【課題】半導体回路チップから漏洩した不要放射波に対するアイソレーションを向上させた高周波用の回路モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体基板1に対してグランドメタル層2,4 を介して実装される半導体回路チップ6の、誘電体基板1とは反対側に抵抗膜7を形成する。グランドメタル層から抵抗膜までの距離は、例えば、所定の周波数において1/4波長であり、抵抗膜7は、例えば、空気の特性インピーダンスと等しいシート抵抗値を有する。抵抗膜7とは反対側の面にメタル層が形成された別の誘電体基板を実装する。抵抗膜7が、例えば、該別の誘電体基板に接着されている場合には、該半導体回路チップの材質の誘電率によって決定される特性インピーダンスに等しいシート抵抗値を有し、半導体回路チップから空間を隔てて形成される場合には該抵抗膜は、空気の特性インピーダンスと等しいシート抵抗値を有し、該別の誘電体基板の厚さは、例えば、所望の周波数において1/4波長である。
【選択図】図6
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【課題】 ヒータによって出力された熱を光導波路層に効率よく供給することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置（１００）は、半導体基板（１０１）と、半導体基板上において上面および側面を備えて画定され光導波路層（１０６）を備えたストライプ状の半導体領域（１０２）と、半導体領域の光導波路層より上部に設けられたヒータ（１０４）と、を備え、半導体領域の幅は、ヒータが設けられた全ての領域に渡って半導体基板の幅より狭く画定され、光導波路層は、半導体領域の側面の下端より上側に設けられ、半導体領域の側面の下端の位置から光導波路層の位置までの距離は、半導体領域の幅の０．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】 ヒータにおいて発生した熱によって光導波路を効率よく加熱することができる光半導体装置、レーザチップおよびレーザモジュールを提供する。
【解決手段】 光半導体装置（１００）は、半導体基板（１０１）と、半導体基板上に設けられ半導体基板の幅よりも小さい幅を有する光半導体領域（１０２）と、光半導体領域上に設けられたヒータ（１０３）とを備え、光半導体領域は、クラッド領域（１０４）と、クラッド領域内に設けられかつクラッド領域の屈折率よりも大きい屈折率を有する光導波路層（１０５）と、光導波路層と半導体基板との間に設けられかつクラッド領域の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する低熱伝導率層（１０６）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネルにおけるキャリア移動度が高く、ノーマリオフを実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＧａＮキャップ層１８の開口部２８との界面（開口部境界面）は、複数のほぼ鉛直な面Ｓ１と、各面Ｓ１の間を補完するように形成された傾斜した面Ｓ３により構成されている。傾斜面はドライエッチングにより形成し、異方性エッチングによりダメージ層を除去する。縦型ＦＥＴ１では、ＧａＮ基板１０上に、六方晶のＧａＮ、ＡｌＧａＮを、｛ 0 0 0 1｝面を成長面として、エピタキシャル成長させており、ｎ型ＧａＮキャップ層１８における鉛直な面Ｓ１は、｛ 1-1 0 0｝面（ｍ面）となる。ｍ面は、Ｃ面とは異なり無極性面であるので、ｍ面を成長面として、ＧａＮ電子走行層２２、ＡｌＧａＮ電子供給層２６を再成長させると、ピエゾ電荷等の分極電荷がＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ界面に生じない。よって、縦型ＦＥＴ１においては、よりノーマリオフに近づけることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】容易に組み立て可能な光トランシーバ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光トランシーバ１０は、光サブアセンブリ１２、１４、フレーム１８、及び、レセプタクル１６を備えており、フレームは一対の側壁１８ｂを有し、レセプタクルは光サブアセンブリと光コネクタとを光学的に結合するための部品である。レセプタクルは、フレームの一対の側壁の間に挿入され、一対の側壁に対面する一対の側面、及び底面を含む。フレームは、後方受容面、及び底面１８ａを有している。後方受容面は、レセプタクルに組み付けられた光サブアセンブリのフランジの後面を受け、フレームの底面にはレセプタクルの底面が当接する。フレームの側壁はねじ孔の一部を画成しており、レセプタクルの側面はねじ孔の他の一部を画成している。光トランシーバは、ねじ孔に挿入されることにより、フランジの後面を後方受容面に当接させるねじを更に備えている。 （もっと読む）

