【課題】 積層セラミックコンデンサの脱バインダー工程及びその後の焼成工程において、層間剥離などの構造欠陥の発生を防止でき、ニッケル内部電極の形成に好適なニッケルペーストを提供する。
【解決手段】 バインダーを溶剤に溶解したビヒクル中にニッケル粉を分散させたニッケルペーストであって、トリアジンチオール類及び硫酸根含有化合物から選ばれた少なくとも１種の硫黄含有有機化合物を、ニッケルに対し硫黄換算で好ましくは０.０１〜１重量％含んでいる。この硫黄含有有機化合物がバインダーの熱分解に対するニッケル粒子表面の触媒活性を抑え、脱バインダー工程途中でのバインダーの部分的な熱分解による急激なガス発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットに割れがなく、かつ、ホットプレス１チャージあたりの製造枚数を向上させることが可能な透明導電性薄膜作製用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する
【解決手段】 酸化インジウムを主成分として、ケイ素、チタン、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、スズおよびタングステンからなる群より選ばれた１種以上の金属酸化物または複合酸化物を添加した原料粉末に、冷間静水圧プレスを施し、得られた塊を粉砕した後、粉砕された混合粉末にホットプレスを施す。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ強度を低下させることなく、少ない投資で実現可能であり、かつ、きれいな劈開面で形成され、高い劈開面精度を持つＯＦを、高い歩留まりで得ることが可能な半導体ウェーハの劈開方法、および劈開治具を提供する。
【解決手段】 柱状体であって、溝付部４と保持部５が一体に形成された劈開治具３を用いる。溝付部４には、半導体ウェーハ１に形成された仮のオリエンテーションフラット１ａと、仮のオリエンテーションフラット１ａに略平行に形成された傷２との間にある半導体ウェーハ１の部分に嵌め込むことが可能な溝４ａ、４ｂを少なくとも１つ以上形成する。半導体ウェーハ１の前記部分を劈開治具３に嵌め込み、劈開治具３を仮のオリエンテーションフラット１ａに平行な軸を中心に回転させることにより、傷２を起点に半導体ウェーハ１を劈開させてオリエンテーションフラットを形成する。 （もっと読む）

【課題】 リチウムイオン電池に使用されているニッケル酸リチウムやコバルト酸リチウム等の正極活物質を酸性溶液に溶解する際に、酸化剤や還元剤等の高価な薬剤を添加することなく、ニッケル及びコバルトの浸出率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】 リチウムイオン電池のニッケルやコバルトを含むリチウム含有正極活物質と共に、固定炭素含有物を酸性溶液に添加し、ｐＨを０.５〜１.５の範囲に保持する。固定炭素含有物は、黒鉛、活性炭、石炭、コークス、木炭、あるいはリチウムイオン電池の負極から回収された負極粉が好ましい。また、固定炭素含有物は溶解反応終了後に回収して再使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化ルテニウムより安価なルテニウム原料を用い、酸素加圧炉を用いることなく、スパッタリングターゲットとして所定の組成を有するストロンチウム・ルテニウム酸化物焼結体を、簡単且つ低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 ストロンチウム源とルテニウム源からなる原料粉を仮焼成し、仮焼粉を粉砕成形し、１５５０〜１７５０℃で焼結する方法において、上記ルテニウム源として、最大粒子径が１０５μｍ以下、Ｄ５０が５〜２５μｍの金属ルテニウム粉末を用いる。仮焼粉を粉砕する際の媒体は脱水アルコールが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ベベリング工程で、ＧａＰウェーハの裏面と側面との交線の上に、あるいはその近辺に発生するチッピングが防止でき、従って、ベベリング工程以後の工程におけるＧａＰウェーハの割れを低減できるベベリング方法を提供する。
【解決手段】 断面が曲率半径（Ｒ）の円弧形状底部と、該底部に連続して接し、回転軸と垂直な面に対して１０°〜３０°の傾きで開口する側面とからなる溝が、回転軸に対して半径方向外側の全周に形成されたダイヤモンド砥石を用いて、ＧａＰウェーハ（６）の裏面と、ダイヤモンド砥石の回転軸に垂直で、溝の底部の円弧中心を通る面との間隔（ｔ１）を、１０°≦９０°−ｓｉｎ^-1（ｔ１／Ｒ）≦５５°となるように、制御する。 （もっと読む）

