説明

高純度ニッケルの製造方法

【課題】簡易な装置で、ニッケル含有溶液を用いて電解採取により効率的に高純度のニッケルを製造する方法を提供する。
【解決手段】鉄、亜鉛、銅等の不純物を含むニッケル含有溶液に対し、一定の範囲の電流密度、pHの条件で電解することによって不純物を除去し、前記不純物の濃度が0.1mg/L以下の電解液を得る工程1と、前記不純物が除去された電解液を用いてアノードとカソードが隔膜で仕切られた電解層でニッケルを電解採取する工程2と、を備えた高純度ニッケルの製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ニッケル含有溶液を用いて、電解採取により、高純度ニッケルを製造する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
リチウム電池に使用する正極材のニッケル酸リチウムやニッケルコバルト酸リチウムは、酸化ニッケルと炭酸リチウムとを所定量混合したものを焼成して製造する。このとき、コバルト以外の銅、亜鉛、鉄等の不純物は、リチウムイオン電池の充放電の繰り返しで電解質に溶け出して、電池の性能や寿命に悪影響を与える。
【0003】
高純度ニッケルを製造する方法として、特開2007−46157(特許文献1)に示されるように、電解液としてニッケル含有溶液を用いて電解する際に、アノライトをpH2〜5に調整し、アノライトに含有されている鉄、コバルト、銅等の不純物を、酸化剤を入れて該不純物を水酸化物として沈殿除去するか、若しくは予備電解により該不純物を除去するか、又はNi箔を入れて置換反応により該不純物を除去するかの、いずれか1種又は2種以上の方法を組合せることにより不純物を除去した後、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソライトとして使用し電解する製造方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2007−46157号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、このような方法では、電解中にアノライトを抜き出し、その液を水酸化物として沈殿除去するか、別に予備電解が必要であり、装置が複雑になり、効率的でないという問題があった。
【0006】
また、一般に、リサイクル原料からニッケルメタルを製造する場合には、イオン交換や溶媒抽出等で溶液を精製し、さらに電解採取又は電解精製を行うことが普通であり、この方法でJIS規格 H2104−1975記載の特種および1種のニッケル地金が製造されている。JIS規格 特種の不純物濃度は、鉄:0.02mass %以下すなわち200mass ppm以下、銅:0.005mass %以下すなわち50mass ppm以下であり、亜鉛の規定はない。しかしながら、リチウム電池用のニッケル地金の品質は、JIS規格H2104−1975 特種以上を求めている場合が多いため、品質を改善する必要があった。
【0007】
そこで、本発明は、簡易な装置で、効率的に高純度のニッケルを製造する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、電解液に含有されている鉄、亜鉛、銅の不純物を電解により不純物を除去した電解液中の不純物濃度が0.1mg/L以下である電解液を使用して電解することにより、複雑な工程を経ず、効率的に高純度のニッケルを製造できるとの知見を得た。
【0009】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、ニッケル含有溶液から不純物を電解により除去して、前記不純物の濃度が0.1mg/L以下の電解液を得る工程1と、前記不純物が除去された電解液を用いて電解する工程2と、
を備えた高純度ニッケルの製造方法である。
【0010】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法は一実施形態において、前記工程1で得られた電解液が、ニッケル濃度が70g/L以上の硫酸ニッケル溶液である。
【0011】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法は別の一実施形態において、前記工程1において、前記ニッケル含有溶液に含まれている不純物が、鉄、亜鉛及び銅のいずれか1種類又は2種以上である。
【0012】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法はさらに別の一実施形態において、前記工程1における電解時の電流密度が0.05〜7A/dm2である。
【0013】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法はさらに別の一実施形態において、前記工程1における電解時の電解液のpHが1.0〜5.0である。
