高周波用配線基板
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用配線基板、特に絶縁基板に備えたビアと導体線路とを連ねてなる信号線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えることのできる高周波用配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図３に示したような、高周波用配線基板がある。
【０００３】この配線基板は、その本体をセラミック等からなる絶縁層を複数積層してなる絶縁基板１０から形成している。絶縁基板１０の上下方向には、ホールにメタライズ等の導体を充填してなるビア２０を備えている。ビア２０下端は絶縁基板１０下部の内側に達していて、そのビア２０下端からメタライズ等からなる細帯状の導体線路３０を絶縁基板１０の絶縁層間にビア２０と直角に延設している。
【０００４】ビア２０周囲の絶縁基板１０の複数の絶縁層間には、メタライズ等からなるグランド層４０をビア２０と直角に所定ピッチで上下に複数並べて備えている。そして、ビア２０を、擬似同軸線路構造として、そのビア２０の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせている。
【０００５】絶縁基板１０上面には、雄側の同軸コネクタ５０を起立させて備えている。同軸コネクタの芯線５２下端は、絶縁基板１０上面に露出したビア２０上端に接続している。同軸コネクタ周囲の金属筒体５４下端面は、絶縁基板１０上面に備えたグランド層４２に接続している。
【０００６】ビア２０下端から絶縁基板１０の絶縁層間に延設した導体線路３０は、その上方の絶縁基板１０の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とするためのグランド層４０と絶縁基板１０下面に備えたグランド層４６とにより、ストリップ線路構造として、その導体線路３０の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせている。
【０００７】そして、上記ビア２０と導体線路３０とを連ねてなる信号線路６０に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記信号線路６０においては、そのビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３０ａをストリップ線路構造としておらず、その導体線路部分３０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチングさせていなかった。
【０００９】そのため、その導体線路部分３０ａを伝わる高周波信号の伝送損失が大きくなって、上記信号線路６０に高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができなかった。
【００１０】本発明は、上記導体線路部分の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせて、その導体線路部分に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるようにした高周波用配線基板（以下、配線基板という）を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明の配線基板は、絶縁基板の上下方向にビアを備えると共に、そのビア周囲の絶縁基板にビアと所定間隔あけてビアと直角にグランド層を上下に複数並べて備えて、前記ビアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記ビア端部から導体線路を前記絶縁基板にビアと直角に延設してなる高周波用配線基板において、前記ビアに対向する前記グランド層の内周縁よりも内側に位置する前記導体線路部分の外方の絶縁基板に、その導体線路部分をマイクロストリップ線路構造とするための局部グランド層を該導体線路部分と平行に並べて備えたことを特徴としている。
【００１２】
【作用】上記構成の配線基板においては、ビアに対向するグランド層の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分の外方の絶縁基板に、局部グランド層をその導体線路部分と平行に並べて備えている。
【００１３】そのため、その局部グランド層で上記導体線路部分をマイクロストリップ線路構造として、その導体線路部分の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせることができる。そして、上記導体線路部分を伝わる高周波信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明する。図１は本発明の配線基板の好適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以下に、この配線基板を説明する。
【００１５】図において、１０は、セラミック等からなる絶縁層を上下に複数一体に積層してなる絶縁基板である。
【００１６】絶縁基板１０の上下方向には、ホールにメタライズ等の導体を充填してなるビア２０を備えている。
【００１７】ビア２０周囲の絶縁基板１０には、ビア２０と所定間隔あけてビア２０と直角に、メタライズ等の導体からなるグランド層４０を所定ピッチで上下に複数並べて備えている。具体的には、ビア２０周囲の絶縁基板１０の複数の絶縁層間に、グランド層４０をそれぞれ上下に並べて備えている。ビア２０に対向するグランド層４０の内周縁は、ビア２０周囲から所定距離離隔させていて、円形状等をしている。そして、そのグランド層４０でビア２０を擬似同軸線路構造として、ビア２０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００１８】絶縁基板１０上面には、雄側の同軸コネクタ５０を起立させて備えている。同軸コネクタの芯線５２下端は、絶縁基板１０上面に露出したビア２０上端にはんだ付けにより接続している。同軸コネクタ周囲の金属筒体５４下面は、絶縁基板１０上面に広く備えたメタライズ等の導体からなるグランド層４２にはんだ付けにより接続している。
【００１９】ビア２０下端は、絶縁基板１０下部の内側まで達している。ビア２０下端には、メタライズ等からなる細帯状の導体線路３０を、絶縁基板１０の絶縁層間にビア２０と直角に延設している。
