ＥＬ表示装置
【課題】装置を複雑化せずに経時変化による発光輝度変化を制御し、長寿命化を実現するＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】ＥＬ表示装置は、ＥＬ発光素子及びＥＬ発光素子を介して対向配置された一対の電極を有するＥＬ発光素子基板と、ＥＬ発光素子基板に電流を供給する電源線と、を備えたＥＬ表示装置であって、電源線が、磁性金属層を有すると共に、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所が少なくとも一つ設けられている。
【解決手段】ＥＬ表示装置は、ＥＬ発光素子及びＥＬ発光素子を介して対向配置された一対の電極を有するＥＬ発光素子基板と、ＥＬ発光素子基板に電流を供給する電源線と、を備えたＥＬ表示装置であって、電源線が、磁性金属層を有すると共に、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所が少なくとも一つ設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に用いられるＥＬ素子は、電流が流れることにより、経時劣化が発生し、抵抗値が増加する。印加する電圧を一定にしてＥＬ素子を発光させるとき、経時劣化によるＥＬ素子の抵抗値の増大により、ＥＬ素子に流れる電流は減少する。ここで、ＥＬ素子の発光輝度は供給される電流の大きさに比例するため、流れる電流が減少すると、図３に示すように、それだけ発光輝度も低下するという問題がある。
【０００３】
このような問題に対する技術として、例えば、特許文献１には、各々が発光素子を備えた複数の画素を備えた表示装置であって、発光素子を流れる駆動電流の電流量を測定する電流量測定部を含み、電流量測定部で得られた結果に基づいて発光素子の駆動電流の電流量を調整することを特徴とする表示装置が開示されている。そして、これによると、発光素子の劣化等による輝度の低下を抑制することができる、と記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、複数の画素を有し、画素のそれぞれが複数のサブピクセルを有する表示パネルと、タイミング信号を入力し、表示位置を指定するライン制御信号を出力するライン制御部と、表示パネルの通電時間を計測する時間計測部と、通電時間を積算した積算通電時間を記憶する記憶部と、記憶部に記憶された積算通電時間を入力し、積算通電時間に応じた係数を出力する関数部と、サブピクセルの発光量を指定する入力信号を係数に基づいて補正する補正部と、補正された入力信号を入力し、補正された入力信号に応じたサブピクセルの駆動信号を出力するデータ駆動部と、を有することを特徴とする表示装置が開示されている。そして、これによると、電流制御型発光素子を用いた表示パネルの輝度や色温度の経時変化補正を自動的に行う表示装置を提供することができる、と記載されている。
【特許文献１】特開2004-038209号公報
【特許文献２】特開2002-258792号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に示される技術では、発光素子に流れる電流の測定部、測定した電流と所望電流との比較部、所望電流を供給するための電源（電圧）調整部等の特別なフィードバック回路が必要となり、回路が複雑且つ大型化してしまう。
【０００６】
また、上記特許文献２に示される技術では、発光素子の発光時間を計測する時間計測部、計測した時間を積算して記憶する記憶部、及び、駆動電流値計算部等が必要となり、これも同様に回路が複雑且つ大型化してしまう。
【０００７】
本発明は係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、装置を複雑化せずに経時変化による発光輝度変化を制御し、長寿命化を実現するＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るＥＬ表示装置は、ＥＬ発光素子及びＥＬ発光素子を介して対向配置された一対の電極を有するＥＬ発光素子基板と、ＥＬ発光素子基板に電流を供給する電源線と、を備えたＥＬ表示装置であって、電源線が、磁性金属層を有すると共に、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所が少なくとも一つ設けられたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、電源線に、平行に延びる箇所が複数設けられていてもよい。
【００１０】
さらに、本発明に係るＥＬ表示装置は、電源線が、磁性金属層と非磁性金属層との積層構造を有してもよい。
【００１１】
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、電源線の磁性金属層と非磁性金属層との間に、絶縁層がさらに設けられていてもよい。
【００１２】
さらに、本発明に係るＥＬ表示装置は、電源線の磁性金属層が、複数の磁性金属材料で形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、装置を複雑化せずに経時変化による発光輝度変化を制御し、長寿命化を実現するＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。また、以下の実施形態では、ＥＬ発光素子として有機ＥＬ発光素子を用いる有機ＥＬ表示装置について説明する。尚、本発明に係るＥＬ表示装置は、これに限らず無機ＥＬ発光素子を用いた無機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００１５】
（実施形態１）
（有機ＥＬ表示装置１０の構成）
図１は本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面図である。
【００１６】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、素子基板１１と、素子基板１１上に形成された第１電極１２及び第１絶縁層１３、第１電極１２上に形成され、ホール輸送層１４及び発光層１５を備えた発光有機層１６、発光有機層１６上に形成された第２電極１７、第２電極１７上に形成された第２絶縁層１８、第２絶縁層１８上に形成された対向基板１９、第２電極１７に電気的に接続するように形成された電源線２０等で構成されている。
【００１７】
素子基板１１は、有機ＥＬ表示装置１０の機械的強度を担保できるものであれば何ら限定されるものではない。素子基板１１は、例えば、ガラス、石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート等のプラスティック、繊維強化プラスティック（ＦＲＰ）又は、アルミナ等のセラミックス等の絶縁性材料からなる基板、若しくは、アルミニウム、鉄等の金属基板にＳｉＯ２や有機絶縁性材料等の絶縁材料をコートした基板、若しくは、アルミニウム、鉄等の金属基板の表面を陽極酸化法等により絶縁化処理を施した基板等により構成することができる。尚、有機ＥＬ表示装置１０が発光層１５からの光を素子基板１１側から出射させるボトムエミッション構造のものである場合は、素子基板１１は、例えば、ガラスやプラスティック材料等の光透過性材料により形成することがより好ましい。
