１，３，５−トリアジン誘導体，その製法およびそれから成る薄膜
【課題】有機電界発光素子用の有機材料などとして期待される新規な１，３，５−トリアジン誘導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】例示的には２，６−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレン等で表されることを特徴とする１，３，５−トリアジン誘導体、その製法、及びそれからなる薄膜。
【解決手段】例示的には２，６−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレン等で表されることを特徴とする１，３，５−トリアジン誘導体、その製法、及びそれからなる薄膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，３，５−トリアジン誘導体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１，３，５−トリアジン誘導体は、有機電界発光素子用の有機材料、医農薬中間体などとしての用途が期待される化合物である。例えば、特許文献１、２、３および４には、１，３，５−トリアジン誘導体を発光層および電子輸送層に用いて素子を構成したディスプレイ装置が開示されている。
【０００３】
２つの１，３，５−トリアジン環をリンカーで結合した化合物は、例えば特許文献１、２、３および４や非特許文献１および２に開示されているが、リンカー部位がｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、４，４’―ビフェニレン基に限定されており、ナフチレン基であるものはこれまでに報告がない。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６３４６５号公報
【特許文献２】米国特許第６０５７０４８号明細書
【特許文献３】米国特許第６２２９０１２号明細書
【特許文献４】米国特許第６２２５４６７号明細書
【非特許文献１】Ｉｚｖｅｓｔｉｙａ Ｎａｔｓｉｏｎａｌ’ｎｏｉ Ａｋａｄｅｍｉｉ Ｎａｕｋ Ｒｅｓｐｕｂｌｉｋｉ Ｋａｚａｋｈｓｔａｎ，Ｓｅｒｉｙａ Ｋｈｉｍｉｃｈｅｓｋａｙａ、１９９３年、第２号、１３−２０ペ−ジ
【非特許文献２】Ｄｉｅ Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒｅ Ｃｈｅｍｉｅ，１９７５年、第１７６巻、８４９−８５８ペ−ジ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明では、有機電界発光素子用の有機材料や医農薬中間体などとして期待される新規な１，３，５−トリアジン誘導体およびそれらの製造方法を開発することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体が、一般式（３）で表される置換ベンゾニトリル類と一般式（４）または（５）で表される置換ナフタレンジカルボン酸ジクロリド類とをルイス酸の存在下で反応させることにより得られる一般式（６）および（７）で表される１，３，５−オキサジアジニウム塩を得、次いでこれをアンモニア水と反応させることにより極めて簡便かつ高収率で一般式（１）および（２）で表されるリンカー部位が置換ナフチレン基の１，３，５−トリアジン誘導体へと転換できることを見出した。また、一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体が、真空蒸着法、スピンコ−ト法、塗布法、インクジェット法などで成膜することが可能であり、有機電界素子として用いるために必要な高い表面平滑性、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、酸化還元耐性、耐水性、耐酸素性などをもつことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち本発明は、一般式（１）
【０００８】
【化１】
［式中、ｎは０又は１から３の整数を示し、Ｘは置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｎが２又は３の時はＸは同一又は相異なっていてもよく、ｍは０又は１から５の整数を示し、Ｙはフェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｍが２から５の整数を示す時はＹは同一又は相異なっていてもよい。］、又は一般式（２）
【０００９】
【化２】
［式中、ｐは０又は１から４の整数を示し、ｑは０、１、又は２を示し、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。ｐが２から４の整数を示すとき及び／又はｑが２を示すときは、Ｘは同一又は相異なっていてもよい。］で表されることを特徴とする、１，３，５−トリアジン誘導体である。
【００１０】
また本発明は、一般式（３）
【００１１】
【化３】
［式中、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。］で表される置換ベンゾニトリル類と、一般式（４）
【００１２】
【化４】
［式中、ｎ、Ｘは前述と同様を示す。］、または一般式（５）
【００１３】
【化５】
［式中、ｐ、ｑ、Ｘは前述と同様を示す。］で表される置換ナフタレンジカルボン酸ジクロリド類とを、ルイス酸の存在下で反応させることにより、一般式（６）
【００１４】
【化６】
［式中、ｎ、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示し、Ｚは陰イオンを示す。］、または一般式（７）
【００１５】
【化７】
［式中、ｐ、ｑ、Ｘ、ｍ、Ｙ、Ｚは前述と同様を示す。］で表される１，３，５−オキサジアジニウム塩またはその溶液を得、次いでこれとアンモニア水を反応させることを特徴とする、一般式（１）又は一般式（２）で表されることを特徴とする、１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法である。
【００１６】
さらに本発明は、一般式（１）又は一般式（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体から成ることを特徴とする薄膜である。以下に本発明を詳細に説明する。
【００１７】
本発明において、炭素数１から４のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基およびシクロプロピルメチル基が例示される。
【００１８】
また、これらのアルキル基は、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、炭素数１から４のアルキルオキシ基、カルボキシ基、炭素数１から４のアルキルオキシカルボニル基およびハロゲン原子で一個以上置換されていてもよく、具体的にはヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシイソプロピル基、２−ヒドロキシイソプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、３−アミノプロピル基、２−アミノプロピル基、１−アミノイソプロピル基、２−アミノイソプロピル基、４−アミノブチル基、３−アミノブチル基、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、３−メルカプトプロピル基、２−メルカプトプロピル基、１−メルカプトイソプロピル基、２−メルカプトイソプロピル基、４−メルカプトブチル基、３−メルカプトブチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエチル基、カルボキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−クロロエトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基および３−フルオロプロピル基等が例示される。
【００１９】
一般式（１）、（２）、（４）、（５）、（６）および（７）のＸは、置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子のいずれでもよいが、例えば有機電界発光素子用の有機材料としての性能が良い点で、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、カルボキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基、アミノ基、シアノ基、塩素原子、もしくはフッ素原子、又はｎ＝０もしくはｐ＝ｑ＝０が望ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、もしくはフッ素原子、又はｎ＝０もしくはｐ＝ｑ＝０がさらに望ましい。とりわけｎ＝０もしくはｐ＝ｑ＝０が望ましい。
【００２０】
