ＥＳＤ抑制シート
【課題】 高速動作する半導体素子や電子回路などにおいて、静電気放電によるノイズ対策を施すことによって、誤動作や素子が破壊されることを防止するとともに、より体積の小さなＥＳＤ抑制体で、効果的なＥＳＤ対策ができるとともに所望する部位に容易に設けることができるＥＳＤ抑制シートを提供すること。
【解決手段】 ESD抑制シートは、電子機器の静電気印加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であって、電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含むシート材から実質的になる。
【解決手段】 ESD抑制シートは、電子機器の静電気印加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であって、電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含むシート材から実質的になる。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＥＳＤ（静電気印加）抑制効果に優れた磁性体を含むＥＳＤ抑制シートに関し、詳しくは，電子機器のＥＳＤによる誤動作、不要輻射や高周波電流の抑制に有効である磁性体を備えたＥＳＤ抑制シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高速動作する高集積な半導体素子の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイクロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰＵ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬＵ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子においては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノイズの主要因となっている。
【０００３】一方，電子部品や電子機器の軽量化，薄型化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢いで進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述した信号処理速度の高速化と併わせて、高周波輻射ノイズが誘発され易い状況となっている。
【０００４】このような近年の電子集積素子あるいは配線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリングコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がなされている。
【０００５】一方、電気機器使用者が電気機器の金属板に近接するか又は触れたときに、使用者の体に帯びた静電気等の金属板への放電（ＥＳＤ）によって、この金属板を備えた電気機器に誤動作が発生しやすい環境となってきている。
【０００６】図１０は従来の静電気による起こり得る電子機器の誤動作の説明に供せられる部分断面図である。図１０を参照すると、電子機器のシャーシとして金属板１０１を備えた電子機器１００は、内部にＰＣＢ等によって形成された基板１０２が収容され、この基板１０２には、ＬＳＩ等の能動回路素子１０３が表面実装されている。ここで、矢印１０４に示すように静電気が放電等によって印加されると、これによって矢印１０５に示すように、高周波電流ＩＥＳＤが金属板１０１の表面を流れる。それによって、矢印１０６に示すような磁界Ｈが発生する。この磁界Ｈによって破線１０７に示すように、電流が誘起され、能動回路素子１０３内に電流が流れる。この電流は、ノイズ及び能動回路素子１０３の誤動作の原因となるばかりか、場合によっては、能動回路素子１０３を破壊してしまう。
【０００７】また、電気機器から数ｍ離れた場所においても、静電気の放電によるノイズ発生があることが知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述の高速された電子集積回路素子あるいは、配線基板においては、発生するノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数回路を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じていた。
【０００９】また、電子集積回路素子の動作電圧レベルの低下に伴い、そのノイズマージンがますます厳しくなっている。
【００１０】図１１は図１０の能動回路素子１０３の誤動作の説明に供せられる図であり、図１１（ａ）は従来における内部ロジック動作電圧を概略的に示し、図１１（ｂ）は最近の内部ロジック動作電圧を示している。
【００１１】図１１（ａ）を参照すると、従来においては、内部ロジック電圧のＶｃｃは５Ｖで、ハイ（Ｈｉｇｈ）のスレッショルド電圧は３．５Ｖ、ロー（Ｌｏｗ）のスレッショルド電圧は１．３Ｖであり、ノイズマージンは、Ｈｉｇｈ電圧レベルで１．５Ｖ程度、Ｌｏｗ電圧レベルでは１．２Ｖであった。従って、ノイズ１１１，１１２等が加えられても、能動回路素子の動作には影響を与えなかった。
【００１２】図１１（ｂ）を参照すると、最近において、内部ロジック電圧のＶｃｃは１．８Ｖで、ハイ（ｈｉｇｈ）スレッショルド電圧は１．２Ｖ、ロー（Ｌｏｗ）スレッショルド電圧は０．６Ｖ程度と次第に低レベルとなる傾向にある。従って、ノイズ１１３，１１４等が加えられると、スレッショルド電圧に達し、誤動作してしまうので、ノイズマージンが厳しくなってきている。ちなみに、ノイズマージンは、Ｈｉｇｈ電圧レベルで、０．６Ｖ、Ｌｏｗ電圧レベルで０．４Ｖ程度である。
【００１３】そこで、本発明の技術的課題は、このような高速動作する半導体素子や電子回路などにおいて、静電気放電によるノイズ対策を施すことによって、誤動作や素子が破壊されることを防止するＥＳＤ抑制シートを提供することにある。
【００１４】また、本発明の特別な技術的課題は、より体積の小さなＥＳＤ抑制体で、効果的なＥＳＤ対策ができるとともに所望する部位に容易に設けることができるＥＳＤ抑制シートを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、以前に高周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制する方法を見出している。
【００１６】しかしながら、静電気の印加によるノイズ障害、電磁干渉や電子機器の誤動作等を抑制する対策（以下、これらを含めて単にＥＳＤ対策と呼ぶ）に関しては、全く研究がなされていなかった。