【００１８】
第１電極１２は、何ら限定されるものではなく、公知の電極材料により形成することができるが、発光有機層１６への高いホール注入効率を実現する観点から、仕事関数が大きい材料により形成することが好ましい。仕事関数が大きい材料としては、例えば、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
【００１９】
また、有機ＥＬ素子が、発光層１５からの光を素子基板１１側から取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子である場合には、第１電極１２は、光透過率の高い材料により形成することが好ましい。このような材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等が挙げられる。
【００２０】
一方、有機ＥＬ表示装置１０が発光層１５からの光を第２電極１７側から取り出すトップエミッション方式のものである場合には、第１電極１２は、光反射性の材料により形成することが好ましい。光反射性の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やプラチナ（Ｐｔ）等が挙げられる。また、有機ＥＬ表示装置１０がトップエミッション方式である場合は、第１電極１２は、仕事関数が大きい材料からなる層と光反射率が高い材料からなる層との複層構造としてもよい。
【００２１】
第２電極１７は、何ら限定されるものではなく、公知の電極材料により形成することができるが、発光有機層１６への高い電子注入効率を実現する観点から、仕事関数の小さい材料により形成することが好ましい。尚、仕事関数の小さい材料としては、例えば、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）等が挙げられる。
【００２２】
また、有機ＥＬ表示装置１０が、第２電極１７側から発光層１５の光を取り出すトップエミッション方式のものである場合には、第２電極１７は、光透過率の高い材料により形成することが好ましい。このような材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等が挙げられる。
【００２３】
一方、有機ＥＬ表示装置１０が発光層１５からの光を素子基板１１側から取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子である場合には、第２電極１７は、光反射性の材料により形成することが好ましい。尚、光反射性を有する第２電極１７の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やプラチナ（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等が挙げられる。
【００２４】
また、第２電極１７は、例えばカルシウム（Ｃａ）等の仕事関数の小さな材料からなる層と、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の酸素に対して安定であり導電率の高い層との積層構造（Ｃａ層／Ａｌ層、Ｃｅ層／Ａｌ層、Ｃｓ層／Ａｌ層、Ｂａ層／Ａｌ層等）、若しくは、仕事関数の小さな材料と酸素に対して安定であり導電率の高い材料との合金からなる層（Ｃａ：Ａｌ合金、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等）としてもよい。
【００２５】
また、第２電極１７を、薄膜化した低い導電率を有する材料からなる層と低い仕事関数を有する層との積層構造（ＬｉＦ層／Ａｌ層、ＬｉＦ層／Ｃａ層／Ａｌ層、ＢａＦ２層／Ｂａ層／Ａｌ層等）、若しくは、透明導電性材料に仕事関数の低い材料をドープした層（ＩＴＯ：Ｃｓ層、ＩＤＩＸＯ：Ｃｓ層、ＳｎＯ２：Ｃｓ層等）、若しくは、透明導電性材料からなる層と、仕事関数の低い材料からなる層との積層構造（Ｂａ層／ＩＴＯ層、Ｃａ層／ＩＤＩＸＯ層、Ｂａ層／ＳｎＯ２層等）に構成してもよい。
【００２６】
発光有機層１６は、ホール輸送層１４と発光層１５とからなる。しかし、本発明は、何らこれに限定されず、発光有機層１６を、発光層１５のみにより構成してもよい。また、発光有機層１６を、発光層１５と、ホール注入層、ホール輸送層１４、電子輸送層、及び、電子注入層のうち１層以上と、からなる積層構造に構成してもよい。
【００２７】
ホール輸送層１４は、何ら限定されるものではなく、公知のホール輸送材料により構成することができる。ホール輸送材料としては、例えば、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等が挙げられる。
【００２８】
発光層１５は、何ら限定されるものではなく、公知の発光材料により形成することができる。発光材料としては、例えば、４，４’‐ビス（２，２’‐ジフェニルビニル）‐ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族化合物、オキサジアゾール化合物、３‐（４‐ビフェニルイル）‐４‐フェニル‐５‐ｔ‐ブチルフェニル‐１，２，４‐トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、１，４‐ビス（２‐メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物等が挙げられる。
【００２９】
第１絶縁層１３及び第２絶縁層１８は、それぞれ、何ら限定されるものではなく、公知の絶縁性材料により形成することができる。第１絶縁層１３及び第２絶縁層１８は、例えば、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）等の無機絶縁性材料、或いは、ポリイミド樹脂等の有機絶縁性材料等で形成することができる。
【００３０】
対向基板１９は、素子基板１１に封止用樹脂２１により接着されており、発光有機層１６は、対向基板１９と、素子基板１１とにより封止されている。
【００３１】
対向基板１９は、水分や酸素の透過率が低いものであれば何ら限定されるものではなく、例えば、ソーダライムガラス等のガラス基板 、石英基板 、プラスティック基板等により構成することができる。
【００３２】
封止用樹脂２１は、対向基板１９を素子基板１１に確実に固定することができ、水分及び酸素の透過率が低いものであれば何ら限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂等を用いることができる。
【００３３】
電源線２０は、素子基板１１上に形成され、一方の端部で第２電極１７に電気的に接続され、他方の端部に異方性導電膜２２を介して電源からの電流を供給する接続配線２３が電気的に接続されている。電源線２０の構成材料は、磁性金属であれば特に限定されないが、例えば、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ−Ｆｅ、又は、Ｆｅ−Ｃｏ等の強磁性体が好ましい。
【００３４】
