高純度シリカ粉末の製造方法
【課題】 残留炭素に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造し、該粉末を溶融して得られる高純度、且つ、高品質の石英ガラスを提供する。
【解決手段】 テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成する。
【解決手段】 テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、残留炭素化合物に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体分野、光学分野で使用される各種石英ガラス製品において、高純度の要望が高まっている。溶融法によって製造される石英ガラス製品の原料シリカ粉末としては、従来より天然の水晶を粉砕したものが利用されてきた。しかしながら、天然の水晶は各種金属元素を数百ｐｐｂ以上含有しているため、より不純物含有量の少ない合成シリカ粉末が使用されるようになってきた。
【０００３】
高純度の合成シリカ粉末の製造方法は、例えば、アルコキシシランの加水分解反応、いわゆるゾルゲル法で得られたシリカゲルを焼成する方法が一般に知られている。しかし、該製造方法で得られた焼成後のシリカ粉末中には、残留炭素化合物に起因する黒色粒子が存在することがある。そして、これを原料として溶融法、例えば酸水素炎溶融や電気溶融等で製造された石英ガラス素材は、炭素化合物の燃焼で生成したＣＯまたはＣＯ２ガスによる微泡の発生が問題となる。
【０００４】
この微泡の原因となる黒色粒子の残留炭素化合物の由来は、アルコキシシランの加水分解反応で生成したアルコールやシロキサン骨格構造中に残留した未反応のアルコキシ基と考えられている。
【０００５】
そこで、従来より該製造方法で得られた焼成後のシリカ粉末において、黒色粒子の生成回避策が検討されてきた。加水分解反応の際、珪酸エステルに混合する水の使用量が、該珪酸エステル１モルに対し、２モル未満であると、珪酸エステルの加水分解反応の進行が不十分になり、得られる乾燥ゲルを焼成すると、残留アルコキシ基が炭化して製品が黒色を帯びるため、水の使用量を、該珪酸エステル１モルに対し、２モル以上２００モル以下としている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、加水分解反応の際、撹拌槽にテトラメトキシシランと、これに対して２．５倍当量の水を仕込み、得られた湿潤ゲルを粉砕した後、該湿潤ゲルを第一段乾燥し、該粉状乾燥ゲル（カーボン含有量１００００ｐｐｍ）を４倍重量の純水中に浸漬して３０分間撹拌した後、ゲルを濾過により回収し、第二段乾燥した後、該粉状乾燥ゲル（カーボン含有量１０００ｐｐｍ）を１２００℃で２０時間保持して焼成を行ない、合成シリカガラス粉末を製造する方法（例えば、特許文献２参照）が知られている。
【０００７】
特許文献１では、乾燥ゲル中の残留アルコキシ基に起因する黒色粒子の生成を回避する手段として、加水分解反応の際、イオン交換水１２モル（２１６ｇ）を入れたフラスコを温度１５℃に調節した水浴にセットし、撹拌下、正珪酸メチル１モル（１５２．２ｇ）を１時間かけて徐々に仕込み、更に１時間かけて撹拌を続けた後、混合液を調製しているが、工業的規模における生産性・設備面を考慮した有益な操作方法や、乾燥ゲル中の残留炭素濃度と黒色粒子生成の関係については開示されていない。
【０００８】
一方、特許文献２の方法では、黒色粒子のない合成シリカガラス粉末が得られている。しかしながら、加水分解反応の際、アルコキシシラン対水のモル比を１：２〜１：５０の範囲とし、第一段乾燥して粉状乾燥ゲルとするが、その粉状乾燥ゲル中の含有炭素量を低減する手段として、ゲルの水洗処理が必要であり、更には、後工程として第二段乾燥が必須となる。このため、工程数の増加に伴う設備費のアップやランニングコストのアップが問題となる。
【０００９】
以上のことから、工業的規模で、効率良く高純度シリカ粉末を製造する方法について開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平４−２３８８３２号公報
