【課題】少なくとも複数個の第１ボンディング点（パッド）が直線上に一列に並んで配置され、これら第１ボンディング点と第２ボンディング点（リード）との間を結ぶボンディングワイヤが隣り合うワイヤ同士で接触するおそれがあるような場合でも、各ボンディングワイヤのネック部高さを高くすることなしに迂回配線することができ、半導体装置の小型化・薄型化を図る。
【解決手段】最も内寄りに位置して対向する第１のパッド２ａとリード３ａ間を結ぶワイヤ４ａは、直線ｍ−ｍ上を通る垂直面内において配線するとともに、それ以外の他のパッド２ｂ，２ｃとリード３ｂ，３ｃ間を結ぶワイヤ４ｂ，４ｃについては、それぞれパッド位置において一旦垂直上方に起ち上げた後、他のワイヤと接触することがないように水平面内で外方へ向けて引き出し、他のワイヤを迂回しながら対となるリード３ｂ，３ｃに向けて配線する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面及び裏面を同時に洗浄またはリンスできると共に、裏面を洗浄またはリンスした洗浄用流体による表面の転写汚染を確実に防止できること。
【解決手段】洗浄槽２３内の洗浄用流体により、当該洗浄槽に配設されたウエハ１を洗浄またはリンスする洗浄装置１１であって、装置躯体２９に当接して洗浄槽を構成すると共に、ウエハの外形に対応する開口３０が形成された正面壁２８と、この正面壁の外側から上記開口を通して、正面壁の内側に搬入されたウエハの裏面３を保持可能として、このウエハを縦方向に起立状態とするウエハ保持装置２４と、上記正面壁の内面における上記開口周囲に設けられ、ウエハの裏面が接触することで、このウエハと上記開口周囲との間に環状隙間７２を形成するピン７１とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 内槽と外槽とを組み合わせた超音波洗浄装置において、洗浄ムラが生じにくい洗浄装置の提供することにある。
【解決手段】底面３２に超音波振動子４０が取り付けられ、内部に超音波振動を伝達する媒介液５０を収納する外槽３０と、該外槽の内部に所定の間隔を以て配置され、内部に洗浄液６０を入れて没入させた被洗浄物Ｍを前記媒介液を介して伝搬する超音波振動により洗浄するための内槽２０とを備え、かつ前記内槽の底面が前記超音波振動子が取り付けられた外槽の底面に対し傾斜角θ°を有し、傾斜角θ°が、５°／（超音波振動数ＭＨｚ）≦θ°＜２０°／（超音波振動数ＭＨｚ）である。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディングやバンプボンディングに用いる汎用性のあるボンダーで形成できるバンプ形成方法、バンプ形状及び該バンプ形状を備えた半導体装置の提供にある。
【解決手段】このバンプ形成方法は、ワイヤ１２を第１ボンディング点にボンディングする第１の工程（ｂ）と、キャピラリ１０を上昇後に３６０°いずれかの方向に斜め上昇・斜め下降・直線又は曲線による水平移動等を組み合わせたリバース動作を行う第２の工程（ｃ、ｄ）と、第１ボンディング点近傍に潰し又はボンディングを行う第３の工程（ｅ）と、第２，３の工程をｎ回（ｎは１，２，３，・・・）を繰り返す第４の工程（ｆ、ｇ、ｈ）と、キャピラリを上昇後に３６０°いずれかの方向に斜め上昇・斜め下降・直線又は曲線による水平移動等を組み合わせた動作を行いキャピラリの先端でワイヤを曲げながらワイヤを切断する第５の工程（ｉ、ｊ、ｋ）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】脱気効率に優れ、コスト廉価で維持管理も容易な脱気装置と、この脱気装置を用いた超音波洗浄装置を提供すること。また、マイクロバブルの存在下で被洗浄物の超音波洗浄を行なうようにした超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超洗浄槽１内の洗浄液２を循環ポンプ８によって吸引して所定の経路を循環させた後、再び洗浄槽に戻すようにした洗浄液循環路７を形成するとともに、該洗浄液循環路の経路途中に、キャビテーションによって洗浄液中の溶存空気を気泡化する脱気装置９を接続し、該脱気装置９によって洗浄液循環路７内を流れる洗浄液中の溶存空気を気泡化し、該気泡化した溶存空気を洗浄液とともに洗浄槽１へ還流することにより、気泡化した溶存空気を洗浄槽の液面から槽外へ排出するようにした。また、循環ポンプ８としてプロペラ式のポンプを用いるとともに、洗浄液の溶存空気濃度を２．５〜３．５ｍｇ／ｌの範囲に制御した。 （もっと読む）