また、電源線２０は、複数種類の磁性金属を積層して形成されていてもよい。
【００３５】
さらに、有機ＥＬ表示装置１０における全ての電源線２０にこれらの磁性金属が用いられていても良いが、Ａｌ（アルミニウム）等の一般的な配線材料と比較すると導電性が低いため、所望の装置寿命を踏まえ、磁性金属の全体に占める割合を調整するのが良い。
【００３６】
電源線２０は、図２に示すように、素子基板１１上において、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所が設けられている。具体的には、電源線２０は、その経路が一方向から約９０度の角度で曲げられて延び、さらに今度は戻る方向に約９０度の角度で曲げられるように延びる。
【００３７】
ここで、このような構成による効果を以下に述べる。まず、初めに、磁気抵抗効果について説明する。磁気抵抗効果とは、磁性体の磁化の向きと電流との向きの角度によって、磁性体の抵抗値が変化することである。また、本発明に利用する磁気抵抗効果は異方性磁気抵抗効果であり、これは、磁性体単層膜において発現する効果で、磁性体の磁化と電流の向きとが垂直のとき抵抗値は最大となり、磁性体の磁化と電流の向きとが平行のとき抵抗値は最小となる。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の電源線２０では、図２に示すように、電流を供給する電源線２０に平行に延びる箇所（ラインＩ及びラインＩＩ）が設けられている。この電源線２０に電流が流れることにより、ラインＩで発生する磁界がラインＩＩの磁化の向きを変化させる。また、ラインＩＩで発生する磁界がラインＩの磁化の向きを変化させる。これにより、磁気抵抗効果が発現し、電源線２０の抵抗値が変化する。抵抗値の変化の割合は、流れる電流値の大きさによって決まり、電流値が大きいほど磁化の向きと電流の向きが垂直に近くなるため高抵抗化する。
【００３８】
次に、この原理を式を用いてより詳細に説明する。有機ＥＬに印加する電圧（一定）をＶ、初期時の有機ＥＬの抵抗値をＲ１、経時変化後の有機ＥＬの抵抗値をＲ２とする。このとき、Ｒ１<Ｒ２である。初期時の電流Ｉ１ はＩ１＝Ｖ/Ｒ１、経時変化後の電流Ｉ２はＩ２＝Ｖ/Ｒ２であり、Ｒ１<Ｒ２より Ｉ１>Ｉ２となる。Ｉ１のときの磁気抵抗効果による電源線２０の抵抗変化量をＶＲ１、Ｉ２のときの抵抗変化量をＶＲ２とするとＩ１>Ｉ２より ＶＲ１>ＶＲ２（式１）となる。
【００３９】
また、輝度低下の度合いは電流値の変化量に比例する。定電圧駆動時では、電流値の変化量は抵抗値の変化量によって規定される。すなわちＲ１とＲ２との差が小さいほど輝度低下の度合いは軽減される。磁気抵抗効果を利用しないときは、初期時と経時変化後の抵抗値の変化量はＲ２−Ｒ１(式２)であり、磁気抵抗効果を利用したときは（Ｒ２＋ＶＲ２）−（Ｒ１＋ＶＲ１）(式３)である。
【００４０】
式１及び３より、
（Ｒ２＋ＶＲ２）−（Ｒ１＋ＶＲ１）＝（Ｒ２−Ｒ１）＋（ＶＲ２−ＶＲ１）<Ｒ２−Ｒ１
となる。すなわち、式３<式２となる。
【００４１】
よって、磁気抵抗効果を利用すると初期時と経時変化後の抵抗値の変化量が、磁気抵抗効果を利用しないときと比べて小さくなる。従って、図３に示すような従来の有機ＥＬ表示装置における輝度の経時変化が、図４に示すような経時変化となり、輝度の経時変化による低下は抑制され、有機ＥＬの長寿命化が実現される。また、抵抗値の変化量を調整するために、所望電流を供給する電源（電圧）調整部等の特別なフィードバック回路等が不要であり、装置の大型化・複雑化を避けることができる。
【００４２】
電源線２０の幅及び厚さは、一般的なＬＳＩの配線と同様でもよいが、これらを変化させて形状磁気異方性を持たせることにより磁気抵抗効果の割合を制御することが可能となる。
【００４３】
例えば、図２の辺ａと辺ｂとのアスペクト比ｂ/ａを大きくすると、磁化は辺ｂの方向が磁化容易方向になるので、流れる電流が大きくても磁化は辺ａの方向には向き難くなり、本発明の効果は減少する。逆にアスペクト比ｂ/ａを小さくすると磁化の流れる電流によって辺ａの方向に向きやすくなり、本発明の効果を利用しやすくなる。つまり、アスペクト比ｂ/ａを調整することにより、本発明の効果の割合を制御することが可能となる。
【００４４】
また、電源線２０は、平行になる箇所（ラインＩ及びラインＩＩ）の長さを変化させることによっても、抵抗変化の割合（磁気抵抗効果の割合）を調整することが可能となる。
【００４５】
（有機ＥＬ表示装置１０の製造方法）
次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について詳細に説明する。
【００４６】
まず、ガラス等からなる素子基板１１上に、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の電極材料をスパッタ法等の公知の成膜技術により成膜し、続いてフォトリゾグラフィー技術等の公知のパターニング方法により所望の電極構造にパターニングすることにより第１電極１２を形成する。
【００４７】
次に、第１電極１２を形成した素子基板１１上に、ホール輸送材料等をスピンコート法やインクジェット法等の公知の成膜技術により成膜することによりホール輸送層１４を形成する。次に、ホール輸送層１４の上に、例えば、ポリ［２，５‐ビス‐［２‐（Ｎ，Ｎ，Ｎ‐トリエチルアンモニウム）エトキシ］‐１，４‐フェニル‐アルト‐１，４‐フェニレン］ジブロマイド等の発光材料をスピンコート法やインクジェット法等の公知の成膜技術により成膜して発光層１５を形成することによりホール輸送層１４と発光層１５とからなる発光有機層１６を形成する。
【００４８】
次に、電源線２０を、素子基板１１上に、例えば、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ−Ｆｅ、又は、Ｆｅ−Ｃｏ等を蒸着させてスパッタリングで成膜し、その後、リソグラフィーによりパターニングを行うことで形成する。
【００４９】
次に、第１絶縁層１３を、素子基板１１上に、例えば、ポリイミド樹脂等を用いて成膜し、その後リソグラフィーによりパターニングを行うことで形成する。
【００５０】
次に、第２電極１７を、電源線２０に電気的に接続するように、且つ、発光有機層１６上に、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の電極材料をスパッタ法等の公知の成膜技術により成膜し、続いてフォトリゾグラフィー技術等の公知のパターニング方法により所望の電極構造にパターニングすることにより形成する。
【００５１】
次に、第２絶縁層１８を、第２電極１７上に、例えば、ポリイミド樹脂等を用いて成膜し、その後リソグラフィーによりパターニングを行うことで形成する。
【００５２】
次に、例えば、サンドブラスト法等の公知の物理的加工技術を用いて平坦なガラス基板 に発光有機層１６を収納する発光有機層収納部を形成することにより、対向基板１９を形成する。
【００５３】
次に、上述の方法で形成した対向基板１９を発光有機層１６を形成した素子基板１１上に、例えば、エポキシ樹脂等の封止用樹脂２１を用いて接着する。
【００５４】
次に、電源線２０の端部に異方性導電膜２２を介して電源からの接続配線２３を電気的に接続させることにより、有機ＥＬ表示装置１０を製造する。