【課題】 サージ電圧等に対するバイパス用の保護部を備え、耐圧性能および低いオン抵抗（低いオン電圧）を実現し、かつ、構造が簡単な、大電流用の、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基体上にオーミック接触するＧａＮ層を有するｎ^＋型ＧａＮ基板１と、第１領域Ｒ１上におけるｎ⁻型ＧａＮドリフト層２を有するＦＥＴと、第２領域Ｒ２においてｎ⁻型ＧａＮドリフト層２にショットキー接触するアノード電極を有するＳＢＤとを備え、ＦＥＴとＳＢＤとは並列配置されており、ｎ^＋型ＧａＮ基板１の裏面に、ＦＥＴのドレイン電極ＤおよびＳＢＤのカソード電極Ｃを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電流リークパスを低減可能であると共に、ドリフト層におけるオン抵抗を低減可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子１１では、半導体積層１３の開口部３１上に、チャネル層１５及びキャリア供給層１７が成長される。半導体積層１３は、ｎ型ドリフト層２３、ｐ型電流ブロック層２５及びｎ型コンタクト層１７を含み、これらの半導体層２３、２５、２７は支持基体２９の主面２９ａ上に順に設けられる。半導体積層１３では（０００２）面方向のＸ線回折半値幅は１００秒以下であり、（１０−１２）面方向のＸ線回折半値幅は２５０秒以下である。ゲート電極１９は、キャリア供給層１７上に設けられる。ゲート電極１９は、電流ブロック層２５の側面２５ａ上に設けられたチャネル層１５における二次元電子ガス３５の濃度を変調するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】ゲート漏れ電流と電流コラプスとをコマーシャルレベルの高い特性要求を満足するレベルまで抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＧａＮ電子走行層１２０と、前記ＧａＮ電子走行層上にＡｌＧａＮ電子供給層１３０と、前記ＡｌＧａＮ電子供給層上にＧａＮ薄膜層１４０と、前記ＧａＮ薄膜層上にゲート電極１６０と、前記ＧａＮ薄膜層上に前記ゲート電極を挟むソース電極１５０およびドレイン電極１７０とを備え、前記ソース電極と前記ゲート電極との間および前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記ＧａＮ薄膜層の結晶表面上に、水素含有量が１５％以下の窒化珪素膜１８０を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】変調特性の良好なレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザ装置は、第１の搭載部２２に搭載された半導体レーザ２３と光結合する光変調器２４と、第１の搭載部２２と離間して配置された第２の搭載部３０と、第１の搭載部２２と第２の搭載部３０とを接続するブリッジ４０と、第２の搭載部３０に搭載され、ブリッジ４０上に設けられた伝送線路６０を介して光変調器２４を駆動するドライバＩＣ３２と、ブリッジ４０上に配置され、伝送線路６０に接続されたコンデンサ６２と、を備える。この構成によれば、コンデンサ６２をブリッジ４０に配置することにより、コンデンサ６２に対するドライバＩＣ３２の発熱の影響を低減することができる。その結果、変調特性の良好なレーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置の導波路の接合面における高次モードの発生を抑制する。
【解決手段】光半導体装置１００Ａは、１．２５μｍ以上の波長を有する伝播光が導波される光半導体装置であって、ＩｎＰに格子整合し、１．５０μｍ以上の幅を有する半導体からなる埋め込み型の第１の導波路３２と、ＩｎＰに格子整合し、第１の導波路よりも狭い幅で、かつ、第１の導波路の屈折率とは異なる屈折率を有する半導体からなる埋め込み型の第２の導波路３４と、第１の導波路３２から第２の導波路３４に向かって幅が狭くなる構造を有し、１．３５μｍ以下の幅の領域に第１の導波路と第２の導波路との接合面を備えた埋め込み型の中間導波部７０と、を有する。 （もっと読む）