半導体発光装置
【課題】半導体発光装置における発光効率を改善すること。
【解決手段】本発明は、基板と、ＧａＮ系半導体よりなる複数のバリア層３２及びバリア層３２間に挟まれたＧａＮ系半導体よりなる井戸層３０を備え、バリア層３２と井戸層３０との間にピエゾ分極により形成された分極電荷を有する量子井戸活性層とを備え、井戸層３０は、基板１０から遠い側のバリア層３２との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調して設けられてなる半導体発光装置である。
【解決手段】本発明は、基板と、ＧａＮ系半導体よりなる複数のバリア層３２及びバリア層３２間に挟まれたＧａＮ系半導体よりなる井戸層３０を備え、バリア層３２と井戸層３０との間にピエゾ分極により形成された分極電荷を有する量子井戸活性層とを備え、井戸層３０は、基板１０から遠い側のバリア層３２との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調して設けられてなる半導体発光装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関し、特に量子井戸活性層を有する半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体を用いたＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）やＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体発光装置は、短波長用の発光素子として用いられている。
【０００３】
特許文献１には、ＧａＮ系半導体からなる多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）活性層を有する半導体発光装置が開示されている。特許文献１の図５のように、基板上に、Ｎ型クラッド層、ＭＱＷ活性層、Ｐ型クラッド層が積層されている。図１（ａ）から図２（ｂ）は、特許文献１に記載された半導体発光装置のＭＱＷ活性層のうち１層分の井戸層３０とその両側のバリア層３２における基板の法線方向（［０００１］方向）に対するＩｎ組成とエネルギーを示した図である。ＭＱＷ活性層は、複数のバリア層３２と、上下が前記複数のバリア層３２に挟まれた井戸層３０とを有する。ＧａＮ系半導体は、分極が大きいことが知られている。このため、例えば［０００１］方向に積層されたバリア層３２と井戸層３０とのａ軸格子定数が異なると、ピエゾ分極に起因した分極電荷が生成される。この分極電荷の生成は、少なくともａ軸格子定数が異なる場合に実現される。
【０００４】
基板の法線方向（つまり積層方向）が［０００１］方向（ｃ軸方向）の場合、図１（ａ）のように、バリア層３２をＧａＮ、井戸層３０をＩｎＧａＮで形成すると、バリア層３２に対し井戸層３０のａ軸方向の格子定数が大きくなる。これにより、図１（ｂ）のように、井戸層３０の基板側に負の分極電荷、基板の反対側に正の分極電荷が生成される。
【０００５】
分極電荷により、井戸層３０内の基板側の伝導帯体及び価電子帯のエネルギーが高くなり、基板の反対側の伝導帯体及び価電子帯のエネルギーが低くなる。よって、電子は井戸層３０の基板の反対側に存在し、ホールは井戸層３０の基板側に存在する（図１（ｂ）の波動関数参照）。このように、電子とホールとが空間的に分離してしまうため、電子とホールとの再結合確率が減少し発光効率が低下してしまう。
【０００６】
図２（ａ）のように、Ｉｎ組成比を、井戸層３０の基板側で大きく、基板の反対側で小さくする。これにより、図２（ｂ）のように、井戸層３０の基板側のエネルギーバンドギャップは小さく、基板の反対側で大きくなる。よって、電子及びホールとも基板側に存在し、電子とホールとの空間的分離を避けることができる。なお、ＧａＮ系半導体とは、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＧａＮとＩｎＮとの混晶であるＩｎＧａＮ、ＧａＮとＡｌＮとの混晶であるＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等である。
【特許文献１】特開２００５−０５６９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のＭＱＷ活性層を用いても、発光効率は十分ではない。そこで、本発明は発光効率を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、基板と、ＧａＮ系半導体よりなる複数のバリア層及び該バリア層間に挟まれたＧａＮ系半導体よりなる井戸層を備え、前記バリア層と前記井戸層との間にピエゾ分極により形成された分極電荷を有する量子井戸活性層とを備え、前記井戸層は、前記基板から遠い側の前記バリア層との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調して設けられてなる。本発明によれば、電子とホールとの位置的分離を抑制することができ、発光効率を高めることができる。
【０００９】
上記構成において、前記バリア層及び前記井戸層の主面が（０００１）面または（１１−２２）面である構成とすることができる。量子井戸活性層の主面が（０００１）面または（１１−２２）面の場合、井戸層及びバリア層であるＧａＮ系半導体層を平坦性よく成長することができる。また、バリア層と井戸層とのａ軸格子定数が異なるため、ピエゾ分極が生じ易く、電子とホールの位置的分離が生じやすい。このような半導体発光装置においても、電子とホールとの位置的分離を抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記井戸層の組成変調は、Ｉｎの組成変調である構成とすることができる。井戸層がＩｎの組成変調の場合、井戸層の成長初期にＩｎが混入し難い。このような半導体発光装置においても、電子とホールとの位置的分離を抑制することができる。
【００１１】