本発明において、炭素数１から８のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基、ペンチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、ネオペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、イソブチル基、シクロブチルメチル基、２−シクロプルピルエチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、イソヘキシル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基等があげられる。
【００２１】
またへプチル基、イソヘプチル基、１−メチル−１−シクロプロピルプロピル基、２，２−ジメチルペンチル基、１−エチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−エチル−１，２−ジメチルプロピル基、１，１，３−トリメチルブチル基、１，３，３−トリメチルブチル基、１−エチルシクロペンチル基、２−エチル−１−メチルブチル基、２，２−ジエチルプロピル基、２−エチルペンチル基、１，２−ジメチルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、１−プロピルブチル基、シクロヘプチル基、１−エチル−１−メチルブチル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチル−３−メチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、１−メチルシクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、オクチル基、シクロオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基等があげられる。
【００２２】
また１，２−ジメチル−１−シクロプロピルプロピル基、１−プロピルシクロペンチル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、１−メチルシクロヘプチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１，２−ジメチルヘキシル基、１−エチル−１−メチルペンチル基、１−プロピル−２−メチルブチル基、１−プロピル−１−メチルブチル基、１−エチル−３−メチルペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、１，１，２−トリメチルペンチル基、１，１，４−トリメチルペンチル基、１−エチル−１，２−ジメチルブチル基、１−エチル−１，３−ジメチルブチル基、１，２，３−トリメチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、１，２−ジエチルブチル基、４−エチルシクロヘキシル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、２，６−ジメチルシクロヘキシル基、３，３−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、２，３−ジメチルシクロヘキシル基、又は２，４−ジメチルシクロヘキシル基等が例示される。
【００２３】
また、これらのアルキル基は、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、炭素数１から４のアルキルオキシ基、カルボキシ基、炭素数１から４のアルキルオキシカルボニル基またはハロゲン原子で一個以上置換されていてもよく、具体的にはヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシイソプロピル基、２−ヒドロキシイソプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、５−ヒドロキシペンチル基、４−ヒドロキシペンチル基、６−ヒドロキシヘキシル基、５−ヒドロキシヘキシル基、４−ヒドロキシシクロヘキシル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、３−アミノプロピル基、２−アミノプロピル基、１−アミノイソプロピル基、２−アミノイソプロピル基、４−アミノブチル基、３−アミノブチル基、５−アミノペンチル基、４−アミノペンチル基等があげられる。
【００２４】
また６−アミノヘキシル基、５−アミノヘキシル基、４−アミノシクロヘキシル基、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、３−メルカプトプロピル基、２−メルカプトプロピル基、１−メルカプトイソプロピル基、２−メルカプトイソプロピル基、４−メルカプトブチル基、３−メルカプトブチル基、５−メルカプトペンチル基、４−メルカプトペンチル基、６−メルカプトヘキシル基、５−メルカプトヘキシル基、４−メルカプトシクロヘキシル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエチル基、カルボキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−クロロエトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基および３−フルオロプロピル基等が例示される。
【００２５】
一般式（１）、（２）、（３）、（６）および（７）のＹは、フェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子のいずれでもよいが、有機電界発光素子用の有機材料としての性能が良い点で、フェニル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、カルボキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基、アミノ基、シアノ基、塩素原子、もしくはフッ素原子、又はｍ＝０が望ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、もしくはフッ素原子、又はｍ＝０がさらに望ましい。
【００２６】
本発明において一般式（１）および（２）で表される化合物は、上記のＸとＹから任意に選ばれた置換基の組合せで表される１，３，５−トリアジン誘導体のいずれでも良いが、中でも２，６−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレン、２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレン、１，４−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンおよび１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンが、例えば有機電界素子用の有機材料としての性能が良い点で望ましい。
【００２７】
本発明の製造方法において、一般式（３）で表される置換ベンゾニトリル類と、一般式（４）または（５）で表される置換ナフタレンジカルボン酸ジクロリド類のモル比は１：１００〜１００：１の広い範囲で高い収率が得られるが、量論量でも充分に反応は進行する。
【００２８】
反応に用いる溶媒は、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼンなどが例示できる。収率が良い点で、ジクロロメタンが望ましい。
【００２９】
ルイス酸としては、三フッ化ホウ素、三塩化アルミニウム、三塩化鉄、四塩化スズ、五塩化アンチモンなどが例示できる。収率が良い点で、五塩化アンチモンが望ましい。
【００３０】
一般式（６）および（７）の塩は単離することもできるが、溶液のまま次の反応操作に供してもよい。塩として単離する場合、一般式（６）および（７）のＺは、陰イオンであれば特に限定はないが、一般式（６）および（７）の陽イオン部分を中和するのに必要な価数を持つ陰イオンであれば単一の陰イオン又は複数の陰イオンの組合せであってもよく、上に挙げたルイス酸にフッ化物イオンまたは塩化物イオンが結合したテトラフルオロホウ酸イオン、クロロトリフルオロホウ酸イオン、テトラクロロアルミニウム酸イオン、テトラクロロ鉄（ＩＩＩ）酸イオン、ペンタクロロスズ（ＩＶ）酸イオンまたはヘキサクロロアンチモン（Ｖ）酸イオンを対陰イオンとして得ると収率が良い。
【００３１】
用いるアンモニア水の濃度に特に制限はないが、５〜５０％が好ましく、市販の２８％でも反応は充分に進行する。
【００３２】
反応温度には特に制限はないが、−５０℃〜溶媒還流温度から選ばれた温度で反応を行うことが好ましい。また反応時間は、反応温度とのかねあいによるが、０．５時間〜２４時間である。
【００３３】