【特許文献２】特開平５−２４６７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、従来課題であった残留炭素化合物に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造する方法を提供することであり、該粉末を溶融して得られる高純度、且つ、高品質の石英ガラスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、シリカ粉末中の黒色粒子の生成回避策として、焼成前の乾燥ゲル中の残留炭素化合物、特に加水分解反応時の残留アルコキシ基の低減に着目し、加水分解反応を均一、且つ、効率良く十分に進行させるための操作方法として、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、加水分解反応時の最高温度と液温の経時変化から反応終点を的確に見極めることで、水洗処理することなしに乾燥して得られたシリカゲル粉末を焼成しても、黒色粒子が含まれない高純度シリカ粉末が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち本発明は、テトラメトキシシランを加水分解してなるシリカゲルを乾燥・焼成することによりシリカ粉末を製造する方法において、テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に撹拌を終了して静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成することを特徴とする高純度シリカ粉末の製造方法であり、該粉末は、半導体分野、光学分野で使用される各種石英ガラス製品、特に溶融石英ガラス製品の原料として好適に使用される。
【００１４】
以下に、本発明の高純度シリカ粉末の製造方法を詳細に説明する。
【００１５】
合成シリカ粉末の製造方法としては、（１）アルコキシシランの加水分解反応、いわゆるゾルゲル法、（２）アルカリ珪酸塩水溶液と酸との反応、（３）四塩化珪素の酸水素炎加水分解反応が一般に知られている。本発明の高純度シリカ粉末の製造方法は、（１）のアルコキシシランの加水分解反応に基づくものである。本発明で用いるアルコキシシランとしてはテトラメトキシシランであり、加水分解反応が速やかに進行するため好ましい。また、蒸留精製した金属元素含有量の少ないテトラメトキシシランが好適であり、その不純物含有量としては、少なくともＮａ、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｌｉ、及びＭｇの各金属元素含有量が各々５０ｐｐｂ以下であることが更に好ましい。また、加水分解反応で使用する水は、イオン交換樹脂等を通して十分に精製された、金属元素をほとんど含まない超純水が好ましい。
【００１６】
加水分解反応は、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下、好ましくは７以上１０以下である。前記モル比が２０を超えると、シリカ粉末中の黒色粒子の生成回避策としてそれ以上の利点はなく、逆に、工業的規模の生産において、反応槽のサイズが著大となり、また、後工程においてシリカゲルの乾燥に多大のエネルギーを必要とするため、好ましくない。また、前記モル比が７未満であると、シリカ粉末中の黒色粒子の生成回避が芳しくなく、好ましくない。
【００１７】
該反応を、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節して行い、温度が低下し始めた後に静置させると、均質な湿潤シリカゲル体が得られる。また、該反応を、例えば、パドル型、プロペラ型、タービン型等の撹拌翼を用いた撹拌下に行うことが好ましく、更に温度が低下し始めてから１５分以内に撹拌を終了させることが好ましい。
【００１８】
前記静置までの操作時間は、原料の仕込み開始から１時間程度である。反応時の温度が高くなると生産性は向上するが、反応温度が６４℃に達すると、生成メタノール（沸点６４℃）の気化に伴い反応槽の内圧が高くなるため、その耐圧性能や還流冷却器の能力等、装置仕様上の負荷が多大となる。そのため、反応時の最高温度は６４℃未満である。一方、発熱反応時の最高温度が４０℃未満の場合、除熱に多大のエネルギーを必要とし、また、時間がかかり、生産性が低下するため、好ましくない。
【００１９】
