高等植物の光合成関連タンパク質（ＰＳＩＩ活性中心Ｄ２タンパク質）の生産を促進することを特徴とする強光ストレス、高塩濃度ストレス、高浸透圧ストレス、低温等の環境ストレスに対する耐性を高める方法、その方法を用いて得られる環境ストレスに対する耐性の高い植物、及びその方法を用いる環境ストレスに対する耐性の高い植物の製造方法に関する。本発明によれば、植物の光合成機能へのダメージが回復され、強光、高塩濃度、高浸透圧（乾燥）、低温等の環境ストレスに対することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体用エッチングガスとして使用することができる高純度のＨＦＣ−４１を効率的に製造する方法およびその製品を提供する。
【解決手段】 塩化メチルとフッ化水素とを、気相で、フッ素化触媒の存在下で反応させ、フルオロメタンと塩化水素とを含む混合物を蒸留塔に導き、フルオロメタンと塩化水素とを塔頂留分として分離し、精製する。 （もっと読む）

【課題】 亀裂やピットの発生が少ない表面平坦性に優れた低抵抗のｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を提供し、それを用いて順方向電圧が低くて優れた発光効率を有すると共に、逆方向電圧が高く、静電耐圧性にも優れるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型不純物原子高濃度層およびｎ型不純物原子低濃度層からなる第１ｎ型層とｎ型不純物原子の平均濃度が該第１ｎ型層よりも小さい第２ｎ型層とからなり、第２ｎ型層が第１ｎ型層のｎ型不純物原子低濃度層に隣接していることを特徴とするｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体、および基板とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層との間に前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 材質の脆いシリコン基板においても基板端面の欠けや基板の割れが発生し難い基板を提供して、基板端面からの発塵を防止し、プロセスカセットとのこすれによる発塵を防止できる基板を提供する。
【解決手段】 基板の主表面と外周側端面との間の面取り部の長さＬが０．１±０．０３ｍｍであって、かつ主表面と外周側端面との間の面取り部とのなす角度αが４５度±５度である磁気記録媒体用シリコン基板とする。基板の主表面と外周側面取り部との間に半径０．０１ｍｍ以上０．３ｍｍ未満の曲面を介在させることもできる。 （もっと読む）

【課題】 気相法炭素繊維の製造方法において、触媒もしくは触媒前駆体の有効利用率を飛躍的に向上させ、結果として炭素繊維を安価に製造できる簡便かつ効果的な方法を提供する方法を提供する。
【解決手段】 炭素源と触媒および／または触媒前駆体化合物とを加熱帯域１で接触させることによって気相で炭素繊維を製造する方法であって、炭素源が少なくともメタンを含み、供給原料中のメタンの濃度が１５ｍｏｌ％以上１００ｍｏｌ％未満であり、且つ加熱帯域１の高温部分の温度が１１００℃〜１５００℃であることを特徴とする、気相法炭素繊維の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 比較的穏和な条件で硬化し、かつ二液に分割しなくても保存安定性の良い、アクリル系（共）重合体をベース樹脂として含む硬化性組成物およびそのベース樹脂原料となる化合物を提供する。
【解決手段】 (1)一般式（Ｉ）


〔式中の記号は明細書に記載の意味を表わす。〕で示される新規重合性ピラゾール系化合物、(2)一般式（Ｉ）で示される化合物と、分子内に水酸基、アミノ基、またはカルボキシル基を持つ重合性不飽和化合物とをモノマー成分として含む共重合体を含有する硬化性組成物、および(3)一般式（Ｉ）で示される化合物をモノマー成分とする共重合体と分子内に水酸基、アミノ基、またはカルボキシル基を持つ重合体とを含有する硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】 ポリエステル製管であって、ポリ塩化ビニル製管の接合に使用されている差し込み型配管接合方式に類似した方式が採用できる、少なくとも一方がポリエステル製管又はポリエステル製継手の接合方法およびその接合用接着剤の提供。
【解決手段】 ポリエステル製管とポリエステル製継手またはポリエステル製管とポリ塩化ビニル製継手またはポリ塩化ビニル製管とポリエステル製継手を接合する際に、継手受け口出口内径（Ｄ１）≧受け口奥内径（Ｄ２）であり、且つ管外径（Ｄ）がＤ１≧Ｄ≧Ｄ２であって、ポリウレタン系、変性シリコーン系、エポキシ系またはシリコーン系のいずれか一つ以上の成分を含む接着剤を、管および継手あるいはいずれか一方に塗布し、継手受け口に管を挿入して接着することを特徴とする少なくとも一方がポリエステル製管またはポリエステル製継手の接合方法及びそのための接着剤。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体、特に基板上に結晶性のよいＡｌＮ等のバッファ層を形成することにより、その上に積層されるＧａＮ等の結晶性の優れた半導体を得ること
【解決手段】反応容器内に基板を設置し、該基板上にIII族窒化物半導体を形成するIII族窒化物半導体の製造方法において、反応容器内に固体の窒素化合物を存在させ、その固体の窒素化合物をIII族窒化物半導体の窒素源とし、その反応容器内にIII族元素源原料ガスを供給し、前記窒素とIII族元素よりIII族窒化物半導体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 カーエアコン用エバポレータに用いた場合、通風方向上流側で風速分布が不均一になったとしても、吐気温度を均一化しうる積層型熱交換器を提供する。
【解決手段】 積層型熱交換器からなるエバポレータ１は、冷媒入口ヘッダ部３、冷媒出口ヘッダ部４および複数の中間ヘッダ部５〜11を有する。すべてのヘッダ部３〜11の中に、冷媒をその長さ方向に流しかつ冷媒流れ方向の下流端部が閉鎖された冷媒流路を有するとともに、冷媒を複数の冷媒流通管部に分流させる第６中間ヘッダ部11が存在している。冷媒入口12から冷媒入口ヘッダ部３内に流入した冷媒が、冷媒流通管部および中間ヘッダ部５〜11を通って冷媒出口ヘッダ部４に流入し、冷媒出口13から送り出される。第６中間ヘッダ部11内に、その長さ方向に伸びる冷媒流路を遮断する抵抗板部38を設ける。抵抗板部38に冷媒流路内を流れる冷媒に抵抗を付与する抵抗穴36を形成する。 （もっと読む）

【解決課題】
フッ素ガスを発生できるフッ化マンガンを、昇華・凝結というプロセスを経ることなく、低温および低圧の条件および簡易な方法で、安価で大量に製造する方法を開発すること。
【解決手段】
本発明のフッ化マンガンの製造方法は、１００℃以上の温度で乾燥させたＭｎＦ₂など
のマンガン化合物と、Ｆ₂などのフッ素化剤とを５０〜２５０℃で反応させる工程（１）
、および該工程（１）により得られた生成物とフッ素化剤とを、さらに２５０〜４５０℃で反応させる工程（２）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）