【0014】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法はさらに別の一実施形態において、前記工程2における電解終了時の電解液中のニッケル濃度が50g/L以上である。
【0015】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法はさらに別の一実施形態において、前記工程2における電解時の電流密度が0.5〜10A/dm2である。
【0016】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法はさらに別の一実施形態において、前記工程2における電解時の電解液のpHが1.0〜5.0である。
【0017】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法はさらに別の一実施形態において、前記工程2において、電解に用いる電解槽のアノードとカソードとが隔膜で仕切られており、前記不純物の濃度が0.1mg/L以下の電解液を前記電解槽のカソード側に間歇的又は連続的に供給する。
【0018】
本発明に係る高純度ニッケルの製造方法はさらに別の一実施形態において、前記電解槽のカソード側に供給した電解液をアノード側へ導き、続いてアノード側から電解槽外へ排出する。
【発明の効果】
【0019】
本発明によれば、簡易な装置で、効率的に高純度のニッケルを製造する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】図1は、本発明の実施形態に係る高純度ニッケルの製造方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下に、本発明に係る高純度ニッケルの製造方法の実施形態を説明する。図1に、本発明の実施形態に係る高純度ニッケルの製造方法のフロー図を示す。
【0022】
本発明の実施形態に係る高純度ニッケルの製造方法は、ニッケル含有溶液から不純物を電解により除去して、前記不純物の濃度が0.1mg/L以下の電解液を得る工程と、前記不純物が除去された電解液を用いて電解する工程とを備えている。
ニッケルめっきやニッケル合金めっきの研究から、ニッケル電解液に含まれる銅、亜鉛、鉄の不純物は、ニッケルより優先的に電着するといわれている。アノードにDSEを使用する電解採取では、低下したニッケルを補う為に炭酸ニッケル等を溶解して、ニッケルを補給しているが、市販されている炭酸ニッケルには、銅、亜鉛、鉄等の不純物を含んでいる。このため低下したニッケルを補う為に、炭酸ニッケルを間歇的あるいは連続的に補給(供給)すると、それに伴い不純物も電解液に補給される。そのため、不純物は、ニッケル電着物にも共析し、高純度のニッケルを得ることができない。本発明では、電解で低下したニッケルを炭酸ニッケル等で補給することなく、電解液中の不純物濃度が、0.1mg/L以下である電解液を使用する。なお、本発明において「間歇的に補給(供給)」とは、一定の間隔を開けて供給することを示し、「連続に補給(供給)」とは、間隔を空けずに供給し続けることを示す。
【0023】
(電解による不純物の除去)
電解槽を用い、アノードにDSE、カソードにSUSやTi等を使用して、電解液をポンプで循環して電解を行う。電解条件としては、液温20〜70℃、pH1.0〜5.0、電流密度0.05〜7A/dm2で実施する。
ニッケル濃度は、不純物(鉄、亜鉛、銅、コバルト等)を除去する電解が終了した時点で、70g/L以上になるように初期濃度を設定する。電解終了時のニッケル濃度が70g/L未満では、次工程のニッケルの電解採取に於いて、ニッケル濃度50g/L以上までしか電解できない為、得られる高純度ニッケル地金が少なくなり、好ましくない。ニッケル濃度が120g/L超では硫酸ニッケルが沈殿する為、電解終了時のニッケル濃度の上限は120g/Lまでとするのが好ましい。
【0024】
上述のように、ニッケルの初期濃度を70g/L以上に設定するためには、不純物除去電解前のニッケル含有溶液のニッケル濃度が85g/L以上、好ましくは90g/L以上であればよい。
液温は、室温(20℃)以上であれば十分であるが、70℃以上では電解槽に使用する樹脂が劣化し易く好ましくない。より好ましくは、40〜60℃である。
電解液のpHは、間歇的又は連続的に調整する。pHが1.0より低いと、カソードに使用するSUSが溶出する為、好ましくない。一方、pHが5.0より高くなると、水酸化ニッケルが発生し、沈殿が生じる為、好ましくない。電解液の管理から、pHは1.0〜2.5がより好ましい。また、本発明の実施形態においては、pHは、酸やアルカリを用いて一般的な方法により調整することができる。
【0025】