【００１７】そこで、本発明者らは、前記複合磁性体をＥＳＤ対策に用いることができることを見出し、さらに、複合磁性体に限らず、軟磁性体であれば、ＥＳＤ対策に用いることができることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【００１８】即ち、本発明によれば、電子機器への静電気印加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であって、電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含むシート材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００１９】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記ＥＳＤ抑制シートは前記電子機器内部のケーブルに設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２０】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器内部の能動素子を覆うように設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２１】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器の開口部付近に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２２】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器の筐体に設けられることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２３】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記筐体のシールド面又は端部に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２４】また、本発明によれば、前記いずれか一つのＥＳＤ抑制シートにおいて、前記シート材は、前記軟磁性体として、金属磁性体、フェライト、及びマグネタイトの内の少なくとも一種を含むことを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られるが得られる。
【００２５】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体が合成樹脂中に粉末形状で含有された複合磁性材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２６】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２７】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＮｉ−Ｆｅ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２８】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体が薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２９】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記薄膜磁性体は合成樹脂シート上に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３０】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉの内の少なくとも一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）からなる磁気損失材料であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３１】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損出材料のＸ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、或いは希土類元素のいづれか、もしくはそれらの混在物であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３２】また、本発明によれば、前記いずれか一つのＥＳＤ抑制シートにおいて、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散されたグラニュラー状の形態で存在する事を特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３３】また、本発明によれば、前記いずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料が、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγであることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３４】また、本発明によれば、前記いずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料が、スパッタ法及び蒸着法の内の少なくとも一種によって作製された薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３６】図１は本発明の実施の形態によるＥＳＤ対策が施される部位に関する説明に供せられる斜視図である。図１を参照すると、ノート型パーソナルコンピュータ（以下、ノートＰＣと呼ぶ）１は、ＰＣ本体２と、ＬＣＤ素子３ａやＣＣＤカメラ３ｂが設けられた表示部３とを備え、ＰＣ本体２の一端側を軸として、表示部３が回動可能に形成されている。ＰＣ本体２の一面には、キーボード４が設けられ、表示部３を下方に回転したとき、即ち、ノートＰＣ１を閉じたときに、このキーボード４はＬＣＤ素子３ａと互いに対向するように、形成されている。
【００３７】ここで、本発明の実施の形態において、ＥＣＤ対策が施されるのは、次の（ｉ）〜（ｉｖ）に示された４個所である。
【００３８】(i) 記号Ａで示される部分の筐体内のフラットケーブル；
(ii) 記号Ｂで示される2個所の筐体のシールド面；
(iii) 記号Ｃで示されるPC本体側部に設けられたコネクタ等の開口の周辺；及び(iv) 記号Dで示される本体内の能動回路素子、例えば、IC。
【００３９】（第1の実施の形態）図２は本発明の第1の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の説明に供せられる図である。図２に示すように、図１の記号Ａで示される部分は金属からなるか又は金属めっきが施された導電性の筐体１１に近接してフレキシブルフラットケーブル又はフレキシブル配線基板（以下、両方を纏めてＦＰＣと呼ぶ）１３が設けられている。ここで、矢印５に示すように、静電気の放電（ＥＳＤ）が起こると、矢印１４に示すように、高周波電流（Ｉ）が筐体１１表面を流れる。これによって、矢印１５に示されるように、磁界（Ｈ）が誘起されることは前述した通りである。
【００４０】しかし、ＦＰＣ１３の一面に、複合磁性体または、薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート１２を設けることによって、筐体１１に流れる高周波電流によって誘起された磁界を吸収し、この磁界によって生じる２次的な電流の発生を抑制するので、ＦＰＣ１３の信号ラインへのノイズの重畳を抑制することができる。
【００４１】具体的には、図１に示されたＬＣＤ部においては、ＬＣＤ３ａ及びＣＣＤカメラ３ｂの画像のちらつき、ＰＣ本体２内のＨＤＤ、ＦＤＤにおいては、書き込み／読み取りの際のエラーを防止することができる。また、ＦＰＣ１３が多層に構成されている場合には、基板間の相互干渉を抑制することができる。
【００４２】（第2の実施の形態）図３は本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例の説明に供せられる図である。図３を参照すると、図１の記号Ｂで示される部分では、電子部品１７を覆う筐体１６の内側面に複合磁性体又は薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート１８を設けることによって、ＥＳＤによるＬＣＤ駆動回路の誤動作や輻射ノイズを防ぐことができる。
