【課題】製造歩留りが向上する固体封止有機ＥＬ装置の製造方法およびその製造装置、および固体封止有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】封止基板１８の表面に接着層１６を形成する工程と、ＩＴＯ基板１０上に有機ＥＬ素子４０を形成する工程と、封止基板１８と両端部にバネ５２ａおよび５２ｂを搭載した冶具５０を形成する工程と、ＩＴＯ基板１０を把持する冶具５４ａおよび５４ｂを形成する工程と、封止基板１８とＩＴＯ基板１０とを、接着層１６と有機ＥＬ素子４０とが対面するように対向させ、かつ冶具５４ａおよび５４ｂをバネ５２ａおよび５２ｂに対向させて、ＩＴＯ基板１０を封止基板１８上に位置合せする工程と、真空加熱により接着層１６を軟化させた状態で、ＩＴＯ基板１０を封止基板１８に押圧し、有機ＥＬ素子４０と接着層１６とを貼り合せる工程とを有する有機発光素子の製造方法およびその製造装置、および固体封止有機ＥＬ装置。 （もっと読む）

【課題】逆起電圧を検出する。
【解決手段】モータ駆動回路１００は、Ｈブリッジ回路１０と、電位差検出回路２０と、較正回路３０と、逆起検出回路４０と、制御回路５０と、較正値取得回路６０と、を備える。Ｈブリッジ回路１０は、ＤＣモータ１に接続される。電位差検出回路２０は、ＤＣモータ１の両端の電位差に応じた両端電圧Ｖｈを出力する。較正回路３０は、抵抗成分Ｒｍに応じた較正電圧Ｖｃを出力する。逆起検出回路４０は、両端電圧Ｖｈと較正電圧Ｖｃとの差に応じた電圧を、逆起電圧Ｅｇを示す検出電圧Ｖｅとして出力する。制御回路５０は、Ｈブリッジ回路１０をパルス幅変調により駆動する。較正回路３０は、抵抗成分Ｒｍとローサイドトランジスタのオン抵抗との比に応じた較正値を用いて、そのローサイドトランジスタのオン抵抗に生じる電圧降下を較正し、抵抗成分Ｒｍに応じた較正電圧Ｖｃとする。 （もっと読む）

【課題】簡素な光学系で高画質な画像を表示する。
【解決手段】発光部２は、画素に対応した凹部に複数の発光素子３２、３４、３６を埋設している。この凹部は遮光膜２０により形成される。複数の発光素子３２、３４、３６は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色に対応し、人間の視覚時間分解能を超える速度で、循環点灯される。液晶パネル１０は、液晶分子の配向を変化させて発光部２からの光の透過率を画素ごとに制御する。各画素で実現すべき明るさに応じて、各凹部から順に発光される複数色の光の透過率を、色ごとに制御し、画像を生成する。なお、発光素子３２、３４、３６の循環点灯の間に消灯期間を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】利得を広範囲に可変制御することが可能な利得可変増幅器を提供する。
【解決手段】利得可変増幅器は、非反転入力端（＋）に入力される増幅電圧ＶＩＮ２と反転入力端（−）に入力される帰還電圧ＶＦＢとが一致するように出力電圧ＶＯＵＴを生成するメインアンプ１と、メインアンプ１の負帰還ループ内に挿入され、ｎビット（ただしｎ≧２）の内部デジタルデータＩＤをデジタル／アナログ変換することにより帰還電圧ＶＦＢを生成するＤＡＣ２と、ｎビットの外部デジタルデータＴＨＩＤに基づいてｍ値設定信号（ただし０≦ｍ＜ｎ）を生成するｍ値設定回路３と、ｍ値設定信号に基づいて入力電圧ＶＩＮを２^m倍することにより増幅電圧ＶＩＮ２を生成するプリアンプ４と、ｍ値設定信号に基づいて外部デジタルデータＴＨＩＤをｍビット分だけ上位側にシフトすることにより内部デジタルデータＩＤを生成するｍビットシフト回路５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リード端子部が外部接続に必要な長さ（面積）を有し、かつ、吊りリード部とリード端子部との絶縁信頼性が確保された半導体装置およびそれに用いるリードフレームを提供する。平面方向の大きさが小さく実装面積の小さな半導体装置、およびそれに用いるリードフレームを提供する。
【解決手段】このリードフレームは、半導体装置製造単位において、枠部と、枠部の中央部に配置された支持部４と、枠部の角部と支持部４とを接続する吊りリード部３と、枠部の辺部からのびるリード端子部５とを備えている。吊りリード部３に隣接するリード端子部５Ａは、吊りリード部３との干渉を避けるように吊りリード部３にほぼ沿う面取部を先端に有している。 （もっと読む）