本発明では、加水分解時の最高温度を調節し、温度が低下し始めた後、特に１５分以内に撹拌を終了することが好ましい。反応開始初期から中盤の発熱反応期は、テトラメトキシシランと水が相分離しており、得られるシリカゲルは不均質であり、焼成後のシリカ粉末中には、残留アルコキシ基に起因する黒色粒子が多数存在する。また、発熱反応後の放熱期は、反応液の温度が徐々に低下するが、低下し始めてから１５分を越すと、縮重合反応の進行に伴い、反応液の粘性が次第に上昇し、撹拌機の負荷が増大する。また、反応の均一性において向上効果も見られない。
【００２０】
前記シリカゲルは、例えば、ポリエチレン、ナイロン、テフロン（登録商標）等の樹脂製スクリーンに通して粉末状に粉砕した後、乾燥を行なう。ここでの粉砕条件で、シリカ粉末の粒度を制御できる。また、乾燥方法は、減圧でも常圧の通気式でも制限されない。例えば、セパラブルフラスコ内に窒素流通下、１００〜２００℃に加熱して、シリカゲルに含まれる水やメタノールを除去して回収することができる。
【００２１】
本発明の製造方法において、メタノール回収後に得られるシリカゲル粉末は、残留炭素濃度が１０００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ未満と著しく少ないものとなる。また、該シリカゲル粉末は、例えば、ＢＥＴ比表面積が３００〜８００ｍ２／ｇ、窒素吸着法にて測定した細孔容積が０．２〜０．５ｍＬ／ｇの多孔質粉末であり、後工程の焼成過程において、シリカ粉末中の残留炭素化合物を燃焼除去することができる。
【００２２】
乾燥シリカゲル粉末は、該シリカゲル粉末を石英ガラス製容器に入れて、電気炉中で大気雰囲気下、例えば、最高温度１１００〜１３００℃、保持時間１０〜１００時間で焼成を行なうと、本発明である黒色粒子のない高純度シリカ粉末が得られる。
【００２３】
そして、本発明の高純度シリカ粉末は、Ｎａ、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｌｉ、及びＭｇの金属元素含有量は各々５０ｐｐｂ以下である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、焼成前のシリカゲル粉末の水洗処理なしに、黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施例１で得られた溶融石英ガラスインゴットを切断し、光学研磨した石英ガラスの写真を示す。
【図２】比較例２で得られた溶融石英ガラスインゴットを切断し、光学研磨した石英ガラスの写真を示す。
【実施例】
【００２６】
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２７】
実施例１
パドル型撹拌翼を備えた容積１０Ｌの石英ガラス製セパラブルフラスコに、超純水を３８３０ｇ入れ、これを２０℃に調節した恒温水槽に設置した。次いで、テトラメトキシシラン（多摩化学工業製 純度９８．０％以上）を４０４５ｇ仕込み、水／テトラメトキシシラン（モル比）を８とした。パドル型撹拌翼の周速は１．０ｍ／秒とした。反応液温度は徐々に上昇し、最高４５℃となり、以後低下した。反応液温度が低下し始めてから１０分後に、撹拌を終了した。そして、該反応液を９０分静置させると透明感のある湿潤シリカゲル体が得られた。撹拌時間は延べ５８分であった。
【００２８】
該湿潤シリカゲル体をポリエチレン製のスクリーン（目開き７６０μｍ）に通して粉末状に粉砕した後、石英ガラス製セパラブルフラスコに仕込み、これをマントルヒーターにセットした。続いて、フラスコ内に窒素ガスを１Ｌ／分で流しながら、マントルヒーターを温度２００℃に昇温・保持し、シリカゲルに含まれる水とメタノールを加熱除去して、乾燥シリカゲル粉末を得た。
【００２９】
該乾燥シリカゲル粉末の炭素濃度をＬＥＣＯ製ＣＳ−４４４分析装置で定量すると３３００ｐｐｍであり、また、ベックマン・コールター製ＯＭＮＩＳＯＲＰ３６０Ｘ装置で測定したＢＥＴ比表面積は６８７ｍ２／ｇ（相対圧Ｐ／Ｐ０＝０．１、０．２、０．３）、窒素吸着によるＢＥＴ法で求めた細孔容積は０．４ｍＬ／ｇ（相対圧Ｐ／Ｐ０＝０．９８）であった。
【００３０】
続いて、乾燥シリカゲル粉末を石英ガラス製容器に１１３０ｇ入れた後、電気炉にセットし、大気雰囲気下、１２００℃で４５時間焼成を行ない、シリカ粉末９５０ｇを得た。
【００３１】