【００４３】図４は本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の他の一例の説明に供せられる図である。図４を参照すると、図１の記号Ｂで示されるパソコン本体２のマザーボード２４に対向してキーボード２１の板金（ＦＧ）部２２が形成されている。この板金部２２は、通常はＧＮＤに接続してＦＧとしている。しかし、設計上等の制約などによって、十分に設置できない場合がある。その際、ＥＳＤによって、板金シールドに流れた矢印２５によって示される高周波電流（Ｉ）が板金端部（電磁界は端部から再放射しやすい。）から、再び放射ノイズとしてＰＣ内部に放射され、信号ライン等にノイズが重畳し、ＣＰＵ等の誤動作を引き起こす。
【００４４】従って、図４に示すように、シールド板金２２の端部に、複合磁性体又は薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート２３を設けることによって、端部からの再放射ノイズを抑制することができる。
【００４５】（第3の実施の形態）図５は本発明の第3の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図、図６は図５に示されたコネクタ部分の概略を示す平面図である。図５及び図６に示すように、図１の記号Ｃに示される位置において、コネクタ３３に接続されたケーブル３４にＥＳＤ５が加わると、矢印３５に示されるように、ケーブル３４を伝わって筐体に流れ、これによって生じる磁界によって誘起されてＩＣやＬＳＩの素子内部に電流を誘起して、これら能動素子の誤動作や破壊を生じ、例え、破壊されなくともノイズとして動作に悪影響をもたらす。
【００４６】本発明の第3の実施の形態においては、筐体の開口部付近に図５に示すように複合磁性体又は薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート３２を設けることによって、ＥＳＤによって生じる電流ルートを遮断することによって、筐体３１に流れる電流を抑制し、上記したような能動素子の誤動作や破壊、放射ノイズを抑制することができる。
【００４７】（第４の実施の形態）図７は本発明の第4の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図である。図７に示すように、図１の記号Ｄに示される位置において、ＩＣ等の能動素子３７は、高周波数領域においては、高周波ノイズを放出し易く、また、外部からの不要輻射ノイズ等によっても、誤動作し易い。特に、最近はスレッショルド電圧のレベル低下によってますますノイズの影響を受け易くなっている。従って、ＩＣ等のパッケージ３７の上面を覆うように、ＥＳＤ抑制シート３８を設けることによって、ＥＳＤによる誤動作や素子の破壊を防止できるとともに、不要輻射ノイズや放射ノイズに関しても、抑制することができる。
【００４８】次に、本発明の実施の形態によるＥＳＤ抑制シートについてさらに詳しく説明する。
【００４９】（試料１）磁性粉末として比表面積が０．８ｍ２／ｇの偏平状Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ粉末を作製し、下記表１の配合からなる軟磁性体ペーストを調合して、これをドクターブレード法によって成膜し、熱プレスを施した後に、８５℃にて２４時間キュアリングを行った。
【００５０】図８は得られた試料の透磁率特性を示している。この結果より、複素透磁率における虚数項である磁気損失項μ”の分布も広い領域に渡るようになり、ノイズ対策用素材として好ましい複合磁性体が得られることが判る。
【００５１】
【表１】
（試料２）ＥＳＤ抑制体として、グラニュラー磁性薄膜を、下記表２に示す条件にてスパッタ法でガラス基板上に作製した。得られたスパッタ膜を300℃にて2時間真空磁場中熱処理を施し、試料２を得た。
【００５２】得られた試料２を蛍光Ｘ線分析分析したところ膜の組成は、Fe72Al11O17であった。
【００５３】また、試料２の膜厚は2.0μｍ、直流抵抗率は、530μΩ・ｃｍ、Hkは18Oe（１４２２Ａ／ｍ）であり、Mｓは16800Gauss（１．６８Ｔ）、中心周波数で規格化したμ”の半値幅であるμ”５０は１４８％であった。試料２の飽和磁化とＭ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率の値は、72.2％であった。
【００５４】
【表２】
試料の磁気損失特性を検証するためにμ−ｆ特性を調べた。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工した検出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながらインピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項μ”の周波数特性を得た。
【００５５】図９本発明の試料２のμ”−ｆ特性を示す。これをみると、そのピークは非常に大きく、また、分散も急峻になっており、共鳴周波数も７００ＭＨｚ付近と高くなっていることがわかる。
【００５６】以上説明した本発明の実施の形態においては、ＥＳＤ抑制体を構成する複合磁性体として、金属磁性体、例えば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ粉末をポリウレタン樹脂と混合して作製した複合磁性体シートを示したが、軟属磁性粉末であるならば、フェライト、マグネタイト、Ｆｅ−Ｎｉ粉末も用いることができ、また、樹脂としては、ポリウレタン以外に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂等も用いることができ、成形できる合成樹脂であるならば、これらに限定されるものではない。
【００５７】また、本発明の実施の形態においては、ＥＳＤ抑制シートとして、薄膜磁性体をスパッタ法によって形成した例を示したが、スパッタ法以外にも、真空蒸着法によっても製造でき、さらには、イオンビーム蒸着法やガス・デポジション法などの製造方法でも良く、本発明の磁気損失材料が均一に実現できる方法であれば、製法に限定されない。
【００５８】また、ＥＳＤ抑制シートとして、薄膜磁性体をポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂等のシートの一面に形成したものも用いることができる。この場合、所望する部位に貼り付けるには、接着剤、粘着材もしくは、粘着テープで覆うことによって可能で、接着方法には限定されない。
【００５９】また、本発明の実施の形態においては、製膜後に真空磁場中での熱処理を施しているが、アズ・デポジションの膜で、本発明の性能が得られる組成あるいは製膜法であれば、実施例に記載の製膜後処理に限定されない。
【００６０】以上より、準マイクロ波帯にμ”分散を示す本発明の試料は、厚さが約５００倍の複合磁性体シートと同等の高周波電流抑制効果を示し、１ＧＨｚに近い高速クロックで動作するような半導体集積素子等のＥＳＤやＥＭＩ対策に用いる材料として有望であるといえる。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、このような高速動作する半導体素子や電子回路などにおいて、静電気放電によるノイズ対策を施すことによって、誤動作や素子が破壊されることを防止するＥＳＤ抑制シートを提供することができる。
【００６２】また、本発明の特別な技術的課題は、より体積の小さなＥＳＤ抑制体で、効果的なＥＳＤ対策ができるとともに所望する部位に容易に設けることができるＥＳＤ抑制シートを提供することにある。