【課題】光伝送を使用する情報処理機器の製造コストや実装面積の増大を抑制できる送信装置及び情報処理機器を提供する。
【解決手段】外部から供給される供給電源電圧Ｖ１を変圧して駆動電源電圧Ｖ２を出力する変圧回路１１と、駆動電源電圧Ｖ２が供給され、光信号Ｌ_Tを出力する光出力装置１２とを備え、変圧回路１１と光出力装置１２とが同一のモジュールに含まれる。 （もっと読む）

【課題】チップ型発光素子の構造を、これを配線基板上に実装した際、接合部が平面視において素子の占有面積に入るようなものとする。
【解決手段】セラミックからなる絶縁性基板１の一方表面１ａには一対の内部電極２が、他方表面１ｃには外部電極５が配されている。これらは絶縁性基板１にあけられた貫通孔６に満たされた導電材７により電気的に接続されている。内部電極２の一方には発光体チップ３がダイ・ボンディングされ、これと他方の内部電極２とはボンディングワイヤー４により接合されている。発光体チップ３、ボンディングワイヤー４、およびこれらと内部電極２との接合部は、透光性部材８によって保護されている。 （もっと読む）

【課題】
耐ノイズ特性及び製造上のばらつきの低減化が図れる磁気センサを提供する。
【解決手段】
磁気センサ（１００）は、磁電変換素子（１１０）、定電流回路（１２０）、クランプ（１３０）及び増幅部（１４０）を有する。磁電変換素子（１１０）は一対の入力端子（１１０ａ，１１０ｂ）及び一対の出力端子（１１０ｃ，１１０ｄ）を有する。定電流回路（１２０）は一対のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭＯＳ１，ＰＭＯＳ２）で構成し、入力端子（１１０ａ）にＰＭＯＳトランジスタＰＭＯＳ１のドレイン側から定電流（ｉｄ１）を供給する。クランプ回路（１３０）は、入力端子（１１０ｂ）から流出する定電流（ｉｄ１ａ）を吸い込む。クランプ回路（１３０）の入力部及び増幅部（１４０）の入力段はそれぞれＰＭＯＳトランジスタの差動増幅器で構成する。 （もっと読む）

【課題】柔軟なボリウム制御が可能なＡＬＣ回路を提供する。
【解決手段】可変利得増幅器１０は、入力オーディオ信号ＶＩを増幅する。第１制御部１２は、入力オーディオ信号ＶＩのレベルを監視し、所定の最小しきい値ＶＩｍｉｎより低いとき、可変利得増幅器１０の利得αを所定値α１に固定する。第２制御部１４は、可変利得増幅器１０の出力信号ＶＯのレベルを監視し、所定の最大しきい値ＶＯｍａｘを超えると可変利得増幅器１０の利得αを低下させ、最大しきい値ＶＯｍａｘを下回ると可変利得増幅器１０の利得αを増加させる。第１制御部１２は、入力オーディオ信号ＶＩのレベルが最小しきい値ＶＩｍｉｎより低いとき、第２制御部１４による可変利得増幅器１０の利得制御を無効化する。サブ増幅器１６は、入力オーディオ信号ＶＩを利得Ｋで増幅する。出力合成部１８は、可変利得増幅器１０の出力信号とサブ増幅器１６の出力信号を合成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡略化を図ることができる入力装置を提供すること。
【解決手段】透過板４と、方向ｘに沿って配置された複数の電極要素１１を備え、互いに平行に配置された複数の電極１と、方向ｙに沿って配置された複数の電極要素２１を備え、互いに平行に配置された複数の電極２と、透過板４の厚さ方向において電極１，２に対して指が接近したときに、電極１，２に生じる静電容量の変化によって、方向ｘ，ｙにおける上記指の接近位置を検出するＩＣチップ７２と、を備える入力装置Ａ１であって、電極１のいずれか１つを構成する電極要素１１どうしを導通させる複数の配線３１をさらに備え、配線３１のいずれかは、隣接する電極要素１１と電極要素２１とに挟まれた隙間ｓ１に形成されている。 （もっと読む）