得られたシリカ粉末中に黒色粒子は観察されなかった。また、誘導結合プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）による不純物分析の結果を表１に示す。各々の金属元素含有量はいずれも５０ｐｐｂ以下であった。この高純度シリカ粉末を酸水素炎溶融して得られた石英ガラス中に問題となる微泡は実質的になく、品質は良好であった。
【００３２】
図１に、溶融石英ガラスインゴットを切断し、光学研磨した石英ガラスの写真を示す。写真より、石英ガラス中に微泡が実質的にないことが明らかである。
【００３３】
【表１】
【００３４】
この表から、本発明の高純度シリカ粉末は、金属元素含有量が各々５０ｐｐｂ以下であることが明らかである。
【００３５】
比較例１
パドル型撹拌翼を備えた容積０．５Ｌの石英ガラス製セパラブルフラスコに、超純水を６３ｇ入れ、４０℃に調節した恒温水槽に設置した。続いて、テトラメトキシシラン（多摩化学工業製 純度９８．０％以上）を１０７ｇ仕込み、水／テトラメトキシシラン（モル比）を５とした。パドル型撹拌翼の周速１．０ｍ／秒で撹拌下、反応液の混合状態を目視にて観察し、撹拌時間２１分で撹拌を終了し、該反応液を静置させたところ、得られた湿潤シリカゲル体は上層部が白濁しており、不均質であった。
【００３６】
比較例２
加水分解反応の際に、水／テトラメトキシシラン（モル比）を５とした他は、実施例１と同様な操作を行った。
【００３７】
パドル型撹拌翼を備えた容積１０Ｌの石英ガラス製セパラブルフラスコに、超純水を２９３０ｇ入れ、２０℃に調節した恒温水槽に設置した。続いて、テトラメトキシシラン（多摩化学工業製 純度９８．０％以上）を４９５０ｇ仕込み、パドル型撹拌翼の周速１．０ｍ／秒で撹拌下、反応液温度が最高３９℃に到達し、該反応液温度が低下し始めてから８分後に、撹拌を終了し、該反応液を９０分静置させると透明感のある湿潤シリカゲル体が得られた。撹拌時間は延べ６０分であった。
【００３８】
メタノール回収後の乾燥シリカゲル粉末の炭素濃度は、１２０００ｐｐｍであり、ＢＥＴ比表面積は５８２ｍ２／ｇ、細孔容積は０．３ｍＬ／ｇであった。
【００３９】
焼成後のシリカ粉末１ｋｇを目視にて観察したところ、黒色粒子の個数は２６個であった。このシリカ粉末を酸水素炎溶融して得られた石英ガラス中には微泡が多数発生した。
【００４０】
図２に、溶融石英ガラスインゴットを切断し、光学研磨した石英ガラスの写真を示す。写真より、石英ガラス中に数百μｍ程度の微泡が多数発生していることが明らかである。
【００４１】
比較例３
加水分解反応の際に、水／テトラメトキシシラン（モル比）を６とした他は、実施例１と同様な操作を行った。
【００４２】
パドル型撹拌翼を備えた容積１０Ｌの石英ガラス製セパラブルフラスコに、超純水を３２７０ｇ入れ、２０℃に調節した恒温水槽に設置した。続いて、テトラメトキシシラン（多摩化学工業製 純度９８．０％以上）を４６００ｇ仕込み、パドル型撹拌翼の周速１．０ｍ／秒で撹拌下、反応液温度が最高３８℃に到達し、該反応液温度が低下し始めてから８分後に、撹拌を終了し、該反応液を９０分静置させると透明感のある湿潤シリカゲル体が得られた。撹拌時間は延べ７５分であった。
【００４３】
メタノール回収後の乾燥シリカゲル粉末を焼成して得られたシリカ粉末１ｋｇを目視にて観察したところ、黒色粒子の個数は４個であった。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の高純度シリカ粉末の製造方法によれば、残留炭素化合物に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造することが可能となり、高純度、且つ、高品質の石英ガラス製造用シリカ粉末として使用することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、残留炭素化合物に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体分野、光学分野で使用される各種石英ガラス製品において、高純度の要望が高まっている。溶融法によって製造される石英ガラス製品の原料シリカ粉末としては、従来より天然の水晶を粉砕したものが利用されてきた。しかしながら、天然の水晶は各種金属元素を数百ｐｐｂ以上含有しているため、より不純物含有量の少ない合成シリカ粉末が使用されるようになってきた。
【０００３】
