【課題】 基地局装置と、基地局装置に収容された複数の無線端末装置と、基地局装置に接続されていて無線通信システムが持つ通信チャネルを管理する回線制御装置と、からなる無線通信システムで、接続時間を短縮する。
【解決手段】 回線制御装置は、システムの通信チャネルの各々につき使用中／空き状態を基地局装置毎に管理する第１のメモリを持ち、基地局装置は第１のメモリに記憶された空き通信チャネルの１つを予約チャネルとして記憶する第２のメモリを持ち、任意の発呼側端末装置から発せられた着信側端末装置の指定を含む接続要求に対して基地局装置は、発呼側および着信側の端末装置に対して、関連する基地局装置の持つ第２のメモリに記憶された予約チャネルを通信チャネルとして指定して端末装置との接続を確立する。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台が受けるダメージを低減し、基板載置台から発生する載置台の材料汚染を低減する。
【解決手段】 上面１０にウェハ２００を載置するサセプタ（基板載置台）１１に、筒状の周辺カバー１７を設ける。周辺カバー１７は、その上端部１７ａを内側に折り返して、ウェハ２００からはみ出すサセプタ１１の周辺部上面を覆い、その中間部で側面１４を覆うようになっている。また、周辺カバー１７の下端部１７ｂをサセプタ１１の下面１５より下方に延在させて、下面１５を間接的に覆うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
監視場所に関係する広範囲の監視情報あるいは時間の経過の監視情報が犯罪、事故あるいは災害等の原因の究明や、未然の防止に役立つ場合が多い。このような広範囲の監視情報、あるいは時間の経過の監視情報等を収集する監視カメラシステムの実現が望まれている。
【解決手段】
複数の監視カメラ装置と、複数のセンサ装置と、上記複数の監視カメラ装置および上記複数のセンサ装置が伝送路を介して接続された監視センタを具えた監視カメラシステムにおいて、上記監視センタは、制御部および記憶部を有し、上記複数の監視カメラ装置および上記複数のセンサ装置は、複数の地域にグループ分けされると共に、上記グループ分けされたテーブルが上記監視センタの上記記憶部に記憶され、上記制御部は、上記複数のセンサ装置の少なくとも１つのセンサからの異常信号を検出すると、上記制御部は、上記異常を検出したセンサが所属するグループの複数の監視カメラ装置の映像を収集するように構成される。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、基板の基板支持台への搬送位置の再現性を向上させ、基板と基板支持台との接触の不均一の要因の１つである累積膜の影響を無くし、膜厚の均一性、再現性の向上を図る。
【解決手段】
基板９を収納し処理する処理容器１と、該処理容器内で前記基板を支持する基板支持台２と、該基板支持台上方に設けられ、該基板支持台に対する前記基板の搬送位置を検知する基板位置検知センサ２９とを具備する。
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【課題】
流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】
反応室でのＣＶＤ処理と共に排気される排気ガスが排気ガス流路を有する弁箱等の固定部と排気ガス流路を開閉する弁体等の可動部とから成り、固定部に固定部用ヒータを固着した弁装置の排気ガス流路を流通する際に固定部用ヒータが固定部を加熱する。
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【課題】処理室の側壁外周面に異物が付着するのを防止する。
【解決手段】アウタチューブ３と共にプロセスチューブ１を構成したインナチューブ２は複数枚のウエハ１０を保持したボート１１が搬入される処理室４を形成しており、インナチューブ２とアウタチューブ３との下端部を気密封止したマニホールド６には排気口７が開設され、インナチューブ２には原料ガス３０を導入するガス導入ノズル２２が敷設されている。インナチューブ２のガス導入ノズル２２の反対側には排気スリット２５が開設され、インナチューブ２の外周には排気スリット２５を被覆する排気ダクト２６が突設されている。
【効果】排気スリットから排気された処理ガスを排気ダクトに流すことで、処理ガスがインナチューブ外周面に異物を生成するのを防止できるため、生成付着した異物が処理室に逆流してパーティクルになるのを未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板に熱処理を施す際に、スリップ転位欠陥の発生を防止できる基板の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板４８を反応炉３４内に搬入する搬入工程と、基板温度を処理温度まで昇温させる昇温工程と、基板４８を処理温度で熱処理する熱処理工程と、基板温度を処理温度から処理温度よりも低い温度まで降温する降温工程と、反応炉３４内から基板を搬出する搬出工程とを有し、昇温工程または降温工程の途中に基板温度を降下させる降下工程を少なくとも２回以上設けた。 （もっと読む）

【課題】ディジタル信号によりオンオフ変調されるレーザダイオード出力光の消光比を一定に保つ。
【解決手段】レーザダイオード１の出力光をフォトダイオード２によりモニタする。その
モニタ電流Ｉmonの出力光“０”レベル対応のレベルをＤＣ電流検出回路３で検出し、その検出レベルが一定となるようにレーザダイオードのバイアス電流を制御して出力光の“０”レベルを一定に保つ。又モニタ電流Ｉmonの平均電流を検出回路４により検出し、その検出レベルが一定となるように出力光の“１”レベルを制御することでオンオフ比即ち消光比を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】 電磁リレーを用いたバイパス系によっても高い信頼性と生存性が得られるようにした伝送システムを提供すること。
【解決手段】 伝送システムの二重系を切換えるための受信切換部７にリレー１０、１１を設け、そのブレイク接点１０ｂ、１１ｂにより受信切換部７をバイパスするようにしたものにおいて、リレーのコイル１０ｄ、１１ｄに印加される電圧Ｖ_R を断続させるリレー制御部２０を設け、リレー１０、１１が動作したあと、タイマ回路２１と矩形波発振回路２２、それにスイッチ回路２３により、タイマ時間Ｔの間、リレー１０、１１を矩形波信号Ｗによりオンオフさせ、可動接点１０ｃ、１１ｃを、メーク接点１０ａ、１１ａ側とブレイク接点１０ｂ、１１ｂ側で各々接触面が何度か繰り返えし擦れ合わされるようにして、リレー１０、１１の接点が清掃され、この結果、バイパス系の健全性の確保に必要なリレー接点の劣化が抑えられるようにしたもの。
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【課題】基板にキズが発生してもスリップの成長を抑制することができる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を反応炉内に搬入し、基板を支持具により支持し、支持具により支持した基板の温度を処理温度まで昇温させ、支持具により支持した基板を処理温度にて処理し、処理後の基板を反応炉より搬出させる基板の製造方法において、基板の温度を処理温度まで昇温させるステップでは反応炉内の酸素濃度を少なくとも５％以上とする。 （もっと読む）