上記構成において、前記組成変調は、連続的または段階的な組成変調である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記バリア層／前記井戸層の組み合わせが、「ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）／ＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１）」である構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記基板は、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＧａＮ及びＧａ２Ｏ３のいずれかからなる構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電子とホールとの位置的分離を抑制することができ、発光効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本発明を適用したＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ活性層のＩｎ組成及びエネルギーバンド図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）から明らかなように、井戸層３０は、基板の反対側（基板から遠い側）に向かってＩｎ組成が大きくなるように組成変調されている。本発明は、後述するように、基板の反対側のＩｎ組成を大きくすることにより、発光効率を改善するものである。
【実施例１】
【００１６】
図４は実施例１に係るＬＥＤの断面図である。図４のように、サファイア基板１０上に、ＡｌＮバッファ層１２、ＧａＮバッファ層１４、Ｎ型第１ＧａＮクラッド層１６、Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８、Ｎ型第２ＧａＮクラッド層２０（第１導電型半導体層）、ＭＱＷ活性層２２、Ｐ型ＧａＮクラッド層２４（第２導電型半導体層）がＭＯＣＶＤ法を用い順次積層されている。各層は基板１０の法線方向が［０００１］となるように形成されている。Ｐ型ＧａＮクラッド層２４上にはＰ電極２６が形成されている。Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８上にＮ電極２８が形成されている。
【００１７】
各層の成長条件は以下の通りである。
高温ＡｌＮバッファ層１２：膜厚が０．１μｍ、アンドープ、成長温度が１２３０℃、キャリアガスが水素。
ＧａＮバッファ層１４：膜厚が２μｍ、アンドープ、成長温度が１１８０℃、キャリアガスが水素。
Ｎ型第１ＧａＮクラッド層１６：膜厚が１．３５μｍ、Ｓｉドープ、成長温度が１１８０℃、キャリアガスが水素。
Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８：膜厚が０．５μｍ、Ｉｎ組成比が０．５％、Ｓｉドープ、成長温度が９５０℃、キャリアガスが窒素。
Ｎ型第２ＧａＮクラッド層２０：膜厚が０．１５μｍ、Ｓｉドープ、成長温度が１１８０℃、キャリアガスが水素。
ＭＱＷ活性層２２：成長温度が８２０℃、キャリアガスが窒素、バリア層３２と井戸層３０とが交互に積層し、井戸層３０が５層。
ＧａＮバリア層３２：膜厚が９ｎｍ。
ＩｎＧａＮ井戸層３０：ＴＭＩ（トリメチルインジウム）の流量が１６μｍｏｌ／分、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）の流量が４０μｍｏｌ／分、ＮＨ３（アンモニア）の流量が１２０００ｓｃｃｍ、
Ｐ型ＧａＮクラッド層２４:膜厚が０．２μｍ、Ｍｇドープ、成長温度が１１００℃、キャリアガスが水素。
【００１８】
以下に、実施例１に際して検討したサンプルについて説明する。図５（ａ）から図５（ｃ）は、作製したサンプルの井戸層３０のＩｎ組成目標を示している。サンプルの作製に当たっては、このＩｎ組成目標の通りにＩｎ原料の制御がなされる。図５（ａ）のように、サンプルＡは基板側のＩｎ組成が０．１６であり、基板の反対側のＩｎ組成は０である。図５（ｂ）のように、サンプルＢは基板側及び基板の反対側のＩｎ組成が０であり、井戸層３０の中央のＩｎ組成が０．１６である。図５（ａ）のように、サンプルＣは基板側のＩｎ組成が０であり、基板の反対側のＩｎ組成は０．１６である。サンプルＡが図２（ａ）及び図２（ｂ）に相当し、サンプルＣが図３（ａ）及び図３（ｂ）に相当する。サンプルＡからＣの井戸層３０の膜厚は約２．４ｎｍである。さらに、図５（ａ）から図５（ｃ）には示されていないが、サンプルＤとして、基板側のＩｎ組成が０であり、基板の反対側のＩｎ組成は０．１６であり、井戸層３０の膜厚がサンプルＣよりも小さい約２．１μｍのサンプルも作製した。
【００１９】
図６は同じ駆動電流を供給した場合のサンプルＡからＣの発光強度（つまり発光効率）をサンプルＡで規格化した図である。サンプルＡとサンプルＢとでは発光強度に大きな差はないが、サンプルＣはサンプルＡに比べ発光強度が１．３倍となる。
【００２０】
図７はサンプルＡ、サンプルＣ、サンプルＤのＮ電極２８とＰ電極２６との間に印加する電流に対する発光強度を示す図である。同じ供給電流で比較すると、サンプルＣはサンプルＡよりも発光強度が大きい。サンプルＤの発光強度はサンプルＡとＣとの間である。サンプルＣとＤとの比較から、井戸層３０の膜厚は大きい方が発光強度が大きくなる。
【００２１】
以上のように、井戸層３０のＩｎ組成を基板側で大きくする場合（サンプルＡ）と、基板の反対側で大きくする場合（サンプルＣ）とでは、発光効率の違いが生じている。元来、いずれの場合であっても井戸層３０が設計通りに作製されていれば、ポテンシャル井戸における電子とホールとが空間的に一致するため、実質的には同じ発光効率となるはずである。
【００２２】
サンプルＡとＣとで発光効率の違いが生じる理由は明らかではないが、以下の現象が生じているものと考察される。まず、サンプルＡの場合、井戸層３０のＩｎ組成のピークが、基板側のバリア層３２との界面に位置するように井戸層３０を形成することが求められる。これを実現するためには、井戸層３０の成長開始と同時にＩｎ原料の供給量が最大になるように成長装置（例えばＭＯＣＶＤ装置）を制御する。しかしながら、Ｉｎを供給しても成長面に取り込まれるＩｎが一瞬にして最大になることはない。実際は所定の過渡期間をもってＩｎの取り込みが最大になる。このため、図８（ａ）のように、基板側のバリア層３２と井戸層３０との界面から離れた位置に実際のＩｎ組成のピークが形成され、その後Ｉｎ組成が徐々に減少する。このように、サンプルＡの場合は、Ｉｎ組成を図２（ａ）のように理想的に実現することができない。これにより、図８（ｂ）のように、井戸層３０内の伝導帯の底及び価電子帯の頂は、基板側のバリア層３２と井戸層３０との界面から離れた位置に形成される。また、伝導帯の底と価電子帯の頂との位置を、バリア層３２と井戸層３０との界面で規定することができない。