高純度の合成シリカ粉末の製造方法は、例えば、アルコキシシランの加水分解反応、いわゆるゾルゲル法で得られたシリカゲルを焼成する方法が一般に知られている。しかし、該製造方法で得られた焼成後のシリカ粉末中には、残留炭素化合物に起因する黒色粒子が存在することがある。そして、これを原料として溶融法、例えば酸水素炎溶融や電気溶融等で製造された石英ガラス素材は、炭素化合物の燃焼で生成したＣＯまたはＣＯ２ガスによる微泡の発生が問題となる。
【０００４】
この微泡の原因となる黒色粒子の残留炭素化合物の由来は、アルコキシシランの加水分解反応で生成したアルコールやシロキサン骨格構造中に残留した未反応のアルコキシ基と考えられている。
【０００５】
そこで、従来より該製造方法で得られた焼成後のシリカ粉末において、黒色粒子の生成回避策が検討されてきた。加水分解反応の際、珪酸エステルに混合する水の使用量が、該珪酸エステル１モルに対し、２モル未満であると、珪酸エステルの加水分解反応の進行が不十分になり、得られる乾燥ゲルを焼成すると、残留アルコキシ基が炭化して製品が黒色を帯びるため、水の使用量を、該珪酸エステル１モルに対し、２モル以上２００モル以下としている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、加水分解反応の際、撹拌槽にテトラメトキシシランと、これに対して２．５倍当量の水を仕込み、得られた湿潤ゲルを粉砕した後、該湿潤ゲルを第一段乾燥し、該粉状乾燥ゲル（カーボン含有量１００００ｐｐｍ）を４倍重量の純水中に浸漬して３０分間撹拌した後、ゲルを濾過により回収し、第二段乾燥した後、該粉状乾燥ゲル（カーボン含有量１０００ｐｐｍ）を１２００℃で２０時間保持して焼成を行ない、合成シリカガラス粉末を製造する方法（例えば、特許文献２参照）が知られている。
【０００７】
特許文献１では、乾燥ゲル中の残留アルコキシ基に起因する黒色粒子の生成を回避する手段として、加水分解反応の際、イオン交換水１２モル（２１６ｇ）を入れたフラスコを温度１５℃に調節した水浴にセットし、撹拌下、正珪酸メチル１モル（１５２．２ｇ）を１時間かけて徐々に仕込み、更に１時間かけて撹拌を続けた後、混合液を調製しているが、工業的規模における生産性・設備面を考慮した有益な操作方法や、乾燥ゲル中の残留炭素濃度と黒色粒子生成の関係については開示されていない。
【０００８】
一方、特許文献２の方法では、黒色粒子のない合成シリカガラス粉末が得られている。しかしながら、加水分解反応の際、アルコキシシラン対水のモル比を１：２〜１：５０の範囲とし、第一段乾燥して粉状乾燥ゲルとするが、その粉状乾燥ゲル中の含有炭素量を低減する手段として、ゲルの水洗処理が必要であり、更には、後工程として第二段乾燥が必須となる。このため、工程数の増加に伴う設備費のアップやランニングコストのアップが問題となる。
【０００９】
以上のことから、工業的規模で、効率良く高純度シリカ粉末を製造する方法について開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平４−２３８８３２号公報
【特許文献２】特開平５−２４６７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、従来課題であった残留炭素化合物に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造する方法を提供することであり、該粉末を溶融して得られる高純度、且つ、高品質の石英ガラスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、シリカ粉末中の黒色粒子の生成回避策として、焼成前の乾燥ゲル中の残留炭素化合物、特に加水分解反応時の残留アルコキシ基の低減に着目し、加水分解反応を均一、且つ、効率良く十分に進行させるための操作方法として、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、加水分解反応時の最高温度と液温の経時変化から反応終点を的確に見極めることで、水洗処理することなしに乾燥して得られたシリカゲル粉末を焼成しても、黒色粒子が含まれない高純度シリカ粉末が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち本発明は、テトラメトキシシランを加水分解してなるシリカゲルを乾燥・焼成することによりシリカ粉末を製造する方法において、テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に撹拌を終了して静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成することを特徴とする高純度シリカ粉末の製造方法であり、該粉末は、半導体分野、光学分野で使用される各種石英ガラス製品、特に溶融石英ガラス製品の原料として好適に使用される。
