ガスを含む場合に(１００％の場合も含む)、処理ガスのプラス間照射の効果が認められ、発光強度の低下が少なくなっていることが分かる。１％以上の濃度では、発光強度維持の効果は飽和しており、０．０５％以上１％以下の範囲が効率的であることが分かる。
【００４４】
次に、青色蛍光体３５Ｂの処理温度と発光強度維持率との関係を説明する。
図１０は青色蛍光体３５Ｂをプラズマに曝さず、熱処理だけ行なった場合の発光強度維持率と、基板１０を加熱しながら水素ガスを５％含有する処理ガスで３０分間処理した場合の発光強度維持率を比較するグラフである。
【００４５】
処理ガスのプラズマを照射する場合、２００℃程度から発光強度維持の効果が認められる。３００℃でも９５％以上の発光強度維持効果が得られているが、４００℃以上の温度にしても、発光強度維持の効果は向上しない。従って、処理ガスのプラズマを照射する際には、３００℃以上の温度に昇温させることが望ましいことが分かる。
上記実施例では、基板上に塗布、焼成した青色蛍光体３５Ｂと赤色蛍光体３５Ｒに処理ガスのプラズマを照射したが、本発明は塗布前に処理することもできる。
【００４６】
図５の符号２は、そのような処理に用いることができる処理装置であり、真空槽５１を有している。真空槽５１には、筒状の容器７２を有するプラズマ発生源５２が設けられている。容器７２の外周は、接地電位のシールド７９で覆われている。
【００４７】
その容器７２は、少なくとも開口７４が真空槽５１の内部に位置しており、開口７４の近傍には、試料台５８が配置されている。試料台５８の開口７４に面する位置には、Ｅｕ²⁺を化学構造中に有する青色蛍光物質、又は、Ｅｕ³⁺を化学構造中に有する赤色物質を含有する蛍光体６０が配置されている。この蛍光体６０はパネルに塗布するペーストを形成する前の粉末状である。
【００４８】
容器７２にはアンテナ７１が挿通されている。アンテナ７１には高周波電源５３が接続されており、高周波電源５３を動作させ、アンテナ７１に高周波電圧を印加すると、アンテナ７１から容器７２の内部にマイクロ波が放射されるように構成されている。
【００４９】
真空槽５１には真空排気系１９が接続されており、容器７２には、その底面付近に処理ガス導入系５４が接続されている。
真空排気系１９によって真空槽５１の内部を真空排気し、アンテナ７１によって容器７２内にマイクロ波を放射し、その状態で容器７２内に処理ガスを導入すると、容器７２の内部で処理ガスのプラズマが生成される。生成されたプラズマは、容器７２内に導入される処理ガスに押し出され、開口７４から放出され、蛍光体６０に照射される。
【００５０】
試料台５８の内部にはヒータ７５が配置されており、ヒータ７５に通電し、蛍光体６０を３００℃以上５００℃以下の温度に予め昇温させておき、蛍光体６０にプラズマを照射すると、処理ガス中のＨ₂ガスのプラズマに蛍光体６０が曝され、発光強度低下が防止される。ここで用いられる処理ガスにも、アルゴンガス等の希ガス中にＨ₂ガスが０．０５％以上の割合で含有されている。
所定時間のプラズマ照射が終了した蛍光体６０からペーストが作られ、ＰＤＰのパネルに塗布され、封止され、ＰＤＰパネルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に用いることができる処理装置の一例
【図２】その処理装置を用いた処理方法を説明するための図
【図３】その処理装置の開口付近を説明するための斜視図
【図４】(ａ)：本発明によって処理する基板の一例 (ｂ)：本発明によって得られるＰＤＰパネルの一例
【図５】本発明に用いることができる処理装置の他の例
【図６】一般的なＰＤＰパネルの例
【図７】粉体ＢＡＭとペーストＢＡＭの発光強度の比較
【図８】熱ルミネッセンス法による発効強度のグラフ
【図９】水素ガス含有率と発光強度維持率の関係を示すグラフ
【図１０】基板温度と発光強度維持率の関係を示すグラフ
【図１１】プラズマを形成するガスと発光強度比の関係を示すグラフ
【図１２】水素ガスを含む処理ガスのプラズマに曝さない場合の発光時間と発光強度の関係を示すグラフ(ＢＡＭと(Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺)
【図１３】水素ガスを含む処理ガスのプラズマに曝した場合の発光時間と発光強度の関係を示すグラフ(ＢＡＭと(Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺)
【図１４】未処理の場合と、プラズマを発生させずに水素ガスに曝した場合の発光時間と発光強度の関係を示すグラフ
【符号の説明】
【００５２】
１２、５２……プラズマ発生源
７１……アンテナ
３５Ｂ……青色蛍光体
３５Ｒ……赤色蛍光体
６０……蛍光体

【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気中にＥｕを含有する蛍光体を配置し、
水素ガスを含有する処理ガスのプラズマを前記真空雰囲気中に形成し、
前記蛍光体を前記プラズマに曝す蛍光体の処理方法。
【請求項２】
前記蛍光体はＢａ_(1-x)ＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇Ｅｕ_xを含有する青色蛍光体である請求項１記載の蛍光体の処理方法。
【請求項３】
真空雰囲気中に波長5８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲に最大発光項強度がある赤色蛍光物質を含有する赤色蛍光体を配置し、
水素ガスを含有する処理ガスのプラズマを前記真空雰囲気中に形成し、
前記緑色蛍光体を前記プラズマに曝す赤色蛍光体の処理方法。
【請求項４】
前記赤色蛍光物質は、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺ 、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺ 、又はＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ₄：Ｅｕ³⁺ のうちのいずれか一種以上の化合物である請求項３記載の赤色蛍光体の処理方法。
【請求項５】
真空雰囲気中に波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲に最大発光項強度がある青色蛍光物質を含有する青色蛍光体を配置し、
水素ガスを含有する処理ガスのプラズマを前記真空雰囲気中に形成し、
前記青色蛍光体を前記プラズマに曝す青色蛍光体の処理方法。
【請求項６】
前記青色蛍光物質は、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺ 又はＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺ のうちのいずれか一種以上の化合物である請求項５記載の青色蛍光体の処理方法。
【請求項７】
プラズマ発生源内に前記処理ガスを導入し、前記プラズマ発生源内で前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ発生源の開口に面する位置に配置された前記青色蛍光体又は前記赤色蛍光体のいずれか一方又は両方に前記プラズマを照射する請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の蛍光体の処理方法。
【請求項８】
前記プラズマ発生源内にアンテナを配置し、前記アンテナに高周波電圧を印加してマイクロ波を発生させ、前記プラズマ発生源内に導入された前記処理ガスに前記マイクロ波を照射して、前記プラズマ発生源内の前記処理ガスをプラズマ化する請求項７記載の蛍光体の処理方法。
【請求項９】
前記プラズマ発生源にマイクロ波を供給し、前記マイクロ波によって、前記プラズマ発生源内の前記処理ガスをプラズマ化する請求項７記載の蛍光体の処理方法。
【請求項１０】
前記水素ガスは、前記処理ガス内に０．０５体積％以上含有させる請求項５乃至請求項９のいずれか１項記載の蛍光体の処理方法。
【請求項１１】
前記青色蛍光体を３００℃以上に昇温させ、前記プラズマを照射する請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の蛍光体の処理方法。

【図１】