【課題】イオン注入装置において走査方向のイオン注入均一性を改善する。
【解決手段】二極式偏向走査電極３６Ａ、Ｂの上流側及び下流側に電子閉じ込めのためのサプレッション電極３４Ｓ、３８Ｓを設けた偏向走査装置３６において、サプレッション電位によって電子閉じ込めが不十分になり、またビーム径が位置によって変化し、その結果としてイオン注入均一性が悪化する。これを改善するために、サプレッション電極を二枚の遮蔽グランド電極３４Ｇ−１、２、３８Ｇ−１，２で挟んで遮蔽する。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの高速退避、一時的退避を、イオンビームのビーム径や断面形状にかかわりなくかつ周辺部材に影響を及ぼすことなく実現できるようにしたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 質量分析磁石装置２２の出口から質量分析スリット２８手前のビームライン区間に配置されて電界の作用によりイオンビームをビームライン上から外れた所定の向きに偏向させる偏向手段としてパーク電極２６を備える。イオンビームが所望の条件を満足しない時にはパーク電極２６にパーク電圧が印加され、これによりイオンビームはビームラインから偏向されて退避状態におかれる。その結果、イオンビームは質量分析スリット２８を通過できなくなるので、イオンビームはウェハ５８に到達せず、条件を満たさないイオンビームがウェハに照射されることは無い。 （もっと読む）

【課題】 インジェクタフラグファラデーカップによりその周辺部材が悪影響を受けることが無いイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 ビームスキャナ３６への入射前のビームライン上に、イオンビームの全ビーム量を計測してビーム電流を検出するインジェクタフラグファラデーカップ３２が入れ出し可能に配置される。インジェクタフラグファラデーカップ３２をビームラインに挿入してイオンビームを遮断すると、イオンビームがインジェクタフラグファラデーカップ３２に設けられたグラファイト３２ａに当たる。このとき、イオンビームでグラファイト３２ａがスパッタされても、インジェクタフラグファラデーカップ３２がビームスキャナ３６の上流側に配置されており、インジェクタフラグファラデーカップ３２でイオンビームが遮断されているので、スパッタされたグラファイト粒子がインジェクタフラグファラデーカップ３２の周辺部材に付着することはない。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置のイオンビームの断面形状にかかわりなく、ビームスキャナに適した収束と整形を実現する。
【解決手段】イオン注入装置は、イオン源１０、質量分析磁石装置２２、質量分析スリット２８、ビームスキャナ３６等で構成される。質量分析磁石装置の出口から質量分析スリット入射前のビームライン区間に、第１の四重極縦収束電磁石２４を設け、質量分析スリットの出口からビームスキャナ入射前のビームライン区間に、第１の四重極縦収束電磁石よりも有効磁場効果の大きな第２の四重極縦収束電磁石３０を設けて、イオンビームの収束と整形を行う。具体的には、第２の四重極縦収束電磁石におけるイオンビーム進行方向の長さを、第１の四重極縦収束電磁石２４における長さよりも長くしている。その結果、第２の四重極縦収束電磁石によるイオンビームの収束力は、第１の四重極縦収束電磁石による収束力よりも大きくなる。 （もっと読む）

【課題】 静電偏向による走査中におけるビーム径を走査位置によらずほぼ一定に保つことができるようにする。
【解決手段】 イオン注入装置等のビーム処理装置に適用されるビーム偏向走査装置において、ビーム軌道を間にして対向し合うように一対の走査電極２１Ａ、２１Ｂを配置する。この一対の走査電極の区間に、この一対の走査電極の対向方向と直交する方向であってかつビーム進行方向に沿う一対の電場補正電極２７、２８をビーム軌道を間にして対向し合うように配置する。この一対の電場補正電極に常に補正電圧を印加することにより、往復走査されるビームに対しその往復走査の正逆電位の切り替え時に補正電場が大きく作用するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】 縦断面が長円形、円形、楕円形の粒子ビームを、縦断面が横方向に長い長円形状、楕円形状の粒子ビームとなるように整形して、偏向走査装置に入射させることができるようにする。
【解決手段】 イオンビーム発生源１１から引き出されたイオンビームを、質量分析磁石装置１３、質量分析スリット１５、偏向走査装置１７の順に通過させ、被処理物に照射させるビーム処理装置において、質量分析磁石装置と偏向走査装置との間であって質量分析磁石装置を通過したイオンビームが横方向に最も集束する位置に前記質量分析スリットを設け、該質量分析スリットの上流側及び下流側に、それぞれ第１の直流四極電磁石１４及び第２の直流四極電磁石１６を設けた。 （もっと読む）

