【課題】封止部材から露出する基板の露出面を用いた放熱経路の放熱性を高め得る半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】環状部２２が形成されたリードフレーム２０が用意されて、露出面１６が環状部２２の内方から露出するように回路基板１１がリードフレーム２０に組み付けられるとともに、これら回路基板１１およびリードフレーム２０が接続される。そして、環状部２２をモールド成形型６０の壁面６１に押し当てて露出面１６を密閉した状態で当該モールド成形型６０内に封止用材料を注入することで、露出面１６を除き回路基板１１およびリードフレーム２０がモールド樹脂３０により封止される。そして、露出面１６に対して、接着剤５１を介在させた状態で放熱板４０が取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】駆動応答性を向上可能な電磁駆動装置１０及びそれを備えた電磁弁１の提供。
【解決手段】可動コア２２を有する可動体２０と、可動コア２２を往方向Ｄｇと復方向Ｄｒとに移動自在に収容する収容部３２と、可動コア２２を往方向Ｄｇへ吸引する吸引部３４とを有する固定コア３０と、収容部３２の外周側に、磁束ＭＦを発生するコイル７０と、リングコア５０とを備え、可動コア２２の外周部２２ａに設けられる非磁性の軸受５４と、リングコア５０が、コイル７０の発生磁束ＭＦを収容部３２及び可動コア２２を通して吸引部３４へ受け渡すことにより可動コア２２が吸引部３４に吸引駆動され、軸受５４が外周側の収容部３２に摺動支持されることにより、当該収容部３２と可動コア２２との間に磁気ギャップ６０が形成され、可動体２０の移動範囲の全域において、リングコア５０の内周側には、磁束ＭＦが通過可能に磁気ギャップ６０が確保される。 （もっと読む）

【課題】従来のケース等における課題を解決できるケース、電子部品の保持構造、及び電子部品の保持方法を提供すること。
【解決手段】本発明のケース１は、電子部品１７を保持するケース１であって、上面に設けられた開口部２と、側面５の内側に設けられたケース側電極１５と、底面３に設けられた孔１３と、を有することを特徴とする。前記孔１３は、前記開口部２の方向から見たとき、前記ケース側電極１５と重複する位置にあることが好ましい。本発明の電子部品の保持構造は、上述したケース１と、前記ケース側電極１５と接続する電子部品側電極１９を備え、前記ケース１に収容された電子部品１７と、前記ケース１の内部において、前記電子部品１７を覆う樹脂充填材と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板の一表面に一対のランドを設けてなる電子装置において、回路基板の高密度化に適した構成であって、未実装状態における一対のランド間の静電気伝導を防止できる構成を実現する。
【解決手段】回路基板１０と、回路基板１０の一表面に電気的に独立して隣り合うように設けられた第１のランド２１および第２のランド２２と、を備える電子装置において、第１のランド２１および第２のランド２２の外側には、これら両ランド２１、２２間の距離Ｌよりも近い位置に、当該両ランド２１、２２とは離れつつ電気的に独立した表面配線としての露出したダミー配線パターン３２が設けられ、このダミー配線パターン３２と、当該両ランド２１、２２のいずれか一方との間で発生する静電気は、ダミー配線パターン３２を介して逃がされるようになっている。 （もっと読む）

【課題】斜めイオン注入を行わなくても、外周耐圧構造を形成でき、かつ、高いドレイン耐圧が得られるようにする。
【解決手段】凹部１６の底面に形成されたＰ型領域１８と、トレンチ１３内に配置されたＰ⁺型層１５、および、凹部１７の底面に形成されたＰ型領域１９とによってＰ型リサーフ層２０を構成することで電界緩和構造とする。Ｐ型リサーフ層２０がトランジスタセル領域Ｒ１の周囲を囲むような構成とされることから、外周耐圧構造領域Ｒ２に延びる電界をさらにトランジスタセル領域Ｒ１の外周側に延ばすことが可能となり、ブレークダウン位置を凹部１７の底面におけるＮ^-型ドリフト層２にシフトできるため、電界緩和を行うことが可能となる。したがって、ドレイン耐圧を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】放熱基板の反りを抑制し、接続不良・放熱性の悪化を回避可能な半導体モジュール構造を提供する。
