【課題】 終端抵抗における直流バイアスの損失を低減させることができるとともに温度制御装置の温度制御への影響を抑制することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】 光モジュール（１０）は、変調信号端子（６）と、変調信号端子と接続された光変調器（２）と、光変調器に接続された終端抵抗（Ｒ１）と、変調信号端子に対して終端抵抗と並列に接続され終端抵抗よりも小さい抵抗値を有するバイアス抵抗（Ｒ２）と、バイアス抵抗を介して光変調器へ直流バイアスを供給するための直流バイアス端子（７）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐圧を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体層からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いてバリア層２３を形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有する発光素子の製造方法である。本発明によれば、ＭＱＷ活性層２４内のバリア層２３を窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いて成長するため、ＥＳＤ耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子の冷却効率を向上させること。
【解決手段】本発明は、光半導体素子１４と、貫通孔５２を有するステム５０と、貫通孔の内面の一部に非接触部５４を有するように貫通孔５２に挿入された絶縁体３６と絶縁体により支持され光半導体素子１４に入力または出力する信号を伝送する配線３４とを有する配線ブロック３０と、ステム５０に固定され光半導体素子１０で発生した熱をステム５０に放出するヒートシンク６２と、を具備する光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコンリッチ窒化シリコン膜に起因した不安定な現象を抑制すること。
【解決手段】本発明はＧａＮ系またはＩｎＰ系化合物半導体からなる半導体層１１の上に屈折率が２．２以上の第１窒化シリコン膜１２を形成する工程と、第１窒化シリコン膜１２より屈折率の低い第２窒化シリコン膜１４を第１窒化シリコン膜１２上に形成する工程と、半導体層１１を露出させた領域にソース電極１６およびドレイン電極１８を形成する工程と、第１窒化シリコン膜１２および第２窒化シリコン膜１４が形成された状態でソース電極１６およびドレイン電極１８を熱処理する工程と、ソース電極１６とドレイン電極１８との間の半導体層１１上にゲート電極を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 部品点数、組立工数等の増大を抑制でき、かつ、最適動作点を検出することができる波長可変レーザの試験方法、波長可変レーザの制御方法およびレーザ装置を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ（１０）の試験方法は、共振器内に異なる波長特性のピークを有する波長選択部（１１，１２）を複数備えた波長可変レーザの試験方法であって、初期設定値に基づいて波長可変レーザに所定の波長で発振させる第１ステップと、複数の波長選択部の波長特性を変化させながら波長可変レーザの利得状態の変化の不連続点を検出する第２ステップと、不連続点が検出された時点を所定波長における発振状態の限界点とし限界点に基づいて波長選択部の安定動作点を演算する第３ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で発光素子のＥＳＤ耐圧を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１導電型の窒化物半導体２２上に窒化物半導体からなる活性層２４を形成する工程と、活性層２４に対して熱処理を行う工程と、活性層２４上に、熱処理の温度より低い温度で第２導電型の窒化物からなる半導体層２６を形成する工程と、を含む発光素子の製造方法である。本発明によれば、簡単な方法でＥＳＤ耐圧を向上させることがきる。 （もっと読む）

【課題】 半導体光導波路同士の結合効率低下を抑制することができる半導体光導波路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の製造方法は、半導体基板（１０）上の第１の半導体光導波路（３０）を含む積層構造に対し、｛０１１｝面に対して傾斜し且つ前記第１の半導体光導波路の端部を含む領域がオーバーハングした結合面を露出させる選択エッチングを施す工程と、結合面にＩｎ_{（１−ｘ）}Ｇａ_ｘＡｓ_{（１−ｙ）}Ｐ_ｙ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１）からなるキャップ層（５０）を成長させる工程と、第２の半導体光導波路（６１）を、第１の半導体光導波路のオーバーハングした領域を含んで成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くする。
【解決手段】第１の金属膜２と、第１の金属膜２の上に形成され、窒素濃度が第１の金属膜２から離れるほど低くなっている窒素濃度が異なる３層のＴｉＷＮ層５ａ〜５ｃよりなる第１のバリア膜５と、第１のバリア膜５の上に形成された第２の金属膜６と、第２の金属膜６の上に形成され、窒素濃度が第２の金属膜６から離れるほど低くなっている窒素濃度が異なる４層のＴｉＷＮ層１１ａ〜１１ｄよりなる第２のバリア膜１１と、第２のバリア膜１１の上に形成され、半田と接続するバンプ電極１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下の抑制および化合物半導体層の表面に生じる欠陥の抑制が可能な光半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に、第１導電型クラッド層１２、活性層１４および第１導電型と反対の導電型である第２導電型クラッド層１６を含む化合物半導体層２２を備える光半導体装置の製造方法において、化合物半導体層上に拡散ソース層４２を形成する工程と、第１熱処理を行い活性層からの光を出射する光出射端面３８を含むように化合物半導体層に第１拡散領域２３を形成する工程と、拡散ソース層を除去する工程と、化合物半導体層上に１．９以上の屈折率を有するＳｉＮ膜４６を形成する工程と、第２熱処理を行い、第１拡散領域２３を第２拡散領域２４とする工程と、を順に実行する光半導体装置の製造方法および光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 ヒータ温度の補正を行う際に波長変動量を抑制することができる、レーザ装置、および半導体レーザの制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置（１００）は、ヒータ（１４）によって選択波長を変化させることができる波長選択部（１１）を備えた半導体レーザ（１０）と、ヒータ（１４）を所定の発熱量で発熱させる温度制御、および、ヒータ（１４）の発熱量を所定の制限値以内で補正する補正温度制御、を行うコントローラ（５０）と、を備える。 （もっと読む）