【００２０】導体線路３０は、その上方の絶縁基板１０の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とするためのグランド層４０と絶縁基板１０下面に備えたグランド層４６とにより、ストリップ線路構造として、その導体線路３０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２１】以上の構成は、従来の既述配線基板と同様であるが、図の配線基板では、ビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３０ａの外方の絶縁基板１０に、その導体線路部分３０ａをマイクロストリップ線路構造とするための局部グランド層４８を導体線路部分３０ａと平行に並べて備えている。具体的には、導体線路部分３０ａの下方の絶縁基板１０の絶縁層間に、メタライズ等の導体からなる太帯状の局部グランド層４８を導体線路部分３０ａと平行に並べて備えている。局部グランド層４８は、それより下方の絶縁基板１０下面に備えたグランド層４６に、それらの間の絶縁基板１０の絶縁層に上下に貫通して備えたホールに導体を充填してなる複数本のビア２２を介して電位差なく接続している。そして、その局部グランド層４８で上記導体線路部分３０ａの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２２】図１に示した配線基板は、以上のように構成していて、この配線基板では、そのビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチングさせて、その導体線路部分３０ａに高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
【００２３】図２は本発明の配線基板の他の好適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以下に、この配線基板を説明する。
【００２４】図の配線基板では、ビア２０上端が、絶縁基板１０上面まで達せずに、絶縁基板１０上部の内側に位置している。
【００２５】ビア２０上端には、前述導体線路３０と同様なメタライズ等からなる細帯状の導体線路７０を絶縁基板１０の絶縁層間ビア２０と直角に延設している。
【００２６】導体線路７０は、その下方の絶縁基板１０の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とするためのグランド層４０と絶縁基板１０上面に備えたグランド層４６０とにより、ストリップ線路構造として、その導体線路７０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２７】ビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分７０ａの外方の絶縁基板１０には、その導体線路部分７０ａをマイクロストリップ線路構造とするための局部グランド層４８０を導体線路部分７０ａと平行に並べて備えている。具体的には、導体線路部分７０ａの上方の絶縁基板１０の絶縁層間に、メタライズ等からなる太帯状の局部グランド層４８０を導体線路部分７０ａと平行に並べて備えている。局部グランド層４８０は、それより上方の絶縁基板１０上面に備えたグランド層４６０又はそれより下方の絶縁基板１０の絶縁層間に備えたグランド層４０（図では、絶縁基板１０上面に備えたグランド層４６０としている）に、それらの間の絶縁基板１０の絶縁層に上下に貫通して備えた複数本のビア２２０を介して電位差なく接続している。そして、その局部グランド層４８０で導体線路部分７０ａの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２８】その他は、図１に示した前述配線基板と同様に構成していて、この配線基板では、そのビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３０ａ、７０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチングさせて、その導体線路部分３０ａ、７０ａに高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線基板によれば、ビアに対向するグランド層の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分の特性インピーダンスをその導体線路部分に連なる導体線路やビアの持つ特性インピーダンスにマッチングさせて、導体線路とビアとを連ねてなる信号線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の正面断面図である。
【図２】本発明の配線基板の正面断面図である。
【図３】従来の配線基板の正面断面図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁基板
２０、２２、２２０ ビア
３０ 導体線路
４０ グランド層
４２、４６、４６０ グランド層
４８、４８０ 局部グランド層
５０ 同軸コネクタ
６０ 信号線路
７０ 導体線路
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用配線基板、特に絶縁基板に備えたビアと導体線路とを連ねてなる信号線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えることのできる高周波用配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図３に示したような、高周波用配線基板がある。
【０００３】この配線基板は、その本体をセラミック等からなる絶縁層を複数積層してなる絶縁基板１０から形成している。絶縁基板１０の上下方向には、ホールにメタライズ等の導体を充填してなるビア２０を備えている。ビア２０下端は絶縁基板１０下部の内側に達していて、そのビア２０下端からメタライズ等からなる細帯状の導体線路３０を絶縁基板１０の絶縁層間にビア２０と直角に延設している。
【０００４】ビア２０周囲の絶縁基板１０の複数の絶縁層間には、メタライズ等からなるグランド層４０をビア２０と直角に所定ピッチで上下に複数並べて備えている。そして、ビア２０を、擬似同軸線路構造として、そのビア２０の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせている。
【０００５】絶縁基板１０上面には、雄側の同軸コネクタ５０を起立させて備えている。同軸コネクタの芯線５２下端は、絶縁基板１０上面に露出したビア２０上端に接続している。同軸コネクタ周囲の金属筒体５４下端面は、絶縁基板１０上面に備えたグランド層４２に接続している。
