【課題】 荷重の必要性および被試験デバイスの汚染を抑制できるとともに、ステージと被試験デバイスとの熱的な安定接触を確保することができるデバイス試験装置およびデバイス試験方法を提供する。
【解決手段】 デバイス試験装置（１００）は、被試験デバイス（１３０
）を搭載するためのステージ（４０）と、ステージ上に液体もしくは気体からなら媒介物を供給する媒介物供給手段（８０）と、ステージの温度を媒介物の凍結温度以下に制御する温度制御手段（３０）と、を備える。デバイス試験方法は、被試験デバイス（１３０）を搭載するためのステージ（４０）上に媒介物を供給する媒介物供給ステップと、ステージ上に被試験デバイスを配置する配置ステップと、配置ステップ後にステージの温度を媒介物の凍結温度以下に制御する温度制御ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、ＡＬＤ装置内で、ゲート絶縁膜の成長温度に比べ高い温度で熱処理を実施し、前記ＧａＮ系半導体層の表面のフッ素を除去する工程Ｓ２０と、前記フッ素を除去する工程Ｓ２０の後、前記ＡＬＤ装置内で、前記ＧａＮ系半導体層の表面に前記ゲート絶縁膜を形成する工程Ｓ１６と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。本半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】入力信号の影響で参照信号が変動することを抑制すること。
【解決手段】本発明は、デジタル入力信号が入力される入力端子と参照信号端子とを有する差動増幅回路３０と、入力信号を平均化し平均化信号Ｖｓｍを生成する平均化回路１０と、参照信号端子と平均化回路１０の出力との間に設けられ、平均化信号Ｖｓｍを保持し参照信号端子に出力する第１保持回路２０と、第１保持回路２０と平均化回路１０との間に設けられた第１スイッチＳＷ１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】波長可変レーザモジュールの構成を複雑にすることなく、発振波長が不連続に変化する不連続点を検出し、この不連続点及びその近傍を避けて確実に動作点を設定・更新できるようにして、安定した単一モード発振を実現する。
【解決手段】波長可変レーザモジュール１を、利得媒質８と、発振波長の不連続な変化をもたらす周期的な特性を持つ一の波長フィルタ１０とを備える波長可変レーザ部２と、波長可変レーザ部２の発振波長に応じて周期的に変化するモニタ信号を出力するモニタ部３とを備えるものとし、モニタ部３を、モニタ信号を規定する周期を持つモニタ用波長フィルタ１６を備えるものとし、一の波長フィルタ１０の周期及びモニタ用波長フィルタ１６の周期の関係を、発振波長が不連続に変化した場合にモニタ信号が変化するように設定する。 （もっと読む）

【課題】温度信号の製造バラツキが小さく、高精度の温度信号を生成可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、ピンチオフ状態にせしめられる第１ＦＥＴ（ＦＥＴ１）と、第１ＦＥＴのソース端子Ｓ１に接続されてなる温度信号Ｖｔｅｍｐを出力する温度信号出力端子と、を具備する電子回路である。本発明によれば、ピンチオフ状態のＦＥＴのソース端子から出力される温度信号を用いることにより。製造ばらつきの小さい温度信号を得ることができる。
である。 （もっと読む）

【課題】 トラッキングエラーを簡易に評価することが可能な、光半導体装置の試験方法および光半導体装置の試験装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の試験方法は、半導体レーザ（１１）が搭載された温度制御装置（１９）と半導体レーザと光結合する光学エレメントとを有する光半導体装置の試験方法であって、半導体レーザの出力光のうち所定の光学エレメント（１７，２１，３１）を通過しない光および所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか一方の光強度が一定に保持されるように半導体レーザの利得を制御する利得制御ステップと、利得制御ステップ中に、温度制御制御装置の温度を変化させつつ、所定の光学エレメントを通過しない光および所定の光学エレメントを通過した後の光のいずれか他方の光強度を取得する取得ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】チップを実装部にダイボンドする際に、ろう材の表面に生じる酸化層を抑制した電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材２２に還元剤２６を含む有機溶剤を付着させた後、有機溶剤が付着したろう材２２を乾燥させたダイボンド材２０と、半導体チップとを実装部３０上に配置する工程と、リフローすることにより、ダイボンド材２０を用い実装部３０上に前記半導体チップをダイボンドする工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。還元剤２６がろう材２２の表面を覆うためろう材２２の酸化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ビアホールに起因し基板に生じる亀裂を抑制し、かつチップ面積を削減することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、長方形の基板１０と、楕円形状または直線部分をその長軸方向に有するトラック形状からなり、その長軸が基板１０の長辺方向に沿って配置されてなるビアホール１２と、を具備することを特徴とするである。本発明によれば、ビアホールに起因した基板に生じる亀裂を抑制し、かつチップ面積を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐圧を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に、窒化物半導体からなりバリア層２３を、井戸層２１の成長温度より１３０℃以上１５０℃未満高い成長温度で形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。本発明によれば、バリア層２３と井戸層２１との成長温度の差を１３０℃以上とすることにより、ＥＳＤ耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）