【００５５】
また、本実施形態では、電源線２０の形状として図２に示すものを挙げたが、これに限られず、例えば、図５に示すように、平行に延びる箇所が複数設けられた電源線３０であってもよい。
【００５６】
具体的には、電源線３０は、例えばミアンダ型（ジグザグ形状）に形成され、これにより平行に延びる箇所が複数設けられている。
【００５７】
このような構成によれば、電源線３０の複数箇所で、抵抗変化の割合（磁気抵抗効果の割合）を調整することができる。このため、例えば、表示装置にＲＧＢの絵素が設けられている場合に、それぞれの絵素における図に示したような発光素子の経時劣化による輝度劣化の傾きを同じくすることができる。従って、経時変化による色度ずれを緩和させることができ、有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００５８】
さらに、電源線２０は、図６に示すように、磁性金属層４１と非磁性金属層４２との積層構造を有する電源線４０であってもよい。
【００５９】
具体的には、電源線４０は、例えば、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ−Ｆｅ、又は、Ｆｅ−Ｃｏ等からなる磁性金属層４１と、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等からなる非磁性金属層４２との積層構造を有している。
【００６０】
このような構成によれば、非磁性金属層４２に流れる電流によって生成される磁界によって磁性体の磁化の向きが変化し、磁気抵抗効果によって、磁性金属層４１の抵抗値が変化する。このため、電源線２０の初期時と経時変化後の抵抗値の変化量が、磁気抵抗効果を利用しないときと比べて小さくなり、有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００６１】
また、この場合、磁性金属層４１と非磁性金属層４２との膜厚の割合を変化させることにより磁性金属層４１の磁気抵抗効果の割合を変化させることができる。例えば、磁性金属層４１の膜厚：非磁性金属層４２の膜厚＝１：１のもの(α)と１：１０のもの(β)とを比較すると、βはαに比べて非磁性金属層４２の膜厚が厚いために多くの電流が流れ、より大きな磁界を発生することができる。従って、磁気抵抗効果の割合を制御することができる。すなわち、経時変化による色度ずれを緩和させることができ、有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００６２】
また、電源線２０は、図７に示すように、磁性金属層５１と非磁性金属層５２との間に、絶縁層５３がさらに形成された電源線５０であってもよい。
【００６３】
具体的には、電源線５０は、上述した材料でそれぞれ構成される磁性金属層５１と非磁性金属層５２との間に、例えば、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）等の無機絶縁性材料、或いは、ポリイミド樹脂等の有機絶縁性材料等で構成される絶縁層５３が設けられている。
【００６４】
このような構成によれば、磁性金属層５１と非磁性金属層５２との間に絶縁層５３を挟むことにより、磁性金属層５１と非磁性金属層５２との距離を変化させて、磁気抵抗効果の割合を制御することができる。このため、経時変化による色度ずれを緩和させることができ、有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００６５】
さらに、本実施形態では、ＥＬ表示装置として、ＥＬ発光素子に有機ＥＬ発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置について説明したが、これに限らず、ＥＬ発光素子に無機ＥＬ発光素子を用いた無機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００６６】
（作用効果）
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、ＥＬ発光素子１６及びＥＬ発光素子１６を介して対向配置された一対の電極１２，１７を有するＥＬ発光素子基板１１と、ＥＬ発光素子基板１１に電流を供給する電源線２０と、を備えたＥＬ表示装置であって、電源線２０が、磁性金属層を有すると共に、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所（ラインＩ及びラインＩＩ）が少なくとも一つ設けられたことを特徴とする。
【００６７】
このような構成によれば、装置を複雑化せずに経時変化による発光輝度変化を制御し、長寿命化を実現する有機ＥＬ表示装置１０を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
以上説明したように、本発明は、ＥＬ表示装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電源線２０の模式図である。
【図３】従来の電源線を用いたＥＬ素子の発光輝度の経時変化を示すグラフである。
【図４】本発明の実施形態に係る電源線２０を用いたＥＬ素子の発光輝度の経時変化を示すグラフである。
【図５】本発明の実施形態に係る電源線３０の模式図である。
【図６】本発明の実施形態に係る電源線４０の模式図である。
【図７】本発明の実施形態に係る電源線５０の模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０ 有機ＥＬ表示装置
１１ 素子基板（ＥＬ発光素子基板）
１２ 第１電極
１３ 第１絶縁層
１４ ホール輸送層
１５ 発光層
１６ 発光有機層（ＥＬ発光素子）
１７ 第２電極
１８ 第２絶縁層
１９ 対向基板
２０，３０，４０，５０ 電源線
２１ 封止用樹脂
２２ 異方性導電膜
２３ 接続配線
４１，５１ 磁性金属層
４２，５２ 非磁性金属層
５３ 絶縁層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に用いられるＥＬ素子は、電流が流れることにより、経時劣化が発生し、抵抗値が増加する。印加する電圧を一定にしてＥＬ素子を発光させるとき、経時劣化によるＥＬ素子の抵抗値の増大により、ＥＬ素子に流れる電流は減少する。ここで、ＥＬ素子の発光輝度は供給される電流の大きさに比例するため、流れる電流が減少すると、図３に示すように、それだけ発光輝度も低下するという問題がある。
【０００３】