一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体は、薄膜とすることができ、それにより例えば有機電界発光素子の一部として用いることができる。薄膜の製造方法に、特に限定はないが、例えば真空蒸着法による成膜が可能である。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムや製造コストを考慮すると、一般的に用いられる拡散ポンプ、タ−ボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０−４〜１×１０−７ｔｏｒｒ程度が望ましい。蒸着速度は、形成する膜の厚さによるが０．００５〜１．０ｎｍ／秒が望ましい。また、本発明の１，３，５−トリアジン誘導体は、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン等に対する溶解度が高いため、汎用の装置を用いた塗布法、スピンコ−ト法、インクジェット法などによる成膜も可能である。
【００３４】
本発明の一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体の薄膜は、高い表面平滑性、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、酸化還元耐性、耐水性、耐酸素性などをもつため、有機電界発光素子用の有機材料として用いることが可能で、とりわけ電子輸送材、正孔ブロック材として用いることができる。従って、一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体は、有機ＥＬ材料としての使用が期待される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明により、有機電界発光素子用の有機材料や医農薬中間体などとして用途が期待される１，３，５−トリアジン誘導体を高収率で製造することができる。
【実施例】
【００３６】
次に本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこの実施例によって限定されるものではない。
【００３７】
（実施例１）２，６−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの合成ならびに融点およびガラス転移点
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド２５３ｍｇとｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾニトリル６３７ｍｇを８０ｍＬのジクロロメタンにアルゴン下で溶解した。得られた溶液に、５塩化アンチモン５９８ｍｇを０℃で滴下した。混合物を室温で１時間攪拌後、１２時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去し、２，２’−（２，６−ナフチレン）−ビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，５−オキサジアジニウム）−ビス［ヘキサクロロアンチモン（Ｖ）酸］を、黄色固体として得た。得られた黄色固体をアルゴン気流中で粉砕し、これを０℃で２８％アンモニア水溶液にゆっくりと加えた。得られた懸濁液を室温でさらに１時間攪拌した。析出した固体をろ取し、水，メタノ−ルで順次洗浄し、シリカゲルカラム（溶離液ジクロロメタン−ヘキサン）を通し、さらにトルエン溶液から再結晶して２，６−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの白色粉末（収量３１０ｍｇ、収率３８％）を得た。
【００３８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ１．３６（ｓ，３６Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，８Ｈ），８．１９（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，８Ｈ），８．７９−８．８７（ｍ，２Ｈ），９．３２（ｂｒｓ，２Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ３１．３（ＣＨ３×１２），３５．１（ｑ．×４），１２５．７（ＣＨ×１０），１２８．９（ＣＨ×８），１２９．６（ＣＨ×２），１２９．８（ＣＨ×２），１３３．６（ｑ．×４），１３５．３（ｑ．×２），１３５．６（ｑ．×２），１５６．１（ｑ．×４），１７１．２（ｑ．×２），１７１．７（ｑ．×４）．
融点を表１に示した。また、明確なガラス転移点は観測されなかった。
【００３９】
（実施例２）２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの合成ならびに融点およびガラス転移点
実施例１と同様にして、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド５０６ｍｇとｐ−ブチルベンゾニトリル１．２７ｇから目的物である２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの白色粉末（収量９４４ｍｇ、収率５８％）を得た。
【００４０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ０．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２Ｈ），１．２７−１．４３（ｍ，８Ｈ），１．５６−１．７１（ｍ，８Ｈ），２．６７（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，８Ｈ），７．３２（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，８Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，８Ｈ），８．７５−８．７９（ｍ，２Ｈ），９．２１（ｂｒｓ，２Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ１４．０（ＣＨ３×４），２２．４（ＣＨ２×４），３３．４（ＣＨ２×４），３５．８（ＣＨ２×４），１２５．６（ＣＨ×２），１２８．７（ＣＨ×８），１２９．０（ＣＨ×８），１２９．５（ＣＨ×２），１２９．７（ＣＨ×２），１３３．８（ｑ．×４），１３５．２（ｑ．×２），１３５．４（ｑ．×２），１４８．０（ｑ．×４），１７１．１（ｑ．×２），１７１．５（ｑ．×４）．
融点を表１に示した。また、明確なガラス転移点は観測されなかった。
【００４１】
（実施例３）１，４−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの合成ならびに融点およびガラス転移点
実施例１と同様にして、１，４−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド５０６ｍｇとｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾニトリル１．２７ｇから目的物である１，４−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの白色粉末（収量７４６ｍｇ、収率４６％）を得た。
【００４２】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ１．３５（ｓ，３６Ｈ），７．５５（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，８Ｈ），７．６１（ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．４Ｈｚ，２Ｈ），８．５０（ｓ，２Ｈ），８．６５（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，８Ｈ），９．０５（ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．４Ｈｚ，２Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ３１．２（ＣＨ３×１２），３５．１（ｑ．×４），１２５．７（ＣＨ×８），１２６．６（ＣＨ×２），１２６．９（ＣＨ×２），１２８．９（ＣＨ×８），１２９．３（ＣＨ×２），１３２．０（ｑ．×２），１３３．５（ｑ．×４），１３７．５（ｑ．×２），１５６．３（ｑ．×４），１７１．５（ｑ．×４），１７４．２（ｑ．×２）．
融点およびガラス転移点を表１に示した。
【００４３】
（実施例４）１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの合成ならびに融点およびガラス転移点
実施例１と同様にして、１，４−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド５０６ｍｇとｐ−ブチルベンゾニトリル１．２７ｇから目的物である１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの白色粉末（収量４０１ｍｇ、収率２５％）を得た。