電流密度は10A/dm2以下で問題ないが、電流密度が7A/dm2を超えると電解液中のニッケル濃度の減少が大きくなる為、電流密度は0.05〜7A/dm2の範囲とするのが好ましい。電解液中のニッケルの減少を考慮すると、0.05〜1A/dm2の範囲がより好ましい。
電解時間は、電解液中の不純物濃度に依存し、電流密度には殆ど依存しない。電流密度に殆ど依存しないのは、不純物濃度が低い為に、不純物の電着が拡散支配の領域に入っている為と考えられる。
そのため、不純物は電流密度0.05A/dm2以上で電解すると、おおよそ0.01〜0.2mg/(dm2x時間)で除去できる。
そこで、不純物を除去するのに必要な時間は、初期の不純物濃度と電解液量、カソード面積および時間により決めることができる。
このようにして、電解液中の不純物濃度を各元素につき、それぞれ0.1mg/L以下まで低下させる。
【0026】
(高純度ニッケルの製造)
電解槽を用い、アノードにDSE、カソードにSUSやTi等を使用して、アノードとカソードとを隔膜等で仕切らずに、電解液をポンプで循環して電解を実施することができる。
この高純度ニッケルの電解に於いては、不純物を電解液に持ち込まないようにする為に、電解により低下したニッケルを炭酸ニッケル等の形で補給することは行わない。
電解条件としては、ニッケル濃度70〜120g/Lの電解液(電解前)を用いて、ニッケル濃度が50g/L以上となった時点で電解を終了する。また、電解は、液温20〜70℃、pH1.0〜5.0、電流密度0.5〜10A/dm2で実施する。
ニッケル濃度が、50g/L未満ではノジュールが発生し易く、アノードとカソードとが接触する為、好ましくない。ニッケル濃度が120g/L超では硫酸ニッケルが沈殿する為、好ましくない。
液温は、室温(20℃)以上であれば十分であるが、70℃以上では電解槽に使用する樹脂が劣化し易く好ましくない。より好ましくは、40〜60℃である。
【0027】
電解液のpHは、間歇的又は連続的に調整する。pHが1.0未満では、カソードでの水素ガス発生が多くなり、ニッケルの電流効率が低下し、効率的でない。一方、pHが5.0より高くなると、水酸化ニッケルが発生し、沈殿が生じる為に好ましくない。
ニッケルの電流効率からすると、pHが2.5〜4.5がより好ましい。電流密度は10A/dm2を超えるとノジュールが発生してしまい、アノードとカソードが接触する為、好ましくない。電流密度が0.5A/dm2未満では生産性が悪いので、電流密度0.5〜10A/dm2の範囲が好ましく、より好ましくは1.5〜5A/dm2である。
【0028】
一方、隔膜を用いた電解槽を用いて、アノードにDSE、カソードにSUSやTi等を使用してカソライトおよびアノライトを個別のポンプにより循環して電解を実施することも可能である。隔膜を用いた電解槽の場合、カソード側で生じる水素ガス発生により、pHは若干増加する。
一方、アノード側では、水分解により酸素ガス発生および水素イオンの生成によるpHの低下が起こる。アノード側でのpHの低下は、カソード側でのpH上昇より大きい為、アノード側の電解液をカソード側の電解液のpH調整に利用でき、pH調整剤を低減することができる。
【0029】
電解に用いる電解槽のアノードとカソードとが隔膜で仕切られている場合は、不純物の濃度が0.1mg/L以下の電解液を、電解槽のカソード側に間歇的又は連続的に供給することができる。また、電解槽のカソード側に供給した電解液をアノード側へ導き、続いてアノード側から電解槽外へ排出してもよい。
【実施例】
【0030】
次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。
【0031】
(実施例1〜8)電解による不純物の除去
アノード液とカソード液とを隔膜で分離していない電解槽を用い、アノードにDSE、カソードにSUSを使用して、アノードおよびカソード面積を0.5dm2にして、電解液をポンプで循環して電解を行った。電解液量は、5.0Lとし、250mL/分で循環した。電解条件としては、表1に示す不純物を含んだ電解液を用いた。電解終了後の電解液中の不純物濃度については、表2に示した通り、銅、亜鉛、鉄濃度がそれぞれ0.1mg/L以下まで低下した。
【0032】
(比較例1〜4)電解による不純物の除去
比較試験として表1に示した電解条件で実施した。比較例1は、電流密度が12.5A/dm2と高い為、電着物にノジュールが発生した。比較例2は、電解初期のNi濃度が75g/Lと低かった為、不純物濃度を<0.1mg/Lになるまで電解すると、電解終了時のニッケル濃度が70g/L未満となった。比較例3は、pHが高く、電解液中に水酸化ニッケルの沈殿が発生した。比較例4は、実施例5と同じ不純物濃度から電解により不純物の除去を行ったが、電解時間が短かった為、電解液中の不純物濃度が0.1mg/L以下にはならなかった。
【0033】
【表1】

