【目的】 高感度の全反射吸収測定装置装置を提供すること。
【構成】 赤外分光全反射吸収測定法の内部反射エレメントとして赤外光ファイバ１７使用する。ファイバの一部を収容する導入口１１と排出口１２を有する測定セル４を恒温槽３内に配置し、フーリエ変換赤外分光光度計本体２の赤外光出射部と赤外光ファイバの一端１７Ａ、およびファイバの他端１７Ｂと赤外検出器５をライトガイド７，８でそれぞれ接続し、データ処理装置６を本体と赤外検出器に接続する。赤外光出射部および赤外検出器５に対するライトガイド７，８の相対的位置をそれぞれ微動位置合わせ装置９，１０で調節する。ライトガイドを赤外光ファイバで構成してもよい。さらに、搬送系１３、排出処理系１４、パージ系１５、真空系１６を接続する。 （もっと読む）

【目的】 ５００kHz 以上の高周波領域で絶縁性に優れたＭｎ−Ｚｎ系フェライト焼結体等の酸化物磁性材料とその製造方法を提供する。
【構成】 Ｍｎ−Ｚｎ系焼結体表面に、有機物のプラズマ重合反応により生成された有機高分子被膜は、化学的または物理的に相互作用し得る官能基からなる中間層を介して該焼結体表面に形成できる。この磁性材料の製造方法は、有機物蒸気の存在下のグロー放電中に該焼結体を通し、前記プラズマ重合反応により焼結体表面に成膜後、前記有機物の熱分解温度以下で熱処理する。また成膜前に該焼結体を有機物蒸気と化学的または物理的に相互作用し得る官能基を有する溶剤に浸漬後加熱乾燥して中間膜を形成する前処理工程を含むことも可能である。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、現用装置と予備装置により構成される二重化システムの各々に接続されて、システムデータの収集および監視等を行なうデータ収集用インタフェース装置に関し、プロセッサにかかる負担を軽減させ、データ収集用インタフェース装置の処理能力の低減を防ぎ、現用装置および予備装置の両方からのメモリアクセスデータが大量に発生した場合においても、プロセッサ処理の輻輳を避け、正常な処理を行なえるようにすることを目的とする。
【構成】 データ収集処理を施すデータ処理部２と、現用装置３，予備装置４とデータ処理部２との間に介装され現用装置３および予備装置４からのアドレス／データ／制御信号とメモリアクセス時に有効となるＲＵＮ信号とを受け、ＲＵＮ信号から先着のＲＵＮ信号系の装置を現用系とみなして現用系のメモリアクセスデータのみを識別して選択する現用系識別部１とを設けるように構成する。 （もっと読む）

【目的】 磁界印加型の高周波プラズマ処理装置を用いて、エッチングを行うときのゲート・リーク等のプラズマ・ダメージの発生を低減する。
【構成】 基板電極１１に高周波電界を印加してプラズマを発生させ、さらにこのプラズマに電磁石ユニット１３より磁界を印加してその基板電極１１上に置かれた試料ウエハ１８のエッチングを行うプラズマ処理装置において、印加磁界の基板電極１１上の試料ウエハ１８上での強度分布の傾きを零にするように構成する。これにより、エッチングを行うときのプラズマ・ダメージを、エッチング速度とその均一性を確保しながら、低減することができる。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、入力された通信サービス四級仕様から生成されるプロトコルを未定義受信、デッドロックを含まないプロトコル変換の完全化を行うことができ、プロトコル設計者の業務負担を軽減できるプロトコル完全化システムを提供することである。
【構成】 本発明は、通信サービス要求仕様群101 とプロトコル合成手段102 、により自動生成されたプロトコル103 を生成し、要求外動作探索手段104 により要求外動作を検出すると、プロトコル変換規則107 等に従ってプロトコルにイベントを付加する手段106 により完全化されたプロトコル108 を生成する。 （もっと読む）

【目的】ユーザセルの占有帯域、ＡＴＭ（Asynchronous Transfer Mode）通信装置内で閉じて使用する監視制御セルの占有帯域、および、ネットワーク管理用監視制御セルの占有帯域のそれぞれを厳密に管理し、ユーザセルの欠落を防止する。
【構成】非同期転送モードでセルを転送し、ＡＴＭ伝送路に接続するＡＴＭ通信装置において、監視制御情報をセルとして挿入する監視制御セル挿入回路を有し、前記監視制御セル挿入回路は、複数のＡＴＭ通信装置間にわたるネットワーク管理情報を送受するための第１の監視制御セルを生成して出力する第１の監視制御セル出力手段と、該ＡＴＭ通信装置において利用する第２の監視制御セルを生成して出力する第２の監視制御セル出力手段と、第１の監視制御セル出力手段および第２の監視制御セル出力手段に対して出力を指示して管理する出力管理手段とを有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、長期信頼性の高い高入力光ファイバ及びその母材の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明は、コア及び該コアを囲むクラッドとからなる光ファイバであって、前記コア及びクラッドのドーパント濃度が光ファイバ軸方向に変化しており、且つコアの最大屈折率で規格化した相対屈折率分布が光ファイバ軸方向の任意の位置における断面内で常に一定とするもので、光ファイバ軸方向にドーパント濃度を変えることにより、誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を高くし、光ファイバに入射出来る光を強くすることができ、この結果、伝送距離を大幅に伸ばすことが可能となる。 （もっと読む）

【目的】 ハードウェア構成を著しく小規模にする。
【構成】 ｎ個の伸長モジュール２１₁ 〜２１_n が直列に接続され、信号発生器２２から周波数１／（２Δｔ）の制御信号がモジュール２１₁ へ供給されると共に、ｎ−１個の直列接続された（１／２）分周器２３₁ 〜２３_n-1 へ供給される。分周器２３₁ 〜２３_n-1 の各出力がモジュール２１₂ 〜２１_n にそれぞれ制御信号として供給される。各モジュール２１₁ 〜２１_n では入力パルス列が光スイッチ２４でパルスごとに交互に光ファイバ２５，２６に振り分けられ、各光ファイバ２５，２６の出力光パルスは光結合器２７で合成される。各モジュール２１₁ 〜２１_n はそれぞれ入力された前記制御信号でその光スイッチ２４が制御される。ｍ段目のモジュール２１_m では光ファイバ２５，２６の遅延時間差は（２^m−１）（ｋ・２ⁿ −１）Δｔ（ｋは正整数）とされている。パルス間隔がΔｔのＮ個のパルスよりなる光パルス列１１が、先行光パルス列に対し十分遅れて初段モジュール２１₁ に入力され、モジュール２１_n の出射光パルス列のパルス間隔はｋ２ⁿ Δｔとなる。 （もっと読む）