【００６３】また、本発明によれば、半導体集積回路素子のような高密度集積された微少な電子回路の高周波伝導ノイズの除去に極めて有効な高周波磁気損失特性に優れた磁気損失材料とその製造方法及びそれを用いた高周波電流抑制体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の実施の形態によるＥＳＤ対策が施される部位に関する説明に供せられる斜視図である。
【図２】本発明の第1の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の説明に供せられる図である。
【図３】図３は本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例の説明に供せられる図である。
【図４】本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の他の一例の説明に供せられる図である。
【図５】本発明の第3の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図である。
【図６】図５に示されたコネクタ部分の概略を示す平面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図である。
【図８】本発明の試料１のμ”−ｆ特性を示す図である。
【図９】本発明の試料２のμ”−ｆ特性を示す図である。
【図１０】従来の静電気による起こり得る電子機器の誤動作の説明に供せられる部分断面図である。
【図１１】図１０の能動回路素子１０３の誤動作の説明に供せられる図であり、（ａ）は従来における内部ロジック動作電圧を概略的に示し、（ｂ）は最近の内部ロジック動作電圧を示している。
【符号の説明】
１ ノート型パーソナルコンピュータ（ノートＰＣ）
２ ＰＣ本体
３ａ ＬＣＤ素子
３ 表示部
４ キーボード
５ ＥＳＤ
１１ 筐体
１２，１８，２３，３２，３８ ＥＳＤ抑制シート
１３ ＦＰＣ
１４，１５，２５ 矢印
１６ 筐体
１７ 電子部品
２１ キーボード
２２ 板金（ＦＧ）部
２４ マザーボード
３１ 筐体
３３ コネクタ
３４ ケーブル
３７ パッケージ
１００ 電子機器
１０１ 金属板
１０２ 基板
１０３ 能動回路素子
１０４，１０５，１０６ 矢印
１１１，１１２ ノイズ
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＥＳＤ（静電気印加）抑制効果に優れた磁性体を含むＥＳＤ抑制シートに関し、詳しくは，電子機器のＥＳＤによる誤動作、不要輻射や高周波電流の抑制に有効である磁性体を備えたＥＳＤ抑制シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高速動作する高集積な半導体素子の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイクロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰＵ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬＵ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子においては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノイズの主要因となっている。
【０００３】一方，電子部品や電子機器の軽量化，薄型化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢いで進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述した信号処理速度の高速化と併わせて、高周波輻射ノイズが誘発され易い状況となっている。
【０００４】このような近年の電子集積素子あるいは配線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリングコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がなされている。
【０００５】一方、電気機器使用者が電気機器の金属板に近接するか又は触れたときに、使用者の体に帯びた静電気等の金属板への放電（ＥＳＤ）によって、この金属板を備えた電気機器に誤動作が発生しやすい環境となってきている。
【０００６】図１０は従来の静電気による起こり得る電子機器の誤動作の説明に供せられる部分断面図である。図１０を参照すると、電子機器のシャーシとして金属板１０１を備えた電子機器１００は、内部にＰＣＢ等によって形成された基板１０２が収容され、この基板１０２には、ＬＳＩ等の能動回路素子１０３が表面実装されている。ここで、矢印１０４に示すように静電気が放電等によって印加されると、これによって矢印１０５に示すように、高周波電流ＩＥＳＤが金属板１０１の表面を流れる。それによって、矢印１０６に示すような磁界Ｈが発生する。この磁界Ｈによって破線１０７に示すように、電流が誘起され、能動回路素子１０３内に電流が流れる。この電流は、ノイズ及び能動回路素子１０３の誤動作の原因となるばかりか、場合によっては、能動回路素子１０３を破壊してしまう。
【０００７】また、電気機器から数ｍ離れた場所においても、静電気の放電によるノイズ発生があることが知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述の高速された電子集積回路素子あるいは、配線基板においては、発生するノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数回路を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じていた。
【０００９】また、電子集積回路素子の動作電圧レベルの低下に伴い、そのノイズマージンがますます厳しくなっている。
【００１０】図１１は図１０の能動回路素子１０３の誤動作の説明に供せられる図であり、図１１（ａ）は従来における内部ロジック動作電圧を概略的に示し、図１１（ｂ）は最近の内部ロジック動作電圧を示している。
【００１１】図１１（ａ）を参照すると、従来においては、内部ロジック電圧のＶｃｃは５Ｖで、ハイ（Ｈｉｇｈ）のスレッショルド電圧は３．５Ｖ、ロー（Ｌｏｗ）のスレッショルド電圧は１．３Ｖであり、ノイズマージンは、Ｈｉｇｈ電圧レベルで１．５Ｖ程度、Ｌｏｗ電圧レベルでは１．２Ｖであった。従って、ノイズ１１１，１１２等が加えられても、能動回路素子の動作には影響を与えなかった。
【００１２】図１１（ｂ）を参照すると、最近において、内部ロジック電圧のＶｃｃは１．８Ｖで、ハイ（ｈｉｇｈ）スレッショルド電圧は１．２Ｖ、ロー（Ｌｏｗ）スレッショルド電圧は０．６Ｖ程度と次第に低レベルとなる傾向にある。従って、ノイズ１１３，１１４等が加えられると、スレッショルド電圧に達し、誤動作してしまうので、ノイズマージンが厳しくなってきている。ちなみに、ノイズマージンは、Ｈｉｇｈ電圧レベルで、０．６Ｖ、Ｌｏｗ電圧レベルで０．４Ｖ程度である。
【００１３】そこで、本発明の技術的課題は、このような高速動作する半導体素子や電子回路などにおいて、静電気放電によるノイズ対策を施すことによって、誤動作や素子が破壊されることを防止するＥＳＤ抑制シートを提供することにある。
【００１４】また、本発明の特別な技術的課題は、より体積の小さなＥＳＤ抑制体で、効果的なＥＳＤ対策ができるとともに所望する部位に容易に設けることができるＥＳＤ抑制シートを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、以前に高周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制する方法を見出している。
【００１６】しかしながら、静電気の印加によるノイズ障害、電磁干渉や電子機器の誤動作等を抑制する対策（以下、これらを含めて単にＥＳＤ対策と呼ぶ）に関しては、全く研究がなされていなかった。