【００１４】
以下に、本発明の高純度シリカ粉末の製造方法を詳細に説明する。
【００１５】
合成シリカ粉末の製造方法としては、（１）アルコキシシランの加水分解反応、いわゆるゾルゲル法、（２）アルカリ珪酸塩水溶液と酸との反応、（３）四塩化珪素の酸水素炎加水分解反応が一般に知られている。本発明の高純度シリカ粉末の製造方法は、（１）のアルコキシシランの加水分解反応に基づくものである。本発明で用いるアルコキシシランとしてはテトラメトキシシランであり、加水分解反応が速やかに進行するため好ましい。また、蒸留精製した金属元素含有量の少ないテトラメトキシシランが好適であり、その不純物含有量としては、少なくともＮａ、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｌｉ、及びＭｇの各金属元素含有量が各々５０ｐｐｂ以下であることが更に好ましい。また、加水分解反応で使用する水は、イオン交換樹脂等を通して十分に精製された、金属元素をほとんど含まない超純水が好ましい。
【００１６】
加水分解反応は、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下、好ましくは７以上１０以下である。前記モル比が２０を超えると、シリカ粉末中の黒色粒子の生成回避策としてそれ以上の利点はなく、逆に、工業的規模の生産において、反応槽のサイズが著大となり、また、後工程においてシリカゲルの乾燥に多大のエネルギーを必要とするため、好ましくない。また、前記モル比が７未満であると、シリカ粉末中の黒色粒子の生成回避が芳しくなく、好ましくない。
【００１７】
該反応を、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節して行い、温度が低下し始めた後に静置させると、均質な湿潤シリカゲル体が得られる。また、該反応を、例えば、パドル型、プロペラ型、タービン型等の撹拌翼を用いた撹拌下に行うことが好ましく、更に温度が低下し始めてから１５分以内に撹拌を終了させることが好ましい。
【００１８】
前記静置までの操作時間は、原料の仕込み開始から１時間程度である。反応時の温度が高くなると生産性は向上するが、反応温度が６４℃に達すると、生成メタノール（沸点６４℃）の気化に伴い反応槽の内圧が高くなるため、その耐圧性能や還流冷却器の能力等、装置仕様上の負荷が多大となる。そのため、反応時の最高温度は６４℃未満である。一方、発熱反応時の最高温度が４０℃未満の場合、除熱に多大のエネルギーを必要とし、また、時間がかかり、生産性が低下するため、好ましくない。
【００１９】
本発明では、加水分解時の最高温度を調節し、温度が低下し始めた後、特に１５分以内に撹拌を終了することが好ましい。反応開始初期から中盤の発熱反応期は、テトラメトキシシランと水が相分離しており、得られるシリカゲルは不均質であり、焼成後のシリカ粉末中には、残留アルコキシ基に起因する黒色粒子が多数存在する。また、発熱反応後の放熱期は、反応液の温度が徐々に低下するが、低下し始めてから１５分を越すと、縮重合反応の進行に伴い、反応液の粘性が次第に上昇し、撹拌機の負荷が増大する。また、反応の均一性において向上効果も見られない。
【００２０】
前記シリカゲルは、例えば、ポリエチレン、ナイロン、テフロン（登録商標）等の樹脂製スクリーンに通して粉末状に粉砕した後、乾燥を行なう。ここでの粉砕条件で、シリカ粉末の粒度を制御できる。また、乾燥方法は、減圧でも常圧の通気式でも制限されない。例えば、セパラブルフラスコ内に窒素流通下、１００〜２００℃に加熱して、シリカゲルに含まれる水やメタノールを除去して回収することができる。
【００２１】
本発明の製造方法において、メタノール回収後に得られるシリカゲル粉末は、残留炭素濃度が１０００ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ未満と著しく少ないものとなる。また、該シリカゲル粉末は、例えば、ＢＥＴ比表面積が３００〜８００ｍ２／ｇ、窒素吸着法にて測定した細孔容積が０．２〜０．５ｍＬ／ｇの多孔質粉末であり、後工程の焼成過程において、シリカ粉末中の残留炭素化合物を燃焼除去することができる。
