【課題】 特に、絶縁障壁層をＭｇ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、フリー磁性層の軟磁気特性を良好な状態にし、且つ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高く出来るトンネル型磁気検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 積層体Ｔ１の下から上側磁性層、絶縁障壁層及びエンハンス層の順に積層される部分を、Ｃｏ_{４０ａｔ％}Ｆｅ_{４０ａｔ％}Ｂ_{２０ａｔ％}／Ｍｇ−Ｏ／Ｃｏ_{５０ａｔ％}Ｆｅ_{５０ａｔ％}としたトンネル型磁気検出素子を用いて、ＲＡに対する抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）のアニール温度依存性の実験を行ったところ、アニール温度を２７０℃〜３１０℃の範囲内に設定することで、低いＲＡ（２〜４Ωμｍ^２）の範囲にて高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が得られる。 （もっと読む）

【課題】共通のハウジングに回転コネクタと舵角センサおよび一対のストークスイッチを組み込んでユニット化したステアリングモジュールにおいて、組み込み時のコネクタの損傷を確実に防止すること。
【解決手段】ハウジング１の内部に側面１ｈと挿入空間Ｓを介して対向するガイド壁１ｋを形成し、回転コネクタ４と舵角センサ３を一体化してなるユニット体７をハウジング１の内部に組み込むとき、回転コネクタ４の鍔部２箇所に穿設した一対のガイド孔４ｄにハウジング１の上端に立設したガイドピン１ｆを挿入すると共に、回転コネクタ４の固定側コネクタ４ｃをガイド壁１ｋに沿って挿入することより、回転コネクタ４と舵角センサ３の固定側コネクタ４ｃ，３ｃを回路基板２上に実装された第１および第２のコネクタ９，１０の適正位置に確実に導くようにした。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された高周波チップの回路要素の特性、特にインダクタのＱを低下させずに薄く形成することができる高周波チップ搭載用多層配線板および高周波回路モジュールを提供する。
【解決手段】
本発明の高周波回路モジュール１は高周波チップ２を高周波チップ搭載用多層配線板３にフリップチップ実装させてなる。この高周波チップ搭載用多層配線板３は、表面層４の下方に中間層５を積層させ、中間層５のグランド層６に第１のグランド面６ａが形成される。第１のグランド面６ａは回路要素（特にインダクタ）２ａと対向する位置に開口部６ｂを有している。また、中間層５の下方には下層８が積層され、下層８において開口部６ｂの下方に第２のグランド面８ａが形成される。第２のグランド面８ａは２００μｍ以上離れている。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣパッケージなどの電子部品の突出電極が接触する接続装置において、スズを含む突出電極が弾性腕に圧接したときの金属間化合物の生成を抑制できる接続装置を提供する。
【解決手段】 精密板金加工またはメッキプロセスで形成された接続部は螺旋状の弾性腕２２を有している。弾性腕２２は、導電層３１と弾性層３２とを有する芯部３０の表面に被覆層３３が設けられ、この被覆層３３は白金族金属層で形成され、好ましくはパラジウムのメッキで形成されている。電子部品に設けられたスズを含む突出電極４２が被覆層３３に接触したときに、その接触部で金属の拡散が生じにくく、接触部に金属間化合物が生成されて堆積されるのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】コンタクト導体及びリード導体にダメージを与えることなく記録側モニタ素子の抵抗膜を形成でき、記録素子の素子高さを高精度に規定できる磁気ヘッド構造体及びその製造方法を得る。
【解決手段】主磁極層を有する記録素子と、記録素子の媒体対向面を形成する研磨加工時に素子抵抗モニタとして利用される記録側モニタ素子とを備えた磁気ヘッド基板において、記録側モニタ素子は抵抗膜、抵抗膜より下層に位置するリード導体及び抵抗膜とリード導体を導通接続するコンタクト導体を有する。この抵抗膜は主磁極層の最下層または下地膜と同一平面に同一材料で媒体対向面とされる面位置をハイト方向に跨いで形成し、コンタクト導体及びリード導体は媒体対向面とされる面位置よりハイト方向奥側に後退させて形成した。さらにコンタクト導体は、その導体上面及び下面がすべて抵抗膜及びリード導体に接していて、外方に露出しない。 （もっと読む）

【課題】電子部品の精度の高い組込ができる集合基板、及び回路基板を提供すること。
【解決手段】本発明の集合基板において、集合基板８の絶縁基板１の下面に設けられた接続ランド部２とレジスト部３が同一厚みで、絶縁基板１の下面が面一状態となっているため、集合基板８を保持するために、絶縁基板１の下面で空気による吸着手段を備えた保持治具１４が使用できて、集合基板８の保持にガタツキが無く、保持位置が正確となって、電子部品の精度の高い組込ができる。 （もっと読む）

【課題】圧力に対する容量変化の直線性に優れ、しかもセンサ個体間のばらつきの小さいサーボ式圧力センサを提供すること。
【解決手段】ダイヤフラム１９ａに外圧力が加わると、その外圧力により変形してガラス基板１１側に変位する。外圧力によるダイヤフラム１９ａの変位に起因する静電容量の変化は制御部２１で検知することができる。制御部２１は、サーボ電極１３に印加する電圧を制御して、ダイヤフラム１９ａに加わっている外圧力に抗する斥力をサーボ電極１３とエレクトレット層２０との間で生じさせる。この斥力により、ダイヤフラム１９ａを所定の位置に保持することができる。このときのサーボ電極１３への印加電圧をパラメータとして、その変化を圧力変化とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁障壁層をＭｇ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、フリー磁性層の軟磁気特性を良好な状態に維持し、且つ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高く出来るトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 Ｍｇ−Ｏで形成された絶縁障壁層５の上に、Ｃｏ_{１００−Ｘ}Ｆｅ_Ｘからなり、Ｆｅ組成比Ｘが、３０ａｔ％以上で１００ａｔ％以下とされたエンハンス層（第２磁性層）６ａが形成される。これにより、フリー磁性層６の磁歪λを小さい値にでき、しかも抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高くすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べてバネ特性の向上を図るとともに、メッキ形成速度を速め、生産性を向上させることが可能な弾性接触子及びその製造方法、ならびに前記弾性接触子を用いた接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 スパイラル接触子２０の弾性変形部２２をＮｉＣｏ電鋳層４０で形成する。Ｃｏ組成比を１ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内に調整し、また平均結晶粒径を２０ｎｍ以下にて形成する。降伏応力を９００〜１１００ＭＰａの範囲内に出来る等、ばね特性を向上できるとともに、メッキ形成速度をＮｉＰを用いる場合の約１０倍速くでき、生産性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】発光量を周囲の照度の変化にアナログ的に対応して調節することができ、調光を非常に滑らかに制御できる調光回路を提供すること。
【解決手段】照度センサ３は照度の増減変化に対応してアナログ的に増減変化する電流を出力する電流出力型に形成されており、発光素子２には発光素子２に流れる電流を検出する検出抵抗５が接続されており、駆動制御回路４は検出抵抗５に発光素子２を流れる電流と照度センサ３によって検出された電流とが流れることにより得られる電圧を常に所定値に保持する電圧を発光素子２に出力する発光素子ドライバ７を有し、発光素子２が検出照度の暗い所で明るく発光し、明るい所で暗く発光することを特徴とする。 （もっと読む）