【課題】貴金属を含有する硫化銅鉱と酸性塩化物水溶液を向流接触させ、塩素浸出し、かつ得られる浸出生成液を還元する工程を含む湿式精錬法において、貴金属の回収に際して、高収率で、かつ貴金属を濃縮して回収する方法を提供する。
【解決手段】貴金属を含有する硫化銅鉱と酸性塩化物水溶液を向流接触させながら、銅を浸出する浸出工程と得られた浸出生成液を還元する還元工程とを行う湿式精錬法において、浸出工程における酸化還元電位を制御することにより浸出残渣中に貴金属の大部分を濃縮し回収するとともに、還元工程に先だって、前記浸出生成液に一部溶出されて含まれる貴金属イオンを金属化して回収する貴金属回収工程を行うことを特徴とする硫化銅鉱からの貴金属回収方法などによって提供する。 （もっと読む）

【課題】 ビスマス置換型磁性ガーネット膜の育成中に非磁性ガーネット基板が割れ難く、育成されたビスマス置換型磁性ガーネット膜に結晶欠陥が生じ難い非磁性ガーネット基板の製造方法と非磁性ガーネット基板およびビスマス置換型磁性ガーネット膜を提供する。
【解決手段】 非磁性ガーネット単結晶ウェハの外周端面をべべリングする工程と上記ウェハ表面をポリッシュする工程を有し、ビスマス置換型磁性ガーネット膜を液相エピタキシャル成長法により育成するために適用される非磁性ガーネット基板の製造方法において、ベベリング処理された単結晶ウェハのベベル面と研磨材との間に化学的作用を生じさせながらベベル面を機械的に研磨するメカノケミカルポリッシュによりベベル面に存在するマイクロクラックと加工歪み層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅導体部の欠陥がなく、かつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性に優れ、絶縁信頼性の高い銅皮膜層を形成した２層フレキシブル基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体フィルム上に乾式めっき法により形成されたクロムの割合が１２〜２２原子％で残部がニッケルのニッケル−クロム合金を主として含有する層厚５〜５０ｎｍの下地金属層と、前記下地金属層上に形成された層厚１０ｎｍ〜１２μｍの銅皮膜層とからなり、その製造方法は、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上に所望の層厚の銅導体層を形成する２層フレキシブル基板の製造方法において、前記絶縁体フィルム上に乾式めっき法によりニッケル−クロム合金を主として含有する下地金属層を形成し、更に、前記下地金属層上に乾式めっき法により銅皮膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】
優れた近赤外線遮蔽特性を有しながら、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊ｂ^＊の小さいニュートラルな色調を発色させることができ、耐熱性、耐光性にも優れた赤外線遮蔽材料微粒子、及び近赤外線遮蔽体、並びに赤外線遮蔽材料を通過する可視光の色調調整方法を提供する
【解決手段】
Ｗ_１８Ｏ_４９とトルエンと高分子系分散剤とを混合して分散処理を行い平均分散粒子径が８０ｎｍの分散液を調製し、一方、ＬａＢ_６微粒子とトルエンと高分子系分散剤とを混合して分散処理を行い平均分散粒子径が８０ｎｍの分散液を調製し、両分散液を、Ｗ_１８Ｏ_４９/ＬａＢ_６＝２．２（重量比）となるように混合し赤外線遮蔽材料微粒子を得、さらに該赤外線遮蔽材料微粒子とハードコート用紫外線硬化樹脂とを混合して成膜後、紫外線照射により硬化させて近赤外線遮蔽体を得た。 （もっと読む）