【課題】絶縁膜の開口に形成する電極の被覆性を向上させること。
【解決手段】本発明は、化合物半導体層１６の上に第１絶縁膜２０を形成する工程と、第１絶縁膜２０を熱処理する工程と、第１絶縁膜２０上に第２絶縁膜２２を形成する工程と、第２絶縁膜２２及び第１絶縁膜２０を同一マスク４０を用い選択的にエッチングし化合物半導体層１６が露出する開口部４４、４６を形成する工程と、開口部４４、４６の内壁に接する電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低屈折率の窒化シリコン膜を用いた場合であっても、電流コラプスを効果的に低減すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＮ系半導体層１６の上に屈折率が２．１以上２．２未満の窒化シリコン膜１８を形成する工程と、窒化シリコン膜１８の開口にオーミック電極２０、２２を形成する工程と、オーミック電極２０、２２を熱処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、屈折率が２．１以上の窒化シリコン膜１８を形成した状態で、オーミック電極の熱処理を行うことにより、電流コラプスを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置における発光効率を改善すること。
【解決手段】本発明は、基板と、ＧａＮ系半導体よりなる複数のバリア層３２及びバリア層３２間に挟まれたＧａＮ系半導体よりなる井戸層３０を備え、バリア層３２と井戸層３０との間にピエゾ分極により形成された分極電荷を有する量子井戸活性層とを備え、井戸層３０は、基板１０から遠い側のバリア層３２との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調して設けられてなる半導体発光装置である。 （もっと読む）

【課題】 所望の波長以外での波長におけるレーザ発振を抑制することができる光半導体装置および光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置（２００）は、回折格子を有する領域とそれ連結されたスペース部となる領域とを備えた第１セグメント（３１）と、回折格子を有する領域とそれに連結されたスペース部となる領域とを備え第１セグメントと異なる長さを持つ第２セグメント（３２）と、回折格子を有する領域とそれに連結されたスペース部となる領域とを備え下記式（１）のセグメント長を有する複数の第３セグメントと、を備える導波路と、第１〜第３セグメントの屈折率を制御する屈折率制御手段と、を備える。
Ｌ３＝Ｌ１＋（Ｌ２−Ｌ１）×Ｋ１ （１）
ただし、Ｋ１は、０．３≦Ｋ１≦０．７
Ｌ１は第１セグメントのセグメント長
Ｌ２は第２セグメントのセグメント長
Ｌ３は第３セグメントのセグメント長。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子と光学部品との光結合を簡単に行うこと。
【解決手段】本発明は、光半導体素子１２と、光学部品４０と、光半導体素子１２を位置決めする位置決め部２７、３７と、光半導体素子１２の外形よりも大きな開口部と、開口部から位置決め部２７、３７に向かって内側面が傾斜する凹部と、を備え、光半導体素子１２と光学部品４０とを固定する固定部２５と、を有する光半導体装置である。本発明によれば、固定部２５は、光半導体素子１２を位置決めする位置決め部２７、３７を有し、光学部品４０が固定されている。これにより、光学部品４０と光半導体素子１２との光結合を簡単に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 熱拡散時間が短縮化されるとともに、不純物の拡散のばらつきを抑制することができる受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子（１００）の製造方法は、第１導電型の半導体層（５）の受光領域（５ａ）の外周部に第２導電型または無導電型の不純物を注入する工程と、不純物を注入する工程後に、半導体層（５）の再結晶化温度未満の温度を有しかつ第２導電型の元素を含む雰囲気内で、受光領域（５ａ）に熱拡散させる処理を施す熱拡散工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】パッドにサージが入力された場合にも破壊され難く信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、パッド１４と、内部回路２０と、ドレインがパッド１４と結合され、ソースが基準電位に接続された保護ＦＥＴ３０と、保護ＦＥＴ３０のドレインと内部回路２０との間に接続され、保護ＦＥＴ３０のドレインとパッド１４との間の直列抵抗値（Ｒ０１＋Ｒ０２）より大きな抵抗値を有する第１抵抗素子Ｒ１と、パッド１４と保護ＦＥＴ３０のゲートとの間に接続された容量素子Ｃ１と、保護ＦＥＴ３０のゲートとソースとの間に接続された第２抵抗素子Ｒ２と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を低減化することができる受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子（１００）は、半導体基板（１）と、半導体基板上に設けられた第１導電型の第１半導体層（２，３，４，５，６）と、第１半導体層上に設けられた第２導電型の第２半導体層（７）と、第１半導体層および第２半導体層の側面に設けられ一部に層厚の小さい薄層領域を備える第３半導体層（１３）とを備え、薄層領域（１３ａ）の最薄部は、第１半導体層と第２半導体層との界面のビルトイン空乏層（Ａ）よりも半導体基板側に位置する。 （もっと読む）

【課題】 受光部の第１半導体層に第２の導電型の不純物が拡散することが抑制される受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子（１００）の製造方法は、半導体基板（１）上に第１導電型ＩｎＰからなる第１半導体層（６）と第２導電型ＩｎＰからなる第２半導体層（７）とが順に形成された積層体において、第２半導体層の受光領域（７ａ）上の少なくとも一部にＩｎＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰの少なくとも一方を含む拡散抑制層（８）を形成する工程と、拡散抑制層上に絶縁層（９）を形成する工程と、拡散抑制層および絶縁層を熱拡散マスクとして用いて第２導電型の不純物を含む雰囲気中で熱拡散することによって第２導電型の不純物を第１半導体層の一部に熱拡散させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減することが可能な光半導体モジュール及び受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子６２と、上面３４及び側面３２に反射防止膜が設けられた受光面を備える受光素子６０と、発光素子６０からの出射光７２が、少なくとも受光素子６０の側面３２の受光面に光結合される位置関係で、発光素子６２と受光素子６０とを搭載する搭載部５２と、を具備する光半導体モジュールである。本発明によれば、発光素子６２と受光素子６０とを同じ搭載部５２上に搭載できるため、製造工数の削減、部品の削減が可能となり、製造コストを削減することができる。 （もっと読む）