このような問題に対する技術として、例えば、特許文献１には、各々が発光素子を備えた複数の画素を備えた表示装置であって、発光素子を流れる駆動電流の電流量を測定する電流量測定部を含み、電流量測定部で得られた結果に基づいて発光素子の駆動電流の電流量を調整することを特徴とする表示装置が開示されている。そして、これによると、発光素子の劣化等による輝度の低下を抑制することができる、と記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、複数の画素を有し、画素のそれぞれが複数のサブピクセルを有する表示パネルと、タイミング信号を入力し、表示位置を指定するライン制御信号を出力するライン制御部と、表示パネルの通電時間を計測する時間計測部と、通電時間を積算した積算通電時間を記憶する記憶部と、記憶部に記憶された積算通電時間を入力し、積算通電時間に応じた係数を出力する関数部と、サブピクセルの発光量を指定する入力信号を係数に基づいて補正する補正部と、補正された入力信号を入力し、補正された入力信号に応じたサブピクセルの駆動信号を出力するデータ駆動部と、を有することを特徴とする表示装置が開示されている。そして、これによると、電流制御型発光素子を用いた表示パネルの輝度や色温度の経時変化補正を自動的に行う表示装置を提供することができる、と記載されている。
【特許文献１】特開2004-038209号公報
【特許文献２】特開2002-258792号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に示される技術では、発光素子に流れる電流の測定部、測定した電流と所望電流との比較部、所望電流を供給するための電源（電圧）調整部等の特別なフィードバック回路が必要となり、回路が複雑且つ大型化してしまう。
【０００６】
また、上記特許文献２に示される技術では、発光素子の発光時間を計測する時間計測部、計測した時間を積算して記憶する記憶部、及び、駆動電流値計算部等が必要となり、これも同様に回路が複雑且つ大型化してしまう。
【０００７】
本発明は係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、装置を複雑化せずに経時変化による発光輝度変化を制御し、長寿命化を実現するＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るＥＬ表示装置は、ＥＬ発光素子及びＥＬ発光素子を介して対向配置された一対の電極を有するＥＬ発光素子基板と、ＥＬ発光素子基板に電流を供給する電源線と、を備えたＥＬ表示装置であって、電源線が、磁性金属層を有すると共に、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所が少なくとも一つ設けられたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、電源線に、平行に延びる箇所が複数設けられていてもよい。
【００１０】
さらに、本発明に係るＥＬ表示装置は、電源線が、磁性金属層と非磁性金属層との積層構造を有してもよい。
【００１１】
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、電源線の磁性金属層と非磁性金属層との間に、絶縁層がさらに設けられていてもよい。
【００１２】
さらに、本発明に係るＥＬ表示装置は、電源線の磁性金属層が、複数の磁性金属材料で形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、装置を複雑化せずに経時変化による発光輝度変化を制御し、長寿命化を実現するＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。また、以下の実施形態では、ＥＬ発光素子として有機ＥＬ発光素子を用いる有機ＥＬ表示装置について説明する。尚、本発明に係るＥＬ表示装置は、これに限らず無機ＥＬ発光素子を用いた無機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００１５】
（実施形態１）
（有機ＥＬ表示装置１０の構成）
図１は本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面図である。
【００１６】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、素子基板１１と、素子基板１１上に形成された第１電極１２及び第１絶縁層１３、第１電極１２上に形成され、ホール輸送層１４及び発光層１５を備えた発光有機層１６、発光有機層１６上に形成された第２電極１７、第２電極１７上に形成された第２絶縁層１８、第２絶縁層１８上に形成された対向基板１９、第２電極１７に電気的に接続するように形成された電源線２０等で構成されている。
【００１７】
素子基板１１は、有機ＥＬ表示装置１０の機械的強度を担保できるものであれば何ら限定されるものではない。素子基板１１は、例えば、ガラス、石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート等のプラスティック、繊維強化プラスティック（ＦＲＰ）又は、アルミナ等のセラミックス等の絶縁性材料からなる基板、若しくは、アルミニウム、鉄等の金属基板にＳｉＯ２や有機絶縁性材料等の絶縁材料をコートした基板、若しくは、アルミニウム、鉄等の金属基板の表面を陽極酸化法等により絶縁化処理を施した基板等により構成することができる。尚、有機ＥＬ表示装置１０が発光層１５からの光を素子基板１１側から出射させるボトムエミッション構造のものである場合は、素子基板１１は、例えば、ガラスやプラスティック材料等の光透過性材料により形成することがより好ましい。
【００１８】
第１電極１２は、何ら限定されるものではなく、公知の電極材料により形成することができるが、発光有機層１６への高いホール注入効率を実現する観点から、仕事関数が大きい材料により形成することが好ましい。仕事関数が大きい材料としては、例えば、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
【００１９】
また、有機ＥＬ素子が、発光層１５からの光を素子基板１１側から取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子である場合には、第１電極１２は、光透過率の高い材料により形成することが好ましい。このような材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等が挙げられる。
【００２０】
一方、有機ＥＬ表示装置１０が発光層１５からの光を第２電極１７側から取り出すトップエミッション方式のものである場合には、第１電極１２は、光反射性の材料により形成することが好ましい。光反射性の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やプラチナ（Ｐｔ）等が挙げられる。また、有機ＥＬ表示装置１０がトップエミッション方式である場合は、第１電極１２は、仕事関数が大きい材料からなる層と光反射率が高い材料からなる層との複層構造としてもよい。
【００２１】
第２電極１７は、何ら限定されるものではなく、公知の電極材料により形成することができるが、発光有機層１６への高い電子注入効率を実現する観点から、仕事関数の小さい材料により形成することが好ましい。尚、仕事関数の小さい材料としては、例えば、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）等が挙げられる。
【００２２】
また、有機ＥＬ表示装置１０が、第２電極１７側から発光層１５の光を取り出すトップエミッション方式のものである場合には、第２電極１７は、光透過率の高い材料により形成することが好ましい。このような材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等が挙げられる。