【００２３】
一方、サンプルＣのように、井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面にＩｎのピークが位置する井戸層３０を形成する場合を考える。井戸層３０と基板側バリア層３２との界面においては、徐々にＩｎ組成が増加すればよい（例えば、０から徐々に増加すればよい）ことから、サンプルＡのように、急激にＩｎ原料の供給を最大化する必要がない。また、井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面では、Ｉｎ原料の供給を遮断すれば、遮断した時点がＩｎ組成のピークとなる。これにより、井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面と、Ｉｎ組成のピークと、を一致させることができる。
【００２４】
このように、Ｉｎ組成を井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面において最大にする構造は、Ｉｎ組成のピークが理想的な位置に形成される。このことから伝導帯の底と価電子帯の頂との位置を、バリア層３２と井戸層３０との界面で規定することができる。よって、電子とホールとの空間的分離が抑制される。この結果、サンプルＡとＣとの発光効率の違いが生じているものと考えられる。
【００２５】
さらに、サンプルＣのようにＩｎ組成を井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面において最大となるように設計することは、成長装置の内壁等に残留する不純物が井戸層３０に混入し発光効率が低下することを抑制するものと期待できる。すなわち、成長装置の内壁等に残留する不純物は、ＭＱＷ活性層の成長途中に取り込まれることによって発光効率を低下させるが、サンプルＡのように、急激にＩｎ原料を変化するときに取り込まれ易い傾向にある。つまり、サンプルＡ、Ｂ及びＣとも不純物が取り込まれるが、サンプルＡの場合には井戸層３０、サンプルＣの場合には基板の反対側のバリア層３２に不純物が取り込まれることとなる。
【００２６】
このため、サンプルＣのようにＩｎ組成を基板の反対側のバリア層３２との界面において最大とする井戸層構造を採用すれば、井戸層３０内において成長装置の内壁に起因した不純物が相対的に少ない領域で電子とホールの再結合が生じる。よって、サンプルＡに比べ発光効率をさらに改善することができるものと考えられる。なお、上記は井戸層３０の組成変調としてＩｎの組成変調である場合を例に説明したが、他の元素の組成変調の場合も同様である。
【００２７】
実施例１によれば、ＭＱＷ活性層２２の主面は（０００１）面、すなわち基板の法線方向が［０００１］方向（ｃ軸方向）である。このように、［０００１］方向に井戸層３０及びバリア層３２であるＧａＮ系半導体層を成長することで、井戸層３０及びバリア層３２の平坦性が向上する。また、バリア層３２と井戸層３０とのａ軸格子定数が異なることによるピエゾ分極に起因したピエゾ電荷が生成される。このため、図３（ｂ）のように、井戸層３０の基板側に負の電荷、基板の反対側に正の電荷が生成されてしまう。しかし、基板の反対側のバンドギャップを基板側のバンドギャップより小さくする。つまり、井戸層３０の組成を基板と反対側（基板から遠い側のバリア層３２）と井戸層３０との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調する。これにより、ピエゾ分極の発生及び電子とホールとの空間的分離を抑制し、発光効率を高めることができる。
【００２８】
実施例１においては、ＭＱＷ活性層２２（バリア層３２及び井戸層３０）の主面が（０００１）面である場合を例に説明した。このように、ＭＱＷ活性層２２の主面の法線方向が［０００１］方向の場合、ピエゾ分極が最も生じ易いため、井戸層３０の基板側に負の分極電荷、基板の反対側に正の電荷が生成される。よって、本発明を適用することにより、電子とホールとの空間的分離を抑制することができる。また、ＭＱＷ活性層２２の主面としては、例えば（１１−２２）面を用いることができる。
【００２９】
また、実施例１においては、井戸層３０としてＩｎＧａＮを例に説明した。井戸層３０はＩｎＧａＮ以外であっても、ＧａＮ系半導体であれば、格子定数が急激に変わることにより、Ｉｎと同様にＩＩＩ族元素が取り込まれにくくなる。よって、バリア層３２よりエネルギーバンドギャップが小さければよく、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮの任意の結晶または混晶を用いることができる。つまり、バリア層３２及び井戸層３０の組み合わせを、ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）及びＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１）とすることができる。しかしながら、井戸層３０がＩｎを含む場合、図８（ａ）で説明したように、井戸層３０の成長初期において、Ｉｎが取り込み難い。よって、井戸層３０がＩｎを含む場合に本発明を適用することが有効である。例えば実施例１のようにバリア層３２をＧａＮ、井戸層３０をＩｎＧａＮとすることができる。この場合、ＩｎＧａＮのＩｎ組成の最大値を例えば０．１６とすることができる。また、バリア層３２及び井戸層３０ともＩｎＧａＮとすることができる。この場合、バリア層３２のＩｎ組成を０．０３、井戸層３０のＩｎ組成の最大値を例えば０．１６とすることができる。
【００３０】
さらに、実施例１において、基板１０としてサファイア基板を例に説明した。基板１０としては、例えばＳｉＣ（炭化シリコン）、Ｓｉ、ＧａＮまたはＧａ２Ｏ３（酸化ガリウム）等を用いることもできる。
【実施例２】
【００３１】
図９はコンタクト層を用いない例である。図９を参照に、実施例２に係る半導体発光装置は、実施例１の図５に対し、Ｎ型第１ＧａＮクラッド層１６、Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８及びＮ型第２ＧａＮクラッド層２０の代わりに膜厚が２μｍのＳｉドープＮ型ＧａＮクラッド層１６ａ（第１導電型半導体層）を用いている。Ｎ電極２８はＮ型ＧａＮクラッド層１６ａに電気的に接続している。その他の構成は実施例１の図５と同じである。
【００３２】