【００１７】そこで、本発明者らは、前記複合磁性体をＥＳＤ対策に用いることができることを見出し、さらに、複合磁性体に限らず、軟磁性体であれば、ＥＳＤ対策に用いることができることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【００１８】即ち、本発明によれば、電子機器への静電気印加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であって、電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含むシート材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００１９】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記ＥＳＤ抑制シートは前記電子機器内部のケーブルに設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２０】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器内部の能動素子を覆うように設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２１】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器の開口部付近に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２２】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器の筐体に設けられることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２３】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記筐体のシールド面又は端部に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２４】また、本発明によれば、前記いずれか一つのＥＳＤ抑制シートにおいて、前記シート材は、前記軟磁性体として、金属磁性体、フェライト、及びマグネタイトの内の少なくとも一種を含むことを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られるが得られる。
【００２５】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体が合成樹脂中に粉末形状で含有された複合磁性材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２６】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２７】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＮｉ−Ｆｅ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２８】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体が薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００２９】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記薄膜磁性体は合成樹脂シート上に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３０】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉの内の少なくとも一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）からなる磁気損失材料であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３１】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損出材料のＸ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、或いは希土類元素のいづれか、もしくはそれらの混在物であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３２】また、本発明によれば、前記いずれか一つのＥＳＤ抑制シートにおいて、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散されたグラニュラー状の形態で存在する事を特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３３】また、本発明によれば、前記いずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料が、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγであることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３４】また、本発明によれば、前記いずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料が、スパッタ法及び蒸着法の内の少なくとも一種によって作製された薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３６】図１は本発明の実施の形態によるＥＳＤ対策が施される部位に関する説明に供せられる斜視図である。図１を参照すると、ノート型パーソナルコンピュータ（以下、ノートＰＣと呼ぶ）１は、ＰＣ本体２と、ＬＣＤ素子３ａやＣＣＤカメラ３ｂが設けられた表示部３とを備え、ＰＣ本体２の一端側を軸として、表示部３が回動可能に形成されている。ＰＣ本体２の一面には、キーボード４が設けられ、表示部３を下方に回転したとき、即ち、ノートＰＣ１を閉じたときに、このキーボード４はＬＣＤ素子３ａと互いに対向するように、形成されている。
【００３７】ここで、本発明の実施の形態において、ＥＣＤ対策が施されるのは、次の（ｉ）〜（ｉｖ）に示された４個所である。
【００３８】(i) 記号Ａで示される部分の筐体内のフラットケーブル；
(ii) 記号Ｂで示される2個所の筐体のシールド面；
(iii) 記号Ｃで示されるPC本体側部に設けられたコネクタ等の開口の周辺；及び(iv) 記号Dで示される本体内の能動回路素子、例えば、IC。
【００３９】（第1の実施の形態）図２は本発明の第1の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の説明に供せられる図である。図２に示すように、図１の記号Ａで示される部分は金属からなるか又は金属めっきが施された導電性の筐体１１に近接してフレキシブルフラットケーブル又はフレキシブル配線基板（以下、両方を纏めてＦＰＣと呼ぶ）１３が設けられている。ここで、矢印５に示すように、静電気の放電（ＥＳＤ）が起こると、矢印１４に示すように、高周波電流（Ｉ）が筐体１１表面を流れる。これによって、矢印１５に示されるように、磁界（Ｈ）が誘起されることは前述した通りである。
【００４０】しかし、ＦＰＣ１３の一面に、複合磁性体または、薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート１２を設けることによって、筐体１１に流れる高周波電流によって誘起された磁界を吸収し、この磁界によって生じる２次的な電流の発生を抑制するので、ＦＰＣ１３の信号ラインへのノイズの重畳を抑制することができる。
