【課題】EMIシールド効果を高めた光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバは、光送信サブアセンブリ１２、光受信サブアセンブリ１４、光レセプタクル１６、フレーム１８、金属板部材２０、及び、カバー２２を備えている。フレームは一対の側壁部及び底面部を有し、光サブアセンブリを搭載する搭載領域を画成している。金属板部材は前方部及び天井部を含み、前方部は光レセプタクルと光サブアセンブリとの間に挿入される。天井部は前方部に連続し、搭載領域を覆うよう一対の側壁部の間にわたって設けられる。カバーは、内面を有し、搭載領域と金属板部材とを覆うようにフレームに被せられ、当該内面により金属板部材を押圧する。金属板部材の天井部は、カバーがフレームに装着されていない状態では、一対の側壁部の間において当該天井部の中央が隆起する曲面を形成している。 （もっと読む）

【課題】 制御性良く発振波長を実現することの可能な波長可変レーザの制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザの制御方法は、異なる波長ピークを有する複数の波長選択部の組み合わせにより発振波長を選択する波長可変レーザの制御方法であって、発振波長を第１波長から第２波長へ変更する過程において少なくとも１つの波長選択部の設定値を制御する場合において、第１波長を実現するための第１設定値を、第２波長を実現するための第２設定値へ変更する場合における波長選択部の制御方向を確認する第１ステップと、第１ステップによって得られた制御方向があらかじめ定められた制御方向とは逆の場合には第２設定値よりも当該逆の方向に大きい値を準備設定値として波長選択部に設定する第２ステップと、第２ステップによって設定された準備設定値を第２設定値へ変更する第３ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】同軸型パッケージの内部空間に温度測定素子を配置する余裕がなく、また、パッ
ケージのリードピン本数が制限される状況下においても、ＬＤ及びＡＰＤの近傍の温度を
検出することが可能な光送受信器を提供する。
【解決手段】光送受信器１は、送信光を発するＬＤ１８、送信光のモニタ光を受光する送
信光モニタ用ＰＤ１２、及び受信光を受光する受信用ＡＰＤ２０をＣＡＮパッケージ１０
に搭載する光送受信モジュール２と、ＬＤ１８の光出力を制御し、受信用ＡＰＤ２０へバ
イアス電圧を印加する制御回路４とを備える。制御回路４は、定電流源５が生成する定電
流を送信光モニタ用ＰＤ１２に供給するとともに送信光モニタ用ＰＤ１２における電圧降
下を検出し、該電圧降下に基づいて得られるパッケージ内温度を基にして、ＬＤ１８に供
給する駆動電流、および受信用ＡＰＤ２０に印加するバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】モジュール本体を保持する金属製の補助部材を安価に得ることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１は、断面円形状のモジュール本体２と、このモジュール本体２を取り囲むように保持する金属製の断面略多角形状の補助部材３とを備えている。モジュール本体２は、半導体光素子が実装されたステムを含む光デバイスを有している。光デバイスと補助部材３との間には、両者を熱的に結合させる放熱シートが介在されている。補助部材３は、一枚の金属板を切断し、折り曲げて形成されたものである。補助部材３は、後部領域、接続領域、下部領域、上部領域という４つの領域から構成されている。下部領域は、後部領域から接続領域を介して展開されている。上部領域は、後部領域から接続領域の反対側に展開されている。 （もっと読む）

