【課題】 配向性が制御され、特性の良好な強誘電体を形成することができる強誘電体膜の形成方法および強誘電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明の強誘電体膜の形成方法は、複合酸化物の原材料体２０を結晶化する工程を含み、
初期核を形成するための第１の熱処理を行う工程と、
結晶成長をさせるために、前記第１の熱処理と比して低い温度である第２の熱処理を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面にある有機物をプラズマによって、均一に分解、除去することができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、印加電極１５に電圧を印加して処理ガスＧ１を活性化させることによりプラズマが発生するプラズマ発生領域Ｐ内に、基板Ｗを進入させて、基板Ｗの表面にある有機物を分解、除去する処理方法である。このプラズマ処理方法では、基板Ｗの表面における有機物と同様の有機物が表面にあるダミー基板Ｄを、基板Ｗの進入方向に対して、基板Ｗの前方に置き、基板Ｗにおけるプラズマ発生領域Ｐ内への進入に先立って、ダミー基板Ｄをプラズマ発生領域Ｐ内に進入させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体可変容量コンデンサにおいて、容量値の調節を容易にするとともに、容量可変範囲を大きくする。
【解決手段】 シリコン基板１内に隣接して形成されたＰ型領域２とＮ型領域３のうちＰ型領域２の上面に、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極５を形成する。そして、Ｐ型領域２およびＮ型領域３間に加える逆バイアスと、ゲート電極５に加える正の電圧とを制御して空乏層６の幅を調節することで、半導体可変容量コンデンサの容量値を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 材料の無駄を軽減しつつ、１回転写であって薄膜装置への配線工程を簡略化可能な薄膜装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 転写元基板（１００）上に、所定のエネルギ付与によって剥離する特性を有し、かつ、導電性を呈する剥離層（１０２）を形成する工程、剥離層上に薄膜装置を含む被転写層（１１０）を形成する工程、被転写層の一方の面に接着層（１２０）を介して転写先基板（１２２）を接合する工程、剥離層（１０２）にエネルギを付与して転写元基板（１００）と剥離層（１０２）との間に剥離を生じさせ、剥離層とともに被転写層を転写先基板（１２２）に転写する工程、及び転写先基板に転写されて露出した剥離層（１０２）をパターニングして、薄膜装置と電気的に接続された配線層（１０２ａ〜ｄ）を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 転写技術を利用して高密度実装及び薄型化が可能な薄膜装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 転写元基板（１００）上に、所定のエネルギ付与によって剥離する第１剥離層（１０２）を介して薄膜装置を含む被転写層（１１０）を形成する工程、被転写層を仮転写基板（１１６）に接合する工程、エネルギを付与して第１剥離層（１０２）に界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板（１００）を被転写層（１１０）から剥離する工程により、仮転写基板（１１６）に被転写層（１１０）が接合された積層構造を一対形成し、転写先基板（１２０）の両面に、一対の積層構造の被転写層（１１０）をそれぞれ接着する工程、及び被転写層の各々から仮転写基板（１１６）を分離する工程を備えることにより、転写先基板（１２０）の両面に各被転写層（１１０）を転写する。 （もっと読む）

【課題】 基板加熱温度の制限範囲を逸脱することなく製造コストの低減を実現できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された半導体層と電極部材とを具備した薄膜トランジスタの製造方法であって、前記基板上に前記半導体層を形成した後に行われる前記電極部材を形成する工程が、液相法を用いて金属材料からなる前記電極部材を形成する工程であり、当該工程における前記電極部材の焼成温度が２５０℃以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子部品から発生する電磁波が、他の電子部品に悪影響を与えることを防止することができる電子部品の電磁波遮蔽構造及び、その電磁波遮蔽構造を備えた記録装置を提供する。
【解決手段】 導電性のシールドプレート１１で覆われた基板１４上に、電磁波を発生する電子部品７ａが実装される電子部品の電磁波遮蔽構造において、電子部品７ａは、シールドプレート１１及び電磁波を遮蔽可能な導電性の電磁波遮蔽手段１０により覆われた。これにより、電子部品７ａから発生する電磁波が、他の電子部品６ｂ及び６ｃに悪影響を与えることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 微細ピッチの導体パターンを効率良く、しかも低コストで形成することができ
る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、基板１２０上に被覆膜１６０を配置する
第１工程（ａ）と、被覆膜１６０を部分的に除去して開口部１６０ａを設ける第２工程（
ｂ）と、導電性微粒子を含む流動材１７２を被覆膜１６０及び開口部１６０ａに塗布して
開口部１６０ａに充填する第３工程（ｃ）と、流動材１７２を硬化させて導電体１７４を
形成する第４工程（ｄ）と、被覆膜１６０基板１２０上から除去する第５工程（ｅ）と、
を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制すると共に、転送残りを生じさせない。
【解決手段】基板１ａ内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子ＰＤと、基板１ａ上にゲート絶縁層５を介して形成された転送ゲート４と、転送ゲート４に所定の電位を印加することによって光電変換素子ＰＤから転送された光発生電荷を保持する電荷保持領域６と、
電荷保持領域６とゲート絶縁層５の間に形成された埋込層９と、転送ゲート４に所定の電位を印加することによって電荷保持領域６から転送された光発生電荷を蓄積するフローティングディフュージョンＦＤと、を含む固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】転送残りの少ない固体撮像装置の提供。
【解決手段】入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子ＰＤと、前記光電変換素子に隣り合って配置され、前記光発生電荷を保持するフローティングディフュージョンＦＤを含み、そこに保持された光発生電荷に基づく出力を出力する出力部と、前記光電変換素子において発生した光発生電荷の前記フローティングディフュージョンへの転送を制御すると共に、前記光電変換素子からの光発生電荷を保持可能な電荷保持領域を有する転送及び保持手段ＴＴ，ＴＣＰと、前記光電変換素子、出力部及び転送及び保持手段に対応した島部分を有し、前記光電変換素子から前記フローティングディフュージョンへの前記光発生電荷の転送経路に沿う方向には前記光電変換素子に向かって前記島部分の対向する辺同士の間隔が短くなるように構成された素子周辺不純物領域８と、を含む固体撮像装置。 （もっと読む）