【0034】
【表2】

【0035】
(実施例9〜16)高純度ニッケルの製造
アノード液とカソード液とを隔膜により分離した電解槽を用い、アノードにDSE、カソードにSUSを使用して、アノードおよびカソード面積を0.5dm2にして、電解液をポンプでアノード側液とカソード側液を個々に循環して電解を行った。電解液量は、アノード側液およびカソード側液とも各2.5Lとし、個々の液をポンプにより250mL/分で循環した。電解条件としては、表3に示す不純物を電解により除去した電解液を用いて実施した。表3に示す通り、銅、亜鉛および鉄不純物が3ppm以下の高純度ニッケルを得ることができた。また、電着物の外観、電解液の外観及びニッケル電着の電流効率のいずれも良好であった。なお、電流効率は、Niの電着量(g)/実際に通電した電気量から計算した理論電着量(g)×100で算出した。
【0036】
(比較例5〜10)高純度ニッケルの製造
比較試験として表3に示した電解条件で実施した。比較例5では、電解により銅、亜鉛及び鉄不純物を除去していない電解液を用いた為、電着ニッケル中の不純物濃度が高かった。比較例6では、電流密度が0.2A/dm2と低い為、電解時間が長く、生産性が悪かった。比較例7は、電流密度が12.5A/dm2と高い為、電着物にノジュールが発生した。比較例8は、pHが0.5と低い為、ニッケル電着の電流効率が32%と低く、生産性が不良であった。比較例9は、pHが高い為、電解液中に沈殿が発生した。比較例10は、電解により銅、亜鉛および鉄不純物を除去したが不純物を0.1mg/L以下まで除去しなかった電解液を用いた為、電着ニッケル中の不純物濃度が高かった。
【0037】
【表3】

【0038】
【表4】

【0039】
(実施例17〜23)高純度ニッケルの製造
アノード液とカソード液とを分離しない電解槽を用い、アノードにDSE、カソードにSUSを使用して、アノード及びカソード面積を0.5dm2にして、電解液をポンプで循環して電解を行った。電解液量は、5.0Lとし、250mL/分で循環した。電解条件としては、表5に示す不純物を電解により除去した電解液を用いて実施した。表6に示す通り、銅、亜鉛及び鉄不純物が3ppm以下の高純度ニッケルを得ることができた。また、電着物の外観、電解液の外観及びニッケル電着の電流効率のいずれも良好であった。
【0040】
(比較例11〜14)高純度ニッケルの製造
比較試験として表5に示した電解条件で実施した。これらは、それぞれ電流密度やpH等において実施例と異なる条件を用いたものである。比較例11では、電流密度が0.1A/dm2と低い為、電解時間が長く、生産性が悪かった。比較例12は、電流密度が12.5A/dm2と高い為、電着物にノジュールが発生した。比較例13は、pHが0.5と低い為、ニッケル電着の電流効率が28%と低く生産性が不良であった。比較例14は、pHが6.0と高い為、電解液中に沈殿が発生した。
【0041】
【表5】

【0042】
【表6】


【特許請求の範囲】
【請求項1】
ニッケル含有溶液から不純物を電解により除去して、前記不純物の濃度が0.1mg/L以下の電解液を得る工程1と、
前記不純物が除去された電解液を用いて電解する工程2と、
を備えた高純度ニッケルの製造方法。
【請求項2】
前記工程1で得られた電解液が、ニッケル濃度が70g/L以上の硫酸ニッケル溶液である請求項1に記載の高純度ニッケルの製造方法。
【請求項3】
前記工程1において、前記ニッケル含有溶液に含まれている不純物が、鉄、亜鉛及び銅のいずれか1種類又は2種以上である請求項1又は2に記載の高純度ニッケルの製造方法。
【請求項4】
前記工程1における電解時の電流密度が0.05〜7A/dm2である請求項1〜3のいずれかに記載の高純度ニッケルの製造方法。
【請求項5】
前記工程1における電解時の電解液のpHが1.0〜5.0である請求項1〜4のいずれかに記載の高純度ニッケルの製造方法。
【請求項6】
前記工程2における電解終了時の電解液中のニッケル濃度が50g/L以上である請求項1〜5のいずれかに記載の高純度ニッケルの製造方法。
【請求項7】
前記工程2における電解時の電流密度が0.5〜10A/dm2である請求項6に記載の高純度ニッケルの製造方法。
【請求項8】
前記工程2における電解時の電解液のpHが1.0〜5.0である請求項6又は7に記載の高純度ニッケルの製造方法。
【請求項9】
前記工程2において、電解に用いる電解槽のアノードとカソードとが隔膜で仕切られており、前記不純物の濃度が0.1mg/L以下の電解液を前記電解槽のカソード側に間歇的又は連続的に供給する請求項6〜8のいずれかに記載の高純度ニッケルの製造方法。
【請求項10】
前記電解槽のカソード側に供給した電解液をアノード側へ導き、続いてアノード側から電解槽外へ排出する請求項9に記載の高純度ニッケルの製造方法。

【図1】
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【公開番号】特開2012−87405(P2012−87405A)
【公開日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−209381(P2011−209381)
【出願日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【出願人】(502362758)JX日鉱日石金属株式会社 (482)
【Fターム(参考)】