【課題】 成膜装置において、ハースの消耗部分を容易に交換可能なハース機構及びハース交換装置を提供する。
【解決手段】 ハース機構２は、ハース２ａ、基礎部材２ｂ、及びカバー２ｃを備える。ハース２ａは、成膜材料Ｍａを挿通させるための貫通孔２１ａを有するハース基部２１と、ハース基部２１の貫通孔２１ａと連通して成膜材料Ｍａを挿通させるための貫通孔２２ａを有し、ハース基部２１上に載置されたハース先端部材２２とに分かれて構成されている。プラズマＰによる消耗はハース２ａの先端に主に発生するので、消耗したハース先端部材２２をハース基部２１から取り除き、交換用のハース先端部材２２をハース基部２１上に載置することにより、容易にハース２ａの消耗部分を交換できる。 （もっと読む）

【課題】 可動部分に直接冷媒を供給することなく、可動部分の温度を高精度に調節することが可能な温調機能付きステージを提供する。
【解決手段】 基準ベース（２）がＸＹＺ直交座標系の基準となる。基準ベースに第１のテーブル（１０）が支持されている。Ｘ移動機構（２１、２２）が、Ｘテーブル（２０）を、Ｘ方向に移動可能に、第１のテーブルに支持する。Ｘテーブルに保持機構（５０）が支持されている。保持機構は、対象物（５１）を保持してＸテーブルと共にＸ方向に移動する。温調機構（６０、６１）が第１のテーブルの温度を調節する。第１のテーブルが、ＸＹ面に平行な第１の受熱表面（１０Ｂ）を含み、Ｘテーブルが、第１の受熱表面に間隙を隔てて対向する第１の放熱表面（２０Ｔ）を含む。Ｘ移動機構は、ＸＹ面内方向に関して、前記第１の受熱表面と第１の放熱表面とが重なる領域よりも外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 パルスレーザを用いたアニール方法を発展させ、欠陥の発生を抑制することが可能なアニールに用いられるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のパルスレーザ光源が、それぞれ第１及び第２のパルスレーザビームを出射する。ステージが、アニール対象物を保持する。伝搬光学系が、第１及び第２のパルスレーザビームを共通の経路に沿って伝搬させ、ステージに保持されたアニール対象物に入射させる。第１及び第２のパルスレーザビームの入射位置が、アニール対象物の表面上を移動するように、移動機構が、第１及び第２のパルスレーザビームの伝搬経路及びアニール対象物の少なくとも一方を他方に対して移動させる。第１のパルスレーザ光源が、第１の周波数で発振し、第２のパルスレーザ光源が、第１の周波数の２倍以上の整数倍の第２の周波数で発振するように、制御装置が、第１及び第２のパルスレーザ光源を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ＲＩ化合物合成装置としての品質を十分に確保すること。
【解決手段】 ＲＩ化合物合成装置１をＲＩ／ＲＩ化合物の通る第１集合２とＲＩ／ＲＩ化合物の通らない第２集合３とに分け、第１集合２が収容される第１箱４を放射線遮蔽物により密閉構造とし、作業者が試薬を充填する際には、ＲＩ／ＲＩ化合物が通らない部品の充填口が収容されている第２箱５の扉７を開閉し、開閉の際に、第１箱４を放射線遮蔽物により密閉状態に維持し、放射線漏れを防止する。また、第１箱４を放射線遮蔽物により密閉構造とすると共に給排気手段８，９，１０により第１箱４にクリーンガスを給気しこの箱４内のガスを排気し、第１箱４内をクリーン環境に維持して異物の混入を防止し、且つ給気手段１１，１２により第２箱５にクリーンガスを給気し、第２箱５内をクリーン環境に維持して、充填口を通しての異物混入を防止し、もってＲＩ化合物の汚染を防止する。 （もっと読む）

