【目的】 永久磁石形モータにおいて、永久磁石及び回転子の製造性を向上でき、しかも駆動効率などの性能の向上も図る。
【構成】 回転子２３における回転子鉄心２５に組み込まれる各永久磁石２７を断面が円弧状となるように形成すると共に、これら各永久磁石２７を、回転子鉄心２５に凸部２７ａ側が内側を向くように配置する。回転子鉄心２５において、永久磁石２７の凹部２７ｂ外面と回転子鉄心２５外周面との間の寸法を大きくでき、その部分の機械的強度を確保できるので、回転子鉄心２５の加工が容易となる。また、回転子鉄心２５に永久磁石２７となる磁石素材を組み込んだ状態で着磁するようにした場合、永久磁石２７の端部まで良好に着磁できるようになる。 （もっと読む）

【目的】 ＭＯＳＦＥＴの微細化を図ることができる半導体装置を提供する。
【構成】 基板上に形成された配線層１０８と、配線層１０８上に積層させて形成されたｎ^＋層１０９、ｐ⁻層１０９ｂおよびｎ^＋層１０９ｃからなる第１ＭＯＳＦＥＴ基板部１０９と、配線層１０８上に積層させて形成されたｐ^＋層１１０ａ、ｎ⁻層１１０ｂおよびｐ^＋層１１０ｃからなる第２ＭＯＳＦＥＴ基板部１１０と、第１ＭＯＳＦＥＴ基板部１０９の側面および第２ＭＯＳＦＥＴ基板部１１０の側面に、互いに対向するように設けられた、第１絶縁膜１１１ａおよび第２絶縁膜１１１ｂと、第１の絶縁膜１１１ａおよび第２の絶縁膜１１１ｂと接するように堆積された導電性材料からなるゲート電極１１３と、第１ＭＯＳＦＥＴ基板部１０９の上面および前記第２ＭＯＳＦＥＴ基板部１１０の上面にそれぞれ設けられた配線１２１〜１２４とを備える。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、スタックト型キャパシタ形成プロセスの短縮を目的とする。
【構成】 拡散層４を有する半導体基板１上に層間絶縁膜６を堆積し、この絶縁膜６上に第１のマスクパターンを形成し、このパターンを用いて前記層間絶縁膜６をエッチングして前記拡散層４上に接続孔７を形成する工程と、この接続孔７の内部及び開口部周囲に第１の導電膜８を選択的に形成する工程と、この第１の導電膜８上にキャパシタ絶縁膜９を形成する工程と、全面に第２の導電膜１０を堆積する工程と、この第２の導電膜１０上に第２のマスクパターンを形成し、このパターンを用いて前記第２の絶縁膜をエッチングして電極パターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】この発明は、耐湿性および放熱性を大幅に向上させる。
【構成】エポキシ系からなる多層配線構造の基板11に複数のピン12を設け、これらピン12の先端を前記基板11の下から突出させている。この基板11の中央部に開口部11a を設け、この開口部11a に例えば銅からなる放熱板13を設けている。この放熱板13の下に導電膜であるペ−スト14を介して半導体チップ15を設け、この半導体チップ15をボンディングワイヤ16により前記基板11と電気的に接続させている。この基板11の上面且つ放熱板13の縁部にポリイミド系の樹脂17を塗布し、前記基板11の上面と側面、放熱板13の下面、半導体チップ15およびボンディングワイヤ16を樹脂18により封止している。すなわち、基板11の上面において、樹脂18と放熱板13との間にポリイミド系の樹脂17を塗布している。従って、半導体装置の耐湿性を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【目的】複合回路基板構造を採用することにより、高い放熱性および高い信号伝搬速度という回路基板に要求される二つの特性を満足させ、同時に層間剥離の問題をも解決した回路基板を提供すること。
【構成】基板ベース１と、該基板ベース１上に形成されたＡｌＮ、ＢＮ、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン、ＢｅＯ、ＳｉＣの少なくとも一種からなり、且つ気孔率が体積分率で５〜７０％の誘電体薄膜３，５，７と、配線金属膜２，４，６，８とを具備する配線基板。配線金属膜２、４、６、８は、コンタクトホール９、１０，１１を介して相互に層間接続されている。 （もっと読む）

【目的】 高速動作が可能でかつ高密度で信頼性の高い多層配線基板、及びこの多層配線基板を具備する半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】 基板と、第１の方向に走行するストライプ状の電源配線または接地配線からなる第１の配線層と、この第１の配線層の上又は下に絶縁層を介して形成された、第２の方向に走行するストライプ状の信号配線からなる第２の配線層とを具備し、前記第１の方向と第２の方向とはねじれの位置にあることを特徴とする多層配線基板。 （もっと読む）

【目的】文字情報を効率的に符号化することを目的とする。
【構成】２は入力した文字などの副画像信号をランレングス符号化などにより符号化する副画像符号化器である。５は符号化された各信号を合成し記録データとして記録媒体１に出力するマルチプレクス回路である。６は再生信号を分離するデータ分離回路である。７はデータ分離回路６から出力された副画像信号を復号化する副画像復号化器である。１０は主画像復号器８にて復号化を行う際、画像を一時的に記録するためのフレームメモリ１０である。１１は復号化した副画像の輪郭を処理する輪郭処理回路である。１２は主画像復号器８および輪郭処理回路１１からの出力データを重畳し、映像信号として出力するデータ重畳回路である。 （もっと読む）