【課題】増幅回路の雑音指数の劣化を抑制すること。
【解決手段】送信端子Ｔｘから入力された送信信号を前記共通端子ＡＮＴに接続する送信スイッチＳＷ１と、前記共通端子から入力された受信信号を増幅し、受信端子Ｒｘに出力する増幅回路９０と、前記共通端子から他のスイッチを介さず入力された前記受信信号を前記増幅回路に接続する第１受信スイッチＳＷ２と、前記共通端子と前記受信端子との間で前記第１受信スイッチとは並列に接続され、前記共通端子から入力された前記受信信号を前記増幅回路とは別の経路で前記受信端子に接続する第２受信スイッチＳＷ３と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】 レセプタクルを安定して筐体に固定すると共に、電磁遮蔽を確実に行う光通信用モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光素子を内部に備え、つば部１６を有するレセプタクル１０（１１）と、レセプタクル１０（１１）が搭載され、つば部１６よりも小さい径を有する光導出孔２１（光導入孔２２）が設けられてなる筐体２０と、レセプタクル１０（１１）が挿入されると共に、つば部１６よりも小さい開口を有し、つば部を筐体に対して押圧する冶具１２（１３）とを有し、つば部１６は、押圧によって光導出孔２１（光導入孔２２）を塞ぐ構成としている。
従って、レセプタクル１０（１１）を安定して筐体に固定することができると共に、筐体に搭載される光ファイバのコネクタ部から発生する高周波信号が漏れるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】光送信器において、ＬＤの温度を検出するのが困難な状態となっても、ＬＤの光出力に対する制御を維持できるようにすること。
【解決手段】ＬＤ３の温度制御を行うための第１の帰還ループに異常が生じたか否かを判定し、異常が生じたと判定された場合に、ＬＤ３の光出力を制御するための第２の帰還ループを用いたＬＤ３の光出力の制御を停止した後に、第１の帰還ループに異常が生じたと判定された直前の電流値によってＬＤ３に駆動電流を供給し、この電流値の駆動電流がＬＤ３に供給されている間においては、ＴＥＣ５と光検出素子１７とＬＤ３の温度を制御するための制御信号を光検出素子１７からの入力に応じて出力するＡＴＣコントローラ９とこの制御信号に応じてＴＥＣ５を駆動するための駆動信号を出力するＴＥＣドライバ１３とを含む第３の帰還ループがＬＤ３の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 サージ電圧等に対するバイパス用の保護部を備え、耐圧性能および低いオン抵抗（低いオン電圧）を実現し、かつ、構造が簡単な、大電流用の、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基体上にオーミック接触するＧａＮ層を有するｎ^＋型ＧａＮ基板１と、第１領域Ｒ１上におけるｎ⁻型ＧａＮドリフト層２を有するＦＥＴと、第２領域Ｒ２においてｎ⁻型ＧａＮドリフト層２にショットキー接触するアノード電極を有するＳＢＤとを備え、ＦＥＴとＳＢＤとは並列配置されており、ｎ^＋型ＧａＮ基板１の裏面に、ＦＥＴのドレイン電極ＤおよびＳＢＤのカソード電極Ｃを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に組み付けることが可能なシールド部品を有する光トランシーバを提供する。
【解決手段】光送信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリ、シールド部材、及び、ベースを備え、シールド部材は、金属板を折り曲げることにより形成されており、一対の側壁部、中央壁部、第１の天井部、及び、第２の天井部を有し、中央壁部は、一対の側壁部の間に設けられており、断面Ｖ字状をなし、シールド部材は、一対の側壁部のうち一方、中央壁部、及び第１の天井部により第１の空間を画成し、一対の側壁部のうち他方、中央壁部、及び第２の天井部により第２の空間を画成し、ベースは、中央壁部の底部が当該ベースに突き当たるようにシールド部材を搭載し、第１の空間に収容するように光送信サブアセンブリを搭載し、及び、第２の空間に収容するように光受信サブアセンブリを搭載する。 （もっと読む）

【課題】半導体回路チップから漏洩した不要放射波に対するアイソレーションを向上させた高周波用の回路モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体基板1に対してグランドメタル層2,4 を介して実装される半導体回路チップ6の、誘電体基板1とは反対側に抵抗膜7を形成する。グランドメタル層から抵抗膜までの距離は、例えば、所定の周波数において1/4波長であり、抵抗膜7は、例えば、空気の特性インピーダンスと等しいシート抵抗値を有する。抵抗膜7とは反対側の面にメタル層が形成された別の誘電体基板を実装する。抵抗膜7が、例えば、該別の誘電体基板に接着されている場合には、該半導体回路チップの材質の誘電率によって決定される特性インピーダンスに等しいシート抵抗値を有し、半導体回路チップから空間を隔てて形成される場合には該抵抗膜は、空気の特性インピーダンスと等しいシート抵抗値を有し、該別の誘電体基板の厚さは、例えば、所望の周波数において1/4波長である。
【選択図】図6
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