【００４４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ０．９０（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２Ｈ），１．２７−１．４３（ｍ，８Ｈ），１．５５−１．７０（ｍ，８Ｈ），２．６８（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，８Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８Ｈ），７．６１（ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．４Ｈｚ，２Ｈ），８．４９（ｓ，２Ｈ）８．６３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８Ｈ），９．０４（ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．４Ｈｚ，２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）．
δ１４．０（ＣＨ３×４），２２．４（ＣＨ２×４），３３．４（ＣＨ２×４），３５．８（ＣＨ２×４），１２６．６（ＣＨ×２），１２６．９（ＣＨ×２），１２８．９（ＣＨ×８），１２９．１（ＣＨ×８），１２９．３（ＣＨ×２），１３２．０（ｑ．×２），１３３．７（ｑ．×４），１３７．５（ｑ．×２），１４８．３（ｑ．×４），１７１．５（ｑ．×４），１７４．２（ｑ．×２）．
融点を表１に示した。また、明確なガラス転移点は観測されなかった。
【００４５】
（実施例５）真空蒸着法により製造した２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの表面平滑性評価
抵抗加熱用タングステンフィラメントに装着されたアルミナルツボ内に実施例２で合成した２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンを入れて、真空槽を１．４×１０−６ｔｏｒｒまで減圧した後ルツボを加熱して真空蒸着を行った。基板は２５ｍｍ角の石英ガラスを用い、表面をイソプロピルアルコ−ル、ＵＶ／オゾンで順次洗浄した。蒸着速度は０．０５〜０．１ｎｍ／秒とした。触針式膜厚測定装置で測定した結果、蒸着膜の膜厚は１２０．２ｎｍであった。このように作製した薄膜を、室温にて１×１０−１ｔｏｒｒ程度の真空下で１０〜２０日間保管した。その後、原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製ＮａｎｏｓｃｏｐｅＩＩＩａ、タッピングモ−ド測定）で表面平滑性を評価した。二乗平均粗さおよび算術平均粗さは、薄膜の平均的な表面形状と判断した５μｍ×５μｍの視野範囲で得た。測定写真を図１に示す。図１より明らかなように、極めてアモルファス性の高い膜であった。二乗平均粗さおよび算術平均粗さの値を表２に示す。
【００４６】
（実施例６）真空蒸着法により製造した１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレン薄膜の表面平滑性評価
実施例４で合成した１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンを実施例５と同様の方法で真空蒸着を行った。触針式膜厚測定装置で測定した結果、蒸着膜の膜厚は１２２．１ｎｍであった。このように作製した薄膜を、室温にて１×１０−１ｔｏｒｒ程度の真空下で１０〜２０日間保管した。その後、実施例５と同様の方法で表面平滑性を評価した。原子間力顕微鏡の測定写真を図２に示す。図２より明らかなように、極めてアモルファス性の高い膜であった。二乗平均粗さおよび算術平均粗さの値を表２に示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施例５で得られた原子間力顕微鏡写真を示す図である。
【図２】実施例６で得られた原子間力顕微鏡写真を示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，３，５−トリアジン誘導体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１，３，５−トリアジン誘導体は、有機電界発光素子用の有機材料、医農薬中間体などとしての用途が期待される化合物である。例えば、特許文献１、２、３および４には、１，３，５−トリアジン誘導体を発光層および電子輸送層に用いて素子を構成したディスプレイ装置が開示されている。
【０００３】
２つの１，３，５−トリアジン環をリンカーで結合した化合物は、例えば特許文献１、２、３および４や非特許文献１および２に開示されているが、リンカー部位がｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、４，４’―ビフェニレン基に限定されており、ナフチレン基であるものはこれまでに報告がない。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６３４６５号公報
【特許文献２】米国特許第６０５７０４８号明細書
【特許文献３】米国特許第６２２９０１２号明細書
【特許文献４】米国特許第６２２５４６７号明細書
【非特許文献１】Ｉｚｖｅｓｔｉｙａ Ｎａｔｓｉｏｎａｌ’ｎｏｉ Ａｋａｄｅｍｉｉ Ｎａｕｋ Ｒｅｓｐｕｂｌｉｋｉ Ｋａｚａｋｈｓｔａｎ，Ｓｅｒｉｙａ Ｋｈｉｍｉｃｈｅｓｋａｙａ、１９９３年、第２号、１３−２０ペ−ジ
【非特許文献２】Ｄｉｅ Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒｅ Ｃｈｅｍｉｅ，１９７５年、第１７６巻、８４９−８５８ペ−ジ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明では、有機電界発光素子用の有機材料や医農薬中間体などとして期待される新規な１，３，５−トリアジン誘導体およびそれらの製造方法を開発することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体が、一般式（３）で表される置換ベンゾニトリル類と一般式（４）または（５）で表される置換ナフタレンジカルボン酸ジクロリド類とをルイス酸の存在下で反応させることにより得られる一般式（６）および（７）で表される１，３，５−オキサジアジニウム塩を得、次いでこれをアンモニア水と反応させることにより極めて簡便かつ高収率で一般式（１）および（２）で表されるリンカー部位が置換ナフチレン基の１，３，５−トリアジン誘導体へと転換できることを見出した。また、一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体が、真空蒸着法、スピンコ−ト法、塗布法、インクジェット法などで成膜することが可能であり、有機電界素子として用いるために必要な高い表面平滑性、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、酸化還元耐性、耐水性、耐酸素性などをもつことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち本発明は、一般式（１）
【０００８】
【化１】
［式中、ｎは０又は１から３の整数を示し、Ｘは置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｎが２又は３の時はＸは同一又は相異なっていてもよく、ｍは０又は１から５の整数を示し、Ｙはフェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｍが２から５の整数を示す時はＹは同一又は相異なっていてもよい。］、又は一般式（２）
【０００９】
【化２】
［式中、ｐは０又は１から４の整数を示し、ｑは０、１、又は２を示し、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。ｐが２から４の整数を示すとき及び／又はｑが２を示すときは、Ｘは同一又は相異なっていてもよい。］で表されることを特徴とする、１，３，５−トリアジン誘導体である。
【００１０】
また本発明は、一般式（３）
【００１１】
【化３】
［式中、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。］で表される置換ベンゾニトリル類と、一般式（４）
【００１２】
【化４】
［式中、ｎ、Ｘは前述と同様を示す。］、または一般式（５）
【００１３】
【化５】
［式中、ｐ、ｑ、Ｘは前述と同様を示す。］で表される置換ナフタレンジカルボン酸ジクロリド類とを、ルイス酸の存在下で反応させることにより、一般式（６）
【００１４】
【化６】
［式中、ｎ、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示し、Ｚは陰イオンを示す。］、または一般式（７）
【００１５】
【化７】