実施例１及び実施例２のように、高温ＡｌＮバッファ層１２を用いた場合、高温で成長したＡｌＮバッファ層１２は結晶性が良く、ＡｌＮバッファ層１２上に成長したＧａＮ層はＡｌＮバッファ層１２の影響を受けａ軸格子定数が小さくなる。よって、ＭＱＷ活性層２２において、井戸層３０としてａ軸格子定数の大きいＩｎＧａＮを成長すると、Ｉｎの取り込みがより阻害される。よって、高温ＡｌＮバッファ層１２を有する場合、特に本発明を適用することが有効である。
【００３３】
高温ＡｌＮバッファ層１２の結晶性が良くなるのは、成長温度が１０００℃以上のときであり、より好ましくはＭＱＷ活性層２２の成長温度より高い場合である。
【実施例３】
【００３４】
実施例３は低温ＧａＮバッファ層を用いる例である。図１０を参照に、実施例１の図５の高温ＡｌＮバッファ層１２の代わりに低温ＧａＮバッファ層１２ａを用いている。低温ＧａＮバッファ層１２ａの成長条件は以下である。
低温ＧａＮバッファ層１２ａ：膜厚が０．１μｍ、アンドープ、成長温度が６００℃、キャリアガスが水素。
【００３５】
また、ＧａＮバッファ層１４、Ｎ型第１ＧａＮクラッド層１６、Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８及びＮ型第２ＧａＮクラッド層２０の代わりに膜厚が５μｍのＳｉドープＮ型ＧａＮクラッド層１６ｂ（第１導電型半導体層）を用いている。その他の構成は実施例１の図５と同じである。実施例３のように、低温で成長したバッファ層を用いることができる。
【実施例４】
【００３６】
実施例４は井戸層３０のＩｎ組成のプロファイルが異なる例である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は実施例４に係るＬＥＤの井戸層３０のＩｎ組成を示す図である。図１１（ａ）のように、井戸層３０のＩｎ組成を階段状にすることもできる。また、図１１（ｂ）のように、井戸層３０の一部のＩｎ組成を連続的に変化させ、残りの一部のＩｎ組成を一定にすることもできる。
【００３７】
実施例１のように、基板側から基板の反対側にかけて、井戸層３０のバンドギャップを連続的に変化させてもよい。また、実施例４のように、基板１０側から基板の反対側にかけて、井戸層３０の少なくとも一部において、バンドギャップ（つまり組成変調）が連続的または階段状に変化する構造としてもよい。実施例４の場合にも、Ｉｎ組成が一定となる範囲が所望の範囲内であれば、電子またはホールの波動関数のピークは基板の反対側のバリア層３２界面に形成され、電子またはホールの波動関数のピークが基板側のバリア層３２界面に誘引されることはない。よって、電子とホールとの波動関数の空間的分離が抑制される。
【００３８】
実施例１から実施例４において、第１導電型をＮ型、第２導電型を第１導電型とは反対の導電型であるＰ型としたが、第１導電型がＰ型、第２導電型がＮ型でもよい。
【００３９】
以上、発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は特許文献１に記載されたＬＥＤ（その１）の井戸層内のＩｎ組成及びエネルギーを示す図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は特許文献１に記載されたＬＥＤ（その２）の井戸層内のＩｎ組成及びエネルギーを示す図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は本発明の原理を説明するための図であり、ＬＥＤの井戸層内のＩｎ組成及びエネルギーを示す図である。
【図４】図４は実施例１に係るＬＥＤの断面図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）はそれぞれサンプルＡ、サンプルＢ及びサンプルＣの井戸層内のＩｎ組成を示す図である。
【図６】図６はサンプルＡ、Ｂ、Ｃの発光強度を示す図である。
【図７】図７はサンプルＡ、Ｃ、Ｄの電流に対する発光強度を示す図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は特許文献１に記載されたＬＥＤ（その２）の課題を示すための井戸層内のＩｎ組成及びエネルギーの図である。
【図９】図９は実施例２に係るＬＥＤの断面図である。
【図１０】図１０は実施例３に係るＬＥＤの断面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は実施例４に係るＬＥＤの井戸層内のＩｎ組成を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０ 基板
１２ 高温ＡｌＮバッファ層
２０ Ｎ型第２クラッド層
２２ ＭＱＷ活性層
２４ Ｐ型クラッド層
２６ Ｐ電極
２８ Ｎ電極
３０ 井戸層
３２ バリア層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関し、特に量子井戸活性層を有する半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体を用いたＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）やＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体発光装置は、短波長用の発光素子として用いられている。
【０００３】
特許文献１には、ＧａＮ系半導体からなる多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）活性層を有する半導体発光装置が開示されている。特許文献１の図５のように、基板上に、Ｎ型クラッド層、ＭＱＷ活性層、Ｐ型クラッド層が積層されている。図１（ａ）から図２（ｂ）は、特許文献１に記載された半導体発光装置のＭＱＷ活性層のうち１層分の井戸層３０とその両側のバリア層３２における基板の法線方向（［０００１］方向）に対するＩｎ組成とエネルギーを示した図である。ＭＱＷ活性層は、複数のバリア層３２と、上下が前記複数のバリア層３２に挟まれた井戸層３０とを有する。ＧａＮ系半導体は、分極が大きいことが知られている。このため、例えば［０００１］方向に積層されたバリア層３２と井戸層３０とのａ軸格子定数が異なると、ピエゾ分極に起因した分極電荷が生成される。この分極電荷の生成は、少なくともａ軸格子定数が異なる場合に実現される。
【０００４】
基板の法線方向（つまり積層方向）が［０００１］方向（ｃ軸方向）の場合、図１（ａ）のように、バリア層３２をＧａＮ、井戸層３０をＩｎＧａＮで形成すると、バリア層３２に対し井戸層３０のａ軸方向の格子定数が大きくなる。これにより、図１（ｂ）のように、井戸層３０の基板側に負の分極電荷、基板の反対側に正の分極電荷が生成される。