【０００６】ビア２０下端から絶縁基板１０の絶縁層間に延設した導体線路３０は、その上方の絶縁基板１０の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とするためのグランド層４０と絶縁基板１０下面に備えたグランド層４６とにより、ストリップ線路構造として、その導体線路３０の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせている。
【０００７】そして、上記ビア２０と導体線路３０とを連ねてなる信号線路６０に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記信号線路６０においては、そのビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３０ａをストリップ線路構造としておらず、その導体線路部分３０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチングさせていなかった。
【０００９】そのため、その導体線路部分３０ａを伝わる高周波信号の伝送損失が大きくなって、上記信号線路６０に高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができなかった。
【００１０】本発明は、上記導体線路部分の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせて、その導体線路部分に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるようにした高周波用配線基板（以下、配線基板という）を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明の配線基板は、絶縁基板の上下方向にビアを備えると共に、そのビア周囲の絶縁基板にビアと所定間隔あけてビアと直角にグランド層を上下に複数並べて備えて、前記ビアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記ビア端部から導体線路を前記絶縁基板にビアと直角に延設してなる高周波用配線基板において、前記ビアに対向する前記グランド層の内周縁よりも内側に位置する前記導体線路部分の外方の絶縁基板に、その導体線路部分をマイクロストリップ線路構造とするための局部グランド層を該導体線路部分と平行に並べて備えたことを特徴としている。
【００１２】
【作用】上記構成の配線基板においては、ビアに対向するグランド層の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分の外方の絶縁基板に、局部グランド層をその導体線路部分と平行に並べて備えている。
【００１３】そのため、その局部グランド層で上記導体線路部分をマイクロストリップ線路構造として、その導体線路部分の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせることができる。そして、上記導体線路部分を伝わる高周波信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明する。図１は本発明の配線基板の好適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以下に、この配線基板を説明する。
【００１５】図において、１０は、セラミック等からなる絶縁層を上下に複数一体に積層してなる絶縁基板である。
【００１６】絶縁基板１０の上下方向には、ホールにメタライズ等の導体を充填してなるビア２０を備えている。
【００１７】ビア２０周囲の絶縁基板１０には、ビア２０と所定間隔あけてビア２０と直角に、メタライズ等の導体からなるグランド層４０を所定ピッチで上下に複数並べて備えている。具体的には、ビア２０周囲の絶縁基板１０の複数の絶縁層間に、グランド層４０をそれぞれ上下に並べて備えている。ビア２０に対向するグランド層４０の内周縁は、ビア２０周囲から所定距離離隔させていて、円形状等をしている。そして、そのグランド層４０でビア２０を擬似同軸線路構造として、ビア２０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００１８】絶縁基板１０上面には、雄側の同軸コネクタ５０を起立させて備えている。同軸コネクタの芯線５２下端は、絶縁基板１０上面に露出したビア２０上端にはんだ付けにより接続している。同軸コネクタ周囲の金属筒体５４下面は、絶縁基板１０上面に広く備えたメタライズ等の導体からなるグランド層４２にはんだ付けにより接続している。
【００１９】ビア２０下端は、絶縁基板１０下部の内側まで達している。ビア２０下端には、メタライズ等からなる細帯状の導体線路３０を、絶縁基板１０の絶縁層間にビア２０と直角に延設している。
【００２０】導体線路３０は、その上方の絶縁基板１０の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とするためのグランド層４０と絶縁基板１０下面に備えたグランド層４６とにより、ストリップ線路構造として、その導体線路３０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２１】以上の構成は、従来の既述配線基板と同様であるが、図の配線基板では、ビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３０ａの外方の絶縁基板１０に、その導体線路部分３０ａをマイクロストリップ線路構造とするための局部グランド層４８を導体線路部分３０ａと平行に並べて備えている。具体的には、導体線路部分３０ａの下方の絶縁基板１０の絶縁層間に、メタライズ等の導体からなる太帯状の局部グランド層４８を導体線路部分３０ａと平行に並べて備えている。局部グランド層４８は、それより下方の絶縁基板１０下面に備えたグランド層４６に、それらの間の絶縁基板１０の絶縁層に上下に貫通して備えたホールに導体を充填してなる複数本のビア２２を介して電位差なく接続している。そして、その局部グランド層４８で上記導体線路部分３０ａの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２２】図１に示した配線基板は、以上のように構成していて、この配線基板では、そのビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチングさせて、その導体線路部分３０ａに高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