［式中、ｐ、ｑ、Ｘ、ｍ、Ｙ、Ｚは前述と同様を示す。］で表される１，３，５−オキサジアジニウム塩またはその溶液を得、次いでこれとアンモニア水を反応させることを特徴とする、一般式（１）又は一般式（２）で表されることを特徴とする、１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法である。
【００１６】
さらに本発明は、一般式（１）又は一般式（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体から成ることを特徴とする薄膜である。以下に本発明を詳細に説明する。
【００１７】
本発明において、炭素数１から４のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基およびシクロプロピルメチル基が例示される。
【００１８】
また、これらのアルキル基は、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、炭素数１から４のアルキルオキシ基、カルボキシ基、炭素数１から４のアルキルオキシカルボニル基およびハロゲン原子で一個以上置換されていてもよく、具体的にはヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシイソプロピル基、２−ヒドロキシイソプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、３−アミノプロピル基、２−アミノプロピル基、１−アミノイソプロピル基、２−アミノイソプロピル基、４−アミノブチル基、３−アミノブチル基、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、３−メルカプトプロピル基、２−メルカプトプロピル基、１−メルカプトイソプロピル基、２−メルカプトイソプロピル基、４−メルカプトブチル基、３−メルカプトブチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエチル基、カルボキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−クロロエトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基および３−フルオロプロピル基等が例示される。
【００１９】
一般式（１）、（２）、（４）、（５）、（６）および（７）のＸは、置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子のいずれでもよいが、例えば有機電界発光素子用の有機材料としての性能が良い点で、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、カルボキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基、アミノ基、シアノ基、塩素原子、もしくはフッ素原子、又はｎ＝０もしくはｐ＝ｑ＝０が望ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、もしくはフッ素原子、又はｎ＝０もしくはｐ＝ｑ＝０がさらに望ましい。とりわけｎ＝０もしくはｐ＝ｑ＝０が望ましい。
【００２０】
本発明において、炭素数１から８のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基、ペンチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、ネオペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、イソブチル基、シクロブチルメチル基、２−シクロプルピルエチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、イソヘキシル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基等があげられる。
【００２１】
またへプチル基、イソヘプチル基、１−メチル−１−シクロプロピルプロピル基、２，２−ジメチルペンチル基、１−エチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−エチル−１，２−ジメチルプロピル基、１，１，３−トリメチルブチル基、１，３，３−トリメチルブチル基、１−エチルシクロペンチル基、２−エチル−１−メチルブチル基、２，２−ジエチルプロピル基、２−エチルペンチル基、１，２−ジメチルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、１−プロピルブチル基、シクロヘプチル基、１−エチル−１−メチルブチル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチル−３−メチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、１−メチルシクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、オクチル基、シクロオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基等があげられる。
【００２２】
また１，２−ジメチル−１−シクロプロピルプロピル基、１−プロピルシクロペンチル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、１−メチルシクロヘプチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１，２−ジメチルヘキシル基、１−エチル−１−メチルペンチル基、１−プロピル−２−メチルブチル基、１−プロピル−１−メチルブチル基、１−エチル−３−メチルペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、１，１，２−トリメチルペンチル基、１，１，４−トリメチルペンチル基、１−エチル−１，２−ジメチルブチル基、１−エチル−１，３−ジメチルブチル基、１，２，３−トリメチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、１−エチルヘキシル基、１，２−ジエチルブチル基、４−エチルシクロヘキシル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、２，６−ジメチルシクロヘキシル基、３，３−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、２，３−ジメチルシクロヘキシル基、又は２，４−ジメチルシクロヘキシル基等が例示される。
【００２３】
また、これらのアルキル基は、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、炭素数１から４のアルキルオキシ基、カルボキシ基、炭素数１から４のアルキルオキシカルボニル基またはハロゲン原子で一個以上置換されていてもよく、具体的にはヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシイソプロピル基、２−ヒドロキシイソプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、５−ヒドロキシペンチル基、４−ヒドロキシペンチル基、６−ヒドロキシヘキシル基、５−ヒドロキシヘキシル基、４−ヒドロキシシクロヘキシル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、３−アミノプロピル基、２−アミノプロピル基、１−アミノイソプロピル基、２−アミノイソプロピル基、４−アミノブチル基、３−アミノブチル基、５−アミノペンチル基、４−アミノペンチル基等があげられる。
【００２４】
また６−アミノヘキシル基、５−アミノヘキシル基、４−アミノシクロヘキシル基、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、３−メルカプトプロピル基、２−メルカプトプロピル基、１−メルカプトイソプロピル基、２−メルカプトイソプロピル基、４−メルカプトブチル基、３−メルカプトブチル基、５−メルカプトペンチル基、４−メルカプトペンチル基、６−メルカプトヘキシル基、５−メルカプトヘキシル基、４−メルカプトシクロヘキシル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、２−メトキシエチル基、カルボキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−クロロエトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基および３−フルオロプロピル基等が例示される。
【００２５】