【００２３】
一方、有機ＥＬ表示装置１０が発光層１５からの光を素子基板１１側から取り出すボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子である場合には、第２電極１７は、光反射性の材料により形成することが好ましい。尚、光反射性を有する第２電極１７の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やプラチナ（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等が挙げられる。
【００２４】
また、第２電極１７は、例えばカルシウム（Ｃａ）等の仕事関数の小さな材料からなる層と、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の酸素に対して安定であり導電率の高い層との積層構造（Ｃａ層／Ａｌ層、Ｃｅ層／Ａｌ層、Ｃｓ層／Ａｌ層、Ｂａ層／Ａｌ層等）、若しくは、仕事関数の小さな材料と酸素に対して安定であり導電率の高い材料との合金からなる層（Ｃａ：Ａｌ合金、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等）としてもよい。
【００２５】
また、第２電極１７を、薄膜化した低い導電率を有する材料からなる層と低い仕事関数を有する層との積層構造（ＬｉＦ層／Ａｌ層、ＬｉＦ層／Ｃａ層／Ａｌ層、ＢａＦ２層／Ｂａ層／Ａｌ層等）、若しくは、透明導電性材料に仕事関数の低い材料をドープした層（ＩＴＯ：Ｃｓ層、ＩＤＩＸＯ：Ｃｓ層、ＳｎＯ２：Ｃｓ層等）、若しくは、透明導電性材料からなる層と、仕事関数の低い材料からなる層との積層構造（Ｂａ層／ＩＴＯ層、Ｃａ層／ＩＤＩＸＯ層、Ｂａ層／ＳｎＯ２層等）に構成してもよい。
【００２６】
発光有機層１６は、ホール輸送層１４と発光層１５とからなる。しかし、本発明は、何らこれに限定されず、発光有機層１６を、発光層１５のみにより構成してもよい。また、発光有機層１６を、発光層１５と、ホール注入層、ホール輸送層１４、電子輸送層、及び、電子注入層のうち１層以上と、からなる積層構造に構成してもよい。
【００２７】
ホール輸送層１４は、何ら限定されるものではなく、公知のホール輸送材料により構成することができる。ホール輸送材料としては、例えば、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等が挙げられる。
【００２８】
発光層１５は、何ら限定されるものではなく、公知の発光材料により形成することができる。発光材料としては、例えば、４，４’‐ビス（２，２’‐ジフェニルビニル）‐ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族化合物、オキサジアゾール化合物、３‐（４‐ビフェニルイル）‐４‐フェニル‐５‐ｔ‐ブチルフェニル‐１，２，４‐トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、１，４‐ビス（２‐メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物等が挙げられる。
【００２９】
第１絶縁層１３及び第２絶縁層１８は、それぞれ、何ら限定されるものではなく、公知の絶縁性材料により形成することができる。第１絶縁層１３及び第２絶縁層１８は、例えば、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）等の無機絶縁性材料、或いは、ポリイミド樹脂等の有機絶縁性材料等で形成することができる。
【００３０】
対向基板１９は、素子基板１１に封止用樹脂２１により接着されており、発光有機層１６は、対向基板１９と、素子基板１１とにより封止されている。
【００３１】
対向基板１９は、水分や酸素の透過率が低いものであれば何ら限定されるものではなく、例えば、ソーダライムガラス等のガラス基板 、石英基板 、プラスティック基板等により構成することができる。
【００３２】
封止用樹脂２１は、対向基板１９を素子基板１１に確実に固定することができ、水分及び酸素の透過率が低いものであれば何ら限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂等を用いることができる。
【００３３】
電源線２０は、素子基板１１上に形成され、一方の端部で第２電極１７に電気的に接続され、他方の端部に異方性導電膜２２を介して電源からの電流を供給する接続配線２３が電気的に接続されている。電源線２０の構成材料は、磁性金属であれば特に限定されないが、例えば、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ−Ｆｅ、又は、Ｆｅ−Ｃｏ等の強磁性体が好ましい。
【００３４】
また、電源線２０は、複数種類の磁性金属を積層して形成されていてもよい。
【００３５】
さらに、有機ＥＬ表示装置１０における全ての電源線２０にこれらの磁性金属が用いられていても良いが、Ａｌ（アルミニウム）等の一般的な配線材料と比較すると導電性が低いため、所望の装置寿命を踏まえ、磁性金属の全体に占める割合を調整するのが良い。
【００３６】
電源線２０は、図２に示すように、素子基板１１上において、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所が設けられている。具体的には、電源線２０は、その経路が一方向から約９０度の角度で曲げられて延び、さらに今度は戻る方向に約９０度の角度で曲げられるように延びる。
【００３７】
ここで、このような構成による効果を以下に述べる。まず、初めに、磁気抵抗効果について説明する。磁気抵抗効果とは、磁性体の磁化の向きと電流との向きの角度によって、磁性体の抵抗値が変化することである。また、本発明に利用する磁気抵抗効果は異方性磁気抵抗効果であり、これは、磁性体単層膜において発現する効果で、磁性体の磁化と電流の向きとが垂直のとき抵抗値は最大となり、磁性体の磁化と電流の向きとが平行のとき抵抗値は最小となる。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の電源線２０では、図２に示すように、電流を供給する電源線２０に平行に延びる箇所（ラインＩ及びラインＩＩ）が設けられている。この電源線２０に電流が流れることにより、ラインＩで発生する磁界がラインＩＩの磁化の向きを変化させる。また、ラインＩＩで発生する磁界がラインＩの磁化の向きを変化させる。これにより、磁気抵抗効果が発現し、電源線２０の抵抗値が変化する。抵抗値の変化の割合は、流れる電流値の大きさによって決まり、電流値が大きいほど磁化の向きと電流の向きが垂直に近くなるため高抵抗化する。
【００３８】
次に、この原理を式を用いてより詳細に説明する。有機ＥＬに印加する電圧（一定）をＶ、初期時の有機ＥＬの抵抗値をＲ１、経時変化後の有機ＥＬの抵抗値をＲ２とする。このとき、Ｒ１<Ｒ２である。初期時の電流Ｉ１ はＩ１＝Ｖ/Ｒ１、経時変化後の電流Ｉ２はＩ２＝Ｖ/Ｒ２であり、Ｒ１<Ｒ２より Ｉ１>Ｉ２となる。Ｉ１のときの磁気抵抗効果による電源線２０の抵抗変化量をＶＲ１、Ｉ２のときの抵抗変化量をＶＲ２とするとＩ１>Ｉ２より ＶＲ１>ＶＲ２（式１）となる。