【課題】 回転ディスクの回転速度が低くても被処理物に対するビーム照射の均一性を低下させることの無いビーム処理装置及びビーム処理方法を提供する。
【解決手段】 ビーム処理装置は、複数のウェハ１１０を回転ディスク１００上に装着してディスク軸を中心に回転ディスクを回転させるよう構成するとともに、回転ディスクをディスク軸と直交する方向に往復運動させるよう構成し、ウェハに対し、回転ディスクの回転と往復運動とを同時に行わせることにより、ビームを照射する。回転ディスクは、内側オーバースキャン位置と外側オーバースキャン位置との間で往復スキャンするよう構成されている。ビーム処理装置は制御手段を備え、この制御手段は、回転ディスクの単位時間当たりの回転数と、往復スキャンのスキャン速度及び往復スキャン回数と、ビームの計測ビーム幅の測定値もしくはビームのビーム幅の既定値とに基づいて、ビームサイズにかかわらず、ウェハに対し必ずビームが重ね照射されるように制御する機能を持つ。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム中の水素イオン（Ｈ_Ｘ^＋）を低減し、均一な電流分布を持つドーパント比率の高いイオンビームを生成できるイオン源装置を提供する。
【解決手段】真空プラズマ室１０内でイオンビーム引出面に平行な第１の方向に配列されてプラズマ室内に高周波電界を生成する偶数個のアンテナ２２と、これらのアンテナを挟むように対向配置されてアンテナを横切る磁界を形成することにより高濃度の電子発生領域を形成させてプラズマ生成を補助する２組のアンテナ対向磁石３０Ａ、Ｂと、これらアンテナ対向磁石を移動させる位置調整手段と、イオンビーム引出面に設けられて生成されたプラズマからイオンビームを引き出す複数の電極からなるイオンビーム引出系とを含む。特に、アンテナのループ形状を第１の方向に長い形状とすることにより、プラズマ室内でのプラズマ密度を第１の方向に関して均一化させる。 （もっと読む）

【課題】 高速かつ長スキャンの基板スキャンであっても、真空シール性能の向上を実現可能な真空シール機構を提供する。
【解決手段】 真空処理室１内で被処理部材を保持している保持部をスキャンシャフト（真空駆動軸）７によって往復動するように駆動し、このスキャンシャフトを真空処理室の壁６に設けた連絡口６ａを貫通させて外部に導出して真空処理室外に配置された駆動機構により駆動する。スキャンシャフトの当該真空処理室外の導出部に、スキャンシャフトの大気側における周囲に設けられたシールハウジング２を備えた真空シール機構が配設される。シールハウジングを複数の差動排気部および複数のシール部材により構成するとともに、スキャンシャフト上で、前記導出部とシールハウジングとを、弾性部分を有する揺動可能な接続部材５を介して連結した。 （もっと読む）

【課題】高電流低エネルギータイプのイオン注入装置において、ウエハー表面に混入するパーティクルを著しく低減できるイオン注入装置のビームラインの内部部材用の黒鉛部材を提供すること。
【解決手段】イオン注入装置に用いるための黒鉛部材であって、かさ密度が１．８０Ｍｇ／ｍ^３以上であり電気抵抗率が９．５μΩ・ｍ以下であるイオン注入装置のビームラインの内部部材用の黒鉛部材。好ましくは、当該黒鉛部材の自然破面のラマンスペクトルにおける１３７０ｃｍ^−１のＤバンド強度を１５７０ｃｍ^−１のＧバンド強度で除して得られるＲ値は０．２０以下である。 （もっと読む）