説明

株式会社東芝により出願された特許

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【目的】信頼性の高いメッキAuをノンシアンプロセスにより形成できる構造を有する半導体装置を提供すること。
【構成】GaAs基板1上に形成された電解メッキ用の下地金属層4と、この下地金属層4上に形成されたドライエッチングにより除去可能な厚さのAu薄膜4と、このAu薄膜5上に電解メッキにより形成されたメッキAu層7とを備えている。 (もっと読む)


【目的】 反射率が大きく、選択波長の変更も可能な光ファイバー型回折格子を提供する。
【構成】 低分子化合物を分散させたポリマーまたはポリシランからなるコアを具備した光ファイバー構造をなし、光の照射によりコアに周期的な屈折率変化を与えて回折格子が形成される。 (もっと読む)


【構成】第1及び第2の電極3、4と、これら第1及び第2の電極3,4に対してそれぞれ単一電子トンネル接合6を介して接続され、電子スピンの方向が揃った第3の電極5と、この第3の電極5に対して絶縁膜8を介して接続され、該第3の電極5及び絶縁膜9とともにキャパシタを構成する第4の電極10とを具備したことを特徴とする単一電子トンネリング素子。
【効果】本発明によって、電子がトンネルする際に電子のスピンの自由度に対する情報も含んだ形で、電流一電圧特性を引き出す事が可能になり、電子一個から究極の情報を取り出し、更にその特性を用いて多種類の演算を可能にする基本素子を提供することができる。 (もっと読む)



【目的】 使用場所や方法の規制を受けることなく、塵埃等を十分に除去することができる実装プリント基板の再生方法を得る。
【構成】 アルコール水溶液で洗浄した実装プリント基板に窒素ガスを吹きつけ、さらに基板上に残留するアルコール水溶液を除去するために乾燥させる。 (もっと読む)


【目的】本発明は、ディッシングを抑制し、ポリッシング処理後に残留する研磨粒子を充分に除去でき、良好に膜の平坦化、埋め込み金属配線形成等を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】凹凸部を有する基板21の少なくとも凸部に、被加工膜25の材料より研磨速度が遅い材料からなる耐研磨性膜24を形成する工程、前記耐研磨性膜24上に前記被加工膜25を形成する工程、並びに前記耐研磨性膜の厚さ以下の粒径を有する研磨粒子27を含む研磨剤を用いて前記被加工膜25を研磨する工程を具備することを特徴としている。 (もっと読む)


【目的】 非水電解液を改良することにより高温性能、貯蔵性能、レート特性およびサイクル寿命の優れたリチウム二次電池を提供することを目的とする。
【構成】 正極と、リチウム金属、それぞれリチウムイオンを吸蔵・放出する炭素質物質、カルコゲン化合物または軽金属を含む負極と、非水電解液とを具備したリチウム二次電池において、前記非水電解液は、エチレンカーボネートおよびプロピレンンカーボネートから選ばれる少なくとも1種以上の溶媒10〜80体積%とジエトキシエタン、鎖状カーボネートおよびアセトニトリルから選ばれる少なくとも1種以上の溶媒20〜90体積%とを混合した非水溶媒に式Li(Cn2n+1Y)2 N(ただしXはハロゲン、nは1〜4の整数、YはCO基またはSO2 基を示す)で表されるイミド系リチウム塩を0.1〜3モル/l溶解した組成を有することを特徴としている。 (もっと読む)


【目的】被保護装置に保守監視表示情報を記憶する機能および伝送機能を設けなくても遠隔保守監視を行えると共に、表示画像情報の必要な部分のみを遠隔地より中央に送信して伝送時間を短くする。
【構成】キーボード等の入力装置7より入力信号を入力して操作され、その RGB信号による画像情報を表示装置2に表示させる遠隔地の被保守装置1に対応させて画像区分処理装置Aを設け、また中央には合成画像発生装置B、画像情報記憶装置12および画像区分要求を入力する入力装置13を設け、且つ画像区分処理装置と合成画像発生装置との間を通信回路により接続する構成とし、画像区分処理装置は中央から画像区分要求があると表示装置に表示される RGB信号による画像情報をその要求により区分し、その情報を通信線を通して中央に伝送し、合成画像発生装置はその区分画像情報と画像情報記憶装置に記憶された各種の画像内容とを合成して表示させる。 (もっと読む)


【目的】 できるだけ計算速度を高め且つ客観的に評価するのに十分な正確さをもった音響シミュレーション方法及び音の伝わり方を視覚的にわかりやすく表示をおこなう音響シミュレーション装置を提供すること。
【構成】 3次元モデルが配置された環境空間において、一つ又は複数の音源の位置と音の強さ、一つ又は複数の受音点の位置及び音環境に影響を及ぼす反射面を指定する手段と、前記音源から直接、または前記反射面で反射されて前記受音点までに至る経路及びその距離を算出する手段と、この距離と反射があった前記反射面の反射率により前記受音点における音の強さを計算する手段と、該算出された各経路を介して受音点に到達する音の強さを加算する手段とにより前記受音点における音の強さを決定している。 (もっと読む)


【目的】 半導体素子と配線層を接合するための接合部材の内部における熱抵抗を低減することにより、放熱性能の低下を防止することが可能な電子部品を提供すること。
【構成】 シリコンあるいはセラミックにより形成された基板5と、この基板5上に形成される絶縁体及び導体からなる配線層4と、この配線層4を貫通して設けられる熱伝導性材料からなる柱状部材(サーマルビア)7と、前記配線層4上に接合部材であるマウント材2を介して接合される半導体素子1を有してなる電子部品であって、前記マウント材2の内部の前記サーマルビア7の端部近傍に熱伝導性部材8が設けられていることを特徴とする電子部品。 (もっと読む)


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