【０００５】
分極電荷により、井戸層３０内の基板側の伝導帯体及び価電子帯のエネルギーが高くなり、基板の反対側の伝導帯体及び価電子帯のエネルギーが低くなる。よって、電子は井戸層３０の基板の反対側に存在し、ホールは井戸層３０の基板側に存在する（図１（ｂ）の波動関数参照）。このように、電子とホールとが空間的に分離してしまうため、電子とホールとの再結合確率が減少し発光効率が低下してしまう。
【０００６】
図２（ａ）のように、Ｉｎ組成比を、井戸層３０の基板側で大きく、基板の反対側で小さくする。これにより、図２（ｂ）のように、井戸層３０の基板側のエネルギーバンドギャップは小さく、基板の反対側で大きくなる。よって、電子及びホールとも基板側に存在し、電子とホールとの空間的分離を避けることができる。なお、ＧａＮ系半導体とは、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＧａＮとＩｎＮとの混晶であるＩｎＧａＮ、ＧａＮとＡｌＮとの混晶であるＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等である。
【特許文献１】特開２００５−０５６９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のＭＱＷ活性層を用いても、発光効率は十分ではない。そこで、本発明は発光効率を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、基板と、ＧａＮ系半導体よりなる複数のバリア層及び該バリア層間に挟まれたＧａＮ系半導体よりなる井戸層を備え、前記バリア層と前記井戸層との間にピエゾ分極により形成された分極電荷を有する量子井戸活性層とを備え、前記井戸層は、前記基板から遠い側の前記バリア層との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調して設けられてなる。本発明によれば、電子とホールとの位置的分離を抑制することができ、発光効率を高めることができる。
【０００９】
上記構成において、前記バリア層及び前記井戸層の主面が（０００１）面または（１１−２２）面である構成とすることができる。量子井戸活性層の主面が（０００１）面または（１１−２２）面の場合、井戸層及びバリア層であるＧａＮ系半導体層を平坦性よく成長することができる。また、バリア層と井戸層とのａ軸格子定数が異なるため、ピエゾ分極が生じ易く、電子とホールの位置的分離が生じやすい。このような半導体発光装置においても、電子とホールとの位置的分離を抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記井戸層の組成変調は、Ｉｎの組成変調である構成とすることができる。井戸層がＩｎの組成変調の場合、井戸層の成長初期にＩｎが混入し難い。このような半導体発光装置においても、電子とホールとの位置的分離を抑制することができる。
【００１１】
上記構成において、前記組成変調は、連続的または段階的な組成変調である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記バリア層／前記井戸層の組み合わせが、「ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）／ＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１）」である構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記基板は、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＧａＮ及びＧａ２Ｏ３のいずれかからなる構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電子とホールとの位置的分離を抑制することができ、発光効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本発明を適用したＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ活性層のＩｎ組成及びエネルギーバンド図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）から明らかなように、井戸層３０は、基板の反対側（基板から遠い側）に向かってＩｎ組成が大きくなるように組成変調されている。本発明は、後述するように、基板の反対側のＩｎ組成を大きくすることにより、発光効率を改善するものである。
【実施例１】
【００１６】
図４は実施例１に係るＬＥＤの断面図である。図４のように、サファイア基板１０上に、ＡｌＮバッファ層１２、ＧａＮバッファ層１４、Ｎ型第１ＧａＮクラッド層１６、Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８、Ｎ型第２ＧａＮクラッド層２０（第１導電型半導体層）、ＭＱＷ活性層２２、Ｐ型ＧａＮクラッド層２４（第２導電型半導体層）がＭＯＣＶＤ法を用い順次積層されている。各層は基板１０の法線方向が［０００１］となるように形成されている。Ｐ型ＧａＮクラッド層２４上にはＰ電極２６が形成されている。Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８上にＮ電極２８が形成されている。
【００１７】
各層の成長条件は以下の通りである。
高温ＡｌＮバッファ層１２：膜厚が０．１μｍ、アンドープ、成長温度が１２３０℃、キャリアガスが水素。
ＧａＮバッファ層１４：膜厚が２μｍ、アンドープ、成長温度が１１８０℃、キャリアガスが水素。
Ｎ型第１ＧａＮクラッド層１６：膜厚が１．３５μｍ、Ｓｉドープ、成長温度が１１８０℃、キャリアガスが水素。
Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８：膜厚が０．５μｍ、Ｉｎ組成比が０．５％、Ｓｉドープ、成長温度が９５０℃、キャリアガスが窒素。
Ｎ型第２ＧａＮクラッド層２０：膜厚が０．１５μｍ、Ｓｉドープ、成長温度が１１８０℃、キャリアガスが水素。
ＭＱＷ活性層２２：成長温度が８２０℃、キャリアガスが窒素、バリア層３２と井戸層３０とが交互に積層し、井戸層３０が５層。