【課題】 良質で圧壊の生じるおそれが低いＳｉＯタブレットを量産性高く製造する。
【解決手段】 一次焼成済みのＳｉＯタブレットを、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で二次焼成する。或いは、ＳｉＯ粉末を加圧成形した後、大気炉で１０００℃未満の温度で一次焼成し、一次焼成物を、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で二次焼成する。或いは、ＳｉＯ粉末を加圧成形した後、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】トランスファ成形装置において、成形品の離型時に生じる成形品の撓みを低減し、成形品の破損を防止すると共に、封止精度を向上させる。
【解決手段】上金型１１１と下金型１１４を合わせてできるキャビティ空間Ｃと、このキャビティ空間Ｃに成形材料を充填可能とするトランスファ機構１７０と、成形後の成形品を離型させるためのエジェクタ機構と、を備えたトランスファ成形装置において、キャビティ空間Ｃの、被成形品が配置される成形部１２３には、該成形部１２３に突出可能な第１のエジェクタピン１２１ａを配設し、前記成形部１２３への成形材料の通路となるランナ部１２４には、該ランナ部１２４に突出可能な第２のエジェクタピン１２１ｂを配設し、第１のエジェクタピン１２１ａの突出タイミングと第２のエジェクタピン１２１ｂの突出タイミングとを調整可能な調整機構を備える。 （もっと読む）

【課題】 ウィンドウの汚染が、より生じにくいレーザ発振器を提供することである。
【解決手段】 レーザ媒質ガスを収容するベッセルに、フロントウィンドウホルダ及びリアウィンドウホルダが取り付けられている。フロント及びリアウィンドウホルダの先端の開口部を、フロント及びリアウィンドウが塞ぐ。一対の反射鏡を有する光共振器の、フロントウィンドウ側の反射鏡が部分透過鏡とされ、リアウィンドウ側の反射鏡が全反射鏡とされている。ベッセル内からレーザ媒質ガスを取り出し、フロントウィンドウホルダ内の空間及び前記リアウィンドウホルダ内の空間に戻すガス循環流路が取り付けられている。清浄化装置が、ガス循環流路内を流れるレーザ媒質ガス中の不純物を除去する。フロントウィンドウホルダ内の空間に流入するレーザ媒質ガスの流量が、リアウィンドウホルダ内の空間に流入するレーザ媒質ガスの流量よりも大きくなるように、流量比調整器が流量比を調整する。 （もっと読む）

複数のバルブを有するロータリディスクバルブを含むロータリディスクバルブユニット及び冷凍機であって、少なくとも１つのロータリバルブは、蓄冷器に接続するポートを有し、少なくとも１つのロータリバルブは、１つ以上のパルスチューブに接続するポートを有し、蓄冷器用のポートを備えるロータリバルブは、パルスチューブ用のポートを備えるロータリバルブよりも軽い接触を有する。バルブ面は、パルスチューブ用のポートを備えた内側領域と、蓄冷器用のポートを備えた外側領域とに分割され、内側領域が外側領域よりも大きいシーリング圧を有する。
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【課題】 低コスト化及び信頼性の向上が図られると共に、反応の安定化及びＲＩ化合物の高純度化が図られるＲＩ化合物合成装置を提供する。
【解決手段】 反応器１６に導入するための複数の試薬を各々供給する各経路Ｌ６〜Ｌ１０と、これらの経路Ｌ６〜Ｌ１０を集合し選択的に切り換える切換弁Ｖ４，Ｖ５と、この切換弁Ｖ４，Ｖ５で切り換えられた経路Ｌ６〜Ｌ１０の試薬を反応器１６に導く共通経路Ｌ４，Ｌ５と、を備える組を、複数の試薬を無機物とする組３と有機物とする組４とに分けることで、経路、弁の個数を低減しつつ、切換弁Ｖ４，Ｖ５及び共通経路Ｌ４，Ｌ５での無機物と有機物との混合を無くし反応の阻害や不純物の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】 意匠面を効率的に冷却できるとともに、意匠面に形成された成型パタンの成型材料への転写時に、意匠面を所望の温度以上に保つことが容易な成型装置を提供する。
【解決手段】 成型装置は、断熱部材と、断熱部材の表面の一部の領域上に配置され、断熱部材の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成され、断熱部材側とは反対側を向く表面に、成型用のパタンが形成された意匠面を含む伝熱部材と、伝熱部材の内部側から、伝熱部材の意匠面側の表層を加熱するヒータと、断熱部材と意匠面との間に配置され、伝熱部材との間で熱交換を行う熱媒体を流す流路とを有する。 （もっと読む）