【課題】高精度な化合物半導体単結晶基板を製造できる化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化合物半導体基板の製造方法は、化合物半導体としてのＧａＮ単結晶のインゴット３０を準備するインゴット準備工程と、インゴット３０を切断部材で切断してＧａＮ単結晶基板を形成する切断工程とを備え、切断工程は、インゴット３０と切断部材との接触部分３２の温度を１６０℃以下に制御してインゴット３０を切断する。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャルウェハの製造が可能な表面に保護膜が形成された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの２乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。前記保護膜は基板表面への汚染物質の付着を防ぐとともに、水素雰囲気中1200℃以下の温度に保持するだけで簡単に除去できるので、汚染物質に起因するエピタキシャル成長膜の異常成長や結晶欠陥の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増加させずに製造できる高出力の発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１は、半導体基板１０と、第１クラッド層２２０と、第２クラッド層２２４とに挟まれる活性層２２２を有する発光部２０と、半導体基板１０と発光部２０との間に設けられ、活性層２２２が発する光を反射する反射部２１０と、表面に凹凸部２５０を有する電流分散層２４０とを備え、反射部２１０は、第１の半導体層と第２の半導体層とからなるペア層を複数有して形成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で高発泡度と同時に微細気泡を安定して実現できる発泡絶縁体とした電線・ケーブルを提供する。
【解決手段】金属導体１１の外周に、物理発泡で発泡絶縁体１２を形成した電線・ケーブルにおいて、発泡絶縁体１２が結晶性ポリマーＡとポリマーＢのブレンドからなり、ポリマーＢの結晶融点またはガラス転移温度が、ポリマーＡの結晶融点とその結晶融点から５０℃低い温度の間に存在する樹脂組成物を用いて電線・ケーブル３０の発泡絶縁体１２を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】簡易にコードスイッチ本体をゴムカバーに内包させるコードスイッチの製造方法及びコードスイッチを提供する。
【解決手段】ゴムカバー２の一部である台座部３のみを形成し、台座部３にコードスイッチ本体３１を載置し、コードスイッチ本体３１が載置された台座部３に未硬化のゴムカバー材料を塗布してコードスイッチ本体３１を埋め込み、その後、ゴムカバー材料を硬化させることで台座部３と一体のゴムカバー２の残りの一部である圧力伝達部４を形成する。 （もっと読む）

【課題】ラック内の電子機器で発生する熱を効率よく除去して、空調機での消費エネルギーの低減を図ることが可能なデータセンタを提供する。
【解決手段】ラック列１５の背面Ｒ同士を間隔をおいて向かい合わせて床面１４上に配置し、ラック列１５の左右方向の端部側にパネル２１を設けると共に、両ラック列１５の前縁上部にパーティション２３を設けて、空調室１３内にホットゾーン２４を区画し、ホットゾーン２４内の天井２０に複数の排気口２６を左右方向に並べ形成すると共に、ホットゾーン２４の外部であってラック列１５の前方の天井に空調機５１からの空調空気を鉛直下方に吹き出す複数の吹出口２７を左右方向に並べ形成したデータセンタ１０である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系銅合金の導電率及び耐応力緩和性を維持しつつ、強度及び曲げ加工性に優れた銅合金の製造方法及び銅合金を提供する。
【解決手段】本発明に係る銅合金の製造方法は、銅（Ｃｕ）と、銅に添加されるクロム（Ｃｒ）と、ジルコニウム（Ｚｒ）と、スズ（Ｓｎ）とを溶製して銅合金素材を鋳造する溶製工程と、銅合金素材に熱間加工を施して圧延組織を有する板材を形成する熱間加工工程と、板材に熱処理を施す熱処理工程と、熱処理が施された板材に８０％以上９０％未満の加工度の冷間圧延を施して中間板材を形成する中間圧延工程と、中間板材に時効処理を施す時効処理工程と、時効処理を施した中間板材に２０％以上４０％以下の加工度の冷間圧延を施す仕上げ圧延工程と、冷間圧延が施された中間板材に加熱処理を施す歪取焼鈍工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】厚さ方向の熱伝導性が良好な低熱膨張複合放熱板を提供する。
【解決手段】スリット孔２を形成した低熱膨張材３からなるスリット多孔板４の上下に、高熱伝導材５をクラッド圧延により接合すると共に、スリット孔２内で上下の高熱伝導材５も接合して形成されるものである。 （もっと読む）

【課題】動的架橋技術を用いてオレフィン系樹脂マトリックス中に分散相を形成する際に、分散相としてシラン架橋したエチレン−酢酸ビニル共重合体を、連続相としてエチレン−エチルアクリレート共重合体を用いることで、電子線で架橋せずとも高い機械的強度及び耐熱性を有し、かつ難燃剤を高充填しても高速押出可能でかつ、良好な伸びを示すノンハロゲン難燃性樹脂組成物及びその製造方法並びにこれを用いた電線・ケーブルを提供する。
【解決手段】（Ａ）エチレン−酢酸ビニル共重合体４０〜８０質量部、（Ｂ）融点が１００℃以上のエチレン−エチルアクリレート共重合体６０〜２０質量部、（Ｃ）金属水酸化物を（Ａ）と（Ｂ）の合計１００質量部に対して２０〜３００質量部からなり、上記エチレン−酢酸ビニル共重合体（Ａ）がシラン架橋されているものである。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハ上への異物パーティクルの付着を抑制し、それによって表面欠陥の少ない高品質な化合物半導体エピタキシャルウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、化学気相成長法によるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法であって、複数枚の基板１を設置する成長室内において、同心円状に分割された加熱用ゾーンヒータ１１によって基板サセプタの内周側から外周側にかけて温度が高くなるような温度勾配を設け、前記成長室内で加熱された前記基板上にIII族原料、Ｖ族原料、ドーパント原料および希釈用ガスを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させる。 （もっと読む）