ＧａＮバリア層３２：膜厚が９ｎｍ。
ＩｎＧａＮ井戸層３０：ＴＭＩ（トリメチルインジウム）の流量が１６μｍｏｌ／分、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）の流量が４０μｍｏｌ／分、ＮＨ３（アンモニア）の流量が１２０００ｓｃｃｍ、
Ｐ型ＧａＮクラッド層２４:膜厚が０．２μｍ、Ｍｇドープ、成長温度が１１００℃、キャリアガスが水素。
【００１８】
以下に、実施例１に際して検討したサンプルについて説明する。図５（ａ）から図５（ｃ）は、作製したサンプルの井戸層３０のＩｎ組成目標を示している。サンプルの作製に当たっては、このＩｎ組成目標の通りにＩｎ原料の制御がなされる。図５（ａ）のように、サンプルＡは基板側のＩｎ組成が０．１６であり、基板の反対側のＩｎ組成は０である。図５（ｂ）のように、サンプルＢは基板側及び基板の反対側のＩｎ組成が０であり、井戸層３０の中央のＩｎ組成が０．１６である。図５（ａ）のように、サンプルＣは基板側のＩｎ組成が０であり、基板の反対側のＩｎ組成は０．１６である。サンプルＡが図２（ａ）及び図２（ｂ）に相当し、サンプルＣが図３（ａ）及び図３（ｂ）に相当する。サンプルＡからＣの井戸層３０の膜厚は約２．４ｎｍである。さらに、図５（ａ）から図５（ｃ）には示されていないが、サンプルＤとして、基板側のＩｎ組成が０であり、基板の反対側のＩｎ組成は０．１６であり、井戸層３０の膜厚がサンプルＣよりも小さい約２．１μｍのサンプルも作製した。
【００１９】
図６は同じ駆動電流を供給した場合のサンプルＡからＣの発光強度（つまり発光効率）をサンプルＡで規格化した図である。サンプルＡとサンプルＢとでは発光強度に大きな差はないが、サンプルＣはサンプルＡに比べ発光強度が１．３倍となる。
【００２０】
図７はサンプルＡ、サンプルＣ、サンプルＤのＮ電極２８とＰ電極２６との間に印加する電流に対する発光強度を示す図である。同じ供給電流で比較すると、サンプルＣはサンプルＡよりも発光強度が大きい。サンプルＤの発光強度はサンプルＡとＣとの間である。サンプルＣとＤとの比較から、井戸層３０の膜厚は大きい方が発光強度が大きくなる。
【００２１】
以上のように、井戸層３０のＩｎ組成を基板側で大きくする場合（サンプルＡ）と、基板の反対側で大きくする場合（サンプルＣ）とでは、発光効率の違いが生じている。元来、いずれの場合であっても井戸層３０が設計通りに作製されていれば、ポテンシャル井戸における電子とホールとが空間的に一致するため、実質的には同じ発光効率となるはずである。
【００２２】
サンプルＡとＣとで発光効率の違いが生じる理由は明らかではないが、以下の現象が生じているものと考察される。まず、サンプルＡの場合、井戸層３０のＩｎ組成のピークが、基板側のバリア層３２との界面に位置するように井戸層３０を形成することが求められる。これを実現するためには、井戸層３０の成長開始と同時にＩｎ原料の供給量が最大になるように成長装置（例えばＭＯＣＶＤ装置）を制御する。しかしながら、Ｉｎを供給しても成長面に取り込まれるＩｎが一瞬にして最大になることはない。実際は所定の過渡期間をもってＩｎの取り込みが最大になる。このため、図８（ａ）のように、基板側のバリア層３２と井戸層３０との界面から離れた位置に実際のＩｎ組成のピークが形成され、その後Ｉｎ組成が徐々に減少する。このように、サンプルＡの場合は、Ｉｎ組成を図２（ａ）のように理想的に実現することができない。これにより、図８（ｂ）のように、井戸層３０内の伝導帯の底及び価電子帯の頂は、基板側のバリア層３２と井戸層３０との界面から離れた位置に形成される。また、伝導帯の底と価電子帯の頂との位置を、バリア層３２と井戸層３０との界面で規定することができない。
【００２３】
一方、サンプルＣのように、井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面にＩｎのピークが位置する井戸層３０を形成する場合を考える。井戸層３０と基板側バリア層３２との界面においては、徐々にＩｎ組成が増加すればよい（例えば、０から徐々に増加すればよい）ことから、サンプルＡのように、急激にＩｎ原料の供給を最大化する必要がない。また、井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面では、Ｉｎ原料の供給を遮断すれば、遮断した時点がＩｎ組成のピークとなる。これにより、井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面と、Ｉｎ組成のピークと、を一致させることができる。
【００２４】
このように、Ｉｎ組成を井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面において最大にする構造は、Ｉｎ組成のピークが理想的な位置に形成される。このことから伝導帯の底と価電子帯の頂との位置を、バリア層３２と井戸層３０との界面で規定することができる。よって、電子とホールとの空間的分離が抑制される。この結果、サンプルＡとＣとの発光効率の違いが生じているものと考えられる。
【００２５】
さらに、サンプルＣのようにＩｎ組成を井戸層３０と基板の反対側のバリア層３２との界面において最大となるように設計することは、成長装置の内壁等に残留する不純物が井戸層３０に混入し発光効率が低下することを抑制するものと期待できる。すなわち、成長装置の内壁等に残留する不純物は、ＭＱＷ活性層の成長途中に取り込まれることによって発光効率を低下させるが、サンプルＡのように、急激にＩｎ原料を変化するときに取り込まれ易い傾向にある。つまり、サンプルＡ、Ｂ及びＣとも不純物が取り込まれるが、サンプルＡの場合には井戸層３０、サンプルＣの場合には基板の反対側のバリア層３２に不純物が取り込まれることとなる。
【００２６】
このため、サンプルＣのようにＩｎ組成を基板の反対側のバリア層３２との界面において最大とする井戸層構造を採用すれば、井戸層３０内において成長装置の内壁に起因した不純物が相対的に少ない領域で電子とホールの再結合が生じる。よって、サンプルＡに比べ発光効率をさらに改善することができるものと考えられる。なお、上記は井戸層３０の組成変調としてＩｎの組成変調である場合を例に説明したが、他の元素の組成変調の場合も同様である。
【００２７】