一般式（１）、（２）、（３）、（６）および（７）のＹは、フェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子のいずれでもよいが、有機電界発光素子用の有機材料としての性能が良い点で、フェニル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、メルカプトメチル基、２−メルカプトエチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、カルボキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、２−クロロエチル基、３−クロロプロピル基、アミノ基、シアノ基、塩素原子、もしくはフッ素原子、又はｍ＝０が望ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロイソプロピル基、もしくはフッ素原子、又はｍ＝０がさらに望ましい。
【００２６】
本発明において一般式（１）および（２）で表される化合物は、上記のＸとＹから任意に選ばれた置換基の組合せで表される１，３，５−トリアジン誘導体のいずれでも良いが、中でも２，６−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレン、２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレン、１，４−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンおよび１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンが、例えば有機電界素子用の有機材料としての性能が良い点で望ましい。
【００２７】
本発明の製造方法において、一般式（３）で表される置換ベンゾニトリル類と、一般式（４）または（５）で表される置換ナフタレンジカルボン酸ジクロリド類のモル比は１：１００〜１００：１の広い範囲で高い収率が得られるが、量論量でも充分に反応は進行する。
【００２８】
反応に用いる溶媒は、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼンなどが例示できる。収率が良い点で、ジクロロメタンが望ましい。
【００２９】
ルイス酸としては、三フッ化ホウ素、三塩化アルミニウム、三塩化鉄、四塩化スズ、五塩化アンチモンなどが例示できる。収率が良い点で、五塩化アンチモンが望ましい。
【００３０】
一般式（６）および（７）の塩は単離することもできるが、溶液のまま次の反応操作に供してもよい。塩として単離する場合、一般式（６）および（７）のＺは、陰イオンであれば特に限定はないが、一般式（６）および（７）の陽イオン部分を中和するのに必要な価数を持つ陰イオンであれば単一の陰イオン又は複数の陰イオンの組合せであってもよく、上に挙げたルイス酸にフッ化物イオンまたは塩化物イオンが結合したテトラフルオロホウ酸イオン、クロロトリフルオロホウ酸イオン、テトラクロロアルミニウム酸イオン、テトラクロロ鉄（ＩＩＩ）酸イオン、ペンタクロロスズ（ＩＶ）酸イオンまたはヘキサクロロアンチモン（Ｖ）酸イオンを対陰イオンとして得ると収率が良い。
【００３１】
用いるアンモニア水の濃度に特に制限はないが、５〜５０％が好ましく、市販の２８％でも反応は充分に進行する。
【００３２】
反応温度には特に制限はないが、−５０℃〜溶媒還流温度から選ばれた温度で反応を行うことが好ましい。また反応時間は、反応温度とのかねあいによるが、０．５時間〜２４時間である。
【００３３】
一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体は、薄膜とすることができ、それにより例えば有機電界発光素子の一部として用いることができる。薄膜の製造方法に、特に限定はないが、例えば真空蒸着法による成膜が可能である。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムや製造コストを考慮すると、一般的に用いられる拡散ポンプ、タ−ボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０−４〜１×１０−７ｔｏｒｒ程度が望ましい。蒸着速度は、形成する膜の厚さによるが０．００５〜１．０ｎｍ／秒が望ましい。また、本発明の１，３，５−トリアジン誘導体は、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン等に対する溶解度が高いため、汎用の装置を用いた塗布法、スピンコ−ト法、インクジェット法などによる成膜も可能である。
【００３４】
本発明の一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体の薄膜は、高い表面平滑性、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、酸化還元耐性、耐水性、耐酸素性などをもつため、有機電界発光素子用の有機材料として用いることが可能で、とりわけ電子輸送材、正孔ブロック材として用いることができる。従って、一般式（１）および（２）で表される１，３，５−トリアジン誘導体は、有機ＥＬ材料としての使用が期待される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明により、有機電界発光素子用の有機材料や医農薬中間体などとして用途が期待される１，３，５−トリアジン誘導体を高収率で製造することができる。
【実施例】
【００３６】
次に本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこの実施例によって限定されるものではない。
【００３７】
（実施例１）２，６−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの合成ならびに融点およびガラス転移点
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド２５３ｍｇとｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾニトリル６３７ｍｇを８０ｍＬのジクロロメタンにアルゴン下で溶解した。得られた溶液に、５塩化アンチモン５９８ｍｇを０℃で滴下した。混合物を室温で１時間攪拌後、１２時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去し、２，２’−（２，６−ナフチレン）−ビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，５−オキサジアジニウム）−ビス［ヘキサクロロアンチモン（Ｖ）酸］を、黄色固体として得た。得られた黄色固体をアルゴン気流中で粉砕し、これを０℃で２８％アンモニア水溶液にゆっくりと加えた。得られた懸濁液を室温でさらに１時間攪拌した。析出した固体をろ取し、水，メタノ−ルで順次洗浄し、シリカゲルカラム（溶離液ジクロロメタン−ヘキサン）を通し、さらにトルエン溶液から再結晶して２，６−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの白色粉末（収量３１０ｍｇ、収率３８％）を得た。
【００３８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ１．３６（ｓ，３６Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，８Ｈ），８．１９（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，８Ｈ），８．７９−８．８７（ｍ，２Ｈ），９．３２（ｂｒｓ，２Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ３１．３（ＣＨ３×１２），３５．１（ｑ．×４），１２５．７（ＣＨ×１０），１２８．９（ＣＨ×８），１２９．６（ＣＨ×２），１２９．８（ＣＨ×２），１３３．６（ｑ．×４），１３５．３（ｑ．×２），１３５．６（ｑ．×２），１５６．１（ｑ．×４），１７１．２（ｑ．×２），１７１．７（ｑ．×４）．
融点を表１に示した。また、明確なガラス転移点は観測されなかった。
【００３９】
（実施例２）２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの合成ならびに融点およびガラス転移点
実施例１と同様にして、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド５０６ｍｇとｐ−ブチルベンゾニトリル１．２７ｇから目的物である２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの白色粉末（収量９４４ｍｇ、収率５８％）を得た。