【００４１】具体的には、図１に示されたＬＣＤ部においては、ＬＣＤ３ａ及びＣＣＤカメラ３ｂの画像のちらつき、ＰＣ本体２内のＨＤＤ、ＦＤＤにおいては、書き込み／読み取りの際のエラーを防止することができる。また、ＦＰＣ１３が多層に構成されている場合には、基板間の相互干渉を抑制することができる。
【００４２】（第2の実施の形態）図３は本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例の説明に供せられる図である。図３を参照すると、図１の記号Ｂで示される部分では、電子部品１７を覆う筐体１６の内側面に複合磁性体又は薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート１８を設けることによって、ＥＳＤによるＬＣＤ駆動回路の誤動作や輻射ノイズを防ぐことができる。
【００４３】図４は本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の他の一例の説明に供せられる図である。図４を参照すると、図１の記号Ｂで示されるパソコン本体２のマザーボード２４に対向してキーボード２１の板金（ＦＧ）部２２が形成されている。この板金部２２は、通常はＧＮＤに接続してＦＧとしている。しかし、設計上等の制約などによって、十分に設置できない場合がある。その際、ＥＳＤによって、板金シールドに流れた矢印２５によって示される高周波電流（Ｉ）が板金端部（電磁界は端部から再放射しやすい。）から、再び放射ノイズとしてＰＣ内部に放射され、信号ライン等にノイズが重畳し、ＣＰＵ等の誤動作を引き起こす。
【００４４】従って、図４に示すように、シールド板金２２の端部に、複合磁性体又は薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート２３を設けることによって、端部からの再放射ノイズを抑制することができる。
【００４５】（第3の実施の形態）図５は本発明の第3の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図、図６は図５に示されたコネクタ部分の概略を示す平面図である。図５及び図６に示すように、図１の記号Ｃに示される位置において、コネクタ３３に接続されたケーブル３４にＥＳＤ５が加わると、矢印３５に示されるように、ケーブル３４を伝わって筐体に流れ、これによって生じる磁界によって誘起されてＩＣやＬＳＩの素子内部に電流を誘起して、これら能動素子の誤動作や破壊を生じ、例え、破壊されなくともノイズとして動作に悪影響をもたらす。
【００４６】本発明の第3の実施の形態においては、筐体の開口部付近に図５に示すように複合磁性体又は薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート３２を設けることによって、ＥＳＤによって生じる電流ルートを遮断することによって、筐体３１に流れる電流を抑制し、上記したような能動素子の誤動作や破壊、放射ノイズを抑制することができる。
【００４７】（第４の実施の形態）図７は本発明の第4の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図である。図７に示すように、図１の記号Ｄに示される位置において、ＩＣ等の能動素子３７は、高周波数領域においては、高周波ノイズを放出し易く、また、外部からの不要輻射ノイズ等によっても、誤動作し易い。特に、最近はスレッショルド電圧のレベル低下によってますますノイズの影響を受け易くなっている。従って、ＩＣ等のパッケージ３７の上面を覆うように、ＥＳＤ抑制シート３８を設けることによって、ＥＳＤによる誤動作や素子の破壊を防止できるとともに、不要輻射ノイズや放射ノイズに関しても、抑制することができる。
【００４８】次に、本発明の実施の形態によるＥＳＤ抑制シートについてさらに詳しく説明する。
【００４９】（試料１）磁性粉末として比表面積が０．８ｍ２／ｇの偏平状Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ粉末を作製し、下記表１の配合からなる軟磁性体ペーストを調合して、これをドクターブレード法によって成膜し、熱プレスを施した後に、８５℃にて２４時間キュアリングを行った。
【００５０】図８は得られた試料の透磁率特性を示している。この結果より、複素透磁率における虚数項である磁気損失項μ”の分布も広い領域に渡るようになり、ノイズ対策用素材として好ましい複合磁性体が得られることが判る。
【００５１】
【表１】
（試料２）ＥＳＤ抑制体として、グラニュラー磁性薄膜を、下記表２に示す条件にてスパッタ法でガラス基板上に作製した。得られたスパッタ膜を300℃にて2時間真空磁場中熱処理を施し、試料２を得た。
【００５２】得られた試料２を蛍光Ｘ線分析分析したところ膜の組成は、Fe72Al11O17であった。
【００５３】また、試料２の膜厚は2.0μｍ、直流抵抗率は、530μΩ・ｃｍ、Hkは18Oe（１４２２Ａ／ｍ）であり、Mｓは16800Gauss（１．６８Ｔ）、中心周波数で規格化したμ”の半値幅であるμ”５０は１４８％であった。試料２の飽和磁化とＭ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率の値は、72.2％であった。
【００５４】
【表２】
試料の磁気損失特性を検証するためにμ−ｆ特性を調べた。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工した検出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながらインピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項μ”の周波数特性を得た。
【００５５】図９本発明の試料２のμ”−ｆ特性を示す。これをみると、そのピークは非常に大きく、また、分散も急峻になっており、共鳴周波数も７００ＭＨｚ付近と高くなっていることがわかる。
【００５６】以上説明した本発明の実施の形態においては、ＥＳＤ抑制体を構成する複合磁性体として、金属磁性体、例えば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ粉末をポリウレタン樹脂と混合して作製した複合磁性体シートを示したが、軟属磁性粉末であるならば、フェライト、マグネタイト、Ｆｅ−Ｎｉ粉末も用いることができ、また、樹脂としては、ポリウレタン以外に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂等も用いることができ、成形できる合成樹脂であるならば、これらに限定されるものではない。
【００５７】また、本発明の実施の形態においては、ＥＳＤ抑制シートとして、薄膜磁性体をスパッタ法によって形成した例を示したが、スパッタ法以外にも、真空蒸着法によっても製造でき、さらには、イオンビーム蒸着法やガス・デポジション法などの製造方法でも良く、本発明の磁気損失材料が均一に実現できる方法であれば、製法に限定されない。
【００５８】また、ＥＳＤ抑制シートとして、薄膜磁性体をポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂等のシートの一面に形成したものも用いることができる。この場合、所望する部位に貼り付けるには、接着剤、粘着材もしくは、粘着テープで覆うことによって可能で、接着方法には限定されない。
【００５９】また、本発明の実施の形態においては、製膜後に真空磁場中での熱処理を施しているが、アズ・デポジションの膜で、本発明の性能が得られる組成あるいは製膜法であれば、実施例に記載の製膜後処理に限定されない。