【００２３】図２は本発明の配線基板の他の好適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以下に、この配線基板を説明する。
【００２４】図の配線基板では、ビア２０上端が、絶縁基板１０上面まで達せずに、絶縁基板１０上部の内側に位置している。
【００２５】ビア２０上端には、前述導体線路３０と同様なメタライズ等からなる細帯状の導体線路７０を絶縁基板１０の絶縁層間ビア２０と直角に延設している。
【００２６】導体線路７０は、その下方の絶縁基板１０の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とするためのグランド層４０と絶縁基板１０上面に備えたグランド層４６０とにより、ストリップ線路構造として、その導体線路７０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２７】ビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分７０ａの外方の絶縁基板１０には、その導体線路部分７０ａをマイクロストリップ線路構造とするための局部グランド層４８０を導体線路部分７０ａと平行に並べて備えている。具体的には、導体線路部分７０ａの上方の絶縁基板１０の絶縁層間に、メタライズ等からなる太帯状の局部グランド層４８０を導体線路部分７０ａと平行に並べて備えている。局部グランド層４８０は、それより上方の絶縁基板１０上面に備えたグランド層４６０又はそれより下方の絶縁基板１０の絶縁層間に備えたグランド層４０（図では、絶縁基板１０上面に備えたグランド層４６０としている）に、それらの間の絶縁基板１０の絶縁層に上下に貫通して備えた複数本のビア２２０を介して電位差なく接続している。そして、その局部グランド層４８０で導体線路部分７０ａの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２８】その他は、図１に示した前述配線基板と同様に構成していて、この配線基板では、そのビア２０に対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３０ａ、７０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチングさせて、その導体線路部分３０ａ、７０ａに高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線基板によれば、ビアに対向するグランド層の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分の特性インピーダンスをその導体線路部分に連なる導体線路やビアの持つ特性インピーダンスにマッチングさせて、導体線路とビアとを連ねてなる信号線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の正面断面図である。
【図２】本発明の配線基板の正面断面図である。
【図３】従来の配線基板の正面断面図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁基板
２０、２２、２２０ ビア
３０ 導体線路
４０ グランド層
４２、４６、４６０ グランド層
４８、４８０ 局部グランド層
５０ 同軸コネクタ
６０ 信号線路
７０ 導体線路
【特許請求の範囲】
【請求項１】 絶縁基板の上下方向にビアを備えると共に、そのビア周囲の絶縁基板にビアと所定間隔あけてビアと直角にグランド層を上下に複数並べて備えて、前記ビアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記ビア端部から導体線路を前記絶縁基板にビアと直角に延設してなる高周波用配線基板において、前記ビアに対向する前記グランド層の内周縁よりも内側に位置する前記導体線路部分の外方の絶縁基板に、その導体線路部分をマイクロストリップ線路構造とするための局部グランド層を該導体線路部分と平行に並べて備えたことを特徴とする高周波用配線基板。
【請求項１】 絶縁基板の上下方向にビアを備えると共に、そのビア周囲の絶縁基板にビアと所定間隔あけてビアと直角にグランド層を上下に複数並べて備えて、前記ビアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記ビア端部から導体線路を前記絶縁基板にビアと直角に延設してなる高周波用配線基板において、前記ビアに対向する前記グランド層の内周縁よりも内側に位置する前記導体線路部分の外方の絶縁基板に、その導体線路部分をマイクロストリップ線路構造とするための局部グランド層を該導体線路部分と平行に並べて備えたことを特徴とする高周波用配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【特許番号】特許第３０９１０２０号（Ｐ３０９１０２０）
【登録日】平成１２年７月２１日（２０００．７．２１）
【発行日】平成１２年９月２５日（２０００．９．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平４−１７３８５１
【出願日】平成４年６月８日（１９９２．６．８）
【公開番号】特開平５−３４３５５４
【公開日】平成５年１２月２４日（１９９３．１２．２４）
【審査請求日】平成１１年６月４日（１９９９．６．４）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【参考文献】
【文献】特開 平２−２５２２９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６１−２８８４４６（ＪＰ，Ａ）
【登録日】平成１２年７月２１日（２０００．７．２１）
【発行日】平成１２年９月２５日（２０００．９．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成４年６月８日（１９９２．６．８）
【公開番号】特開平５−３４３５５４
【公開日】平成５年１２月２４日（１９９３．１２．２４）
【審査請求日】平成１１年６月４日（１９９９．６．４）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【参考文献】
【文献】特開 平２−２５２２９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６１−２８８４４６（ＪＰ，Ａ）
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