【００４０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ０．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２Ｈ），１．２７−１．４３（ｍ，８Ｈ），１．５６−１．７１（ｍ，８Ｈ），２．６７（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，８Ｈ），７．３２（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，８Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，８Ｈ），８．７５−８．７９（ｍ，２Ｈ），９．２１（ｂｒｓ，２Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ１４．０（ＣＨ３×４），２２．４（ＣＨ２×４），３３．４（ＣＨ２×４），３５．８（ＣＨ２×４），１２５．６（ＣＨ×２），１２８．７（ＣＨ×８），１２９．０（ＣＨ×８），１２９．５（ＣＨ×２），１２９．７（ＣＨ×２），１３３．８（ｑ．×４），１３５．２（ｑ．×２），１３５．４（ｑ．×２），１４８．０（ｑ．×４），１７１．１（ｑ．×２），１７１．５（ｑ．×４）．
融点を表１に示した。また、明確なガラス転移点は観測されなかった。
【００４１】
（実施例３）１，４−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの合成ならびに融点およびガラス転移点
実施例１と同様にして、１，４−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド５０６ｍｇとｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾニトリル１．２７ｇから目的物である１，４−ビス［４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの白色粉末（収量７４６ｍｇ、収率４６％）を得た。
【００４２】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ１．３５（ｓ，３６Ｈ），７．５５（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，８Ｈ），７．６１（ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．４Ｈｚ，２Ｈ），８．５０（ｓ，２Ｈ），８．６５（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，８Ｈ），９．０５（ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．４Ｈｚ，２Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ３１．２（ＣＨ３×１２），３５．１（ｑ．×４），１２５．７（ＣＨ×８），１２６．６（ＣＨ×２），１２６．９（ＣＨ×２），１２８．９（ＣＨ×８），１２９．３（ＣＨ×２），１３２．０（ｑ．×２），１３３．５（ｑ．×４），１３７．５（ｑ．×２），１５６．３（ｑ．×４），１７１．５（ｑ．×４），１７４．２（ｑ．×２）．
融点およびガラス転移点を表１に示した。
【００４３】
（実施例４）１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの合成ならびに融点およびガラス転移点
実施例１と同様にして、１，４−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド５０６ｍｇとｐ−ブチルベンゾニトリル１．２７ｇから目的物である１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの白色粉末（収量４０１ｍｇ、収率２５％）を得た。
【００４４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）
δ０．９０（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２Ｈ），１．２７−１．４３（ｍ，８Ｈ），１．５５−１．７０（ｍ，８Ｈ），２．６８（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，８Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８Ｈ），７．６１（ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．４Ｈｚ，２Ｈ），８．４９（ｓ，２Ｈ）８．６３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，８Ｈ），９．０４（ｄｄ，Ｊ＝６．７，３．４Ｈｚ，２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）．
δ１４．０（ＣＨ３×４），２２．４（ＣＨ２×４），３３．４（ＣＨ２×４），３５．８（ＣＨ２×４），１２６．６（ＣＨ×２），１２６．９（ＣＨ×２），１２８．９（ＣＨ×８），１２９．１（ＣＨ×８），１２９．３（ＣＨ×２），１３２．０（ｑ．×２），１３３．７（ｑ．×４），１３７．５（ｑ．×２），１４８．３（ｑ．×４），１７１．５（ｑ．×４），１７４．２（ｑ．×２）．
融点を表１に示した。また、明確なガラス転移点は観測されなかった。
【００４５】
（実施例５）真空蒸着法により製造した２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンの表面平滑性評価
抵抗加熱用タングステンフィラメントに装着されたアルミナルツボ内に実施例２で合成した２，６−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンを入れて、真空槽を１．４×１０−６ｔｏｒｒまで減圧した後ルツボを加熱して真空蒸着を行った。基板は２５ｍｍ角の石英ガラスを用い、表面をイソプロピルアルコ−ル、ＵＶ／オゾンで順次洗浄した。蒸着速度は０．０５〜０．１ｎｍ／秒とした。触針式膜厚測定装置で測定した結果、蒸着膜の膜厚は１２０．２ｎｍであった。このように作製した薄膜を、室温にて１×１０−１ｔｏｒｒ程度の真空下で１０〜２０日間保管した。その後、原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製ＮａｎｏｓｃｏｐｅＩＩＩａ、タッピングモ−ド測定）で表面平滑性を評価した。二乗平均粗さおよび算術平均粗さは、薄膜の平均的な表面形状と判断した５μｍ×５μｍの視野範囲で得た。測定写真を図１に示す。図１より明らかなように、極めてアモルファス性の高い膜であった。二乗平均粗さおよび算術平均粗さの値を表２に示す。
【００４６】
（実施例６）真空蒸着法により製造した１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレン薄膜の表面平滑性評価
実施例４で合成した１，４−ビス［４，６−ビス（４−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］ナフタレンを実施例５と同様の方法で真空蒸着を行った。触針式膜厚測定装置で測定した結果、蒸着膜の膜厚は１２２．１ｎｍであった。このように作製した薄膜を、室温にて１×１０−１ｔｏｒｒ程度の真空下で１０〜２０日間保管した。その後、実施例５と同様の方法で表面平滑性を評価した。原子間力顕微鏡の測定写真を図２に示す。図２より明らかなように、極めてアモルファス性の高い膜であった。二乗平均粗さおよび算術平均粗さの値を表２に示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施例５で得られた原子間力顕微鏡写真を示す図である。
【図２】実施例６で得られた原子間力顕微鏡写真を示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
［式中、ｎは０又は１から３の整数を示し、Ｘは置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｎが２又は３の時はＸは同一又は相異なっていてもよく、ｍは０又は１から５の整数を示し、Ｙはフェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｍが２から５の整数を示す時はＹは同一又は相異なっていてもよい。］、又は一般式（２）
【化２】
［式中、ｐは０又は１から４の整数を示し、ｑは０、１、又は２を示し、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。ｐが２から４の整数を示すとき及び／又はｑが２を示すときは、Ｘは同一又は相異なっていてもよい。］で表されることを特徴とする、１，３，５−トリアジン誘導体。
【請求項２】
ｎ＝０又はｐ＝ｑ＝０であることを特徴とする、請求項１に記載の１，３，５−トリアジン誘導体。
【請求項３】
Ｙがフェニル基、もしくは炭素数１〜８のアルキル基、またはｍ＝０であることを特徴とする、請求項１または２に記載の１，３，５−トリアジン誘導体。
【請求項４】
一般式（３）
【化３】
［式中、ｍは０又は１から５の整数を示し、Ｙはフェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｍが２から５の整数を示す時はＹは同一又は相異なっていてもよい。］で表される置換ベンゾニトリル類と、一般式（４）