【００６０】以上より、準マイクロ波帯にμ”分散を示す本発明の試料は、厚さが約５００倍の複合磁性体シートと同等の高周波電流抑制効果を示し、１ＧＨｚに近い高速クロックで動作するような半導体集積素子等のＥＳＤやＥＭＩ対策に用いる材料として有望であるといえる。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、このような高速動作する半導体素子や電子回路などにおいて、静電気放電によるノイズ対策を施すことによって、誤動作や素子が破壊されることを防止するＥＳＤ抑制シートを提供することができる。
【００６２】また、本発明の特別な技術的課題は、より体積の小さなＥＳＤ抑制体で、効果的なＥＳＤ対策ができるとともに所望する部位に容易に設けることができるＥＳＤ抑制シートを提供することにある。
【００６３】また、本発明によれば、半導体集積回路素子のような高密度集積された微少な電子回路の高周波伝導ノイズの除去に極めて有効な高周波磁気損失特性に優れた磁気損失材料とその製造方法及びそれを用いた高周波電流抑制体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の実施の形態によるＥＳＤ対策が施される部位に関する説明に供せられる斜視図である。
【図２】本発明の第1の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の説明に供せられる図である。
【図３】図３は本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例の説明に供せられる図である。
【図４】本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の他の一例の説明に供せられる図である。
【図５】本発明の第3の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図である。
【図６】図５に示されたコネクタ部分の概略を示す平面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図である。
【図８】本発明の試料１のμ”−ｆ特性を示す図である。
【図９】本発明の試料２のμ”−ｆ特性を示す図である。
【図１０】従来の静電気による起こり得る電子機器の誤動作の説明に供せられる部分断面図である。
【図１１】図１０の能動回路素子１０３の誤動作の説明に供せられる図であり、（ａ）は従来における内部ロジック動作電圧を概略的に示し、（ｂ）は最近の内部ロジック動作電圧を示している。
【符号の説明】
１ ノート型パーソナルコンピュータ（ノートＰＣ）
２ ＰＣ本体
３ａ ＬＣＤ素子
３ 表示部
４ キーボード
５ ＥＳＤ
１１ 筐体
１２，１８，２３，３２，３８ ＥＳＤ抑制シート
１３ ＦＰＣ
１４，１５，２５ 矢印
１６ 筐体
１７ 電子部品
２１ キーボード
２２ 板金（ＦＧ）部
２４ マザーボード
３１ 筐体
３３ コネクタ
３４ ケーブル
３７ パッケージ
１００ 電子機器
１０１ 金属板
１０２ 基板
１０３ 能動回路素子
１０４，１０５，１０６ 矢印
１１１，１１２ ノイズ
【特許請求の範囲】
【請求項１】 電子機器への静電気印加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であって、電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含むシート材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項２】 請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記ＥＳＤ抑制シートは前記電子機器内部のケーブルに設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項３】 請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器内部の能動素子を覆うように設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項４】 請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器の開口部付近に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項５】 請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器の筐体に設けられることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項６】 請求項５記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記筐体のシールド面又は端部に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項７】 請求項２乃至６の内のいずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記シート材は、前記軟磁性体として、金属磁性体、フェライト、及びマグネタイトの内の少なくとも一種を含むことを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項８】 請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体が合成樹脂中に粉末形状で含有された複合磁性材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項９】 請求項８記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１０】 請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＮｉ−Ｆｅ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１１】 請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体が薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１２】 請求項１１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記薄膜磁性体は合成樹脂シート上に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１３】 請求項１１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉの内の少なくとも一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）からなる磁気損失材料であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１４】 請求項１３記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損出材料のＸ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、或いは希土類元素のいづれか、もしくはそれらの混在物であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１５】 