【００３９】
また、輝度低下の度合いは電流値の変化量に比例する。定電圧駆動時では、電流値の変化量は抵抗値の変化量によって規定される。すなわちＲ１とＲ２との差が小さいほど輝度低下の度合いは軽減される。磁気抵抗効果を利用しないときは、初期時と経時変化後の抵抗値の変化量はＲ２−Ｒ１(式２)であり、磁気抵抗効果を利用したときは（Ｒ２＋ＶＲ２）−（Ｒ１＋ＶＲ１）(式３)である。
【００４０】
式１及び３より、
（Ｒ２＋ＶＲ２）−（Ｒ１＋ＶＲ１）＝（Ｒ２−Ｒ１）＋（ＶＲ２−ＶＲ１）<Ｒ２−Ｒ１
となる。すなわち、式３<式２となる。
【００４１】
よって、磁気抵抗効果を利用すると初期時と経時変化後の抵抗値の変化量が、磁気抵抗効果を利用しないときと比べて小さくなる。従って、図３に示すような従来の有機ＥＬ表示装置における輝度の経時変化が、図４に示すような経時変化となり、輝度の経時変化による低下は抑制され、有機ＥＬの長寿命化が実現される。また、抵抗値の変化量を調整するために、所望電流を供給する電源（電圧）調整部等の特別なフィードバック回路等が不要であり、装置の大型化・複雑化を避けることができる。
【００４２】
電源線２０の幅及び厚さは、一般的なＬＳＩの配線と同様でもよいが、これらを変化させて形状磁気異方性を持たせることにより磁気抵抗効果の割合を制御することが可能となる。
【００４３】
例えば、図２の辺ａと辺ｂとのアスペクト比ｂ/ａを大きくすると、磁化は辺ｂの方向が磁化容易方向になるので、流れる電流が大きくても磁化は辺ａの方向には向き難くなり、本発明の効果は減少する。逆にアスペクト比ｂ/ａを小さくすると磁化の流れる電流によって辺ａの方向に向きやすくなり、本発明の効果を利用しやすくなる。つまり、アスペクト比ｂ/ａを調整することにより、本発明の効果の割合を制御することが可能となる。
【００４４】
また、電源線２０は、平行になる箇所（ラインＩ及びラインＩＩ）の長さを変化させることによっても、抵抗変化の割合（磁気抵抗効果の割合）を調整することが可能となる。
【００４５】
（有機ＥＬ表示装置１０の製造方法）
次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について詳細に説明する。
【００４６】
まず、ガラス等からなる素子基板１１上に、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の電極材料をスパッタ法等の公知の成膜技術により成膜し、続いてフォトリゾグラフィー技術等の公知のパターニング方法により所望の電極構造にパターニングすることにより第１電極１２を形成する。
【００４７】
次に、第１電極１２を形成した素子基板１１上に、ホール輸送材料等をスピンコート法やインクジェット法等の公知の成膜技術により成膜することによりホール輸送層１４を形成する。次に、ホール輸送層１４の上に、例えば、ポリ［２，５‐ビス‐［２‐（Ｎ，Ｎ，Ｎ‐トリエチルアンモニウム）エトキシ］‐１，４‐フェニル‐アルト‐１，４‐フェニレン］ジブロマイド等の発光材料をスピンコート法やインクジェット法等の公知の成膜技術により成膜して発光層１５を形成することによりホール輸送層１４と発光層１５とからなる発光有機層１６を形成する。
【００４８】
次に、電源線２０を、素子基板１１上に、例えば、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ−Ｆｅ、又は、Ｆｅ−Ｃｏ等を蒸着させてスパッタリングで成膜し、その後、リソグラフィーによりパターニングを行うことで形成する。
【００４９】
次に、第１絶縁層１３を、素子基板１１上に、例えば、ポリイミド樹脂等を用いて成膜し、その後リソグラフィーによりパターニングを行うことで形成する。
【００５０】
次に、第２電極１７を、電源線２０に電気的に接続するように、且つ、発光有機層１６上に、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の電極材料をスパッタ法等の公知の成膜技術により成膜し、続いてフォトリゾグラフィー技術等の公知のパターニング方法により所望の電極構造にパターニングすることにより形成する。
【００５１】
次に、第２絶縁層１８を、第２電極１７上に、例えば、ポリイミド樹脂等を用いて成膜し、その後リソグラフィーによりパターニングを行うことで形成する。
【００５２】
次に、例えば、サンドブラスト法等の公知の物理的加工技術を用いて平坦なガラス基板 に発光有機層１６を収納する発光有機層収納部を形成することにより、対向基板１９を形成する。
【００５３】
次に、上述の方法で形成した対向基板１９を発光有機層１６を形成した素子基板１１上に、例えば、エポキシ樹脂等の封止用樹脂２１を用いて接着する。
【００５４】
次に、電源線２０の端部に異方性導電膜２２を介して電源からの接続配線２３を電気的に接続させることにより、有機ＥＬ表示装置１０を製造する。
【００５５】
また、本実施形態では、電源線２０の形状として図２に示すものを挙げたが、これに限られず、例えば、図５に示すように、平行に延びる箇所が複数設けられた電源線３０であってもよい。
【００５６】
具体的には、電源線３０は、例えばミアンダ型（ジグザグ形状）に形成され、これにより平行に延びる箇所が複数設けられている。
【００５７】
このような構成によれば、電源線３０の複数箇所で、抵抗変化の割合（磁気抵抗効果の割合）を調整することができる。このため、例えば、表示装置にＲＧＢの絵素が設けられている場合に、それぞれの絵素における図に示したような発光素子の経時劣化による輝度劣化の傾きを同じくすることができる。従って、経時変化による色度ずれを緩和させることができ、有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００５８】
さらに、電源線２０は、図６に示すように、磁性金属層４１と非磁性金属層４２との積層構造を有する電源線４０であってもよい。
【００５９】
具体的には、電源線４０は、例えば、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ−Ｆｅ、又は、Ｆｅ−Ｃｏ等からなる磁性金属層４１と、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等からなる非磁性金属層４２との積層構造を有している。
【００６０】
このような構成によれば、非磁性金属層４２に流れる電流によって生成される磁界によって磁性体の磁化の向きが変化し、磁気抵抗効果によって、磁性金属層４１の抵抗値が変化する。このため、電源線２０の初期時と経時変化後の抵抗値の変化量が、磁気抵抗効果を利用しないときと比べて小さくなり、有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００６１】