【化４】
［式中、ｎは０又は１から３の整数を示し、Ｘは置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｎが２又は３の時はＸは同一又は相異なっていてもよい。］、または一般式（５）
【化５】
［式中、ｐは０又は１から４の整数を示し、ｑは０、１、又は２を示し、Ｘは前述と同様を示す。ｐが２から４の整数を示すとき及び／又はｑが２を示すときは、Ｘは同一又は相異なっていてもよい。］で表される置換ナフタレンジカルボン酸ジクロリド類とを、ルイス酸の存在下で反応させることにより、一般式（６）
【化６】
［式中、ｎ、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示し、Ｚは陰イオンを示す。］、または一般式（７）
【化７】
［式中、ｐ、ｑ、Ｘ、ｍ、Ｙ、Ｚは前述と同様を示す。］で表される１，３，５−オキサジアジニウム塩またはその溶液を得、次いでこれとアンモニア水を反応させることを特徴とする請求項１に記載の一般式（１）
【化８】
［式中、ｎ、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。］、又は一般式（２）
【化９】
［式中、ｐ、ｑ、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。］で表されることを特徴とする、１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法。
【請求項５】
ｎ＝０又はｐ＝ｑ＝０であることを特徴とする、請求項４に記載の１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法。
【請求項６】
Ｙがフェニル基、もしくは炭素数１〜８のアルキル基、またはｍ＝０であることを特徴とする、請求項４または５に記載の１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法。
【請求項７】
一般式（１）
【化１０】
［式中、ｎは０又は１から３の整数を示し、Ｘは置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｎが２又は３の時はＸは同一又は相異なっていてもよく、ｍは０又は１から５の整数を示し、Ｙはフェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｍが２から５の整数を示す時はＹは同一又は相異なっていてもよい。］、又は一般式（２）
【化１１】
［式中、ｐは０又は１〜４の整数を示し、ｑは０、１、又は２を示し、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。ｐが２から４の整数を示すとき及び／又はｑが２を示すときは、Ｘは同一又は相異なっていてもよい。］で表される１，３，５−トリアジン誘導体から成ることを特徴とする薄膜。
【請求項８】
ｎ＝０又はｐ＝ｑ＝０であることを特徴とする、請求項７に記載の１，３，５−トリアジン誘導体から成る薄膜。
【請求項９】
Ｙがフェニル基、もしくは炭素数１〜８のアルキル基、またはｍ＝０であることを特徴とする、請求項７または８に記載の１，３，５−トリアジン誘導体から成る薄膜。
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
［式中、ｎは０又は１から３の整数を示し、Ｘは置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｎが２又は３の時はＸは同一又は相異なっていてもよく、ｍは０又は１から５の整数を示し、Ｙはフェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｍが２から５の整数を示す時はＹは同一又は相異なっていてもよい。］、又は一般式（２）
【化２】
［式中、ｐは０又は１から４の整数を示し、ｑは０、１、又は２を示し、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。ｐが２から４の整数を示すとき及び／又はｑが２を示すときは、Ｘは同一又は相異なっていてもよい。］で表されることを特徴とする、１，３，５−トリアジン誘導体。
【請求項２】
ｎ＝０又はｐ＝ｑ＝０であることを特徴とする、請求項１に記載の１，３，５−トリアジン誘導体。
【請求項３】
Ｙがフェニル基、もしくは炭素数１〜８のアルキル基、またはｍ＝０であることを特徴とする、請求項１または２に記載の１，３，５−トリアジン誘導体。
【請求項４】
一般式（３）
【化３】
［式中、ｍは０又は１から５の整数を示し、Ｙはフェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｍが２から５の整数を示す時はＹは同一又は相異なっていてもよい。］で表される置換ベンゾニトリル類と、一般式（４）
【化４】
［式中、ｎは０又は１から３の整数を示し、Ｘは置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｎが２又は３の時はＸは同一又は相異なっていてもよい。］、または一般式（５）
【化５】
［式中、ｐは０又は１から４の整数を示し、ｑは０、１、又は２を示し、Ｘは前述と同様を示す。ｐが２から４の整数を示すとき及び／又はｑが２を示すときは、Ｘは同一又は相異なっていてもよい。］で表される置換ナフタレンジカルボン酸ジクロリド類とを、ルイス酸の存在下で反応させることにより、一般式（６）
【化６】
［式中、ｎ、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示し、Ｚは陰イオンを示す。］、または一般式（７）
【化７】
［式中、ｐ、ｑ、Ｘ、ｍ、Ｙ、Ｚは前述と同様を示す。］で表される１，３，５−オキサジアジニウム塩またはその溶液を得、次いでこれとアンモニア水を反応させることを特徴とする請求項１に記載の一般式（１）
【化８】
［式中、ｎ、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。］、又は一般式（２）
【化９】
［式中、ｐ、ｑ、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。］で表されることを特徴とする、１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法。
【請求項５】
ｎ＝０又はｐ＝ｑ＝０であることを特徴とする、請求項４に記載の１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法。
【請求項６】
Ｙがフェニル基、もしくは炭素数１〜８のアルキル基、またはｍ＝０であることを特徴とする、請求項４または５に記載の１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法。
【請求項７】
一般式（１）
【化１０】
［式中、ｎは０又は１から３の整数を示し、Ｘは置換していてもよい炭素数１から４のアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｎが２又は３の時はＸは同一又は相異なっていてもよく、ｍは０又は１から５の整数を示し、Ｙはフェニル基、炭素数１から８の置換していてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、又はハロゲン原子を示し、ｍが２から５の整数を示す時はＹは同一又は相異なっていてもよい。］、又は一般式（２）
【化１１】
［式中、ｐは０又は１〜４の整数を示し、ｑは０、１、又は２を示し、Ｘ、ｍ、Ｙは前述と同様を示す。ｐが２から４の整数を示すとき及び／又はｑが２を示すときは、Ｘは同一又は相異なっていてもよい。］で表される１，３，５−トリアジン誘導体から成ることを特徴とする薄膜。
【請求項８】
ｎ＝０又はｐ＝ｑ＝０であることを特徴とする、請求項７に記載の１，３，５−トリアジン誘導体から成る薄膜。
【請求項９】
Ｙがフェニル基、もしくは炭素数１〜８のアルキル基、またはｍ＝０であることを特徴とする、請求項７または８に記載の１，３，５−トリアジン誘導体から成る薄膜。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００６−２２５３２２（Ｐ２００６−２２５３２２Ａ）
【公開日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−４１１４７（Ｐ２００５−４１１４７）
【出願日】平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【出願人】（０００１７３７６２）財団法人相模中央化学研究所 (151)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【出願人】（０００１７３７６２）財団法人相模中央化学研究所 (151)
【Ｆターム（参考）】
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