【００２２】
乾燥シリカゲル粉末は、該シリカゲル粉末を石英ガラス製容器に入れて、電気炉中で大気雰囲気下、例えば、最高温度１１００〜１３００℃、保持時間１０〜１００時間で焼成を行なうと、本発明である黒色粒子のない高純度シリカ粉末が得られる。
【００２３】
そして、本発明の高純度シリカ粉末は、Ｎａ、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｌｉ、及びＭｇの金属元素含有量は各々５０ｐｐｂ以下である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、焼成前のシリカゲル粉末の水洗処理なしに、黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施例１で得られた溶融石英ガラスインゴットを切断し、光学研磨した石英ガラスの写真を示す。
【図２】比較例２で得られた溶融石英ガラスインゴットを切断し、光学研磨した石英ガラスの写真を示す。
【実施例】
【００２６】
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２７】
実施例１
パドル型撹拌翼を備えた容積１０Ｌの石英ガラス製セパラブルフラスコに、超純水を３８３０ｇ入れ、これを２０℃に調節した恒温水槽に設置した。次いで、テトラメトキシシラン（多摩化学工業製 純度９８．０％以上）を４０４５ｇ仕込み、水／テトラメトキシシラン（モル比）を８とした。パドル型撹拌翼の周速は１．０ｍ／秒とした。反応液温度は徐々に上昇し、最高４５℃となり、以後低下した。反応液温度が低下し始めてから１０分後に、撹拌を終了した。そして、該反応液を９０分静置させると透明感のある湿潤シリカゲル体が得られた。撹拌時間は延べ５８分であった。
【００２８】
該湿潤シリカゲル体をポリエチレン製のスクリーン（目開き７６０μｍ）に通して粉末状に粉砕した後、石英ガラス製セパラブルフラスコに仕込み、これをマントルヒーターにセットした。続いて、フラスコ内に窒素ガスを１Ｌ／分で流しながら、マントルヒーターを温度２００℃に昇温・保持し、シリカゲルに含まれる水とメタノールを加熱除去して、乾燥シリカゲル粉末を得た。
【００２９】
該乾燥シリカゲル粉末の炭素濃度をＬＥＣＯ製ＣＳ−４４４分析装置で定量すると３３００ｐｐｍであり、また、ベックマン・コールター製ＯＭＮＩＳＯＲＰ３６０Ｘ装置で測定したＢＥＴ比表面積は６８７ｍ２／ｇ（相対圧Ｐ／Ｐ０＝０．１、０．２、０．３）、窒素吸着によるＢＥＴ法で求めた細孔容積は０．４ｍＬ／ｇ（相対圧Ｐ／Ｐ０＝０．９８）であった。
【００３０】
続いて、乾燥シリカゲル粉末を石英ガラス製容器に１１３０ｇ入れた後、電気炉にセットし、大気雰囲気下、１２００℃で４５時間焼成を行ない、シリカ粉末９５０ｇを得た。
【００３１】
得られたシリカ粉末中に黒色粒子は観察されなかった。また、誘導結合プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）による不純物分析の結果を表１に示す。各々の金属元素含有量はいずれも５０ｐｐｂ以下であった。この高純度シリカ粉末を酸水素炎溶融して得られた石英ガラス中に問題となる微泡は実質的になく、品質は良好であった。
【００３２】
図１に、溶融石英ガラスインゴットを切断し、光学研磨した石英ガラスの写真を示す。写真より、石英ガラス中に微泡が実質的にないことが明らかである。
【００３３】
【表１】
【００３４】
この表から、本発明の高純度シリカ粉末は、金属元素含有量が各々５０ｐｐｂ以下であることが明らかである。
【００３５】
比較例１
パドル型撹拌翼を備えた容積０．５Ｌの石英ガラス製セパラブルフラスコに、超純水を６３ｇ入れ、４０℃に調節した恒温水槽に設置した。続いて、テトラメトキシシラン（多摩化学工業製 純度９８．０％以上）を１０７ｇ仕込み、水／テトラメトキシシラン（モル比）を５とした。パドル型撹拌翼の周速１．０ｍ／秒で撹拌下、反応液の混合状態を目視にて観察し、撹拌時間２１分で撹拌を終了し、該反応液を静置させたところ、得られた湿潤シリカゲル体は上層部が白濁しており、不均質であった。
【００３６】
比較例２
加水分解反応の際に、水／テトラメトキシシラン（モル比）を５とした他は、実施例１と同様な操作を行った。