請求項１３又は１４記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散されたグラニュラー状の形態で存在する事を特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１６】 請求項１３乃至１５の内のいずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料が、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγであることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１７】 請求項１３乃至１６の内のいずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料が、スパッタ法及び蒸着法の内の少なくとも一種によって作製された薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１】 電子機器への静電気印加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であって、電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含むシート材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項２】 請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記ＥＳＤ抑制シートは前記電子機器内部のケーブルに設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項３】 請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器内部の能動素子を覆うように設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項４】 請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器の開口部付近に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項５】 請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記電子機器の筐体に設けられることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項６】 請求項５記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記筐体のシールド面又は端部に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項７】 請求項２乃至６の内のいずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記シート材は、前記軟磁性体として、金属磁性体、フェライト、及びマグネタイトの内の少なくとも一種を含むことを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項８】 請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体が合成樹脂中に粉末形状で含有された複合磁性材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項９】 請求項８記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１０】 請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＮｉ−Ｆｅ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１１】 請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体が薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１２】 請求項１１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記薄膜磁性体は合成樹脂シート上に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１３】 請求項１１記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記軟磁性体は、組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉの内の少なくとも一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）からなる磁気損失材料であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１４】 請求項１３記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損出材料のＸ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、或いは希土類元素のいづれか、もしくはそれらの混在物であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１５】 請求項１３又は１４記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散されたグラニュラー状の形態で存在する事を特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１６】 請求項１３乃至１５の内のいずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料が、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγであることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１７】 請求項１３乃至１６の内のいずれか一つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料が、スパッタ法及び蒸着法の内の少なくとも一種によって作製された薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図８】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図８】
【図１１】
【公開番号】特開２００１−３０８５７４（Ｐ２００１−３０８５７４Ａ）
【公開日】平成１３年１１月２日（２００１．１１．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０００−１２４５１１（Ｐ２０００−１２４５１１）
【出願日】平成１２年４月２５日（２０００．４．２５）
【出願人】（０００１３４２５７）株式会社トーキン (1,832)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１３年１１月２日（２００１．１１．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１２年４月２５日（２０００．４．２５）
【出願人】（０００１３４２５７）株式会社トーキン (1,832)
【Ｆターム（参考）】
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