また、この場合、磁性金属層４１と非磁性金属層４２との膜厚の割合を変化させることにより磁性金属層４１の磁気抵抗効果の割合を変化させることができる。例えば、磁性金属層４１の膜厚：非磁性金属層４２の膜厚＝１：１のもの(α)と１：１０のもの(β)とを比較すると、βはαに比べて非磁性金属層４２の膜厚が厚いために多くの電流が流れ、より大きな磁界を発生することができる。従って、磁気抵抗効果の割合を制御することができる。すなわち、経時変化による色度ずれを緩和させることができ、有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００６２】
また、電源線２０は、図７に示すように、磁性金属層５１と非磁性金属層５２との間に、絶縁層５３がさらに形成された電源線５０であってもよい。
【００６３】
具体的には、電源線５０は、上述した材料でそれぞれ構成される磁性金属層５１と非磁性金属層５２との間に、例えば、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）等の無機絶縁性材料、或いは、ポリイミド樹脂等の有機絶縁性材料等で構成される絶縁層５３が設けられている。
【００６４】
このような構成によれば、磁性金属層５１と非磁性金属層５２との間に絶縁層５３を挟むことにより、磁性金属層５１と非磁性金属層５２との距離を変化させて、磁気抵抗効果の割合を制御することができる。このため、経時変化による色度ずれを緩和させることができ、有機ＥＬ表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００６５】
さらに、本実施形態では、ＥＬ表示装置として、ＥＬ発光素子に有機ＥＬ発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置について説明したが、これに限らず、ＥＬ発光素子に無機ＥＬ発光素子を用いた無機ＥＬ表示装置であってもよい。
【００６６】
（作用効果）
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、ＥＬ発光素子１６及びＥＬ発光素子１６を介して対向配置された一対の電極１２，１７を有するＥＬ発光素子基板１１と、ＥＬ発光素子基板１１に電流を供給する電源線２０と、を備えたＥＬ表示装置であって、電源線２０が、磁性金属層を有すると共に、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所（ラインＩ及びラインＩＩ）が少なくとも一つ設けられたことを特徴とする。
【００６７】
このような構成によれば、装置を複雑化せずに経時変化による発光輝度変化を制御し、長寿命化を実現する有機ＥＬ表示装置１０を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
以上説明したように、本発明は、ＥＬ表示装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電源線２０の模式図である。
【図３】従来の電源線を用いたＥＬ素子の発光輝度の経時変化を示すグラフである。
【図４】本発明の実施形態に係る電源線２０を用いたＥＬ素子の発光輝度の経時変化を示すグラフである。
【図５】本発明の実施形態に係る電源線３０の模式図である。
【図６】本発明の実施形態に係る電源線４０の模式図である。
【図７】本発明の実施形態に係る電源線５０の模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０ 有機ＥＬ表示装置
１１ 素子基板（ＥＬ発光素子基板）
１２ 第１電極
１３ 第１絶縁層
１４ ホール輸送層
１５ 発光層
１６ 発光有機層（ＥＬ発光素子）
１７ 第２電極
１８ 第２絶縁層
１９ 対向基板
２０，３０，４０，５０ 電源線
２１ 封止用樹脂
２２ 異方性導電膜
２３ 接続配線
４１，５１ 磁性金属層
４２，５２ 非磁性金属層
５３ 絶縁層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ発光素子及び該ＥＬ発光素子を介して対向配置された一対の電極を有するＥＬ発光素子基板と、該ＥＬ発光素子基板に電流を供給する電源線と、を備えたＥＬ表示装置であって、
上記電源線は、磁性金属層を有すると共に、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所が少なくとも一つ設けられたＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたＥＬ表示装置において、
上記電源線は、上記平行に延びる箇所が複数設けられているＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載されたＥＬ表示装置において、
上記電源線は、上記磁性金属層と非磁性金属層との積層構造を有するＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載されたＥＬ表示装置において、
上記電源線は、上記磁性金属層と上記非磁性金属層との間に、絶縁層がさらに設けられているＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載されたＥＬ表示装置において、
上記電源線の磁性金属層は、複数の磁性金属材料で形成されているＥＬ表示装置。
【請求項１】
ＥＬ発光素子及び該ＥＬ発光素子を介して対向配置された一対の電極を有するＥＬ発光素子基板と、該ＥＬ発光素子基板に電流を供給する電源線と、を備えたＥＬ表示装置であって、
上記電源線は、磁性金属層を有すると共に、その経路が曲げられることにより平行に延びる箇所が少なくとも一つ設けられたＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたＥＬ表示装置において、
上記電源線は、上記平行に延びる箇所が複数設けられているＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載されたＥＬ表示装置において、
上記電源線は、上記磁性金属層と非磁性金属層との積層構造を有するＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載されたＥＬ表示装置において、
上記電源線は、上記磁性金属層と上記非磁性金属層との間に、絶縁層がさらに設けられているＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載されたＥＬ表示装置において、
上記電源線の磁性金属層は、複数の磁性金属材料で形成されているＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−７８０４１（Ｐ２００８−７８０４１Ａ）
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２５７７４１（Ｐ２００６−２５７７４１）
【出願日】平成１８年９月２２日（２００６．９．２２）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２２日（２００６．９．２２）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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