【００３７】
パドル型撹拌翼を備えた容積１０Ｌの石英ガラス製セパラブルフラスコに、超純水を２９３０ｇ入れ、２０℃に調節した恒温水槽に設置した。続いて、テトラメトキシシラン（多摩化学工業製 純度９８．０％以上）を４９５０ｇ仕込み、パドル型撹拌翼の周速１．０ｍ／秒で撹拌下、反応液温度が最高３９℃に到達し、該反応液温度が低下し始めてから８分後に、撹拌を終了し、該反応液を９０分静置させると透明感のある湿潤シリカゲル体が得られた。撹拌時間は延べ６０分であった。
【００３８】
メタノール回収後の乾燥シリカゲル粉末の炭素濃度は、１２０００ｐｐｍであり、ＢＥＴ比表面積は５８２ｍ２／ｇ、細孔容積は０．３ｍＬ／ｇであった。
【００３９】
焼成後のシリカ粉末１ｋｇを目視にて観察したところ、黒色粒子の個数は２６個であった。このシリカ粉末を酸水素炎溶融して得られた石英ガラス中には微泡が多数発生した。
【００４０】
図２に、溶融石英ガラスインゴットを切断し、光学研磨した石英ガラスの写真を示す。写真より、石英ガラス中に数百μｍ程度の微泡が多数発生していることが明らかである。
【００４１】
比較例３
加水分解反応の際に、水／テトラメトキシシラン（モル比）を６とした他は、実施例１と同様な操作を行った。
【００４２】
パドル型撹拌翼を備えた容積１０Ｌの石英ガラス製セパラブルフラスコに、超純水を３２７０ｇ入れ、２０℃に調節した恒温水槽に設置した。続いて、テトラメトキシシラン（多摩化学工業製 純度９８．０％以上）を４６００ｇ仕込み、パドル型撹拌翼の周速１．０ｍ／秒で撹拌下、反応液温度が最高３８℃に到達し、該反応液温度が低下し始めてから８分後に、撹拌を終了し、該反応液を９０分静置させると透明感のある湿潤シリカゲル体が得られた。撹拌時間は延べ７５分であった。
【００４３】
メタノール回収後の乾燥シリカゲル粉末を焼成して得られたシリカ粉末１ｋｇを目視にて観察したところ、黒色粒子の個数は４個であった。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の高純度シリカ粉末の製造方法によれば、残留炭素化合物に起因する黒色粒子のない高純度シリカ粉末を生産性・操作性良く製造することが可能となり、高純度、且つ、高品質の石英ガラス製造用シリカ粉末として使用することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラメトキシシランを加水分解してなるシリカゲルを乾燥・焼成することによりシリカ粉末を製造する方法において、テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成することを特徴とする高純度シリカ粉末の製造方法。
【請求項２】
請求項１で得られた高純度シリカ粉末を溶融して得られる石英ガラス。
【請求項１】
テトラメトキシシランを加水分解してなるシリカゲルを乾燥・焼成することによりシリカ粉末を製造する方法において、テトラメトキシシランを加水分解する際、水／テトラメトキシシラン（モル比）が７以上２０以下であり、反応時の最高温度を４０℃以上６４℃未満に調節し、温度が低下し始めた後に静置し、得られた湿潤シリカゲル体を粉砕した後に乾燥して、該シリカゲル粉末を焼成することを特徴とする高純度シリカ粉末の製造方法。
【請求項２】
請求項１で得られた高純度シリカ粉末を溶融して得られる石英ガラス。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−２３６７３８（Ｐ２０１２−２３６７３８Ａ）
【公開日】平成２４年１２月６日（２０１２．１２．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０６５０３（Ｐ２０１１−１０６５０３）
【出願日】平成２３年５月１１日（２０１１．５．１１）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月６日（２０１２．１２．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月１１日（２０１１．５．１１）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【Ｆターム（参考）】
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