【課題】 交換した処理液を目標温度まで昇温し、精度良く目標温度で安定するまでの時間を短くできる半導体処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体処理装置は、目標温度に保持された処理液５によって半導体ウエハ９を処理するものであって、処理液の温度を計測する温度センサ２と、応答性重視パラメータ３ｆ、安定性重視パラメータ３ｇ及び定常状態パラメータ３ｈのいずれか一のパラメータと温度センサによって計測された処理液の温度と目標温度に基づいて制御指令値１１を演算する制御演算器３ａと、制御指令値１１に基づいて処理液を加熱することにより、処理液を目標温度に制御する加熱機構４と、処理液の温度と制御指令値１１に基づいて、制御演算器に与えるパラメータを、前記いずれか一のパラメータに切り替えるパラメータ切替手段３ｄと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 キャピラリを保持する位置の変化を抑制できるキャピラリの固定方法、キャピラリ保持部及びそれを用いたワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るキャピラリ保持部は、キャピラリ１０２ａの断面形状である略円が内接し且つ１つの頂点を含む一部が除かれた略正三角形の断面形状を有するキャピラリ取付穴１０と、前記１つの頂点を含む一部が除かれた部分に繋げられ、前記キャピラリ取付穴１０にキャピラリ１０２ａを挿入した際に幅を狭くすることにより前記キャピラリに対する締めつけ力が印加される締めつけ力印加用穴１０ａと、を具備し、前記締めつけ力印加用穴１０ａの幅の方向は、前記一部が除かれた部分に対向する前記略三角形の一辺に対して略平行であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップにおけるループ頂点位置のワイヤ高さを高速かつ正確に測定することができるボンディングワイヤ検査装置を提供すること。
【解決手段】 ワイヤ部分を垂直上方から落射照明する同軸照明装置６と、ワイヤ部分を垂直上方から撮像する第１のＣＣＤカメラ４と、ワイヤ部分を斜め上方から照明する斜め照明装置１１と、ワイヤ部分を斜め上方から撮像する第２のＣＣＤカメラ１０と、第１および第２のＣＣＤカメラによって撮像された画像を用いてワイヤ３のループ頂点位置のワイヤ高さを画像処理により算出する画像処理部１５とを備え、第２のＣＣＤカメラ１０の画像上でループ頂点位置とボールの位置とが同時に認識できる場合は、第２のＣＣＤカメラの画像のみを用いてワイヤ高さを算出し、第２のＣＣＤカメラの画像上でループ頂点位置が認識できない場合は、第１および第２のＣＣＤカメラの両方の画像を用いてワイヤ高さを算出する。 （もっと読む）

【課題】 各機構部の配置を考慮して、チップの搬送時間を極力少なくし生産性を向上させたバンプボンディング装置の提供にある。
【解決手段】バンプボンディング装置において、ボンディングヘッド１７の一側方にバンプ付けを行うための半導体チップを収納したトレーを積載するローダ部１２を、他側方にバンプ付けが終了した半導体チップを収納したトレーを積載するアンローダ部１３を配置し、かつ前記アンローダ部１２に隣接して半導体チップのバンプ高さを揃えるためのレベリング機構１６を配置するとともに、前記ローダ部１２に並設して該ローダ部から移送されるトレーを収納するバッファ部１４を、またアンローダ部に並設してバッファ部から移送されたトレーを収納しトレー内に収納された半導体チップを順次ボンディングステージへと供給するためのトレー位置決め部１５を設けた。 （もっと読む）

【課題】 振動を低減して被処理物の損傷を防止できると共に、被処理物の乾燥処理能力を向上できる遠心乾燥装置を提供すること。
【解決手段】 チャンバ内に収容され、回転軸１２回りに回転するターンテーブル１３と、回転軸に関し対称な位置に２対が等角度間隔でターンテーブルに配置され、それぞれに基板１８を保持するクレードル１５Ａと１５Ｂ、クレードル１６Ａと１６Ｂと、チャンバの外側下方で、クレードル１５Ａと１５Ｂに対応して設けられ、回転軸に直交する方向に移動可能なウェイト３３を備えた上段バランス機構部２７Ａ及び下段バランス機構部２７Ｂと、チャンバの外側下方で、クレードルクレードル１６Ａと１６Ｂに対応して設けられ、回転軸に直交する方向に移動可能なウェイト３８を備えた上段バランス機構部２８Ａ及び下段バランス機構部２８Ｂとを有し、ターンテーブルの回転により、クレードルに保持された基板を乾燥するものである。 （もっと読む）