実施例１によれば、ＭＱＷ活性層２２の主面は（０００１）面、すなわち基板の法線方向が［０００１］方向（ｃ軸方向）である。このように、［０００１］方向に井戸層３０及びバリア層３２であるＧａＮ系半導体層を成長することで、井戸層３０及びバリア層３２の平坦性が向上する。また、バリア層３２と井戸層３０とのａ軸格子定数が異なることによるピエゾ分極に起因したピエゾ電荷が生成される。このため、図３（ｂ）のように、井戸層３０の基板側に負の電荷、基板の反対側に正の電荷が生成されてしまう。しかし、基板の反対側のバンドギャップを基板側のバンドギャップより小さくする。つまり、井戸層３０の組成を基板と反対側（基板から遠い側のバリア層３２）と井戸層３０との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調する。これにより、ピエゾ分極の発生及び電子とホールとの空間的分離を抑制し、発光効率を高めることができる。
【００２８】
実施例１においては、ＭＱＷ活性層２２（バリア層３２及び井戸層３０）の主面が（０００１）面である場合を例に説明した。このように、ＭＱＷ活性層２２の主面の法線方向が［０００１］方向の場合、ピエゾ分極が最も生じ易いため、井戸層３０の基板側に負の分極電荷、基板の反対側に正の電荷が生成される。よって、本発明を適用することにより、電子とホールとの空間的分離を抑制することができる。また、ＭＱＷ活性層２２の主面としては、例えば（１１−２２）面を用いることができる。
【００２９】
また、実施例１においては、井戸層３０としてＩｎＧａＮを例に説明した。井戸層３０はＩｎＧａＮ以外であっても、ＧａＮ系半導体であれば、格子定数が急激に変わることにより、Ｉｎと同様にＩＩＩ族元素が取り込まれにくくなる。よって、バリア層３２よりエネルギーバンドギャップが小さければよく、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮの任意の結晶または混晶を用いることができる。つまり、バリア層３２及び井戸層３０の組み合わせを、ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）及びＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１）とすることができる。しかしながら、井戸層３０がＩｎを含む場合、図８（ａ）で説明したように、井戸層３０の成長初期において、Ｉｎが取り込み難い。よって、井戸層３０がＩｎを含む場合に本発明を適用することが有効である。例えば実施例１のようにバリア層３２をＧａＮ、井戸層３０をＩｎＧａＮとすることができる。この場合、ＩｎＧａＮのＩｎ組成の最大値を例えば０．１６とすることができる。また、バリア層３２及び井戸層３０ともＩｎＧａＮとすることができる。この場合、バリア層３２のＩｎ組成を０．０３、井戸層３０のＩｎ組成の最大値を例えば０．１６とすることができる。
【００３０】
さらに、実施例１において、基板１０としてサファイア基板を例に説明した。基板１０としては、例えばＳｉＣ（炭化シリコン）、Ｓｉ、ＧａＮまたはＧａ２Ｏ３（酸化ガリウム）等を用いることもできる。
【実施例２】
【００３１】
図９はコンタクト層を用いない例である。図９を参照に、実施例２に係る半導体発光装置は、実施例１の図５に対し、Ｎ型第１ＧａＮクラッド層１６、Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８及びＮ型第２ＧａＮクラッド層２０の代わりに膜厚が２μｍのＳｉドープＮ型ＧａＮクラッド層１６ａ（第１導電型半導体層）を用いている。Ｎ電極２８はＮ型ＧａＮクラッド層１６ａに電気的に接続している。その他の構成は実施例１の図５と同じである。
【００３２】
実施例１及び実施例２のように、高温ＡｌＮバッファ層１２を用いた場合、高温で成長したＡｌＮバッファ層１２は結晶性が良く、ＡｌＮバッファ層１２上に成長したＧａＮ層はＡｌＮバッファ層１２の影響を受けａ軸格子定数が小さくなる。よって、ＭＱＷ活性層２２において、井戸層３０としてａ軸格子定数の大きいＩｎＧａＮを成長すると、Ｉｎの取り込みがより阻害される。よって、高温ＡｌＮバッファ層１２を有する場合、特に本発明を適用することが有効である。
【００３３】
高温ＡｌＮバッファ層１２の結晶性が良くなるのは、成長温度が１０００℃以上のときであり、より好ましくはＭＱＷ活性層２２の成長温度より高い場合である。
【実施例３】
【００３４】
実施例３は低温ＧａＮバッファ層を用いる例である。図１０を参照に、実施例１の図５の高温ＡｌＮバッファ層１２の代わりに低温ＧａＮバッファ層１２ａを用いている。低温ＧａＮバッファ層１２ａの成長条件は以下である。
低温ＧａＮバッファ層１２ａ：膜厚が０．１μｍ、アンドープ、成長温度が６００℃、キャリアガスが水素。
【００３５】
また、ＧａＮバッファ層１４、Ｎ型第１ＧａＮクラッド層１６、Ｎ型ＩｎＧａＮコンタクト層１８及びＮ型第２ＧａＮクラッド層２０の代わりに膜厚が５μｍのＳｉドープＮ型ＧａＮクラッド層１６ｂ（第１導電型半導体層）を用いている。その他の構成は実施例１の図５と同じである。実施例３のように、低温で成長したバッファ層を用いることができる。
【実施例４】
【００３６】
実施例４は井戸層３０のＩｎ組成のプロファイルが異なる例である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は実施例４に係るＬＥＤの井戸層３０のＩｎ組成を示す図である。図１１（ａ）のように、井戸層３０のＩｎ組成を階段状にすることもできる。また、図１１（ｂ）のように、井戸層３０の一部のＩｎ組成を連続的に変化させ、残りの一部のＩｎ組成を一定にすることもできる。
【００３７】
実施例１のように、基板側から基板の反対側にかけて、井戸層３０のバンドギャップを連続的に変化させてもよい。また、実施例４のように、基板１０側から基板の反対側にかけて、井戸層３０の少なくとも一部において、バンドギャップ（つまり組成変調）が連続的または階段状に変化する構造としてもよい。実施例４の場合にも、Ｉｎ組成が一定となる範囲が所望の範囲内であれば、電子またはホールの波動関数のピークは基板の反対側のバリア層３２界面に形成され、電子またはホールの波動関数のピークが基板側のバリア層３２界面に誘引されることはない。よって、電子とホールとの波動関数の空間的分離が抑制される。
【００３８】
実施例１から実施例４において、第１導電型をＮ型、第２導電型を第１導電型とは反対の導電型であるＰ型としたが、第１導電型がＰ型、第２導電型がＮ型でもよい。
【００３９】