【解決手段】放熱基板１２〜１５を各リードフレーム９〜１１に接続した構造にすると共に、半導体チップ７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂをリードフレーム９〜１１に対して直接接続し、放熱基板１２〜１５の導体部１２ａ〜１５ａを介して接続される構造としない。これにより、導体部１２ａ〜１５ａを分割されていないベタ構造とすることができる。したがって、高温とされる樹脂封止の後などに高温から室温に低下させる際に放熱基板１２〜１５に反りが発生することを抑制することが可能となる。よって、半導体チップ７ａ、７ｂとリードフレーム９〜１１との間の接続や、リードフレーム９〜１１と放熱基板１２〜１５との接続が良好に行われるようにできる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングを必要としなくても、信号線端子とパワー素子との電気接続が一括して行えるようにする。
【解決手段】半導体チップ７ａ、７ｂのエミッタ電極７２に接合されるリードフレーム１０、１１を用いてゲート電極に接続される信号線端子Ｓ１、Ｓ２を構成する。そして、接合材２２を用いることにより、ボンディングワイヤを用いることなく信号線端子Ｓ１、Ｓ２が半導体チップ７ａ、７ｂの信号線電極７１に直接接合されるようにする。これにより、ボンディングを行わなくても良い構造の半導体モジュール４を構成することが可能となり、従来のボンディングを行う場合のようなダイボンド工程→ボンディング工程→ダイボンド工程という煩雑な経なくても済み、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易に製造できるとともに、太陽電池の温度上昇を効果的に抑制して、発電効率に優れた太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】光が第１の太陽電池１１に入射する経路に、（赤外線回折格子９を配置しない場合に比べて）第１の太陽電池１１に入射する赤外線の入射角が大きくなるように、赤外線回折格子９を配置したので、第１の太陽電池１１の温度上昇を抑制することができる。これにより、特別な冷却システムを用いることなく、従来より簡易な構成で、高い発電効率を実現することができる。また、第１の太陽電池１１より赤外線の感度の高い第２の太陽電池１３を、赤外線回折格子９による赤外線の回折側に配置したので、第２の太陽電池１３には、多くの赤外線が入射する。第２の太陽電池１３は、赤外線の感度が高い太陽電池であるので、極めて効率よく発電ができるという顕著な効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で高い信頼性を確保できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２の一方面側に複数の導電路が設けられており、また、基板２とは反対側に配置される複数の表面側電極を備えた半導体素子４が基板２上にベアチップ構造で実装されている。更に、半導体素子４の複数の表面側電極と基板２上の各導電路とを電気的に接続するガルウィング形状に屈曲された電極板１０ａ及び電極板１０ｂと、電極板１０ａ及び電極板１０ｂを基板２とは反対側から保持する絶縁性の保持部材２０とが設けられている。そして、保持部材２０は、各電極板１０ａ、１０ｂ上に跨るように配置されると共に、少なくとも各電極板１０ａ、１０ｂ側の面が各電極板の形状に対応する所定形状で構成されて各電極板に固定されており、且つ各電極板における基板２とは反対側の面を被覆するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内を結晶性の高いエピタキシャル膜で埋めることができ、特にｐｎコラムの形成に適する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングにより半導体基板１０ａにトレンチＴ１を形成するトレンチ形成工程と、１２０℃以下の低温で行うケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）またはウエットエッチングによりトレンチＴ１の表層部をエッチングして、第１ダメージ層Ｄ１を除去する第１ダメージ層除去工程と、半導体基板１０ａを非酸化性かつ非窒化性の雰囲気下において１０５０℃以上の高温で熱処理を行い、第１ダメージ層Ｄ１の下層に存在する第２ダメージ層Ｄ２の結晶性を回復する第２ダメージ層回復工程と、トレンチＴ１内にエピタキシャル膜３を形成して、トレンチＴ１をエピタキシャル膜３で埋め込むトレンチ埋め込み工程とを有してなる半導体基板１０の製造方法とする。 （もっと読む）