以上、発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は特許文献１に記載されたＬＥＤ（その１）の井戸層内のＩｎ組成及びエネルギーを示す図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は特許文献１に記載されたＬＥＤ（その２）の井戸層内のＩｎ組成及びエネルギーを示す図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は本発明の原理を説明するための図であり、ＬＥＤの井戸層内のＩｎ組成及びエネルギーを示す図である。
【図４】図４は実施例１に係るＬＥＤの断面図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）はそれぞれサンプルＡ、サンプルＢ及びサンプルＣの井戸層内のＩｎ組成を示す図である。
【図６】図６はサンプルＡ、Ｂ、Ｃの発光強度を示す図である。
【図７】図７はサンプルＡ、Ｃ、Ｄの電流に対する発光強度を示す図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は特許文献１に記載されたＬＥＤ（その２）の課題を示すための井戸層内のＩｎ組成及びエネルギーの図である。
【図９】図９は実施例２に係るＬＥＤの断面図である。
【図１０】図１０は実施例３に係るＬＥＤの断面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は実施例４に係るＬＥＤの井戸層内のＩｎ組成を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０ 基板
１２ 高温ＡｌＮバッファ層
２０ Ｎ型第２クラッド層
２２ ＭＱＷ活性層
２４ Ｐ型クラッド層
２６ Ｐ電極
２８ Ｎ電極
３０ 井戸層
３２ バリア層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
ＧａＮ系半導体よりなる複数のバリア層及び該バリア層間に挟まれたＧａＮ系半導体よりなる井戸層を備え、前記バリア層と前記井戸層との間にピエゾ分極により形成された分極電荷を有する量子井戸活性層とを備え、
前記井戸層は、前記基板から遠い側の前記バリア層との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調して設けられてなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記バリア層及び前記井戸層の主面が（０００１）面または（１１−２２）面であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記井戸層の組成変調は、Ｉｎの組成変調であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記組成変調は、連続的または段階的な組成変調であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記バリア層／前記井戸層の組み合わせが、「ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）／ＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１）」であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記基板は、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＧａＮ及びＧａ２Ｏ３のいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項１】
基板と、
ＧａＮ系半導体よりなる複数のバリア層及び該バリア層間に挟まれたＧａＮ系半導体よりなる井戸層を備え、前記バリア層と前記井戸層との間にピエゾ分極により形成された分極電荷を有する量子井戸活性層とを備え、
前記井戸層は、前記基板から遠い側の前記バリア層との界面においてバンドギャップが最小となるように組成変調して設けられてなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記バリア層及び前記井戸層の主面が（０００１）面または（１１−２２）面であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記井戸層の組成変調は、Ｉｎの組成変調であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記組成変調は、連続的または段階的な組成変調であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記バリア層／前記井戸層の組み合わせが、「ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１）／ＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１）」であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記基板は、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＧａＮ及びＧａ２Ｏ３のいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−２８８３９７（Ｐ２００８−２８８３９７Ａ）
【公開日】平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３２１９３（Ｐ２００７−１３２１９３）
【出願日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【出願人】（０００１５４３２５）ユーディナデバイス株式会社 (291)
【復代理人】
【識別番号】１００１３７６１５
【弁理士】
【氏名又は名称】横山 照夫
【復代理人】
【識別番号】１００１３４５１１
【弁理士】
【氏名又は名称】八田 俊之
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【出願人】（０００１５４３２５）ユーディナデバイス株式会社 (291)
【復代理人】
【識別番号】１００１３７６１５
【弁理士】
【氏名又は名称】横山 照夫
【復代理人】
【識別番号】１００１３４５１１
【弁理士】
【氏名又は名称】八田 俊之
【Ｆターム（参考）】
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